TW200917472A - Image detection device - Google Patents

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200917472 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種影像偵測裝置，尤有關於藉由將輻射X 射線所產生之電荷累積至半導體層，作爲構成影像之個別 像素之資訊’以偵測影像的影像偵測裝置。 【先前技術】

最近’如FPDs (平板偵測器）等之輻射影像偵測裝置已具 實用’該等偵測裝置之每一個裝置具形成在TFT(薄膜電晶 體）主動矩陣基板之X射線感測層，且能將X射線資訊直接 轉換成數位資料。依據相關技術，與造像板比較，因FPD 具有能瞬間確認影像且亦能確認動畫，故已快速廣泛使用 該等FPDs。 首先’將利用第1 0及1 1圖說明依據先前技術，作爲FPD 之輻射影像偵測裝置1 〇 〇，。須知，第1 1圖表示沿第1 〇圖 直線C - C所取之切面圖。 如第1 1圖中所示，依據相關技術之輻射影像偵測裝置 100’係配置成具有電磁波導電性之半導體膜6’形成在TFT 主動矩陣基板1〇,上’且在其上面依序形成偏壓電極7，。 偏壓電極7 ’係連接至高電壓電源供應器。 半導體膜6,爲含硒作爲主要成份並具薄膜厚度爲1〇〇至 ΙΟΟΟμπι之非結晶形a_Se膜，且當使X射線輻射至半導體 膜6’時’在該薄膜中產生電荷。 接著’將說明依據相關技術之輻射影像偵測裝置丨00， 的運作原理。 當使X射線自第1 1圖之上部位輻射時，在半導體膜6， -6- 200917472 中產生電荷。藉由偏壓電極7’與電荷收集電極11’間之偏 壓，將在所產生電荷中之正電洞收集至電荷收集電極1 1，， 且累積至與電荷收集電極11’電連接之電荷累積電容5’。 因半導體膜6 ’依據X射線量，產生相異電荷量，故依據由 X射線所攜載之影像資訊的電荷係累積至該等個別像素之 電荷累積電容。然後，透過第10圖中所示之掃描接線 1 〇 1 ’’依序施加使TFT開關4 ’開啓爲ON之諸信號，且透 過資料接線3 ’擷取累積在個別電荷累積電容5 ’中之電荷。 附帶地，此型式之輻射影像偵測裝置100’之問題在於， 因在半導體膜6’中產生陷阱，電荷收集電極11’無法良好 收集經產生之電荷，且因此靈敏度變差。而且，當X射線 入射在裝置100’上時可能發生稱爲鬼影之現象，該靈敏度 依據該輻射X射線之入射強度而變差，且需長時間恢復。 爲克服以上問題，日本專利申請案早期公開（IP-A)第 2004 -3 3 65 9號揭露藉由將光線產生器（背光單元）配置在 TFT主動矩陣基板1〇’之背面上，並自該光線產生器將光線 輻射至TFT主動矩陣基板1 〇 ’抑制靈敏度變差之技術。 然而，當其思及應用此型式之輻射影像偵測裝置作爲， 例如，醫療X射線影像偵測裝置時，揭露於]P-A案號 2004-3 3 65 9中之配置之不利點在於，靈敏度穩定性及剩餘 影像特徵不足。 【發明內容】 爲解決以上諸問題而完成之本發明目的在於提供一種 改善靈敏度穩定性及剩餘影像特徵的影像偵測裝置。 爲達成以上目的，在該發明之第一態樣中，影像偵測裝 200917472 置包括感測器面板，其包含：半導體層，形成在由具有發 光特性之構件所形成的基板上，且回應輻射至此之X射，線 產生電荷；兩對電極，每對彼此相對配置；及多數累積部 分’形成在該半導體層與該基板之間，以累積所產生之電 荷至該半導體層，作爲構成影像之像素資訊，以及鐙具， 其將光線輻射至其基板側上之該感測器面板的表面，其中 形成該累積部分之個別電極，使得具有至少預定強度之光 線自該燈具輻射至形成該累積部分之該半導體層區。 在第一態樣中，該感測器面板包含：半導體層，形成在 由具有發光特性之構件所形成的基板上，且回應本發明輻 射至此之X射線產生電荷；兩對電極，每對彼此相對配置； 及剩餘影像，形成在該半導體層與該基板之間，以累積所 產生之電荷至該半導體層，作爲構成影像之像素資訊，並 藉由燈具將光線輻射至其基板側上之該感測器面板的表 面’其中形成該累積部分之個別電極，使得具有至少預定 強度之光線係自該燈具輻射至形成該累積部分之該半導體 層區。 在該發明中，該累積部分之該等電極的每一個係由此形 成’使得使具有至少預定強度之光線自該燈具輻射至形成 該累積部分之該半導體層區。 如以上說明，依據第一態樣，因該累積部分之個別電極 係形成使得具有至少預定強度之光線自該燈具輻射至形成 該累積部分之該區，故陷落至形成該半導體層之該累積部 分之區的電荷係由來自該燈具之光線所激發。結果，可改 善靈敏度剩餘影像之影像特徵。 200917472 在該發明之第二態樣中，累積部分之該等電極的每一個 可具有由此所形成之開口，使得具有至少預定強度之光線 係自該燈具輻射至於第一態樣中形成該累積部分之該半導 體層區。 在該發明之第三態樣中’該開口可形成第二態樣中之狹 縫形。 在該發明之第四態樣中，該開口可形成第二態樣中之矩 形。 在該發明之第五態樣中’多數開口可以第二態樣至第四 態樣之任一態樣形成。 在該發明之第六態樣中’可將該累積部分之該等電極的 每一個分成第一態樣中之多數電極。 在該發明之第七態樣中，該累積部分之該等電極的每一 個可由第一態樣中具有發光特性之導電構件所形成。 在該發明之第八態樣中，該半導體層可包含非結晶形硒 作爲主要成份。 在該發明之第九態樣中’該半導體層可藉由層積每層含 相異材料之多數半導體層以形成。 如以上說明，依據第一態樣，因該累積部分之個別電極 係形成使得具有至少預定強度之光線自該燈具輻射至形成 該累積部分之該區’故該發明具有可改善靈敏度之穩定性 及剩下之影像特徵的優越效用。 【實施方式】 以下參考附圖’說明本發明之例不性實施例。須知’以 下將解釋本發明適用於輻射影像偵測装置100之案例，該 200917472 輻射影像偵測裝置1 ο 0在T F T主動矩陣基板上形成X射線 感測層，且將X射線資訊直接轉換成數位資料。 第1圖顯示依據本發明例示性實施例之輻射影像偵測裝 置1 0 0的整體配置。 如第1圖中所示，依據該例示性實施例之輻射影像偵測 裝置100具有TFT主動矩陣基板10。 TFT主動矩陣基板1〇具有以二度空間配置至此之多數 像素。該等像素之每一者由含偏壓電極、半導體膜和稍後 待說明之電荷收集電極之影像感測器單元1 03構成，用以 累積由該影像感測器單元1 0 3所偵測之電荷信號的電荷累 積電容5、以及用以讀出累積在電荷累積電容5中之電荷 的TFT開關4。 而且，TFT主動矩陣基板10具有：多數掃描接線1〇ι， 用以使TFT開關4轉爲ON/OFF ;及多數資料接線3，用以 讀出累積在電荷累積電容5中之電荷，每一電荷累積電容 係配置於此、且使電荷累積電容5之該等電極中之一透過 接線而接地，使其設成接地位準。須知，第1圖顯示假定 個別電荷累積電容5之該等電極中之一係接地。 信號偵測電路1 0 5連接至個別資料接線3，以偵測流出 至資料接線3之電荷爲電信號。掃描信號控制器1 〇4連接 至個別掃描接線101，將用以使TFT開關4轉爲ON/OFF 之控制信號輸出至個別掃描接線。 信號偵測電路1 0 5具放大電路，其內建於此並放大輸入 至每一資料接線3之電信號的電壓位準，並藉由放大自個 別資料接線3所輸入之電信號’且偵測該電信號之電壓位 -10- 200917472 準以偵測累積在個別電荷累積電容5中之電荷量’作 成影像之個別像素的資訊。 信號處理裝置106連接至信號偵測電路105及掃描 控制器1 〇 4，使由信號偵測電路1 〇 5所偵測之電信號 預定之處理以及將表示信號偵測時序之控制信號輸出 號偵測電路1 0 5，並將表示掃描信號輸出時序之控制 輸出至掃描信號控制器1 〇 4。 接著，將參考第2及3圖，更詳細說明依據例示性 例之TFT主動矩陣基板10。須知，第2圖爲顯示依據 性實施例之TFT主動矩陣基板10之一個像素單元結構 面圖，且第3圖爲沿第2圖之直線A-A所取之TFT主 陣基板1 〇的切面圖。 如第3圖中所示，依據例示性實施例之T F T主動矩 板1 〇由半導體膜6及依序形成之偏壓電極7組成，該 體膜6具電磁波導電性，且偏壓電極7連接至高電壓 供應器。當使如X射線之電磁波輻射至半導體膜6時 產生電荷（正電子電洞）。亦即。該半導體膜6具電磁 電性並將由X射線所得到之影像資訊轉換成電荷資訊 且，半導體膜6由，例如’含硒作爲主要成份之非結 a - S e (非結晶形硒）所組成。此處’該主要成份意爲硒之 爲等於或大於5 0%。半導體膜6常具有多數半導體膜 絕緣膜層形成在其上及其下，用途爲改善特徵，及製 率。假定依據例示性實施例之半導體膜6由配置在Se 及下之0.1至5μιη厚的ShS3層組成，該se層厚度赁 至1 000 μηι且層積多數感測器層（此處爲三層）。如上述 爲構 信號 受到 至信 信號 實施 例示 的平 動矩 陣基 半導 電源 ，其 波導 。而 晶形 含量 層或 造良 層上 Μ 〇〇 :，當 200917472 使用非結晶形a- S e將χ射線直接轉換成電荷時，因該等感 測器層相當厚’故電荷收集電極n不足以累積經產生之電 何。因此’在依據例示性實施例之T F T主動矩陣基板J 〇 中’設有電荷累積電容5以累積經產生之電荷。 背光器40配置在TFT主動矩陣基板1 〇下方，將光線輻 射在低感測器層與主動矩陣基板之間的介面上。儘管背光 器40之照明及波長大部分取決於感測器層之材料，當使用 一般半導體材料作爲感測器層材料時，較佳是，背光器4 〇 之照明及波長爲該等可見光。 以下將詳述如何配置依據例示性實施例之T F T主動矩 陣基板10之該等層膜。 TFT主動矩陣基板1 〇具玻璃基板丨、閘極電極2、一對 下累積電容電極1 4、閘極絕緣膜1 5、半導體層8、源極電 極9、洩極電極1 3、一對上累積電容電極1 8、資料接線3、 中間層絕緣膜1 2、及電荷收集電極1 1。 如第2圖中所示，每一掃描接線1 〇 1連接至閘極電極2。 閘極電極2及掃描接線1 0 1由同一金屬層形成，且一般使 用如Al、A1合金之低電阻線材。而且，累積電容接線i 02 之每一接線連接至下累積電容電極14，且下累積電容電極 1 4及累積電容接線1 0 2由同一金屬層形成。對下累積電容 電極1 4之每一個電極形成多數矩形開口 1 9 A。 而且，TFT開關4由閘極電極2、閘極絕緣膜1 5、源極 電極9、洩極電極1 3、半導體層8組成。電荷累積電容5 係由下累積電容電極14、閘極絕緣膜15、及上累積電容電 極1 8組成。 -12- 200917472 玻璃基板1作爲支撐基板用’且例如’可使用非鹼性玻 璃基板（例如，康寧（Corning)所製造之# 1 7 3 7)作爲玻璃基板 1。如第1圖中所示’掃描接線1〇1及資料接線3爲配置成 格开^之電極接線’且如第2圖中所示，對其每一交叉點形 成TFT開關4。TFT開關4爲開關裝置，且其源極電極9 係連接至資料接線3，而其洩極電極1 3係連接至上累積電 容電極1 8。 閘極絕緣膜15由SiNx、SiOx等組成。該閘極絕緣膜15 配置該閘極絕緣膜1 5以覆蓋閘極電極2、掃描接線1 〇 !、 下累積電容電極14及累積電容接線1〇2。在TFT開關4中， 位在閘極電極2上之閘極絕緣膜1 5部位作爲閘極絕緣膜 用’且在電荷累積電容5中’位在下累積電容電極14上之 該部位作爲介電層用。亦即’電荷累積電容5係由下累積 電容電極14之上疊區組成且上累積電容電極18係由同一 層組成，成爲聞極電極2。 而且，半導體層8作爲TFT開關4之通道部位以及現行 路徑用，該路徑將連至資料接線3之源極電極9連接至連 至上累積電容電極1 8之洩極電極1 3。通常，使用非結晶 矽爲半導體層8。在半導體層8之表面上形成接觸膜使得 該半導體層8與源極電極9及洩極電極13具良好接觸，且 一般使用增添雜質之非結晶矽層爲接觸層。 資料接線3、T F T開關4之源極電極9與洩極電極1 3、 及至上累積電容電極18係由配置在閘極絕緣膜15與半導 體層8上之同一金屬層所形成。一般將如A1、A1合金之低 阻抗線材施加至該等層膜。源極電極9連接至資料接線3， -13- 200917472 且洩極電極13連接至上累積電容電極18。如上述，藉由 疊上下累積電容電極14及上累積電容電極18以配置累積 電容（Cs電容）。 而且’上累積電谷電極18有開口 19B形成於此，使得 其與下累積電容電極1 4之每一電極的開口丨9 a 一致。如該 圖中所不’上開口 19A形成比下開口 19B稍大，使得即使 其在光蝕刻製程所執行之位置對準中偏移（此處在每—側 爲2μηι)’累積電容亦未變更。儘管曝光裝置在對準時偏移 1 μ m，可藉以上配置抑制電容之變更。 中間層絕緣膜1 2 —般由稱爲扁平吳材料或中間層絕緣 材料（例如’丙嫌酸醋樹脂）’且配置使電荷收集電極1〗之 下層扁平，並降低電荷收集電極1 1與資料接線3之電容的 —種有機或無機絕緣膜材料，及掃描接線1 〇 1組成，且其 具1至4μιη之膜厚與2至4之介電常數。接觸孔16通過 中間層絕緣膜12，且配置在中間層絕緣膜12上方之電荷 收集電極11穿過接觸孔16連接至上累積電容電極18。 電荷收集電極U係由非結晶形透明導電/氧化膜（IΤ 0 ) 組成。形成電荷收集電極1 1以便掩埋接觸孔1 6且在源極 電極9與拽極電極13上、及上累積電容電極18上形成積 層。電荷收集電極11電傳導至半導體膜6，並可由電荷收 集電極11收集在半導體膜6中所產生之電荷。如上述，因 電荷收集電極1 1由透明電極組成，故光線Θ玻璃基板1側 通過半導體膜6。 如上述，閘極電極2、掃描接線1 01、下累積電容電極 14、及累積電容接線102配置在玻璃基板1上。半導體層 -14- 200917472 8及資料接線3透過閘極絕緣膜15形成在閘極電極2之上 方。源極電極9及洩極電極13形成在半導體層8上。上累 積電容電極18層積在構成電荷累積電容5之層膜上。而 且’中間層絕緣膜1 2形成在上累積電容電極1 8、資料接 線3、源極電極9、及洩極電極13上。電荷收集電極11配 置在中間層絕緣膜1 2上，亦即，τ F T主動矩陣基板1 0之 最上層上。電荷收集電極11透過上累積電容電極18及洩 極電極1 3連接至T F T開關4。 接著’將簡略說明具有上述結構之輻射影像偵測裝置 1 0 〇的作業原理。 當自高電壓電源供應器，於偏壓電極7與累積電容電極 1 4之間施加預定偏壓電壓之狀態下，使X射線輻射至半導 體膜6時，在該半導體膜6產生電荷（電子電洞對）。因半 導體膜6係串接電連至電荷累積電容5，半導體膜6中所 產生之電子即遷移至正電極側，且在此產生之該等電洞即 遷移至負電極側，結果，電荷累積在電荷累積電容5中。 藉由回應輸入至掃描接線1 〇 1之信號以使TFT開關4開 啓爲ON’可透過資料接線3將累積在電荷累積電容5中之 電荷擷取至外界。 因所有掃描接線1 0 1、資料接線3、T F T開關4、及電荷 累積電容5配置成χγ矩陣狀態，故可藉由依序掃描輸入 至掃描接線1 〇 1之信號並偵測來自資料接線3每.者之信 號’以二維空間取得X射線之影像資訊。 附帶地’在依據例示性實施例之T f T主動矩陣基板1 0 中，因開口 19A及開口 19B分別形成電荷累積電容5之上 -15- 200917472 累積電容電極I 8及下累積電容電極1 4，故可將光線輻射 至位於電荷累積電容5上方之半導體膜6的個別感測器層。 依據先前技術中所揭露之JP-A案號2004-33659的說 明’藉由自背光器4 0所輻射之光線，在該等像素電極之間 產生陷落電荷，且由該等陷落電荷在該等像素電極之間 產生正電位。然而’關於此事項，該等發明者如以下說明 斟酌。 感測器層與T F T基板之間之界面存有許多缺陷位階。藉 由正偏壓漂移至電荷收集電極11側之許多電荷係收集至 電荷收集電極11。然而，當未輻射光線時，存有許多由上 述缺陷位階所陷落之電荷。因此，在JP-A案號2004-33659 中所揭露之技術中，如第4圖中所示，藉由將光線自背光 器4 0輻射至TFT主動矩陣基板，可激發該等陷落電荷並使 其流入電荷收集電極1 1。亦即，未由陷落電荷產生正電位， 且由該光線激發正電荷並放電至收集電極側。 此作用對像素電極間以外之區域亦有效。如第5圖中所 示，在感測器層（此處’ Sb2S3層爲最低層）中、在半導體層 與TFT基板之間的介面中、及在多數半導體層之間的介面 中存有許多缺陷位階。因該等缺陷位階使該等電洞就陷落 在電荷收集電極11之上方’剩下之影像特徵即變差且經產 生之電荷部分留在感測器層中，因此使靈敏度不穩定。 爲了克服以上問題，在例示性實施例中，開口 1 9 A及開 口 19B形成電荷累積電容5之上累積電容電極18及下累積 電容電極1 4，使得可將光線輻射至就在電荷收集電極11 上方之感測器層。以此配置’因就在電荷收集電極1 1上方 -16- 200917472 激發電荷，並使其流入電荷收集電極1 1，故可改善剩餘影 像特徵，且因可減少由該缺陷位階所陷落之該等電洞，故 亦可改善靈敏度穩定性。 更明確地說，例如在具有第1 1圖中所示相關技術之配 置的TFT主動矩陣基板中，因開口 19A及開口 19B未形成 電荷累積電容5’之上累積電容電極18’及下累積電容電極 14’，故光線被上累積電容電極18’及下累積電容電極14’ 所遮蔽。結果，無法自背光器4 0將光線輻射至位於電荷累 積電容5 ’上方之半導體膜6 ’的個別感測器層。而且，在相 關技術中不知藉由將光線輻射至該區域可改善感測器層之 靈敏度穩定性及剩餘影像特徵。 [表1] 時間（秒） 相關實例 本發明 不具背光 具背光 1 2 3.00% 9.00% 3.00% 10 0.80% 0.25% 0.04% 1 00 0.30% 0.03% 0.00% 表1表示藉由執行影像偵測，用以自電荷累積電容5擷 取電荷，且在依據例示性實施例（以表1中之”本發明”表示） 之TFT主動矩陣基板1〇以及在第11圖中所示相關技術之 配置的T F T主動矩陣基板（以表1中之”相關實例”表示）中 的預定時間過後，接著再擷取電荷所判定之剩餘電荷比率 之偵測結果的實例。注意到在相關技術之配置的T F T主動 矩陣基板1 0中，當使光線自背光器40輻射時（具背光）且 當不使光線自此輻射時（不具背光），判定剩餘電荷比率。 -17- 200917472 如表1中所示，當依據某種情況使X射線輻射時（尤其 是’當X射線量高時），亦即，當不使光線輻射在相關技術 之配置的TFT主動矩陣基板中時，即使在一秒過後，偵測 到量爲2 3 %之電荷，且即使在1 0秒過後，剩餘〇 . 8 %的量。 而且，即使使光線自背光器4 0輻射，要減低電荷餘量至等 於或小於〇 . 〇 5 %約需1 0 0秒。 對照之下，在依據例示性實施例之T F T主動矩陣基板 10中，可在10秒過後將電何餘量減低至0.04%。 如以上詳述，依據該例不性實施例，該影像偵測裝置包 含半導體膜6’其形成在玻璃基板1上方且當使X射線輻 射在其上時產生電荷、TFT主動矩陣基板1〇，其具有一對 上累積電容電極18及一對下累積電容電極14，每一對彼 此配置成對峙、多數電荷累積電容5，其形成在半導體膜6 與玻璃基板1之間並累積由半導體膜6產生之電荷，作爲 構成影像之像素資訊、以及背光器40，用以將光線輻射至 該玻璃基板1側上之T F T主動矩陣基板1 〇的表面。因形成 上累積電容電極18及下累積電容電極14，使得將具有至 少一預定強度之光線自背光器40賴射至形成電荷累積電 容5之半導體膜6的區域、電荷係由來自背光器4 〇之光線 所激發，其中該等電荷陷落於形成電荷累積電容5之半導 體膜6的區域。結果，可改善靈敏度穩定性及剩餘影像特 徵。 須知，藉由實驗等可先判定待輻射光線之強度，使其可 激發陷落在依據半導體層之層膜配置，形成該半導體層之 累積部分之區域中的電荷。 -18- 200917472 須知，雖然如第2圖中所示，在例示性實施例中說明形 成上累積電容電極18及下累積電容電極14之開口 19A及 開口 1 9B形成矩形的情況，不過，本發明不限於此，且如 第6圖中所示，開口 19A及開口 19B可形成狹縫形。而且， 如第7圖中所示，上累積電容電極18及下累積電容電極 1 4可形成C形，使其每一個配置成在其中心部位具有光線 傳送路徑之電極。而且，如第8圖中所示，可將上累積電 容電極18及下累積電容電極14之每一個分成多數部位（在 第8圖中，每一個分成兩個部位）且個別之上累積電容電極 1 8可與洩極電極1 3並聯。該等情況之任一種可得到與該 例示性實施例相同之效用。 而且，如第9A及9B圖中所示，多數薄狹縫形開口 19A 可形成下累積電容電極1 4、自源極電極9層可個別形成上 累積電容電極1 8、由具有如ITO之透明性質的導電構建所 組成的上累積電容電極18可形成在個別形成於源極電極9 層上之保護絕緣膜上、且上累積電容電極18可透過形成保 護絕緣膜之接觸孔，電連至洩極電極13。以此配置，因上 累積電容電極1 8爲透明，故不必形成如狹縫形之開口，結 果，藉由延伸之電場可抑制減低由於該等開口所致之累積 電容。須知，第9B圖爲沿著第9A圖之直線B-B所取的切 面圖。 該例示性實施例中所說明之輻射影像偵測裝置1 0 0的配 置（參考第1圖）及TFT主動矩陣基板10的配置（第2至9B 圖）僅係實例，且可在未偏離該發明要旨之範圍內適當地予 以修正。 -19- 200917472 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示依據本發明例示性實施例之輻射影像偵測 裝置整體配置之配置圖。 第2圖爲表示依據本發明例示性實施例之TFT主動矩陣 基板之一個像素單元結構的平面圖。 第3圖爲依據本發明例示性實施例，沿第2圖之直線 A_A所取之TFT主動矩陣基板的切面圖。 第4圖爲表示依據相關技術，於TFT主動矩陣基板之半 導體層中變更行爲的示意圖。 第5圖爲表示本發明例示性實施例，於TFT主動矩陣基 板之半導體層中變更行爲的示意圖。 第6圖爲表示依據本發明例示性實施例之TFT主動矩陣 基板另一結構的平面圖。 第7圖爲表示依據本發明例示性實施例之TFT主動矩陣 基板還另一結構的平面圖。 第8圖爲表示依據本發明例示性實施例之T F T主動矩陣 進一部結構的平面圖。 第9A圖爲表示依據本發明例示性實施例之TFT主動矩 陣基板結構的平面圖。 第9 B圖爲沿第9 A圖之直線B - B所取的切面圖。 第10圖爲表示依據相關技術之TFT主動矩陣基板結構 的平面圖；以及 第1 1圖爲沿第1 〇圖之直線C _ C所取的切由'圖。 -20- 200917472 【主要元件符 1 2 3、3， 4 5、 5， 6、 6， 7、7， f 8 9 10、10 5 11' \l, 12 13 14, 14’ 15 i V 1 6 18' 18 5 19 A、19B 40 100、100 5 101、 1015 1 02 103 號說明】 玻璃基板 閘極電極 資料接線 TFT開關 電荷累積電容 半導體膜 偏壓電極 半導體層 源極電極 TFT主動矩陣基板 電荷收集電極 中間層絕緣膜 ί曳極電極 下累積電容電極 閘極絕緣膜 接觸孔 上累積電容電極 開口 背光器 輻射影像偵測裝置 掃描接線 累積電容接線 影像感測器單元 -21 - 200917472 1 04 掃描信號控制器 1 05 信號偵測電路 1 06 信號處理裝置 -22-

Claims (1)

1. 200917472 十、申請專利範圍： 1. 一種影像偵測裝置，包括： 一感測器面板，其包含半導體層’形成在由具有發光 特性之構件所形成的基板上，且回應輻射至此之X射線 產生電荷；兩對電極，其彼此相對配置；及多數累積部 分，形成在該半導體層與該基板之間，其累積由該半導 體層所產生之電荷，作爲構成影像之像素資訊；以及 燈具’其將光線輻射至該基板側上之該感測器面板的 表面； 其中形成該累積部分之個別電極，使得具有至少一預 定強度之光線係自該燈具輻射至形成該累積部分之該半 導體層區。 2 .如申請專利範圍第1項之影像偵測裝置，其中在該累積 部分之該等電極的每一個形成開口，使得具有至少預定 強度之該光線係自該燈具輻射至形成該累積部分之該半 導體層區。 3 .如申請專利範圍第2項之影像偵測裝置，其中每一個開 口係形成狹縫形。 4 ·如申請專利範圍第2項之影像偵測裝置，其中每一個開 口係形成矩形。 5 .如申請專利範圍第2項之影像偵測裝置，其中每一電極 包含多數開U。 6 .如申請專利範圍第1項之影像偵測裝置，其中該累積部 位之該等電極的每一個係分成多數電極。 7 ·如申S靑專利範圍第1項之影像偵測裝置，其中該累積部 -23- 200917472 位之該等電極的每一個係由一具有發光特性之導電構件 所形成。 8 .如申請專利範圍第1項之影像偵測裝置，其中該半導體 層包含非結晶形硒作爲主要成份。 9 .如申請專利範圍第1項之影像偵測裝置，其中該半導體 層係藉由層積每層含相異材料之多數半導體層以形成。

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