TW200903527A - Laminated positive temperature coefficient thermistor - Google Patents

Description

200903527 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於過電流保護用、溫度檢測用等之 阻器。 胃增正熱 【先前技術】 近年來，於電子機器之料進展小型化，用於 正電阻溫度特性之正埶卩且哭介、仓s s u 、 /、有 ^ 熱^亦進展晶丨化。作為該類經曰 之正熱阻器，據知有例如積層正熱阻器。 曰 -般所知之積層正熱阻器係具有陶竞素體

如⑽〇叙複數半導體㈣層、及沿著 究I 界面形成之複數内部電極;於積層方向相鄰之二： 崎素體之不同端面交互被引出，與被引出之内玉 電性連接而形成外部電極。 电極 而且’作為積層正熱阻器之内部電極，據知使用

電極。通常’積層正熱阻器之陶究素體係藉由 L 體陶瓷層之陶瓷胚片,. 為斗導 , ㈤无胚片（以⑽細）’將作為州内部電極 沁内部電極用導電性糊予以絲網印刷，將印刷有犯内 極用導電性糊之陶究胚片積層為，州内部電極用導 於陶究素體之兩端面交互被導出，並於特；t氣氛中予以〜 體培燒來形成。屆時，若於大氣氣氛中予以—體培燒 川内部電極會氧化。因此，具有半導體㈣層及犯内部^ 極之陶免素體係藉由於還原氣氛中_體培燒來形成。欢 :’右於還原氣氛中—體焙燒’則半導體陶瓷層亦被還 ’、’產生無法獲得充分之電阻變化率之新問題。因此，主 129283.doc 200903527 了獲得高電阻變#、安 电但文化率，據知於還原氣氛中進 後:料於大氣中氣氛或氧氣氛中進行再氧化處理。^ 該再乳化處理係難以控㈣處理溫度，由於氧未遍布至 =素體中央㉝’因此產生氧化不均，無法獲得充分之電 阻變化率。因&，例如專利文獻1，據知其降低半導體陶 瓷層之燒結密度，增加孔隙之存在比率，藉此製成氧容易 遍布至陶瓷素體中央部之結構。

*將該類孔隙率高之制正熱阻Η以基板安裝時，通常 藉由回焊來進行焊接，但焊錫所含之助㈣會經由位於陶 瓷素體表面部之半導體陶瓷層之孔隙而侵入陶瓷素體内 部，耐電壓可能降低。作為解決其之方法，於專利文獻 1，據知藉由使陶瓷素體含浸玻璃成分，於存在於陶瓷素 體表面部之半導體陶瓷層之孔隙形成玻璃膜，藉此來防止 助炼劑對於陶瓷素體内部侵入。 [專利文獻1]曰本特開2002-217004號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 然而，即使如專利文獻丨，使半導體陶瓷層之燒結密度 低之陶瓷素體表面部之孔隙含浸玻璃成分，若存在過多孔 隙，則依玻璃成分之種類及含浸•乾燥燒附條件，會有無 法充分填埋孔隙之情況。因此，位於陶瓷素體表面部側之 半導體陶瓷層之孔隙率宜低。 因此，本發明之目的係有關積層正熱阻器，提供一種使 位於陶瓷素體中央部之半導體陶瓷層之孔隙率維持與專利 129283.doc 200903527 文獻1相同程度，且位於陶兗素體表面部之半導體陶竟層 之孔隙率比位於陶究素體中央部之半導體陶究層之孔㈣ 低之積層正熱阻器。 (解決問題之技術手段） - 為了達成上述目的，本發明去望么、立 θ t寺銳思地重複檢討，結果 • I現於積層正熱阻器中’將存在於分別位於積層方向最外 側之2個内部電極間之複數半導體陶究層作為有效声，將 ^匕分別位於最外側之2個内部電極更位於陶究素體表面部

Hi導體陶瓷層作為保護層時，藉由改變構成有效層之 半導體陶瓷層之半導體化劑盘 遵層之半導體陶究層 體化劑之種類，有效層之孔隙率可維往大致 “，同時使保護層之孔隙率比有效層之孔隙率小。 本發明之第一發明之積層正熱阻 素體，其係由複數半導體心爲， 3 赤_丄 體陶竟層與複數内部電極積層而 =該寻半導體㈣層包含以BaTi〇3為主成分 化劑之陶瓷材料，該辇 3牛導篮 ， 之界面所 〆，σ電極係沿著前述半導體陶瓷層 f面所形成；及外邱 端面，。 ^ ，/、係形成於前述陶瓷素體之 方向最外側之⑽妾;7成，將分別位於積層 作為有效層，將比^間所存在之複數半導體陶究層 加位於陶究f體/ ”別位於最外側之2個内部電極更 丈素體表面部側之半導 成為前述保護層之丰 -«作為保護層時， 半徑係比成為前 ,曰斤3之丰蛤體化劑之離子 劑之離子半徑大。’’曰之半導體陶宪層所含之半導體化 129283.doc 200903527 而且本發明之第二發明之積層正熱阻器宜於成為保護 b之半導體陶1層之孔隙中，至少位於陶I素體表面部側 之孔隙形成有玻螭膜。 而且本發明之第三發明之積層正熱阻器宜保護層之孔 隙率為10 %以下。 (發明之效果） f 如本發明之第—發明，將存在於分別位於積層正熱阻器 之積層方向最外側之2個内部電極間之複數半導體陶究層 作為有效層，將比分別位於最外側之2個内部電極更位於 陶曼素體表面部側之半導體陶曼層作為保護層時，藉由形 成成為保濩層之半導體陶瓷層所含之半導體化劑之離子半 =成為有效層之半導體陶曼層所含之半導體化劑之離子 的構成，並-體培燒前述有效層及前述保護層，可 使陶瓷素體表面部分，介 1刀亦即保濩層之孔隙率比有效層之？丨 隙率低。此係根據本發 沪赞月者4之新見解，即BaTi〇3系半導 二：材料所含之半導體化劑之離子半徑越大，以特定培 k溫度焙燒所獲得半 之+導體陶竞層之孔隙率越小。依此， 曰使保制所含之半導體_之料半彳f 之半導體化劑之離子本闲+ ㈣3 声及❸大’即使-體焙燒保護層與有效 同程声一 ^層之㈣㈣可維持與以往相 门耘度鬲，同時使保護層 藉此，於培燒後之再氧化产理0有層之孔隙率低。 内部雷托尤— 處理日宁，於陶瓷素體中央部且由 ^ 並直接有助於特性之有效層部分，可砰樣唯 持氧容易遍布之狀態，並纩f & 了原樣維 ,尤鈿小無助於特性且助熔劑容易渗 129283.doc 200903527 入之保護層之孔隙率。 而 3 护， 依半導體陶瓷層逐一改變孔隙率而設計之情況 係例如日本特開2005-93574號公報，於成為焙燒 L之半導體陶瓷層之陶瓷胚片所含之黏合劑，混合聚苯乙 、粒子’改變聚笨乙烯粒子量，以調整由於焙燒後，聚苯 ^烯粒子燃燒並消失所發生之孔隙量，使孔隙率變化。而 旦作為其他方法，亦據知改變陶瓷胚片所含之黏合劑 、用》亥類方法而欲製成如本發明之結構，亦即有效層 之孔隙率與以往相同程度高，保護層之孔隙率比有效層之 孔效率低而構成之情況時，於構成保護層之半導體陶究層 所用之陶竟胚片可考慮積層，相較於在構成有效層之半導 體”層所用之陶究胚片，更減少聚苯乙稀粒子量或= 劑置之陶竟胚片。然而，例如若欲變化聚苯乙稀粒子量來 =陶究胚片，則由於聚苯乙稀粒子本身並無助於作為黏 因此有陶究胚片間之密著性不足之疑慮。而 =等之有機成分量，積層陶究胚片並予以一體培燒之情 況日^從陶究素體中央部容易發生燃燒氣體 一—另一方面，本發明即使不使陶= 含之聚苯乙稀粒子量或黏合劑量，在半導體陶 異，有效層之孔隙率仍可維持與以往相同程度言，/ 使保護層之孔隙率比有效層之孔隙率小。&同％可 而且，藉由製成如本發明之第二發明之結構 於位於陶究素體表面部側之孔隙形成破璃膜日由至少 接來予以基板安裝，仍可確實防止 二：利用悍 3疋助熔劑滲入 I29283.doc 200903527 陶瓷素體内部。 7而且，藉由製成如本發明之第三發明之結構’例如於進 行通電試驗之情況時，可縮小通電試驗前後之電阻值變 化。 本發明者等藉由焊接’將根據前述專利文獻1之積層正 熱阻器予以基板安裝’並進行通電試驗，得知通電試驗前 後之电阻值會大巾田變化。此據判係由於助熔劑從陶瓷素體 鄰接於基板之部分，亦即從陶究素體表”，特別是從安 裝面側之表面部（LxW面）滲入。該原因仍不明，但原本於 形成於孔隙之玻璃膜形成有微小裂縫，於積層正熱阻器安 裝於基板時’應力會加在陶究素體與被焊接之外部電極 間’存在於陶究素體之安裝面側之表面部及與外部電極之 連接部分附近之㈣長。若於該㈣下進行通 電試驗，推測因為當初固定於玻璃膜表面之助炼劑會隨著 陶究素體之發熱而黏性降低’藉由毛細現象通過玻璃膜之 裂痕等而容易侵人陶究素體内部。如本發明之第三發明， 藉由使保護層之孔隙率成為10%以下，可減少保護層之孔 隙之存在比率，並且進—步可充分進行玻㈣之形成，因 此可更加防止助炼劑之渗入。 【實施方式】 以下，根據圖式來詳細說明本發明之積層正熱阻器之一 實施型態。 圖1係表示本發明之積層正熱阻器]之一實施型態之概略 剖面®。本發明之積層正熱阻器W於具有半導體陶究層 129283.doc 200903527 2a〜^M素體4之内部，埋設有複數内部電極3aa，3ab 3ba及3bb。然後，於陶究素體4之兩端部，與内部電極^ 3ab，3ba及3bb電性連接而形成有外部電極域％。亦即， 内部電極3aa，3ab係於陶究素體4之一端面分別交互被引 出，内部電極地係於陶究素體4之另一端面分別交互 被引出而形成。然後，外部電極化係與内部電極3aa 3ab 電性連接，外部電極5b係與内部電極册電性連接。 進Γ步而言，於外部電極之表面，形成以犯等形成 之第-電鍍膜6a，6b，進—步於第一電鍍臈“，补之表面， 形成以Sn等形成之第二電鍍臈7a, 7b。 本發明之半導體陶究層2以中，將位於在積層方向位 於最外側之2個内部電極3—3ab間之半導體陶竟層⑽ 作為有效層B ’將比在積層方向位於最外側之2個内部電極 3ba及3ab更位於陶竞素體表面部側之半導體陶究層^及k 作為保護層A。 本發明之保護層A及有效Μ係包含，以咖〇3作為主 成刀並3半導體化劑之陶莞材料’並使用保護層A所含之 ^導體化劑之離子半徑比有效層崎含之半導體化劑之離 +徑大者。本發明之離子半徑係以作為出發原料之半導 ，化劑之離子半徑（6配位）來表*。例如作為有效層B之陶 本^料*用於主成分之BaTi〇3添加Sm3 + (〇 96A)來作為 V體化劑者之情況，作為保護層八之陶瓷材料，主成分 之^〇3為共同’而作為半導體化劑可使用Ν·.98Α)及 LU3A)等。此外’本發明之各離子半徑係根據 129283.doc 200903527

Handbook of Chem. & Phys.，79th Edition，γ. q Jia j Solid State Chem,，95(1991)184。

藉由該類結構，本發明之積層正熱阻器係獲得有效層B 之孔隙率維持與以往相呈度高之I態，且保護層A之孔 隙率低之結構。作為半導體化劑之種類可使用稀土類元 素，於 La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、㈤、几、d” γ、

Ho、Er及Tm中選擇至少一種。此外，於保護層八及有效層 B之各層添加複數種稀土類元素之情泥時，藉由個別之添 加比率及半導體化劑之離子半徑之平均值來比較即可。 而且，且構成為作為本發明之半導體陶瓷層2a〜2e全體 之孔隙率為10%以上、35%以下。此外，本發明之孔隙率 係表不焙燒後之半導體陶瓷材料之孔隙所佔比率（％)。藉 由設為該孔隙率，由於再氧化處理之氧會遍布至陶瓷素體 4之中央# ’因此可獲得電阻變化率優良之積層正熱阻器 1於此，於半導體陶瓷層2a〜2e全體之孔隙率比35%多之 =況時，陶瓷素體4之體強度會降低，或室溫電阻值可能 變高。而且，於半導體陶瓷層2卜2£全體之孔隙率比ι〇%小 之情況時，由於再氧化處理不會順利進行，因此未能獲得 充分之電阻變化率，室溫電阻值之經時變化率變大。此 外，關於本發明之保護層A，孔隙率宜為1〇%以下。於該 類結構之情況時，可獲得通電試驗前後之電阻值變化小 者。 1而且，本發明之主成分即BaTi〇3系陶瓷材料之如部位及 Tl部位之比（以下作為Ba部位/Ή部位）宜設為0.998以上、 129283.doc -13· 200903527 1.006以下。右Ba部位/Ti部位小於〇 ，則電阻變化率傾 向隻小。而且，Ba部位/Ti部位超過1.006之情況時，室溫 電阻值傾向變高’電阻之上升係數變得不安定。 而且，分別添加於本發明之保護層A及有效層B之半導 體化劑之含有量，係相對於保護層A及有效層B之主成分 即BaTi〇3系陶竟材料之Til〇〇莫耳部，宜為〇」莫耳部以

上、〇.5莫耳部以下。半導體化劑之含有量若相對於TilOO 莫耳部小於U莫耳部，則無法充分進行BaTi〇3系陶究材 料之半導體化。而且，半導體化劑之含有量相對於丁“⑽ 莫耳部超過0.5莫耳部之情況時，室溫電阻值傾向變高。 本發明之内部電極3aa，3ab，3ba及3bb宜為與半導體陶瓷 層2a〜2e之歐姆接觸優良之材料，宜以例如Ni、α等卑金 屬材料之單體或合金為主成分。本發明之内部電極係使用 包含Ni、Cu等卑金屬材料作為導電成分之導電性糊來形 成。而且，作為外部電極53及5b，可使用Ag、Ag-Pd及Pd 等貴金>1材料之單體及合金，或Ni及⑽皁金屬材料之單 體及口金等，且選擇與内部電極3aa，3ab, 3ba及3bb之連接 及導通適宜者。 而且，相當於保護層A之部分之孔隙較宜形成有玻璃膜 (未圖示）。此外，於此，不須於存在於保護層八之所有孔 隙形成玻璃膜，至少存在於陶瓷素體表面部側之孔隙由玻 璃膜覆蓋即可。存在於保護層八之孔隙由玻璃臈覆蓋之情 況下’即使藉由焊接來進行基板安裝，仍可確實防止焊錫 所含之助熔劑滲入陶瓷素體内部。而且，於保護層A之孔 I29283.doc 14 200903527 隙形成有玻璃膜之構造 忐古 、 不’〈衣面部中未形 成有外部電極53及5b之部 “ &成玻璃層或樹脂層等絕緣 a μ D 。猎由形成該類絕緣層，進一 影塑，π # , /不易欠到外部環境 〜響=可減少溫度·濕度等所造成之特性劣化。 接著，關於積層正埶 ς ^ ^ …丨态1之衣&方法，利用例如使用 護層A…趙化劑，使用―作為有效 丰導體化劑之情況，來說明一實施例。 首先，作為保護層A用之陶究原料，將BaC〇3、Ti〇2、 二科量特定量，作為有效層B用之陶竞原料，將 ^ Tl〇2、Sm2〇3枰量特定量’各样量物與部分安定 八； 聃马PSZ球）一同置入球磨機，充 二:二濕…粉碎’其後以特定溫度(例如1_〜 )進仃煅燒’製作保護層A用陶瓷粉 陶瓷粉末。 ，双層β用 接著，於保護層Α用陶窨粉古β 士 l „ 更叔末及有效層Β用陶瓷粉末分 別加入有機黏合劑，以濕式進行 扯仏 疋订此σ處理，製作個別之漿 狀物。其後，利用刮刀法算Η Μ 士、丄 m ^ 4片材成形法，將所獲得之保護

層A用漿狀物及有效層B ❹Δ田& 用在狀物成形為片材狀，製作保 護層A用陶瓷胚片及有效層B用陶瓷胚片。 接著，準備以Ni作為主成分 缺，么 成刀之Nl内部電極用導電性糊。 …、後，於有效層B用陶瓷胚片上，拉 二 精由絲網印刷等來印刷 月'J迷Ni内部電極用導電性糊。 接著，以前述Ni内部電極用暮雷从b 用導電性糊於焙燒後之陶瓷素 體之兩端面交互被導出之配置， 積層邊專印刷有N i内部電 129283.doc -15 - 200903527 極用導電性糊之有效層B用陶究胚片I，將未印刷有州内 部電極用導電性糊之保護層A用陶兗胚片，於上下配置複 數片，進行壓著以製作未培燒之積層冑。接著，將該積層 體切斷為料尺寸，收容㈣呂製之£(套）中，以特定溫度 (例如扇〜400。〇進行脫黏合劑處理後，於還原氣氛下（例 如卜3%程度），以特定溫度（例如丨1〇〇〜13〇〇。〇)施以 培燒處理，形成交互積層有内部電極〜，城加及則與 陶瓷層2a〜2e之陶瓷素體4。 接著，於大氣中氣氛或氧氣氛中，以特定溫度（例如 5〇〇〜70(TC)’將如上述所獲得之陶£素體4進行再氧化處 理。接著，使所獲得之陶究素體4含浸於例如以氧化石夕為 主成分之玻璃溶液，使玻璃成分填充於位於陶瓷素體表面 部之保護層A之各孔隙。進—步使陶£素體4乾燥，藉此於 保護層A之各孔隙形成玻璃膜。接著，於陶曼素體4之兩端 部，藉由賤鍍來形成以Ag為主成分之外部電極。進 一步於外部電極城扎之表面，藉由電場電鑛來形成Ni電 鍍膜6a及6b、Sn電鍍膜以及几，獲得積層正熱阻器工。 此外，作為外部電極53及5b之形成方法準備以為主 成分之外部電極用導電性糊，於陶竞素體4之兩端面，以 特定溫度（例如500〜8’）進行燒附來形成外部電極域％ 亦可H，若密著性良好，亦可利用真空蒸鑛法等其他 薄膜形成方法。而且，該外部電極用導電性糊之燒附時之 加熱亦可兼做對於陶瓷素體4之再氧化處理。 而且’本發明不限定於上述實施型態。於上述實施型態 129283.doc 200903527 雖使用氧化物來作為半導 等。 千v體陶瓷原料，但亦可使用碳酸鹽 而且，作為本發明 積H正熱阻器1，雖對於過電流保 5隻用、溫度檢測用有用 j用有用，但不限於此。而且，於圖i之積 層正熱阻斋，内部電極3 ，3ab，3ba及3bb雖交互連接於外 部電極5a及5b，但口敢石, , —/、 父1組以上連續之内部電極（例如 3aa、3bb)經由半導體陶眘 瓷θ2，連接於連接在不同電位 外部電極5a，5b即可，发仙免加兩 f ，、他内邛電極（例如3ab、3bb)未必須 交互形成’不限定於圖1所示之形狀之積層正熱阻器。 以下，進—步具體說明有關本發明之積層正埶阻号。 (實施例1) '' Β 首先，作為出發原料而準備BaC〇3、丁丨〇2、γ2〇3、

Dy2〇3、sm2〇3、Nd2〇3、La2〇3，粹量成為如下式所示之添 加比’準備表1所示之出發原料。 (Bao.mAo.^TiO3(其中，A表示上述出發原料中之稀土 類元素） 此外，Y、Dy、Sm、Nd及La之3價6配位之離子半徑從 左依序為 〇,9〇A、0.91A、〇.96A、0.98A、} 〇3A。 接著，於各個經种量之出發原料加入純水，藉由球磨機 而與哎球—同混合粉碎1G小時，乾燥後以i⑽。C锻燒2 小時，再度藉由球磨機而與PSZ球一同粉碎，獲得煅燒 粉。接著，於所獲得之锻燒粉加X丙稀酸系之有機黏= 劑、分散劑及水，並與PSZ球一同混合15小日夺，獲得陶^ 漿狀物。 129283.doc 200903527 接著’藉由刮刀法’將所獲得之陶究製狀物成形為片材 狀’使其乾燥而獲得厚度3〇 μΐΏ之表W示之陶兗胚片。接 著，使犯金屬粉末及有機黏合劑分散於有機溶劑，獲得^ 内部電極用導電性糊。接著，分別準備於^相當於有效 層之陶竟胚片，於其主面上，絲網印刷州内部電極 性糊，使其燒結後之電極厚度成為約後，將各 印刷有叫部電㈣導電性糊之H胚内部電 極用導電性糊中介膝J咨 y 糊中"陶是胚片而父互對向之方式，重疊25片 陶竞胚片，進—步}}客^ 1 J.Q ^ 進步將於们相當於保護層之保護層用陶究 胚片，於上下各配置5片，進行壓著，切斷為L尺寸23 mmxW尺寸 1.6 mmxT尺，1 . 寸 mm之尺寸，獲得生積層體。 在大氣中以40(Tr、1 ο I。士 '、，，將該生積層體予以脫脂後， 於Η2/Ν2=3%之请名勻士 ；分，以表1所示之焙燒溫度焙燒2小 時’獲㈣竟層與内部電極交互積層之㈣素體。 接者’將獲得之陶咨去》 读、，主 ’、A予以滾筒研磨後，將陶瓷素體 ，又/貝於U L】-S卜〇系之氧化 ⑽進行熱處理，予…為成刀之玻璃溶液後，以 膜後，於大氣中氣气下 於保護層之孔隙形成玻璃 ^ 、 巩下，進行7〇〇°c之再氧化處理。其 後，於陶瓷素體之兩端面 、 鑛，藉此形成外部電極。XCu、cmg之順序進行滅 最後，於外部電極之表

Sn電鍵依序進行電鑛成膜3 1電鑛’將如電鑛及 如以上所獲得之積声正/此獲得積層正熱阻器。 ..Έ. ^ ^ θ ，，、、阻器各準備50個，藉由4端子 法，測定室溫25t：之電阻值 …精由4知子 接著，將该荨積層正熱阻器 129283.doc 200903527 配置於氧化紹基板上’放入85°C之煙f i+* 币广 烤相巾，進行將24 V之 電壓施加1000小時之通電試驗後，從，座& 攸塄相取出，以與基板 安裝前同一方法來測定通電試驗後之籍 谓增正熱阻器之電P且 值。然後，計算通電試驗前後之室溫雷 、 '皿电阻值之變化率，設 為試料1〜2 5。於表1表示其結果。 [表1]

*為本發明之範圍外 從表1可知’關於保護層所含之半導體化劑《離子 比有效層所含之半導體化劑之離子半徑大之試料2〜5: 8〜10、14、15及2〇,將有效層之孔隙率維持與以往 度高，同時保護層之孔隙率變得比有效層之孔隙率低= 且，可知通電試驗前後之室溫電阻值之變化率小至5%以 129283.doc -19- 200903527 下。此外，關於試料2〜5、8〜1〇 保護層之孔隙率均為腕以下，^14、15及2G,可知由於 成充分之玻_，較適宜。另〜因此可於保護層之孔隙形 半導體化劑之離子半徑Μ心Μ’關於保護層所含之 半徑同等或較小之試料丨67層所含之半導雜化劑之離子 7、11 〜13、16 〜” ) c

可知保護層之孔隙率與有效層之孔隙率同等或變古〜評 況下，可知通電試驗前後之室溫電阻值之變化率：二 上，或由於通電試驗而被破壞，無法測定。 為。乂 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之積層正熱阻器之一實施型態 夂、、？既略剖面 【主要元件符號說明】 1 積層正熱阻器 2a 〜2e 半導體陶瓷層 3aa〜3bb 内部電極 4 陶瓷素體 5a, 5b 外部電極 6a, 6b Ni電鍍膜 7a, 7b Sn電鍍膜 129283.doc -20-

Claims (1)

1. 200903527 申請專利範圍·· 1. 一種積層正熱阻器，其特徵為包含： 陶究素體，其係由複數半導體陶究層與複數内 積層而成，該等半導體陶究層包含以BaTi〇3為主成 含半導體化劑之陶究材料，該等内部電極係沿著前：丰 導體陶瓷層之界面所形成；及 辻丰 一外部電極，其係形成於前述陶究素體之兩端面，且斑 丽述内部電極電性連接而成； 〃、 將分別位於積層方& # L 之㈣车_ 内部電極間所存在 之複數+導體陶瓷層作為有效層， 將比分別位於最外彻丨 & 莞辛m却 卜側之2個别述内部電極更加位於陶 是素體表面部侧之半導體陶竞層作為保護層時， 成為前述保護層之半導體陶 離子半徑，係 ώ <千導體化劑之 比成為前述有效層之 之離子半徑大。 丑陶£層所含之半導體化劑 2. 如請求項！之積層正熱阻器， 半導體陶究層之，、以成“述保護層之 η 孔隙中’至少位於前述陶f去舯志而邱 側之孔隙形成有破璃膜。 甸是素體表面4 3. 如π求項1或2之積層正熱阻器，其 率為〗0%以下。 迷保護層之孔隙 129283.doc