TW201009502A - Positive photosensitive resin composition, method of forming pattern and semiconductor device - Google Patents
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201009502 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種感光性樹脂組合物和一種使用該感光性樹 脂組合物形成圖案之方法,且更特定言之,是關於一種正型感光 性樹脂組合物、一種使用該正型感光性樹脂組合物形成圖案I方 法以及一種包含藉由該方法而得到之光阻圖案的半導體裝置。 【先前技術】 根據先前技藝,聚醯亞胺樹脂具有優良的抗熱性、電特性、 機械特性及類似特性,其已用作半導體裝置及/或顯示器之中間介 蠼 t層或純化層。-般地,可得到該聚醯亞胺樹脂,從而可將感光 性聚醯亞胺組合物塗覆於一基板上,然後將經塗覆之組合物進行 曝光、顯影並加熱。 然而,由亥感光性聚醯亞胺組合物易受熱穩定性影響,因 此當在約j5〇 C下實施交聯時,會損壞該聚醯亞胺樹脂之圖案, 或可能〒減少觀案之難。為了級上述問題,可將一具有 良熱穩定性之交聯劑添加至該感光性聚醯亞胺組合物中。在此 f月況下,不利地,該圖案之解析度可由於該交聯劑而減少,或者 在交聯步_間分子間之交聯程度非常高,從崎低了聚酿亞胺 樹脂之彈性。 此外,當使用該感光性聚醯亞胺組合物形成一圖案時,該感 光性聚醯亞練合物之敏紐為重要者。#其敏錢較低時,會 f加曝光時間’從而降低了生產能力。然而,當將大量的感光劑 及類似物添加至該感光性聚醯亞胺組合物中以提高其 儘度可變高,但會出現,查現象,其中顯影後^圖夺案 之末^;產生剩餘物。 【發明内容】 本發明之-方面提供—種可具有高敏紐並可盡量減少浮渣 感級樹脂組合物、—種使用該正型感光性樹脂組合 ^形成圖案之方法以及-種包含藉由形成制案之方法而得到之 光阻圖案的半導體裝置。 201009502 ' >祕#本發明之一方面提供一種具有良好均勻性和解析度、在實施 父聯期間可盡量減少收縮之正型感光性樹脂組合物、一種使用該 =感光性樹脂組合物形成職之方法以及—種包含藉由形成該 圖案之方法而得到之光阻圖案的半導體裝置。 根據本發明之—方面,可提供―種正型感光性翻旨組合物, 其包括一聚醯胺衍生物、一感光性化合物以及至少一種低分 添加劑。 在此情況下,該正型感光性樹脂組合物可進一步包 活性劑以及一用於改良黏著性之試劑。 ❶ 此外,該聚醯胺衍生物可由 [化學式1]
X-HN-R1-HN (〇H)n
• \此外’該感光性化合物可為一重氮萘盼化合物。該重氮萘紛 化合物可由 [化學式2]
其中η和m獨立地選自〇至5之整數,其中n+_,@為 201009502
C12_4〇之芳基,以及DNQ (重氮萘醌)為 此外,該添加劑可選自下述化學式3至6。可單獨使用或以 其任何組合方式使用此等添加劑。 [化學式3]
[化學式4] CH3
OH 其中η為2至6之整數, [化學式5] ~\ 〇
Rs^f ^-+ -O-S—R10 Ο
其中R8和R9獨立地選自Η和Cmo之有機基團,以及R1G 為Ci_2〇之烧基或'基’以及 [化學式6] 201009502
根據本發明之一方面,可提供一種形成圖案之方法,包括: 將該用於正型感光性樹脂之組合物塗覆於一基板上’然後乾燥經 塗覆之組合物以形成一光阻層;選擇性地使該光阻層曝光;使經 鲁 曝光之光阻層顯影以形成一光阻圖案;以及加熱該光阻圖案。 、1 艮據本發明之一方面,可提供一種包含藉由形成該圖案之方 法而得到之光阻圖案的半導體,其中該圖案可作為一中 或鈍化層。 由以下結合附圖對本發明之特定示範性實施例的詳細說明, 發明之上述及其他方面將變得明顯且更易於理解。 【實施方式】 ❿ 糸㈣詳細插述—種根據本發明示範性實施例之正型感 方法以』、二二雖賴正型感光性樹驗合物形成圖案之 ίίίΐ 形成該職之方法而制之光阻圖案的半 =::;ί性化合物以及上胺 之正型感先性樹脂組合物可進:步包二用= 該聚醯胺衍生物可由 [化學式1] X-ΗΝ-R1-ΗΝ' (〇Η ) λ ΝΗ_(。〇卞3卜(iH)„ 2 ^ NH R"*— C°2R3)m (〇H)n 201009502 表示, 其中R1和R2獨立地選自均具有 機^基團⑻至有機基團㈤,選自則〜。之有 為10至1,000之整數’ η和m獨立地選自〇至2之整數,其中的 n+m > 0 ’ X選自Η和C2_3〇之有機基團。 在化學式1中由R1表示之結構可選自下述化學式,然而本發 明並不限於此。可單獨使用或以其任何組合方式使用下述該等化 學式。 ’
7 201009502
CH2CH2 JOr ❹
ch2
h3c
cf3 cf3
ch3 cf3
ch3 ch3 -(CH;2)3——Si—0 —Si—(CH2)3
Ph ch3 ch3
i 3 I -(CH2)3—Si—0—Si—(CH2)3- ch3 ch3
Ph I
Ph I -(CH2)3——Si—0 —Si—(01-)2)3-
Ph Φ 其中R4選自H、鹵素、羥基、羧基、硫醇基和CM0之有機 基團。在此情況下,該有機基團可包括或不包括官能基。 在化學式1中由R2表示之結構可選自下述化學式,然而,本 發明並不限於此。可單獨使用或以其任何組合方式使用該等下述 化學式。 201009502
j 其中R5選自Η、鹵素、羥基、醚基、硫醇基和Ci4〇厶有機 基團。在此情況下,該有機基團可包括或不包括官能基。, 在化學式1中由X表示之結構可選自下述化學式,銬而, 發明並不限於此。可單獨使用或以其任何组合方式使用卞述该等 化學式。
該有1基=^=^^叫跡在此情況下, 且絲之雜贿·—射藉輪合反應製造。 轉酿氣將二紐衍生物轉化為二氣衍生物,經 轉化之生物在驗性催化作用下與二胺衍生i
201009502 應二從而製造該聚醯胺衍生物。該縮合反應之反應溫度並未特別 ,又到限制,但較佳地為約8〇 或低於80 °C。當反應溫度太高 h•,顯影速度或紫外線透過率會由於所產生之副產物而劣化。然 而,當反應溫度為-10 t:或低於_1〇它時,不利地將降低反應速度。 因^ ’較佳地應在·1〇。(:至8。。。下實施該縮合反應。然後,在終 止縮合反應後,將該反應混合物逐漸滴入純水中並沉澱,可得到 預期之聚醯胺衍生物固體顆粒。當聚醯胺衍生物之分子量高時, 用於與胺齡能基反應之酸酐衍生物祕職衍生物義量可能 會增知。 對於合融化科1麵之雜贿生麵言,可由化學性 貝穩定之官能基取代聚合物主鏈的胺基,啸制其分子量並改良 產品之儲存穩定性。-種由另—官能絲代醯絲之方法並未受 然^,例如’該胺基可與—能夠藉由與該胺基反應 基=化5物進行反應。該化合物並未受到具體限制,且 方式使用烧基幾基氣衍生物、烯基羧基氣 5生,、炔基祕麟生物、絲俩基氣衍生物、絲雜基 麟生物、包括烧基、芳基或烯基之断衍生物及類似物。 該感光性化合物並未具體地受到限制,以及可單獨使用或以 其任合物、錄細b合滅類似物。 5亥重鼠秦醒化合物可由 [化學式2]
〇 DNQ
表示, 其中η和m獨立地選自〇至5 之整數’其中n+m>〇,@為 201009502
〇=S=〇
Ci2-4〇之芳基,以及DNQ為 I 或 . ^ 可^彳彳f该重氮奈盼化合物,以使包含至少兩個經基之紛衍生 物與重氮^齡~醯基氣衍生物在胺催化劑作用下進行反應。在此 情況下’當DNQ取代所有經基時’與溶劑之溶解性降低,從而在 製造之後可產生晶粒。因此’ DNQ與崎生物之減的取代程度 95% ’然:而,本發明並不僅限於此。作為一實例, 該溶狀鱗錄優時,可制錢萘雜合物,其中d 衍生物之雜。此外,# 7G %或低於观之 取代其祕時’可提高氮萘合 = 形成圖案時,_ i_線曝光時^ 太乎1不米,、,、吸收之笨酚衍生物。當該圖案在約365 奈未具有面吸收時,該圖案之垂直度較差。 參 4學式2 *示之重氤萘紛化合物可選自如下化學 i用僅限於此。可單獨使用或以其任何組合方; 201009502
CTDNQ CrDNQ O.DNQ 〇.DNQ 〇,DNQ 〇,DNQ Q CH3 CH3 'ch3 R7
0" ^
CH3 CH3 R7
〇 cr DNQ
◦、DNQ
0 0 ,DNQ
DNQ
DNQ
0 °-DNQ 〇 〇 QND DNQ O
[\I2 ,其中DNQ為h、 〇
,每一重氮萘 之至少一種,以及R7 可選 自Η、甲基及_〇_DNq基。 時,可使用上述化學式中至少兩種或兩種以上之重ϋ苯 3二物。在重氮萘紛化合物中包含之二笨甲_生物在敏感度 方面較優’但其在贿垂直度方面較差。然*,在重氮萘盼^ 物^包含少量二笨曱酮衍生物之情況下,其敏感度僅稍有改良了 二般地’ 1,2-萘醌-2-重氮-4-磺酸酯衍生物之紫外敏感度優於l52_ 萘酿-2-重氮_5_續酸酯衍生物。 該感光性化合物如重氮萘酚化合物以聚醯胺化合物為1〇〇重 量份計可為5重量份至30重量份。當該感光性化合物以聚醯胺化 12 201009502 合物為1GG重量份計為5重量份或小於5 之抑制溶解效果从,並在形成該醜時 ^ _顯影液 該感光性化合_聚_化合㈣⑽f °相反地,當 於3〇重量份時,該薄膜在實施熱交聯後之厚Ά 3〇玄重量份或大 該添加劑可選自化學式3至 ^厚度知失率非常高。 何組合方式使用化學式3至化 予& 6。可_使用或以其任 [化學式3] A〇°
OH
CH2f^-C02H
OH 其中n為2至6之整數, [化學式5]
r 地選自砂%之有機基團,以及R為
Cwg之烷基或cw〇之芳基,以及 [化學式6] 13 201009502
在使用根據本發明之感紐樹脂組合 劑可達到高解析度和高敏感度,並盡案f,该添加 厚度的改變,同時防止其他物理性U =減=實,交聯後之 ,湖案時,該添加劑可達到較優的熱穩定盒使 實施該熱交聯後之圖案的彈性。 〜 並改良在 光後=解姆彡射,並增蝴_硬化狀熱H切分在曝 (崎基糊舰綠魅物即’4,4-雙 分之顯影速率。此外,由化學式4 數’並提祕光部 從而增加_之騎度。 &之添加射防止浮渣出現, 在形成該圖案時,由化學式5矣+ 蛾鹽可控祕就量數。料’辨,二苯基 及可使用二苯基稱腦俩具體限制,以 破鹽在她部分在^謝^鹽作為二苯基 胺基 合物可控獅光能量數。由化昼 ^片席2,3_—酸酐之醯胺化 化學式4之效果,並可改良敏U。6表不之添加劑可具有類似於 重量份計為:.5重量份至的置可以_胺化合物為100 加劑的量以聚醯胺化合物為100里重刀° g ’由化學^4表示之添 份。當由化學式4表示之添加劑的量4二 201009502 份計為1重量份或小於i重量份 效果並不顯著。此外,當由化學式 、二亥添加劑所得到之 化合物為刚重量份計為15 =分4或=^的f以聚醮胺 該等未曝光部分會溶解於該顯影液中外’不^地,
顯影液之抑娜解效絲_,但其_射能’對該 =物主鏈中使用5%或少於5%之二胺基魏烧。在^ 魏^用作改良黏著性之試 作為矽烷偶聯劑之實例’可考慮乙烯基三甲氧基矽烷、[3_(2_ 胺基乙基胺基)丙基]三甲絲炫、3_胺基丙基三甲氧基發院、Ν_ 甲基胺基丙基二f氧基石夕烧、3_縮水甘油氧基丙基三甲氧基石夕烧、 3-^水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2_ (3,4_環氧環己基)乙基三 甲氧基梦烧、3-甲基丙稀醯氧丙基三甲氧基碎烧、疏基丙基三甲 氧基矽烷、N-(l,3_二甲基亞丁基)_3-(三乙氧基矽烷)_ !_丙胺、 Ν,Ν-雙(3-二甲氧基石夕烧基)丙基乙胺、n_(3-三甲氧基石夕烧基丙 基)吡咯、脲基丙基三甲氧基石夕烷、(3_三乙氧基矽烷基丙基)_t_ 丁基胺基甲酸酯、Ν·笨基胺基丙基三甲氧基石夕烷以及3_異氰酸酯 丙基三甲氧基矽烷。可單獨使用或以其任何組合方式使用此等偶 聯劑。在此等偶聯劑中’較佳地,可單獨使用或以其任何組合方 式使用3·縮水甘油氧基丙基三曱氧基矽烷、3_縮水甘油氡基丙基 二乙氧基石夕院、脈基丙基三甲氧基石夕院及類似物。 矽烧偶聯劑,亦即,用於改善黏著性之試劑的量以聚醯胺化 15 201009502 伤2為05重量份至ι〇重量份。當該矽烷偶聯劑 if 為⑽重量份計為G·5重量份或少於〇·5重 度可能會劣化。此外,當該魏偶聯劑之量以 ^現浮洁r :100重置份計為10重量份時’將抑制圖案形成或 # 面劑可改良根據本發明之正型感光性樹脂組合物之 。广° ί可用作表面活性劑、然而’該表面活性劑並不僅 醯胺化合物為_量份計可為_5重量份至 该溶劑可供作為一種藉由溶融或溶解根據本發明之正型 的組合㈣。贿舰未糾具體限 早獨使用或以其任何組合方式使用γ _ 丁内醋、N_甲某 ,烧酮、N,N_二甲基乙_、二甲基亞碾、環己烧、2_庚。 丙二料甲醚乙酸醋、甲基異丁基_、乙m乙二 乙醚、乳酸乙酯及類似物。 #一 υ、上所述豸正型感光性樹脂組合物可具有高敏感度並可盡 外’該正型感光性樹脂組合物可具有優良的 塗層均勻性和解析度,並可盡量減少在實施交聯時之收縮。 _ 為了使用根據本發明之正型感光性樹驗合物形成該圖 ,該正型絲性樹敝合物賴於該基板上,然後賴以形成一 光阻層。之後’使該光崎選擇性地曝光,並使經曝光之光阻声 顯影從而形成-光_案。隨後,加熱該光_案從而 ^ 案。下文中將逐步詳細地描述形成該圖案之步驟。 首先,將根據本發明之正型感光性樹脂組合物按照 厚度塗覆於-用於製造半導體裝置之基板、例如破晶圓上' 覆於用於製造顯示器之另一基板、例如玻璃基板上。 一少、 在塗覆過程中,可使用旋塗法、喷塗法以及輥塗法中之一種 方法,然而,可使用各·佈方法。之後,—加熱爐、 或紫外。線將塗覆有該正賴紐樹驗合物之基板加細約 至150°c ’以乾燥該溶劑,從而形成該光阻層。…… 16 201009502 曝光方式選擇 ’其中該光罩 其次’可採用i-線射線、h-線射線或g_線射線 性地使該光阻層曝光。在此情況下,可使用二光^ 之圖案與期望在其上所形成之圖案相同。 再者’使用-顯影液使該曝光細補影, 該,影層以形成-光關案。作為用於顯影之顯 未文到具體關,只要該化合物具有基本軸影特 、[ 四甲基氫氧化銨可用於顯影液。 1 然後’在-溫度約35(TC或35叱以上之加熱爐中加埶該光阻 圖案至少數十分鐘’以便將該光阻圖案轉換為聚醯亞胺^ φ 噁唑化合物。經加熱之光阻圖案可用於一半導體裝詈;5/杰筋-毋 之中間介電質或純化層。該中間介電層或鈍化層具^的^ 性、電特性、機械特性及類似特性。 笑良幻机… 下文中’將藉由合成實例、實例及比較實例對本發明 細描述。然而,應瞭解,此等合成實例、實例及比較實例僅 明之目的,不應理解為限制本發明之範圍。 在下述合成實例中,使用經脫水處理之有機溶劑,並在 氣氛下實施聚醯胺衍生物之合成。 ” 金成實例1 : 4,4’-氧雙(笨甲醯事Λ夕厶# 將60克(〇·2324莫耳)4,4’_氧雙(苯甲酸)和24〇克Ν-甲基 吡咯烷酮(_)加入配置一混合器及一溫度計之0.5升燒瓶中广 攪拌並溶解。之後,將燒瓶冷卻至〇°c,然後滴加11〇克(〇 9246 莫耳)亞硫醯氣,反應一小時以得到4,4,_氧雙(苯甲醯氣)。 金或實例2:二甲暴_3,3’,七^笨基醚_四羚酸甲酯二氣 合成 將60克(〇,1934莫耳)3,3’,4,4’-二苯基漆四叛酸二酐、24 克(0.3993莫耳)異丙醇、2克(0.0198莫耳)三乙胺以及12〇 克N -甲基啦略烧酮(nmp)加入配置一混合器和一溫度計之i 升燒瓶中,然後在室溫下混合四小時以製造二—n•曱基_3,3,,4,4,_二 笨基醚-四羧酸酯溶液。之後,將燒瓶冷卻至0°C,滴加70克(0.5884 莫耳)亞硫醢氯,反應兩小時以得到二甲基_3,3,,4,4,_二苯基醚_四 17 201009502 羧酸酯二氣化物溶液。 金成實例3.二吳另羞^,4,4,二笨基醚·四羧酸甲酯二氣化物 之合成 將60克(0.1934莫耳)3,3,,4,4,-二苯基醚四羧酸二酐、24克 (0.3993莫耳)異丙醇、2克(〇〇198莫耳)三乙胺以及12〇克 N-甲基吡,烷酮(NMP)加入配置一混合器和一溫度計之〗升燒 瓶中,在室溫下混合四小時以製造二異丙基_3,3,,4,4,_二苯基醚_四 羧酸酯溶液。之後,將該燒瓶冷卻至〇°c,滴加7〇克(〇 5884莫 耳)亞硫醯氣,反應兩小時以得到二異丙基_3,3,,4,4,_二苯基醚_四 φ 羧酸酯二氣化物溶液。 合成實例4 :聚醯亞胺a之合# 將400克N-曱基吡咯烷酮和85克(〇2321莫耳) ^,2-雙(3-胺基-4-經基苯基)六氟丙院加人配置一混合器和一溫度 計之1升燒瓶中,混合並溶解。之後,將39克(〇 493〇莫耳)吡 啶加入該燒瓶中,然後逐漸滴加8克(〇 〇487莫耳)5_降冰片烯_2,3_ 一羧酸酐和藉由合成實例1所合成之4,4,_氧雙(苯甲醯氣),在室 下混合一小,。將所得溶液加入3升水,然後將所得沉澱過濾、 清洗並真空乾燥,以得到128克聚醯亞胺A。在此情況下,所得 聚酿亞胺A之聚苯乙烯轉換平均分子質量為18,5〇〇。 合成實例5 :聚醯^脸r之合成 按照與合成實例4相同之方式實施合成實例5,不同之處在 =:進曰一步加入3克(〇.〇〇97莫耳)3,3’,4,4’-二笨基醚四羧酸二酐, 仗而知到120克聚酿亞胺b。在此情況下,所得到之聚醯亞胺b 之聚苯乙烯轉化平均分子量為162〇〇。 金成實例6 :聚醢胺(p〇lyamidate ) C之合成 將260克N-甲基吡咯烷酮(nmp)和65克(0.1775莫耳) 士2-雙(3_胺基冰羥基笨基;)六氟丙烷加入配置一混合器和二溫度 計之1升燒瓶中,混合並溶解。之後,將35克(0.4425莫耳『二 咬加入該燒瓶中’將透過該合成實例2合成之二甲基_3,3,,4,4,-二苯 基醚-四羧酸酯二氣化物溶液逐漸滴入,並在室溫下混合’一’小時。 201009502 將所得=液加入3升水中,然後將所得沉澱過濾、清洗並真空乾 燥,以得到128克聚醯胺c。在此情況下,所得到之聚醯胺C之 聚苯乙烯轉化平均分子量為19,200。 金威皇金1 7 :聚醯胺D之合成
將260克N-甲基α比嘻炫酮(js^y〇>)和65克(ο·!??〗莫耳) 2,2-雙(3-胺基_4_羥基苯基)六氟丙烷加入配置一混合器和一溫度 計之1升燒瓶中,混合並溶解。之後,將35克(〇 4425莫耳)吡 啶=入該燒瓶中,將透過該合成實例3合成之二異丙基_3,3,,4,4,_ 二苯士醚-四羧酸酯二氯化物的溶液在3〇分鐘内逐漸滴入, 並在室溫下混合一小時。將所得溶液加入3升水中,然後將所得 沉澱過濾、清洗並真空乾燥,以得到119克聚醯胺D。在此情況 下,所得到之聚醯胺D之聚苯乙烯轉化平均分子量為17,4〇〇。 金或:聚醯胺E之合成 ’ 將2克(0.0064莫耳)3,3',4,4'-二苯基趟_四叛酸二酐加入透 過合成實例2合成之二?基_3,3,,4,4,_二苯細__義二氯化物 的ΝΜΡ溶液中,溶解以製造一混合溶液。之後,將26〇克n-甲 基,洛烧'(ΝΜΡ)和65克(0.1775莫耳)2,2_雙(3_胺基_4-經 基笨基)六氟丙燒加入配置一混合器和一溫度計之丨升燒瓶中, 混合並溶融。隨後,將35克(0.4425莫耳)吡啶加入該燒瓶中, 將所製造之溶液在30分鐘内逐漸滴入,並在室溫下混合一小日产。 將所得溶液加入3升水中,然後將所得沉澱過濾、清洗並真: 燥,以得到120克雜胺E。在此航下,所_之親胺、^ 聚苯乙烯轉化平均分子量為16,2〇〇。 ^ 合成實例9:碘藤之厶#
將7.2克樟腦磺酸和1〇克(二乙酸蛾)苯溶解於二氯 反應器溫度降低至0°C,然後將4克笨甲醚逐漸滴入。之 反應器加熱至室溫,並將所得溶液在室溫下混合三小時。了 用水將該反應混合物清洗三次,分離有機層以移除該溶鈇, 使用少量醋酸乙醋溶融剩餘之固體含量,並在混合過程琢’ 入大量己烷。·在此情況下,將所產生之沉澱過濾並乾燥,以得至J 19 201009502 4_甲氧基笨基(苯基)碘樟腦磺酸酯,其1H-NMR照片如圖1所 示。 、^£^_1〇:2,2-雙(3-胺某-4-羥某笑基)六氟丙烷和5-羧酸酐之醯胺化合物的合成
將12克2,2-雙(3-胺基-4-經基苯基)六默丙烧和10.7克5_ 二水片烯-2,3-二羧酸酐溶解於9〇克中,加入51克吡啶, 在相同溫度下將所得溶液混合三小時。將所得溶液加入2升2 中’然後將所產生之沉澱進行贼、清洗並真空乾燥, 一了彳20克醯胺化合物。該醯胺化合物之1h_nmr照片如圖2所 一光性榭脂組合物夕帑诰 溶解、重氣蔡盼化合物以及各種添加劑 ΓίΙ ίίΐ實例1至15之正型感光性樹脂組合 如下表1所示。如表1所示,由下述化學in ==以下‘====以ί未 之化合物用於重氮革齡人仏 八匕2)表不· 80%。 轉咖合物。在鱗況下’ DNQ之取代程度為 [化學式7]
20 201009502
[化學式9] 〇 η
[化學式10]
[化學式11]
[化學式12] 21 201009502 ο ο .dnq
比較實例1至5 :製造正型感紐樹脂組合物 不同錄紅賴級_組合物, 不?之處麵.未添加含有添加劑3至6之化合物,1 如 下表1所示。為方便說明,少量表面活性劑並未顯示於表i中。 I# !] _ 聚醯胺衍 PAC PAC 添加齊J 添加劑 添加劑 添加劑 溶劑 ----- 生物(克) I(克) 2(克) 3(克) —------- 4(克) 5(克) 6(克) (克) 實例1 A,29 6 - 5 - - 60 實例2 A, 29 6 - - 5 - 60 實例3 A, 29 6 - - 5 _ 60 實例4 A, 24 6 - 5 5 - _ 60 實例5 A, 29 4 2 5 - - 60 實例6 C, 29 6 - 5 - - _ 60 實例7 C, 29 6 - —-----__ 5 - _ 60 實例8 — C, 29 6 - —-- - 5 _ 60 實例9 C, 24 6 - 5 5 - _ 60 實例10 C, 29 4 2 5 - - _ 60 實例11 B, 28 6 - 5 1 • 60 實例12 D, 29 6 __..——" • - 5 - - 60 實例13 E,28 6 - 5 - 1 _ 60 實例14 A, 26 4 2 5 - 1 2 60 實例15 C, 26 4 2 5 - 1 2 60 比較實例1 A, 34 6 - —-~~—- 」 ----- - 60 22 201009502 比較實例2 B, 34 6 比較實例3 C, 34 6 比較實例4 D, 34 6 比較實例5 E, 34 6 ' _1 I 丨_- - 复用正型感光性樹脂組令致敦造之圖案的特性評價 將實例1 i I5以及比較實例丨至5之各個正_光性樹脂組 合巧旋塗;5^8射之㈣圓上’厚度為⑴微米。在此情況下,在 L31C曰下ϋ燒丄60秒’以便完全移除溶劑。使用一曝光設備使經塗 Ο 3^0 C日曰下加埶5〇t η重量%之四甲基氫氧化録中顯影,並在 35〇 C下加熱50分鐘,以形成一圖案。 外之敏感度所得之結果如下表2所示。此 使用該層厚ί所前後之層厚度,以及 S圖之解析度,其結果如下表2所示。同時, 中及差,並進行觀察=:下二圖案f f分為優、良、 別經以分之底部的;所r。sem麥 圖案類型
出現/未出 現浮渣 未出現 未出現 少量出現 未出現 未出現 未出現 23 201009502 實例7 510 65 4 良 未出現 實例8 820 92 4 良 未出現 實例9 400 75 4 優 未出現 實例10 560 75 4 良 未出現 實例11 540 73 4 良 未出現 實例12 510 77 --- 5 良 未出現 實例13 —— - — 420 75 4 優 未出現 實例14 430 80 4 優 未出現 實例15 400 78 4 優 未出現 比較實例1 660 80 7 差 少量出現 比較實例2 550 75 6 中 未出現 比較實例3 680 88 6 中 未出現 比較實例4 740 93 8 差 未出現 比較實例5 430 81 5 中 未出現 形成圖案之情況下,與比較實例相比較其敏感度、殘餘率及圖案 類型為相對優異者,且極少觀察到浮渣出現。 、, 儘管已顯示並描述了本發明之數個示範性實施例,但本發明 亚不僅限於描述之示範性實施例。相反地,熟習此項技術者應瞭 f,在=偏離本發明之原則和精神之情況下,可對此等示範性實 $例_由該料請專利範圍及其等價物而確定。 以及 圖1為顯示根據合成實例9製造之化合物的1H-NMR照片; 24 201009502 圖2為顯示根據合成實例10製造之化合物的1H-NMR照片。 【主要元件符號說明】
25
Claims (1)
- 201009502 七、申請專利範圍: 1. 一種正型感光性樹脂組合物,其包括: 100重量份聚酸胺衍生物; 5重量份至30重量份感光性化合物;以及 0.5重量份至20重量份選自下述化學式(1)至(4)之至少一 種添加劑:其中η為2至6之整數,⑶, 其中R8及R9獨立地選自Η及CM〇之有機基團,以及R1G為 Cl-20之院基或Cu〇之芳基’以及 26 2010095022. 根據申請專利範圍第1項所述之組合物,其進一步包括: 0.5重量份至10重量份之用於改良黏著性之試劑;以及 0.005重量份至0.05重量份之表面活性劑。 3. 根據申請專利範圍第1項所述之組合物,其中該聚醯胺衍 —R2—^—NH—R1—NH——X (C02R3)m ( OH )n 生物為 X-HN——R1——HN,I , (OH ) η -R2—U—NH—R1—NH (C02R3)m ( OH )n 其中R1及R2獨立地選自均具有兩個或兩個以上碳原子之有 機基團(II)至有機基團(VI), R3選自Η及之有機基團, 1為10至1,000之整數,η及m獨立地選自0至2之整數,其中n+m > 0,以及 X選自Η及C2_30之有機基團。 4.根據申請專利範圍第3項所述之組合物,其中R1選自下述 至少一種化學式: 27 201009502Ph Ph I I (CH2)3—Si—0—Si—(CH2)3- Ph Ph , 其中,R4選自H、鹵素、羥基、羧基、硫醇基及CM〇之有機 基團。 5.根據申請專利範圍第3項所述之組合物,其中R2選自下述 至少一種化學式: 28 201009502其中,R5選自Η、鹵素、經基、醚基、硫醇基及Cmo之有機 基團。 6.根據申請專利範圍第3項所述之組合物,其中X選自下述 至少一種化學式:OH OHS — a 其中,R6選自包含烷基或芳基之CM0之有機基團。 7. 根據申請專利範圍第1項所述之組合物,其中該感光性化 合物為一種重氮萘盼化合物。 8. 根據申請專利範圍第7項所述之組合物,其中該重氮萘酚 化合物為 29 201009502其中η及m獨立地選自0至5之整數,其中n+m>0, ®為C12_40Ν2 〇φτΝ2 0=s=0 〇=s=0之芳基,以及DNQ為 丨 或丨。 9.根據申請專利範圍第8項所述之組合物,其中該重氮萘酚 化合物選自下述至少一種化學式:DNQ 〇 CTDNQ DNQ〇=s=〇o=s 二〇 其中,DNQ為Η、 或 每一重氮萘盼化 30 201009502 〇合物均包括I 或 Η、甲基及-O-DNQ基團。 之至少一種,以及R7選自 10. 根據申請專利範圍第2項所述之組合物,其中用於改盖黏 著性之試劑選自由下列各物組成之群之至少一種:乙烯基三;氧 基石夕烷、[3-0胺基乙基胺基)丙基]三曱氧基矽烷、3_胺基丙基三甲 氧基^烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、3_縮水甘油氧基^基 ❿二曱氧絲烧、3·縮水甘油氧基丙基三乙氧基碎院、2·(3,4_環氧環 己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3_ 疏基丙基二曱氧基矽烷、N-(l,3-二甲基亞丁基)_3_(三乙氧基矽 烧)-1-丙胺、Ν,Ν-雙〇三曱氧基石夕烷基)丙基乙胺、叫3_三甲氧基 矽烷基丙基)吡咯、脲基丙基三曱氧基矽烷、(3_三乙氧基矽烷基丙 基Η-丁基胺基甲酸酯、Ν_苯基胺基丙基三甲氧基石夕烷以及3_異氰 酸酯丙基三甲氧基矽烷。 11. 一種形成圖案之方法,包括: 將用於根據申請專利範圍第1項所述之正型感光性樹脂之組合 〇 物塗覆於一基板上,然後乾燥經塗覆之組合物以形成一光阻層; 選擇性地使該光阻層曝光; 使經曝光之光阻層顯影以形成一光阻圖案;以及 加熱該光阻圖案。 ’、 12. 根據申請專利範圍第η項所述之方法,其中該基板為用於 製造一半導體之基板。 13. 根據申請專利範圍第η項所述之方法,其中使用^線射 線、h-線射線或g_線射線實施選擇性地曝光。 14. 一種具有光阻圖案之半導體,其中藉由申請專利範圍第u 項所述之方法得到之光阻圖案用作一中間介電層或鈍化層。 31
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