JP2005070490A - 識別票つきのフォトマスク基板及びフォトマスク及びその識別方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フォトマスクの製造管理を行うために、処理過程及びマスクの品質に影響を与えることなく、フォトマスク基板に短時間で直接加工を行うことができ、作製した視認性の高い識別票つきのフォトマスク基板及びフォトマスクと、そこに書きこんだ情報を効率的に識別する方法を提供すること。
【解決手段】フォトマスクを製造する工程内で、フォトマスク基板の識別及び管理等に用いる情報パターンからなる識別票を有するフォトマスク基板において、前記識別票が、フォトマスク基板の表面以外の内部領域に、超短パルスレーザの二光束干渉露光を用いた直接加工により、回折格子からなる識別票の書き込みをおこなった識別票つきのフォトマスク基板。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体の処理過程中のフォトリソグラフィー工程で使用される露光転写用のフォトマスクを製造するための識別票つきのフォトマスク基板及びフォトマスク及びその識別方法に関する。

フォトマスクでは、遮光膜の製膜処理、レジストによるパターニング処理、遮光膜のエッチング及びレジスト剥離処理といった処理過程によって製造されている。近年、半導体装置を製造する処理過程には多数のフォトマスクが用いられ、フォトマスクそれぞれによって要求される条件等には多くの種類がある。よってフォトマスクの製造においては多種多様で大量の商品を管理する必要がる。

フォトマスクに要求される条件が、製品により異なるため材料であるフォトマスク用のフォトマスク基板（以下基板と記す）の種類及び要求される処理過程の情報等と多岐にわたるが、その管理方法は一般に基板のコーナーカットと、基板を保管する収納ケースへの処理過程の情報等からなる指示書の添付によって行われている。前記コーナーカットは、基板の角を研磨して基板の材料の種類及び基板の表裏を一目で判別できるように区別するためにつけられている。しかし近年、たった４つの角のコーナーカットの組み合わせ（最大でも６通り）では、基板の種類の増加に対応することは難しく、かつ情報の種類でも困難となる問題がある。

前記指示書は、処理過程中で基板を保管する収納ケースに添付されていて、処理過程中で基板の識別、処理過程の処理条件等の管理に用いられている。しかし指示書は、自体が発塵源となる恐れがあり、また指示書と基板とを一対一で管理する必要性があるため多くの処理を経る処理過程でこれらを他の指示書と取り違えてしまい、間違った条件でフォトマスクを作製してしまう危険性がある。そういった不具合を改善するためには基板自身に識別しやすい、多くの情報を持たせることが必要であった。

そのため従来の技術では、マスクパターンの描画時に一緒に基板の種類及び情報等を書きこみが行われ、通常、最終的に遮光膜に種類及び情報を付与する方法が現在使われている。しかし前記の処理過程中では、遮光膜がエッチングされるまでその情報を視認することができないのでフォトマスク製造の処理工程の管理には向いていない。また、フォトマスク基板の周縁部等にレーザマーカーによる表面加工やパターニング処理した遮光膜を付けることによって情報を添付することも提案されている。しかし基板の表面に凹凸をつくることにより加工処理による発塵だけでなく、それ以降の処理過程のレジスト塗布処理などにおいて未処理の面に比べて汚れがたまりやすくなることが考えられる。また、パターニング処理した遮光膜等、他の材料をつけることによりエッチングなどの処理過程でコンタミを生じる恐れもある。よってこういった方法ではフォトマスク製造の処理過程に悪影響を及ぼしてしまうことが考えられる。

そこでフォトマスク基板自身に処理過程に影響することなく工程管理が可能となる識別票をつける必要があった。

一方、超短パルスレーザ光を用いた透明材料内部領域の加工が研究されている。パルス幅がフェムト秒オーダーと非常に短いレーザパルスを前記透明材料内部領域に集光照射することにより前記透明材料表面に影響を与えることなくレーザが集光された内部領域にのみ直接加工を行うことができる。また、その直接加工は、熱的なものでなく、直接材料の
構造変化を誘起することによるので照射部位にのみ非常に精度の高い加工を行うことができる。こういった直接加工方法は、超短パルスレーザを用いることではじめて、可能になったものである。この技術を生かして薄いガラスの基板の内部にマーキングを行う方法が多く示されている。例えば、特許文献１等には、パルス幅１００フェムト秒（ｆｓ）のレーザと開口比０．２８のレンズを組み合わせてソーダライムガラスの基板に１０００パルスの多重露光で線状のマークパターンを書きこむ方法が示されている。

しかし、実際に１００ｆｓ程度の超短パルスレーザを用いた直接加工では、極短時間にエネルギーが集中するために試料の入射面がダメージを受けやすい。よって対物レンズの焦点近傍での性能などを用いて、入射面では低いエネルギーの光を内部で急峻に集光する必要がある。そのため内部領域での直接加工の可能領域は、レンズのワーキングディスタンスの深さ（前記対物レンズの焦点深度の範囲の近傍）までに限られ、かつエネルギーが低いので一箇所の加工に多重露光が必要となり時間がかかるものであった。

前記方法以外にも多く示されているフェムト秒レーザの一光束による単純な集光照射方法を用いてマーキングを行う場合、一箇所の直接加工では視認性が悪く、複数個の加工部位をまとめて一つのパターンとする必要がある。また、より大きな加工範囲では、クラックを発生させずに行うために一箇所の加工に対して弱いエネルギーの多重露光が必要であった。そういった面でこの方法は加工時間の面で効率と、その視認性が悪いものであった。

今までも一光束の多重露光による加工部位を周期的に並べることによりグレーティング構造を書きこむことはできたが、基板内部にクラックを発生させないために加工部位間の距離を数十μｍ程度離す必要があったので、より微細化の要望のグレーティング構造に対応するほどのピッチ幅が狭く、より回折効率の高いグレーティング構造を書きこむことはできなかった。また、構造の精度は試料ステージの精度に依存し、加工を繰り返して回折格子が得られる程度の周期構造数を得るためには膨大な時間がかかるものであった。

次に、基板に添付された情報の読み取り方法としては、特許文献２等に開示され、マスク表面に書きこまれた遮光膜と基板のコントラストによるバーコードパターン等について遮光膜からの反射を利用した読み取り方法がある。また、特許文献３等には、ＣＣＤカメラを用いて二次元の明視野像として情報を読み取る方法が示されている。しかし、通常の一光束による方法で内部に書きこまれた識別票では、基材の局所的な屈折率変化によるものであるため、明確な反射又は透過像は得られない。また、像は微小なドットの集合で作られているが、基板内部のクラックの発生を防ぐため、また加工時間が膨大にかかるためにドットを高密度に書きこむことはできない。そのために前記ドットは、遮光膜対ガラスと同程度のコントラスト比を得て二次元画像を処理することは難しい。

以下に公知文献を示す。
特開平１１−２６７８６１号公報 特開平２−１２５６０５号公報 特開２０００−９９６１９号公報

本発明の課題は、フォトマスクの製造管理を行うために、処理過程及びマスクの品質に影響を与えることなく、フォトマスク基板に短時間で直接加工を行うことができ、作製し
た視認性の高い識別票つきのフォトマスク基板及びフォトマスクと、そこに書きこんだ情報を効率的に識別する方法を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に係る発明は、フォトマスクを製造する工程内で、フォトマスク基板の識別及び管理等に用いる情報パターンからなる識別票を有するフォトマスク基板において、前記識別票が、フォトマスク基板の表面以外の内部領域に直接加工により回折格子の書き込みをおこなったことを特徴とする識別票つきのフォトマスク基板である。

本発明の請求項２に係る発明は、前記直接加工が、超短パルスレーザの二光束干渉露光を用い、回折格子からなる識別票の書き込みをおこなったことを特徴とする請求項１記載の識別票つきのフォトマスク基板である。

本発明の請求項３に係る発明は、フォトマスク基板にマスクパターンを形成したフォトマスクにおいて、前記識別票つきのフォトマスク基板を用いたことを特徴とする請求項１、又は２記載の識別票つきのフォトマスク基板を用いたフォトマスクである。

本発明のフォトマスク基板は、超短パルスレーザによって直接加工を行ったことを特徴とするものである。基板に対して大気中で直接加工を行うため、マーキングのための特別な処理過程、処理環境を一切必要としない。また、マーキングを行うタイミングも基板用の基材の研磨後であればその後の処理過程中でいつでも行うことができ、追加工も可能である。

また、上記において透明な基板内部に屈折率変化領域を局所的に作ることにより識別票とすることを特徴とするものである。一般的な表面加工においては微細な破片等が発生し、これが発塵源となるために新たに洗浄が必要であったり、基板表面の形状が変化することで基板の表面積が増大し汚れがたまりやすいなど処理過程に不具合を生じる恐れがあった。これに対して本発明の方法では、透明な基板の内部にのみ識別票を書きこむため、この加工において基板表面は一切影響を受けない。また、基板表面の再研磨、表層のエッチングなどの処理過程を経ても書きこまれた情報は半永久的に保存される。

本発明の請求項４に係る発明は、フォトマスクを製造する工程内で、識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクから識別票を視認して、フォトマスク基板又はフォトマスクの識別及び管理等に用いる識別票の識別方法において、内部領域に書き込こまれた回折格子の識別票の識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の視認性をいかして識別することを特徴とする識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法である。

本発明の請求項５に係る発明は、前記識別方法が、照明光ビームを照射して、散乱及び回折格子の屈折率変化による透過光の強度から画像処理のパターン、又は目視のパターンとして、フォトマスク基板又はフォトマスクの表面、裏面、側端面のいずれかの一つの面より視認性をいかして識別することを特徴とする請求項４記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法である。

本発明の請求項６に係る発明は、前記回折格子の識別票の識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の光回折能をいかして回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項４記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法である。

本発明の請求項７に係る発明は、前記識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子
の光回折能で、回折する透過光の強度の変化を２値化処理により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法である。

本発明の請求項８に係る発明は、前記識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の光回折能で、特定の角度方向に回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法である。

本発明の請求項９に係る発明は、前記識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の光回折能で、一つの方向に回折する透過光と、それ以外の一つの方向との２方向に回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法である。

本発明の請求項１０に係る発明は、前記識別方法が、照明光ビームの入射角度又は／及びその波長を変化させた照明光ビームを照射することにより、回折格子の光回折能で、該回折格子のピッチ幅により変化する回折特性の差違を回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法である。

また、書きこみでは、レーザを基板内部に集光照射した面に対して平行方向に集光部を走査し、この面に識別可能な像の書き込みを行うことに加え、前記平行方向の面に対して垂直方向に集光部を走査し、この面に識別可能な像の書き込みを行えることを特徴とする。すなわち、基板表面と平行する前記平行面と、垂直方向（深さ方向）の垂直面に識別可能な像の書き込みを行えることである。これらを組み合わせて基板の内部領域で、且つ回路パターン領域外の意図した場所に３次元的に識別表を書きこむことができるため、基板のいかなる面からも書きこみを行い、情報を読み取ることが可能となる。

本発明における識別票は、フェムト秒レーザパルスの二光束干渉露光を用いた回折格子であることを特徴とする。単純な一光束の多重露光によってつくられる構造と異なり、たった１パルスの照射で１箇所に視認性が高い構造を書きこむことがで、多重露光が不要となり直接加工の時間が大幅に短縮される。また、その透過、反射の回折光をいかして光学的に書きこまれた情報を読み取ることもできる。

本発明で示したフォトマスク基板は超短パルスレーザを用いて基板内部の３次元的に意図した場所へ直接書きこまれた識別票を有する。またこの識別票は二光束干渉露光による体積型の回折格子であるため、一光束による加工に比べ視認性が高く、基板のいかなる面からも目視だけでなく光学的な方法で識別可能である。また、１パルスの照射のみで周期構造を加工できるため、効率も良い。よってマスク製造の処理過程においてパーティクル、コンタミ等の影響を及ぼすことなく、効率的な基板管理を行うことができる効果を奏する。

本発明について図面を参照して説明する。図１には、本方法で用いる二光束干渉法による透明材料内部への回折格子の書きこみについて示す。１光束のレーザ光を一旦２つの光路にわけたフェムト秒レーザ２を、レンズ等３を用いて透明材料内部の一点に集光する。このとき２つののパルスが時間的にも、空間的にも一致することでパルス同士を干渉させ、内部の集光点に回折格子４を書き込むことができる。このとき試料の表面のレーザ入射面Ａには加工による影響を与えることはない。

本方法における加工に用いるレーザの波長は、未集光時に照射される材料を透過することのできる波長である必要がある。また、内部のみに加工を行うために、試料表面では加工閾値以下のエネルギー密度であり、集光することにより焦点付近で空間的なエネルギー密度を高めてはじめて、材料の加工閾値を超えるようにレーザの強度を調整して行う。

また、レーザのパルス幅は１００ｆｓのパルスをチャープさせて時間幅を広げて用いる。パルス幅が短いほどクラック等の発生する可能性が少なく、低いパワーで加工を行うことができる。しかし尖頭値が高いので入射表面でのダメージを避けるために対物レンズ等で急峻に集光を行う必要がある。この場合集光点が可変する深度範囲であるワーキングディスタンスが短くなるため、試料内部の深くに集光し加工を行うことはできない。パルス幅を広げることにより、焦点距離５０ｍｍ以上の凸レンズを用いてワーキングディスタンスを拡大し深くに加工することも可能となるので、加工条件によって調整を行う。

以上に示した方法で透明材料の内部に回折格子を書きこむことができる。１パルスの照射で書きこめる回折格子の大きさは直径約２０μｍ程度である。これは照射するレーザの強度等によって変化させることができる。ビームスポット中に形成される回折格子のピッチ幅は光源波長、試料中の二光束の交差角度といった干渉条件によって可変であり最小のものでは光源波長の回折限界に近い微細な周期性も得られる。例えば波長８００ｎｍのレーザを光源として用い、試料中に二光束を６０度の角度で交差させ、回折格子を書きこんだ場合、ピッチ幅８００ｎｍの周期性を持つ回折格子を書きこむことができる。

書きこまれた回折格子はたった１箇所であっても同サイズの一光束の集光による加工部位よりも視認性が高い。これは通常の方法が加工部位によって光を散乱させて識別を行うのに対して、本方法では、加工部位による散乱に加えて、スポット中につくられた回折格子の数百ｎｍ〜数μｍの周期的な構造による光の回折を認識することができるためである。加工においては１個所のみによるマーキングだけでなく、ごく近くに配列させた数個のパターンをまとめて一つの記号とすることもできる。

この場合、図２に示すように入射面Ａと平行に、例えば図面左側より右方向に集光点を走査し直接加工を行い、複数個の回折格子を加工する。図２では、基板のレーザ入射面Ａよりレンズ等２により試料中で二光束を別の角度で交差させ、図面上下方向の深さは変えずに、図面左側より右方向及び手前より奥に集光点を走査し、連続して回折格子４を書きこんでいる。

図３は、図２の回折格子を説明する図で、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は、Ｘ−Ｘ面の側断面であり、（ｃ）は、Ｙ−Ｙ面の側断面である。図３（ａ）では、基板の表面、すなわち、ビーム入射面Ａより見た平面図である。（ｂ）では、Ｘ−Ｘ面での側断面図、すなわち、ビーム入射面Ａを走査する方向に平行する面Ｂより見た側断面図で、回折格子の周期方向が判別できる。（ｃ）では、Ｙ―Ｙ面での側断面図、すなわち、ビーム入射面Ａを走査する方向に直交する面Ｃより見た側断面図であり、周期的な層状構造となっており、回折格子の周期方向が判別できない。また、１つの深さの集光点であり、走査方向は基板表面と平行する方向のみである。

またそれに加えて図４に示すように入射面の深さ方向に集光部を走査し、入射面に対して垂直な面Ｂから情報を識別することができる。よって識別票の書きこみをフォトマスク基板に行う場合、書きこみは遮光膜製膜前の膜面、その裏面からだけでなく、製膜前後に関わらず、端面からも行うことができる。

また、図５は、図４の回折格子を説明する図で、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は、Ｘ−Ｘ面の側断面であり、（ｃ）は、Ｙ−Ｙ面の側断面である。図５（ａ）では、基板の表
面、すなわち、ビーム入射面Ａより見た平面図である。（ｂ）では、Ｘ−Ｘ面での側断面図、すなわち、ビーム入射面Ａを走査する方向に平行する面Ｂより見た側断面図で、回折格子の周期方向が判別できる。垂直方向に走査したため、深さ方向に三段階の集光点がある。（ｃ）では、Ｙ―Ｙ面での側断面図、すなわち、ビーム入射面Ａを走査する方向に直交する面Ｃより見た側断面図で、周期的な層状構造となっており、回折格子の周期方向が判別できない。３つの深さの集光点であり、走査方向は基板表面と平行する方向及び垂直する方向とに加工されている。

図１、２、３、４、５に示した材料加工をフォトマスクに適用したときの、その情報の識別方法を説明する。また、その識別方法については、下記の表１にまとめる。

１箇所に書きこまれたマーキング、または数カ所のパターンをまとめてガラス基板の内部に書きこまれた文字・記号はその屈折率変化領域を像として基板の面、端面から目視またはＣＣＤカメラ等の画像認識によって識別可能である（表１参照）。

また、図６に示すように超短パルスレーザにより加工された領域は入射した照明光５を回折、散乱するため未加工域に比べて透過光（０次回折光）の強度が下がる。未加工域を透過するレーザ透過光のスポット７と、加工域の散乱されたレーザ光スポット８とは、スクリーン６０により識別される。この強度差を０／１の情報として利用し、内部に書きこんだバーコード、エリアコードなどを光学的に識別することが可能である。

また、単純な屈折率変化としてだけではなく、回折格子の回折能をいかして光学的に書きこんだ情報を読み取ることもできる。図７に示すように回折格子部分を照射したときのみ、特定の角度に出射する照明光の回折光１１を利用して光学的に書きこまれた情報を識別することも可能である。図７（ａ）では、基板１の未加工域を透過するレーザ透過光スポット７が受光部６で識別されない。（ｂ）では、回折格子に回折され、レーザ回折光１１が受光部６で識別される。

また、１パルスで書きこまれる回折格子の周期方向は一次元的なものである。図８に示すように加工時に試料を９０度反時計方向に回転させて書きこまれ、回折格子の周期方向を変化させることで回折光が強く生じる方向を変化させることができる。また、このとき試料を回転させて同じ部分に二重露光することで格子状の二次元的な周期構造を書きこむこともできる。このときは回折光が生じる方向を二次元方向に広げることができる。図８（ａ）では、加工域に入射したレーザ照明光について透過光のスポット７、回折光のスポット１１とともに同一面のスクリーン６０で識別される。図８（ｂ）は、回折格子の周期方向が９０度回転することで同じ方向から入射したレーザ照明光について透過光のスポット７は前記（ａ）と同様にスクリーン６０で識別されが、回折光のスポット１１は別のスクリーン６１で識別される。

また、回折格子の書き込みにおいてはその周期方向のピッチ幅を変化させて書きこむこともできる。この場合、図９に示すように書きこんだ回折格子のピッチ幅によって回折光が強く現れる場所が異なる等の回折特性に差違が識別される。更に、照明光の入射角度または照明光の波長を変化させることにより、この特徴をいかしてさらに多くの多次元的な情報を書きこみ、基板管理に利用できる可能性もある。図９（ａ）と（ｂ）では、ピッチ幅の異なる２つの回折格子に、レーザ照明光１２，１３と入射角を変化させて照射した場合、スクリーン６０により識別されるレーザ回折光のスポット１１の差違を示している。前記差違を回折特性とした。

本発明で用いたフォトマスク基板内部への超短パルスレーザによる回折格子の書きこみ方法の説明図。 本発明のレーザ集光部を入射面に対して平行に走査してレーザ入射面または裏面から認識可能な識別票を書き込む方法の説明図。 本発明の図２の識別票を説明図面であり、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、Ｘ―Ｘ面の側断面図、（ｃ）は、Ｙ―Ｙ面の側断面図。 本発明のレーザ集光部を入射面に対して垂直に走査して入射面に直行する面から認識可能な識別票を書き込む方法の説明図。 本発明の図４の識別票を説明図面であり、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、Ｘ―Ｘ面の側断面図、（ｃ）は、Ｙ―Ｙ面の側断面図。 本発明の加工を行った部分と未加工の部分における照明光の透過強度の違いを示す識別方法の説明図。 本発明の回折格子を書きこんだ部分と未加工の部分における照明光の回折特性の違いを示す識別方法の説明図。 本発明の回折格子のピッチ方向の違いにより基板に同方向から入射した光の回折方向が異なることを示す識別方法の説明図。 本発明の回折格子のピッチ幅の違いにより回折が起こる同波長の光の入射角度が異なることを示す識別方法の説明図。

符号の説明

１…（ガラスの）基板
２…フェムト秒レーザ
３…レンズ等
４…基板内部に書きこまれた回折格子
５…照明光のレーザ
６…受光部
７…レーザ透過光のスポット
８…散乱されたレーザ光のスポット
９…照明光ビームの入射方向
１０…ガラス内部に書きこまれた回折格子の拡大イメージ
１１…レーザ回折光のスポット
１２…試料に対して角度を持って入射したレーザ照明光（入射角度小）
１３…試料に対して角度を持って入射したレーザ照明光（入射角度大）
１４…ガラス基板内部に書きこまれた回折格子（ピッチ幅広）
１５…ガラス基板内部に書きこまれた回折格子（ピッチ幅狭）
３０…ビームスプリッター等
３１…ミラー等
６０…スクリーン
Ａ…フェムト秒レーザの入射面Ａ
Ｂ…入射面Ａに直行する面Ｂ
Ｃ…入射面Ａと面Ｂに直行する面Ｃ

Claims (10)

1. フォトマスクを製造する工程内で、フォトマスク基板の識別及び管理等に用いる情報パターンからなる識別票を有するフォトマスク基板において、前記識別票が、フォトマスク基板の表面以外の内部領域に直接加工により回折格子の書き込みをおこなったことを特徴とする識別票つきのフォトマスク基板。
2. 前記直接加工が、超短パルスレーザの二光束干渉露光を用い、回折格子からなる識別票の書き込みをおこなったことを特徴とする請求項１記載の識別票つきのフォトマスク基板。
3. フォトマスク基板にマスクパターンを形成したフォトマスクにおいて、前記識別票つきのフォトマスク基板を用いたことを特徴とする請求項１、又は２記載の識別票つきのフォトマスク基板を用いたフォトマスク。
4. フォトマスクを製造する工程内で、識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクから識別票を視認して、フォトマスク基板又はフォトマスクの識別及び管理等に用いる識別票の識別方法において、内部領域に書き込こまれた回折格子の識別票の識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の視認性をいかして識別することを特徴とする識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法。
5. 前記識別方法が、照明光ビームを照射して、散乱及び回折格子の屈折率変化による透過光の強度から画像処理のパターン、又は目視のパターンとして、フォトマスク基板又はフォトマスクの表面、裏面、側端面のいずれかの一つの面より視認性をいかして識別することを特徴とする請求項４記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法。
6. 前記回折格子の識別票の識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の光回折能をいかして回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項４記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法。
7. 前記識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の光回折能で、回折する透過光の強度の変化を２値化処理により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法。
8. 前記識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の光回折能で、特定の角度方向に回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法。
9. 前記識別方法が、照明光ビームを照射して、回折格子の光回折能で、一つの方向に回折する透過光と、それ以外の一つの方向との２方向に回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法。
10. 前記識別方法が、照明光ビームの入射角度又は／及びその波長を変化させた照明光ビームを照射することにより、回折格子の光回折能で、該回折格子のピッチ幅により変化する回折特性の差違を回折する透過光により光学的に識別することを特徴とする請求項６記載の識別票つきのフォトマスク基板又はフォトマスクの識別方法。

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