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TW200903146A - Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer - Google Patents

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TW200903146A
TW200903146A TW97110543A TW97110543A TW200903146A TW 200903146 A TW200903146 A TW 200903146A TW 97110543 A TW97110543 A TW 97110543A TW 97110543 A TW97110543 A TW 97110543A TW 200903146 A TW200903146 A TW 200903146A
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TW
Taiwan
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substrate
component
adhesive
group
functional group
Prior art date
Application number
TW97110543A
Other languages
English (en)
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TWI432892B (zh
Inventor
Frank Y Xu
Sidlgata V Sreenivasan
Edward B Fletcher
Original Assignee
Molecular Imprints Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Molecular Imprints Inc filed Critical Molecular Imprints Inc
Publication of TW200903146A publication Critical patent/TW200903146A/zh
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Publication of TWI432892B publication Critical patent/TWI432892B/zh

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Description

200903146 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域j 相關的專利/申諸案 本申請案為2005年7月22曰由發明家法蘭克(Frank)Y. 5 蘇(Xu)所提出之美國專利申請案案號11/187,407(發表名稱 為"一起供黏著材料用之方法”，現在為美國專利公告案號 20070017631，其以參考方式併入本文）的部分接續申請 案。此申請案亦為2005年7月22曰由發明家法蘭克Y.蘇所提 出之美國專利申請案案號11/187,4〇6(發表名稱為“一起供 10黏著材料用之組成物”，現在為美國專利公告案號 20070021520,其以參考方式併入本文)的部分接續申請案。 發明領域 本發明提供一種塗佈供壓印微影方法用之黏著底層的 方法。此方法允許黏著底塗層用於包括圖案化磁性媒質之 15 雙面壓印應用。 發明背景 奈米製造包括非常小的結構(例如，具有奈米或較小級 數的構形)之製造。奈米製造具有相當大影響的領域之一為 20積體電路之加工。當半導體加工工業朝向較大的製造產率 同時增加在基材上每單位面積所形成的電路持續奮鬥時， 奈米製造之重要性漸漸增加。奈米製造提供較大的製程控 制同時允許所形成的結構之最小構形尺寸減小化增加。已 經使用奈米製造來發展的其它領域包括生物工藝、光學技 5 200903146 術、機械系統及其類似領域。 典型的奈米製造技術通常指為壓印微影術。典型的麼 印微影方法詳細描述在許多公告中，諸如史潤能伐珊 5 10 15 (Sreenivasan)等人之美國專利申請案公告案號 20040065976 ’發表名稱“在基材上安排構形以複製出具有 最小尺寸變化性的構形之方法及模具”；史潤能伐珊等人的 美國專利申請案公告案號20040065252，發表名稱“在基材 上形成一層以使度量衡標準物之製造容易的方法，，；及瓦次 (Watts)的美國專利案號6,936，194，發表名稱“供壓印微影方法 用之功能性圖形化材料”；此些全部以參考方式併入本文。 揭示在前述提及的美國專利申請案公告及美國專利每 篇中之基本壓印微影技術包括在可聚合層中形成浮雕圖案 及將與浮雕圖案相應的随轉移至在下面的基材中。基材 可位於移動臺上以㈣想要的位置錢其_化容易。使 用-與基材間隔開的模板和—存在於模板與基材間之可成 型液體。液體經固化，以形成—在其中已記錄了與液體接 觸的模板表面圖案形狀相符合之固化層。然後分離模板 與固化層’使得模板與基材間隔開。然後，讓基材及固化 ㈣與在固化層巾關案相應之浮雕影像轉移 至基材中。 …了弟1® ’在壓印微影術背後的基本概念為在 形成-洋雕圖案，其尤其可作用為_遮罩2 圖案相應之圖索形成至基材中。使用來形成浮雕圖二 統10包括-在上*支料材12之*"及—Μ料、16(= 20 200903146 在上面具有圖形化表面18)的模板14。圖形化表面μ可實質 上平滑及/或平面，或可經圖案化以便在其中形成一或多個 凹處。模板14與壓印頭20耦合以使模板14之移動容易。耦 合流體給料系統22且選擇性配置以與基材12流體連通，以 5便在基材上面沉積可聚合的材料24。耦合能量28的來源 26，以便沿著路徑30指揮能量28。將壓印頭2〇及臺u裝配 成可各別將模具16與基材12安排成重疊並配置在路徑3〇 中。變化壓印頭2〇、臺11任一者或二者，以改變在模具16 至基材12間之距離而定義出於此之間由可聚合材料24填充 10 之想要的體積。 典型來說，在定義出於模具16至基材12間之想要的體 積前，將可聚合材料24配置在基材12上。但是，在已經獲 得想要的體積後，可聚合材料24可填充此體積。在此想要 的體積填入可聚合材料24後，來源26產生能量28使得可聚 15合材料24固化及/或交聯而形成與基材表面25及模具表面 18之形狀符合的聚合材料。由處理器32來調節此方法之控 制’其中此處理器與臺11、壓印頭2〇、流體給料系統22及 來源26資料通連而在貯存於記憶體34中之電腦可讀取程式 上操作。 20 與準確地將圖案轉移至可聚合材料中相關之一個準則 為減低(若未防止的話）固化層對模板之黏著，同時保証合適 地勒著至基材。此指為較佳的脫模及黏著性質。藉由較佳 的脫模及黏著，記錄在固化層中之圖案不會在與模板分離 期間變形。 7 200903146 改良固化層對基材之黏著的方法為引進一 黏著底層 (或底層）。«底層f要良好地轉至層及基材二者。 現在，黏著底層藉由旋轉塗佈方法來放置。在塗佈-邊後， 翻轉曰曰圓及β亥已塗佈的面將部分物理接觸該旋轉塗佈裝置 5以塗佈第二面。在旋轉塗佈農置與已塗佈的表面間之物理 接觸可造成黏著底層顆粒污染。此外，使用旋轉塗佈方法 來塗佈黏著底層會限制此製程的整體生產量。 【^^明内】 發明概要 10 I發明係關於—種供壓印微影方法狀使用-黏著底 層的方法。it常在一個觀點中，本發明之特徵為一種包括 下列步驟的方法：（a)在塗佈製程中讓一流體與一基材表面 接觸，其中該流體之組分在該組分的第一末端上具有第— 官能基及在該組分之第二末端上具有第二官能基；（b)起始 15第一化學反應，以在該組分之第一末端與基材表面間形成 第一共價鍵，使得一黏著底層黏著至基材表面；及(c)使用 壓印微影方法將一聚合層黏著至基材表面。此黏著包括： ⑴將一可聚合材料沉積在基材表面之黏著底層上；（ii)起始 此可聚合材料的聚合反應以形成一聚合層；及(iii)起始在該 20黏著底層中之組分的第二官能基與此可聚合材料間之第二 化學反應’以將聚合層黏著至基材表面。 本發明之成就可包括一或多個下列特徵。某些具體實 例包括在塗佈製程中實質上同時讓該流體與基材表面及與 基材的第二表面接觸，且實質上同時將黏著底層黏著至基 200903146 材表面及將第二黏著底層黏著至第二基材表面。某些具體 實例可進一步包括使用壓印微影方法將第二聚合層黏著至 基材的第二表面，其中該黏著包括：（a)將第二可聚合材料 沉積在基材的第二表面之第二黏著底層上；（b)起始第二可 5 聚合材料的聚合反應以形成第二聚合層；及(c)起始在第二 黏著底層中之組分的第二官能基與第二可聚合材料間之第 二化學反應，以讓第二聚合層黏著至基材的第二表面。基 材表面與基材的第二表面可實質上平行。 該組分可包括在該組分的第一末端處之第一官能基。 10 該第一官能基可為一離去基團。在某些具體實例中，該流 體為蒸氣及該塗佈方法為化學氣相沉積方法。蒸氣可從液 體形成。在某些具體實例中，該流體為液體及該塗佈方法 為浸沾塗佈方法。該流體可包含其它組分及該方法可包括 共聚合該組分與其它組分。在某些具體實例中，包括加熱 15 來起始該第一化學反應。起始該第二化學反應可包括將該 可聚合材料曝露至UV輻射。 在某些具體實例中，該基材包括矽。該基材可選自於 由下列所組成之群：矽、氧化矽、氮化矽、钽、鋁、石英 及熔融二氧化矽。該基材可包括磁性媒質。 20 在另一個觀點中，本發明之特徵為下列方法，其包括： 讓基材與一多官能基組分接觸，該多官能基組分之第一末 端的四價原子共價鍵結至基材以形成一黏著底層；及在壓 印微影製程期間，讓該多官能基組分的第二末端共價鍵結 至可聚合材料。該多官能基組分包括第一末端、第二末端 9 200903146 及在第一末端與第二末端間之連結基團。該第一末端包括 四價原子及該連結基團為含有最高三個碳原子之烴基團。 本發明之成就可包括一或多個下列特徵。該多官能基 組分可具有沸點至高約350°C及/或黏度至大約1〇〇 cp。該連 5結基團可為-CH2-。該四價原子可為矽。 該多官能基組分可為丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷、 丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷、丙烯醯氧基两基三氯矽烷 及/或丙晞酿氧基丙基-三甲氧基石夕烧。在某些具體實例中， 該基材可與一或多種其它組分接觸。其它組分可為1，2-雙 10 (三甲氧基-矽烷基）乙烷及/或1,6-雙（三氯矽烷基）己烷。該基 材可包括矽。在某些具體實例中，該基材選自於由下列所 組成之群：石夕、氧化石夕、氮化石夕、组、銘、石英及溶融二 氧化矽。 在進一步具體實例中，來自特定具體實例的特徵可與 來自其它具體實例之特徵結合。例如’來自一個具體實例 的特徵可與來自任何其它具體實例之特徵結合。在進—步 具體實例中，可將其它特徵加入至描述於本文的特定具體 實例。 圖式簡單說明 第1圖為根據先述技藝之微影系統的簡化平面圖； 第2圖為根據本發明配置在基材上的模板及壓印材料 之簡化正視圖； 第3圖為顯示在第2圖中之模板及基材的簡化正視圖， 其中該壓印材料以經圖案化及固化在層上顯示出； 10 200903146 第4圖為模板接觸壓印材料之截面圖，其闡明在固化的 壓印材料與模板間形成弱界面薄層； 第5圖為顯示在第2圖之壓印材料滴的詳細圖，其顯示 出此些小滴分歧成富含界面活性劑區域及空乏界面活性劑 5 區域； 第6圖為使用旋壓技術沉積之壓印材料層的詳細圖，其 顯示出該層分歧成富含界面活性劑區域及空乏界面活性劑 區域； 第7圖為模板與固化的壓印材料接觸之截面圖，其中該 1〇壓印材料如顯示在第5或6圖中般沉積形成於包含底層的基 材上。 第8圖為可使用來形成黏著底層之組分的化學結構之 平面圖； 第9圖為可使用來形成黏著底層之另一種組分的化學 15 結構之平面圖； 第10圖為可使用來形成黏著底層之另一種組分的化學 結構之平面圖； 第11圖為可使用來形成黏著底層之另一種組分的化學 結構之平面圖；及 ί0 帛12圖為可❹來形絲著底層之另-種組分的化學 結構之平面圖。
t貧施方式J 較佳實施例之詳細說明 參照第1及2圖，根據本發明之模具36可使用在系統10 11 200903146 中且可定出一具有實質上平滑或平坦曲線的表面之輪廓 (無顯不）。再者，模具36可包括由複數個間隔開的凹處38 及突出物40所限定出之構形。複數個構形定義出一原始圖 案而形成欲形成在基材42上的圖案之基礎。基材42可包括 5裸晶圓或具有一或多層（其之—顯示為底層45)配置在上面 之晶圓。為此目的，減少在模具36與基材42間之距離“d”。 在模具36上的構形可以此方式壓印進入基材42的保形區域 中，諸如配置在呈現實質上平坦曲線的表面44之一部分上 的壓印或可聚合材料。應該了解的是，可使用任何已知技 〇術例如旋轉塗佈法'浸沾塗佈法及其類似方法來沉積壓印 材料。但是，在本實施例中，壓印材料以複數個間隔開的 分離小滴46沉積在基材42上。從-可選擇性聚合及交聯以 記錄在其中的原始圖案、定出經記錄的圖案輪靡之組成物 來形成此壓印材料。 特別是，記錄在壓印材料中的圖案部分藉由與模具36 的父互作用而產生，例如，電交互作用、磁交互作用、熱 又互作用、機械交互作用或其類似作用。在本實施例中， "^具36與壓印材料(分佈的小滴46)機械接觸，以便在表面44 2 產生連續結構50的壓印材料（聚合層）。在一個具體實例 中減J距離“d”以允許壓印材料的次部分52進入及填充凹 2 為了使填入凹處38容易，在模具36與小滴46間接觸 模八36與小滴46間之環境為飽含氦或經完全排空或 為部分排空的氦環境。 壓印材料提供完全填充凹處38所必需的性質，同時以 12 200903146 連續形式的壓印材料來覆蓋表面44。在本具體實例中，壓 印材料與突出物4〇疊印的次部分54在已經到達想要的距離 “d”(通常最小）後經保留。此作用提供含有次部分52(具有厚 度4)與次部分54(具有厚度h)之結構50。厚度“tl，，及“t2”可端 5視應用而為任何想要的厚度。之後，藉由將其曝露至合適 的硬化劑（例如能量，諸如電磁輻射、熱能或其類似能量， 依壓印材料而定）來固化結構5〇。此使得壓印材料聚合及交 聯。全«程可在周溫及壓力下或在具有想要的溫歧壓 力之經環境控制的搶中進行。以此方式固化結構5〇，以提 10供其面56具有與模具36的表面58形狀符合之形狀。 參照第1、2及3圖’按照所使用的單—圖形化製程，壓 印材料之特徵對有效率地圖案化基材42來說重要。例如， 想要壓印材料具有某些特徵以使快速及平穩填入模具36之 構形容易’以便全部厚度⑽質上均勻及全部厚度匕實質上 15均勻。為此目的’想要根據所使用的沉積方法來建立壓印 材料之黏度以達成前述提及的特徵。如上述提及，遷印材 料可使用多種技術沉積在基材心上。若壓印材料以複數個 分離及間隔開的小滴46來沉積時，想要一形成壓印材料之 組成物具有相當低的黏度，例如，在範圍〇 5至2〇厘泊 20 (CentiP〇iSe)(cP)内。考慮到壓印材料敷開同時發生圖案化， 隨後藉由曝露聽射將Η㈣化成結構5G，想要此組成物 月匕屋«材4 2及/或模具3 6的表面及避免隨後在聚合後形 成凹坑或孔洞。若使用旋轉塗佈技術來沉積壓印材料時， 想要使用較高黏度的材料，例如，具有黏度大於1〇^及典 13 200903146 型數百至數千cP，此黏度測I在缺乏溶劑下測量。 除了前述提及的特徵(指為液相特徵）外，想要此組成物 提供壓印材料具有某些固化相特徵。例如，在結構50固化 後，想要藉由此壓印材料闡明較佳的黏著及脫模特徵。特 5別有益的組成物為從其所製造出之壓印材料能提供對基材 42具有較佳的黏著性及對模具36具有較佳的脫模性之結構 5〇。以此方式減低所記錄的圖案因產生自模具％之分離而變 形（尤其由於結構50之撕裂、拉伸或其它結構降解)的機率。 可形成能提供前述提及的特徵之壓印材料的組成物之 !〇構成組分可不同。此起因於基材42從一些不同材料形成。 結果，表面44的化學組成物依形成基材42之材料而改變。 例如，基材42可從矽、塑膠、砷化鎵、碲化汞及其複合物 形成。如上述提及，基材42可包括一或多層，顯示如為底 層45(例如，介電質層、金屬層、半導體層、平面化層及其 15類似層），在其上面將產生結構50。為此目的，底層45將使 用任何合適的技術沉積在晶圓47上面，諸如化學氣相沉積 法、旋轉塗佈法及其類似方法。額外的是，底層45可從任 何&適的材料形成，諸如石夕、鍺及其類似物。額外的是， 模具36可從數種材料形成，例如，炼融二氧化石夕、石英、 20氧化銦錫、鑽石似的碳、M〇Si、溶膠凝膠及其類似物。 已發現了從數種不同的塊材(buik materjai)家族來製造 出產生、、、。構50之組成物。例如，此組成物可從乙稀謎類、 甲基丙烯酸S旨類、環氧化物類、硫醇烯類(thiolenes)及丙烯 酸酯類等等製造。 200903146 形成結構50的典型塊材如下： 壓印塊材 丙烯酸異捐酯 丙烯酸正己酯 5 二丙烯酸乙二醇酯 2-羥基-2-曱基-1-苯基-丙-1-酮 丙稀酸酯組分（丙烯酸異稻酯（ib〇a))具有下列结構：
且其包含量為塊材的大約47重量％，但是其可存在的範圍 10 包括20%至80%。結果，結構50之機械性質主要可歸因於 IBOA。IBOA的典型來源可伙負夕法尼亞州（pennSyivai^a) 伊赛同（Exton)之沙脫模公司（Sartomer Company，Inc.)以產 品名稱SR 506購得。 丙烯酸正己酯（n-HA)組分具有下列結構：
且其包含量為塊材的大約25重量％，但是其可存在之範圍 包括0%至50%。亦對結構50提供彈性，使用n_HA來減低先 述技藝塊材的黏度，以便塊材在液相中所具有的黏度範圍 包括2-9厘泊。n-HA組分的典型來源為威斯康辛州 20 (Wisconsin)密爾瓦基市（Milwaukee)之亞得富化學公司 (Aldrich Chemical Company)。 15 200903146 交聯組分（二丙烯酸乙二醇酯）具有下列結構： 0
且其包含里為塊材的大約25重置％且可存在之範圍包括 10%至50%。EGDA亦促成模數及硬性建立和使n_HA與 5 IBOA在塊材聚合期間的交聯容易。 起始劑組分(2-經基-2-曱基-1 -苯基-丙_ 1 _酮）可從紐約 泰瑞城（Tarrytown)的西巴特殊化學品（Ciba specialty Chemicals)以達洛庫(Darocur)®1173之商品名稱購得，且具 有下列結構： 10
0 II c——C—OH CH, CH, 且其包含ΐ為塊材的大約3重量％且可存在的範圍包括1% 至5%。起始劑所因應之電磁輻射為由中壓汞燈所產生的寬 f糸外光月b里。起始劑以此方式使塊材組分之交聯及聚合 容易。 15 在蘇等人之共審查中的美國專利申請案公告案號 20060111454(發表名稱“減低在保形區域與模具間之黏著性 的組成物，其以參考方式併入本文）中，已經揭示出可藉 由在模具36、表面58與結構5〇間製造一弱界面層（薄層6〇， 顯示在第3及4圖中）來達成如上述討論之想要的較佳黏著 20及脫权性負。薄層60會在塵印材料固化後餘留。結果，在 200903146 杈具36與結構50間之黏著力量最小。為此目的，已發現壓 P材料使用 起包含諸如上述壓印塊材所討論的數種組 成物之與包含低表面能量基團的組分（指為界面活性劑 組分且完整描述在美國專利申請案公告案號20060111454 5中）之組成物有益。 參照第5圖，在壓印材料沉積後一段時間後，在空氣液 體界面之界面活性劑組分會提高而提供具有分歧的材料濃 度之壓印材料小滴146。小滴146在第一部分(指為富含界面 活性劑組分（SCR)的次部分丨36)中所包含的界面活性劑組 1 〇分漢度比第二部分(指為空乏界面活性劑組分(SCD)的次部 分137)高。SCD次部分137位於表面44與SCR次部分136間。 一旦壓印材料固化，SCR次部分136會減弱在模具36與壓印 材料間之黏著力量。特別是，此界面活性劑組分具有相對 的末端。當壓印材料在液相中（即，可聚合）時，相對末端之 15 -對包含在壓印材射的塊材具有親和力。剩餘末端具有 氟組分。 參照第4及5圖，由於對塊材之親和力，界面活性劑組 分經定向，以便氟組分從由壓印材料與周圍環境所限定出 的空氣液體界面延伸出。 20 在壓印材料固化後，壓印材料的第一部分產生薄層6〇 且壓印材料之第二部分固化（即，顯示為結構5〇的聚合材 料）。薄層60位於結構50與模具36間。薄層6〇因氟組分存在 而產生且位於SCR次部分136中。薄層6〇防止在模具36與結 構50間發展出強的黏著力。特別是，結構50具有第一及第 17 200903146 二相對面62及64。面62以第一黏著力黏著至模具36。面64 以弟一黏者力黏者至基材42。薄層60造成第一黏著力少於 第二黏著力。結果’模具36可容易地從結構50移除同時減少 變形及/或由此模具36分離所需要的力量。雖然結構5〇顯示出 5面62經圖案化，應該了解的是面62若非平面的話可平順。 再者，若必要時可產生薄層60使其配置在結構50與基 材42間。例如，此可藉由將壓印材料塗佈至模具36，隨後 讓基材42與在模具36上的壓印材料接觸而達成。以此方 式，可說成結構50將配置在薄層6〇與在上面已沉積可聚合 1〇材料的主體(例如，模具％或基材42)間。應該了解的是，若 使用旋轉塗佈技術來沉積壓印材料時將發生類似的材料濃 度分歧，如顯示在第6圖中關於SCR次部分236及第二及SCD 次部分237。分歧所需要的時間依數個因素而定，包括在組 成物中之分子尺寸及組成物峰度。黏度低於Μ ep時，僅 15需要幾秒來達成前述提及的組成物分歧。但是，具有黏度 數百cP的材料可需要幾秒至數分鐘。 ----------------。薄層60的某些區域 比其它薄’及在某些極端的實例中，極小百分比的模板表 20 面會缺乏薄層60蚊得模板36與結獅接觸。由於薄層6〇 的較薄區域及缺乏薄層6G會發生結構5唆形及/或與 42層離。制是，在模錢絲後，結卿會遭遇到㈣ 力量Fs。分離力量Μ歸因於在模具36上的拉力Fp及在結構 0與模具36間之黏著力（例如，凡得瓦爾力，如將 而減低）。由於薄層6〇之存在’分離力FS的大小典型小^ 18 200903146 結構50與基材42間之黏著力&的大小。但是，隨著薄層6〇 減少或缺乏，局部分離力Fs可接近局部黏著力^的大小。 =謂的局部力量為存在於薄層⑼之所提供的區域中之力 量，其在此實施例巾為近似於薄層6⑽薄區域或實質上缺乏 5薄層60之局部力量。此導致結構5〇變形及/或與基材犯層離。 參照第7圖，於底層45存在下，由於二個界面66及68的 存在而存在更複雜的狀況。在第一界面66處，第一黏著力 Fi存在於底層45與結構50間。在第二界面68處，第二黏著 力（^2)存在於底層45與晶圓47間。想要分離力量？3的大小小 1〇於黏著力Fl及F2。但是，由於薄層60之厚度變化或缺乏（如 上述时論），分離力量Fs可類似或接近黏著力Fi及ρ2之一或 二者的大小。此可造成結構50與底層45層離、底層45與晶 圓47層離或二者。 本發明藉由從一可增加第一及第二界面之第一 Fi及第 15二匕黏著力各別大於分離力量Fs的機率（考慮到薄層變動） 之材料來形成底層45來減低（若未避免的話）上述提及之層 離問題。為此目的，從一能在界面66(即，在底層45與結構 5〇間）處和即在界面66、底層45及晶圓47間形成強鍵結的組 成物來形成底層45。此組成物可包含一或多種組分。在某 20 些具體實例中，此組成物包括一種組分及來自環境的水分 (H2〇)(其可使用例如在水解反應中）。在本實施例中，在底 層45與結構50間於第一界面66處之黏著為共價鍵結的結 果，即，在形成底層45之組成物與形成結構50的組成物間 存在共價鍵。可透過多種機制之任何一種來達成在底層45 19 200903146 與晶圓47間之黏著。這些機制可包括在形成底層45之組成 物與形成晶圓47的材料間形成共價鍵。再者或除了共價鍵 外’可在形成底層45之組成物與形成晶圓47的材料間形成 離子鍵。再者或除了共價鍵及/或離子鍵或二者外，可面對 凡得瓦爾力達成在形成底層45之組成物與形成晶圓47的材 料間之黏著。 此可藉由從包含一或多種通常如下表示的組分之組成 物來形成黏著底層45而達成：
10 此黏著底層用之組成物可包括組分I、II或III或其組合。組 分1、II及III包括第一末端、第二末端及連結基團（R、R，、 R ’）°例如，在組分I及II中’此第一末端認為可包括γχηΖ3_η， 同時組分III的第一末端認為可包括W。類似地，在組分I及 ΠΙ中，此第二末端認為可包括X，。 15 在上述組分I及III中’ X’為可在活化（諸如例如，UV照 射）期間與壓印單體（可聚合材料）共價鍵結的官能基。對以 丙烯酸酯為基礎的壓印單體來說，X，可例如為丙烯酸基團 或甲基丙烯酸基團。 在上述的組分I、II及III中，γ為包括（但不限於)Si之四 20彳貝原子，及x為允許γ-χ鍵結水解成y-oh的官能基(例如， 離去基團）。此羥基可隨後與壓印基材反應以與基材形成共 偏鍵。在Y為Si的具體實例中，χ可例如為_〇CH3、 20 200903146 -OCH2CH3、-C卜-0C(=0)CH3等等。在組分I、π及III中，η 及m的範圍包括從1至3。較高數目的離去基團（例如，η=3 及/或m=3)可允許多重鍵結至基材（例如，基材表面）及/或至 在黏著底層中的其它分子’以增加黏著底層對基材表面的 5 黏著強度。 在上述組分I、II及III中’ Z通常為一滿足γ的四價需求 之未反應基團。在某些具體實例中，Z可例如為甲基。 在上述組分I、II及III中，W為可與壓印基材反應或互 相作用的酸性官能基^在某些具體實例中，W為例如羧酸 或磷酸等等。 在上述組分I、π及III中，R、R’及R”為具有不同長度 之連結基團。典型的連結劑以烴為基礎。此連結基團可包 括例如1-10或更多個碳原子(烷基、乙烯化不飽和基團、芳 香族基團）。可因多種因素來選擇連結基團，包括（但不限於) 15連結基團的長度、堅硬度及/或鍵結強度。 在上述組分I及II中’選擇X以達成組分之末端(例 如’第一末端）與形成基材42的材料之交聯反應，以藉由與 之形成共價鍵 '與之形成離子鍵及/或與基材表面的凡得瓦 爾力而向那裏黏著。此可直接或間接地達成。也就是說， 20若χ為離去基團時，X不與基材表面直接反應。在此具體實 例中’包括X離開的化學反應允許γ化學反應而與基材表面 形成共價鍵。 在某些具體實例中，官能基X可參與黏著底層45的交聯 及聚合反應。X官能基可因應活化能量（其與X，官能基的交 21 200903146 聯反應所因應之活化能量不同）而促進聚合及交聯。χ官能 基可因應曝露至熱能而促進在底層45中的分子交聯。選擇 官能基X以透過下列機制來促進與基材42的交聯反應，其包 括(但不限於）：1)與形成基材42的材料直接反應；2)與含有 5能與基材42反應的交聯劑之連結官能基的交聯劑分子反 應；3)底層45的聚合及交聯，以便可發展出足夠長度的鍵 分子而在結構50(聚合層）與基材42表面間連接；及4)χ離開 以允許Υ達成上述1-3，而允許聚合層黏著至基材表面。 在上述組分I及III中，選擇X，以達成與形成結構5〇(聚 10合層）的可聚合材料之交聯反應，以便於此之間形成共價 鍵。建立X基團的官能度，以便在結構50的聚合期間發生 交聯反應。結果，官能基X’之選擇依形成結構5〇(聚合層） 的可聚合材料之特徵而定。在某些具體實例中，選擇X，， 以便能與形成結構50的組成物之官能基反應。例如，若從 15丙烯酸酯單體來形成結構5〇時，X’可包括丙烯酸、乙稀基 醚及/或甲基丙烯酸基團，及/或可與在結構5〇中的丙烯酸基 團共聚合之官能基。結果，X’官能基因應活化(諸如例如， 紫外光輻射）而交聯反應。 參照第7及8圖，可於從塊材形成的結構5〇存在下使用 20來形成底層45之典型多官能基反應性化合物Α包括丙烯醯 乳基甲基二曱氧基碎炫*(傑利斯特公司（Gelest，Inc.)，摩理 斯鎮(Morristown)，PA)。丙烯醯氧基甲基三曱氧基矽烷具 有下列結構： 22 200903146 X’官能基70提供與壓印材料鍵結用的丙烯酸官能基。X官能 基72(n=3)為鍵結至Y(四價si)的甲氧基離去基團。官能基70 及72連結至骨架組分或連結基團74的相反末端。 5 具有閃點約60°C的丙烯醯氧基曱基三甲氧基矽烷具有 沸點約170°C，或低於十三氟-1，1，2,2-四氫辛基三氯矽烷 (F0TS)自组合單層（SAM)(其在技藝中已知可蒸氣沉積）之 '/弗點約20 C。可想要保持彿騰溫度低同時滿足全部黏著需 求，因此使氣相沉積方法容易。 10 如顯示在第8圖中，骨架組分74包括一個碳原子。短骨 架組分可更穩固地將X及X官能基一起保留住，而在與模具 分離期間需要更多的能量來斷裂開X，及X官能基。因此，較 短的骨架組分可比較長的骨架組分提供較強的黏著底層， 因此在聚合材料與基材間較強的鍵結。在某些具體實例 15中，可使用丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷作為多官能基反 應性化合物I。 參照第7及9圖，可於從塊材形成的結構5〇存在下使用 來形成底層45之另一種多官能基反應性化合物〗包括丙烯 醯氧基丙基三氣矽烷(傑利斯特公司），其具有下列結構：
SiCI3 X’官能基76提供與壓印材料鍵結用的丙烯酸官能基。χ官能 基78(n=3)包括三個鍵結至γ(四價s〇的_α離去基團。官能 23 20 200903146 基76及78連結至骨架組分80的相反末端。骨架組分80包含 三個碳原子。 參照第7及1〇圖’可於從塊材形成的結構5〇存在下使用 來形成底層45的另一種多官能基反應性化合物I包括丙烯 醯氧基丙基三甲氧基矽烷(WI密爾瓦基市的亞得富），其具 有下列結構： ^^0^^X^Si(OCH3)3 10 B月b基82k供與壓印材料鍵結用的丙烯酸官能基。X官能 基84(n=3)包括三個鍵結至γ(四價si)的甲氧基離去基團。官 此基82及84連結至骨架組分86之減末端n组分％包 含三個碳原子。 參照第7及11圖，可於從塊材形成的結構5〇存在下使用 來形成底層45之多官能基反應性化合物π包括12雙（三曱 氧基矽烷基）乙烷(亞得富），其具有下列結構： 15 (CH30)3s/ Si(〇CH3)3 X官能基88(m=3)及90(n=3)包括三個鍵結至γ(四價&)的曱 氧基離去基團。官能基88及90連結至骨架組分％的相反末 端。骨架組分92包含二個碳原子。 參照第7及12圖，可於從塊材形成的結構5〇存在下使用 20來形成底層45之多官能基反應性化合物π包括丨，6_雙（三氣 矽烷基）己烷（亞得富），其具有下列結構：
Sici3 24 200903146 X吕能基94(m=3)及96(n=3)包括三個鍵結至γ(四價Si)的-Cl 離去基團。官能基94及96連結至骨架組分98之相反末端。 骨架組分98包含六個碳原子。 在某些具體實例中’ ΠΙ可例如為丙烯酸（亞得富），其 5 具有下列結構：
OH
在具體實例中，於流體狀態中之組分I、II及/或III在塗 <布製程期間與基材接觸以將黏著底層黏著在基材上。此塗 佈製程可包括在技藝中已知的任何浸沾塗佈或化學氣相沉 ίο積方法。此黏著底層可包含例如工，但是無工工及⑴；m，但 疋無1及11，1及11，位是無III ; I及III，但是無II ;或I、II及 ΙΠ°备11與1 一起使用時’在II中的X官能基允許II提供作為I 與II之共聚合用的鏈增量劑。 在具體實例中，勒著底層的Μ分與基材表面接觸。在 15底層組成物與基材間之化學反應岐始可允許組分】及/或 Ί刀II之第-末端及/或％分職1官能基鍵結（例如，共價 地、離子地或經由凡得瓦爾力)至基材 。在某些具體實例 中，例如當底層組分包括丙烯醯氧基曱基 三甲氧基矽烷或 丙烯醯氧基丙基二曱氣基魏時此些組分會彼此(和基材） 2 0鍵結以在基材表面上形成一網狀聚合物塗層 。在底層組分 包括1及11的具體實例中，I及II之共聚合可提高聚合物塗層 網狀化。 可例如透過加熱底層組成物及/或基材來達成化學反 25 200903146 應之起始。在某些具體實例中，起始在底層組成物與基材 間（例如，在組分I及/或組分II的第一末端（在移除離去基團χ 後）及/或組分III的第一末端（W)與基材表面間）之化學反應 的方法不會影響底層組成物之組分的X，官能性。例如，加 5熱底層組成物可使得組分I、II或III的第一末端鍵結至基材 表面（直接或間接經由官能基），而沒有造成組分丨或冚的第 二末端反應（也就是說，沒有改變X，官能性）。 在某些具體實例中，X，官能基在壓印微影方法的一個步 驟期間反應。例如，X’官能基可在壓印材料的uv曝光或照 10射期間反應，如此底層組成物的組分之X，官能基反應而在聚 合期間與在可聚合的壓印材料中之單體形成共價鍵，而促進 在聚合層（從可聚合的材料形成)與基材間有強的黏著。 可經由在技藝中已知的任何化學氣相沉積方法來達成 黏著底層之氣相沉積。例如，可在真空供箱中或使用與半 15導體製造方法相容之執道型式(track type)工具來達成氣相 沉積。在某些具體實例中，該黏著底層組成物可藉由在氣 相沉積製程期間加熱而蒸發。在其它具體實例中，該黏著 底層組成物可藉由在氣相沉積製程期間加熱與減壓之組合 來蒸發。更在其它具體實例中，該黏著底層組成物可藉由 20將載體氣體(諸如氮或氬)氣泡吹入組成物中來蒸發。該黏著 底層組成物在周壓下的沸點可例如低於約35〇〇c。在某些具 體實例中’該黏著底層組成物的沸騰溫度可低於約25〇°c。 沉積溫度可低於黏著底層組成物在減壓環境中的沸點或使 用吹入氣泡技術。 26 200903146 在某些具體實例中，可藉由化學氣相沉積將黏著底層 黏著至基材的-個表面。在其它具體實例中，可經由化學 氣相沉積將黏著底層同時黏著至基材的二或更多個表面。 基材可置於例如頂桿上以允許蒸氣實質上同時接觸基材的 5二或更多個表面而沒有轉動或在塗佈基材的第—表面及第 -表面間再放置基材。因此，氣相沉積黏著底層可允許基 材進行批次加工，因此減低習知使用來沉積黏著底層之晶 圓至晶圓的旋轉塗佈方法所需要之製程時間。 額外的疋，氣相沉積黏著底層可允許在旋轉塗佈製程 10期間將黏著底層塗佈至基材的二或更多個表面而不會在基 材與旋轉塗佈設備（例如，旋轉夾盤）之物理接觸期間造成顆 津污染黏著底層可蒸氣沉積在實質上平行的二個基材表 面上。因此，氣相沉積黏著底層將使雙面媒質（包括磁性媒 質）之製造容易。雙面媒質的實施例可包括例如光碟數位 15影音光碟及硬碟。 可藉由下列因素來選擇黏著底層組成物之組分，包括 (但不限於）：官能性（多官能基或單官能基）、連結基團長 度、連結劑堅硬度、連結鍵強度、pH、交聯密度、反應性、 閑置壽命及/或穩定性、及沸騰溫度。黏著層之強度可由連 20結基團的性質（例如，在連結基團中的最弱鍵結）所限制。因 此’可選擇組分以便具有短的連結劑且在X與X，官能基間有 強的鍵結。在某些具體實例中，強的連結鍵結(例如，某些 芳香族基團）會造成高沸點，其將增加氣相沉積困難。 進行實驗以評估多種黏著底層組成物在多種基材（包 27 200903146 括SixNy、Si〇2及Si)上的黏著性質。評估在下列所描述之黏 著底層組成物用於多種浸沾塗佈及旋轉塗佈方法的黏著性 質，允許比較組成物之基材黏著性。 組成物1為0.1%的丙烯醯氧基曱基三甲氧基石夕院（顯示 5在第8圖中）在異丙醇中之溶液。此組成物藉由浸沾塗佈法 塗佈。 組成物2為0.1%的丙烯醯氧基丙基三甲氧基石夕烧 (APTMS)(顯示在第10圖中）在異丙醇中之溶液。此組成物藉 由浸沾塗佈法塗佈。 10 組成物3為DUV30J-16，底部抗反射塗層（BARC)(Mo羅 拉(Rolla)的布魯爾科學(Brewer Science))。DUV30J-16包括 酚樹脂及其交聯劑可與羧酸官能基反應。咸信DUV30J-16 將不與結構50形成共價鍵。 組成物4包含大約77克的艾梭瑞得(IsoRad)501(可從紐 15 約斯克奈塔第（Schenectady)的斯克奈塔第國際有限公司 (Schenectady International, Inc·)購得）、22 克的赛美爾 (Cymel)303ULF(NJ西帕特遜（Patterson)之賽特克工業公司 (Cytec Industries, Inc·))及 1克的賽凱特（Cycat)4040(賽特克 工業公司）。結合艾梭瑞得501、賽美爾303ULF及賽凱特。 20 然後，將艾梭瑞得501 '赛美爾303ULF及賽凱特之組合引 進大約1900克的PM醋酸酯中。PM醋酸酯為由醋酸2-(1-曱 氧基）丙酯所組成的溶劑之產品名稱（伊士特曼化學公司 (Eastman Chemical Company);金絲波特（Kingsport)，TN)。 以組成物1-2來浸沾塗佈玻璃載片（大約1毫米厚，橫向 28 200903146 尺寸75x25毫米），以產生界面66及68的黏著力強度之比較 用資料。在沉積底層45及結構50前，清潔玻璃載片。特別 是，將每片玻璃載片曝露至皮蘭哈(Piranha)溶液(H2S04 : H2〇2=2 : ：1，以體積計）。隨後，以去離子水沖洗玻璃載片、 5以異丙基醇噴灑及將其曝露至乾燥用流體流（例如，氮氣 流）。之後，在120°C下烘烤玻璃载片2小時。 使用在技藝中已知的浸沾塗佈技術將組成物丨_2沉積 到玻璃載片上。使用在技藝中已知的旋轉塗佈技術將組成 物3-4沉積到玻璃載片上。對組成物1及2來說，於8〇°c之熱 10 板上乾燥在玻璃載片上的底層45 10分鐘。對組成物3來 說’於180°C之熱板上乾燥在玻璃載片上的底層45 2分鐘。 對組成物4來說，於150〇c之熱板上乾燥在玻璃載片上的底 層45 5分鐘。換句話說，藉由曝露至熱能來固化（即，聚合 及交聯）已浸沾及旋轉塗佈的組成物1-4。在底層乾燥後，將 15壓印塊材滴塗佈至第一玻璃載片的塗佈面之中心。 然後，藉由將底層塗佈在二片彼此面對的玻璃載片上 且讓/、與麗印塊材接觸而將此壓印塊材夾在二層底層45 間。典型來說’二片玻璃載片之一的縱軸直角延伸至另一 、, 載片之縱軸以形成”t”形狀，且重疊面積約25x25毫 2〇米藉由將二片玻璃載片曝露至光化能量(諸如，寬帶紫外 光波長使用中壓汞1^燈在強度20毫瓦/平方公分下4〇秒） 來固^匕(即’聚合)及交聯此壓印塊材。 具类員、、里黏著強度，黏著測試及技術採用四點彎曲夾 '、 ;私述在日本應用物理期刊（Japanese Journal of 29 200903146
Applied Physics)，第 41 冊(2002)第 4194-4197 頁中（”在壓印 技術中於模具與可光硬化樹脂間的黏著力之測量"）的那 些。採用最大力量/負載作為黏著值。在玻璃載片之一於層 離前或於玻璃載片分離前發生斷裂的實例中，採用此最大 5力量/負載作為最小黏著值。頂端及底部二點的橫距為60毫 米。以每分鐘0.5毫米的速度施加負載。 使用上述描述的四點彎曲黏著試驗，組成物2及3闡明 約4碎力的類似黏著值。在相同試驗下，組成物丨及4在真實 黏著測量前產生載片斷裂。測量在斷裂那時的黏著（最小黏 10著）為約12磅力。因此，組成物1及4之黏著闡明在類似條件 下比組成物2及3的黏著強至少約3倍。 在初步浸沾塗佈測試後，藉由起泡器及加熱方法來蒸 氣沉積丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烧（來自組成物丨）。比較 經蒸氣沉積的丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷之黏著性質與 15經旋轉塗佈的組成物4之黏著性質。此闡明使用65毫米含有 5奈米表面SixNy塗層之玻璃片（如由日立全球儲存技術 (Hitachi Global Storage Technologies)(CA 的聖荷西（San
Jose))提供）。此基材直接採用自運送者而沒有預淨化。 在蒸鍍方法中，將65毫米基材放置在鋁載片上，鋁載 20片由此基材部分覆蓋且將鋁載片置於加熱板上。將加熱板 維持在90°C。將3微升的丙烯醯氧基甲基三甲氧基矽烷給料 在銘載片之未覆蓋的部分上。將蓋子放在基材與鋁載片二 者上，以保留由加熱所產生的蒸氣。所保留之蒸氣會沉積 到基材上。在1分鐘後移除基材且在進行黏著試驗前曝露至 30 200903146 周圍條件20分鐘。直徑5毫米的玻璃棒亦以類似的方式塗佈 丙烯醯氧基曱基三曱氧基矽烷。 在起泡器蒸氣方法中，將氮氣泡吹入通過1毫升在8毫 升小玻瓶中的丙烯醯氧基曱基三曱氧基矽烷。將具有蒸氣 5傳遞線的蓋子放在基材上，及將基材曝露至蒸氣15-60秒。 然後’在進行黏著試驗前將基材曝露至周圍條件少於1〇分 鐘。直徑5毫米的玻璃棒亦以類似的方式塗佈丙烯醯氡基甲 基三甲氧基矽烷。 比較上’將組成物3旋轉塗佈在基材上及在進行黏著試 10驗則曝露至周圍條件20分鐘。直徑5毫米的破璃棒則刷塗上 組成物3。 比較上，將組成物4旋轉塗佈在基材上及在進行黏著試 驗前曝露至周圍條件20分鐘。直徑5毫米的玻璃棒則刷塗上 組成物4。 藉由將壓印塊材滴放在經塗佈的基材上及將經塗佈的 坡璃棒放在基材上來進行黏著試驗，如此玻璃棒實質上與 • 基材的橫向平面垂直。以紫外光輻射來硬化壓印材料。隨 ' 著將玻璃棒錨定在基材上，進行玻璃棒的剪切試驗來評估 坡璃棒對基材之黏著性。也就是說，以從基材上剪切玻璃 20 棒所需要的力量來記錄黏著力。 對組成物1來說，勇切試驗產生約35碎力的剪切力（蒸 錢方法約37碎力及起泡器方法約33傍力）；及對經旋轉㈣ 的組成物3來說為10磅力。雖然組成物丨之剪切力為組成物3 的剪切力約3.5倍，一旦從剪切力中移除摩擦力時，呈組成 31 200903146 物1之形式的真實黏著多於組成物3之3.5倍。 約3〇_ 40 對經旋轉塗佈的組成物4來說剪切試驗 磅力之剪切力。 生 描述的本發明之具體實例為典型。可對卜、+ :揭示製得許多改變及改質，同時保c 因此，本發明之範圍應該不由上述描述所限制:圍 參考所附加的申請專利範圍與其最大的同:: 【睏式簡單明】 10 第1圖為根據先述技藝之微影系統的簡化平面圖； 第2圖為根據本發明配置在基材上的模板 之簡化正視圖； ”才枓 第3圖為顯示在第2圖中之模板及基材的簡化正視圖， Μ其中該壓印材料以經圖案化及固化在層上顯示出； 15 第4圖為模板接觸壓印材料之截面圖，其闡明在固化的 壓印材料與模板間形成弱界面薄層； 第5圖為顯示在第2圖之壓印材料滴的詳細圖，其顯示 出此些小滴分歧成富含界面活性劑區域及空乏界面活性劑 區域； 第6圖為使用旋壓技術沉積之壓印材料層的詳細圖，其 顯不出該層分歧成富含界面活性劑區域及空乏界面活性劑 區域； 第7圖為模板與固化的壓印材料接觸之截面圖，其中該 壓印材料如顯示在第5或6®巾般沉積形成於包含底層的基 32 200903146 材上。 第8圖為可使用來形成黏著底層之組分的化學結構之 平面圖； 第9圖為可使用來形成黏著底層之另一種組分的化學 5 結構之平面圖； 第10圖為可使用來形成黏著底層之另一種組分的化學 結構之平面圖； 第11圖為可使用來形成黏著底層之另一種組分的化學 結構之平面圖；及 10 第12圖為可使用來形成黏著底層之另一種組分的化學 結構之平面圖。 【主要元件符號說明】 10…系統 30···路徑 11…臺 32···處理器 12…基材 34…記憶體 14…模板 36…模具 16…模具 38…凹處 18…圖形化表面 40…突出物 20…壓印頭 42…基材 22…流體給料系統 44···表面 24…可聚合的材料 45…底層 25…基材表面 46···小滴 26…來源 47…晶圓 28…能量 50…結構 33 200903146 52…次部分 90…官能基 54…次部分 92…骨架組分 56."面 94…官能基 58…表面 96…官能基 60…薄層 98…骨架組分 62···面 136…SCR次部分 64.·.面 137…SCD次部分 66…界面 146…小滴 70…官能基 236—SCR次部分 72…官能基 237*"SCD次部分 74…連結基團 d···距離 76…官能基 Fi…黏著力 78…官能基 F2…黏著力 80…骨架組分 Fy·黏著力 82…官能基 Fp…拉力 84…官能基 Fs…分離力量 86…骨架組分 tr··厚度 88…官能基 t2…厚度 34

Claims (1)

  1. 200903146 十、申請專利範圍： 1. 一種方法，其包括下列步驟： (a) 在塗佈製程中讓一流體與基材表面接觸，其中該 流體之組分在該組分的第一末端上具有第一官能基及 在該組分之第二末端上具有第二官能基； (b) 起始第一化學反應，以便在該組分的第一末端與 該基材表面間形成第一共價鍵，如此一黏著底層 (adhesion primer layer)將黏著至該基材表面；及 (c) 使用壓印微影方法將聚合層黏著至該基材表 面，其中該黏著包括： ⑴將一可聚合材料沉積在該基材表面之該黏著 底層上； (ii) 起始該可聚合材料的聚合以形成一聚合層；及 (iii) 起始在該黏著底層中的組分之第二官能基與 該可聚合材料間之第二化學反應，以將該聚合層黏著 至該基材表面。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，更包括在塗佈製程中讓 該流體實質上同時與該基材表面及與該基材的第二表 面接觸，且實質上同時將該黏著底層黏著至該基材表面 及將一第二黏著底層黏著至該基材的第二表面。 3_如申請專利範圍第2項之方法，更包括使用壓印微影方 法將第二聚合層黏著至該基材的第二表面，其中該黏著 包括： (a)將第二可聚合材料沉積在該基材的第二表面上 35 200903146 之第二黏著底層上； (b)起始第二可聚合材料之聚合以形成一第二聚合 層；及 (C)起始在該第二黏著底層中的組分之第二官能基 與該第二可聚合材料間之第二化學反應，以讓該第二聚 合層黏著至該基材的第二表面。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該流體為蒸氣及其 中該塗佈製程為化學氣相沉積方法。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，更包括從液體形成該蒸氣。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該流體為液體及其 中該塗佈製程為浸沾塗佈方法。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，更包括在該流體中的其 它組分且共聚合該組分與該第二組分。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中起始該第一化學反 應包括加熱。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中起始該第二化學反 應包括將可聚合材料曝露至UV輻射。 10. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該基材的第一表面 與該基材的第二表面實質上平行。 11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基材包括矽。 12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基材選自於由下 列所組成之群：秒、氧化石夕、氮化>5夕、组、銘、石英及 熔融二氧化矽。 13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基材包括磁性媒質。 36 200903146 14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該組分包括在該組 * 分的第一末端處之第一官能基及其中該第一官能基為 一離去基團。 15. —種方法，其包括： (a) 讓一基材與一多官能基組分接觸，其中 ⑴該多官能基組分包含第一末端、第二末端及在 - 第一末端與第二末端間之連結基團，其中 (ii) 該第一末端包含四價原子，及其中 (iii) 該連結基團為含有高至具有至多三個碳原子 之烴基團； (b) 將該多官能基組分之第一末端的四價原子共價 鍵結至該基材以形成一黏著底層；及 (c) 將該多官能基組分之第二末端在壓印微影方法 期間共價鍵結至一可聚合材料。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該多官能基組分具 有沸點至高約350°C。 \ ' 17_如申請專利範圍第15項之方法，其中該多官能基組分具 有黏度至多約100 cP。 18. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該連結基團為 -CH2-。 19. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該四價原子為矽。 20_如申請專利範圍第15項之方法，其中該多官能基組分為 丙稀酿氧基甲基三甲氧基碎烧 (acryloxymethyltrimethoxysilane)。 37 N N200903146 21. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該多官能基組分為 丙烯醯氧基甲基三乙氧基矽烷。 22. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該多官能基組分為 丙烯醯氧基丙基三氯矽烷。 23. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該多官能基組分為 丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷。 24. 如申請專利範圍第15項之方法，更包括讓該基材與一或 多種其它組分接觸。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該其它組分之一為 1,2-雙（三甲氧基矽烷基）乙烷。 26. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該其它組分之一為 1，6-雙（三氯矽烷基）己烷。 27. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該基材包括矽。 28. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該基材選自於由下 列所組成之群：矽、氧化矽、氮化矽、钽、鋁、石英及 熔融二氧化矽。 38
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