TW201007915A - Semiconductor device - Google Patents

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201007915 • 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種製造半導體裝置之系統與方法， 且特別關於一種製造直通矽晶穿孔之系統與方法。 • 【先前技術】 ' 一般而言，如第1圖所示，經由凸塊101可將一半 導體晶粒100連接至其他晶粒或裝置。通常藉由導電材 φ 料層，共同所熟知如，延伸穿過一介電層111之凸塊下 金屬化層103，將這些凸塊101連接至半導體晶粒100。 凸塊下金屬化層103提供介於凸塊101與接觸墊105間 的連接以電性連接凸塊101至形成於半導體晶粒1〇〇中 之金屬層107與内連線109。 然而，儘管接觸墊105金屬層107與内連線109在 尺寸上相對為小時，凸塊101與其相對之凸塊下金屬化 層103卻是非常大。因此於晶粒100之表面上凸塊103 • 之覆蓋率遠大於連接至下方之金屬層107與内連線109 之所需。當裝置進一步縮小，多個凸塊下金屬化層103 與其他結構，例如半導體晶粒100表面上之引線競爭表 面積（valuable real estate)時，此於半導體晶粒100表面上 之大覆蓋率會變成不利條件。 因此，所需為佔去較少半導體晶粒表面之表面積之 凸塊下金屬化層與直通矽晶穿孔的結合，且其也減少或 排除了於半導體晶粒表面上之凸塊下金屬化層與引線間 的競爭。 0503-A33829TWF/daphne 3 201007915 【發明内容】 藉由本發明較佳實施例所提供位於凸塊下金屬化層 下^直通矽晶穿孔的結構與形成方法，通常可解決或避 免适些或其他問題，且通常可達到技術優點。 本發明一較佳實施例提供一種半導體裝置，包括一 基底，其具有複數個直通矽晶穿孔穿過該基底形成。一 凸塊下金屬化層形成於該複數個直通矽晶穿孔之上且與 籲該複數個直穿孔的至少之—電性連接。此外，該 複數個直通;5夕晶穿孔的至少之—與該凸塊下金屬化層 性公雜。 本發明另一較佳實施例提供一種半導體裝置，包括 -基底’其具有一或多個接口直通矽晶穿孔與一或多個 連接直财晶穿孔，其各具有—接觸墊。此外，一或多 條引線位於基底中錢接至至少—個接觸墊，此接觸塾 連接至連接直通⑪晶穿孔之_。—凸塊下金屬化層位於 至^個連接直通石夕晶穿孔之上且與至少一個接口直通 石夕晶穿孔電性賴，而與至少—個連接直财孔 性分離。 本發明又另—較佳實施例提供—種半導體I置，包 括一基底，其具有複數個直通矽晶穿孔延伸穿過該基 底。一凸塊下金屬化層位於該複數個直通矽晶穿孔之上 且電性連接至該複數個直通矽晶穿孔的至少之一，而與 该硬數個直通梦晶穿孔的至少之電性分離。—烊料凸塊 (solder bUmp)位於該凸塊下金屬化層之上。 . 〇503-A33829TWF/daphne 4 201007915 ，發明較佳實施例的優點為利用凸塊下金屬化層之 下的區域，因此釋放出於裝置表面上之有用空間。m 為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和 更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合 月b 作詳細說明如下： 圃不’ 【實施方式】 本發明於特定内容中以較佳實施例來敘述， ^目關之直通梦晶穿孔之凸塊下金屬化層1而，^ 提供本發明至其他形式之電子連接。 茶見第2圖，其顯示晶粒2〇〇之一部分，苴一 基底201與一第一介雷恳，μ 士人w — /、匕估一 开人Ϊ 基底2Q1上，且引線205 Φ成於弟-）丨電層2〇3 t。基底2(n較佳包括—於其上 動裝置（未顯示）之半導體材料與—系列可替換 ，及預定來自主動裝置之内連線與電路的介電声。

弟一介電層203較佳沿著於主動襄置上之基底2曰〇1 挪形成於基底2〇1上。第一介電層2〇3較 或夕個適合之介電材料所製成，例如，氧化石夕、 二it電常數材料（例如，碳摻雜氧化物）、上 ，之組a或其類似物。第一介電層2〇3較佳藉由 :如化學氣相沈積來形成，然而也可利用： 引線205較佳形成於介 # m ^ ^ ^ ^ 1电層203中。引線205較佳 ，用末女排,性連接’例如介於主動裝置間或甚至介於 不同晶粒間之輸入/輸出訊號 / 、 死^窀源讯遽。引線205之設 0503-A33 829TWF/daphne 201007915 - 計與佈局當然依據晶粒200的需要，且此種佈局完全包 含於本實施例範圍中。 引線205較佳由鋁所製成，然而也可使用任何適合 之導電材料，例如銘合金、紹銅、銅、上述之纟且合或其 類似物。較佳藉由使用化學氣相沈積製程與一用以圖案 化引線之蝕刻來形成引線205。然而也可使用其他適合所 用特定材料的方法（例如鑲嵌製程適用於銅）。 第3圖顯示形成一第二介電層301於引線205上與 ❹形成内連線303至引線205。第二介電層301可由與對應 於第2圖之上述第一介電層203的相似材料及藉由與其 相似方法來形成。内連線303較佳為銅，且較佳藉由鑲 嵌製程來形成，然而任何適合之材料與方法也可用來形 成内連線303至引線。 第3圖也顯示一或多個接口直通矽晶穿孔開口 305 與連接直通矽晶穿孔開口 307的形成。較佳將接口直通 矽晶穿孔開口 305與連接直通矽晶穿孔開口 307彼此同 m — 時製成，然而其也可經由分開之製程來形成。較佳藉由 提供或發展一適合光阻（未顯示）且之後蝕刻第二介電 層301、第一介電層203與部分基底201來形成接口直通 矽晶穿孔開口 305與連接直通矽晶穿孔開口 307。或者， 當自基底201向上建構晶粒200時，隨著個別層（例如 介電或金屬層）之形成，直通矽晶穿孔開口 305與連接 直通矽晶穿孔開口 307可同時形成。 較佳為，形成接口直通矽晶穿孔開口 305與連接直 通矽晶穿孔開口 307以便至少較形成於基底201中與其 0503-A33829TWF/daphne 6 201007915 上之電子裝置更深入地延伸進入基底，且較佳至少至一 深度其大於完成之晶粒200的最終所需高度。因此，當 深度依照晶粒200之所有設計時，深度較佳為低於基底 201上之主動裝置下方約1-700 μιη，較佳深度為低於基 底201上之主動裝置下方約20-250 μιη。 較佳為形成接口直通矽晶穿孔開口 305與連接直通 矽晶穿孔開口 307使其直徑為約1-100 μιη，較佳直徑為 約6 μιη。此外，當接口直通矽晶穿孔開口 305與連接直 • 通矽晶穿孔開口 307關於彼此之距離為依據晶粒200之 設計時，距離較佳為等於或大於約6 μιη。 一旦形成接口直通矽晶穿孔開口 305與連接直通矽 晶穿孔開口 307,較佳以導電材料309將接口直通矽晶穿 孔開口 305與連接直通矽晶穿孔開口 307填滿。導電材 料309較佳包括一阻障層（例如氮化欽或氮1化纽）與銅， 然而也可使用其他適合之材料，例如銘、合金、掺雜多 晶矽、上述之組合或其類似物。較佳藉由沈積阻障層與 ® —晶種層（seed layer)且之後電鍍銅於晶種層上、填滿與滿 出接口直通矽晶穿孔開口 305與連接直通矽晶穿孔開口 307來形成導電材料309。一旦填滿了接口直通矽晶穿孔 開口 305與連接直通矽晶穿孔開口 307,較佳藉由磨削製 程（grinding process)，例如，化學機械研磨來移除在接口 直通矽晶穿孔開口 305與連接直通矽晶穿孔開口 307外 超出之導電材料309，然而也可使用任何適合之移除製 程。 第4圖顯示一或多個接口直通矽晶穿孔接觸墊403 0503-A33829TWF/daphne 7 201007915 與連接直通矽晶穿孔接觸 穿孔接觸墊403連接接口 405的形成。接口直通矽晶 之接口直通矽晶穿孔開口直通矽晶穿孔603(形成自填滿 引線205且至將被形成之$如下述對應至第6圖）至 對應至第5圖）。連接^凸塊下金屬化層（如下所述， 接直通矽晶穿孔6〇5(形成通矽晶穿孔接觸墊405連接連 口 307，如下述對應至第6 ·真滿之連接直通石夕晶穿孔開 口直通矽晶穿孔接觸墊4〇3圖/至其各自之引線205。接 • 405較佳由相同材料，鋁，敁連接直通矽晶穿孔接觸墊 同之材料所形成，且也可，％成’然而其也可由彼此不 鋁銅、銅、上述之組合與其材料’例如麵合金、 接口直通矽晶穿孔接觸墊4 接觸墊405依據其所使用 與連接直通矽晶穿孔 例如，若使隸的話，較^^可由多種方法來形成。 層如上，且之後使用；1 成一銘層於第二介電 (photolithography)與化學蝕刻^ °技術，例如微彰 _ 4以> 將叙圖案化隹 通石夕晶穿孔接觸藝403與連接直初晶穿孔接觸塾直

來形成接口直通石夕晶穿孔接觸I 403 #連接直通石夕S 孔接觸塾405。或者，若使用鋼的話，較佳藉由一開= 成-第三介電層401、形成開口進入第三介電層4〇ι、^ 積一阻障層與一晶種層（未顯示）、以銅填至滿出開口 與之後使用-磨削製程，例如化學機械研磨以㈣㈣ 開口外超出之銅來形成接口直通石夕晶穿孔接觸塾4〇3與 連接直通石夕晶穿孔接觸蟄405。可使用任何適合形成接= 直通砍晶穿孔接觸墊403與連接直㈣晶穿孔接觸 0503-A33829TWF/daphne 8 201007915 - 之製程，且所有這些製程完全包括於本發明範圍中。 第5圖顯示一第四介電層501形成於接口直通矽晶 穿孔接觸墊403與連接直通矽晶穿孔接觸墊405之上。 第四介電層501較佳由相似於第一介電材料203之介電 材料（如上所述，對應至第2圖）所形成，且較佳藉由 與其相似之製程來形成。一旦形成第四介電層501，製造 一或多個開口 503穿過第四介電層501以便至少部分露 出各接口直通矽晶穿孔接觸墊403的部分。開口 503較 • 佳藉由一適合之微影罩幕與蝕刻製程來形成，然而也可 使用任何適合露出接口直通矽晶穿孔接觸墊403之製程。 第5圖也顯示凸塊下金屬化層505(也熟知為凸塊下 金屬化接點）的形成，凸塊下金屬化層505穿過第四介 電層501而接觸接口直通矽晶穿孔接觸墊403。一旦開口 503露出接口直通矽晶穿孔接觸墊403，較佳形成凸塊下 金屬化層505於第四介電層501之部分上且穿過開口 503 以便製造與接口直通矽晶穿孔接觸墊403之物理與電性 ® 接觸。凸塊下金屬化層505較佳由至少三層導電層來形 成，例如一層鉻、一層鉻銅合金與一層銅，與視需要一 層金於銅層頂部上。然而，熟悉此技藝人士會認可有許 多適合之材料與層別之排列，例如鈦/鈦/鎢/銅之排列或 銅/鎳/金之排列適合凸塊下金屬化層505的形成。可使用 於凸塊下金屬化層505之任何適合的材料或材料層別完 全包含於本申請之範圍中。 較佳藉由形成各層於第四介電層上且進入開口 503 來形成凸塊下金屬化層505。較佳藉由執行使用一化學氣 0503-A33829TWF/daphne 9 201007915 - 相沈積製程’例如電漿辅助化學氣相沈積 (plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)來 形成各層’然而依據所需之材料也可使用其他形成製 程，例如藏鐘、蒸鑛或電鍍製程。於凸塊下金屬化層5〇5 中之各層較佳具有約10-100 μιη之厚度，較佳厚度為約 45 μιη。一旦形成所需層別，之後較佳藉由適合之微影罩 幕與钱刻製程來移除層別之部分以移除不需要之材料而 留下圖案化之凸塊下金屬化層505。 ❿ 較佳形成凸塊下金屬化層505使其不只位於接σ 口 305上，也位於一或多個連接開口 307之上。較佳也 將凸塊下金屬化層505形成於至少一條引線205之上。 在此方式中，可將連接開口 307 (且之後被形成連接直通 矽晶穿孔605 )與引線303整合成三維結構，而取代〜赴 兩維結構’因此對於於晶粒2 0 0表面上之所有組成而言， 減少了全部之二維覆蓋率。 第6圖顯示自接口直通矽晶穿孔開口 305形成接Q 直通石夕晶穿孔603與自連接直通;5夕晶穿孔開口 3〇7形成 連接直通矽晶穿孔605。較佳為’ 一載體6()1貼附至晶麵 200於凸塊下金屬化層505上。載體6〇1可包括，例如破 璃、氧化碎、氧化銘與其類似物。在一實施例中，可使 用一第二黏著劑（未顯示）以將载體6〇1黏著至晶粒2〇〇 之頂部表面。第二黏著劑可為任何適合之黏著劑，例如 紫外光黏著劑，而當暴露於紫外光時，其會喪失其點著 性。載體之較佳厚度為大於約12密爾（mi丨）。 或者，載體601可較佳包括載帶（carriertape)。若便 0503-A33829TWF/daphne 10 201007915 - 用載帶，載帶較佳為一般熟知之藍膜片（blue tape)。使用 位於載帶上之第二黏著劑（未顯示）將載帶貼附至晶粒 200較佳。 一旦貼附至載體601，接著移除晶粒200之一第二侧 602的部分以露出位於接口直通矽晶穿孔開口 305中之導 電材料3 0 9以完成接口直通發晶穿孔6 0 3 ’且也露出位於 連接直通矽晶穿孔開口 307中之導電材料309以完成連 接直通矽晶穿孔605。較佳以磨削製程，例如化學機械研 β 磨來執行移除，然而也可使用其他適合之製程。移除製 程較佳移除晶粒200之第二侧的約1-50 μπι，且較佳為移 除約20 μιη之晶粒200的第二侧。 如熟悉此技藝人士所知，上述包括形成通孔、沈積 導體與接著薄化基底201之第二侧602之接口直通矽晶 穿孔603與連接直通矽晶穿孔605的形成製程，只是形 成直通石夕晶穿孔的方法之一。在另一方法中，可藉由姓 刻通孔部分穿過基底201與沈積一介電層於通孔中來形 ® 成接口直通矽晶穿孔603與連接直通矽晶穿孔605。在此 實施例中，在薄化基底201之背面後，移除位於通孔中 之介電層，且再沈積導電材料於通孔中。或者可使用此 方法與任何其他適合形成接口直通矽晶穿孔603與連接 直通矽晶穿孔605的方法，且這些方法完全包含於本發 明範圍中。更進一步而言，接口直通石夕晶穿孔603與連 接直通矽晶穿孔605較佳可具有一襯墊，其由介電材料， 例如氧化物、氮化物或其類似物所形成。 第7Α圖顯示一接觸凸塊701形成於凸塊下金屬化層 0503-A33829TWF/daphne 11 201007915 505上。接觸凸塊701較佳包括一材料，例如錫，或其他 適合之材料，例如銀或鋼。在一實施例中，其中接觸凸 塊701為一錫焊料凸塊，可藉由最初使用一般方法，例 如蒸鍍、電鍍、印刷、焊料轉移（s〇lder transfer)、錫球置 放（ball placement)等來形成—錫層，以形成接觸凸塊7〇1 至-較佳厚度約1GG μιη。-旦錫層形成於此結構上，執 行一，流（reflow)以將材料塑造成所需之凸塊形狀。 第7B圖顯不一替代實施例，其中一接觸墊7⑽取代 接觸凸塊7G1形成於於凸塊下金屬化層％上。在此實 施例中，接職703較佳包括銅，然而也可使用任何適 合導電材料，例如銘或鎢。在—實施例中，其中接觸塾 為銅，接觸墊703較佳藉由—適合之電鍍製 :，然而也可使用用於其他材 ： =沈積。接觸塾703較佳形成為矩形，二： 吊要使用任何適合之雜，例如^彡m 第8A-8B圖顯示凸塊下金屬化層％與 穿孔603與連接直㈣晶穿孔6。;、= 視圖。第8A圖顯示較佳將凸壞下金屬化層505圖^俯 圓形，然而也可使用日枚圖木化成 合形狀，例如六：:拉二全部設計所需之任何適 層奶較佳具有約30·二t正方形。凸塊下金屬化 υϋ 400 μηι的直徑，直徑較佳 多個接口直通硬晶穿孔咖與連接 矽曰曰牙孔605較佳位於凸塊下金 接直通 接直通矽晶穿孔6〇5的安 ^ 下，且連 下延伸向外。更進—：：也自凸塊下金屬化層5。5之 V ^警第2_7B圖中顯示兩個 〇503-A33829TWF/daphne 201007915 •接口直通矽晶穿孔603，位於凸塊下金屬化層505之下的 多數直通矽晶穿孔可被連接至凸塊下金屬化層505為一 接口直通矽晶穿孔603。可使用任何接口直通矽晶穿孔 603與連接直通矽晶穿孔605之組合來連接晶粒200之組 成，且任何組合完全在本申請之範圍中。 第8B圖顯示一些替代實施例，其中將凸塊下金屬化 層505形成為八角形，其直徑為約160-300 μπι。如圖所 示，依據凸塊下金屬化層505的尺寸，將在凸塊下金屬 ® 化層505下之接口直通矽晶穿孔603與連接直通矽晶穿 孔605進行不同佈局是可能的。例如，若凸塊下金屬化 層505的直徑為約160 μιη，可利用一接口直通石夕晶穿孔 603與連接直通矽晶穿孔605之實質正方形的佈局，若凸 塊下金屬化層505的直徑為約180 μηα，可利用一十字形 圖案，且若凸塊下金屬化層505的尺寸允許，也可使用 利用更多直通矽晶穿孔之更複雜的圖案。如前所述，可 在圖案中使用任何接口直通矽晶穿孔603與連接直通矽 晶穿孔605的組合。 第9圖顯示於晶粒200上之多個凸塊下金屬化層505 的潛在分佈，其中所緣示之凸塊下金屬化層5 0 5之一顯 示位於下方之接口直通矽晶穿孔603與連接直通矽晶穿 孔605。凸塊下金屬化層505的此分佈較佳具有一約 60-600 μπι的距離，較佳距離為約150 μιη。 藉由將連接直通矽晶穿孔605與接口直通矽晶穿孔 603置於凸塊下金屬化層505之下，則引線只需佔去較少 晶粒2 0 0表面之空間。如此’可將這些晶粒間隔付更加 0503-A33829TWF/daphne 13 201007915 緊密地在一起，且當連接時具有較少之所有覆蓋率。此 減少一般電路組成之尺寸，產生全面較小之裝置。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ❿ 0503-A33829TWF/daphne 14 201007915 【圖式簡單說明】 第1圖顯示先前技術裝置具有一單一接口連接至一 凸塊下金屬化層。 第2-6圖顯示本發明一實施例之凸塊下金屬化層的 形成，其覆蓋多個直通矽晶穿孔。 第7A與7B圖顯示本發明一實施例之一接點於凸塊 下金屬化層之上的形成。 第8A與8B圖顯示本發明實施例之直通矽晶穿孔之 ❹不同佈局的上視圖。 第9圖顯示本發明一實施例之於半導體裝置上之凸 塊下金屬化層之佈局的上視圖。 【主要元件符號說明】 100〜 半導體晶粒； 101〜 凸塊； 103〜 凸塊下金屬化層； 105〜 接觸墊； 107〜 金屬層； 109〜 連結； 111〜 介電層； 200〜 晶粒， 201〜 基底； 203〜 第一介電層； 205〜 引線； 207〜 基底201的一第一 0503-A33829TWF/daphne 15 201007915

301、 ^第二介電層 9 303- v内連線； 305、 -接口直通矽 晶 穿孔開口； 307- -連接直通矽 晶 穿孔開口； 309、 -導電材料； 401- -第三介電層 403- -接口直通矽 晶 穿孔接觸墊 405- -連接直通矽 晶 穿孔接觸墊 501- -第四介電層 503- -開口； 505- -凸塊下金屬 化 層； 601〜載體； 602- -晶粒200之 第 二侧； 603, -接口直通矽 晶 穿孔； 605- -連接直通矽 晶 穿孔； 701- -接觸凸塊； 703- ^接觸墊； 0503 - A3 3829T WF/daphne 16

Claims (1)

1. 201007915 七、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置，包括： 以及 基底，其具有一第一側與一第二側； 複數個直通矽晶穿孔自該第一側延伸至該第 側 凸塊下金屬化接點位於該複數個直通矽曰 =塊下金屬化接點電性連接至該複:個直通 •Π:;: 一且舆該複數個直通"晶穿孔的至 % U利補第1項所狀半導體裝置 括至少-接觸墊位於該凸塊下金屬化接點之下，但不盘 :接點接觸，該至少-接觸墊電性連接至 乂…纟下里屬化接點電性分離之該直神晶穿孔的至 少之一。 3 >申請專利項所述之半導 • =7引線位於該至少一接觸墊之下，該至少-引線 舁該至>—接觸墊電性連接。 诗几t如申5月專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 該凸塊下孟屬化接點電性連接至多於—個該直通石夕晶穿 孔。 1申明專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 ^ 至屬化接點包括三層導電材料。 J t申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中 该凸塊下金屬化接點的直徑為約⑽侧 7. —種半導體裝置，包括： 0503-A33829TWF/daphne 17 201007915 一基底，其具有一第一表面與一第二表面，該第二 表面位於該第一表面之對面； .複數個直ϋ石夕晶穿孔自該第一表面延伸至該第二表 面，以及

   一第一凸塊下金屬化接點位於該複數個直通矽晶穿 孔之上，且與該複數個直财晶穿孔的至少之-電性連 接’其中該複數個直通矽晶穿孔的至少之一 塊下金屬化接點電性分離。 7項所述之半導體裝置，更包 凸塊下金屬化接點與該複數 之間且與該第一凸塊下金屬 8.如申請專利範圍第 括至少一接觸墊位於該第一 個直通梦晶穿孔的至少之一 化接點電性連接。 括引線位於===項所述之半導體裝置，更包 該直通石夕晶穿孔的至H屬化接點之下且電性連接至 10.如申請專利範圍第7項 括一接觸墊位於哕篦A 、心千等體裝置，更包 η ^第—凸塊下金屬化接點之上。 如申明專利範圍第7項所述之半導體f置，更包 括複數條引線位於該基底中，η +㈣裝置更包 電性連接至該第-凸塊下全/增數剌線的至少之一 的至少之—與屬化接點’且該複數條引線 由、。凸塊下金屬化接點電性分離。 該第-凸:利範圍第7項所述之半導體裝置，其中 晶穿孔電性連接。 /、夕於—個之該複數個直通矽 13·如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置，其中 〇503-A33829TWF/daphne 18 201007915 該複數個直^夕晶穿孔具有—約6〇_的距離。 括範圍第7項所述之半導體裝置，更包 ，-弟一凸塊下金屬化接點具有一與該第 化接點相關之距離，該距離為約400 μιη。 ，蜀 15. —種半導體裝置，包括： -基底，其具有一第一側與一相對之第二側； --或多個接π直㈣晶穿孔自該第—側延伸至該第 一侧，該一或多個接口直通少曰空 日穿孔連接至各別之位於 該弟侧之上的—或多個接口接觸墊； -或多個連接直财晶穿孔自該第_侧延伸至該第 -側’該-或多個連接直_晶穿孔連接至各別之位於 該第一側之上的一或多個連接接觸墊；以及 -第-凸塊下金屬化層位於該第—側之上且該連接 直通矽晶穿孔的至少之-之上’該第-凸塊下金屬化層 與連接直通石夕晶穿孔的至少之—電性分離，且與該接口 直通矽晶穿孔的至少之一電性連接。 16. 如申請專利範圍第15項所述之半導體裝置，其 中第-凸塊下金屬化層電性連接至複數個該—或多個接 口直通矽晶穿孔。 17，如申請專利範圍第15項所述之半導體裝置，更 包括-或多條引線位於該第一凸塊下金屬化層之下且電 性連接至一或多個接口接觸墊之一。 18.如申請專利範圍第15項所述之半導體裝置，更 包括一第二凸塊下金屬化層’其中該第一凸塊下金屬化 層與該第二凸塊下金屬化層的距離約4〇〇 μιη。 0503-A33829TWF/daphne 19 201007915 19. 如申請專利範圍第15項所述之半導體裝置，更 包括一或多個連接直通砍晶穿孔，其不被該第一凸塊下 金屬化層所覆蓋。 20. 如申請專利範圍第15項所述之半導體裝置，其 中該一或多個接口直通矽晶穿孔與該一或多個連接直通 碎晶穿孔之彼此間的距離為約6 0 jim。

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