TW200920203A - Process for producing printed wiring board and printed wiring board produced by the production process - Google Patents

Description

200920203 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於作為TAB膠帶、C0F膠帶等電子零件之原材料 ' 的印刷佈線基板之製造方法及藉由該製造方法所得之印刷佈 • 線基板；更詳細言之，係關於對2層軟式基板，藉由實施既定 的餘刻’利用便宜且簡單之步驟’可在不致發生銅層之邊側钱 刻（side etching)之下除去佈線間之殘留金屬，可形成即使是 Ο微細佈線加工品亦有充分之絕緣可靠性的圖案之印刷佈線基 板之製造方法，及藉由該製造方法所得到之印刷佈線基板。土 【先前技術】 通常，用以製作軟式佈線板所用之基板，可大致分為在絕緣 體膜上用接合綱合作為導體狀㈣的3層軟式基板(例如 …專散獻1)、與在魏緣_上不用接合劑而藉由乾式

、邊法或屬式職法直接形成作成為導體層之銅被覆層之2 層軟式基板。 4 Λ ^子器材之高密度化，亦要求佈線寬度 =化之佈線板’此情況中，於上述3層軟式基板之製造時， 幸形成於基板絕緣體瞑上之鋼被覆層上㈣所需的饰線圖 料行佈料之形錢製造舞板祕況，會產生 形狀容易成為底部較寬的梯：是邊:：」’故佈線部之截面 因此’為滿足料料，以。之貼合銅⑽躲式基板)被 97125648 200920203 取代為現今主流之2層軟式基板。 2層軟式基板之製作時，作為在絕緣體膜上形成均一厚度的 銅被覆層之手段’通常係採用銅電鍍法。又，為了實行銅電鍍， 通常係於欲鍍上銅電鍍被膜之絕緣體膜上形成薄膜之金屬 層，對表面全面賦予導電性，再於其上進行銅電鍍處理（例如 參照專利文獻2)。又，為了於絕緣體膜上得到薄膜之金屬層， 通常係使用真^蒸鍍法、離子齡Qn plating)法等之乾式鑛 敷法。 此情況下，絕緣體膜與銅被覆層之密接性，由於在其界面形 成有CuO a Cu2〇等之跪弱層，故非常脆_，為維持印刷佈線 基板所要求之與銅層的密接強度，係採行在絕緣體膜與銅被覆 層之間設置作為底層金屬層之Ni七合金層（參照專利文獻 3) ° 此處’通常若欲使2層鍍敷基板藉由減去（subtractive)法 〇來形成佈線圖案’作為_液係使用例如氯化鐵(FeCl3)溶解 於水中之氣化鐵溶液、或氯化銅（CuCh ·漏）溶解於水中並加 入適量的舰之氣化銅溶液，來進行_。於使用此等飯刻液 之姓刻法中，會有於佈線間發生Ni-Cr合金等之底層金屬層之 -侧殘留’或無法得到充分的餘刻成果之情況。 再者於最近之軟式基板中，隨著佈線圖案之更高密度化， 佈線亦朝狹窄化進展，又，隨著高機能化而要求於高電壓下之 使用…σ果於使用之印刷佈線基板中，絕緣可靠性變得重 97125648 200920203 要作為此特性之指標，係施行高溫高濕偏壓試驗（Η肪τ)等 然而，於對上述2層鍍敷基板使用上述蝕刻液進行蝕刻日卞。 會有產生Νι-Cr合金等底層金屬層之蝕刻殘留的—才 卜、十、古、田丄 月成* ’若進行 返同&鬲濕偏壓試驗（HHBT)，鄰接之銅佈線會因上述n 合金層之钱刻殘留而短路，導致無法得到高絕緣電阻二” 良品，是其問題。 電阻而成為不 曰兀必須將上

因此’作為用以實現絕緣可 述佈線間之底層金屬殘留成分除去 作為用以消除此弊端者，例如於專敎獻4中曾提出.於、 氣化鐵溶液或含有鹽酸之氯化銅溶液進行綱處理後，藉= ==酸之酸_液、過賴卸溶液等 種或2種以上進行處理，溶解㈣合金之蝕刻殘留， 係為銅佈線之邊鑛刻少的方法，且可除去Ni々 = 〇 [專利文獻1 ]日本專利特開平6_132628號公報 [專利文獻2]日本專利特開平8-139448號公報 [專利文獻3]曰本專利特開平6_12〇63〇號公報 [專利文獻4]曰本專利特開2⑽5_2334〇號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題)

酸之__理的情況，要:有 97125648 200920203 又，由於該爛液含有約1G〜2G重量％之鹽酸，於此狀態下會 將銅溶解，故必須含有一定量之用以抑制銅溶解之抑制劑。因 此’銅之溶解濃度與抑制劑濃度必須進行日常管理。 又’以過鐘酸溶液等之驗性爛液處理’對L之除去是有 ==使用該峨時’必須有驗專用之處理設備，要輕易 齡有困難。又，由於係強驗溶液，故溶解之^轉 ο 充分審慎且花#成本。 祕…因此，練處理必須 本f明之目的在於解決2層軟式佈線板之製造中之上述習 點’提供-_單之步㈣可不致發生銅層之 = 除去佈線間之殘留金屬，即使是微細佈線加工品亦 絕緣可靠性的印刷佈線基板之製造方法，以及藉由該 衣以方法所得到之印刷佈線基板。 (解決問題之手段） ο 本γ者為解決上述課題，針對餘刻處理液深入研究之結 果’目則為止，因為是酸而具有溶解銅之效力，係著眼於未被 =作為_液且未發現對屬於上述底層金屬層之金屬成分 果的酸性之過猛酸溶液之下，發現藉由在過鐘酸鹽水 冷中添域微量的鹽酸等之酸，具有可於抑制銅的溶解之下 洛解底層金顧成分的效果，本發·焉得以完成。 、亦P本毛明之第J發明為一種印刷佈線基板之製造方法， 緣體膜之至少—面未透過接合劑而直接形成底層金 97125648 200920203 屬層’然後在該底層金屬層上形成銅被覆層所成的2層軟式基 板，藉由侧法形成圖案的印刷佈線基板之製造方法；其特徵 在於’上述钱刻法包含：對上述2層軟式基板，藉由氯化鐵溶 液或3有鹽酸之氯化銅溶液進行蝕刻處理的步驟丨以及其後藉 由含有過錳酸鹽之酸性氧化劑處理的步驟。 本發明之第2發明係如第！發明之印刷佈線基板之製造方 法其中，於上述藉由酸性氧化劑進行之處理步驟後，更增加 〇 藉由錳殘渣除去液除去錳化合物之步驟。

又本赉明之第3發明係如本發明之第1、2發明之印刷佈 線基板之製造方法，其中，上述底層金屬層為選自L

Mo Ta 1'11、〇’、（：〇、？中之至少1種金屬或2種以 上所構成的合金。 再者本务明之第4發明係如本發明之第1、2發明之印刷 佈線基板之製造方法，其中，上述氧化劑為含有〇.〇卜1〇重量 ° %之過錳酸鹽與〇. 005〜2重量％之鹽酸的溶液。 又’本發日狀^㈣係如本發明H發明之印刷佈線基 板之製造方法’其中，上述絕緣體膜為選自聚酿亞胺系膜、聚 -_系膜、聚醋系膜、聚四就乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘 H乙—I㈣、液晶聚合物系膜中之至少1種以上之樹脂 膜。 本fx月之第6發明係為用於中請專利範圍第1項之印刷 佈線基板之製造方法中之則液；其特徵在於，上述氧化劑含 97125648 200920203 有0·0Η0重：之過_鹽與請5〜2重量％之鹽ι 再者’本發明之第7發明為藉由第卜5發明^ 之製造方法所得到之印刷料基板。 ]佈祕板 (發明效果） 依據本發明之印刷佈線基板之製造方法，藉由採 ㈣方法，可對2層軟式基板，用便宜且簡單之 X月之 Γ Ο 發生_之邊側_地除去佈線間之殘留金屬二可 絕緣可靠性的微細佈線，故有極大之產業上之效果。于同 【實施方式】 二製作；層軟式基板之時，藉由對絕緣體膜施行脚 (hydraZlne)處理或電滎處理等而使絕緣體膜表面改質並活 以確軸底層_之接合。吾人認為由於#由此處理得 =接合力強’故可發揮作為2層軟式基板之可耐實用之剝離 強度。 八然而’以餘刻形成圖案後，於導線（lead)與導線間之空間部 分’即使經賴刻及錢之洗淨步驟，與絕緣軸直接結合之 極微量的底層金屬層之金屬成分仍會殘留於絕緣體膜的表層 部。 、曰 本發明者等細，此殘留練層之金屬成分是進行高溫高濕 偏壓试驗（HHBT(High Temperature High Humidity Bias Test)) 日$發生移行（migration)的原因之一。 以下’針對本發明詳細地做說明。 97125648 9 200920203 本發明為一種印刷佈線基板之製造方法，係於絕緣體膜之至 少一面上未透過接合劑而直接形成底層金屬層，然後在該底層 金屬層上形成銅被覆層所成的2層軟式基板，並藉由蝕刻法形 成圖案所成的印刷佈線基板之製造方法；其特徵在於包含對 上述2層軟式基板’藉由氯化鐵溶液或含有鹽酸之氣化銅溶液 進行蝕刻處理的步驟；與其後藉由含有過錳酸鹽之酸性蝕刻液 處理所得之2層軟式基板的步驟。 (Ί 亦即’以往，讀化鐵溶液、或含有利用氣化銅形成佈線後 所使用的鹽酸之酸性蝕刻液處理之情況，欲完全將以除去會 有困難，又，由於該蝕刻液含有約1〇~2〇重量％之鹽酸，於該 狀態下會將銅溶解，故必須含有一定量的用以抑制銅溶解之抑 制劑；又，以過錳酸溶液等之鹼性蝕刻液進行處理，對之 除去有效，惟欲使用該蝕刻液時，需要鹼專用之處理設備，要 輕易地增加步驟會有困難等；為解決上述問題，係提供一種印 刷佈線基板之製造方法，係於絕緣體膜之至少一面上未透過接 &劑而直接形成底層金屬層，然後在該底層金屬層上形成銅被 覆層所成的2層軟式基板，藉由钮刻法形成圖案所成的印刷佈 線基板之製造方法；其係藉由氯化鐵溶液或含有鹽酸之氯化銅 溶液進行餘刻處理後，藉由含有過猛酸鹽之酸性氧化劑來對上 述敍刻表面進行洗淨處理的方法。 1)2層軟式基板 a)絕緣體膜 97125648 200920203 本，明中作為絕緣基板材料使用之絕緣體膜，就耐熱性的觀 點考里，以選自聚醯亞胺系膜、聚_系膜、聚自旨系膜、聚四 氟乙烯系膜、聚苯顧系膜、聚萘二甲酸乙二㈣膜、液日曰日聚 合物系膜中之至少1種以上之熱硬化性樹脂膜為佳。其中尤以 «亞胺系膜及聚醯胺㈣，適合於回焊等需要高溫連接的用 途，故為特佳之膜。 又，上述絕緣體臈，較佳者可使用膜厚為8〜75m者。又， 為減低熱膨脹料’亦可於樹賴巾適當地添加麵纖維谓 荨之無機材料。 b)底層金屬層 作為形成於絕緣體膜上之底層金屬層之材質，較佳者

Nl、CU、M°、Ta、Ti、V、Cr、Fe、c°、w 中之至少 1 種金屬 或2種以上騎成的合金，料在於其具有高耐錄，且密2 性高’並具有耐熱性。 择

Cj 氧:物於上述底層金屬層上，亦可層積該底層金屬層之金屬的 又 為佳 ’本發明之印刷佈線基板之底層金屬層之膜厚 以3〜50nm 底層金屬層若較3咖薄’進行佈線加工時之餘刻液合 致使佈線部净起等’導致發生佈線剝離強度顯著降低， 故不佳。又’該膜厚若較5Gnm厚，侧會難1 - Μ ’ c)銅被覆層 丁，故不佳。 97125648 200920203 使用銅靶安裝於濺鍍用陰極之濺鍍裝置，進行銅被覆層之成 膜。此日守，底層金屬層與銅被覆層以於同一真空室内連續形成 為佳。形成底層金屬層後，於空氣中將膜取出，於使用其他濺 鍍裝置形成銅被覆層之情況，於成膜前必須充分地將水分脫 • 除。 又，以乾式鍍敷法形成銅被覆層後，在該銅被覆層上以濕式 鍍敷法形成銅層之情況，例如藉由進行非電解銅鍍敷處理，在 (1 基板整面上形成非電解鍍敷銅層，即使是存在有粗大的針孔之 絕緣體膜，仍可將膜露出面被覆而使基板面全面良導體化，藉 此可不丈到針孔之影響而進行。又，此用非電解銅鍍敷液進行 之銅鍍敷層的層厚，只要為足以修復基板面上之針孔所致之缺 1½且於進行銅電鑛處理時不會被銅電鑛液溶解的程度之層厚 即可，以0· 01〜1· 〇#„!的範圍為佳。 於乾式鍍敷法中，可用電阻加熱蒸鍍、離子鍍蒸鍍、濺鍍蒸 鍍等方法。雖亦可僅用該乾式鍍敷法來形成銅被覆層，惟於以 乾式鍍敷法形成銅層後，在該銅被覆層上進一步以濕式鍍敷法 層積形成銅被覆層者，適於用以形成較厚的膜。 - 於本發明之印刷佈線基板中，在該底層金屬層上形成之銅被 復層，可形成作為以乾式鍍敷法形成之銅被覆層與在該銅被覆 層上以濕式鍍敷法層積形成之銅被覆層。以乾式鍍敷法形成之 銅被覆層與在該銅被覆層上以濕式鑛敷法層積形成之銅被覆 層所組合成之銅被覆層的膜厚以10nm〜35#m為佳。於較10nm 97125648 12 200920203 、 由於以乾式鍊敫法形成之銅被覆層變薄，故其後之 濕式鑛敷步驟中供雷# m /、較困難，故不佳。又，若較35〆in厚，生 產性會降低，故不佳。 2)印刷佈線基板之製造方法

以下針對本發明之印刷佈線基板之製造方法做詳述。 匕本發月巾在選自如上述之聚醯亞胺系膜、聚醯胺系膜、聚 系四氟乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、聚萘二甲酸乙二酯 系膜、液晶聚合物系膜之市售的熱硬化膜之絕緣體膜的至少-面上士上述彡又未透過接合細直接形成底層金屬層 ，再於該 底層金屬層上形成所需厚度之銅被覆層。 a)脫水處理 顧緣體膜通&含有水分，於藉由乾式鍍敷法形絲層金屬 層之刖’必須進行大氣乾燥或/及真空乾燥，將存在於該膜中 、之水分除去。若做得不充分，與底層金朗之密接性會變差。 〇 亦可對上述絲後之絕緣體财面進行改質。作為該改質層 之形成方法，可採用藉由藥品進行之化學處理或電聚處理、電 軍放電、紫外線照射處理等之物理處理，但不限定於任一種。 - b)底層金屬層之形成 於藉由乾式鍍敷法形成底層金屬層之情況，例如，於用捲取 式雜裝置形成底層金屬詹之情況，係於舰用陰極上裝上具 有底層金屬層的組成之合金靶。具體而言，將設置有膜之濺鍍 裝置内進行真空排氣後，導入Ar氣體，使裝置内保持於3pa 97125648 13 200920203 的程度’再-邊將裝在裝置内的捲取捲出概之絕緣體膜以每分 鐘3m左右的速度移送’-邊由連接到陰極之濺鑛用直流電源 供給電力並開始舰放電，在臈上進行底層金屬層之連續成 膜。藉由此颜，在膜上形成所需膜厚的底層金屬層。 ' C)銅被覆層之形成 同樣地’使用於濺鑛用陰極上裝有銅乾之賤鑛裝置，藉由乾 式鑛敷法可進行銅被覆層之成膜。此時，底層金屬層與銅被覆 層以在同一真空室内連續形成為佳。 又，於該銅被覆層上再藉由濕式鑛敷法形成銅被覆層之情 況，有僅進行銅電鍍處理之情況與採用非電解銅鑛敷處理作為 -次織、採關電鑛處理等濕式鑛敷法作為二次鍍敷的組合 之情況。 σ 此處於作為-次鍍敷進行非電解銅鍵敷處理之理由在於， 於將乾式鑛敷以蒸鐘進行之情況，會形成粗大的針孔，於表面 G會有露出樹脂膜之部位，故藉由在基板全面上形成非電解銅鍛 敷被覆層，將膜露出面覆蓋並使基板面全面良導體化，藉此可 不受到針孔之影響。 又’非電解錄所使用之非電解鍍敷液，只要是所含有的金 .屬料財自身腦性，且可藉由肼、膦_、情等還原劑 而還原並使金屬析出的還原析出型者皆可，就本發明之主旨而 、“；係以圖謀使底層金屬層所產生之針孔露出之絕緣體膜 、路出°卩77得以良導體化為目的，故以導m好且作業性較 97125648 200920203 好之非電解銅鍍敷液為最適。 又，作為此一次鍍敷之非電解銅鍍敷處理所得之銅鍍敷被覆 層的厚度，；^、要為足⑽復基板面上之針孔職之缺陷，且於 進行後述作為二次㈣麟料不會侧電鍍液轉的程度 之膜厚即可，以〇. 01〜1. 的範圍為佳。 其次，在該非電解銅鑛敷被覆層上進行作為二次鑛敷之銅電 鑛處理之理由在於用以形成所需厚度之銅被覆層。 藉由如此形成在底層金屬層上之銅被覆層，可得到不受到底 層金屬層形成時所產生各種大小之針孔的影響之良好且導體 層之密接性高的印刷佈線基板。 a 又，本發明中所施行之濕式銅鍍敷處理，—次、二次皆可採 用通#的方法之濕式銅鑛敷法中之諸條件。 3)佈線圖案之形成

U 使用上述的本發明之2層軟式基板，在該2層軟式基板之至 少-面上’單獨地形成佈線圖案，得到印刷佈線基板。又，於 蚊位置形成用於層間連接之通孔(viahQle)，可使躲各種 用返中。 更具體而言，有下述之方法。 ⑷在軟式片之至少—面上單獨形成高密度佈線圖案。 ⑹在形成有該佈線狀軟式片上，形成貫穿 片之通孔。 、軟 (c)視情況於該通孔内填充導電性物f，使孔内導電化。 97125648 15 200920203 作為上述佈線_之形成方法，可使絲_等以往所公知 的方法’例如，準備在至少—面上形成有底層金屬層、鋼被覆 層之2層軟絲板，於_上進行網版印刷或層合乾膜而形成 感光性光阻職’進行曝錢影而圖案化。 然後’以侧液對該金Μ進行選擇性爛除去後，將光阻 除去形成既定的佈線圖案。

具體而。’將（Α)上述2層軟式基板藉由氣化鐵溶液或含 鹽酸之乳化銅丨谷液進行钱刻處理。 然後’必須將得到之2層軟式基板以⑻含有過猛酸鹽之酸 性氧化劑進打處理。含有過㈣鹽之酸性氧化劑以含有 〇.〇卜10重量%的過錳酸鹽與0 005〜2重量酸之 佳。過Μ輕濃度若為較低濃度，__會贿，而若濃度 太高’其效果亦無法增加，故祕酸歸度以G.1〜5重量^ 更么又辰度若為咼濃度，銅佈線會容易溶解，若為低 濃度，钱刻速度會變慢而導致侧時間加長，故鹽酸濃度以三 為0. 01〜0. 5重量％為更佳。 又疋 、處理方法可為噴躲、浸潰法之任4者。酸⑽刻液之處理 /皿度以2GC〜6GC為佳，溫度若過低’純化層之除去容易變得 2分’綱時間會加長。又，溫紅過高，會產生較多鹽酸 務氣’銅轉量亦會增加，故以3(rc~5(rc為更佳。上述含有 鹽酸之祕酸懿刻液之處理時間以30秒〜3分鐘為佳二由 在於，若較30秒短’底層金屬層之溶解殘餘物之除去會不完 97125648 16 200920203 全，若較3分鐘長，銅的溶解量會增加。 又，於以上述含有過錳酸鹽之酸性氧化劑進行處理後，視條 件而異’鐘等會附著於钱刻面，而會有導致形成氧化物等之金 屬化&物的情形。為將其除去，以使用具有還原性之草酸、抗 壞血酸等之有機酸水溶液·以除錢性過滅龍刻液之 猛殘渣之市售的猛殘渣除去液進行處理為佳。 於以及軸齡去液除纽化合物後，無法將佈線間之起因 〇於底層金屬層的殘渣完全除去之情況，以再度用含有職酸鹽 之酸性氧化劑進行處理為佳。如此，藉由進行其間炎雜著使用 該除去液進行處理之含有過猛酸鹽之酸性氧化劑的2次處 理甚至3- 人處理’可進—步將起因於佈線間之底層金屬層的 殘渣充分地除去。 僅以過輯溶液，對㈣r並無法發揮溶解效果，又，僅有 鹽酸，則其溶解效果亦弱。

U …而°人<為’用上述含有過链酸鹽與少量鹽酸之氧化 劑，過紐鹽触酸之反應會產生氯，此齡含人於含有祕 酸鹽與少量鹽酸的氧化射而會影響Ni☆的溶解。 另-方面，於添加的酸為俩及猶等之情況，由於銅會容 易地溶解，故制上無法如在印㈣線基板之製造方法中。 此等酸即使為少量，_可觀察到_溶解。細，於添加用 以防止或減緩銅·解之適#的__情關不在此限。 因而’本發明中添加之酸，只要可溶解W且可於不會 97125648 200920203 導致絕緣不良（輪不良）的範圍时止銅料的溶解 的酸性溶液即可。 如此，本方法發現：藉由過鐘酸鹽與少量鹽酸的組合方 生溶解Nl_Cr的效果，尤其藉由將鹽酸濃度定為〇. 〇〇5~2重旦 %’可顯著地減緩⑸之溶解速度，適合作為用以除去殘留於里2 層軟式基板中佈線間之殘餘金屬的方法。 、 如上述般，只要使用本㈣之印刷佈線基板之製造方法，則 C可不因銅層之邊纖刻導致導線細小化，可進行微細佈線加 工。 為使佈線更S密度化，較佳者為準備在雙面形成有銅被覆層 之2層軟式基板，於雙面進行圖案加工，在基板雙面上形成佈 線圖案。至於全佈線圖案要分割為幾個佈線區域，須視該佈線 圖案之佈線密度之分布等而定，例如可將佈線圖案區分為佈線 寬與佈線間隔分別為50以下之高密度佈線區域與其他佈 ϋ 線區域’考量與印刷基板之熱膨脹差與操作上之需要等，將要 分割的基板之尺寸設定為10〜65腿的程度而適當地分割。 作為上述通孔之形成方法，可使用以往所公知的方法，例如 ' 藉由雷射加工、光蝕刻等，在上述佈線圖案之既定位置形成貫 ' 穿該佈線圖案與軟式片之通孔。通孔之直徑係以在不影響孔内 之導電化的範圍内作成為較小為佳，通常為ΙΟΟμιη以下，以 50/zm以下為更佳。 於該通孔内，藉由鍍敷、蒸鍍、濺鍍等填充銅等之導電性金 97125648 18 200920203 屬，或使用具有既定的開孔圖案之遮罩將導電性糊壓入並乾 燥’使孔㈣電化錢行層間之電性連接。作為上述導電性金 屬可舉出銅、金、鎳等。 [實施例1〜6、比較例1〜6] 以下，針對本發明之實施例與比較例更詳細地做說明。 只施例1〜6、比較例1〜6中之Ni-Cr合金膜，係對聚醯亞胺 膜（東麗_杜邦公司製，膜厚50/im)用20重量❶/aCr-Ni合金靶（住 友金屬礦山製），藉由直流濺鍍法（濺鍍裝置：希拉諾光音（股） 版）形成為厚度20~30nm的範圍者。 再者，實施例1〜6、比較例卜6中之銅膜，係對聚醯亞胺臈 藉由直流濺鍍法形成為1〇〇〜12〇nm的範圍者。 於各實施例、比較例中，在聚醯亞胺膜上分別個別地形成既 定的合金膜、金屬膜或銅膜者，係用以分別對該合金膜、金屬 膜或銅膜進行溶解特性之評估。 以下表所示之組成將過猛酸鉀溶解於離子交換水中，製作成 過猛酸鉀水溶液（比較例1)。又，藉由以與比較例1同樣地製 作過錳酸鉀水溶液之後’以下表所示組成添加氫氧化鉀，製作 成驗性過锰酸溶液（比較例2)。再藉由以與比較例1同樣地製 作過锰酸鉀水溶液之後，以下表所示組成添加鹽酸，製作成酸 性過猛酸溶液（比較例3〜5及實施例1〜6)。比較例6係採用市 售之酸性蝕刻液CH-1920C默克（股）製）。 自上述形成有Ni-Cr合金膜之聚醯亞胺膜裁切5(^mx5〇_2 97125648 19 200920203 評估試科，於前述各㈣m t，於4Gt浸漬 秒。對於用聰酸鉀核液、驗性之過_溶液及紐 =:刻者’再於4(rc之2%草酸水 後鐘 合金膜‘

判溶解t度，於整面有㈣合金溶解之情況 又，為對判二」「’於幾:無變化的情況判定為「X無溶解」。 —旦八批1疋，’、、Q有轉」的膜表面之殘留金屬成分進行 ==析’將各試樣用微波分解裝置，以由硝酸5ml與過氧化 的溶液溶解。對得到的各溶解液中之金屬成分藉 由感應輕合電聚離子源質量分析裝置做定量分析。將Nucr =留量一併示於表1。又，Ni與Cr之殘潰量之合計只要為 130ng/cm以下，則為可容許的。 又，亦使形成有銅膜之聚醯亞胺膜同樣地於下述表丨所示之 細液中於4(TC浸潰2分鐘’水洗20秒後，以目視確認銅膜 Ο 之溶解。 銅膜係以未溶解為佳，故於銅膜幾乎無變化之情況判定為 「°無溶解」，於鋼膜有溶解之情況則判定為「X有溶解」。 此結果亦一併示於下述表1。 就實施例1、比較例丨、3、4，對各蝕刻液中浸潰後的膜之 狀態所攝影之照片示於圖1。有無溶解可用目視觀察得知。 於用本發明之餘刻液之實施例1中，Ni~Cr合金可快速溶 解，且未能確認出銅膜之溶解。相對於此，比較例丨、3雖未 能確認出銅膜之溶解，而任〆者皆未能溶解Ni_Cr合金。又， 97125648 20 200920203 比較例4中，雖未能確認出Ni-Cr合金之溶解，惟可確認出銅 溶解之進行。

97125648 21 200920203 [表1] 組成（重量％) 20重量%Cr-Ni合 金濺鍍膜之溶解 殘留金屬成分 (ng/cm2) Cu濺鍍膜 之溶解 Ni Cr 實施例 1 過錳酸鉀 1 鹽酸 0.3 離子交換水 餘量 〇有溶解 1 11 〇無溶解 實施例 2 過猛酸鉀 1 鹽酸 0.01 離子交換水 餘量 〇有溶解 25 54 〇無溶解 實施例 3 過锰酸钟 1 鹽酸 0.5 離子交換水 餘量 〇有溶解 1 14 〇無溶解 實施例 4 過猛酸鉀 1 鹽酸 2 離子交換水 餘量 〇有溶解 <1 5 〇無溶解 實施例 5 過猛酸鉀 10 鹽酸 0.005 離子交換水 餘量 〇有溶解 5 17 〇無溶解 實施例 6 過錳酸鉀 0. 01 鹽酸 0.3 離子交換水 餘量 〇有溶解 46 63 〇無溶解 比較例 1 過錳酸鉀 1 離子交換水 餘量 X無溶解 - - 〇無溶解 比較例 2 過猛酸鉀 5 氫氧化鉀 5 離子交換水 餘量 X無溶解 - - 〇無溶解 比較例 3 過錳酸鉀 1 鹽酸 0.001 離子交換水 餘量 X無溶解 — - 〇無溶解 比較例 4 過猛酸卸 1 鹽酸 5 離子交換水 餘量 〇有溶解 <1 2 X有溶解 比較例 5 過錳酸鉀 0. 005 鹽酸 0.3 離子交換水 餘量 X無溶解 *- - 〇無溶解 比較例 6 含有鹽酸之酸性蝕刻液 〇有溶解 15 116 △稍有溶解 97125648 22 200920203 [實施例7] 裁切聚醯亞胺膜（東麗〜杜邦公司製，膜厚5〇_)為12㈣ 12cm之尺寸，對其一面用7重量％Cr_Ni合金靶（住友金屬礦山 製），藉由直流濺鑛法（濺錢裝置：希拉諾光音（股）製）於厚度 20〜30麵之範圍形成7合金金屬臈。自得到之形成 有合金膜之t醯亞fee膜裁切5〇mmx5〇mm之評估試料，於1重量 %過錳酸鉀水溶液中添加鹽酸0.3重量％之酸性過錳酸溶液 中，於40°C浸潰2分鐘，以目視確認合金膜之溶解程度，確 認出合金膜之溶解。 [實施例8] 以與實施例7同樣的方法，用30重量％Cr-Ni合金靶（住友 金屬礦山製）’藉由直流濺鍍法形成30重量％Cr-Ni合金金屬 膜。自得到之形成有合金膜之聚醯亞胺膜裁切5(hnmX5〇inm之評 估試料’於1重量％過錳酸鉀水溶液中添加鹽酸〇. 3重量％之酸 性過猛酸溶液中，於4〇。(：浸潰2分鐘，以目視確認合金膜之 溶解程度’確認出合金膜之溶解。 [實施例9] 以與實施例7同樣的方法，用40重量％Cr-Ni合金靶（住友 金屬礦山製），藉由直流藏鑛法形成40重量％Cr-Ni合金金屬 膜。自得到之形成有合金膜之聚醯亞胺膜裁切50mmx50丽之評 估試料’於1重量％過錳酸鉀水溶液中添加鹽酸0. 3重量％之酸 性過錳酸溶液中，於4〇t浸潰2分鐘，以目視確認合金膜之 97125648 23 200920203 溶解程度，確認出合金膜之溶解。 [實施例10] 以與實施例7同樣的方法，用1〇〇重量％Cr靶（住友金屬礦 山製），藉由直流錢鍵法形成1〇〇重量金屬膜。自得到之 形成有金屬膜之聚醯亞胺膜裁切5〇mmx5〇mm之評估試料，於i 重1 %過短酸鉀水溶液中添加鹽酸0.3重量％之酸性過猛酸溶 液中，於40C浸潰2分鐘，以目視確認金屬膜之溶解程度， () 確認出金屬膜之溶解。 [實施例11] 以與實施例7同樣的方法，用4重量％〇-20重量°观〇-心合 金靶（住友金屬礦山製），藉由直流濺鍍法形成4重量％(：卜2〇 重量°观〇-附合金金屬膜。自得到之形成有合金膜之聚醯亞胺 膜裁切50丽x50mm之評估試料，於1重量％過猛酸鉀水溶液中 添加鹽酸0. 3重量。/d之酸性過錳酸溶液中，於4〇t浸潰2分鐘， ϋ 以目視確認合金膜之溶解程度’確認出合金膜之溶解。 [實施例12] 以與實施例7同樣的方法，用4重量％V-2G重量％M〇-Ni合金 ， 乾（住友金屬礦山製），藉由直流賤鍍法形成4重量％V-20重量 -合金金屬膜。自得到之形成有合金膜之聚醯亞胺膜裁 切50mmx50顏之評估試料，於1重量％過錳酸鉀水溶液中添加 鹽酸0· 3重篁％之酸性過猛酸溶液中，於浸潰2分鐘，以 目視確認合金膜之溶解程度，確認出合金膜之溶解。 97125648 24 200920203 [實施例13] 以與實施例7同樣的方法，用16. 5重量％(：]：_17重量现0_以 合金靶（住友金屬礦山製）’藉由直流濺鍍法形成16 5重量 °/〇Cr-17重量°謂〇-則合金金屬膜。自得到之形成有合金膜之聚 醯亞胺膜裁切50mmx5(hnm之評估試料，於丨重量％過錳酸鉀水 溶液中添加鹽酸〇. 3重量％之酸性過錳酸溶液中，於4〇。〇浸潰 2分鐘，以目視確認合金膜之溶解程度，確認出合金膜之溶解。 C [實施例14] 以與貫施例7同樣的方法，用ι6. 5重量％Cr_17重量％M〇_5 重量％Fe-4.5重f：%W-Ni合金靶(住友金屬確山製），藉由直流 氣鍍法形成16. 5重量％Cr-17重量娜o-Ni合金金屬膜。自得到 之形成有合金膜之聚醯亞胺膜裁切5—之評估試料，於 1重量％過_鉀水溶液中添加鹽酸G 3重量％之酸性過猛酸溶 、液中，於机浸潰2分鐘，以目視確認合金膜之溶解程度， ^ 未能嫁認出合金膜之溶解。 [實施例15] 以與實施例7同樣的方法，用22重量重量观㈣ -合金革巴（住友金屬礦山製），藉由直流濺錢法形成22重量 • H 5重合金金屬膜。自得到之形成有合金膜之聚 醯亞胺膜裁切50腿x50删之評估試料，於i重量％過鐘酸钟水 溶液中添加鹽酸〇. 3重量％之酸性過猛酸溶液中，於靴浸潰 2分鐘，以目視確認合金膜之轉程度，確認出合麵之溶解1 97125648 25 200920203 [實施例16] 以與實施例7同樣的方法，用22重量％Cr_6. 5重量％m〇_16 • i/Fe Ni 5金革巴（住友金屬礦山製），藉由直流錢鑛法形成 ；22重i%Cr—6. 5重量观0-16重量％!?6_附合金金屬膜。自得到 /成有&金膜之t醯亞胺臈裁切5〇麵χ5〇丽之評估試料，於 1重量％過猛酸鉀水溶液中添加鹽酸0 3重量％之酸性過链酸溶 液中於40 c次潰2分鐘’以目視確認合金膜之溶解程度， 確認出合金膜之溶解。 [實施例17] 以與貝施例7同樣的方法，用？重量％Ti_Ni合金糾住友金 屬礦山製）’藉由直流雜法形成7重量％Ti_Ni合金金屬膜。 自仔到之形成有合金膜之魏亞胺職切5()_x5Q_之評估 試料’於i重量_孟酸鉀水溶液中添加鹽酸〇 · 3重量％之酸性 過_溶液中，於靴浸潰2分鐘，以目視確認合金膜之溶 ί/解程度，確認出合金膜之溶解。 h㈣9、u、14、17，就於綱液巾浸潰前後之膜的狀 影得到之照片示於圖2。任—者时目視觀察到合金膜於 :=彳料騎，可岐財發明⑽難可快速地溶解合金 [評估] 由前述表1可得知··於財發明钱觀之實蘭卜6，可 陕速地岭解20重量％(：r_Ni合金，且無法確認出綱之溶解。 97125648 26 200920203 一去比命 2、3、5雖無法確認出峨之溶解，任 -者白無法溶解20重量%Cr，合金，又，比較例4 雖可看到20重量％Cr_Ni合全 ， 之進行，故非良好。^金之4但亦可看到銅膜之溶解 ，可確認出對cr 且亦可溶解而于氯 ’確認得知亦可 又，於用本發明之蝕刻液之實施例7〜17中 έ里不同之Ni-Cr合金或cr金屬皆可溶解， 性優異之耐熱耐賴基合金(hastelloy)。又 溶解Ti-Ni合金。 再者’實施例7~17中所用之钮刻液為實施例1巾、所用之 酸性過_溶液，無法相ώ細之溶解。 (產業上之可利用性）

如上所述，根據本發明之印刷佈線基板之製造方法，尤其是 本發明之_液’可用便宜且簡單之步驟，對於以往之2層軟 式基板藉由氯化鐵溶液或含有鹽酸之氯化銅溶液進行蝕刻處 理後之底層金屬層成分的殘餘份，可快速溶解且可抑制銅之姓 刻’故可於不會發生邊舰刻或損傷之下容㈣制具有高絕 緣電阻之微細佈線，效果極大。 【圖式簡單說明】 圖1為表示部分的實施例及比較例中之Ni_Cr合金濺鍍膜與 Cu濺鍍膜的溶解程度之外觀圖。 圖2為表示部分的實施例中之合金濺鍍膜之蝕刻前後的溶 解程度之外觀圖。 97125648 27

Claims (1)

1. 200920203 七、申請專利範圍： 1. 一種印刷佈線基板之製造方法，係對於絕緣體膜之至少一 =上未透過接合劑而直卿成底層金屬層，然後在該底層金屬 層上形成銅被覆層所成的2層軟式基板，藉由钱刻法形成圖案 的印刷佈線基板之製造方法；其特徵在於， ^ ο 八^侧法包含··耻述2概絲板，藉械倾溶液或 s有鹽酸之統銅溶液崎_處理的步驟；从接著藉由含 有過猛酸鹽之酸性氧化劑進行處理的步驟。 2·如申請專利範圍第！項之印刷佈線基板之製造方法，其 中，在上述利用酸性氧化劑進行之處理步驟後，進一步增加雜 由猛殘渣除核⑽德化合物之㈣。 ^ 3.如申請專利範㈣丨項之印刷佈線基板之製造方法，复 中’上述底層金屬層為選自Ni、Cu、Mo、Ta、Ti、v、Cr、Fe、 ο ⑺^中之至幻種金屬^種以上所構成的合金。 (如申請專利範圍第2項之印刷饰線基板之製造方法，复 达底層金屬層為選自Ni、Cu、MQ、Ta、Ti、v、Cr、Fe'、 Co W中之至種金屬或2種以上所構成的合金。 /如帽專利範圍第1項之印刷佈線基板之製造方法，发 ，述減#1為含有(UH。她之職酸餘◦. 重置％之鹽酸的溶液。 6.如申料·圍第2項之印刷佈線基板之製造方法1 ，上述氧化劑為含有重量％之過锰酸鹽與 97125648 28 200920203 重量％之鹽酸的溶液。 中7.1^專利_ 1項之印刷料基板之方法，直 中上述、、，邑緣體膜為選自聚酿亞胳系 膜、聚吨乙燦㈣i M、聚醢胺系膜、聚醋系 液晶聚合物系膜令之、彳# 甲馱乙一自曰系m、 、甲之至夕ί種以上之樹脂膜。 ::-種餘刻液，係用於申請專利範圍们項 之衣造方法令；其特徵在於，上述氧化劑含有〇 01 1基板 之過錳酸鹽與〇. 005〜2重量％之鹽酸。 10重量％ 9. 一種印刷佈線基板，係藉由申請專利範圍第1 一項之印刷佈線基板之製造方法所得。 至7項中饪 J 97125648 29 200920203 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 無 Ο 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無 97125648 3