TW201008974A - Polymer compound and organic transistor using same - Google Patents

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201008974 六、發明說明： 【發明所屬的技術領域】 本發明是有關高分子化合物及使用該化合物之有機電 【先前技術】 在使用作為有機電晶體的材料上，已有各種高分子化 合物的探討，其例已知為含有下述苐二基及下述三苯基胺 殘基作為重複單元的高分子化合物（參照國際公開第02/ 45184號小冊）。

【發明内容】 但是，在將上述高分子化合物使用於場效型的有機電 晶體時，其場效移動度尚嫌不足。 本發明的目的是提供：可賦予場效移動度優異的場效 型有機電晶體的高分子化合物。 第一，本發明係提供含有式（I)所示的重複單元之高分 子化合物。 (R2)3

4 321284 201008974 [式中，χ1表示氧原子、硫原子或_n(rN)_，Rl、^及rN分別 獨立表示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、炔基、垸氧基、 ▲ 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基Γ芳 一 烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、胺基、 經取代之胺基、矽烷基（silyl)、經取代之矽烷基、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之 羧基、氰基或硝基，R3及R4分別獨立表示氫原子、鹵素原 子、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、 ❹ 芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 一價雜環基、雜環硫基、胺基、經取代之胺基'發燒基、 經取代之矽烷基、醯基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、 缓基、經取代之繞基、氰基或罐基：複數個存在的r2可為 相同者’也可為相異者]。 f 第二’本發明係提供式（V)表示的化合物。

、 Ry R,u [式中’ X1表示氧原子、硫原子或-N(Rn)-，R1、尺2及Rn分別 獨立表示氫原子、齒素原子、烷基、烯基、炔基、烷氧基、 烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳 烧硫基、芳烯基、芳块基、一價雜環基、雜環硫基、胺基、 經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、醯基、醯氧基、 亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之羧基、氰 5 321284 201008974

心丞 '㈣、經取代之絲、㈣基、經取代之碎烧基、 酿基亞胺殘基、酿胺基、酿亞胺基、叛基' 經取代之叛 基、氣基或魏；複數個存在的Rl 異者；複數個存在的R2可為相同者，也可為相異者Γ ♦第二，本發明可提供式（M-l~3a)表示的化合物之製造 方法’其中’該方法包括下述步驟：使式（M+la)表示的 化合物與式表示的化合物反應而製造式（M-l-2a) 表不的化合物之第一步驟、與使式（M-l-2a)表示的化合物 進行脫水反應而製造式（M-l-3a)表示的化合物之第二步

式中，X表示鹵素原子，表示氧原子、硫原子或

炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、 芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜 環硫基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、亞胺 殘基、酿亞胺基、氰基或硝基；複數個存在的R()1可為相同 者’也可為相異者；複數個存在的R。2可為相同者，也可為 6 321284 201008974 相異者]， ' r11-C(=〇)-R〗2 (M-l-lb) •[式中R及R分別獨立表示氫原子、烧基、歸基、快基、 一 烷硫基、芳基、芳硫基、芳烷基、芳烷硫基、芳烯基、芳 炔基、一價雜環基、雜環硫基、胺基、經取代 坑基、經取代之雜基'亞胺殘基、酿胺基=基梦 氰基或硝基]，

(Μ-1 -3θ) ❺ [式中m、Rll及Rl2表示與前述同義]。 第四，本發明係提供含有前述高分子化合物的組成物。 第五，本發明係提供含有前述高分子化合物的薄膜。 第六，本發明係提供一種高分子發光元件，其具有陽 極、陰極、與設在該陽極及該陰極之間之含有前述高分子 化合物的有機層。 第七，本發明係提供一種有機電晶體，其具有源極電 極（source electrode)、汲極電極（drain electr〇de)、閘 321284 7 201008974 極電極（gate electrode)、與含有前述高分子化合物的有 機層。 第八，本發明係提供一種光電轉換元件，其具有陽極、 陰極、與設在該陽極及該陰極之間之含有前述高分子化人 物的有機層。 第九，本發明係提供一種薄膜，其含有前述化合物。 第十，本發明係提供一種發光元件，其具有陽極、陰 極、與設在該陽極及該陰極之間之含有前述化合物的有機 層。 【實施方式】 本發明的高分子化合物含有式（1)表示的重複單元。 式（I)中’ X1表示氧原子、硫原子或_N(RN)_，、尺2及 RN分別獨立表示氫原子、齒素原子、烷基、烯基、炔基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷 氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳絲、—價雜環基、雜環炉 基、胺基、經取代之胺基、㈣基、經取代之㈣基^ 基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、缓基、經取 ^之絲、氰基或硝基，R3A R4分關立表示氫原子 =子、烧基、稀基、炔基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳 =基芳=!燒基、！院氧基、芳烧硫基、芳烯基、 矽乂二％基、雜轅硫基、胺基、經取代之胺基、 亞：：代Γ夕烧基:醯基、亞胺殘基、酿胺基、醯 .r2 ^ 、、工取代之羧基、乱基或硝基。複數個存在 的R可為相同者，也可為相異者。 321284 8 201008974 及R宜為氫原子、鹵素原子、烧基、烧氧基、 &硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基芳 .烧硫基、芳稀基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、胺基、 - 經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、酿基、醯氧基、 亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之羧基、氰 基或硝基。R3及R4宜為氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳 ⑩烷硫_、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、胺基、 經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、醯基、亞胺殘 基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之羧基、氰基或硝 基。 鹵素原子可舉例如氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。 烷基可為直鏈狀、分枝狀，也可為環烷基。烷基的碳 數通常為1至20。烷基之例，可舉出曱基、乙基、正丙基、 異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、3_甲基 ❽ 丁基、正戍基、正己基、2 -乙基己基、正庚基、正辛基、 正壬基、正癸基、3, 7 -二曱基辛基、正十二烧基 (n-lauryl)。前述烷基中的氫原子也可經氟原子、氯原子、 溴原子或碘原子（以氟原子為佳）取代。經取代的烷基可舉 例如三氟曱基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛 基等。 烯基可為直鏈狀、分枝狀，也可為環稀基。烯基的碳 數通常為2至20。烯基之例，可舉出乙烯基、丙烯基、2_ 丙烯基、卜曱基丙烯基、2-曱基丙烯基、12一二甲基丙烯 9 321284 201008974 基、丁稀基、2-甲基丁稀基、13_丁二烯基、戊烯基、己、 婦基、環己稀基、庚烯基、辛稀基、2一乙基己稀基。前述· 烯基中的氫原子也可經氟原子、氣原子、漠原子或磁原子 取代。經取代的烯基可舉出三氟乙烯基、全氟丁烯基、全 氟己烯基、全氟辛烯基等。 炔基可為直鏈狀、分枝狀，也可為環炔基。炔基的碳 數通常為2至20。炔基之例，可舉出乙炔基、丙炔基、2_ 丙炔基、2-曱基丙炔基、丁炔基、2_甲基丁炔基、丨，3一丁 烷二基、戊炔基、己炔基、環己炔基、庚炔基、辛炔基、© 2-乙基己炔基。前述炔基中的氩原子也可經氟原子、氣原 子、溴原子或碘原子取代。經取代的炔基可舉出氟乙炔基、 全氟丁快基、全氟己快基、全氟辛缺基等。 烧氧基可為直鏈狀、分枝狀，也可為環烷氧基。烷氧 基的碳數通常為1至20。烷氧基之例，可舉出甲氧基、乙 氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二 丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基、環己氧基、 正庚氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧 基、3, 7-二甲基辛氧基、正十二烷氧基。前述烷氧基中的 氫原子也可經氟原子、氯原子、溴原子或碘原子（以氟原子 為佳）取代。經取代的烷氧基可舉出三氟曱氧基、五氟乙氧 基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基等。 烷硫基可為直鏈狀、分枝狀，也可為環烷硫基。烷硫 基的碳數通常為1至20。烷硫基之例，可舉出甲硫基、乙 硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、第二 10 321284 201008974 丁硫基、第三丁硫基、正戊硫基、正己硫基、環己硫基、 正庚硫基、正辛硫基、2-乙基己硫基、正壬硫基、正癸硫 • 基、3, 7-二曱基辛硫基、正十二烧基硫基。前述统硫基中 .. 的氫原子也可經氟原子、氯原子、溴原子或碟原子（以敗原 子為佳）取代。經取代的烧硫基可舉出三氟曱硫基等。 芳基是從芳香煙中去除一個氫原子後的原子團，該芳 基中，不僅包括具有縮合環者’也包括由二個以上獨立的 ❹ 苯環或縮合環直接或介由伸乙烯基等基而結合者。芳基的 奴數通常為6至60，並以6至48為佳。前述芳基也可具 有取代基。此取代基可列舉：碳數1至20的直鏈狀、分枝 狀之烷基；碳數1至20的環烷基；其結構中含有碳數i至 2〇的直鏈狀、分枝狀之烷基或碳數1至20之環烧基的燒 氧基；下述式（5)表示的基等。芳基之例，可舉出苯基、Ci 至Ci2烧氧基苯基⑴至c]2表示碳數1至12。以下亦同。）、 Ci至C!2烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9一 ❹ 蒽基、五氟苯基，並以（：1至C!2烷氧基苯基、（：!至C12垸基 本基為佳。

Ci至C!2烷氧基苯基之例，可舉出曱氧基苯基、乙氧基 苯基、正丙氧基苯基、異丙氧基苯基、正丁氧基笨基、異 丁氧基苯基、第二丁氧基苯基、第三丁氧基苯基、正戊氧 基苯基、正己氧基苯基、環己氧基苯基、正庚氧基苯基、 正辛氧基本基、2-乙基辛氧基苯基、正壬氧基苯基、正癸 氧基苯基、3, 7-二甲基辛氧基苯基、正十二烷氧基笨基等。

Ci至C!2烷基苯基之例，可舉出甲基苯基、乙基苯基、 11 321284 201008974 二甲基苯基、正丙基苯基、1，3,5-三甲基苯基（raesityl)、 甲基乙基苯基、異丙基苯基、正丁基苯基、異丁基笨茂 第二丁基苯基、第三丁基苯基、正戊基苯基、異戊基笨基、 己基苯基、正庚基苯基、正辛基苯基、正壬基苯基、正癸 基苯基、正十二烷基苯基等。 ' 前述芳基中的氫原子也可經氟原子、氣原子、漠原子 或埃原子（以氣原子為佳）取代。 —Ο—(CH2)g1—0~(CH2)hi—CH3 (5) (式中’gl表示1至6的整數，hi表示0至5的整數。） 芳氧基的碳數通常為6至60，並以6至48為佳。芳 氧基之例，可舉出苯氧基、（^至Cl2烷氧基苯氧基、匕至Cl? 烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基，並以^ 至C!2烷氧基苯氧基、（^至Cl2烷基苯氧基為佳。 1 匕至C1Z烷氧基笨氧基之例，可舉出甲氧基笨氧基、乙 氧基苯氧基、正丙氧基苯氧基、異丙氧基苯氧基、正丁氧 基苯氧基、異丁氧基苯氧基、第二丁氧基笨氧基、第三丁 氧基苯氧基、正戊氧基苯氧基、正己氧基苯氧基、環己氧 基苯氧基、正庚氧基苯氧基、正辛氧基苯氧基、2_乙基辛 氧基苯氧基、正壬氧基苯氧基、正癸氧基苯氧基、3, 7一二 甲基辛氧基苯氧基、正十二烷氧基苯氧基等。 (：〗至C1Z烷基苯氧基之例，可舉出甲基苯氧基、乙基苯 氧基、二甲基苯氧基、正丙基苯氧基、1，3, 5-三甲基苯氧 基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、正丁基苯氧基、異 丁基苯氧基、第二丁基苯氧基、第三丁基苯氧基、正戊基 321284 12 201008974 .苯氧基、異戊基苯氧基、正己基苯氧基、正庚基苯氧基、 正辛基苯氧基、正壬基笨氧基、正癸基苯氧基、正十二烷 , 基苯氧基等。 “ 芳硫基也可在芳香環上具有取代基，其碳數通常是6 至⑼。芳硫基之例，可舉出苯硫基、〇1至Ci2烷氧基苯硫基、 匸]至C1Z烷基苯硫基、卜萘硫基、2_萘硫基、五氟苯硫基、 比啶基硫基、嗒啡基硫基、嘧啶基硫基、吡哄基硫基、三 哄基硫基。 ❹ - 芳烷基也可具有取代基，其碳數通常是7至60。芳烷 基之例，可舉出苯基—Cl至b烷基、Cl至Ci2烷氧基苯基一G 至C1Z烷基、（^至Cu烷基苯基-(^至C1Z烷基、卜萘基-匕至 L烷基、2-萘基-(^至Cl2烷基。 芳烷氧基也可具有取代基，其碳數通常是7至6〇。芳 烷氧基之例，可舉出苯基—(^至Clz烷氧基、匕至&烷氧基 苯基~(^至C!2烷氧基、〇1至b烷基苯基—。至Ci2烷氧基、 ❹ 1-萘基-Cl至Cl2烧氧基、2-萘基-Cl至C!2燒氧基。 芳烷硫基也可具有取代基，其碳數通常是7至6〇。芳 烷硫基之例，可舉出苯基―匕至匕2烷硫基、〇至（：12烷氡基 苯基-(^至Cn烷硫基、〇至Clz烷基苯基气1至（^烷硫基、 卜萘基-d C!2烷硫基、2-萘基-0至Cu烷硫基。 ^'稀基也可具有取代基，其碳數通常是8至芳烯 基之例，可舉出苯基-匕至L烯基、匕至c]2烷氧基笨基_C2 至C1Z烯基、d C1Z烷基苯基-G至C1Z烯基、卜萘基_C2至 C1Z烯基、2-萘基-(：2至C!2烯基，並以Cii c12烷氧基苯基-c2 321284 13 201008974 至Cn烯基、（：】至Cu烷基苯基-C2至CI2烯基為佳。 、 务块基之碳數通常是8至60。芳炔基之例，可舉出苯 · 基_(：2至C,2炔基、（^至C!2烷氧基苯基-匕至C〗2炔基、（^至 C〗2烧基笨基-C2至C!2炔基、1-萘基-C2至Ci2炔基、2-萘基 七至C!2炔基，並以匕至C1Z烷氧基苯基-(：2至C,2炔基、Cl '' 至Cl2烧基苯基-C2至Cl2块基為佳。 所謂一價雜環基’是指從雜環化合物中去除一個氮原 子之後留下的原子團。一價雜環基的碳數通常為4至60， 並以4至20為佳。一價雜環基的碳數中，並不含取代基的 ❹ 碳數。前述雜環化合物’是指在具有環式結構的有機化合 物中，構成環的元素不只是破原子，環内也含有氧、硫、 氮、磷'硼、矽等雜原子的有機化合物。一價雜環基之例， 可舉出嗟吩基、Cl至Cl2烧基售吩基、咐^各基、呋喃基、吼 啶基、Cl至C!2烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基， 並以噻吩基、Cl至Cl2烧基嗟吩基、吡咬基、G至Ci2烧美 Μ基為m賈雜環基中’以—價芳香族雜環基為佳1 雜環硫基是指疏基中的氫原子經—價雜環基取代的 © 基。雜環硫基可舉出吡啶基硫基、嗒啡基硫基、嘧啶基硫 基、吼畊基硫基、三畊基硫基等雜芳基硫基。 就經取代之胺基而言’可舉出經選自燒基、烯基、炔 基、芳基、芳烷基及一價雜環基所成群組中的一個或二個 基所取代的胺基’並以經選自烷基、芳基、芳燒基及一價 雜環基所成群組中的一個或二個基所取代之胺基^佳。^ 烧基、稀基、炔基、芳基、芳烧基及—價雜環基也可$ 321284 14 201008974 有取代基。在不含該取代基的碳數下，經取代之胺基的碳 • 數通常為1至60 ’並以2至48為佳。經取代之胺基之例， , 可舉出甲胺基、一甲胺基、乙胺基、二乙胺基、正丙胺基、 _ 二正丙胺基、異丙胺基、二異丙胺基、正丁胺基、第二_.丁 . 胺基、異丁胺基、第三丁胺基、正戊胺基、正己胺基、環 己胺基、正庚胺基、正辛胺基、2-乙基己胺基、正壬胺基、 正癸胺基、3, 7-二甲基辛胺基、正十二烧基胺基、環戊胺 基、二環戊胺基、環己胺基、二環己胺基、σ比P各咬基、派 ❹ Π定基、二（三氟甲基）胺基、苯基胺基、二笨基胺基、Cl至

Cl2烷氧苯基胺基、二（Cl至Cl2烧氧基苯基）胺基、二（(^至 Ci2娱;基苯基）胺基、1-萘基胺基、2-萘基胺基、五氟苯基胺 基、吼啶基胺基、嗒畊基胺基、嘧啶基胺基、咐畊基胺基、 三畊基胺基、苯基-Ci至Ci2烷基胺基、（^至Cu烷氧基苯基 胺基-(：1至Cu烷基胺基、Cl至Cl2烷基苯基-Cl至Cl2烷基胺 基、一（C1至Cl2燒氧基苯基-Cl至Cl2烧基）胺基、二（Cl至 ❹ C!2烧基苯基-C,至Cu烷基）胺基、1-萘基-C!至C12烷基胺 基、2-萘基-(^至c12烷基胺基。 經取代之矽烷基，可舉出經選自烷基、芳基、芳烷基 及一價雜環基所成群組中的一個、二個或三個基所取代的 石夕燒基°經取代之矽烷基的碳數通常為1至60，並以3至 48為佳該燒基 '芳基、芳烧基及一價雜環基也可具有取 代基。經取代之矽烷基之例，可列舉如三甲基矽烷基、三 土夕烧基二正丙基石夕烧基、三異丙基碎烧基、二曱基 異丙基石夕烧基、二乙基異丙基矽烷基、第三丁基二曱基矽 15 321284 201008974 烷基、正戊基二曱基矽烷基、正己基二曱基矽烷基、正庚 基二曱基矽烷基、正辛基二曱基矽烷基、2-乙基己基二甲 基石夕烧基、正壬基二甲基石夕院基、正癸基二甲基石夕烧基、 3, 7-二甲基辛基二甲基矽烷基、正十二烷基二曱基矽烷 基、苯基-Cl至Cl2烧基梦烧基、Cl至Cl2烧氧苯基-Cl至Cl2 烷基矽烷基、（：！至C12烷基苯基-(^至c12烷基矽烷基、1-萘 基-(^至C12烷基矽烷基、2-萘基-匕至C12烷基矽烷基、苯 基-C!至C〗2烷基二曱基矽烷基、三笨基矽烷基、三-對-(二 曱苯基）石夕烧基（tri-p-xylylsi lyl)、三（笨曱基）石夕烧基、 二苯基甲基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、二曱基苯基 矽烷基。 醢基的碳數通常為2至20，並以2至18為佳。醯基 之例，可舉出乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三甲 基乙醯基、苯甲醯基、三氟乙醯基、五氟苯甲醯基。 醢氧基的碳數通常為2至20，並以2至18為佳。醯 氧基之例，可舉出乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁 醯氧基、三曱基乙醯氧基、苯曱醯氧基、三氟乙醯氧基、 五氟苯曱醯氧基。 亞胺殘基是指從亞胺化合物（亦即指分子内具有_N=c-的有機化合物。其例可舉出醛亞胺、酮亞胺及此等化合物 中結合於氮原子的氫原子經烷基等取代的化合物）中去除 一個氫原子後的殘基。亞胺殘基的碳數通常為2至2〇，並 以2至18為佳。亞胺殘基之例，可舉出以下的結構式所示 之基。 16 321284 201008974

(式中，Me表示甲基，以下亦同。波浪線表示結合鍵，意 指依據亞胺殘基的種類而具有順式體、反式體等幾何異構 物的情形。） 醯胺基的碳數通常為2至20，並以2至18為佳。醯 Q 胺基之例，可舉出曱醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯 胺基、苯曱醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基、二 曱醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯 曱醯胺基、二（三氟乙醯胺基）、二（五氟苯甲醯胺基）。 醯亞胺基是指從醯亞胺中去除與其氮原子結合的一個 氫原子後而得的殘基。醯亞胺基的碳數為4至20。醯亞胺 之例，可舉出以下所示的基。 17 321284 201008974

就經取代之羧基而言，可舉出經烷基、烯基、炔基、 芳基、芳烷基或一價雜環基所取代的羧基，並以經烷基、 芳基、芳烷基或一價雜環基所取代的羧基為佳。前述的烷 基、烯基、炔基、芳基、芳烷基或一價雜環基，也可具有 取代基。經取代之羧基的碳數通常為2至60，並以2至48 為佳。經取代之羧基的碳數中並不含該取代基的碳數。經 取代之羰基之例，可舉出曱氧基羰基、乙氧基羰基、正丙 氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁氧基羰基、異丁氧基羰基、 第三丁氧基羰基、正戊氧基羰基、正己氧基羰基、環己氧 基叛基、正庚氧基幾基、正辛氧基幾基、2-乙基己氧基幾 基、正壬氧基羰基、正癸氧基羰基、3, 7-二曱基辛氧基羰 基、正十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰 基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、 苯氧基羰基、萘氧基羰基、吼啶氧基羰基。 18 321284 201008974 式（i)中’ χ1表示氧原子、

式（I)中，R1及R2宜為氫原子、另 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、与 芳烯基、芳炔基或一價雜環基，並心 較佳’而以氫原子更佳。 提高其場效移動度時，式（1)令的 -N(RN)-，並以硫原子較佳。 燒基、烷氧基、烷硫基、 芳烷氧基、芳烷硫基、 並以氫原子、烷基或芳基 再者’就單體的合成容易纟之觀點而言’在式⑴表示 的重複單元巾’以式⑼表示的重複單福彳卜 R2

R1 ^ K ·' [式中’R、R、r3、r4及χι表示與前述同義]。 〇 就單體的合成容易度之觀點而言，式（II)中的只1及R2 宜分別獨立為氫原子、炫基或芳基，並以氫原子更佳。 就單體的合成容易度之觀點而言，式（11)中的R3及R4 且分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、 芳炔基或一價雜環基，並以烷基或芳基較佳。 將本發明的高分子化合物使用在有機電晶體時，如欲 提高其場效移動度時，式（11)中的χ1宜為硫原子或 -N(RN)-，並以硫原子較佳。 321284 19 201008974 表示=:的重複單元，可舉出式⑴_

―心卞特物使用在有機電晶體時，如欲 其㈣移動度時，本發明的高分子化合物的全重複軍 =、’上迷式⑴表示的重複單元之含有比例宜為3〇莫耳 %以上1〇〇莫耳私以-]；·，* 。 、 、耳/ τ独35莫耳％以上95莫耳％以 下較佳，而卩40莫耳％以上9〇莫耳％以下為更佳。 就對溶劑的溶解性之觀點而言，本發明的高分子化合 物宜含有式（ΠΙ)表示的重複單元。 -(Ar1)- (III) 2中’ Ar1表示伸芳基、二㈣環基或二價的芳香族胺殘 暴」0 紅表示的伸芳基是指從芳香烴中去除二個氫原子後 的原子團，不僅包括具縮合環者’亦包括由二個以上獨立 的苯環或縮合環直接或介由伸乙烯基等基而結合者。伸芳 基也可具有取代基。就進行合成的容易度之觀點而言，取 代基的_宜域基、縣、絲、㈣基、燒硫基、芳 321284 20 201008974 基、芳氧基、芳访 〇 烯基、芳炔基、4基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳 石夕烧基、基、經取代之絲、魏基、經取代之 酿亞胺基、—^、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、 基，並以烷基、員雜環基、羧基、經取代之羧基、氰基或确 芳烧基、芳氣基、烧硫基、絲、芳氧基、芳硫基、 經取代之胺烏土、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、 基、醯氧美土、矽烷基、經取代之矽烷基、函素原子、醯 紐皮,_土亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價雜環基、 伸代之竣基 、氰基或硝基較佳。 ^ 土中去除取代基後的部份的碳數通常為6至60， 並以6至2〇岌处 為佳。伸芳基的包含取代基之全碳數通常為6 至 100。 伸芳基可舉例如伸苯基（下式1至3)、萘二基（下式4 至13)、蒽二基（下式14至19)、聯苯二基（下式2〇至25)、 聯二苯二基（下式26至28)、苐二基（下式29至31)、苯并

21 321284 201008974

22 321284 201008974

23 321284 201008974 二價雜環基是指從雜環化合物中去除二個氫原子後留 — 下的原子團，也可具有取代基。 · 此處’所謂雜環化合物是指在具有環式結構的有機化 合物中，構成環的元素不只是碳原子，環内也含有氧、硫、 氮、碟、棚、等雜原子的有機化合物。在二價雜環基之中， 以二價芳香族雜環基為佳。二價雜環基也可具有取代基。 / 就進行合成的容易度而言，取代基的種類宜為烷基、稀基、 炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、 芳烧氧基、方烧硫基、芳稀基、.芳炔基、胺基、經取代之 © 胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、齒素原子、醯基、醯氧 基、亞胺殘基、酿胺基、醯亞胺基、一價雜環基、竣基、 經取代之羧基、氰基及硝基，並以烷基、烯基、炔基、产 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳燒氧 基、芳烧硫基、务稀基、芳炔基、胺基、經取代之胺美、 矽烷基、經取代之矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞 胺殘基、醢胺基、醯亞胺基、一價雜環基、羧基、經取代 之羧基、氰基及硝基較佳。 ❹ 二價雜環基中去除取代基後的部份的碳數通常為3至 60。二價雜環基的包含取代基之全碳數通常為3至1〇〇。 二價雜環基可舉出以下之基。 含有氮原子作為雜原子的二價雜環基：吡啶二基（下式 101至106)、二氮雜伸笨基（下式1〇7至11〇)、喧啉二基（下 式 111 至 125)、啥喔淋二基（qUinoxaiinediyi)(下式 126 至 130)、吖啶二基（acridinediyl)(下式 131 至 134)、聯 24 321284 201008974 «比咬二基（bipyridyldiyl)(下式135至137)、菲囉琳二基 (phenanthrolinediyl)(下式 138 至 140)。 , 含有氧原子、^夕原子、氮原子、硫原子、晒原子、棚 .. 原子、磷原子等作為雜原子的五員環雜環基（下式141至 / 145)。 ' 含有氧原子、$夕原子、氮原子、砸原子等作為雜原子 的五員環縮合雜環基（下式146至157)。 含有氧原子、f夕原子、氮原子、硫原子、砸原子等作 ® 為雜原子的五員環雜環基，且以該雜原子的α位進行結合 而成為二聚物或寡聚物的基（下式158至159)。 含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作 為雜原子的五員環雜環基，且以該雜原子的α位結合至苯 基的基（下式160至166)。 含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作 為雜原子的五員環縮合雜環基，且經苯基或呋喃基、噻吩 q 基所取代的基（下式167至172)。 含有氧原子、矽原子、氮原子、硫原子、硒原子等作 為雜原子且具有類似苐結構的基（下式173至202)。 含有氧原子、砍原子、氮原子、硫原子、砸原子、糊 原子、磷原子等作為雜原子的六員環縮合雜環基（下式203 至 205)。 25 321284 201008974

101 102 103

104 105 106 -i^-R -λ^- 107 108 109

R 110

26 321284 201008974

27 321284 201008974

135 136

138 139

R R R R

141 142 143 140

R R R R

养I 144 145 ❿ 28 321284 201008974

29 321284 201008974

30 321284 201008974

31 321284 201008974

R R

R R

式1至53、101至205中，R表示氫原子、烷基、烯 基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳 烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、經 取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、函素原子、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價雜環基、羧 基、經取代之魏基、氰基或硝基，並以氫原子、烧基、烧 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧 基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、 矽烷基、經取代之矽烷基、鹵素原子、醯基、醯氧基、亞 32 321284 201008974 胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、一價雜環基、羧基、〆<取代 之羧基、氰基或硝基為佳。複數個存在的R， 也可不相同。 -、目同者 烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、 芳硫基、芳坑基、芳規氧基侧基、芳=、=、 經取代之縣、_狀魏基 ;讀基、 ❹ 胺基、醯亞胺基、-價雜環基及經取代 之竣基的疋義及例等，係與前述 義及例等為相同的。 κ甲的該4之定

Ari 價的芳麵㊣絲可舉UUII-D表示的基 、π

~N

^ArS

'X

(I I 1-1) ❹ -分別獨立一? 為相同，也可為外同] 為魏個存在時，該等可 式（III-1)中，Y Λ Λ y宜為0至3的整t且為0至3的整數’並以0或〗較佳。 正數，亚以0或1較佳。 式（III-1)表 ⑽—卜⑻表㈣^的基之例可舉出式⑴Η-υ至 321284 33 201008974 ~xxho~~ φ CHa

(1 I 1-1-2) (I I 1-1-3) (I I 1-1-4) (I I I -1-1)

(I I 1-1-10)

(I I 1-1-11)

u I Ϊ .1.15) 〇C〇

(III -1-16)

就原料單體的合成容易度之觀點而言，式（III)中，Ar】 表示的伸芳基宜為式（IV)表示的基。

R7 r5\.r6 r8 (IV) R7 r7r8’ 、r8 齒素原子、烧基、婦 [式中，JR5及R6分別獨立表示氫原子、 321284 34 201008974 < 基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳 烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環 基、雜環硫基、胺基、經取代之胺基、梦燒基、經取代之 ** 矽烷基、醯基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經 •， 取代之羧基、氰基或硝基，R7及R8分別獨立表示氫原子、 鹵素原子、烧基、烯基、炔基、烧氧基、烧硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、 ❹ 芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、胺基、經取代之胺基、 矽烷基、經取代之矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯 胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之羧基、氰基或硝基。複 數個存在的R7，可為相同也可不相同；複數個存在的R8， 可為相同也可不相同]。 式（IV)中’ R5及R6宜為氫原子、鹵素原子、烷基、烷 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧 基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、 ❹ 胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、醯基、 亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之羧基、氰 基或硝基，但就原料單體的合成容易度之觀點而言，是以 芳基或烧基較佳。 式（IV)中，R及R宜為氫原子、鹵素原子、烧基、燒 氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧 基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、 胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之 35 321284 201008974 羧基、氰基或硝基，但就原料單體的合成容易度之觀點而 言，是以氫原子較佳。 式（IV)表示的基之例可舉出式（IV-1)至（IV-12)表示 的基，並以式（IV-1)至（IV-8)表示的基為佳。

如欲更提高使用於有機電晶體時的場效移動度時，本 發明的高分子化合物換算成聚苯乙烯的數平均分子量宜為 lxl03至 lxl08，並以 lxl03至 lxl07較佳，而以 lxl04至 lx 107更佳。本發明的高分子化合物換算成聚苯乙烯的重量平 均分子量宜為lxl〇3至lxl〇8，並以lxl〇3至lxl〇7較佳。 本發明的高分子化合物可為均聚合物，也可為共聚合 物。當本發明的高分子化合物為共聚合物時，該共聚合物 可為交互共聚合物、無規共聚合物、嵌段共聚合物或接枝 共聚合物，也可為具有該等的中間性結構之高分子，例如 36 321284 201008974 帶有嵌段性的無規共聚合物。如欲獲得螢光或磷光的量子 產率高之高分子化合物時，則比起完全的無規共聚合物， 以帶有嵌段性的無規共聚合物或嵌段共聚合物或接枝共聚 合物為較佳。在本發明的高分子化合物中，也包含主鏈上 有分枝且有三個以上末端部的情形或樹枝狀聚合物 (dendrimer) ° 本發明的高分子化合物之例，可舉出式（P-11)至（P-25) 表示的高分子化合物。

(P-11) 。丨"13 c6h13

Me (P-13) ◎

CeHis^CjHw s (p-14) —(p·15) y CeHia C6H13 y C«H13

(P-16) (P-18)

(P-17) (P-19) 37 321284 201008974

(P-20) (P-21)

(P-22)

(P-23)

(P-24) (P-25) 式（P-11)至（P-22)中’ x及y係表示各重複單元的组 成比（莫耳比）之數，x + y=100。X通常是0至70，並以5 至65為佳，而以20至60更佳。y通常是30至100，並以 38 321284 201008974 35至95為佳，而以40至80更佳。 式（P-23)至（P-25)中，X、y及z係表示各重複單元的 組成比（莫耳比）之數，x + y + z=100。X通常是5至80，並 〜 以40至70為佳。y通常是10至90，並以40至80為佳。 ， z通常為1至30,並以2至10為佳。 ^ 關於本發明的高分子化合物之末端基，如就直接維持 原狀而留下聚合活性基時，因可能降低作成元件時的發光 特性或壽命，故也可藉由安定之基而將其保護。以具有與 主鏈的共軛結構連接之共軛鍵結者為佳，可例示如介由碳-碳鍵而與芳基或一價雜環基結合的結構。具體上，可舉例 如日本特開平9-45478號公報的化10所記載之取代基。 就對於本發明的高分子化合物為良溶劑者而言，可舉 例如氣仿、二氣曱烧、二氯乙烷、四氫呋喃、甲苯、二曱 苯、1，3, 5-三曱苯、四氫萘、十氫萘、正丁基苯。雖然也 隨著高分子化合物的結構或分子量而有所不同，但通常可 Q 使0.1重量％以上的高分子化合物溶解於此等溶劑中。 其次，說明本發明的高分子化合物之製造方法。 使用前述式（V)表示的化合物、Y'-A-Y2表示的化合物作 為原料，使此等化合物經縮合聚合後，即可製得本發明的 高分子化合物。-A-表示式（I)或（II)所示的重複單元。 式（V)表示的化合物之例，可舉出式（V-1)至（V-21)表 示的化合物。 39 321284 201008974

CeH*i3 〇βΗ，3 (V-5)

(V-6)

(V-7)

321284 40 201008974

CH3

(V-10)

Q Y1及Y2分別獨立表示參與縮合聚合的基。 本發明的製造方法中，參與縮合聚合的基及Y2)可 舉出鹵素原子、烷基磺酸酯基（alkylsulf〇nate gr〇up)、 芳基％酸酯基、芳烷基續酸酯基、衍生自硼酸酯的基、鏡 曱基、鐫甲基、膦酸酯曱基（ph〇sph〇rane methyl)、單鹵 化曱基、-B(〇H)2、曱醯基、氰基及乙烯基等。 此時’齒素原子可舉出氟原子、氯原子、漠原子及埃 原子。 烧基確酸喊可舉例如？俩喊、乙賴醋基 321284 41 201008974 氟曱磺酸酯基。 芳基磺酸酯基可舉例如苯磺酸酯基、對甲苯磺酸酯基。 芳烷基磺酸酯基可舉例如苯甲基磺酸酯基。 衍生自硼酸酯的基可舉例如下述式表示的基。 Z〇Me { 、OMe

(式中，Et表示乙基，以下亦同。） 毓曱基可舉例如下述式表示的基。 ❹ -CH2S+Me2Xa---CH2S+Ph2Xa' (式中，Xa表示鹵素原子，Ph表示苯基。） 鱗曱基可舉例如下述式表示的基。 -CH2P+Ph3Xa_ (式中，Xa、Ph表示與上述同義。） 磷酸酯曱基可舉例如下述式表示的基。 -CH2P0(0R’）2 〇 (式中，R’表示烷基、芳基或芳烷基。） 單鹵化曱基可舉例如氟化曱基、氣化曱基、溴化曱基 及碘化曱基。 作為參與縮合聚合的基之較佳基係因聚合反應的種類 而異，例如在山本（Yamamoto)搞合反應等使用0價鎳錯合 物時，可舉出鹵素原子、烧基確酸酯基、芳基確酸酯基、 芳烷基磺酸酯基。在鈴木（Suzuki)耦合反應等使用鎳觸媒 或Ιε觸媒時，可舉出烧基續酸酯基、鹵素原子、衍生自棚 42 321284 201008974 酸西旨的基、_B(0H)2。 本發明的高分子化合物之製造，具體上是使作為單體 且具有數個參與縮合聚合的基之化合物，配合必要而溶解 於有機溶劑中’例如可使用鹼或適當的觸媒，在有機溶劑 的熔點以上沸點以下的溫度進行製造。在製造本發明的高 分子化合物時’例如可使用“Organic Reactions”，第14 卷，270-490 頁，John Wiley & Sons, Inc. 1965 年、 “Organic Synthesis”，Collective Volume VI，407-411 頁，John Wiley & Sons, Inc. 1988 年、Chemical Review, 第 95 卷，2457 頁（1995 年）、Journal of Organometallic Chemistry,第 576 卷，147 頁（1999 年）、Macromolecular Chemistry ， Macromolecular Symposium,第 12 卷，229 頁（1987年）中記載之周知的方法。 本發明的高分子化合物之製造方法中，可配合參與縮 合聚合的基而使用已知的縮合反應。 本發明的高分子化合物之製造方法，可舉例如：使該 單體藉由Suzuki搞合反應而聚合的方法、藉由Grignard 反應而聚合的方法、藉由Ni(0)錯合物而聚合的方法、藉 由FeCU等氧化劑而聚合的方法、籍由電化學方式而氧化聚 合之方法、藉由具有適當脫離基的中間體高分子之分解的 方法。 在此等方法中，以藉由Suzuki耦合反應而聚合的方 法、藉由Grignard反應而聚合的方法、藉由Ni零價錯合 物而聚合的方法，因易於控制結構而佳。 43 321284 201008974 關於本發明的高分子化合物之製造方法，其較佳的一 形態係以下述方法為佳：參與縮合聚合的基（Y1及Y2)為分 別獨立地選自齒素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及 芳烷基磺酸酯基所成群組中之基，並於鎳零價錯合物的存 在下進行縮合聚合的製造方法。 使用於本發明的高分子化合物之製造中的原料化合 物，可舉出二鹵化化合物、雙（烷基磺酸酯）化合物、雙（芳 基續酸g旨）化合物、雙（芳烧基績酸醋）化合物、鹵-燒基續 酸酯化合物、鹵-芳基磺酸酯化合物、鹵-芳烷基磺酸酯化 合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳烷 基磺酸酯化合物及芳基磺酸酯-芳烷基磺酸酯化合物。 此時，可舉出例如藉由使用鹵-烧基續酸醋化合物、鹵 -芳基續酸s旨化合物、鹵-芳烧基項酸醋化合物、烧基續酸 酉旨-芳基續酸s旨化合物、烧基續酸醋-芳烧基續酸s旨化合物 或芳基績酸s旨-芳烧基續酸醋化合物作為原料化合物，而製 得經控制順序（sequence)的高分子化合物之方法。 本發明之高分子化合物的製造方法，係以下述之方法 為佳：參與縮合聚合之基（Y1及Y2)為分別獨立地選自鹵素 原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸酯基、 -B(0H)2及衍生自棚酸S旨的基所成群組中之基，且全原料化 合物所具有之鹵素原子、烧基續酸S旨基、芳基續酸S旨基及 芳烷基磺酸酯基之莫耳數之合計（J)與-b(ok〇2及衍生自硼 酸酯的基之莫耳數之合計（K)的比實質上為1(通常，K/J 是0.7至1.2的範圍），並使甩鎳觸媒或鈀觸媒而進行縮合 44 321284 201008974 聚合的製造方法。 * 就原料化合物的組合而言，可舉出二函化化合物、雙 (烷基磺酸酯）化合物、雙（芳基磺酸酯）化合物或雙（芳烷基 磺酸酯），與二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的組合。 * 就其他的原料化合物而言，可舉出鹵-爛酸化合物、鹵 -硼酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯- 硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼 酸酯化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸酯-

O 硼酸化合物、芳烷基磺酸鹽-硼酸酯化合物。 由於使用鹵-硼酸化合物、齒-硼酸酯化合物、烷基磺 酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸 酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳烷基磺酸 酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸 酯-硼酸酯化合物原料化合物，而可製得已控制順序的高分 子化合物。 Q 在本發明的高分子化合物之製造方法中，雖然依使用 的化合物或反應而有異，但一般為了抑制副反應，宜將所 使用的溶劑予以充分的脫氧處理後，在惰性氣體環境下進 行反應。此外，同樣地以進行脫水處理為佳。但是，在Suzuk i 耦合反應等之與水之二相系中反應時，則不受此限。 溶劑可舉例如：戊烧、己烧、庚烧、辛烧、環己烧等 飽和烴；苯、曱苯、乙基苯、二甲苯等不飽和烴；四氯化 石炭、氯仿、二氯甲烧、氯丁烧、溪丁烧、氯戊烧、漠戊烧、 氯己烧、溴己烧、氯環己烧、溪環己烧等鹵化飽和烴；氯 45 321284 201008974 苯、二氣苯、三氯苯等鹵化不飽和烴；曱醇、乙醇、丙醇、 異丙醇、丁醇、第三丁醇等醇類；蟻酸、醋酸、丙酸等羧 酸；二曱醚、二乙醚、曱基-第三丁醚、四氫0夫喃、四氫略 喃（1;etrahydropyran)、二曙烧等醚類；三甲胺、三乙胺、 Ν,Ν，Ν’，Ν’-四曱基伸乙二胺、吡啶等胺類；N，N-二曱基曱 醯胺、N，N-二曱基乙醯胺、N，N-二曱基嗎啉氧化物等醯胺 類。此等溶劑可單獨使用一種，也可混合後使用。此等溶 劑之中，以醚類為佳，並以四氫呋喃、二乙醚較佳。 也可使用適宜的鹼或適當的觸媒，以使其反應。此等 只要配合所使用的反應而選擇即可。該鹼或觸媒係以可充 分溶解於反應所使用的溶劑中者為佳。鹼或觸媒的適用方 法，可舉例如一邊在氬或氮等惰性氣體環境下攪拌反應 液，一邊緩緩地於其中加入鹼或觸媒的溶液，或是相反地 將反應液缓緩地加入鹼或觸媒的溶液中之方法。 在高分子發光元件等中使用本發明的高分子化合物 時，由於其純度會影響發光特性等元件的性能，故宜在將 聚合前的單體以蒸餾、昇華精製、再結晶等方法精製後， 再進行聚合。此外，宜在聚合後，予以再沉澱精製、層析 分離等純化處理。 本發明的化合物係如式（V)表示。式中，X1表示氧原 子、硫原子或-N(Rn)-，R1、R2及RN*別獨立表示氫原子、 鹵素原子、烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫 基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一 價雜環基、雜環硫基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經 46 321284 201008974 取代之矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞 胺基、羧基、氰基或硝基。R9及R]°分別獨立表示氫原子、 鹵素原子、烧基、炫氧基、烧硫基、芳氧基、芳硫夷、芳 炫基、芳烧氧基、芳烧琉基、芳烯基、芳块& 基、雜環硫基、胺基、經取代之胺基、；5夕斤龙 仏雜環 /也基、經取 碎炫*基、酿基、亞胺殘基、酿胺基、酿亞胺式 之 基或硝基。複數個存在的R2 ’可為相同，也开*幾基、敗 』馬相異去 ❹ 炫基、院氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、^访 烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、4土、芳 取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、齒紊居7胺基、經 你于、職其 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醢亞胺基、一價戸 I、 取代之羧基的定義及例等，係與前述R1、！^及RN=基及經 之定義及例等是相同的。 的該等 ❹ 就化合物的合成容易度之觀點而言，式（v)中 9 R10宜分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、的^及 芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、 或〆價雜環基，並以烷基較佳。 芳氧基、 方烯基、 芳炔基 示的化合物 的化合物， 本發明的製造方法具有製造式（^幻表 之第一步驟’該第一步驟係使式（Μ-l-ia)表示

R02 [式中’X、R 、R°2及Xa表示與前述者同義] 321284 47 201008974 較佳為在Rm-M表示的化合物之存在下， (式中，RM表示烷基、芳基、芳烷基、烯基或炔暮， 、丞’ Μ表示 鋰或鹵化鎂（例如MgCl、MgBr、Mgl)) 與式（M-1-lb)表示的化合物進行反應，

Ru-C(=0)-R12 (M-1-lb) [式中，R11及R12表示與前述者同義] 而製得式（M-l-2a)表示的化合物； »11

(M-1-2a)

[式中，义°1、1^、1^、1^及1^表示與前述者同義]

前述Rm-M表示的化合物，可舉出曱基鋰、正丁基鋰、 第二丁基鋰、第三丁基鋰、苯基鋰、正己基溴化鎂 H具體的形態可舉出：使式（M-1-la)表示的化合物與 RIM表示的化合物反應後，再與式表示的化合物 反應的形態。 在第一步驟的反應中，通常係使用溶劑，該溶劑可舉 例如：戊烧、己烧、庚烧、辛烧、環己烧等飽和煙；苯、 甲表、乙基本、二甲苯等不飽和煙；二曱喊、二乙謎、曱 基一第二丁醚、四氫呋喃、四氫哌喃、二噚烷等醚類。此等 洛劑y單獨使用一種，也可組合二種以上後使用。 第一步驟的反應溫度大約為_1〇〇=c至溶劑的沸點左 右’並以-8〇。(3至室溫為佳。 321284 48 201008974 本發明的製造方法具有製造式（M-l-3a)表示的化合物 之第二步驟，該第二步驟係使式（M-l-2a)表示的化合物進 行脫水反應而製造式（M-l-3a)表示的化合物，

[式中，X01、R01、R°2、R11及R12表示與前述者同義]。 式（M-卜la)、式（M-卜2a)、式（M-l-3a)中，RQ1、R°2 及 RNN表示的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、 芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、經取代之胺基、經取代 之石夕燒基、亞胺殘基、酸亞胺基，是與前述R1、R2及1^的 項中所說明例示之基同義。 式（M-l-2a)、式（M-l-3a)中，R11及R12表示的鹵素原 子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳 烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環 基、雜環硫基、經取代之胺基、經取代之矽烷基、醯基、 亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、經取代之羧基，係表示與 前述者相同之意義。 第二步驟係宜在酸的存在下進行。酸可列舉如質子 酸、路易斯酸等。質子酸可舉出：曱磺酸、三氟甲磺酸、 對曱苯磺酸等磺酸類；蟻酸、醋酸、三氟醋酸、丙酸等羧 酸類；硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸等無機酸等。在此等質子 49 321284 201008974 酸中，以鹽酸、硫酸、硝酸等無機強酸為佳。路易斯酸可 舉出：三溴化硼、三氣化硼、三氟化硼醚錯合物等_化硼 化物；氯化鋁、氣化鈦、氣化錳'氣化鐵、氣化鈷、氣化 銅、氣化鋅、溴化鋁、溴化鈦、溴化錳、溴化鐵、溴化鈷、 溴化銅、溴化鋅等鹵化金屬等。在此等路易斯酸中，以三 氟化硼醚錯合物為佳。此等酸（質子酸、路易斯酸）可單獨 使用一種，或組合二種以上後使用。 第二步驟的反應媒質可使用上述的酸，也可使用除此 之外的溶劑。可使用的溶劑可舉例如：戊烷、己烷、庚烷、 辛烷、環己烷等飽和烴；四氣化碳、氯仿、二氯曱烷、氣 丁烷、溴丁烷、氣戊烷、溴戊烷、氣己烷、溴己烷、氯環 己烷、溴環己烷等鹵化飽和烴；氣苯、二氣苯、三氣苯等 鹵化不飽和烴；硝基甲烷、硝基苯等硝化化合物等。此等 溶劑可單獨使用一種，也可混合二種以上後使用。 第二步驟的反應溫度大約是-50 °C至溶劑的沸點左 右，並以大約〇°C至溶劑的沸點左右為佳。 第一步驟及第二步驟皆以在氬或氮等惰性氣體環境下 進行為佳。 本發明的組成物是具有本發明的高分子化合物之組成 物，可列舉如：含有至少一種選自電洞輸送材料、電子輸 送材料及發光材料所成群組中的材料，與至少一種本發明 的高分子化合物之組成物；含有至少二種本發明的高分子 化合物之組成物等。 本發明的組成物也可為液狀組成物，可供使用於高分 50 321284 201008974 < :發光2件：發光元件或有機電晶體的製作。液狀組成物 是含有前述高分子化合物與溶劑而成者。本說明書中的「液 狀組成物」是指製作元件時為液狀者，通常在常亦即一 〜大氣壓）、25 C巾驗狀。液狀組成物—般也可稱為印墨、 .' 印墨組成物、溶液等。 除了前述高分子化合物之外，液狀組成物也可含有低 分子發光材料、電洞輸送材料、電子輸送材料、安定劑、_ ❹調節黏度及/或表面張力用的添加劑、抗氧化劑等。此等 的任何成分可各別單獨使用一種，也可併用二種以上。 就液狀組成物也可含有的低分子發光材料而言，可舉 例如萘衍生物、蒽、蒽衍生物、茈、茈衍生物、聚次甲基 (polymethine)類色素、咕嘴（xanthene)類色素、薰草素 (coumarin)類色素、花青素（cyanine)類色素、具有8一羥 基喹啉的金屬錯合物作為配位子的金屬錯合物、具有8_羥 基喧琳衍生物作為配位子的金屬錯合物、其他的螢光性金 ❹屬錯合物、芳香族胺、四苯基環戊二烯、四苯基環戊二烯 衍生物、四苯基環丁二婦、四苯基環丁二烯衍生物、二苯 乙烯類、含矽之芳香族類、噚唑類、丨，2, 5_—二唑2_氧化 物（1,2,5-〇又8(^&2〇16 2-0^(16，亦即【111'〇乂&11)類、嗟哇 類、四芳基曱烷類、噻二唑類、吡唑類、間環芬 (metacyclophane)類、乙炔類等低分子化合物的螢光性材 料。低分子發光材料可舉例如日本特開昭57_51781號公 報、日本特開昭59-194393號公報等記載的化合物、已周 知的化合物。 51 321284 201008974 就液狀、.且成物也可含有的電洞輸送材料而 聚乙射。錢其衍生物1㈣及其衍生物、崎1= f有芳香錢㈣錢⑽生κ匈衍生物、芳基胺 何生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及 其衍生物、聚嗟吩及其衍生物、聚β比洛及其衍生物聚（對 伸苯基伸乙烯基）及其衍生物、聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基） 及其衍生物等。

就液狀組成物也可含有的電子輸送材料而言，可舉出 噚二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、 萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及 其衍生物、苐酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、 聯苯酿（diphenoquinone)衍生物、8毯基啥琳及其衍生物 的金屬錯合物、聚喹啉及其衍生物、聚啥喔琳及其衍生物、 聚荞及其衍生物等。 就液狀組成物也可含有的安定劑而言’可舉出酚類抗

氣化劑、磷類抗氧化劑等。 就液狀組成物也可含有的調節黏度及/或表面張力用 的添加劑而言，可舉出：用以提高黏度的高分子量之化合 物（增黏劑）或貧溶劑、用以降低黏度的低分子量之化合 物、用以降低表面張力的界面活性劑等。所謂貧溶劑是指 1 §溶劑中可溶解之本發明的1^分子之化合物的重量為 〇· lmg以下的溶劑。 就前述高分子量的化合物而言，只要是不阻礙發光或 電荷輸送的化合物即可，通常是玎溶於液狀組成物的溶劑 52 321284 201008974 中之化合物。高分子量的化合物可 曰 烯、古八孚軎认w 更用冋分子篁的聚苯乙 烯同刀子量的聚曱基丙烯酸甲酯等。前'+、一八工喜aa 人物植瞀屮取4 4尚分子量的化 的重量平均分子量宜為5。萬以上，並 ^上較佳。貧溶劑也可使用作為增黏劑。 就液狀組成物也可含有的抗氧化劑而言， 礙發光或電荷輸送的化合物即可， 铷#逋常疋可溶於液狀組成 =所中的化合物。抗氧化劑可舉例如瞧氧化

劑、磷類抗氧化劑等。藉由使用抗氧化劑，即可改善前述 尚分子化合物、溶劑的保存安定性。 當液狀組成物含有電洞輸送材料時，相對於溶劑以外 的液狀組成物為_ 4量份時，該液狀組成物巾的電洞輸 送材料之量通常為1至80重量份，並以5至6〇重量份為 佳。當本發明之液狀組成物含有電子輸送材料時，相對於 溶劑以外的液狀組成物為100重量份時，該液狀組成物中 的電子輸送材料之量通常為1至80重量份，並以5至6〇 重量份為佳。 在製作高分子發光元件之際’當使用此液狀組成物予 以成膜時，在塗布該液狀組成物後，只要經乾燥而去除溶 劑即可’即使是已將電荷輸送材料或發光材料混合時，也 可適用同樣的方式，故在製造上非常方便。乾燥時，可在 大約加溫到50至150°C的狀態下乾燥，也可減壓至約1 〇_3pa 再予以乾燥。 就使用液狀組成物的成膜方法而言，可使用旋轉塗布 法、澆鑄法、微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輥塗 321284 53 201008974 法、線棒塗布法、浸塗法、喷塗法、網版印刷法、柔板印 刷法（flexographic printing method)、平版印刷法 (of fset printing method)、喷墨印刷法等塗布方法。 相對於該液狀組成物的全重量，液狀組成物中的溶劑 A比例通常為1重量％至99. 9重量％，並以60重量％至 99.9重量％為佳，而以90重量％至99. 8重量％較佳。液 狀組成物的黏度雖然依印刷法而異，但以在25°C中為0. 5 至500mPa · s之範圍為佳，如為喷墨印刷法等必須使液狀 組成物經過吐出裝置者時，為了防止吐出時的堵塞或飛行 彎曲，其黏度宜為在25°C中為0. 5至200mPa · s之範圍。 就液狀組成物中所含有的溶劑而言，宜為可將該液狀 組成物中的該溶劑以外的成分予以溶解或分散者。該溶劑 可舉例如氯仿、二氣曱烷、1，2-二氣乙烷、1，1，2-三氯乙 烷、氣苯、鄰-二氣苯等氣類溶劑；四氫呋喃、二噚烷等醚 類溶劑；曱苯、二曱苯、三曱苯、1，3, 5-三甲苯等芳香族 烴類溶劑；環己烧、甲基環己烧、正戊烧、正己烧、正庚 烷、正辛烷、正壬烷' 正癸烷等脂肪族烴類溶劑；丙酮、 曱基乙基酮、環己酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、 苯甲酸曱酸、乙二醇乙醚醋酸醋（ethyl cell osolve acetate)等酯類溶劑；乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單 乙醚、乙二醇單曱醚、二曱氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基 乙烷、三乙二醇單乙醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其 衍生物；曱醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇類溶劑； 二曱基亞颯等亞颯類溶劑；N-曱基-2-吡咯啶酮 54 321284 201008974 (N-methyl-2-pyrrol idone)、N, N-二曱基甲酿胺等醯胺類 i 溶劑。此等溶劑可單獨使用一種，也可組合數種後使用。 前述溶劑之中，就黏度、成膜性等之觀點而言，以含有一 、 種以上之下述溶劑為佳：具有至少含有一個以上苯環的結 ,' 構，並且熔點在0°C以下且沸點為100°C以上的有機溶劑。 就液狀組成物中的溶劑之外的成分對於溶劑之溶解 性、成膜時的均勻性、黏度特性等之觀點而言，溶劑的種 類宜為芳香族烴類溶劑、脂肪族烴類溶劑、酯類溶劑、酮 類溶劑，並以曱苯、二曱苯、乙基苯、二乙基苯、三乙基 苯、1，3, 5-三甲苯、正丙苯、異丙苯、正丁苯、異丁苯、 第二丁苯、茴香醚（anisole)、乙氧基苯、卜曱基萘、環己 烧、環己酮、環己苯、聯環己烧（bieye 1 ohexy 1)、環己稀 基環己酮、正庚基環己烷、正己基環己烷、苯曱酸曱酯、 2-丙基環己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬 酮、2-癸酮、二環己酮、苯曱酸聯環己基曱酯（bicyclohexyl 0 methyl benzoate)為佳，以含有二曱苯、茴香趟、1，3, 5-三甲苯、環己苯、苯曱酸聯環己基甲酯中的至少一種為較 佳。 就成膜性或元件特性等之觀點而言，液狀組成物中所 含有的溶劑的種類宜為二種以上，並以二至三種較佳，而 以二種更佳。

如液狀組成物中含有二種溶劑時，其中的一種溶劑也 可在25°C中為固態。就成膜性之觀點而言，較佳係一種溶 劑是沸點180°C以上者，且另一種溶劑為沸點未達180°C 55 321284 201008974 者’更佳係-種溶劑為沸點靴以上者，且另一種溶劑 為沸點未達180 C者。就黏度之觀點而言，以在⑽七中， 由液狀組成物去除溶劑後的成分之0.2重量％以上解 於溶劑中者為佳，此外，以在二種溶劑中的一種溶劑中， 在25°C中，由液狀組成物去除溶劑後的成分之〇·2 ^量％ 以上係溶解於溶劑中者為佳。 〇 如液狀組成物中含有三種溶劑時，其中的一至_本 劑也可在2 5 °c中為固態。就成膜性之觀點而言，較3 Γ 種溶劑中的至少—種溶劑是彿點⑽。c以上的溶劑，立I 二：種溶劑是沸點未達贿的溶劑，更佳係三種溶劑中 種溶劑為彿點峨以上晴以下^且至少-點未達靴的溶劑。就黏度之觀點而言，以 二種溶劑中，在6(rc時，由液狀組成物去 卜以在二種洛劑中的一種溶劑中， 液狀組成物去除溶劑後的成分 ， 溶劑中者為佳。 ⑨刀之〇·2重以上係溶解於 如液狀組成物中含有二種以 =的重量之4。至90重量％，並以5。 二 佳，而以65至85重量％更佳。 置/〇孕2 <用途> 料 本發明的高分子化合物 也可使用作為薄臈材料 不僅可使用作為有機電晶體材 有機半導體材料、發光材料、 321284 56 < C才料及藉由摻雜的導電性材料。 形戍。”㈣薄膜°此薄膜是使用前述高分子化 導種類可舉例如發光性薄膜、導電性薄 儀 壓等之觀點而言’發光性薄膜 隹’〜 率在心以上者為佳，並以60%以上者 導電Μ 70%以上更佳。 、易‘薄膜宜為表面電阻在1ΚΩ，□以下者。可藉由 違。从表、離子性化合物等摻雜至薄膜中 ，而提高導電 从下者更隹電阻為1ϋί)ΚΩ/□以下者較佳，以10ΚΩ/口 敕大者為半5體薄膜是以電子移動度及電洞移動度之任-隹，而:1〇 C1D/Vs以上為佳，並以10—3cm2/Vs以上較 製作有嘰1Cm2/VS以上更佳。可使用有機半導體薄膜而 ，柘薏麵 '晶體。具體上，是在已形成有Si〇2等絕緣膜與 尊形戍海=S：L基板上形成有機半導體薄膜後，藉由以Au 其次玉電極與汲極電極，即可作成有機電晶體。 趲。 說明有機電晶體之一形態的高分子場效型電晶 化含杨圩、子場效型電晶體的材料而言，本發明的高分子 分予嘮敫遍用作為其中的活性層（有機層）之材料。關於高 極鄰接電晶體的結構，通常只要使源極電極及沒極電 ”戍置於由使用本發明的高分子化合物而成之活性 層，並且將鄰接於活性層的絕緣層挾住而設置閘極電極即 321284 57 201008974 可〇 · 高分子場效型電晶體通常是形成在支撐基板上。支撐 * 基板雖然只要是不阻礙作為場效型電晶體的特性之材質， 即無所限制’但也可使用玻璃基板或撓性的薄膜基板或塑 膠基板。 尚分子場效型電晶體可依據已周知的方法而製造，例 如，日本特開平5-110069號公報中記載的方法。 在形成活性層時’若使用有機溶劑可溶性的高分子化 合物’則非常有利於製造，而為較佳。由使有機溶劑可溶 Θ 性的尚分子化合物溶解在溶劑而形成的溶液進行成膜之方 法，可使用旋轉塗布法、澆鑄法、微凹版塗布法、凹版塗 布法、棒塗法、輥塗法、線棒塗布法、浸塗法、喷塗法、 網版印刷法、柔板印刷法、平版印刷法、喷墨印刷法等塗 布方法， 製作咼分子場效型電晶體後，以密封而成的密封高分 子場效型電晶體為佳。藉此，即可使高分子場效型電晶體 與大氣隔絕’進而可抑制高分子場效型電晶體的特性降低。© 密封的方法可舉出以：紫外線（ϋν)硬化樹脂、熱硬化 樹脂或無機的SiONx膜等予以遮蓋的方法；以υν硬化樹 脂、熱硬化樹脂等使玻璃板或薄膜貼合的方法等。為了有 效進行與大氣的隔絕’較佳係在製作高分子場效型電晶體 後，使直至密封為止的步驟均不曝露在大氣中（例如，在已 乾燥的氮氣環境中、真空中等）進行。 其次，說明有關光電轉換元件。光電轉換元件可使用 321284 58 201008974 於太陽電池、光感應器等用途上。在此，說明光曾 件之一形態的太陽電池。 換元 本發明的高分子化合物可適用於作為太陽$、 料，其中，更可適用於利用有機半導體與金屬之也的相' 特基障壁（Schottky barrier)型元件之有機半導 的簫 外，可適用於利用有機半導體與無機半導體之界’此 ❹ 半導體與有機半導體之界面的pn異質接合型开5有機 半導體層。件的有機 並且’本發明的高分子化合物更可適用於作為 予體-受體（donor-acceptor )的接觸面積之塊材 〇大 , /、質接八

型元件中的電子供給性高分子、電子接受性聚合物， Q 外， 可適用於使用高分子•低分子複合系的有機光電轉換 件，例如已分散富勒烯衍生物作為電子接受體的塊材異元 接合型有機光電轉換元件的電子接受性共軛高分子（二質 支撐體）。 刀散 〇 關於光電轉換元件的結構，在為pn異質接合型元件 時’例如就歐姆性電極而言，只要在ΙΤ0上形成p型半導 體層’然後將η型半導體層予以積層後，再在其上設置歐 姆性電極即可。 光電轉換元件通常是形成在支撐基板上。支撐基板雖 然只要不阻礙到作為光電轉換元件的特性，即無材質上的 限制’但也可使用玻璃基板或撓性的薄膜基板或塑膠基板^ 光電轉換元件可依據已周知的方法製造，例如，Synth.

Met·，102，982(1999)中記載的方法或 Science，270, 1789 59 321284 201008974 (1995)中記載的方法。 其次，說明有關本發明的高分子發光元件。 本發明的高分子發光元件是具有陽極、陰極、與有機 層的元件，其中，該有機層含有前述高分子化合物並設在 該陽極及該陰極之間。前述有機層的機能是作為發光層、 電洞輸送層、電洞注入層、電子輸送層、電子注入層等。 本發明的高分子發光元件中，前述有機層宜為發光層。

就本發明的高分子發光元件而言，可舉出：（1)電子輸 送層設在陰極與發光層之間的高分子發光元件、（2)電洞輸 送層設在陽極與發光層之間的高分子發光元件、（3)電子輸 送層設在陰極與發光層之間，且電洞輸送層設在陽極與發 光層之間的高分子發光元件等。 本發明的高分子發光元件之結構可舉例如以下的3)至 d )之結構。 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極

c) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極 d) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (/表示各層為鄰接而積層。以下亦同。） *發光機能的層；「電洞輸送層」 疋心具有輸送電洞之機能的層；「 輸送電子之機㈣層。電财層」4具有 m 料層與電洞輸送層統稱為電 何輸送層。發先層、電洞輸送層1子輸送層也可分別獨 立使用二層以上 321284 60 201008974 鄰接發光層的電洞輸送層，有時也稱為中間層 (interlayer) 〇 發光層的成骐方法可舉例如藉由溶液成膜的方法。 就由溶液成膜的方法而言’可使用旋轉塗布法、洗缚 4 - 法、微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輕塗法、線棒 - 塗布法、浸塗法、喷塗法、網版印刷法、柔板印刷法、平 版印刷法、喷墨印刷法等塗布方法。 ❻ 製作高分子發光元件之際’當藉由使用本發明的高分 子化合物而進行由溶液成膜時，只要在塗布此溶液後藉由 乾燥而去除溶劑即可，此外，即使是己將電荷輸送材料或 發光材料混合的情形，也可適用同樣的方式，故在製造上 非常方便。 關於發光層的厚度，其最適值係因使用的材料而異， 雖然只要以使驅動電壓與發光效率成為適度值之方式選择 即可’但通常為lnm至1’並以2nm至500nm為佳，而 ❹以 5nm至200nm較佳。 本發明的高分子發光元件中，也可將上述高分子化舍 物以外的發光材料混合至發光層中而使用。本發明的高分 子發光元件中’也可使含有上述高分子化合物以外的發光 材料之發光層’與含有上述高分子化合物的發光層積層。 前述高分子化合物以外的發光材料可使用已周知的讨 料。在其為低分子化合物時，可使用萘衍生物、蒽及其衍 生物、茈及其衍生物、聚次曱基類、咕噸類、薰草素類、 花青素類等色素類；8-羥基喹啉及其衍生物的金屬錯合 61 321284 201008974 物、芳香族胺、四笨基環戊二烯及其衍生物、四苯基環戊 二烯及其衍生物等。前述發光材料可舉例如日本特開昭 57-51781號公報、日本特開昭59-194393號公報等中記載 的化合物。 如本發明的高分子發光元件具有電洞輸送層時，其所 使用的電洞輸送材料，可舉例如前述高分子化合物、聚乙 烯咔唑及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、側鏈或主鏈具有 芳香族胺的聚^夕氧烧衍生物、D比嗤琳衍生物、芳基胺衍生 物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍 生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚（對-伸 笨基伸乙烯基）及其衍生物、聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基） 及其衍生物等。前述高分子化合物以外的電洞輸送材料， 可舉例如日本特開昭63-70257號公報、日本特開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359號公報、日本特開 平2-135361號公報、日本特開平2-209988號公報、日本 特開平3-37992號公報、曰本特開平3-152184號公報等中 記載的化合物。 在此等化合物之中，電洞輸送層所使用的電洞輸送材 料，是以聚乙烯咔唑及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、側 鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基的聚矽氧烷衍生物、聚苯 胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚（對-伸苯基伸乙烯 基）及其衍生物、聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基）及其衍生物等 高分子電洞輸送材料為佳，並以聚乙烯咔唑及其衍生物、 聚矽烷及其衍生物、側鏈或主鏈具有芳香族胺的聚矽氧烷 62 321284 201008974 衍生物為較佳。如為低分子的電洞輸送材料時，宜分散於

I 高分子黏合劑中而使用。 聚乙烯咔唑及其衍生物係例如可從乙烯單體藉由陽離 子聚合或自.由基聚合而得。 ,' 聚石夕烧及其衍生物可舉例如Chemical Review,第89 — 卷，1359頁（1989年）、英國專利GB2300196號公開說明書 中記載的化合物。合成方法也可使用此等文獻中記載的方 _ 法，尤其是以K i pp i ng法為適用。 ◎ 因矽氧烷骨架結構中幾乎無電洞輸送性，故聚矽氧烷 衍生物宜使用側鏈或主鏈具有上述低分子電洞輸送材料之 結構者。特別是可舉例如側鏈或主鏈具有電洞輸送性的芳 香族胺者。 關於電洞輸送層的成膜方法，在為低分子電洞輸送材 料時，可舉例如由與高分子黏合劑的混合溶液而成膜的方 法，在為高分子電洞輸送材料時，可舉例如由溶液成膜的 〇 方法。 使用於由溶液成膜時的溶劑，只要是可溶解電洞輸送 材料者即可。該溶劑可舉例如：氯仿、二氯曱烷、二氯乙 烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚類溶劑；甲苯、二曱苯等芳 香族烴類溶劑；丙酮、曱基乙基酮等酮類溶劑；醋酸乙酯、 醋酸丁酯、乙二醇乙醚醋酸酯等酯類溶劑。 就由溶液成膜之方法而言，可使用由溶液進行之旋轉 塗布法、澆鑄法、微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、 輥塗法、線棒塗布法、浸塗法、喷塗法、網版印刷法、柔 63 321284 201008974 板印刷法、平版印刷法、喷墨印刷法等塗布方法。 就=的高分子黏合劑而言’宜為不極度妨害電荷輸 送者並且以相對於可見光的吸收不強者為適用。詨言八 子黏合劑可舉例如聚碳義、聚丙騎醋、聚_酸=刀、 聚f基丙稀酸尹黯、聚苯乙烯、聚氯乙稀、聚石夕氧燒。 就電洞輸送層的膜厚而言，其最適值係因使= 而異’雖然只要以使驅動電屋與發光效率成為適度值之方 式選擇即可，心須是不致產生針孔的厚度， φ 則使元件的驅動電錢高 、時

In 邊電洞輸送層的 ⑽至U"1，並以2nm至500rnn為佳 至200nm更佳。 佳而以5nm 如本發明的高分子發光元 用的電子輸送材料可兴你w + a電子輸邊層時，所使 生物、葱酿二曱述向分子化合物，二㈣ 其衍生物、葱賤及其衍生物、 ^勿、奈酿及 物、第酮衍生物、-苯土心醌一曱烷及其衍生 ❹ 衍生物、8-經基喧琳及其衍物、-本酿 其衍生物、聚嗜喔琳及盆柯士札屬錯&物、聚啥琳及 、十、古八料人札 物、聚S及其衝生物等。前 述冋刀子化。物以外的電子輪 生物寺 63-7㈣號公報、日本_昭6M758=如日本特開昭 開平2_脳9號公報、曰本特開平=報、曰本特 本特開平2一20咖號公報、曰 361號公報、日 日本特開平3-152184號公報s + 3 37992號公報、 在此等化合物之二=記:的化合物。 ^坐衍生物、苯醌及其衍 321284 64 201008974 生物、蒽酿及其衍生物、8-經基啥淋及其衍生物的金屬錯 合物、聚喧琳及其衍生物、聚噎喔琳及其衍生物、聚苐及 其衍生物為佳，並以2-(4-聯苯基）-5-(4-第三丁基苯基） -1, 3, 4-噚二唑、苯醌、蒽醌、三（8-喹啉醇）鋁、聚喹啉為 , 較佳。 ' 關於電子輸送層的成膜法，在為低分子電子輸送材料 時，可舉例如由粉末的真空蒸鑛法、由溶液或溶融狀態的 I 成膜方法，在為高分子電子輸送材料時，可舉例如由溶液 〇 或熔融狀態的成膜方法。在由溶液或熔融狀態成膜時，也 可併用高分子黏合劑。 使用於由溶液成膜時的溶劑，只要是可溶解電子輸送 材料及/或高分子黏合劑者即可。該溶劑可舉例如氯仿、 二氯曱烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚類溶劑； 甲苯、二甲苯等芳香族烴類溶劑；丙酮、甲基乙基酮等酮 類溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙二醇乙醚醋酸酯等酯類 ❹ 溶劑。 由溶液或熔融狀態成膜的方法，可使用旋轉塗布法、 澆鑄法、微凹版塗布法、凹版塗布法、棒塗法、輥塗法、 線棒塗布法、浸塗法、喷塗法、網版印刷法、柔板印刷法、 平版印刷法、喷墨印刷法等塗布方法。 就混合的高分子黏合劑而言，宜為不極度妨害電荷輸 送者，並且以相對於可見光的吸收不強者為適用。該高分 子黏合劑可舉例如聚（N-乙烯咔唑）、聚苯胺及其衍生物、 聚嗟吩及其衍生物、聚（對-伸苯基伸乙烯基）及其衍生物、 65 321284 201008974 聚（2, 5-伸β塞吩基伸乙稀基）及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙 烯酸酯、聚丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、 聚氣乙烯、聚矽氧烷。 關於電子輸送層的膜厚，其最適值係因使用的材料而 異，雖然只要以使驅動電壓與發光效率成為適度值之方式 選擇即可，但必須是不致產生針孔的厚度，如其太厚時， 則使元件的驅動電壓變高而不佳。因此，該電子輸送層的 膜厚通常是lnm至lym，並以2nm至500nm為佳，而以5nm 至200nm更佳。 在與電極鄰接而設置的電荷輸送層中，具有改善從電 極注入電荷效率的機能且具有降低元件的驅動電壓之效果 者，特別稱之為電荷注入層（電洞注入層、電子注入層）。 並且，為了提高與電極之間的密著性或改善從電極的 注入電荷，可將前述電荷注入層或絕緣層設置成與電極鄰 接，此外，為了提高界面的密著性或防止混合等，也可在 電荷傳送層或發光層的界面中插入薄的緩衝層。 關於積層之層的順序或數目及各層的厚度，只要在發 光效率或元件壽命的考量下適宜選擇即可。 本發明中，就已設有電荷注入層（電洞注入層、電子注 入層）高分子發光元件雨言，可舉例如與陰極相鄰而設置電 荷注入層的高分子發光元件、與陽極相鄰而設置電荷注入 層的高分子發光元件。 本發明的高分子發光元件之結構可舉出以下的e)至p) 之結構。 201008974 e) 陽極/電荷注入層/發光層/陰極 f) 陽極/發光層/電荷注入層/陰極 g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 )%極/電何注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 l) 陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 j) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷注入 層/陰極 ❹ ❹ k) ^極/電荷注入層/發光層/電荷輸送層/陰極 D ^極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 m) 陽極/電荷注人層/發光層/電子輸送層/電荷注入 層/陰極 )陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷輸送 層/陰極 〇)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入 層/陰極 p)陽極/電何注人層^/電洞輸送層/發光層/電子輸送 層/電荷注入層/陰極 在陽入層之例可舉出：含有導電性高分子之層；設 在％極與電洞輸送層之間， 層中所人& 有％極材料與電洞輸送 ^所3之電洞輸送材料之中間值的離子化位能 〇-Zat1〇n^ 輸i材:之材料與電子輸送層中所含之電以 計之中間值的電子親和力的材料之層。 于 如上述電荷注入層為含有導電性高分子之層時， 67 321284 201008974 電性高分子的導電度宜為l(T5S/cin以上103S/cm以下， 如欲使發光晝素間的漏電流變小時，則宜為l(T5S/cm以上 102S/cm以下，並以l(T5S/cm以上103S/cm以下較佳。 通常若欲使該導電性高分子的導電度在10_5S/cm以上 103S/cm以下，會在該導電性高分子中摻雜適量的離子。 關於摻雜的離子之種類，在為電洞注入層時是陰離 子，為電子注入層時是陽離子。陰離子可舉例如聚苯乙烯 磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等；陽離子可 舉例如鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。 電荷注入層的膜厚通常為lnm至lOOnm，並以2nm至 50nm為佳。 使用於電荷注入層的材料，只要依據與電極或相鄰層 的材料之間的關係而選擇即可，可舉例如前述高分子化合 物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其 衍生物、聚伸苯基伸乙烯基及其衍生物、聚伸噻吩基伸乙 烯基及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主鏈或侧鏈含有 芳香族胺結構的聚合物等導電性高分子、金屬酞菁（銅酞菁 等）、碳等。 絕緣層是具有可使電荷容易注入的機能之層。此絕緣 層的平均厚度通常為0. lnm至20nm，以0. 5nm至10nm為 佳，並以1 nm至5nm較佳。絕緣層的材料可舉出金屬氟化 物、金屬氧化物、有機絕緣材料等。已設置絕緣層的高分 子發光元件，可舉出與陰極相鄰而設置絕緣層的高分子發 光元件、與陽極相鄰而設置絕緣層的高分子發光元件。 68 321284 201008974 ‘ 本發明的高分子發光元件之結構可舉例如以下的q)至 ab)之結構。 Q)陽極/絕緣層/發光層/陰極 r)陽極/發光層/絕緣層/陰極 ' s)陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 .〇陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/陰極 U)陽極/電洞輸送層/發光層/絕緣層/陰極 ❹V)陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/絕緣層/陰極 W) 陽極/Λ絕緣層/發光層/電子輸送層/陰極 X) 陽極/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極 y)陽極/絕緣層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極 Z)陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 陰極 aa)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/ 陰極 ❹ab)陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 絕緣層/陰極 形成本發明高分子發光元件之基板，只要是在形成電 極並形成有機物層時不會變化者即可，可舉例如玻璃、塑 膠、高分子薄膜、石夕等之基板。在為不透明的基板時，相 對向的電極宜為透明或半透明者。 本發明中，通常由陽極及陰極所構成的電極之至少一 方為透明或半透明，並且陽極侧宜為透明或半透明者。 陽極之材料可使用導電性的金屬氧化物膜、半透明的 321284 69 201008974 金屬薄膜等。具體上，可使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、 及此等氧化物的複合物之銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物等 所構成的導電性無機化合物而製作成的膜（NESA等）、或 金、白金、銀、銅等，並以ΙΤ0、銦鋅氧化物、氧化錫為 佳。製作方法可舉出真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法、 電鍍法等。該陽極也可使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及 其衍生物等有機的透明導電膜。 就陽極的膜厚而言，雖然亦可在光的穿透性與導電度 的考量下加以選擇，但通常是1 〇nm至10 μ m，並以20nm 至1 μ m為佳，而以50nm至500ηπι較佳。 如欲使電荷容易注入時，也可在陽極上設置由醜菁衍 生物、導電性高分子、碳等所構成的層，或由金屬氧化物 或金屬氟化物、有機絕緣材料等所構成的層。 陰極的材料宜為功函數較小的材料。就陰極的材料而 言，可使用鐘、鈉、卸、伽、絶、皱、鎂、#5、錄、鋇、 在呂、筑、叙、鋅、紀、銦、鈽、釤、銪、試、镱等金屬， 及此等中的二個以上之金屬的合金，或此等中的一個以上 之金屬與金、銀、白金、銅、锰、鈦、始、鎳、鶴、錫等 中的一個以上之合金，石墨或石墨層間化合物等。合金之 例可舉出鎮-銀合金、鎮-姻合金、鎮-紹合金、銦-銀合金、 鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。也可將 陰極作成二層以上的積層結構。 就陰極的膜厚而言，雖然亦可在導電度與耐久性的考 量下加以選擇，但通常是10nm至10 # m，並以20nm至1 70 321284 201008974 為佳而以5〇nm至5〇〇nm較佳。 —陰極的製作方法可使用真空蒸鍵法、麟法、將金屬 薄5 I的積層法等。在陰極與有機物層之間，可設置由 導電性高分子所構成的層、或由金屬氧化物或金屬氟化 物、有機絕緣材料等所構成的層，也可在製作陰極後，裝 設保護該高分子發光元件的保護層。如欲長期安定地使用 該南分子發光元件，則為了由外部保護元件，以裝設保護 層及/或保護罩為佳。 該保護層可使用樹脂、金屬氧化物、金屬氟化物、金 屬硼化物等。保護罩可使用玻璃板、表面經低透水率處理 的塑膠板等’並適用以熱硬化樹脂或光硬化樹脂而將該遮 罩與元件基板貼合並密閉的方法。只要使用隔片（spacer) 維持空間，即可容易地防止元件刮傷。只要在該空間中封 入氮氣或氬氣等惰性氣體，即可防止陰極氧化，並且可因 在該空間内設置氧化鋇等乾燥劑，而容易地抑制製程中所 ❺吸附的水分對元件造成傷害。在此等之中，以採用任何一 種以上的對戒為佳。 本發明的高分子發光元件，可使用於面狀光源、區段 式顯示裝置、點矩陣顯示裝置、液晶顯示裝置（例如，背光 等）等顯示裝置等。 如欲使用本發明的高分子發光元件而獲得面狀的發光 時，只要使面狀的陽極與陰極重疊貼合配置即可。如欲得 到圖案狀的發光時，有在前述面狀的發光元件的表面上設 置已設有圖案狀窗的遮罩之方法、使非發光的有機層形成 321284 71 201008974 為極厚而成為實質上不發光之方法、將陽極或陰極的任一 方或兩方的電極形成為圖案狀的方法。在以此等任一種方 法形成圖案後，可藉由使若干個電極配置成可獨立地0N/ OFF，而獲得可顯示數字或文字、簡單記號等的區段式顯示 元件。並且，如欲作成點矩陣元件時，只要使陽極與陰極 皆形成為條紋狀且配置成垂直即可。依據將數種發光色不 同的高分子化合物予以分塗的方法、或使用彩色濾光片或 螢光轉換濾光片的方法，而可達成部份彩色顯示、多色顯 示。點矩陣元件可為被動驅動，也可與TFT等組合後而主 動驅動。此等顯示元件，可使用作為電腦、電視、可攜式 終端機、可攜式電話、汽車導航器、錄影攝影機的觀景器 等的顯示裝置。 另外，前述面狀的元件是自發光薄型，可適用於液晶 顯示裝置的背光用面狀光源、及面狀的照明用光源。如使 用撓性基板時，也可使用作為球面狀的光源或顯示裝置。 [實施例] 以下藉由實施例可更詳細說明本發明。但本發明並不 侷限於此等範圍。 關於數平均分子量及重量平均分子量，可藉由尺寸大 小排除層析儀（size exclusion chromatography，SEC)(島 津製作所製、商品名：LC-lOAvp)求得換算成聚苯乙烯的數 平均分子量及重量平均分子量。欲測定的高分子化合物係 以成為約0.5重量％的濃度之方式溶解於四氫呋喃中，並 注入3 0 // L於SEC中。SEC的移動相是使用四氫吱喃，以 72 321284 201008974 0· 6mL/分鐘的流速流動。管柱是將二支TSKgel Super HM-H (東曹製）與一支TSKgel Super H2000C東曹製）串聯連接。 檢測器是使用示差折射率檢測器（島津製作所製、商品名： RID-10A)。 <實施例1 > (化合物M-1之合成） 藉由下述反應而合成化合物M-1。以下，依序說明。

〇6Η13ν>〇βΗΐ3 r\-J/ CH2CI2, -0¾

KF Pd(OAc)2 配位子 ΜΊ-3 (化合物Μ-1-1之合成） Β(ΟΗ)2 +

THF M-1-1 於惰性氣體的環境下，在1L的四口燒瓶中加入9. 20g (72mmol)的 2-β塞吩棚酸、22.63g(80mmol)的 1-演-2-蛾化 苯、0. 186g(0. 8mmol)的醋酸鈀、〇. 479g(l. 6mmol)的（2-聯苯）-二-第三丁基膦、14. 0g(240mm〇l)的敦化卸，使其溶 解於已脫氣30分鐘的300mL之四氫咬喃中後，於室溫中授 拌。3小時後’加入水（200mL)使反應停止之後，以200mL 的四氫呋喃進行有機層的萃取。以水與飽和食鹽水清洗所 73 321284 201008974 得的有機層後，以無水硫酸鎮使其乾燥。過滤乾燥劑後， 將餾去溶劑而得的粗生成物以矽膠管柱層析儀（萃取溶 劑：己烷）精製後，得到14· 37g(產率：75%)的化合物 Μ-1 -1，為黃色油狀物。 (化合物M-1-2之合成）

Br

M-1-1 ^βΗΐ3

5Η13 於惰性氣體的環境下，在100mL的四口燒瓶中加入化 合物 M-1-1 (4. 78g，0· 02mol)、40mL 的二乙 ϋ後，使其冷 卻至-78°C。加入正丁基鋰1. 6Μ己烷溶液（15mL，0. 024 mol)，擾拌1. 5小時。然後加入7-十三院酮（7-tridecanone) (4. 13g，0. 021mol)，於室溫中攪拌2小時。反應結束後， 加入1 OmL的水使反應停止，萃取出有機層，再加上經由在 水層内加入己烧而萃取得到的有機層，將合併得到的有機 層以硫酸鎂乾燥後濃縮。將所得的液體以矽膠管柱層析儀 (己烷單溶劑）精製後，得到4. 05g(產率：56%)的化合物 M-1-2。重複進行數次上述操作。 (化合物M-1-3之合成）

於惰性氣體的環境下，在500mL的四口燒瓶中加入三 74 321284 201008974 4 Ο 氟化硼-二乙醚溶液（90mL ’ 0· 6mol)，於冰浴下攪拌。由滴 液漏斗以1小時滴下化合物M-1 _2(12. 9g ’ 30πιιη〇ι)之二氣 曱烷溶液800mL。滴下後，移開冰浴，在室溫下授拌4小 時。反應結束後，加入300mL的冰水，使其分液成有機層 與水層後，再加上在水層内加入二氣甲烧而萃取得到的有 機層，將合併得到的有機層以飽和食鹽水清洗。以硫酸鎮 乾無後’過;慮並德去溶劑’即得到7 · 0 3 g (產率：6 9 % )的 化合物M-1-3 〇 DMF, 0°C~rt

Br (化合物（M-1)之合成） CeH*|3 乂 〇βΗι3

:NBS M-1-3 於惰性氣體的環境下，在100mL的三口燒瓶中加入化 合物M-卜3(3.40g，10_〇1)、60mL的二甲基甲醯胺，於〇 °C(冰浴下）中攪拌。由滴液漏斗以30分鐘滴下N_溴代丁 一醯亞胺（3. 55g，20mmol)的二曱基甲醯胺溶液（8〇mL)。滴 =後，於〇它中攪拌2小時後，再昇溫至室溫，攪拌i小 時。然後，追加h 2g(6· 7匪〇1)的N-溴代丁二醯亞胺，繼 續授拌5小時之後，加人1〇〇mL的硫代硫酸納水溶液。加 ^氯仿使其分液成有機層與水層，以硫酸鎂乾燥該有機層 ^過濾並餾去溶劑。以矽膠管柱層析儀將所得的反應混 合物進行兩次的精製後，得到1.42g(產率：29%)的化合 物 Μ-1 〇 321284 75 201008974 <實施例2> (高分子化合物<P-1 >之合成） 將化合物M-l(l.〇2g)與2,7-雙（1，3,2-二氧雜硼烷 *"2-基）-9, 9-二辛基第（2,7-1^5(1，3,2-(11〇%沾〇1*〇1311-2-yl)-9, 9_di octylfluorene)(l. 06g)、醋酸把（1. 2mg)、三 (2-曱氧基苯基）膦（4. 5mg)、三辛基曱基氣化銨（〇 28g，商 品名：Aliquat336，Aldrich 製）、曱苯（20mL)混合後，將 所得的反應溶液加熱至1〇5。(：。接著，在前述反應溶液中 滴下2M的碳酸鈉水溶液（5. 4mL)，使其迴流9小時之後， 加入苯基硼酸（256mg)，再使其迴流3小時。接著，在前述 反應溶液中加入1.8M的二乙基二硫代胺甲酸鈉（sodium diethyldithiocarbamate)水溶液（l2mL)後，於 80°C 中攪 拌2小時。然後，將反應溶液冷卻至25^之後，以水（3〇mL) β洗二次、3重量％的醋酸水溶液（3〇mL)清洗二次、水（3〇mL) /月洗二次後’藉由通過氧化鋁管柱、石夕膠管柱而精製後， 可得甲苯溶液。將所得的甲苯溶液滴入曱酵（300mL)中，攪 摔1小時之後，濾取所得的固體並乾燥，得到由下述式表 示之重複單元所構成的高分子化合物<p_1：>。 C8H17. C8H17 c6h13 c6h13

\ \—/ s j 所得之高分子化合物 <卩-1>的產量為l.〇2g。高分子化合 物<?-1>換算成聚苯乙烯的重量平均分子量為5· lxio4， 換算成聚笨乙烯的數平均分子量為2.4xl〇4。 76 321284 201008974 r·· <比較例1> 4 (高分子化合物<P-2>之合成） 聚合成由下述式表示之重複單元所構成的高分子化合 物 < P-2 >。 —

基苐（5.20g)、雙（4-溴化苯基（4_第二丁基苯基）一胺 (4. 50g)、醋酸把（2.2mg)、三（2~甲基苯基）膦（15.lmg)、 三辛基甲基氯化錢（0.91g，商品名：AliQuat336，Aldrich 製）、甲苯（70mL)混合後，加熱至i〇5°c。在此反應溶液中 滴下2M的碳酸納水溶液（19mL)，使其迴流4小時。反應後， 加入苯基棚酸（121 mg)，再使其迴流3小時。接著，加入二 乙基二硫代胺基甲酸納水溶液後’於8〇乞擾拌4小時。冷 卻後，以水（60mL)清洗三次、3重量％的醋酸水溶液（6〇mL) 清洗三次、水（60mL)清洗三次後，藉由通過氧化鋁管柱、 矽膠管柱而精製。將所得的甲苯溶液滴入甲醇（3L)中，攪 拌3小時之後’滤取將所得的固體並乾燥。所得高分子化 合物<P-2>的產里為5.25g。高分子化合物<p_2>換算 成聚苯乙烯的重量平均分子量為3. 5ΐχ1〇5。 <實施例3 > 將作為閘極電極且高濃度摻雜錄的η型石夕基板之表面 321284 77 201008974 % 予以熱氧化後，形成200nm的矽氧化膜（絕緣層）。以 將所得的基板進行10分鐘的超音波清洗之後，照射綱 UV(紫外線強度：28mW/Cm2)30分鐘。然後，在充^氣氣二 手套工作箱（gl〇ve box)中，將基板含浸在十八烷基二^石 烷（0DTS)的辛烷稀釋液中15小時後，得到 二二= ' 矽 基板1。 1處理過的 中高分子化合物〈⑴溶解於作為溶劑的氣仿 中1作展度為0.5重量％的溶液（有機半導體組成物） 後，使其以孔徑〇.2wm的薄膜過濾器過濾後，調製成塗 ❿ 液。 邱 *由旋轉塗布法將所得的塗布液塗布在前述〇dts層 上，而形成具有約6〇nm厚度的活性層，接著，藉由 屬罩的真空蒸鍍法’在活性層上形成通道長度2〇_、通 道寬度2mm的源極電極及汲極電極，即製作成場效型有機 薄膜電晶體1。 對於場效型有機薄膜電晶體1 ，在使閥電壓Vg於〇至 —6 0 V 中 卜 ’笑化、使源極•汲極間電壓Vs於0至-60V中變化 的條件下’測定其電晶體特性後，確認其良好的電晶體動 作傳導特性係在Vg=-5〇V、Vsd=-50V時’得到漏電流3. 9 //A。由此特性而計算出場效移動度為6.5xl{r3cm2/Vs。 <比較例2 > 其次，除了使用高分子化合物<P-2>U取代高分子化 &物< P 1>之外，其餘進行與實施例3同樣的操作後，製 作場放型有機薄膜電晶體2，並測定其電晶體特性。藉由 78 321284 201008974 此測定，傳導特性係在Vg=-50V、Vsd=-50V時得到漏電流 1. 4 // A。由此特性而計算出場效移動度為1. 5x 10_3cm2/ Vs。 [產業上應用的可能性] 在場效型的有機電晶體中使用本發明的高分子化合物 時，由於可使其場效移動度變高，故在工業上極為有用。 【圖式簡單說明】 益〇 【主要元件符號說明】 ❹ 79 321284

Claims (1)

1. 201008974 七、申請專利範圍： 1. 一種高分子化合物，其含有式（I)表示的重複單元： (R2)3

   (!) [式中，X1表示氧原子 分別獨立表示氫原子、 硫原子或-N(Rn)-，R1、R2& Rn 鹵素原子、烷基、烯基、炔基、 烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳 烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜 環硫基、胺基、經取代之胺基、矽烷基（silyl)、經取 代之矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞 胺基、羧基、經取代之羧基、氰基或硝基，R3及R4分別 獨立表示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、炔基、烷氧 基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧 基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫 基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、 醯基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之 羧基、氰基或硝基；複數個存在的R2可為相同者，也 可為相異者]。 2. 如申請專利範圍第1項之高分子化合物，其中，式（I) 表示的重複單元為式（II)表示的重複單元： 80 321284 201008974

   3 ^由中X R、RHR4表示與前述同義]。 0 4·二至3項，任-項之高分子化合物 利範圍第】至4項中任—項之高分子化合物， 6.如申請專利範圍第45項中任一^重硬早兀者。 其中，復含有式（III)表示的重複單元'刀子化合物’ ~(Arl)~ (III) 〇 If’表示料基、二㈣環基或二價的芳香族按 7.如申請專利範圍第5項之高分子化合物，其中表

   (IV) U中，R5及R6分別獨立表*氫原子、齒素原子、烧基、 ^基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價 321284 81 201008974 雜環基、雜環硫基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經 取代之矽烷基、醯基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、 羧，、經取代之羧基、氰基或硝基，R7及R8分別獨立表 示氫原子'鹵素原子、烧基、烯基、炔基、垸氧基、烷 硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳 燒硫基、芳埽基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、胺 基，左取代之胺基、叾夕烧基、經取代之珍燒基、醢基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代 之羧基、氰基或硝基；複數個存在的R7可為相同者， 也可為相異者；複數個存在的R8可為相同者，也可為 相異者]。 .如申凊專利範圍第1至γ項中任一項之高分子化合物， 其中，換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為1χ101至1 xlO8 者。 9· ~種式（V)表示之化合物：

   分別獨立表示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、炔基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳 烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜 環硫基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷 82 1 21284 201008974 基、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧 4 基、經取代之緩基、氛基或瑜基，R9及R1(l分別獨立表 示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷 硫基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、 芳烯基、芳炔基、一價雜環基、雜環硫基、胺基、經取 代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、醯基、亞胺殘基、 醯胺基、醯亞胺基、羧基、經取代之羧基、氰基或硝基； ❹ 複數個存在的R1可為相同者，也可為相異者；複數個 存在的R2可為相同者’也可為相異者]。 i〇· —種式（M-l-3a)表示的化合物之製造方法，其具有下述 步驟： 使式（M-1-la)表示的化合物與式表示的 化合物反應而製造式⑶—^的表示的化合物之第一步 驟，與 使式（M-l-2a)表示的化合物進行脫水反應而製造 式（M-l-3a)表示的化合物之第二步驟；

   321284 83 201008974 雜環基雜環硫基、經取代之胺基、石夕燒基、經取代之 石夕烧基。〗、亞胺殘基、醯亞絲、氣基或縣；複數個存 H相同者’也可為相異者；複數個存在的R°2 可為相同者，也可為相異者]; RlI~c(=0)'R，2 CM-1-ib) [式中’R及R12分別獨立表示氫原子、炫基、婦基、 炔基、燒硫基、芳基、芳硫基、芳烧基、芳烧硫基、芳 稀基、芳絲、—價雜環基、雜環硫基、胺基、經取代 之胺基石夕烧基、經取代之石夕燒基、亞胺殘基、酿胺基、 酿亞胺基、氰基或硝基];

   (M-1 -2a) (M-1 -3a) 11. 二種組成物，含有巾請專利範圍第1至8項中任-項之 局分子化合物。 -種薄膜，含有申請專利範圍第i至8項中任一項之高 分子化合物。 321284 84 12. 201008974 13. —種高分子發光元件，具有：陽極、陰極、與設在該陽 極及該陰極之間之含有申請專利範圍第1至8項中任一 項之高分子化合物的有機層。 14. 如申請專利範圍第12項之高分子發光元件，其中，有 機層為發光層。 15. —種有機電晶體’具有.源極電極、汲極電極、問極電 極、與含有申請專利範圍第1至8項中任一項之高分子 化合物的有機層。 16. —種光電轉換元件，具有：陽極、陰極、與設在該陽極 及該陰極之間之含有申請專利範圍第1至8項中任一項 之高分子化合物的有機層。 17. —種薄膜，含有申請專利範圍第9項之化合物。 18. —種發光元件，具有：陽極、陰極、與設在該陽極及該 陰極之間之含有申請專利範圍第9項之化合物的有機 層0 85 321284 201008974 四、指定代表圖.本案無圖式。 - (一)本案指定代表圖為：第（ ）圖。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明： ❹ 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (R2)3

   (!) ❹ 321284