TWI491032B - 主動矩陣式影像感測面板及裝置 - Google Patents

Description

主動矩陣式影像感測面板及裝置

本發明係關於一種影像感測面板及裝置，特別關於一種主動矩陣式影像感測面板及裝置。

傳統X光成像技術係利用成像膠片接收X光之曝光而成像，但近年來，由於半導體技術的發展，X光成像技術也進化到利用平板式的數位化影像感測面板來成像，即所謂的數位放射造影(digital radiography,DR)技術。

茲將數位放射造影技術之原理簡述如下。當X光進入影像感測裝置內時，會先經過一閃爍晶體層(scintillator)，並藉其將X光轉變為可見光，再藉由感光元件將所感測到的可見光轉成電訊號，之後連接至薄膜電晶體元件，再從資料線被讀出，再經過影像處理後則變成影像。其中，感光元件從原本的電荷耦合元件(charge coupled device,CCD)也進展到矽基的光電二極體。在目前技術中，也有不需閃爍晶體層，而是直接將X光轉成電訊號。

然而，習知常用之薄膜電晶體元件例如為金屬氧化物薄膜電晶體，而感光元件例如為NIP型非晶矽光二極體。其中，金屬氧化物薄膜電晶體之閘極一般係操作於負極性的電壓(例如-5V)，而NIP型非晶矽光二極體的偏壓的極性亦為負極性。因此，當感光元件照光之後所產生的電子會往感光元件的下電極移動，進而使下電極及薄膜電晶體之源極的電位下降。但是，若下電極與薄膜電晶體之源極的電位因高強度的光線照射而持續下降，使得閘極與源極之間的電位差持續上升，進而大於薄膜電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)時，則薄膜電晶體將被導通而使得源極開始漏電到資料線，如此，影像處理模組處理而取得影像時，將造成感測失真的問題。

因此，如何提供一種主動矩陣式影像感測面板及裝置，可避免主動矩陣式影像感測面板及裝置產生的漏電流現象，造成影像感測失真的問題，已成為重要課題之一。

有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種可避免產生的漏電流現象，造成影像感測失真的問題之主動矩陣式影像感測面板及主動矩陣式影像感測裝置。

為達上述目的，依據本發明之一種主動矩陣式影像感測面板包括一基板以及一影像感測畫素。影像感測畫素設置於基板上，並具有一掃描線、一資料線、一感光元件以及一薄膜電晶體元件。資料線與掃描線交錯設置。感光元件具有一第一端點電極及一第二端點電極，第一端點電極電壓大於第二端點電極電壓。薄膜電晶體元件具有一第一電極、一第二電極、一第一閘極及一第二閘極，第一電極與資料線電性連接，第二電極與感光元件之第一端點電極電性連接，第一閘極與掃描線電性連接，第二閘極與感光元件之第一端點電極或第二端點電極電性連接。

為達上述目的，依據本發明之一種主動矩陣式影像感測裝置包括一主動矩陣式影像感測面板以及一處理模組。影像感測畫素設置於基板上，並具有一掃描線、一資料線、一感光元件以及一薄膜電晶體元件。資料線與掃描線交錯設置。感光元件具有一第一端點電極及一第二端點電極，第一端點電極電壓大於第二端點電極電壓。薄膜電晶體元件具有一第一電極、一第二電極、一第一閘極及一第二閘極，第一電極與資料線電性連接，第二電極與感光元件之第一端點電極電性連接，第一閘極與掃描線電性連接，第二閘極與感光元件之第一端點電極或第二端點電極電性連接。處理模組分別與主動矩陣式影像感測面板之掃描線及資料線電性連接。

在一實施例中，第二端點電極電性連接至一參考電壓，參考電壓的極性係為負。

在一實施例中，感光元件更具有一第一半導體層、一本質半導體層及一第二半導體層，本質半導體層夾置於第一半導體層與第二半導體層之間。

在一實施例中，第一半導體層與第二端點電極直接接觸而電性連接，第二半導體層與第一端點電極直接接觸而電性連接。

在一實施例中，薄膜電晶體元件更具有一通道層，通道層包括一氧化物半導體，氧化物半導體包括氧化物，氧化物包括銦、鋅及錫的至少其中之一。

在一實施例中，第二閘極係透過一導電層與第二端點電極電性連接。

在一實施例中，第二閘極由薄膜電晶體元件之上延伸至感光元件之上，並與第二端點電極直接接觸。

在一實施例中，第二閘極與第一端點電極係為同一層，且至少部分第一端點電極由感光元件延伸至薄膜電晶體元件之上。

在一實施例中，至少部分第一端點電極由感光元件延伸至薄膜電晶體元件之上，並與第二閘極直接接觸。

承上所述，因本發明之主動矩陣式影像感測面板及裝置中，薄膜電晶體元件之第一電極與資料線電性連接，第二電極與感光元件之第一端點電極電性連接，第一閘極與掃描線電性連接，而第二閘極與感光元件之第一端點電極或第二端點電極電性連接。藉此，可提高薄膜電晶體元件的臨界電壓，並於感光元件被光線照射而使第一閘極與第二電極之間的電位差升高時，使薄膜電晶體元件不會被導通而發生漏電流現象。因此，本發明可避免主動矩陣式影像感測面板及裝置產生的漏電流現象所造成的影像感測失真的問題。

1、1a~1c、21‧‧‧主動矩陣式影像感測面板

11‧‧‧基板

2‧‧‧主動矩陣式影像感測裝置

22‧‧‧處理模組

C1‧‧‧導電層(第二閘極)

C2~C3‧‧‧導電層

DL‧‧‧資料線

E1‧‧‧第一端點電極

E2‧‧‧第二端點電極

E3‧‧‧第一電極

E4‧‧‧第二電極

ES‧‧‧蝕刻終止層

G‧‧‧(第一)閘極

I1~I3‧‧‧絕緣層

I4‧‧‧保護層

O1~O3‧‧‧通孔

P‧‧‧感光元件

P1‧‧‧第一半導體層

P2‧‧‧本質半導體層

P3‧‧‧第二半導體層

SL‧‧‧掃描線

T‧‧‧薄膜電晶體元件

T11‧‧‧閘極介電層

T12‧‧‧通道層

V‧‧‧參考電壓

圖1A為本發明較佳實施例之一種主動矩陣式影像感測面板中，一個影像感測畫素的結構示意圖。

圖1B為圖1A之影像感測畫素的等效電路示意圖。

圖2為本發明之主動矩陣式影像感測面板中，薄膜電晶體元件的電壓與電流的曲線示意圖。

圖3及圖4A分別為本發明較佳實施例另一態樣之主動矩陣式影像感測面板中，一個影像感測畫素的結構示意圖；圖4B為圖4A之影像感測畫素的等效電路示意圖。

圖4C所示為本發明較佳實施例又一態樣之主動矩陣式影像感測面板中，一個影像感測畫素的結構示意圖。

圖5為本發明較佳實施例之一種主動矩陣式影像感測裝置的功能方塊示意圖。

以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之主動矩陣式影像感測面板及裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。

請同時參照圖1A及圖1B所示，其中，圖1A為本發明較佳實施例之一種主動矩陣式影像感測面板1中，一個影像感測畫素的結構示意圖，而圖1B為圖1A之影像感測畫素的等效電路示意圖。

主動矩陣式影像感測面板1係包括複數影像感測畫素設置於一基板11上。在實施上，基板11可為一可透光之材質，例如是玻璃、石英或類似物、塑膠、橡膠、玻璃纖維或其他高分子材料，較佳的可為一硼酸鹽無鹼玻璃基板(alumino silicate glass substrate)。基板11亦可為一不透光之材質，例如是金屬-玻璃纖維複合板、或金屬-陶瓷複合板。

如圖1A及圖1B所示，於該等影像感測畫素中，至少其中之一的影像感測畫素具有一掃描線SL、一資料線DL、一感光元件P、一薄膜電晶體元件T以及一導電層C1。另外，本實施例之影像感測畫素更可具有一導電層C2、一絕緣層I1、一絕緣層I2、一絕緣層I3及一保護層I4。其中，掃描線SL、資料線DL、感光元件P、薄膜電晶體元件T、導電層C1、C2、絕緣層I1~I3及保護層I4係設置於基板11上。需注意者，圖1A僅描繪出1個影像感測畫素，就主動矩陣式影像感測面板1而言，其可具有多個影像感測畫素呈陣列設置，且多條資料線DL、多條掃描線SL係交錯設置。

資料線DL與掃描線SL交錯設置。感光元件P具有一第一 端點電極E1及一第二端點電極E2。第一端點電極E1或第二端點電極E2可為一透明電極，其材質例如可為氧化銦錫(ITO)。另外，感光元件P更具有一第一半導體層P1、一本質(Intrinsic)半導體層P2及一第二半導體層P3，本質半導體層P2係位於第一半導體層P1與第二半導體層P3之間。其中，第一半導體層P1與第二端點電極E2直接接觸而電性連接，而第二半導體層P3與第一端點電極E1直接接觸而電性連接。於此，感光元件P係為一NIP型之光二極體，並以非晶矽(a-Si)薄膜沉積製成。在本實施例中，第一半導體層例如為P型半導體，而第二半導體層為N型半導體，當然並不以此為限。此外，如圖1B所示，第二端點電極E2電性連接至一參考電壓V，參考電壓V可提供感光元件P一偏壓，且為負極性電壓，使得第一端點電極E1電壓大於第二端點電極電壓E2。

薄膜電晶體元件T例如為N型非晶矽薄膜電晶體，並具有一閘極G、一閘極介電層T11、一通道層T12、一第一電極E3及一第二電極E4。閘極G設置於基板11上，並與掃描線SL電性連接。閘極G之材質係為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與閘極G同層且同一製程之結構，且彼此電性相連，例如掃描線。閘極介電層T11設置於閘極G上，且閘極介電層T11係可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或無機材質例如為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質之多層結構。閘極介電層T11需完整覆蓋閘極G，並可選擇部分或全部覆蓋基板11。

通道層T12相對閘極G的位置設置於閘極介電層T11上。在實施上，通道層T12例如可包含一氧化物半導體。其中，前述之氧化物半導體包括氧化物，且氧化物包括銦、鎵、鋅及錫其中之一，例如但不限於為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)，以使薄膜電晶體元件T為一金屬氧化物薄膜電晶體。其中，金屬氧化物薄膜電晶體具有低漏電流(漏電流介於10-14安培至10-18安培)、高電子能隙(約3.1電子伏特)及對光照射不敏感等特性，為一增益型(Enhancement mode)電晶體。

第一電極E3與第二電極E4分別設置於通道層T12上，且第一電極E3與第二電極E4分別與通道層T12接觸，於薄膜電晶體元件T 之通道層T12未導通時，兩者係電性分離。其中，第一電極E3例如為薄膜電晶體元件T之汲極，並與資料線DL電性連接，而第二電極E4為薄膜電晶體元件T之源極，並與感光元件P之第一端點電極E1電性連接。於此，係透過設置於絕緣層I1及絕緣層I2上之一通孔O1，並透過第一端點電極E1往薄膜電晶體元件T的方向延伸，使第一端點電極E1與第二電極E4電性連接。第一電極E3與第二電極E4之材質可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。此外，部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與第一電極E3與第二電極E4同層且同一製程之結構，例如資料線。

值得一提的是，本實施例之薄膜電晶體元件T之第一電極E3(以下亦稱為汲極)與第二電極(以下亦稱為源極)亦可設置於一蝕刻終止(etch stop)層ES上，且源極與汲極之一端係分別自蝕刻終止層ES之開口與通道層T12接觸。其中，蝕刻終止層ES係可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或單層無機材質例如氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質組合之多層結構。不過，在其他的實施例中，也可將源極與汲極直接設置於通道層T12上，而不需蝕刻終止層ES。

導電層C1係與閘極G相對設置，且導電層C1與感光元件P之第一端點電極E1或第二端點電極E2電性連接。在本實施例中，導電層C1係位於閘極G之上。其中，閘極G稱為薄膜電晶體元件T之第一閘極，導電層C1稱為薄膜電晶體元件T之第二閘極，而第一閘極(閘極G)與第二閘極(導電層C1)係相對而設，且絕緣層I1係設置於導電層C1(第二閘極)與第一電極E3或第二電極E4之間。另外，絕緣層I2完全覆蓋導電層C1，而絕緣層I3設置於絕緣層I2上。此外，導電層C1係透過位於絕緣層I2及絕緣層I3上之一通孔O2，並透過導電層C2由通孔O2延伸至第二端點電極E2上，使導電層C1(第二閘極)與第二端點電極E2電性連接。其中，導電層C2亦可連接至參考電壓V，以提供感光元件P一偏壓(圖1A未顯示)。導電層C1、C2可為透光(例如ITO)或不透光(例如金屬或合金)的材質所構成。於此，導電層C1例如為一金屬層，而導電層C2的材質係以透明導電層為例。另外，絕緣層I1的材質例如為氧化矽(SiOx)，絕緣層I2的材質例如為氮化矽(SiNx)，且絕緣層I3的材質例如包含氮化 矽(SiNx)或四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy,PFA)。此外，保護層I4設置於薄膜電晶體元件T及感光元件P之上，並位於導電層C2及絕緣層I3上。於此，保護層I4的材質可與絕緣層I3的材質相同，並例如可包含氮化矽或四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物。

另外，請參照圖2所示，其為本發明之主動矩陣式影像感測面板1中，薄膜電晶體元件T的電壓與電流的曲線示意圖。於此，橫座標為閘極G(第一閘極)的電壓，而縱座標為正規化後之汲極電流。

在本實施例中，因於閘極G(第一閘極)之上具有一導電層C1(第二閘極)，且導電層C1與感光元件P之第二端點電極E2電性連接。另外，第二端點電極E2電性連接至參考電壓V，而參考電壓V為感光元件P之偏壓，且參考電壓V的電壓極性為負，使得第一端點電極E1電壓大於第二端點電極E1電壓。藉由具有負極性之導電層C1(第二閘極)，可將薄膜電晶體元件T之通道層T12之後通道(back channel，即通道層T12與蝕刻終止層ES之間)所累積的電子導引出，藉此可提高薄膜電晶體元件T的臨界電壓(Threshold voltage)。於此，藉由導電層C1以提高薄膜電晶體元件T的臨界電壓，也可稱此薄膜電晶體元件T具有雙閘極(dual-gate)的設計(不過實際上，導電層C1並不具有薄膜電晶體元件T之閘極G原來的功用)。

如圖2所示，當導電層C1與負極性之參考電壓V連接，且其電壓值越來越小時(例如由0、-1V、...、-10V)，將使薄膜電晶體元件T的閘極電壓與汲極電流的曲線往右側移動，藉此，可提高薄膜電晶體元件T的臨界電壓(例如臨界電壓由接近0V往上增加到大約6V)。舉例而言，當參考電壓V為的電壓值為-10V時，藉由導電層C1連接至參考電壓V，使導電層C1的電壓亦為-10V，可提高薄膜電晶體元件T的臨界電壓到+6V(以上)。因此，當感光元件P照光之後所產生的電子往第一端點電極E1及薄膜電晶體元件T的第二電極E4移動時，雖然會使薄膜電晶體元件T之第二電極E4的電位下降，進而使閘極G與第二電極E4(源極)之間的電位差VGS持續上升(即負值越來越小)，但是由於薄膜電晶體元件T的臨界電壓已因導電層C1的設置而提高，故薄膜電晶體元件T不會被導通，因此，薄膜電晶體元件T不會有漏電流的現象。

此外，主動矩陣式影像感測面板1可更包含一波長調變層(圖未顯示)，其係設置於影像感測畫素之上。其中，波長調變層可為一閃爍晶體層(scintillator)，用以將收入之光線轉換為特定波長之光線，例如將X光轉換成可見光，以利感光元件P感光。當然，在感光元件P可直接將X光轉成電訊號的情況下，波長調變層可省略。

另外，請參照圖3所示，其為本發明較佳實施例另一態樣之主動矩陣式影像感測面板1a中，一個影像感測畫素的結構示意圖。

圖3與圖1A主要的不同在於，圖3之影像感測畫素的結構中，導電層C1並不透過另一導電層與感光元件P之第二端點電極E2電性連接，而是導電層C1由薄膜電晶體元件T之上直接延伸至感光元件P之上，並與第二端點電極E2直接接觸。換言之，通孔O2係形成於絕緣層I2、I3上，且導電層C1係設置於通孔O2內，以由薄膜電晶體元件T之上直接延伸至感光元件P上，以直接與第二端點電極E2直接接觸而電性連接。其中，導電層C1係為可透光的材質，並可例如為氧化銦錫(ITO)。

另外，請參照圖4A及圖4B所示，其中，圖4A為本發明較佳實施例又一態樣之主動矩陣式影像感測面板1b中，一個影像感測畫素的結構示意圖，而圖4B為圖4A之影像感測畫素的等效電路示意圖。

與圖1A及圖1B主要的不同在於，於圖4A及圖4B的主動矩陣式影像感測面板1b中，導電層C1與第一端點電極E1係為同一層的結構，使得導電層C1(第二閘極)與感光元件P之第一端點電極E1電性連接。也可以說，第一端點電極E1由感光元件P一直延伸至薄膜電晶體元件T之上，以將第一端點電極E1當成薄膜電晶體元件T上的導電層(實際上可不用設置導電層)，因此，使得感光元件P位於薄膜電晶體元件T上。另外，於感光元件P之上設置另一導電層C3，而導電層C3可連接至參考電壓V，以提供偏壓給感光元件P。在其它的實施態樣中，也可只延伸感光元件P之第一端點電極E1，而不將感光元件P的其它部分設置於薄膜電晶體元件T之上。

由於光線進入感光元件P時，可激發感光元件P而產生電子電洞對，並藉由參考電壓V施加一負極性的偏壓給感光元件P，使得電子電洞對分離。因此，當感光元件P照光之後所產生的電子往感光元件P 的第一端點電極E1移動，進而可使第一端點電極E1及薄膜電晶體元件T之第二電極E4的電位下降。本實施態樣係將感光元件P的第一端點電極E1因照光而產生的電位下降(負極性電壓)直接加載於薄膜電晶體元件T上方之導電層C1(此時，導電層C1與第一端點電極E1係為同一層結構)，以動態地提供負極性的電壓給薄膜電晶體元件T，一樣可使薄膜電晶體元件T的閘極電壓與汲極電流的曲線往右側移動，藉此可提高薄膜電晶體元件T的臨界電壓，使薄膜電晶體元件T不會被導通而產生漏電流現象。

另外，請參照圖4C所示，其為本發明較佳實施例又一態樣之主動矩陣式影像感測面板1c中，一個影像感測畫素的結構示意圖。

與圖4A主要的不同在於，於主動矩陣式影像感測面板1c中，部分第一端點電極E1係由感光元件P延伸至薄膜電晶體元件T之上，並與導電層C1直接接觸而電性連接。也可以說是，透過感光元件P之第一端點電極E1設置於位於導電層C1上之一通孔O3而使第一端點電極E1與導電層C1(第二閘極)電性連接。藉此，於感光元件P照光時，一樣可提供動態的負極性電壓給薄膜電晶體元件T，提高薄膜電晶體元件T的臨界電壓，使薄膜電晶體元件T不會被導通而產生漏電流現象。

此外，請參照圖5所示，其為本發明較佳實施例之一種主動矩陣式影像感測裝置2的功能方塊示意圖。

主動矩陣式影像感測裝置2包含一主動矩陣式影像感測面板21及一處理模組22。其中，主動矩陣式影像感測面板21與處理模組22電性連接，並可為上述實施例之主動矩陣式影像感測面板1~1c的其中之一，於此不再贅述其內容。

處理模組22與主動矩陣式影像感測面板21之資料線DL電性連接，並接收主動矩陣式影像感測面板21之感光元件之感光訊號以形成一影像資料。影像資料可經過後續的影像處理以及影像顯示而呈現出來。另外，處理模組22亦與主動矩陣式影像感測面板21之掃描線SL電性連接，以循序致能掃描線SL而依序讀出該等感光訊號。

綜上所述，因本發明之主動矩陣式影像感測面板及裝置中，薄膜電晶體元件之第一電極與資料線電性連接，第二電極與感光元件之第一端點電極電性連接，第一閘極與掃描線電性連接，而第二閘極與感 光元件之第一端點電極或第二端點電極電性連接。藉此，可提高薄膜電晶體元件的臨界電壓，並於感光元件被光線照射而使第一閘極與第二電極之間的電位差升高時，使薄膜電晶體元件不會被導通而發生漏電流現象。因此，本發明可避免主動矩陣式影像感測面板及裝置產生的漏電流現象所造成的影像感測失真的問題。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

DL‧‧‧資料線

E1‧‧‧第一端點電極

E2‧‧‧第二端點電極

E3‧‧‧第一電極

E4‧‧‧第二電極

G‧‧‧(第一)閘極

P‧‧‧感光元件

SL‧‧‧掃描線

T‧‧‧薄膜電晶體元件

V‧‧‧參考電壓

Claims (18)

1. 一種主動矩陣式影像感測面板，包括：一基板；以及一影像感測畫素，設置於該基板上，並具有：一掃描線；一資料線，與該掃描線交錯設置；一感光元件，具有一第一端點電極及一第二端點電極，該第一端點電極電壓大於該第二端點電極電壓；以及一薄膜電晶體元件，具有一第一電極、一第二電極、一第一閘極及一第二閘極，該第一電極與該資料線電性連接，該第二電極與該感光元件之該第一端點電極電性連接，該第一閘極與該掃描線電性連接，該第二閘極與該感光元件之該第一端點電極或該第二端點電極電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中該第二端點電極電性連接至一參考電壓，該參考電壓的極性係為負。
3. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中該感光元件更具有一第一半導體層、一本質半導體層及一第二半導體層，該本質半導體層夾置於該第一半導體層與該第二半導體層之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中該第一半導體層與該第二端點電極直接接觸而電性連接，該第二半導體層與該第一端點電極直接接觸而電性連接。
5. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中該薄膜電晶體元件更具有一通道層，該通道層包括一氧化物半導體，該氧化物半導體包括氧化物，該氧化物包括銦、鋅及錫的至少其中之一。
6. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中該第二閘極係透過一導電層與該第二端點電極電性連接。
7. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中該第二閘極由該薄膜電晶體元件之上延伸至該感光元件之上，並與該第二端點電極直接接觸。
8. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中該第二閘極與該第一端點電極係為同一層，且至少部分該第一端點電極由該感光元件延伸至該薄膜電晶體元件之上。
9. 如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式影像感測面板，其中至少部分該第一端點電極由該感光元件延伸至該薄膜電晶體元件之上，並與該第二閘極直接接觸。
10. 一種主動矩陣式影像感測裝置，包括：一主動矩陣式影像感測面板，包含：一基板；一影像感測畫素，設置於該基板上，並具有：一掃描線；一資料線，與該掃描線交錯設置；一感光元件，具有一第一端點電極及一第二端點電極，該第一端點電極電壓大於該第二端點電極電壓；一薄膜電晶體元件，具有一第一電極、一第二電極、一第一閘極及一第二閘極，該第一電極與該資料線電性連接，該第二電極與該感光元件之該第一端點電極電性連接，該第一閘極與該掃描線電性連接，該第二閘極與該感光元件之該第一端點電極或該第二端點電極電性連接；以及 一處理模組，分別與主動矩陣式影像感測面板之該掃描線及該資料線電性連接。
11. 如申請專利範圍第10項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中該第二端點電極電性連接至一參考電壓，該參考電壓的極性係為負。
12. 如申請專利範圍第10項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中該感光元件更具有一第一半導體層、一本質半導體層及一第二半導體層，該本質半導體層夾置於該第一半導體層與該第二半導體層之間。
13. 如申請專利範圍第12項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中該第一半導體層與該第二端點電極直接接觸而電性連接，該第二半導體層與該第一端點電極直接接觸而電性連接。
14. 如申請專利範圍第10項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中該薄膜電晶體元件更具有一通道層，該通道層包括一氧化物半導體，該氧化物半導體包括氧化物，該氧化物包括銦、鋅及錫的至少其中之一。
15. 如申請專利範圍第10項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中該第二閘極係透過一導電層與該第二端點電極電性連接。
16. 如申請專利範圍第10項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中該第二閘極由該薄膜電晶體元件之上延伸至該感光元件之上，並與該第二端點電極直接接觸。
17. 如申請專利範圍第10項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中該第二閘極與該第一端點電極係為同一層，且至少部分該第一端點電極由該感光元件延伸至該薄膜電晶體元件之上。
18. 如申請專利範圍第10項所述之主動矩陣式影像感測裝置，其中至少部分該第一端點電極由該感光元件延伸至該薄膜電晶體元件之上，並與該第二閘極直接接觸。