TW201007889A - Methods of forming a plurality of capacitors - Google Patents

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201007889 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本文所揭示之實施例係關於形成複數個電容器之方法。 【先前技術】 電容器係常用於製造積體電路（例如，用於DRAM電路） 之一種類型之組件。一電容器由兩個由一非導電介電區域 分離之導電電極組成。隨著積體電路密度之增加，儘管有 典型的減少之電容器區，但對於維持足夠高的儲存電容仍 存在一持續挑戰。積體電路密度之增加通常已導致電容器 之水平尺寸與垂直尺寸相比而具有較大減小。在諸多實例 中’電容器之垂直尺寸已增加。 製造電容器之一個方式係最初形成一其内形成有一電容 器儲存節點電極之絕緣材料。例如，可在此絕緣電容器電 極形成材料中製造個別電容器之一電容器電極開口陣列， 舉例而言，絕緣電極形成材料係摻雜有磷及硼中之一者或 兩者之二氧化矽。可藉由蝕刻形成該等電容器電極開口。 可難以在該絕緣材料内蝕刻該等電容器電極開口，特別係 在該等開口為深之情況下。 此外且無論如何，通常期望在已於該等開口内形成個別 電容器電極之後若不蝕刻掉全部則蝕刻掉大部分電容器電 極形成材料。此使得該等電極之外部側壁表面能夠為所形 成之電容器提供增加之區且藉此增加之電容。然而，形成 於深開口中之電容器電極通常比其寬度對應地高得多。此 可導致該等電容器電極在用以曝露該等外部側壁表面之姓 141017.doc 201007889 刻期間、在運輸基板期間，及/或在沈積電容器介電層或 外部電容器電極層期間之傾覆。我們的美國專利第 6,667,502號教示意欲用以減輕此傾覆之一支架或保持結構 之提供。亦揭示複數個電容器形成中之相關聯之其他態 樣，其中某些態樣包含加撐結構，且該等態樣為： 美國公開申請案第2005/005 1822號； 美國公開申請案第2005/0054159號； 美國公開申請案第2005/0158949號； • 美國公開申請案第2005/0287780號； 美國公開申請案第2006/0014344號； 美國公開申請案第2006/005 1918號； 美國公開申請案第2006/0046420號； 美國公開申請案第2006/0121672號； 美國公開申請案第2006/021 121 1號； 美國公開申請案第2006/0263968號； 美國公開申請案第2006/0261440號； φ 美國公開申請案第2007/0032014號； 美國公開申請案第2006/0063344號； •美國公開申請案第2006/0063345號； . 在記憶體電路中製造電容器可在一電容器陣列區内形成 一電容器陣列。控制電路區或其他電路區通常自該電容器 陣列區移位，以使基板包含一位於該電容器區與該控制電 路區或其他電路區之間的中間區。在某些實例中，在該電 容器陣列區與另一電路區之間的中間區中形成一溝槽。可 141017.doc 201007889 與在該電容器陣列區内製造開口相稱地形成此溝槽，在該 電容器陣列區内將接納經隔離電容器電極。 【實施方式】 參照圖1 -50闡述形成複數個電容器之實例性方法。首先 參照圖1-3，一般用參考編號1〇指示一基板，例如一半導 鱧基板。在本文件之上下文中，術語「半導體基板」或 「半導電基板」被定義為意指包括半導電材料之任一構 造，該半導電材料包含但不限於例如一半導電晶圓之體半 導電材料（單獨或在其上包括有其他材#之總成中）及半導 電材料層（單獨或在包括其他材料之總成中）。術語「基 板」係Μ-支擇結冑，包含但稀於上文所述之半導電 基板。iUb，且僅舉例而言，基板1G可包括—例如體單晶 趙之體半導體材料（未顯示），及/或包括絕緣體上半導體 可將基板1G視為包括—電容器陣列區⑵、—除電容器 陣列區625以外之電路以75，及—位於電容器陣列區⑵ :電路區675之間的中間區65〇。在所緣示之實例性實施例 ’中間區650完全環繞且包圍電容器陣列區以…且 電路區675包括一$雪皆X丨r- 。栝至電谷15陣列區625之周邊電路區之周 電路區。當然涵蓋替代構造 广邊 〗肉5 藉此中間區650 或電路區675皆不完全地或部 刀地包圍一電容器陣列區 圖3繪示一具有穿過其形成之 ±± UrL-,^ __ . 等電儲存郎點柱14之絕緣 材料12。可在某些合適下伏 ％緣 何料（例如，體單晶體及/或下 141017.doc 201007889 2電路）上方製造材㈣及14。實舰絕緣材㈣包含經 /雜及未經摻雜二氧切，舉例而言，藉由原㈣四乙醋 (TEOS)及/或„石夕酸鹽玻璃⑽S(})及/或氮化石夕之分解而 沈積之二氧切。另-選擇為，僅舉例而言，材料Η可包 括（舉例而言）圍繞電晶體閘線（未顯示）形成之經各向異性 f刻之絕_壁間隔件…實例性材料14係經導電摻雜之 多晶石夕。可將導電材料14視為包括或界定位於基板1〇上之 複數個電容器儲存節點位置/觸點，且該等電容器儲存節 點位置/觸點在圖4之三個實例性列中已由編號Η、Μ、 8 D、20、21及22指定。儲存節點觸點15、16、 17、18、19、20、21及22僅係實例，且無論如何，其在製 程中之此點處可導電，或隨後使其導電。 一第一材料23形成於儲存節點觸點陣列上方包含 存節點觸點15、16、17、18、19、2〇、21及22上方。該第 材枓可係同質的或非同質的’舉例而言，包括多個不同 及/或交替組成區域及/或層。在實例性實施例中，第一材 料23被繪示為包括材料、25、26、27、28及29。每一材 料之實例性相應厚度係275埃、1〇〇〇埃、1〇，_埃、2，_ 1M00埃及3，_埃。第—材料23中之某些或全部材料 Z或I不保持為一併入有複數個電容器之最終電路構造之 一部分。該第一材料可係絕緣、導電或半導電的。若係絕 ^ 材料24之實例性組合物包括氮化石夕及/或未經推雜 之处氧化矽。材料24可經包含以提供一蝕刻停止物或其他 功能。在一個實施例中，材料25、27及29具有相同組成， I41017.doc 201007889 例如未經摻雜之：氧切。在-個實施例中，材料26及28 具有相同組成’舉例而言，經摻雜之二氧化發，例如硼麟 石夕酸鹽玻璃、蝴#酸鹽玻璃或射酸鹽玻璃。在—個實例 性實施例中，第一材料23包括至少第一及第二在可蝕刻性 上不同之材料。在一個實例中，且其中材料26及28係相同 組成可將其視為一在可姓刻性上不同於一由材料25、27 及29之組成（當此具有相同組成時）構成之第二材料之第一 材料。此外，當然，亦可提供更少或更多個交替或不同組 成層以用於材料23。同樣，「第一」及「第二」針對將各 種材料區分開僅為方便起見而使用，其中此可獨立於提供 於基板上方之次序且獨立於其他此等材料是提供在其下面 還是其上方而互換。 參照圖2及3,已在第一材料23上方形成一遮罩3〇。遮罩 30之一實例包含8,000埃透明碳，該透明碳具有一沈積在 其上方之320埃抗反射塗層（亦即，DARC)。一開口 32陣列 已形成於遮罩30中（亦即，使用其他製程之光韻刻）。 參照圖4及5，一第一開口34陣列已（舉例而言）使用遮罩 3〇(未顯示）中之開口 32(未顯示）形成至儲存節點觸點上方 之第一材料23中且該遮罩隨後被移除。第一開口34中之個 體形成於儲存節點觸點中之至少兩者上方。在一個實施例 中，戎等第一開口中之個體形成於該等儲存節點觸點中之 四者或少於四者上方’其中圖4及5之實施例顯示第一開口 34個別地形成於四個且僅四個儲存節點觸點上方。在一個 實施例中，第一開口34中之個體在穿過基板之至少一個水 141017.doc 201007889 平橫截面中之形狀係四邊形，在一個實施例中包括平行四 邊形，且在一個實施例中包括矩形，例如，如圖所示。當 然，亦涵蓋儲存節點觸點之其他形狀及/或子複數個收 集此外第開口34可或可不完全地延伸至該等第一開 口在製程之此點處上覆於其之储存節點觸點。在所繪示之 實例性圖4及5實施例中，可藉由使用任何合適各向異性钱 刻化學品來最終選擇性地蝕刻至材料2 4且停止在材料2 4上 而發生第一開口 34之形成，如圖所示。在此文件之上下文 中，一選擇性钱刻界定-種材料相對於另一種材料為至少 2:1之蝕刻速率。出於繼續論述之㈣，可將個別第一開 口 3 4視為包括周圍側壁3 5。 參”、、圖6及7遮蔽材料36已沈積在第一開口 34内且遮蔽 材料36在此等開口中之個體内接納於儲存節點觸點上方。 一實例性遮蔽材料包括多晶石夕。替代實例性遮蔽材料包含 碳或其他有機材料。理想情況為，遮蔽材料％能夠等形沈 積，例如以70%至100%之階梯覆蓋。在第一所繪示實例性 實施例中，遮蔽材料36已經沈積而給周圍第一開口側壁h 加襯且決不填充此等第-開口34。在其中第一開口34之最 寬開口尺寸係約〗，650乘以19〇〇埃之一個實例中，遮蔽材 料36之實例性沈積厚度係_埃以留下一約彻埃乘以 7〇〇埃之中心間隙或開口尺寸。圖6及7將此中心容積繪示 為隨後已用另-材料37(例如，光阻）填充，其中接著將材 料36及37至少共同地平坦化回至第-材料23之-最外表 面在個實施例中，實施加觀動作以在第一開口 34内形 141017.doc 201007889 成遮蔽材料36以在第一開口 34内提供一橫向厚度之材料 36 ’該橫向厚度不大於在第一材料23内之個別第—開口 34 之最外部分處之一最小水平橫截面開口尺寸之百分之四 十。 參照圖8-10’已移除材料37(未顯示），且已將第二材料 38批鄰遮蔽材料36形成於第一開口 34内。一實例性第二材 料38係（舉例而言）使用原矽酸四乙酯沈積之未經摻雜之二 氧化矽。可或可不形成來自此沈積之實例性縫39。在一個 實施例中且如圖所示’第二材料38經沈積以在立面上接納 於第一材料23上方（舉例而言），達一約5〇〇埃之厚度。另一 選擇為，僅舉例而言，可不將該第二材料提供為在立面上 接納於第一遮蔽材料23之任一者上方。此外，作為此實例 之一替代方案，可消除如圖6及7中所示之材料37之沈積， 且用實例性第二材料38之沈積替代，隨後係在一普通回蝕 或拋光步驟中對遮蔽材料36及第二材料38之回蝕或平坦化 抛光。 此外’已將一遮罩40形成為基板1 〇之一部分。遮罩4〇可 具有與如上所述之遮罩30之組成相同之組成。已將一第二 開口 42陣列形成為遮罩40之一部分。該陣列部分地接納於 第一開口 34陣列上方且與第一開口 34陣列部分地偏離。第 —開口 42中之個體形成於接納於第一開口 34中之不同且批 鄰者下方的至少兩個儲存節點觸點上方。在一個實施例 t，該等第二開口中之個體形成於該等儲存節點觸點中之 四者或少於四者上方。在所繪示實例性實施例中，第二開 141017.doc -10- 201007889 口 42中之個體形成於接納於第一 乐開口 34中之不同且毗鄰者 下方之四個儲存節點觸點上方1中該等第-及第二開口 之重疊部分接納於該等儲存節點觸點上方。在—個實施例 中’第二開口 42在至少一個水平播哉 &十模截面中之形狀個別地係 四邊形’在一個實施例中，在5，丨 J ^在至；一個水平橫截面中之形

狀係平行四邊形’且在一個實施例中，在至少一個水平橫 截面中之形狀係矩形，㈣所示。在—個實施財，第一 開口 34及第二開口 42在至少一個水平橫截面中皆具有相同 大小及形狀，且無論在至少一個水平橫截面中之此大小及 形狀是否係四邊形。若係四邊形，則該等第—及第二開口 獨立於是否皆具有相同大小及形狀而個別地包括在至少一 個水平橫截面巾之平行四邊形形狀，其中所繪示實施例中 之第-開口 34及第二開口 42在至少一個水平橫截面中具有 相同大小及形狀且係矩形。 參照圖U-U，已透過遮罩40中之第二開口㈣㈣蔽 材料36以移除遮蔽材料36而使其不在第一開口“内接納於 儲存節點觸點上方。理想情況為，相對於第二材料％及第 一材料23選擇性地實施此餘刻。圖13亦繪示在敍刻遮蔽材 料36之後的材料24之移除以有效地曝露所繪示儲存節點觸 點陣列。此外，圖11-14將遮罩40(未顯示）中在第二材料38 外部之材料繪示為已被移除。 參照圖15-17，已在第一開口34内形成與相應儲存節點 觸點電連接之導電材料50,且該導電材料包括個別電容器 電極52。僅舉例而言，一實例性材料係氮化鈦。當然，亦 141017.doc 201007889 可利用多於一種導電材料，以及除氮化鈦以外之材料。所 繪示之導電材料50已經至少蝕刻回至第一材料23以形成經 隔離之個別電容器電極52。此亦可蝕刻第一材料23中之某 些材料。圖18及19繪示第一遮蔽材料23之某一後續移除、 且特定而言材料29之某一後續移除，以提供一較平坦外表 面組態相關材料29(若需要）。 最終將個別電容器電極52併入至複數個電容器中。此可 包括自第一開口34蝕刻遮蔽材料36之某些或全部剩餘材料 及/或第二材料38之某些或全部剩餘材料。舉例而言且參 照圖20-23，其等繪示自第一開口34蝕刻遮蔽材料％(未顯 示）之全部剩餘材料，且自第一開口34蝕刻第二材料Μ(未 顯示）之全部剩餘材料。 在一個實施例中，可將某一形式之一晶格保持結構形成 為自外部接納於個別電容器電極中。例如且僅舉例而言， 圖24-27繪示可形成此一晶格保持結構之僅一個實例性方 式。具體而言，已相對於第一在可蝕刻性上不同之材料 25、 27及29選擇性地蝕刻第二在可蝕刻性上不同之材料 26、 28(未顯不），藉此形成一由第一在可蝕刻性上不同之 材料25、27及29構成之晶格保持結構55，該晶格保持結構 自外部接納於個別電容器電極52中。 參照圖28-31，已將一電容器電介質兄及一單元電容器 電極58'尤積為基板1〇之一部分。實例性電容器介電材料包 含二氧化矽、氮化矽、二氧化矽與氮化矽之一混合物中之 一者或多者或者任一合適高k電介質，且無論是現有還是 141017.doc •12· 201007889 尚待開發之電介質。僅舉例而言，高k電介質包含τ&2〇5及 鈦酸鋇勰。一實例性外部電容器電極層包括經導電摻雜之 多晶矽。藉此，該多晶矽界定個別電容器6〇 ^將該等電容 器繪示為包括一至所有繪示電容器之共同單元電容器板， 例如，此可用於DRAM或其他電路中。例如且僅舉例而 言，圖32繪示一併入有一電容器6〇之實例性〇尺八河單元。 該電容器包括一實例性電晶體閘極字線62，該字線具有絕 緣側壁間隔件、一絕緣帽及一位於該帽下方之導電區域 (例如一矽化物）、一位於該矽化物下方之導電多晶矽區 域，及位於該多晶矽下方之閘極介電區域。顯示源極/汲 極區域64形成於以運作方式接近字線62之半導體材料内。 源極/汲極區域64中之一者與電容器60電連接，且源極/沒 極區域64中之另一者與一位元線66電連接。 上述實施例繪示其中將遮蔽材料36至第一開口34内之沈 積僅部分地填充第一開口 34之剩餘容積（例如，藉助此遮 蔽材料給所繪示之周圍第一開口侧壁3 5加襯）之實例。然 而’本發明之實施例亦包含將遮蔽材料形成為完全地填充 此等第一開口。舉例而言，圖33-43繪示關於一基板片斷 10a之此一替代實例性實施例。在適當之處已利用來自第 一所述實施例之相似編號，而差別之處藉助後綴「a」或 藉助不同編號來指示。 參照圖33、34、35、36及37，其等分別依序對應於第一 所述實施例之以上繪示之圖6、7、8、9及1〇。除此處之 外，遮蔽材料36a已經沈積以完全地填充第一開口 34。因 14I017.doc -13- 201007889 此，不存在其内一第二材料38(未顯示）可用於沈積之内部 容積。 參照圖38及39’已透過遮罩4G中之第：開σ42触刻遮蔽 材料36a以移除遮蔽材料36a而使其不在第一開口 34内接納 於相應儲存節點觸點上方。圖38及39分別依序對應於彼等 圖11及13 。 參照圖40-43，其等分別依序對應於第一所述實施例之 彼等圖28-3i。因此，已實施後續處理以形成個別電容器 電極52，隨後係遮蔽材料36a(未顯示）之所有剩餘材料之移 除以最終形成與圖28-3 1中之電容器基本相同之電容器 60 ° 以上實例性實施例繪示其中導電材料5〇經沈積以將個別 電容器電極52形成為包括單一的基本全實心柱之實施方 案。然而，本發明之態樣亦涵蓋將此導電材料形成為經沈 積以將個別電容器電極形成為包括開口容器形狀或其他形 狀。例如，圖44及45繪示一與上文所參照之基板片斷1〇a 相比之替代實例性基板片斷10b。在適當之處已利用來自 基板10a實施例之相似編號，而差別之處藉助後綴rbj或 藉助不同編號來指示。圖44及45緣示將導電材料5〇b之沈 積繪示為決不填充藉由在個別儲存節點觸點上方移除遮蔽 材料36b而形成之空隙。圖46-49纷示已實施後續對應處理 以形成電容器60b，其中個別内部電容器電極52b包括敞開 的容器形狀。 如本文所述之實施例囊括一種形成複數個電容器之方 141017.doc •14· 201007889 法’該方法包括形成複數個個別電容器電極，其包括使用 兩個遮蔽步驟。該兩個遮蔽步驟中之較早者係用來在複數 個儲存節點觸點上方形成一第一開口（亦即，第一開口 34) 陣列。該兩個遮蔽步驟中之較晚者係用來形成部分地接納 於該第一開口陣列上方且與該第一開口陣列部分地偏離之 一第二開口（亦即，第二開口 42)陣列。該等第一及第二開 口之重疊部分接納於該等儲存節點觸點上方。亦可在製造 複數個個別電容器電極中之所陳述較早及較晚遮蔽步驟之 前及之後添加遮蔽步驟。 在該兩個所陳述遮蔽步驟兩者之後，將該等個別電容器 電極之導電材料沈積至該等第一及第二開口中之每一者之 重疊部分中。最終將該等個別電容器電極併入至複數個電 容器中。在某些實施例中，第一及第二開口之重疊部分在 至少一個水平橫截面中具有與儲存節點觸點中之個體之水 平橫截面大小及形狀相同之水平橫截面大小及形狀，例如 且僅舉例而言，如在上文所繪示實施例中之每一者中所繪 示。然而’該等重曼部分可在任何位置皆具有與該等储存 節點觸點中之個體之水平橫截面大小及形狀不同之水平橫 截面大小及形狀。 在某些實施例中，至少其内沈積有遮蔽材料之個別第— 開口之水平大小不大於3.5F X 5.5F，其中「F」係經正交 量測之最小特徵大小，其係藉由使用微影蝕刻在製造複數 個電容器時圖案化特徵而獲得的。舉例而言，上文所繪示 之圖1-49實施例中之每一者可用於將個別第一開口製造2 I41017.doc •15· 201007889 昇有小於或等於3.5FX 5.5F之此一水平大小。 圖50在俯視圖中示意性地繪示一其中個別第一開口 34c 中之每一者及個別第二開口 42c中之每一者具有為3 5F X 5 ·5F之相應水平大小之替代實例性實施例。圖5〇示意性地 繪示一基板片斷10c之一俯視圖。在適當之處已利用來自 上述實施例之相似編號，而差別之處藉助後綴r c」或藉 助不同編號來指示。僅舉例而言，第一開口 34c及第二開 口 42c中之每一者之形狀係四邊形，但具有不同形狀。進 一步僅舉例而言’開口 34c及42c之不同形狀各自係平行四 參 邊形。進一步在一個實例性實施例中且如圖所示，基板片 斷l〇c被繪示為包括第一開口34c與第二開口42c之重昼部 刀70 ’該等重委部分之形狀係四邊形’且但在一個實施例 中其不具有一平行四邊形形狀。進一步僅舉例而言，此繪 示其中重疊部分70具有與儲存節點觸點中之個體之水平 橫截面大小及形狀不同之水平橫截面大小及形狀之實例， 其中舉例而言，如在上文所繪示之實例性圖，丨_49實施例 中，該等重疊部分被製造為正方形或矩形，舉例而言亦可⑩ 將其併入圖50實施例中。 在某些實施例中，至少其内可沈積有遮蔽材料之個別帛 -開口之水平大小不大於F x F ’其中「F」係經正交量測 之最小特徵大小，其係藉由使用微影兹刻在製造複數個冑 * 容器時圖案化特徵而獲得的。 按照條例，已使用在結構及組織特徵上或多或少特定之 語言闞述了本文所揭示之標的物。然而，將理解由於本 141017.doc -16- 201007889 文所揭不之方法包括實例性實施例，因此申請專利範圍不 限於所顯示及所闡述之具體特徵。因而，申請專利範圍係 由子面措辭來提供完整範疇，且根據等效内容之教義適當 地予以解釋。 【圖式簡單說明】 圖1係一在根據本發明一實施例之製程中之基板片斷之 示意性俯視平面圖。 圖2係圖1基板片斷之一小部分之一經放大示意性俯視平 春 面圖； 圖3係一沿圖2中之線3-3截取之截面圖； 圖4係圖2之基板片斷在圖2所示之處理步驟之後的一處 理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖5係一沿圖4中之線5-5截取之截面圖； 圖ό係圖4之基板片斷在圖4所示之處理步驟之後的一處 理步驟處之一示意性俯視平面圖； 籲 圖7係一沿圖6中之線7_7截取之截面圖； 圖8係圖ό之基板片斷在圖6所示之處理步驟之後的一處 理步驟處之一示意性俯視平面圖； •圖9係一沿圖8中之線9-9截取之截面圖； 圖10係一沿圖8中之線1〇_10截取之截面圖； 圖11係圖8之基板片斷在圖8所示之處理步驟之後的一處 理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖12係一沿圖π中之線截取之截面圖； 圖13係一沿圖11中之線13_13截取之剖視圖； 141017.doc -17- 201007889 圖14係一沿圖11中之線14-14截取之截面圖； 圖15係圖11之基板片斷在圖π所示之處理步驟之後的一 處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖16係一沿圖15中之線16-16截取之截面圖； 圖17係一沿圖15中之線17-17截取之截面圖； 圖18係一圖16所示之基板片斷之後的圖16基板片斷之視 圖； 圖19係一圖17所示之基板片斷之後的圖17基板片斷之視 1£| · 圖， 圖20係圖15之基板片斷在圖18及19所示之處理步驟之後 的一處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖21係一沿圖20中之線21-21截取之截面圖； 圖22係一沿圖20中之線22-22截取之截面圖； 圖23係一沿圖20中之線23-23截取之截面圖； 圖24係圖20之基板片斷在圖20所示之處理步驟之後的一 處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖25係一沿圖24中之線25-25截取之截面圖； 圖26係一沿圖24中之線26-26截取之截面圖； 圖27係一沿圖24中之線27-27截取之截面圖； 圖28係圖24之基板片斷在圖24所示之處理步驟之後的一 處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖29係沿圖28中之線29-29截取之截面圖； 圖30係一沿圖28中之線30-30截取之截面圖； 圖31係一沿圖28中之線31-31截取之截面圖； 141017.doc -18- 201007889 圖32係一 DRAM單元之一示意圖； 圖3 3係一在根據本發明一實施例之製程中之一替代實施 例基板片斷之示意性俯視平面圖； 圖34係沿一圖；33中之線34-34截取之截面圖； 圖3 5係圖33之基板片斷在圖33所示之處理步驟之後的一 處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖36係一沿圖35中之線36-36截取之截面圖； 圖37係一沿圖35中之線37-37截取之截面圖； 圖38係圖35之基板片斷在圖35所示之處理步驟之後的一 處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖39係一沿圖38中之線39-39截取之截面圖； 圖40係圖38之基板片斷在圖38所示之處理步驟之後的一 處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖41係一沿圖40中之線41 -41截取之截面圖； 圖42係一沿圖40中之線42-42截取之截面圖； 圖43係一沿圖40中之線43-43截取之截面圖； 圖44係一在根據本發明一實施例之一製程中之替代實施 例基板片斷之示意性俯視平面圖； 圖45係一沿圖44中之線45-45截取之截面圖； 圖46係圖44之基板片斷在圖44所示之處理步驟之後的一 處理步驟處之一示意性俯視平面圖； 圖47係一沿圖46中之線47-47截取之截面圖； 圖48係一沿圖46中之線48-48截取之截面圖； 圖49係一沿圖46中之線49-49截取之截面圖；及 141017.doc •19· 201007889 圖50係一在根據本發明一實施例之一製程中之替代實施 例基板片斷之示意性俯視平面圖。 【主要元件符號說明】 10 基板 10a 基板片斷 10b 基板片斷 10c 基板片斷 12 絕緣材料 14 導電儲存節點柱 15 儲存節點觸點 16 儲存節點觸點 17 儲存節點觸點 18 儲存節點觸點 19 儲存節點觸點 20 儲存節點觸點 21 儲存節點觸點 22 儲存節點觸點 23 第一材料 24 材料 25 材料 26 材料 27 材料 28 材料 29 材料 141017.doc -20- 201007889

30 遮罩 32 開口 34 第一開口 34c 第一開口 35 周圍侧壁 36 遮蔽材料 36a 遮蔽材料 36b 遮蔽材料 37 材料 38 第二材料 39 縫 40 遮罩 42 第二開口 42c 第二開口 50 導電材料 50b 導電材料 52 電容器電極 55 晶格保持結構 56 電容器電介質 58 單元電容器電極 60 電容器 60b 電容器 62 電晶體閘極字線 64 源極/汲極區域 66 位元線 141017.doc -21 -

Claims (1)

1. 201007889 七、申請專利範圍： 1. 一種形成複數個電容器之方法，其包括： 形成複數個個別電容器電極，其包括使用兩個遮蔽步 驟，該兩個遮蔽步驟中之較早者係用來在複數個儲存節 點觸點上方形成一第一開口陣列，該兩個遮蔽步驟中之 較晚者係用來形成部分地接納於該第一開口陣列上方且 與該第一開口陣列部分地偏離之一第二開口陣列，該等 第一及第二開口之重疊部分接納於該等儲存節點觸點上 Φ 方； 在該兩個遮蔽步驟兩者之後，將該等個別電容器電極 之導電材料沈積至該等第一及第二開口中之每一者之該 等重疊部分中；及 將該等個別電容器電極併入至複數個電容器中。 2. 如请求項1之方法，其中沈積該導電材料以將該等個別 電容器電極形成為包括一敞開的容器形狀。 參 3.如凊求項丨之方法，其中沈積該導電材料以將該等個別 電容器電極形成為包括一單一柱。 4·如》青求項1之方法，其中該重疊部分在至少一個水平橫 截面中具有與該等儲存節點觸點中之個體之水平橫截面 大小及形狀相同之水平橫截面大小及形狀。 5·如請求項1之方法，其中該等重疊部分在任何位置皆具 有與該等儲存節點觸點中之個體之水平橫截面大小及形 狀不同之水平橫截面大小及形狀。 ~ —種形成複數個電容器之方法，其包括： 141017.doc 201007889 在一儲存節點觸點陣列上方形成第一材料； 將一第一開口陣列形成至該等儲存節點觸點上方之該 第一材料中，該等第一開口中之個體形成於該等儲存節 點觸點中之至少兩者上方； 在3等第開口内沈積遮蔽材料且該遮蔽材料接納於 該等儲存節點觸點上方； 在一遮罩中形成-第二開口陣列，該第二開口陣列部 分地接納於該第-開口陣列上方且與該第一開口陣列部 分地偏離’該等第二開口中之個體形成於接納於該等第 開口中之不同且毗鄰者下方之至少兩個儲存節點觸點 上方； 透過該遮罩中之該等第二開口姓刻該遮蔽材料以移p 該遮蔽材料而使其不在該等第一開口内接納於該等⑽ 節點觸點上方； 在該姓刻之後，在該等第一開口内形成與該等儲存節

   點觸點電連接之導電材料且將該導電材料形成為包括個 別電容器電極；及 將該等個別電容器電極併入至複數個電容器中。

   8. 9. 求項6之方法，其中其内沈積有該遮蔽材料之該等 ，別第―開口之水平大小不大於3.5F X 5.5F，其中 」係絰正交量測之最小特徵大小其係藉由使用微 影姓刻在製造複數個電容器時圖案化特徵而獲得的。 如請未項7之方法，其中該水平大小係3.5FX5.5F。 如请未項7之方法’其中該水平大小係、小於3.5FX5.5F。 141017.doc •2- 201007889 1〇.如請求項6之方法，其中其内沈積有該遮蔽材料之該等 别第開口之水平大小不大於，其中「F」係 ^ t 乂量測之最小特徵大小，其係藉由使用微影蝕刻在 製複數個電容器時圖案化特徵而獲得的。 I青求項6之方法’其中在該等儲存節點觸點中之四者 或：於四者上方形成該等第一開口中之該個體。 12. 如。月求項6之方法’其中該等第一及第二開口在至少— 個水平橫截面中皆具有相同大小及形狀。 13. 如明求項6之方法，其中該等第一及第二開口在至少— 個水平橫截面中具有不同大小及形狀。 «求項13之方法’其中該等不同形狀在該至少一個水 平橫戴面中各自係平行四邊形。 15.如請求項6之古.土 去’其中在該等儲存節點觸點中之僅四 二SI成該等第一開口中之該個體，且在該等儲存節 \之僅四者上方形成該等第二開口中之該個體。 如請求項15之方法，其中該等第-及第二開口在至少一 個水平橫截面中個別地包括平行四邊形形狀。 一種形成複數個電容器之方法，其包括： 在:儲存節點觸點陣列上方形成第一材料； 第- j ^ 口陣列形成至該等館存節點觸點上方之該 第一材料中，該笼笛 go , 點觸點中之至少兩者體形成於該等儲存節 /兩者上方且包括周圍侧壁； 料料給該等周圍第一開口侧壁加襯，該遮蔽材 ’、 第-開口辅納於該等儲存節點觸點上 141017.doc 201007889 方； 將第一材料鄰S亥遮蔽材料形成於該等第一開口内. 在一遮罩中形成一第二開口陣列，該第二開口陣列部 分地接納於該第一開口陣列上方且與該第—開口陣列部 分地偏離，該等第二開口中之個體形成於接納於該等第 一開口中之不同且毗鄰者下方之至少兩個儲存節點觸點 上方； 透過該遮罩中之該等第二開口相對於該第二材料選擇 性地蝕刻該遮蔽材料以移除該遮蔽材料而使其不在該等 魯 第一開口内接納於該等儲存節點觸點上方； 在該钱刻之後，在該等第一開口内形成與該等儲存節 點觸點電連接之導電材料且將該導電材料形成為包括個 別電容器電極；及 將該等個別電容器電極併入至複數個電容器中。 18. 19. 20. 如請求項17之方法，其中相對於該第—材料選擇性地實 施該蝕刻。 請求項17之方法，其中該第一材料包括至少第一及第⑩ 二在可姓刻性上不同之材料，且進—步包括相對於該第 一在可餘刻性不同之材料選擇性地餘刻該第二在可姓刻 14上不同之材料以形成_由該第一在可蝕刻性上不同之 材料構成之晶格保持結構，該晶格保持結構自外部接 於該等個別電容器電極中。 、 如請求項17之方法，装 再中在該等儲存節點觸點中之去 或少於四者上方丑彡士、 百上万形成該等第一開口中之該個體。 141017.doc •4- 201007889 21·=求項17之方法，其中於其内接納有該遮 等第：開口不延伸至該等館存節點觸點。 22::=7:Π =該加襯包括將該遮蔽材料形成 内具有-不大於該等個別第-開口之 最外部分處之—最小水 厚度。 心水千橫截面開口尺寸的40%之橫向 ❹ 23·^請求項17之方法’其中在該等儲存節點觸點中之四者 :二於四者上方形成該等第二開口中之該個體。 求項17之方法’其中在該等儲存節點觸點中之僅四 點成該等第一開口中之該個體，且在該等储存節 如枝‘之僅四者上方形成該等第二開口中之該個體。 .Μ ’項24之方法，其中該等第一及第二開口在至少一 個f平橫截面中個別地包括平行四邊形形狀。 J长項17之方法，其包括在形成該導電材料之後自該 等第1口_該遮蔽材料之全部剩餘材料。 青长項17之方法，其包括在形成該導電材料之後自該 等第1 口蝕刻該第二材料之全部剩餘材料。 28. 一種形成複數個電容器之方法，其包括： 在一儲存節點觸點陣列上方形成第一材料； 第開口陣列形成至該等儲存節點觸點上方之該 第-材料中，該等第一開口中之個體形成於該等儲存節 點觸點中之至少兩者上方； 將遮蔽材料形成為完全地填充該等第一開口； 遮罩中形成一第二開口陣列，該第二開口陣列部 141017.doc 201007889 分地接納於該第一開口陣列上方且與該第一開口陣列部 分地偏離，該等第二開口中之個體形成於接納於該等第 - p开’口中之不同且毗鄰者下方之至少兩個儲存節點觸點 上方； 透過該遮罩中之該等第二開口蚀刻該遮蔽材料以移除 該遮蔽材料而使其不在該等第—開口内接納於該等储存 節點觸點上方； 在該蝕刻之後，在該等第 鲁 點觸點電連接之導電材料且將該導電材料形成為包括個 別電容器電極；及 將S亥等個別電容器電極併入至複數個電容器中。 29. —種形成複數個電容器之方法，其包括： 在一儲存節點觸點陣列上方形成第一材料，· 將-第-開口陣列形成至該儲存節點觸點上方之該第 -材料中’該等第—開口中之個體形成於該等儲存節點 觸點中之四者上方； 參 在該等第-開口内沈積遮蔽材料且該遮蔽材料接納於 該等儲存節點觸點上方，· 在一遮罩中形成-第二開口陣列，該第二開口陣列部 $地接納於該第―開σ陣列上方且與該第—開口陣列部 分地偏離’該等第一及第-弓 第一開口之重疊部分接納於該等 錯存節點觸點上方，該箄篦__ 辟六兹 这等第一開口中之個體形成於該等 儲存節點觸點中接納於該等第一 乐開口中之不同且毗鄰者 下方之四者上方，該等第一 久弟一開口在至少一個水平 141017.doc -6 - 201007889 橫截面中之形狀個別地係四邊形； 透過該遮罩中之該等第二開口钱刻該遮蔽材料以移除 該遮蔽材料而使其不在該等第—開口内接㈣該等 節點觸點上方； s該㈣之後，在該等第_開口内形成與該等儲存節 點觸點電連接之導電材料且將該導電材料形成為包括個 •別電容器電極；及 將該等個別電容器電極併入至複數個電容器中。 3〇.=請求項29之方法，其中該等第一開口在該至少—個橫 截面中之料四邊形形狀及料第二開口在該至少一個 橫截面中之該等四邊形形狀包括平行四邊形。 3!.如請求項29之方法，其中該等第一開口在該至少—個橫 截面中之該等四邊形形狀及該等第二開口在該至少—個 橫截面中之該等四邊形形狀具有相同形狀。 籲 截：t項29之方法其中該等第一開口在該至少-個橫 截面中之料四邊形形狀與料第二開口在該至少一個 橫截面中之該等四邊形形狀具有不同形狀。 I請求項32之方法，其中該等不同形狀各自係平行四邊 34.如請求項29之方法， 橫截面中係四邊形形狀等重疊部分在至少-個水平 ^項34之方法，其中該等重叠部分之該等四邊形 狀非平行四邊形。 141017.doc