201005428 六、發明說明： 【發明所靥之技術領域】 本發明係關於一種空白光罩用玻璃基板、空白光罩用玻 璃基板之製法、空白光罩之製法及光罩之製法。 • 【先前技術】 ^ 關於用於製造空白光罩之空白光罩用玻璃基板，習知形 成識別或管理用指標之結構（例如參閱特開2006-309143號 0 公報（專利文獻1))。該指標係以複數凹部之排列表現。該 凹部係藉由照射雷射光，對於在不影響製作空白光罩用玻 璃基板之轉印圖案之際的區域之面，例如空白光罩用玻璃 基板形成轉印圖案用薄膜而形成之空白光罩，形成於形成 轉印圖案之區域的外周區域之主表面或端面上、形成於主 表面與端面間之倒角面上、凹槽標記形成部等。 【發明內容】 近幾年’製造半導體裝置時等於微影製程 〇 (Photolith〇graPhy process)所使用之曝光光源之波長已短波 長化至200nm以下，製造光罩所使用之空白光罩、或空白 光罩用玻璃基板所要求之品質日益嚴格。特別是可容許之 缺陷力/J、或個數、光阻膜之面內膜厚均句性等之影響所製 造之裝置之圖案特性的品質要求嚴格起來。而且，爲了滿 足_此等品> 質要求’例如需要充分抑制來自空白光罩用基板 之起塵》 然而’在S白光罩用玻璃基板形成指標之情況，根據指 -4- 201005428 標之形狀或形成之方法，例如可 續步驟成爲起塵之原因。而且， 步驟產生起塵，則可能會難以滿 罩用玻璃基板之要求品質。 因此，本發明之目的在於提供 白光罩用玻璃基板、空白光罩用 罩之製法及光罩之製法。 本案發明者就形成於空白光罩 Φ 之關係，專心進行了硏究。而且 孔，形成以圓孔之排列表現之指 標，抑制起塵。 然而，進一步專心進行硏究的 孔而形成指標之情況，亦根據圓 成中途或後續步驟容易產生破裂 起塵》然後，根據此見解，終至 G 本發明。本發明包括以下結構： (結構1)係用於製造空白光罩5 且於不影響製作前述空白光罩用 的區域之面上，形成於複數凹部 係用於識別或管理前述空白光罩 凹部係其邊緣部爲略呈圓形之圓 部間之距離爲50//m以上。凹部 例如爲50〜170/zm，較佳爲70、 能會在指標形成中途或後 若在指標形成中途或後續 足對於空白光罩或空白光 一種可解決上述問題之空 玻璃基板之製法、空白光 用玻璃基板之指標與起塵 ，首先認爲使凹部成爲圓 標，藉此形成無角部之指 結果，發現使凹部成爲圓 孔之配置等，而在指標形 或碎片等，難以充分抑制 構成可更適當抑制起塵之 :空白光罩用玻璃基板，並 玻璃基板之轉印圖案之際 表現資訊的指標，該資訊 用玻璃基板，構成指標之 孔，鄰接凹部彼此之邊緣 彼此之邊緣部間之距離， 1 5 0 // m。 201005428 以圓孔之排列構成指標之情況，若鄰接複數凹部間之距 離小，則凹部間所夾的部分之寬度變細，該部分之強度可 能會變弱。此外，其結果，例如因在指標形成中途或後續 步驟受到的衝擊等，而在凹部間所夾的部分產生破裂或碎 片等，可能會成爲起塵之原因。特別是利用雷射光等之能 量光使玻璃基板面熔化或昇華而形成指標之情況，會在凹 部之邊緣部之周圍形成凸起部（參閱第2A圖〜第2C圖）。 於藉由硏磨去除此凸起部之際，若鄰接複數凹部間之距離 ❹ 小且強度低，則會因硏磨時所施加之力而特別容易產生破 裂或碎片等。再者，若在這種部分產生破裂或碎片，則進 行硏磨等亦無法去除，對之後之空白光罩或光罩的精度亦 可能會產生影響增大。 此外，將鄰接複數凹部間之距離設定得較小之情況，亦 有因指標形成時步驟精度之偏差等，而鄰接之凹部彼此連 接之虞。而且，若鄰接圓孔之凹部彼此連接，則該凹部例 〇 如會成爲兩個圓於一部分重疊之大致葫蘆型，成爲在兩者 之境界部分有凸部之形狀。此情況，在此凸部容易產生破 裂或碎片等，可能會成爲起塵之原因。 相對於此，如同結構1構成之情況，藉由使鄰接複數凹 部間之距離成爲一定以上，可確保凹部間所夾的部分之強 度。因此，若如此構成，則例如可適當防止在指標形成中 途或後續步驟受到的衝擊等所造成的破裂或碎片等。此 外，藉此可適當防止構成指標之凹部成爲起塵之原因。再 201005428 者，可適當形成不易成爲起塵之原因之指標。 此外，作爲指標，例如可適當使用資料矩陣 (DataMatrix)、QR 編碼（QRCode)、SI5 編碼（SPCode)、威利 編碼（VeriCode)、馬克西編碼（MaxiCode)、CP 編碼 ' Codel、 AztecCode、英塔克塔編碼（INTACTACODE)、卡片e等二維 編碼。指標最好形成於使用由空白光罩用玻璃基板所製造 之光罩時不影響圖案轉印之區域。所謂不影響製作空白光 罩用玻璃基板之轉印圖案之際的區域之面，對於在空白光 罩用玻璃基板形成轉印圖案用薄膜而形成之空白光罩，係 指形成轉印圖案之區域的外周區域之主表面或端面、形成 於主表面與端面之間之倒角面、凹槽標記形成部等。 (結構2)指標形成於空白光罩用玻璃基板之端面上。端面 最適合在不影響製作空白光罩用玻璃基板之轉印圖案之際 的區域之面中形成指標。在基板主表面之轉印圖案區域的 外周區域形成指標之情況，需要以凹部形成後硏磨去除凸 〇 起部之際不給與主表面影響之步驟進行。此外，倒角面或 凹槽標記形成部之情況，面積狹窄，不易表現多數資訊。 (結構3)指標係藉由二維配置單元尺寸爲0.13〜0.3 mm之 單元’於預定之單元內形成凹部，以表示資訊之二維編碼， 凹部之邊緣部之直徑爲80〜250/zm。1個單元之尺寸較佳 爲0.24〜0.26mm(例如〇.25mm)。凹部之邊緣部之直徑較佳 爲90〜150从m。 若如此構成，則可適當形成可以高精度讀取之二維編碼 201005428 之指標。此外，藉此可適當防止凹部成爲起塵之原因’並 可適當形成容易讀取之指標。 (結構4)凹部之深度爲4〜50ym。凹部之深度較佳爲1〇 〜45// m，更佳爲25〜40/zm。設凹部之邊緣部之直徑爲 L1、深度爲D時，兩者之比L1/D，例如爲2〜5，較佳爲 3〜4 〇 爲了可以高精度讀取指標，例如在拍攝指標之圖像方 I 面，需要充分加大有無凹部之對比差。而且，爲了加大對 〇 比差，例如可考慮加大圓孔之凹部之直徑。然而，若加大 凹部之直徑，則鄰接圓孔間之距離變小，可能會容易產生 破裂或碎片等。 此外，爲了不使凹部之直徑變化而加大對比差，例如亦 可考慮形成深的圓孔。然而，形成有凹部小且深的圓孔之 情況，在各種步驟中，可能會在圓孔內容易捕捉到粒子， 可能會在圓孔形成後之清洗步驟無法去除。而且，若在圓 Θ 孔內捕捉到粒子，則該粒子可能會在後續步驟成爲起塵之 原因。 相對於此，若如同結構4構成，則可藉由適當之形狀來 形成充分加大對比差之圓孔。此外，藉此可更適當形成不 易成爲起塵之原因且容易讀取之指標》 (結構5)凹部係深度自其邊緣部朝向中心附近之最深部 遞增之圓孔。此圓孔，例如係與深度方向平行之平面所形 成之剖面略呈V字形之孔。 201005428 若如此構成，則例如可形成無不要之凸部等的具有平滑 表.面之圓孔。此外，藉此可更適當防止指標成爲起塵之原 因。 (結構6)係用於製造空白光罩之空白光罩用玻璃基板之 製法，並且形成用於識別或管理凹部之邊緣部爲略呈圓形 之圓孔，鄰接複數圓孔間之距離爲50/zm以上的以凹坑排 列表現之空白光罩用玻璃基板的指標。如此一來，例如可 得到與結構1同樣的效果》 (結構7)指標係藉由二維配置單元尺寸爲0.13〜〇.3mm之 單元，於預定之單元內形成凹部，以表示資訊之二維編碼’ 凹部之邊緣部之直徑爲80〜250#m，雷射照射步驟係使用 光徑小於前述凹部之邊緣部之直徑的雷射光，使雷射光於 以前述凹部之中心爲基準之螺旋軌道或旋轉軌道上移動’ 並且以由雷射光所挖掘之掘入部之軌道彼此至少一部分重 叠的方式移動，藉此形成凹部。雷射光之具有僅使玻璃基 〇 板熔化或昇華的能量之有效區域的光徑（以下只稱爲光 徑），例如爲大於 0.04但小於 0.25mm，較佳爲 0.06〜 0.2mm(例如0.08 mm)。然而，任一情況均爲形成之凹部之邊 緣部之直徑以下。 本案發明者發現藉由使用此種方法，可形成較佳形狀之 圓孔。如此一來，可適當形成不易成爲起塵之原因之指標。 (結構8)係用於製造微影法用光罩之空白光罩之製法，並 且準備由結構6或7之任一結構所記載之空白光罩用玻璃 201005428 基板之製法所製造之空白光罩用玻璃基板，於空白光罩用 玻璃基板上形成光罩圖案用薄膜。如此一來，例如可得到 » 與結構6或7同樣的效果。此外，藉此可適當製造滿足製 造短曝光波長之曝光光用光罩之情況所要求之品質之空白 光罩。 (結構9)係微影法用光罩之製法，並且準備由結構8所記 載之空白光罩之製法所製造之空白光罩，使光罩圖案用薄 ^ 膜圖案化。如此一來，例如可得到與結構8同樣的效果。 此外，藉此例如可適當製造適合短曝光波長之曝光光使用 之光罩。 例如對於空白光罩用玻璃基板，作爲識別或管理用，形 成於複數凹部表現之指標之際，若在凹部之邊緣部之俯視 形狀有頂點，則該部分之強度可能會降低，而且凹部間所 夾的部分之寬度細之情況，該部分之強度可能會降低。此 強度弱的部分，例如會因在指標形成中途或後續步驟受到 Φ 的衝擊等而產生破裂或碎片等，可能會成爲起塵之原因。 特別是利用雷射光等能量光使玻璃基板面熔化或昇華而 形成指標之情況，在凹部之邊緣部之周圍會形成凸起部， 需要利用硏磨去除此凸起部，但當時，強度低的部分會因 硏磨時所施加之力而特別容易產生破裂或碎片等。若在這 種部分產生破裂或碎片，則進行硏磨等亦無法去除，對之 後之空白光罩或光罩的精度亦可能會產生影響增大。 依據本發明，以無頂點之略呈圓形之圓孔形成凹部之邊 -10- 201005428 緣部，藉此在俯視形狀方面，可抑制強度降低，將鄰接複 數凹部間之距離確保預定以上，藉此可抑制凹部間所夾的 部分之強度降低，可提供一種可抑制起因於指標形成部分 的破裂或碎片等的起塵之空白光罩用玻璃基板。 【實施方式】 以下，一面參閱圖式一面說明本發明之實施形態。第1 圖係表示本發明一實施形態之玻璃基板12之結構之一 Λ 例。第1Α圖係玻璃基板12之側面圖。玻璃基板12係用於 製造空白光罩之空白光罩用玻璃基板，例如係由合成石英 玻璃所形成。再者，除此之外，在Si〇2-Ti〇2系之低熱膨脹 玻璃、析出/3石英固溶體之結晶化玻璃、鹼石灰玻璃等玻 璃基板方面亦可適用。玻璃基板12之主表面及端面（側面、 倒角面）已被硏磨成預定表面粗糙度之鏡面。此表面粗糙 度，例如按照算術平均表面粗糙度Ra，係lnm以下之表面 粗糙度。此外，在本例中，玻璃基板12之端面之一部分上 φ 形成有用於識別或管理玻璃基板12之指標18。玻璃基板 12係藉由使用指標18所單片管理。 再者，由玻璃基板12所製造之空白光罩用於製造微影法 (photolithography)用光罩。此光罩，例如係ArF準分子雷 射（波長193nm)等之波長爲200nm以下之光穿透型光罩。此 外，在以極遠紫外光（Extreme Ultra Violet:以下稱爲EUV 光）爲光源之反射系微影法所使用之EUV曝光用反射型光 罩方面亦可適用。指標18若爲光罩使用時不影響轉印之區 -11 - 201005428 域，亦可形成於端面以外之處。 第1B圖係表示指標18之詳細結構之一例。指標18 凹部20之排列所表現之二維編碼。凹部20係其邊緣 視略呈圓形之圓孔。此外，在本例中，此二維編碼係 矩陣。 此處，指標18例如在玻璃基板之製造步驟中，與玻 板12之各種特性對應。作爲與指標18對應之特性， 0 可考慮玻璃基板12之形狀資訊、缺陷資訊等。此外， 用玻璃基板12所製造之空白光罩或光罩之製造步驟中 空白光罩或光罩之各種特性對應。作爲此各種特性， 可考慮表示形成於玻璃基板12上之光罩圖案用薄膜 之資訊或缺陷資訊等。藉由使用與指標18對應之各 訊，例如可單片管理玻璃基板12、及由玻璃基板12所 之空白光罩及光罩，並可進行與個別之玻璃基板12、 光罩及光罩配合之步驟。 第2A圖〜第2C圖係就形成指標18之玻璃基板12 法之一例進行說明之圖。在本例中，玻璃基板12之ϋ 例如具備基板準備步驟、雷射照射步驟、端面硏磨步 主表面硏磨步驟。基板準備步驟，例如係準備磨削加 預定形狀之玻璃基板之步驟。雷射照射步驟，係藉由 璃基板之端面照射雷射光，而形成應成爲指標18之凹 之圓孔之步驟。在本例中，雷射照射步驟係考慮之後 行之端面硏磨步驟影響，而對在玻璃基板應形成凹部 係以 部俯 資料 璃基 例如 在使 I，與 例如 種類 種資 製造 空白 之製 [法， 驟及 工成 對玻 部20 所進 20之 -12- 201005428 位置上照射雷射光，藉此形成圓孔。端面硏磨步驟係將玻 璃基板之端面硏磨成預定表面粗糙度之步驟。此外，主表 面硏磨步驟係將玻璃基板之主表面硏磨成預定表面粗糙度 之步驟。 第2A圖係表示形成指標18之玻璃基板12之端面22之 形狀。在本例中，玻璃基板1 2之端面22具有側面24及倒 角面26。側面24係與玻璃基板12之主表面垂直之面。倒 ❹ 角面26係連接玻璃基板1 2之主表面與側面24之傾斜面。 在本例中，指標18例如形成於玻璃基板12之一端面22之 側面24。 第2B圖係表示在雷射照射步驟所形成之掘入部27之剖 面形狀之一例。掘入部27之形狀，爲了說明方便起見，只 表示槪略。在本例中，雷射照射步驟，例如係利用照射二 氧化碳雷射（C〇2雷射）之雷射指標裝置，在與指標18之各 凹部20對應之位置上形成掘入部27。 © 此情況，在玻璃基板上照射有雷射光之部分，藉由熔化 或昇華而成爲掘入部27。因此，如此一來，可適當地形成 掘入部27。此外，與掘入部27之形成同時，在掘入部27 之邊緣部之周圍，例如以包圍邊緣部的方式形成凸起形狀 之凸起部28。再者，關於雷射照射步驟，之後將更詳細說 明。 第2C圖係表示端面硏磨步驟後之凹部20之形狀之一 例。凹部20之形狀，爲了說明方便起見，只表示槪略。在 -13- 201005428 本例中，端面硏磨步驟係藉由硏磨玻璃基板12之端面22 而去除凸起部28。此外，藉由僅硏磨之加工餘量部分硏磨 端面22之表面，凹部20比掘入部27淺少許。此外，其結 果，凹部20之直徑亦比掘入部27小少許。 依據本例，例如藉由端面硏磨步驟，可適當地去除掘入 部27之周圍之凸起部28。此外，藉由在雷射照射步驟中預 先形成直徑大的掘入部27,可使端面硏磨步驟後的凹部20 @ 之形狀成爲所希望之形狀。因此，依據本例，可適當地形 成較佳形狀之凹部20。 第3圖係就指標18之凹部20之形狀進行更詳細說明之 圖，並表示端面硏磨步驟後之指標18。第3A圖係表示指 標18 —部分之上面圖，並表示鄰接2個凹部20之排列》 第3B圖係表示指標18 —部分之剖面圖，並表示鄰接2個 凹部20之排列。此剖面係與凹部20之深度方向平行之平 面所形成之剖面。 〇 在本例中，指標18係單元尺寸爲1.56〜4mm四方之資料 矩陣。此外’在指標18方面，各凹部20形成於由虛線所 假想表示的資料矩陣之各單元30內。單元30之單元尺寸， 例如爲0.13〜〇.3mm，較佳爲0.24〜0.26mm。所謂單元尺 寸’係構成單元30之正方形一邊之長度。 此外’凹部20之邊緣部之直徑L1，例如爲80〜25 0jum， 較佳爲90〜150/zm。鄰接複數凹部20間之距離L2爲50 em以上，例如爲5〇〜17〇/zrn，較佳爲70〜15〇vm。再者， -14- 30 201005428 所謂鄰接複數凹部20間之距離L2，例如係在鄰接單元 之兩方形成有凹部20之情況的凹部20彼此之邊緣部間 距離。 如此構成之情況，例如藉由充分確保鄰接複數凹部20 之距離，可確保凹部20間所夾的部分之強度。因此，依 本例，例如可適當防止在指標18形成中途所進行之端面 磨步驟或後續步驟等受到的衝擊等所造成的破裂或碎 ^ 等。此外，藉此可適當防止構成指標18之凹部20成爲 霸 塵之原因。再者，可適當形成不易成爲起塵之原因之指 18。 此外，在本例中，凹部20係剖面略呈V字形之孔，深 自開口部之邊緣部朝向中心附近之最深部遞增。凹部20 深度D，例如爲4〜50/zm，較佳爲10〜45gm，更佳爲 〜40/zm。此外，凹部20之邊緣部之直徑L1與深度D 比L1/D，例如爲2〜5，較佳爲3〜4。 ❹ 若如此構成，則例如不會使凹部20過量地加深，並藉 適當的形狀，可充分確保指標18讀取時的對比差。此仍 凹部20的表面成爲無不要的凸部等的平滑形狀。因此 依據本例，可更適當地形成不易成爲起塵之原因且容易 取之指標1 8。 再者，凹部20例如亦可係開口部爲圓形或橢圓形之？丨 而且，此圓形或橢圓形未必嚴格地爲圓形或橢圓形，按 需要的精度，實質上爲圓形或橢圓形即可。此外，所謂 之 間 據 硏 片 起 標 度 之 25 之 由 ， j 讀 ^ 〇 照 凹 -15- 201005428 部20之邊緣部之直徑，例如係邊緣部之外接圓之直徑。邊 緣部爲圓形之情況，凹部20之邊緣部之直徑，例如係邊緣 部之圓形之直徑。邊緣部爲橢圓形之情況，凹部20之邊緣 部之直徑，例如係橢圓形之長軸之長度。 此外，所謂凹部20之邊緣部，例如與鄰接2個凹部20 之中間點附近的未形成凹部20之部分相比，係連結深1 # m 之地點的封閉曲線。此深度，例如係以原子力顯微鏡（AFM) 測量之深度。此外，所謂凹部20間之距離，例如係鄰接2 ❹ 個凹部20之邊緣部間之最短距離。 此外，凹部20之深度D，例如係凹部20之最深部之深 度。深度D，例如係以鄰接2個凹部20之中間點附近的未 形成凹部20之部分爲基準之深度，例如以原子力顯微鏡 (AFM)測量。 第4圖係就雷射照射步驟進行更詳細說明之圖。第4A圖 係表示雷射光照射方法之一例。在本例中，雷射照射步驟 φ 係照射資料矩陣之單元尺寸以下之光徑的二氧化碳雷射之 雷射光。在本例中，與單元30之單元尺寸比較所示的雷射 之光徑（寬度），例如係以箭頭1 02所示之大小。雷射光之光 徑，例如爲 0.04〜0.25mm，較佳爲 0.06〜0.2mm(例如 0.08mm)。然而，任一情況均爲形成之凹部之邊緣部之直徑 以下。 再者，雷射指標裝置，例如係藉由一面自動校正一面照 射雷射光，而照射所設定之光徑（寬度）之雷射光。此情況， -16- 201005428 雷射指標裝置，例如係在寬度方向（箭頭102之方向）挪動光 軸而複數次照射雷射光，藉此形成大於雷射光之光徑之直 徑（寬度）的掘入部27。此外，所謂雷射光之光徑，例如係 在對於光軸正交之面上所測量到的峰値之在1/ e2( 13.5 % ) 位準的射束強度之寬度。 使用如此所設定的光徑之雷射光，雷射照射步驟以使其 在單元30之中心32之周圍旋轉的方式照射雷射光，藉此 ^ 形成掘入部27(參閱第3圖）。藉此，雷射照射步驟形成直 〇 徑大於應形成之凹部20少許的掘入部27。 再者，單元30之中心32係成爲應形成之凹部20之中心 的位置。此外，雷射照射步驟係以雷射光之光軸，例如沿 著以箭頭104a、104b、104c、104d所示之路徑移動的方式， 在旋轉軌道上且在其軌道彼此至少一部分重叠之間距之軌 道上照射雷射光。雷射照射步驟，例如亦可以雷射光之光 軸沿著圓形路徑取代以箭頭l〇4a〜104d所示之正方形路徑 Q 移動的方式，照射雷射光。此外，雷射光之照射強度（轉印 功率）、及使雷射光旋轉之掃描速度等，最好按照應形成之 凹部20之深度進行適當調整。 如此形成有掘入部27之情況，其後藉由進行端面硏磨步 驟，例如可適當形成如使用第3圖說明之剖面略呈V字形， 並且具有希望之直徑及深度之凹部20。因此，依據本例， 可適當形成不易成爲起塵之原因之指標18(參閱第3圖）。 再者，如上述設定雷射光之光徑（寬度）的理由如下。例 -17- 201005428 如雷射光之光徑大於凹部20應形成之邊緣部之直徑之情 況，凹部20之邊緣部之直徑會大於應形成之直徑，鄰接凹 部20彼此之邊緣部間之距離會小於50 // m，凹部20間所 夾的部分之寬度變細，強度可能會降低。此外，如前所述， 以雷射光形成掘入部27之際，在其邊緣部之周圍會形成凸 起部28，但鄰接凹部20彼此之凸起部28有相互重疊的可 能性，該部分的強度可能會降低。再者，凹部20之形狀的 ^ 控制亦可能會變得困難。 此外，雷射光之光徑（寬度）對於凹部20應形成之直徑大 幅縮小之情況（例如1 / 2以下），可能會無法適當形成剖面 略呈V字形之凹部20。第4B圖係表示雷射光之光徑大幅 縮小之情況所形成之凹部20之剖面形狀之一例。作爲指標 18，要形成如本例之大小之資料矩陣之情況，若雷射光之 寬度例如爲0.10mm或0.15mm程度，則端面硏磨後的凹部 20之剖面形狀，例如如第4B圖所示，成爲略呈W字形， Ο 而非略呈v字形。此情況，會在圓孔20之底面形成突起， 因此此突起亦可能會成爲起塵之原因。此外，由於此突起 的影響，指標18之讀取時亦可能會產生誤差。於此種情 況’在雷射光之軌道彼此之至少一部分重疊之螺旋軌道上 照射雷射光。 再者，爲了藉由照射雷射光而形成掘入部27，例如亦可 以一步法（oneshot)照射雷射光，而不使光軸配合單元30之 中心32旋轉。然而’以一步法形成掘入部27之情況，與 -18- .201005428 在旋轉軌道或螺旋螺道上形成掘入部27之情況相比’掘入 部27之最深部分變寬，成爲接近U字狀的形狀。 此處，就使用玻璃基板12所製造的空白光罩10及光罩 50之結構進行說明。第5圖係表示空白光罩10及光罩50 之結構之一例。第5A圖係表示使用玻璃基板12所製造的 空白光罩10之結構之—例。在本例中，空白光罩10具有 玻璃基板12、光罩圖案用薄膜14及光阻膜16。光罩圖案 用薄膜14係在光罩之製造步驟中被圖案化之薄膜，形成於 玻璃基板12上。此外，光阻膜16係使用於光罩圖案用薄 膜14圖案化之光阻膜，形成於光罩圖案用薄膜14上。依 據本例，例如可適當製造滿足製造短曝光波長之曝光光用 光罩50之情況所要求之品質的空白光罩10。 第5B圖係表示使用空白光罩10所製造的光罩50之結構 之一例。在光罩50方面，光罩圖案用薄膜14係由微影製 程所圖案化。此外，空白光罩10之光阻膜16在圖案化後 9 被去除。依據本例，例如可適當製造適合200nm以下之短 曝光波長之曝光光使用的光罩50。此外，可適當製造在以 極遠紫外光（£\“6!1^1]11^乂丨〇41:以下稱爲丑1^光）爲光源 之反射系微影法所使用的EUV曝光用反射型光罩。 以下，藉由實施例及比較例，更詳細地說明本發明。 (實施例1) 除了爲形成指標1 8而進行雷射照射步驟以外，與眾所周 知的空白光罩用基板之製法同一或同樣地製造了實施例1 -19- 201005428 之玻璃基板12。又，在本實施例中，例如與眾所周知的端 面硏磨步驟同一或同樣地進行了將玻璃基板12之端面硏 磨成預定表面粗糙度的端面硏磨步驟。此外，雷射照射步 驟比端面硏磨步驟先進行。因此，在端面硏磨步驟中，將 藉由照射雷射光而形成有凹部20的端面硏磨成預定的表 面粗糙度。 此外’在本實施例中，雷射照射步驟係以如下的方式進 A 行：與使用第4圖說明的方法同一或同樣地調整雷射指標 ❹ 裝置之照射強度等，並照射具有只使玻璃基板熔化或昇華 的能量之有效區域的光徑爲0.08mm的二氧化碳雷射。作爲 指標18，形成有區塊尺寸爲3mmx3mm的資料矩陣。在資 料矩陣方面，符號尺寸設爲12xl2(固定：10位數）。此情況， 單元尺寸成爲0.25mm。 此外，雷射指標裝置之雷射功率、掃描速度等各種設定 適當調整成指標18之凹部20的形狀成爲使用第2圖及第3 〇 圖說明的較佳形狀（調整成掘入部27之軌道彼此一部分重 疊）。 其結果，在實施例1中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外’構成指標18 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲90〜120//m(平均105 从m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲145/zm。此外，凹部20之深度D成爲25〜40/zm(平 均 3 1 μ m)。 -20- 201005428 (實施例2) 除了以雷射光之光徑爲〇.〇6mm以外，與實施例1同樣地 製造了實施例2之玻璃基板12。在實施例2中’亦與實施 例1同樣，凹部20成爲俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之 孔。此外，凹部20之邊緣部之直徑L1、深度D亦成爲與 實施例1大致同樣範圍內者。 (實施例3) _ 除了以凹部20之邊緣部彼此之平均間隔成爲100//m的 〇 方式調整其他各條件（將雷射指標裝置調整成將雷射光之 光徑調整爲o.lmm，雷射功率、掃描速度等各種設定亦調 整爲凹部20成爲如第3B圖所示之較佳形狀等。）以外，與 實施例1同樣地製造了實施例3之玻璃基板12。 其結果，在實施例3中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲145〜155从m(平均150 〇 μ m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲100/zm。此外，凹部20之深度D成爲25〜40/zm(平 均 29 /z m)。 (實施例4) 除了以凹部20之邊緣部彼此之間隔爲約50/zm且不低於 該値的方式調整其他各條件（將雷射指標裝置調整成將雷 射光之光徑調整爲〇.15mm，雷射功率、掃描速度等各種設 定亦調整爲凹部20成爲如第3B圖所示之較佳形狀等。） -21- 201005428 以外，與實施例1同樣地製造了實施例4之玻璃基板12° 其結果，在實施例4中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲188〜200y m(平均195 从m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲52ym。此外，凹部20之深度D成爲25〜40//m(平均 3 1 仁 m)。 @ (比較例1) 除了以凹部20間之間隔成爲約40# m的方式調整其他各 條件以外，與實施例1同樣地製造了比較例1之玻璃基板 12。在比較例1中，各個凹部20的形狀本身與實施例1同 樣。 其結果，在比較例1中，凹部20成爲如第3B圖所示的 剖面略呈V字形的略呈圓形之孔。此外，構成指標18之各 凹部20之邊緣部之直徑L1成爲200〜215/zm (平均210从m) ® 之範圍之値。此情況，凹部20間之平均間隔爲43从m。此 外，凹部20之深度D成爲25〜40/zm(平均31#m)。 (實施例5.) 在雷射照射步驟中，以與使用第4圖說明的方法同一或 同樣地調整雷射指標裝置之照射強度等，並照射光徑爲 0.0 5 mm的二氧化碳雷射的方式，形成凹部20。此時，以邊 緣部之直徑L1爲約80μιη且不低於該値的方式形成凹部 20。作爲指標18，形成有區塊尺寸爲1.68mmxl.68mm的資 -22- 201005428 料矩陣。在資料矩陣方面，符號尺寸設爲12xl2(固定：l〇 位數）。此情況，單元尺寸成爲0.14mm。 此外，雷射指標裝置之雷射功率、掃描速度等各種設定 適當調整成指標18之凹部20的形狀成爲使用第2圖及第3 圖說明的較佳形狀。 其結果，在實施例5中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 0 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲80〜85ym(平均81/zm) 之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間隔爲 60//m。此外，凹部20之深度D成爲25〜40 μ m(平均29 从m)。 (比較例2) 除了以凹部20之邊緣部之直徑L1成爲約70/zm的方式 調整其他各條件以外，與實施例5同樣地製造了比較例2 之玻璃基板。在比較例2中，各個凹部20的形狀本身與實 © 施例5同樣。 其結果，在比較例2中，凹部20成爲如第3B圖所示的 剖面略呈V字形的略呈圓形之孔。此外，構成指標18之各 凹部20之邊緣部之直徑L1成爲70〜75#m(平均72/zm) 之範圍之値。此情況，凹部20間之平均間隔爲70 μ m。此 外，凹部20之深度D成爲25〜40/zm(平均31/im)。 (實施例6) 在雷射照射步驟中，以與使用第4圖說明的方法同一或 -23- 201005428 同樣地調整雷射指標裝置之照射強度等，並照射光徑爲 0.2mm的二氧化碳雷射的方式，形成凹部20。此時，以邊 緣部之直徑L1爲約25 0//m且不超過該値的方式形成凹部 20。作爲指標18，形成有區塊尺寸爲3.6mmx3.6 mm的資料 矩陣。在資料矩陣方面，符號尺寸設爲12x1 2(固定：10位 數）。此情況，單元尺寸成爲〇.3mm。 此外，雷射指標裝置之雷射功率、掃描速度等各種設定 @ 適當調整成指標18之凹部20的形狀成爲使用第2圖及第3 圖說明的較佳形狀。 其結果，在實施例6中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲240〜25 0从m(平均24 8 M m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲52/zm。此外，凹部20之深度D成爲25〜40#m(平均 3 2 a m)。 © (實施例7) 除了以凹部20之深度D之平均成爲20^m的方式調整其 他各條件以外，與實施例1同樣地製造了實施例7之玻璃 基板12。 其結果，在實施例7中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲90〜110/zm(平均100 # m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 -24- 201005428 隔爲145/zm。此外，凹部20之深度D成爲17〜23#m (平 均21从m)。 (實施例8) 除了以凹部20之深度D之平均成爲10"m的方式調整其 他各條件以外，與實施例1同樣地製造了實施例8之玻璃 基板12。 其結果，在實施例8中，凹部20成爲如第3B圖所示的 I 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 ❹ 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲90〜110仁m (平均100 // m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲145ym。此外，凹部20之深度D成爲8〜12/zm(平均 1 0 " m )。 (實施例9) 除了以凹部20之深度D爲約4μιη且不低於該値的方式 調整其他各條件以外，與實施例1同樣地製造了實施例9 〇 之玻璃基板12 » 其結果，在實施例9中，凹部20成爲如第3Β圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標1 8 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲90〜llOym(平均100 // m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲145仁m。此外，凹部20之深度D成爲4〜6// m(平均 4.3 /z m)。 (比較例3) -25- 201005428 除了以凹部20之深度D之平均成爲3/zm的方式調整其 他各條件以外，與實施例1同樣地製造了比較例3之玻璃 基板12。 其結果，在比較例3中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲90〜110/zm (平均1〇〇 in)之範圍之値》此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 ▲ 隔爲145#m。此外，凹部20之深度D成爲3〜4/zm(平均 〇 3 .1 /z m)。 (實施例10) 除了以凹部20之深度D爲約50am且不超過該値的方式 調整其他各條件以外，與實施例1同樣地製造了實施例10 之玻璃基板1 2。 其結果，在實施例10中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標i 8 〇 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲90〜110/zm (平均100 //m)之範圍之値。此情況’凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲145 gm。此外，凹部20之深度D成爲45〜50// m(平 均 49 // m)。 (比較例4) 除了以凹部20之深度D之平均成爲55/z m的方式調整其 他各條件以外’與實施例1同樣地製造了比較例4之玻璃 基板12 » -26- 201005428 其結果，在比較例4中，凹部20成爲如第3B圖所示的 俯視略呈圓形，剖面略呈V字形之孔。此外，構成指標18 之各凹部20之邊緣部之直徑L1成爲90〜UOvm (平均100 β m)之範圍之値。此情況，凹部20之邊緣部彼此之平均間 隔爲145；am。此外，凹部20之深度D成爲53〜58vm(平 均 5 6 β m)。 (評估） ^ 對於實施例1〜10及比較例1〜4，將各個玻璃基板12
W 製造100片，根據用於製造ArF準分子雷射（波長193nm) 曝光用光罩之情況所需的基準，進行了包含指標18內有無 破裂或碎片等缺陷之基板檢查。此外，亦實施了指標讀取 機之指標讀取檢査。在實施例1〜10方面，檢査結果爲全 數合格。然而，在比較例1方面，一部分（15片）的玻璃基 板12不合格。此被認爲是因爲在比較例1方面，由於凹部 20之邊緣部間之間隔爲40 // m，較窄，所以例如因端面硏 〇 磨步驟的衝擊等而產生破裂或碎片。 此外，在比較例2方面，一部分（30片）的玻璃基板12在 指標讀取檢査不合格。此被認爲是因爲凹部20之邊緣部之 直徑L1平均爲72 em，較小，指標18之凹部20與其以外 的部分之間的對比不足，產生以指標讀取機無法認識凹部 20的部分。 在比較例3方面，半數程度的玻璃基板12在指標讀取檢 査不合格。此被認爲是因爲凹部20之深度D之平均爲3.1 -27- 201005428 #m，較淺，指標18之凹部20與其以外的部分之間的對 不足，經常產生以指標讀取機無法認識凹部20的部分。 在比較例4方面，一部分（8片）的玻璃基板12在基板 查不合格。此被認爲是起因於凹部20之深度D之平均 56/zm，較深，凹部20形成時（雷射照射步驟或其後之端 硏磨步驟等）等之起塵附著於凹部20內，以清洗步驟去 不了。 ^ (參考例1、2) 除了以雷射光之光徑爲0.04mm以外，與實施例1同樣 以形成之凹部20之邊緣部之直徑爲100/zm，並且以該 成之凹部20之中心爲軸，使雷射光僅1周在旋轉軌道上 動，製造了參考例1的玻璃基板12。此外，除了以同雷 光之轉印線寬爲0.04mm，並且以雷射光之軌道彼此一部 重叠的方式在螺旋軌道上移動以外，按照與實施例1同 的條件，製造了參考例2的玻璃基板1 2。 Ο 在參考例1方面，由於雷射光之光徑爲形成之凹部20 寬度一半以下，所以若是僅1周之旋轉軌道之移動，則 道彼此不重疊，不將凹部20之中心部分充分掘入，凹部 成爲剖面略呈W字形之孔，而不成爲剖面略呈V字形 孔。因此，不能適當地形成使用第2圖及第3圖說明之 佳形狀的凹部20。 相對於此，在參考例2方面，由於即使雷射光之光徑 形成之凹部20之寬度一半以下，亦以雷射光之軌道彼此 比. 檢 爲 面 除 地 形 移 射 分 樣 之 軌 20 之 較 爲 -28- 201005428 部分重疊的方式使其在螺旋軌道上移動，所以將凹部20之 中心部分充分掘入，凹部20成爲剖面略呈V字形之孔。因 此，可適當地形成使用第2圖及第3圖說明之較佳形狀的 凹部20。 以上，就本發明使用實施形態進行了說明，但本發明之 技術範圍並不限定於上述實施形態中所記載之範圍。上述 實施形態中可加入各種變更或改良，對熟悉本技術者而言 ^ 是很清楚的。由申請專利範圍之記載可理解，加入有此種 〇 變更或改良之形態亦可包含於本發明之技術範圍中。 【圖式簡單說明】 第1A圖係表示本發明一實施形態之玻璃基板12之結構 一例之側面圖。 第1B圖係表示指標18之詳細結構之一例。 第2A圖係表示形成指標18之玻璃基板12之端面22之 形狀。 ❹ 第2B圖係表示在雷射照射步驟所形成之掘入部27之形 狀之一例。 第2C圖係表示端面硏磨步驟後之凹部20之形狀之一例。 第3A圖係表示指標18 —部分之上面圖，並表示鄰接2 個凹部20之排列。 第3B圖係表示指標18 —部分之剖面圖，並表示鄰接2 個凹部20之排列。 第4A圖係表示雷射光照射方法之一例。 -29- 201005428 第4B圖係表示轉印線寬較小之情況所形成之凹部20之 剖面形狀之一例。 第5A圖係表示使用玻璃基板12所製造的空白光罩10之 結構之一例。 第5B圖係表示使用空白光罩10所製造的光罩50之結構 之一例。 【主要元件符號說明】 10 空白光罩 12 玻璃基板 14 光罩圖案用薄膜 16 光阻膜 18 指標 20 凹部 22 端面 2 4 側面 © 26 倒角面 27 掘入部 28 凸起部 30 單元 32 單元30之中心 50 光罩 102 箭頭 104a〜104d 箭頭 -30- 201005428 LI 凹部 20之邊緣部之直徑 L2 凹部 20間之距離 D 凹部 20之深度
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