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JP2007088113A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法 Download PDF

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JP2007088113A JP2005273145A JP2005273145A JP2007088113A JP 2007088113 A JP2007088113 A JP 2007088113A JP 2005273145 A JP2005273145 A JP 2005273145A JP 2005273145 A JP2005273145 A JP 2005273145A JP 2007088113 A JP2007088113 A JP 2007088113A
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Abstract

【課題】ハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することで、リーク電流特性とカバリッジ性の改善を可能とする。
【解決手段】トレンチ１２の内面に形成された第１電極２１と、前記第１電極２１表面に形成されたキャパシタ絶縁膜２２と、前記キャパシタ絶縁膜２２を介して前記第１電極２１表面に形成された第２電極２３とを備えたトレンチキャパシタ１を有する半導体装置の製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜２２をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、深いトレンチを有するトレンチキャパシタのキャパシタ絶縁膜を、膜中の不純物濃度が低くカバリッジ性に優れたハフニウムシリケート膜で形成することが容易な半導体装置の製造方法に関するものである。
デバイスの微細化に伴い、ゲート絶縁膜およびキャパシタ絶縁膜の材料として高誘電率（Ｈｉｇｈ−ｋ）膜の適用が検討されている。Ｈｉｇｈ−ｋ膜の多くは金属酸化物またはそのシリケートであるが、その中でも耐熱性と高誘電率を合わせ持つＨｆＳｉＯＮは有望な候補である。各種成膜方法の内、原子層蒸着（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法により膜厚・組成の高度な制御が可能である（例えば、特許文献１参照。）。Ｈｉｇｈ−ｋ材料では膜中不純物によるトラップ準位を介したリークが発生することが分かっており、原料起因の不純物（炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、塩素（Ｃｌ）など）濃度を低減することが極めて重要であるが、成膜後の改質処理により不純物を十分に除去することは難しい。したがって、成膜の段階で膜中の不純物濃度を十分に低減しておくことが重要である。
一方、近年のキャパシタは微細化を目的として、シリンダー形状やディープトレンチ（ＤＴ）形状など、立体構造にすることで十分な表面積を確保し、データ保持特性を維持している。したがって、立体構造に対して良好なステップカバレッジで絶縁膜を形成する技術が必要となっている。
ＡＬＤ法では一般に低温ほど気相反応が抑制されるため、良好なカバレッジ特性が得られるが、カバリッジと膜中の不純物濃度とがトレードオフの関係にあるため、両者を満足するプロセス条件を見出すことは困難である。
特開２００４−１６５６６８号公報
解決しようとする問題点は、ＡＬＤ法は、低温プロセスであるため、不純物の少ない緻密な膜を得ることが難しい点である。
ＡＬＤ法では一般に低温ほど気相反応が抑制されるため、良好なカバレッジ特性が得られるが、カバリッジと膜中の不純物濃度とがトレードオフの関係にある。このようなＡＬＤ法による高誘電体キャパシタ絶縁膜の成膜を可能にすることを課題とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチの内面に形成された第１電極と、前記第１電極表面に形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜を介して前記第１電極表面に形成された第２電極とを備えたトレンチキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチキャパシタのキャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜で形成することから、膜中の炭素（Ｃ）等の不純物濃度を低減することができるようになり、またハフニウムシリケート膜の基板温度および成膜圧力を調整することにより、トレンチキャパシタを形成する際のカバリッジが良好なものとして成膜することが可能になる。このように、炭素（Ｃ）等の不純物濃度を低減することで、リーク電流の発生レベルをキャパシタ絶縁膜として許容できるレベル以下にすることが可能になる。
例えば、ハフニウム原料にＨｆ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4を用い、シリコン原料にＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4を用いてＨｆＳｉＯxを成膜する場合に、膜中に成膜原料中に含まれる炭素の一部が残留することは避けられず、この残留炭素（Ｃ）がリーク電流に寄与するトラップ準位を生成する。本発明ではこれらの原料と酸化剤にオゾン（Ｏ3）を用いた成膜方法で、膜中の不純物濃度を十分に低減し、リーク電流をキャパシタ絶縁膜として許容範囲に収めることができる。
また、表面積の大きな立体キャパシタに原子層蒸着法により成膜を行う場合には、プリカーサを十分に供給するとともに、気相中での熱分解や残留ガスとの反応を抑制することで、表面への吸着反応を促進することが必要である。本発明では、ハフニウム原料にＨｆ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4を用い、シリコン原料にＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4を用いてＨｆＳｉＯxを成膜する場合に、成膜雰囲気の圧力、基板温度の範囲を特定することによりに、表面積の大きな例えばトレンチ形状でも十分なカバレッジ特性が得られる。
本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチキャパシタのキャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜で形成するため、膜中の炭素（Ｃ）等の不純物濃度を低減することができ、また基板温度および成膜圧力を調整することにより、良好なカバリッジを有する成膜ができるので、トレンチキャパシタのリーク電流レベルを許容できるレベルに低減すことができるという利点がある。
本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を、図１の製造工程断面図によって説明する。なお、図１は模式的に描いているため、縦横の縮尺比は一致させていない。
図１（１）に示すように、半導体基板（もしくは半導体層）１１にキャパシタを形成するためのトレンチ１２を形成する。このトレンチ１２の形成方法は既存の種々の方法がある。その形成方法の一例として、半導体基板（もしくは半導体層）１１表面に酸化膜１３、窒化膜１４を順に形成する。その後、通常のリソグラフィー技術によって、トレンチを形成するために用いるマスク層（図示せず）を形成した後、それをエッチングマスクに用いて、エッチングにより上記窒化膜１４、酸化膜１３に開口部１５を形成する。さらに上記マスク層、窒化膜１４をエッチングマスクに用いて、半導体基板１１をエッチングし、上記トレンチ１２を形成する。上記エッチング加工には、反応性イオンエッチングを行う。このときのトレンチ１２は、例えば５．０μｍから８．０μｍの範囲の深さを有し、半導体基板１１表面での開口は数十ｎｍから２５０ｎｍの範囲を有する。したがって、アスペクト比が４０以上のトレンチが形成されることになる。
その後、例えば薬液処理によって、上記マスク層を除去する。その結果、窒化シリコン膜１４表面が露出される。
次に、図１（２）に示すように、プレート側の電極形成として、トレンチ１２内を洗浄する。その後、例えば気相拡散により、ヒ素（Ａｓ）もしくはリン（Ｐ）をトレンチ１２内部の半導体基板１１にドーピングして第１電極（プレート電極）２１を形成する。
次に、図１（３）に示すように、上記トレンチ１２の内面にキャパシタ絶縁膜２２を形成する。
次いで、図１（４）に示すように、上記トレンチ１２内部に上記キャパシタ絶縁膜２２を介して第２電極（ノード電極）２３を形成する。この第２電極２３は例えば伝導型不純物を含んだアモルファスシリコンもしくはポリシリコンで形成することができる。もしくは金属電極で形成してもよい。このようにして、第１電極２１、キャパシタ絶縁膜２２、第２電極２３からなるキャパシタ１が形成される。
次に、上記キャパシタ絶縁膜２２の形成方法を以下に詳述する。このキャパシタ絶縁膜２２は、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯx）膜で形成される。このハフニウムシリケート膜の成膜方法には、原子層蒸着法（以下ＡＬＤ法という、ＡＬＤはAtomic Layer Depositionの略）を用いる。このＡＬＤ法には、ハフニウム原料とシリコン原料とを同時に成膜雰囲気に導入して１サイクルでＨｆＳｉＯx膜を成膜する方法と、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）薄膜と酸化シリコン（ＳｉＯ2）薄膜とを交互に積層して成膜する方法とがある。本発明では、前者の成膜方法を採用する。
ハフニウム（Ｈｆ）原料には、四塩化ハフニウム：ＨｆＣｌ4、テトラキスアセチルアセトンアトハフニウム：Ｈｆ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）4、テトラキスジエチルアミノハフニウム：Ｈｆ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、テトラキスジメチルアミノハフニウム：Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、テトラ−ｔ−ブトキシハフニウム：Ｈｆ［Ｏ（ｔ−Ｃ4Ｈ9）］4、テトラキスメチルエチルアミノハフニウム：Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4を用いることができる。本例では、一例としてＨｆ｛Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）｝4を用いた。
またシリコン（Ｓｉ）原料には、四塩化ケイ素：ＳｉＣｌ4、六塩化二ケイ素：Ｓｉ2Ｃｌ6、テトラキスジメチルアミノシリコン：Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、ジメチルジシロキサン：［（ＣＨ3）2ＳｉＨ］2Ｏ、トリジメチルアミノシラン：ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ3）2］3、テトラキスメチルエチルアミノシリコン：Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4を用いることができる。本例では、一例としてＳｉ｛Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）｝4を用いた。
また、酸化剤には、オゾン：Ｏ3、酸素：Ｏ2、水（水蒸気）：Ｈ2Ｏおよび重水：Ｄ2Ｏ等を用いることができる。本例では、一例としてＯ3を用いた。
また、パージガスにはアルゴン（Ａｒ）を用いることができる。なお、パージガスには、アルゴンの他の希ガス、窒素ガス等を用いることができるが、パージ効率、コスト等を考慮するとアルゴンを用いることが好ましい。
上記ハフニウム原料、シリコン原料、酸化剤を用いたＡＬＤ法における成膜時の成膜雰囲気（例えばチャンバ内）へのガス供給の基本サイクルは、ハフニウム原料ガスおよびシリコン原料ガスの導入、パージガスの導入による残留ガス（ハフニウム原料ガスおよびシリコン原料ガス）の気相反応を抑制、酸化性ガスの導入、パージガスの導入による残留ガス（酸化性ガス）の気相反応を抑制の順となる。本例の酸化工程では濃度２５０ｇ／ｍ3程度のオゾン（Ｏ3）を、酸素（Ｏ2）をキャリアガスとして３５０ｃｍ3／ｍｉｎ程度の流量で１秒〜５秒流通させる。
上記ＡＬＤ法では、プロセス中の基板温度と成膜雰囲気（例えばチャンバ内）の圧力を調整することによって、オゾン（Ｏ3）による酸化力を調整することができる。例えば、高温・高圧のプロセスとすることでオゾン（Ｏ3）の酸化力を高め、ＨｆＳｉＯx膜中の残留不純物濃度を低減することができる。
一例として、基板温度を変化させてＨｆＳｉＯxを成膜したときの膜中の炭素（Ｃ）濃度の変化について、図２によって説明する。図２は、基板温度をパラメータとして、縦軸にＨｆＳｉＯx膜中の残留炭素（Ｃ）濃度を示し、横軸に深さを示す。
図２に示すように、基板温度を高くすることによって、ＨｆＳｉＯx膜中の残留炭素（Ｃ）濃度が低減されることがわかる。
また、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Thermal Desorption Spectroscopy）で得たＨｆＳｉＯx膜中の分子量(Ｍ／ｅ＝２８:Ｃ2Ｈ4に相当）のスペクトルを、図３に示す。図３の縦軸は検出強度を示し、横軸は基板温度を示す。
図３に示すように、３３０℃付近でＣ2Ｈ4に相当する有機物の脱離が確認された。したがって、膜中の残留カーボン濃度を十分に低減するためにはＡＬＤプロセス中の基板温度を３３０℃以上の高温にすることが望ましいことがわかる。
次に、成膜雰囲気の圧力を一定にしたときのリーク電流と酸化膜換算膜厚（ＥＯＴ：Equivalent Oxide Thickness）との関係を図４によって説明する。図４では、縦軸にリーク電流を示し、横軸に酸化膜換算膜厚を示す。
図４に示すように、成膜雰囲気の圧力を一定（例えば２６７Ｐａ）にすると、同一酸化膜換算膜厚では、基板温度が低くなるほど、リーク電流が大きくなる傾向にあることがわかる。
また、基板温度を一定（例えば３８０℃）にしたときのリーク電流と酸化膜換算膜厚（ＥＯＴ）との関係を図５によって説明する。図５では、縦軸にリーク電流を示し、横軸に酸化膜換算膜厚を示す。
図５に示すように、基板温度を一定（例えば３８０℃）にすると、同一酸化膜換算膜厚では、成膜雰囲気の圧力が低くなるほど、リーク電流が大きくなる傾向にあることがわかる。また図５からわかるように、成膜雰囲気の圧力が２６７Ｐａよりも低くなると、急激にリーク電流が増大することがわかる。したがって、成膜雰囲気の圧力は２６７Ｐａ以上が好ましい。
次に、ハフニウムとシリコンの組成比を一定（例えばＨｆ／（Ｈｆ＋Ｓｉ）＝５０％）にして、リーク電流およびカバリッジと成膜雰囲気の圧力との関係を図６によって説明する。図６では、左縦軸にリーク電流を示し、右縦軸にカバリッジを示し、横軸に成膜雰囲気の圧力を示す。
図６に示すように、成膜雰囲気の圧力が２６７Ｐａ以上であればリーク電流は低く抑えられているが、２６７Ｐａよりも低くなるとリーク電流が大きくなることがわかる。これは、成膜雰囲気の圧力が２６７Ｐａよりも低いと膜中残留不純物が増加し易くなることに起因している。また、成膜雰囲気の圧力が５３３Ｐａよりも高くなると、急激にカバリッジが悪化し、成膜雰囲気の圧力が６６７Ｐａになるとカバリッジが５０％になり、８００Ｐａになると全くカバリッジが得られないことがわかる。すなわち、トレンチ低部に成膜ができない状態になる。これは、成膜雰囲気の圧力が６６７Ｐａよりも高くなると成膜がＣＶＤ反応となることに起因している。以上を総合すると、良好な電気特性とカバリッジを得るには、成膜雰囲気の圧力は２６７Ｐａ以上６６７Ｐａ以下が好ましく、より好ましくは２６７Ｐａ以上５３３Ｐａ以下である。なお、図６でのカバリッジ特性はアスペクト比が５０程度のいわゆるディープトレンチに対するカバリッジ特性である。
さらに、ハフニウムとシリコンの組成比を一定（例えばＨｆ／（Ｈｆ＋Ｓｉ）＝５０％）にして、リーク電流およびカバリッジと基板温度との関係を図７に示した。図７では、左縦軸にリーク電流を示し、右縦軸にカバリッジを示し、横軸に基板温度を示す。
図７に示すように、基板温度が３３０℃以上であればリーク電流は低く抑えられているが、３３０℃よりも低くなるとリーク電流が大きくなることがわかる。これは、基板温度が３３０℃よりも低いと膜中残留不純物、特に炭素（Ｃ）が増加し易くなることに起因している。また、基板温度が４００℃よりも高くなると、急激にカバリッジが悪化することがわかる。これは、基板温度が４００℃よりも高くなるとプリカーサが熱分解を起こし、成膜プロセスが原子層蒸着ではなく、ＣＶＤになることに起因している。以上を総合すると、良好な電気特性とカバリッジを得るには、基板温度は３３０℃以上４００℃以下が好ましい。なお、図７でのカバリッジ特性はアスペクト比が５０程度のいわゆるディープトレンチに対するカバリッジ特性である。
一方、ディープトレンチ（ＤＴ）形状で良好なカバレッジを得るにはプリカーサの供給を十分に行うとともに、プリカーサの気相反応を抑制することが重要となる。上記説明したように、ＡＬＤ処理中の基板温度を高温にし過ぎるとプリカーサの熱分解が生じ、最表面への吸着反応が阻害されるため、良好なカバレッジ特性を得るうえで上限の基板温度が存在することは、上記図７によってもわかるが、図８に示す堆積速度とサイクル時間（パルス時間）との関係からも明らかになっている。この図８は、ＡＬＤプロセス中のウエハ温度を変化させた時の１サイクルあたりのプリカーサ供給量に対する成膜レートの挙動を示す図面である。
図８に示すように、基板温度を３８０℃、４００℃にした場合には、一定の堆積速度で堆積が行われていることがわかる。これは、純粋なＡＬＤ反応が行われている状態であり、１サイクルあたりのプリカーサ供給量を増加させても、成膜レートは一定の値で飽和する傾向を示す。一方、基板温度を４２０℃にすると、プリカーサ供給量を増加させた時に、成膜レートの上昇が確認された。これはプリカーサの熱分解により成膜される成分が含まれていることを意味している。すなわち、原子層蒸着反応から化学的気相成長（ＣＶＤ）反応に成膜反応が移行したためである。このような状態になると、プリカーサが熱分解を起こし、最表面への吸着反応が阻害されるため、良好なカバレッジ特性を得ることが困難になる。例えば、アスペクト比５０程度のディープトレンチ（ＤＴ）形状に成膜を行うと、４２０℃のプロセスではトレンチ底部に全く成膜されないのに対し、４００℃以下のプロセスでは底部にまでＨｆＳｉＯxが成膜されていることが確認された。この点からも、基板温度は４００℃以下が好ましいことがわかる。また、４００℃であっても、成膜雰囲気の圧力が６６７Ｐａを超えるとＣＶＤ反応が起こる。この点からも、上記説明したように、成膜雰囲気の圧力は２６７Ｐａ（＝０．２７ｋＰａ）以上６６７Ｐａ（＝０．６７ｋＰａ）以下が好ましく、より好ましくは２６７Ｐａ以上５３３Ｐａ（＝０．５３ｋＰａ）以下である。
したがって、ディープトレンチ（ＤＴ）形状のようなアスペクト比・表面積が大きい構造に成膜を行う場合にはＡＬＤプロセス中の基板温度を４００℃以下にする必要がある。リーク電流の制約とあわせるとＡＬＤプロセス中の基板温度は３３０℃〜４００℃の範囲にする必要がある。
またプリカーサの供給量としては、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4は、その蒸気圧を４．０Ｐａ以上、および流量を０．１ｃｍ3／ｍｉｎ以上とする必要があり、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4は、その蒸気圧を３．１０Ｐａ以上、および流量を４．１ｃｍ3／ｍｉｎ以上とする必要がある。本例では原料の供給系にバブラーを用いて、キャリアガスをアルゴン（Ａｒ）とするが、この供給量はＨｆ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4のバブラー温度を７０℃、Ａｒ流量を５０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4のバブラー温度を６０℃、Ａｒ流量を５０ｃｍ3／ｍｉｎとした場合に相当する。
上記説明では、一例として、ハフニウム組成比が５０％の場合について示した。例えば、ハフニウム組成比を高めると、図７、図８中のカバリッジを示す線は、低温、低圧力方向にシフトし、図７、図８中のリーク電流を示す線は、低リーク方向にシフトする。また、ハフニウム組成比を低くすると、図７、図８中のカバリッジを示す線は、基板温度、成膜雰囲気の圧力が高くなる方向にシフトし、図７、図８中のリーク電流を示す線は、リーク電流が高くなる方向にシフトする。しかしながら、ハフニウム組成比が３０％以上７０％以下程度の範囲であれば、ＡＬＤプロセス中の基板温度は３３０℃〜４００℃の範囲が好ましく、成膜雰囲気の圧力は２６７Ｐａ以上６６７Ｐａ以下が好ましく、より好ましくは２６７Ｐａ以上５３３Ｐａ以下である。
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、キャパシタ絶縁膜をＨｆＳｉＯxで成膜する際に、ハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより、膜中の炭素（Ｃ）等の不純物濃度を低減することができるようになり、またハフニウムシリケート膜の基板温度および成膜圧力を調整することにより、トレンチキャパシタを形成する際のカバリッジが良好なものとして成膜することが可能になる。このように、炭素（Ｃ）等の不純物濃度を低減することで、リーク電流の発生レベルをキャパシタ絶縁膜として許容できるレベル以下にすることが可能になる。すなわち、膜中不純物濃度の低減とトレンチ形状のような立体構造へのカバレッジ特性の改善を両立させることができる。その結果、例えばアスペクト比５０程度のいわゆるディープトレンチ（ＤＴ）キャパシタにおいても安定したＤＲＡＭ動作に必要とされるキャパシタ容量３０ｆＦ／ｃｅｌｌ以上、リーク電流１ｆＦ／ｃｅｌｌ以下を満足することができる。また、ディープトレンチ（ＤＴ）キャパシタ絶縁膜の既存材料をより誘電率の高いＨｆＳｉＯＮに置き換えることも可能となり、さらなる微細化につながる。
なお、上記ＡＬＤ法におけるハフニウム原料には、上記記載した他に、一例として、テトラメトキシハフニウム：Ｈｆ（ＯＣＨ3）4、テトラエトキシハフニウム：Ｈｆ（ＯＣ2Ｈ5）4、テトラ−ｉ−プロポキシハフニウム：Ｈｆ（Ｏ−ｉ−Ｃ3Ｈ7）4、テトラ−ｎ−ブトキシハフニウム：Ｈｆ（Ｏ−ｎ−Ｃ4Ｈ9）4、テトラキスジエチルアミノハフニウム：Ｈｆ〔Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2〕4、テトラ−１−メトキシ−２−プロポキシハフニウム：Ｈｆ〔ＯＣ（ＣＨ3）2−ＣＨ2ＯＣＨ3〕4等の物質を用いることもできる。
また、上記ＡＬＤ法におけるシリコン原料には、上記記載した他に、一例として、ジメチルジメトキシシラン：Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣＨ3）2、ジメチルジエトキシシラン：Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣ2Ｈ5）2、メチルトリメトキシシラン：ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）3、メチルトリエトキシシラン：ＳｉＣＨ3（ＯＣ2Ｈ5）3、テトラメチルシラン：Ｓｉ（ＣＨ3）4、ヘキサメチルジシラン：〔Ｓｉ（ＣＨ3）3〕2Ｏ、ヘキサメチルジシラザン：（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3等の物質を用いることもできる。
本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の一例を示した製造工程断面図である。 基板温度をパラメータとして、ＨｆＳｉＯxを成膜したときの膜中の炭素（Ｃ）濃度と深さの位置との関係を示した図である。 昇温脱離ガス分析法で得たＨｆＳｉＯx膜中の分子量(Ｍ／ｅ＝２８:Ｃ2Ｈ4に相当)のスペクトル図である。 成膜雰囲気の圧力を一定にしたときのリーク電流と酸化膜換算膜厚との関係図である。 基板温度を一定（例えば３８０℃）にしたときのリーク電流と酸化膜換算膜厚（ＥＯＴ）との関係図である。 ハフニウムとシリコンの組成比を一定（例えばＨｆ／（Ｈｆ＋Ｓｉ）＝５０％）にしたときのリーク電流およびカバリッジと成膜雰囲気の圧力との関係図である。 ハフニウムとシリコンの組成比を一定（例えばＨｆ／（Ｈｆ＋Ｓｉ）＝５０％）にしたときのリーク電流およびカバリッジと基板温度との関係図である。 ＡＬＤプロセス中のウエハ温度を変化させた時の１サイクルあたりのプリカーサ供給量に対する成膜レートの挙動を示す図である。
符号の説明
１…キャパシタ、１２…トレンチ、２１…第１電極、２２…キャパシタ絶縁膜、２３…第２電極

Claims (4)

  1. トレンチの内面に形成された第１電極と、
    前記第１電極表面に形成されたキャパシタ絶縁膜と、
    前記キャパシタ絶縁膜を介して前記第１電極表面に形成された第２電極とを備えたトレンチキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、
    前記キャパシタ絶縁膜をハフニウム原料とシリコン原料と酸化剤とを用いた原子層蒸着法によりハフニウムシリケート膜を成膜することにより形成する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記ハフニウムシリケート膜を成膜する原子層蒸着法において、
    ハフニウム原料に、化学式Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4、ＨｆＣｌ4、Ｈｆ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）4、Ｈｆ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3）2］4およびＨｆ［Ｏ（ｔ−Ｃ4Ｈ9）2］4で表す物質のうちのいずれかを用い、
    シリコン原料に、化学式ＳｉＣｌ4、Ｓｉ2Ｃｌ6、Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、［（ＣＨ3）2ＳｉＨ］2Ｏ、ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ3）2］3およびＳｉ［Ｎ（ＣＨ3）（Ｃ2Ｈ5）］4で表す物質のうちのいずれかを用い、
    酸化剤に、化学式Ｏ3、Ｈ2ＯおよびＤ2Ｏで表す物質のうちのいずれか用いる
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記原子層蒸着法における成膜雰囲気の圧力が２６７Ｐａ以上６６７Ｐａ以下に設定されている
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記原子層蒸着法における前記ハフニウムシリケード膜が成膜される基板の温度が３３０℃あ以上４００℃以下に設定されている
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009170439A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Panasonic Corp ゲート絶縁膜の形成方法
JP2009545138A (ja) * 2006-07-21 2009-12-17 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 金属シリケート膜のａｌｄ
US8557713B2 (en) 2008-05-23 2013-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices and method of forming the same
US9234275B2 (en) 2012-12-11 2016-01-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of forming metal compound film, and electronic product
WO2022107768A1 (ja) * 2020-11-19 2022-05-27 株式会社Adeka 薄膜の製造方法
WO2022107769A1 (ja) * 2020-11-19 2022-05-27 株式会社Adeka 薄膜の製造方法

Families Citing this family (423)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986456B2 (en) 2006-10-10 2015-03-24 Asm America, Inc. Precursor delivery system
US20080274615A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-06 Vaartstra Brian A Atomic Layer Deposition Methods, Methods of Forming Dielectric Materials, Methods of Forming Capacitors, And Methods of Forming DRAM Unit Cells
JP2008283051A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Toshiba Corp 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US8388851B2 (en) 2008-01-08 2013-03-05 Micron Technology, Inc. Capacitor forming methods
US8076237B2 (en) * 2008-05-09 2011-12-13 Asm America, Inc. Method and apparatus for 3D interconnect
US7759193B2 (en) * 2008-07-09 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Methods of forming a plurality of capacitors
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8071452B2 (en) * 2009-04-27 2011-12-06 Asm America, Inc. Atomic layer deposition of hafnium lanthanum oxides
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US20120280369A1 (en) * 2009-12-18 2012-11-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and semiconductor device
US8518788B2 (en) 2010-08-11 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Methods of forming a plurality of capacitors
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9076680B2 (en) 2011-10-18 2015-07-07 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry, methods of forming capacitors, and methods of forming integrated circuitry comprising an array of capacitors and circuitry peripheral to the array
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US8946043B2 (en) 2011-12-21 2015-02-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US8652926B1 (en) 2012-07-26 2014-02-18 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20140147984A1 (en) * 2012-11-27 2014-05-29 United Microelectronics Corp. Semiconductor device and method of fabricating through silicon via structure
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN108448008B (zh) * 2018-04-12 2020-05-01 昆山梦显电子科技有限公司 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
TWI838570B (zh) 2019-08-23 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
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TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
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TWI887400B (zh) 2020-04-24 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
KR102916735B1 (ko) 2020-06-24 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220026500A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면을 세정하는 방법
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
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TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114388427A (zh) 2020-10-06 2022-04-22 Asm Ip私人控股有限公司 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
CN116529416A (zh) * 2020-11-19 2023-08-01 株式会社Adeka 薄膜的制造方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
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TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6190988B1 (en) * 1998-05-28 2001-02-20 International Business Machines Corporation Method for a controlled bottle trench for a dram storage node
DE10014920C1 (de) * 2000-03-17 2001-07-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Grabenkondensators
US6844604B2 (en) * 2001-02-02 2005-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Dielectric layer for semiconductor device and method of manufacturing the same
US20040012043A1 (en) * 2002-07-17 2004-01-22 Gealy F. Daniel Novel dielectric stack and method of making same
JP2004104025A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Fujitsu Ltd 膜形成方法
KR100463633B1 (ko) 2002-11-12 2004-12-29 주식회사 아이피에스 하프늄 화합물을 이용한 박막증착방법
TW200506093A (en) 2003-04-21 2005-02-16 Aviza Tech Inc System and method for forming multi-component films
KR101191222B1 (ko) 2003-04-23 2012-10-16 아익스트론 인코포레이티드 트랜지언트 강화 원자층 증착
JP2005209774A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100568448B1 (ko) * 2004-04-19 2006-04-07 삼성전자주식회사 감소된 불순물을 갖는 고유전막의 제조방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009545138A (ja) * 2006-07-21 2009-12-17 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 金属シリケート膜のａｌｄ
JP2009170439A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Panasonic Corp ゲート絶縁膜の形成方法
US8557713B2 (en) 2008-05-23 2013-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices and method of forming the same
US8970014B2 (en) 2008-05-23 2015-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices with dielectric layers
US9234275B2 (en) 2012-12-11 2016-01-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of forming metal compound film, and electronic product
WO2022107768A1 (ja) * 2020-11-19 2022-05-27 株式会社Adeka 薄膜の製造方法
JPWO2022107768A1 (ja) * 2020-11-19 2022-05-27
WO2022107769A1 (ja) * 2020-11-19 2022-05-27 株式会社Adeka 薄膜の製造方法
JPWO2022107769A1 (ja) * 2020-11-19 2022-05-27

Also Published As

Publication number Publication date
US20070066010A1 (en) 2007-03-22
US7871883B2 (en) 2011-01-18
CN1937173A (zh) 2007-03-28
CN100481321C (zh) 2009-04-22

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