TW200845168A - Planarization polishing method and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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200845168 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於一半導體製造製程中之平坦化拋 光方法及一種製造一半導體裝置的方法。 本發明包括在2007年2月8日向日本專利局申請的日本專 利申請案JP 2007-029798的相關標的，該案之全文以引用 的方式併入本文中。 【先前技術】 ，』在一半導體裝置（亦即，所謂的半導體積體電路）之製造 製程中，纟一用於形成用料導體積體電路之元件隔離區 域之淺溝道離（STI)區域的步驟中，將化學機械拋光 (CMP)技術廣泛地用作表面平坦化之技術。—般而言，以 圖ό中所示之方式形成一半導體裝置中之sti區域。。

取初，如圖6Α中所示，在一矽半導體基板丨之一表面上 沈積一氮化矽（SiN)臈2。

Ik後，藉由使用一微影技術在氮化矽膜2上形成一光阻 遮罩（未顯示）。該光阻遮罩具有一在與擬形成之Sti區域相 對應之區中具有孔之所需圖案。接著參照圖6B，藉由乾式 蝕刻透過該光阻遮罩圖案化氮化矽膜2，且藉由乾二 夕膜2作為蝕刻遮罩在矽基板1中形成具有所需圖 形於其中形成氮切膜2之區域㈣將充當元件 接著參照圖6C，藉由化學氣相沈積（CVD)將—梟彳 (S:2)M4隱埋於溝道3中。在此隱埋期間，氧化矽 沈積於溝道3外部之基板表面（亦即，氮化石夕膜2)上。…、 126272.doc 200845168 ik後如圖6D中所示，藉由CMp抛光並移除沈積於溝道 3外部半導體基板上之氧化矽(si〇2)膜。此形成由掩埋溝 道3中之氧化矽臈4而產生之STI區域（元件隔離區域”。在 一隨後步驟中，移除氮化㈣2，接著在自其巾移除氮化 矽膜2之區中形成所需之半導體元件。 、半導體元件新近增強之整合程度要求針對STI區域5之形 • 成進行CMP處理（所謂的STI-CMP製程）以具有更高之平坦 化效能。然而，在相關技術中用於拋光氧化物膜之以二氧 Γ 切為主之浆料變得不能滿足所需之效能。此係由於半導 體晶圓平面中氧化石夕膜4在其上形成成一突出形狀之氮化 石夕膜2之面積比率（亦即，務後將充當元件形成區域之區域 〇面積比率）之不平坦性。在一其中氮化石夕膜2之面積比率 ν之區域中，沈積一具有一大高度突出形狀之氧化矽膜 4a在一其中氮化矽膜2之面積比率低之區域中，沈積一 具有一小高度突出形狀之氧化矽膜4b。 八體而σ ’在完成在一其中突出物之面積比率高之區域 【 中之氧化矽膜4a之拋光-移除前，溝道3中之圍繞一其中突 出物之面積比率低之區域之氧化矽膜4由於氧化矽膜4與氮 夕膜2之選擇比而過度拋光。此過度抛光引起如圖π中 ^之所謂的凹陷6，從而使平坦度劣化。平坦度劣化使 得半導體元件之可靠性及良率降低。 作為改良该STI-CMP製程中之平坦化之方法，已知一 採用以一氧化鈽為主含有二氧化鈽（二氧化鈽：Ce02)研磨 沭及"〖、加劑（所謂的界面活性劑）之漿料之拋光方法。在 此方法中，在一拋光目標表面上之一突出部分中，由於拋 126272.doc 200845168 光’月間之壓力?辰度而將該添加劑移出且因而使拋光繼續。 相反，在一施加低廢力之凹陷部分中，抛光受該凹陷部分 _所吸收之添加劑抑制。亦即，該方法旨在選擇性地抛光 突，部分以藉此獲得-具有高平坦度之經拋光表面。此以 一虱化鈽為主之漿料有利地勝於該以二氧化矽為主之漿料 之處不僅在於平坦度且亦在於拋光速率及選擇比。 在（例如）日本專利特許公開案第2〇〇4_14624號（在下文中 %為專利文件1)中揭示一採用二氧化鈽研磨粒之高度平坦 化拋光方法。在此方法中，使用一 CMP拋光液體（拋光漿 料），該拋光液體含有二氧化鈽粒子及一對氮化矽膜具有 選擇性吸收性之界面活性劑，且藉由使用由於該界面活性 d而減少氮化矽膜之拋光速率之效應實施高度平坦化拋 光。 【發明内容】 Γ、、〈、而即使對於採用以二氧化飾為主之漿料之 製程，由於元件形成區域之密度差之影響亦難以獲得一具 有兩平坦度之經拋光表面。下文將參照圖7A及7B對此問 題進行詳細闡述。此闡述將涉及使用含有二氧化鈽研磨粒 12及一作用於研磨粒12之界面活性劑13之以二氧化鈽為主 之漿料之情形，具體而言，將涉及使用含有提供一保護凹 槽3中氧化矽膜4膜表面之效應的界面活性劑丨3之以二氧化 鈽為主之漿料之情況。如圖7A及7B中所示，當以使用該 以二氧化鈽為主之漿料並將一拋光墊丨丨按壓抵靠在一拋光 目標表面上之方式開始拋光時，將高壓施加至突出物牦且 因而自突出物4a移除界面活性劑π。因而，針對突出物钧 126272.doc 200845168 進饤遥擇性抛光且因而進行該拋光目標表面之平坦化。然 而’在使用以二氧化鈽為主之漿料之情形中，氧化石夕膜4 之拋光速率高於氮化矽膜2之拋光速率。從而，在一其中 疋件隔離區域5之區尤其大之區域中凹陷6變得明顯，此使 平坦度劣化。 此外，該以二氧化鈽為主之漿料與以二氧化矽為主之漿 料相比亦具有一引起更多劃痕之問題。特定而言，若劃痕 產生於一元件形成區域中且到達下伏Si基板，則良率惡化 成為問題。 本發明需要提供一允許基於CMP拋光以提供較高平坦度 之拋光方法，及一使用此平坦化拋光方法製造一半導體裝 置的方法。 根據本發明之一實施例，提供一抛光一拋光目標晶圓以 達成一經平坦化表面之平坦化抛光方法。該方法包含以下 步驟·藉由使用含有一研磨粒及一藉由表面塗層囊封之界 面活性劑之拋光漿料將一抛光目標表面拋光成一平坦化表 面。 在此平坦化拋光期間，較佳地該拋光目標表面係一氧化 物膜。 根據本發明之另一實施例，提供一製造一半導體裝置的 方法。該方法包含以下步驟，對於一用作一元件隔離區域 之STI區域之形成：藉由使用含有一研磨粒及一藉由表面 塗層囊封之界面活性劑之抛光漿料抛光一沈積於一除半導 體基板之溝道之外之區域上之氧化物膜以達成一平坦化表 126272.doc 200845168 面0 在該等方法中’藉由界面活性劑表面之塗層囊封該拋光 衆料中所含有之界面活性劑。因巾，僅將該界面活性劑選 擇性地供應至一小高度區域，該小高度區域藉由囊之破裂 而受到該界面活性劑保護。相反，在其他區域中，該等囊 不破裂’從而不提供保護效應且因而該拋光繼續。該特徵 達成高度平坦化拋光。 在根據本發明之一實施例之平坦化抛光方法中，界面活 性劑隨著拋光目標晶圓平面中抛光之進行直接作用於該拋 光目標表面，且因而可執行高度平坦化拋光。 在一根據本發明之另一實施例製造一半導體裝置的方法 中’該界面活性劑隨著拋光目標晶圓平面中抛光之進行直 接作用於該抛光目標表面，且因而高度平坦化拋光可不受 元件形成區域中密度差之影響而執行。 【實施方式】 下文將參照圖式闡述本發明之實施例。應注意，本發明 之實施例並不限於以下例證。 在以下闡述中，該等實施例應用於半導體裝置（具體而 言’所謂的半導體積體電路）之製造，且特定而言，應用 於藉由CMP對氧化物膜之平坦化拋光以形成以半導體積體 電路之STI為主之元件隔離區域。在該等實施例中，其一 實例之該拋光目標膜為高密度電漿Si02膜。 圖1顯示用於該等實施例之拋光之普通CMP設備之示意 性結構。CMP設備21具有：台板23，其圍繞一旋轉軸22可 126272.doc 200845168 旋轉地設置；及抛光墊24，其設置於台板23上。在拋光墊 24上方，設置一用於供應根據該等實施例之拋光漿料乃之 漿料儀料管2 6。擬經平坦化拋光之拋光目標（亦即，本實 例中之半導體晶圓27)被安置成使其拋光目標表面緊靠拋 光墊24。拋光頭28以所需負載與半導體晶圓27之背面緊靠 接觸。該拋光頭28經架構以至於使圍繞軸29連同半導體晶 圓27—起旋轉同時對半導體晶圓27施加所需負載。 如圖3A中所示，半導體晶圓27作為拋光目標晶圓具有一 與圖6C中所示上述結構類似之結構。具體而言，一氮化石夕 (SiN)膜31沈積於一矽半導體基板27a之一表面上，且藉由 使用一微影技術在氮化矽膜3 1上形成一具有基於一所需之 圖案之孔之光阻遮罩。隨後，氮化矽膜3丨藉由乾式蝕刻透 過该光阻遮罩而圖案化，且接著基於所需圖案之溝道32藉 由將氮化石夕膜3 1用作蝕刻遮罩形成於矽基板27a中。該等 溝道32形成於與用作元件隔離區域之STI區域相對應之位 置處。隨後，一氧化矽（Si〇2)膜33藉由Cvd以一隱埋在溝 道32中之方式跨越整個基板表面沈積。以此方式，半導體 晶圓27端視氮化矽膜31之面積比率差形成成具有由氧化矽 膜構成之犬出區域33a及33b，亦即，具有一高面積比率及 大回度之突出區域33a及存在於突出區域33a附近且具有一 低面積比率及小高度之突出區域33b。 接著，下文將對以下方法進行闡述··一採用圖1中根據 本發明之一實施例之CMP設備21之平坦化拋光方法及一其 中藉由使用此平坦化拋光方法使半導體晶圓27經受平坦化 126272.doc 200845168 拋光以藉此形成STI區域之製造一半導體裝置的方法。 在本實施例中，如圖3 A中所示，最初上述半導體晶圓27 安置成其抛光目標表面緊靠CMP設備21之拋光墊24。

隨後，以一如下方式開始拋光：根據本實施例之抛光漿 料25自漿料傲料管26滴落於拋光墊24上且藉由拋光頭28夾 持之半導體晶圓27之抛光目標表面被按壓抵靠在抛光墊24 上’藉此如圖3A及3B中所示向半導體晶圓27施加一負 載。拋光漿料25含有二氧化鈽研磨粒（未顯示）及一藉由其 表面之塗層被囊封之界面活性劑36(由白色圈指示）。此界 面活性劑具有一保護擬拋光之氧化矽膜33之效果。如圖2 中所示，藉由以一塗覆壁35覆蓋一界面活性劑37形成經囊 封之界面活性劑36。稍後將闡述具體之漿料組合物。 由於在圖3A之狀態中將拋光漿料25供應至拋光墊24上， 因而經囊封之界面活性劑36附著至整個拋光目標表面，包 含突出區域33a及33b。 隨後，在圖3B之狀態中，附著至該抛光目標表面上之突 出區域33a及33b之經囊封之界面活性劑％與抛光墊％接觸 且因而被抛光墊24推開，以便所移出之界面活性㈣附著 至該拋光目標表面上之凹陷區域3 3 C。

Ik後如圖3C中所示進行突出區域之抛光。在此抛光期 間’針對具有-低面積比率及小高度之突出區域別之抛 光快速進行。因而，如放大圖A中心，㈣力及剪切力 施加至現存於凹陷區域附近之經囊封之界面活性劑％。 因而’如圖4D中所示’囊因壓力及剪切力而破裂，從而 126272.doc 200845168 流出界面活性劑3 7 (由黑圈指示）。 如圖4E中所示，在突出區域33 a之拋光進行期間，凹陷 33c又到界面活性劑37保護且因而抑制凹陷33c之拋光進 程。 如圖4F中所示，隨著突出區域33a之拋光之進程，該等 囊破裂，以便界面活性劑37依序工作。結果，如圖4g中所 示，最終不管氮化矽膜31之面積速率差（亦即，元件形成

區域之密度差）跨整個區域實施平坦化拋光，且在氮化矽 膜31暴露時，平坦化拋光處理完成。因而，獲得一具有高 平坦度之抛光表面。以此方式，形成有利STI區域％而= 出現凹陷。 此後’移除氮切膜31，且接著在由移除氮切膜⑽ 產生之兀件形成區域中形成所需之半導體元件，從而獲得 一既定半導體裝置。 又 一次拋光處理執行該平 。然而，亦可以兩次處 在圖3A至4G所示之程序中，以 坦化抛光直到暴露氮化石夕膜3 1為止 理方式來執行該平坦化拋光。 接著’下文將關於以下方法進行闡述：—根據本發明之 另-實施例其中以兩次抛光處理執行平坦化之平坦化抛光 方法及-使用此平坦化抛光方法製造一半導體裝置的方 法。在本實施例中，藉由使用葬 文用精由向以二氧化鈽為主之漿 料添加-經囊封之界面活性劑製備之抛錢料執行第一次 拋光處理直到該拋光目標表面 . $田上之一乳化矽膜33突出區域 33a及33b平坦化為止。具體而 叩。，本實施例之程序經由圖 126272.doc -12- 200845168 4F之上述步驟通向圖5之一其中使二氧化矽膜”平坦化之 步驟。隨後，實施第二次拋光處理直到暴露氮化矽膜3 i為 止’從而完成對應於圖4G之上述狀態之高度平坦化拋光。 可藉由僅使用沒有添加界面活性劑之拋光漿料執行此第 二次拋光處理。在該第二次拋光處理期間，該抛光目標表 面已被平坦化且剩餘膜頗薄。因而，在無界面活性劑之情 形下，可以一保持一具有高平坦度之抛光表面（見圖4G)之 方式完成該抛光。在該第二次抛光處理期間，可使用與該 第人處理中所使用之以一氧化錦為主之漿料相同之漿 料或者，可使用基於二氧化石夕、基於氧化銘或基於硝酸 鐵，漿料。在劃痕方面，合意情況係特定而言藉由使用以 二氧化砍為主之漿料完成一經拋光表面。 接著’下文將關於-採用含有—藉由界面活性劑之塗層 囊封之界面活性劑之拋光漿料之具體拋光方法進行闡述。 在該方法中，提前將經塗覆之界面活性劑之所需量（在本 I 實例中，2 wt%)添加至拋光漿料，且在以下條件下以該拋 光漿料經由一抛光墊供應至一#光目#晶圓1之方式實施 抛光。 [抛光條件] 台板旋轉速度：100 rpm 抛光頭旋轉速度：107rpm 拋光壓力：300 hPa 拋光墊調節器之條件··離位 以二氧化飾為主之漿料（包含2哪之界面活性劑）之流 126272.doc 13 - 200845168 動速率·· 200 cc/min 氧化鈽（Ce〇2)之粒 可將二氧化鈽粒子之直徑（亦即， 子直徑設定為50 nm至250 nm。 雖然在本實例中使用酸性以二轰 虱化鈽為主之漿料作為拋 先水料、然而亦可㈣以二氧切為主之聚料、以氧化銘 為主之漿料、以硝酸鐵為主之聚料或類似漿料替代該以二 氧化飾為主之聚料。較好經塗覆之界面活性劑添加量在 〇.1至1〇 wt%範圍中。此濃度範圍提供有利之抛光特性（平 坦度、拋光速率）。 至於供應經塗覆之界面活性劑之方法，可使用其中將該 經塗覆之界面活性劑提前混合於拋光漿料中且供應所得漿 料之方法。至於另一方法，該經塗覆之界面活性劑可以水 性溶液與拋光漿料分開供應。或者，用於供應界面活性劑 水性溶液之界面活性劑餵料管可與用於供應該經塗覆之界 面活性劑之漿料喂料管連通。 至於擬塗覆之界面活性劑材料，可使用具有抑制氧化物 膜之拋光效應的物質。在本方法中，使用烷基苯硫酸鹽作 為該界面活性劑。或者，例如，可使用以下物質之任一 者：脂肪酸鈉鹽、烷基硫酸鹽、硫酸酯鹽、脂肪酸鉀鹽、 聚氧乙烯烷基醚硫酸鹽、脂肪酸酯、α_烯烴磺酸鹽、單烷 基石粦酸S旨鹽、烧煙續酸鹽、胺基酸、聚丙稀酸g旨、聚丙烤 酸銨鹽、聚緩酸錢鹽、績基玻珀酸二酯鹽、烧基胺鹽酸鹽 及烷基醚磺酸鹽。 至於囊封用之塗覆材料，可使用在塗覆處理期間易於處 126272.doc -14- 200845168 理且不會改變界面活性劑及拋光漿料之物質。在本方法 中，係使用聚胺基甲酸酯樹脂。或者，例如，可使用以下 聚合材料之任一者，只要該材料提供與界面活性劑及漿料 之非反應性組合即可·· I苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚脈樹 脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚碳酸酉旨 树脂、二聚氰胺甲醛樹脂、尿素樹脂及明膠。 κ界面活{'生劑分子之大小係約2 nm至3 。可將該經塗

覆之界面活性劑大小設定為約丨〇打❿至5〇〇〇。瓜。術語「經 囊封之界面活性劑」囊括_經塗覆之單物質界面活性劑及 一由塗覆複數單物質界面活性劑之—集合而產生之物質。 將塗覆膜相對於職㈣之界面活性狀厚度設計成該塗 覆膜具有在拋光時被施加至該膜之拋光壓力及剪切力破壞 之機械強度。亦即，將該塗覆膜之機械強度設定為等於或 低於由拋光壓力及剪切力所造成之機械強度。 將该專用於塗霜見&、工t 1復界面活性劑之方法大致分成化學方法、 物理化學方法及趟艸 、 機械方法。根據該等實施例之界面活性， 塗覆方法之實例句人· 片 匕各·無縫囊封、介面聚合、原位聚人 液中乾燥、凝聚、噴^ 永口 I務乾爍及乾燥混合。特定而言， 一塗覆作為液體之展而、羊从” 1下马 合、凝聚、無縫囊封等等皆頗適宜。 原料 化予方法(藉由化學反應形成塗覆膜） •在介面聚合期η /間，自一分散相及分散介質兩者 離單體，從而藉由取人 肉考供應分 A a反應在分散相表面處（亦g卩，1 處）形成一塗覆膜。 ^即，界面 126272.doc -15- 200845168 分散相及分散介質中之任一 從而藉由聚合反應在核心物 、凝結或別的現象形成塗覆 .在原位聚合期間，僅自_ 者供應一單體及t 丹他反應劑， 質表面處形成一塗覆膜。 2· 物理化學方、土一 去（猎由沈觀 •在凝結期間，將一、 之樹脂溶解於其中之、六、XV"物質分散在一將充當塗層材料 物質沈澱形成—涂奋液中，從而藉由該樹脂圍繞該核心

主覆膜。 •在液中乾燥期 # 料溶液分散在-、夜：冑一含有一核心物質之塗覆材 小壓力或加埶移=質中製備-乳劑，彳足而藉由藉由減 …移除溶劑形成一塗覆膜。 3.機械方法（以機械方式形成塗覆膜） .在噴霧乾燥期pa1 ’添加—核心物質且一塗覆材料溶液 3-噴霧狀態以便釋放至熱風中，⑼而藉由使該塗覆材 料’合解於其中之液體蒸發而形成-塗覆膜。 4 · 其他方法 在無縫囊封期間，藉由使用一其液體在滴落時由於介 面張力而虼成一球形狀態之物質形成一無縫塗覆膜。 在根據上述實施例之平坦化抛光方法及製造一半導體裝 LL· 、、本 , 、 法中’使用添加一經塗覆之界面活性劑之抛光漿 料。因而’該作為一添加劑之界面活性劑隨著抛光目標晶 圓平面中抛光之進程選擇性地直接作用於拋光目標表面。 此以兩度精確性及效率達成不受元件形成區域密度差影響 之同度平坦化拋光，從而增強半導體元件之可靠性及良 126272.doc -16- 200845168 率。此外，可將該界面活性劑之使用量抑制至所需之最巧 值’且因而可減少該半導體裝置之製造成本。 藉由使用含有研磨粒及一藉由表面塗層囊封之界面活性 劑之抛光漿料實施根據該等實施例之平坦化拋光方法。在 此抛光方法中，隨著一抛光目標表面上突出物之平坦化， 將抛光壓力及剪切力施加至附著至該等突出物附近之凹陷 之經囊封之界面活性劑。從而，該塗覆膜破裂且因而釋放 界面活性劑，從而該所釋放之界面活性劑選擇性地抑制附 近抛光之進程。在該晶圓平面中，該界面活性劑隨著突出 物拋光之進程順序作用。此達成不受元件形成區域之密度 差影響的高度平坦化拋光，且因而增強半導體元件之可靠 性及良率。 在上述專利文件1中，界面活性劑端視一拋光目標表面 之膜的種類選擇性地作用。相反，在該等實施例中，界面 活性劑隨著拋光之進程端視圖案密度差作用。因而，可在 透過該拋光目標表面暴露一不同種類之材料（例如，當一 拋光目標表面由Si02組成時，SiN係不同種類之材料）之前 出現的其一整個區域皆由相同材料組成之拋光目標表面執 行平坦化，且因而可達成較高之平坦化拋光。此外，由於 在回平坦化拋光已完成時剩餘膜頗薄，亦可藉由使用（例 如）涉及較少劃痕之以二氧化矽為主之漿料保持高平坦性 地執行精抛光。此可減少劃痕（劃痕係以二氧化鈽為主之 名料中之一問題），且因而增強拋光過程中之靈活性。 在上述實例中，將該等實施例之平坦化拋光方法應用於 126272.doc 17 200845168 一半導體晶圓之抛光。然而，該方法亦可應用於另一其拋 光目標表面具有一氧化物膜之基板（晶圓）之拋光。 熟習此項技術者應瞭解，可視設計需求及其它因素作出 各種修改、組合、子組合及改動，只要其處於隨附申請專 利範圍或其等價物之範疇内即可。 【圖式簡單說明】 圖1係一顯示用於本發明之實施例中之CMP設備之示意 性結構之結構圖； 圖2係一經囊封之界面活性劑之示意性剖面圖； 圖3 A至3 C係顯示一根據本發明之一實施例之平坦化拋 光方法及一使用此拋光方法製造一半導體裝置的方法之製 造步驟圖； 圖4D至4G係顯示根據該實施例之該平坦化拋光方法及 該使用該拋光方法製造一半導體裝置的方法之製造步驟 圖， 圖5係一顯示一根據本發明之另一實施例之平坦化抛光 方法中之中間狀態及一使用抛此抛光方法製造一半導體裝 置的方法之步驟圖； 圖6A至6E係顯示一使用一相關技術平坦化抛光方法製 造一半導體裝置的方法之一實例之製造步驟圖；及 圖7A及7B係說明一相關技術中之抛光狀態之圖式。 【主要元件符號說明】 21 CMP設備 22 旋轉軸 126272.doc -18- 200845168 23 台板 24 拋光墊 25 拋光漿料 26 漿料餵料管 27 半導體晶圓 28 抛光頭 35 塗覆壁 36 經囊封之界面活性劑 37 界面活性劑 32 溝道 33 氧化矽膜 31 氮化矽膜 27a 秒基板 33a 氧化矽膜突出區域 33b 氧化矽膜突出區域 38 STI區域 1 秒基板 2 氮化矽膜 3 溝道 4 氧化矽膜 4a 氧化矽膜突出物 4b 氧化矽膜突出物 5 STI區域 6 凹陷 126272.doc -19- 200845168 11 拋光墊 12 研磨粒 13 界面活性劑 126272.doc -20-

Claims (1)

1. 200845168 十、申請專利範圍： 1· -種用於使抛光目標晶圓拋光以達成平坦化表面之平坦 化抛光方法，該方法包括以下步驟： 藉由使用含有研磨粒及經由表面塗層囊封之界面活性 劑之抛光漿料將抛光目標表面抛光成平坦化表面。 2. 如請求们之平坦化拋光方法’其中該抛光目標表面係 氧化物膜。 3. 如請求項2之平坦化抛光方法，其中使用含有作為研磨 粒之二氧化鈽粒子之以二氧化鈽為主之抛光漿料。 4. 如請求項2之平坦化拋光方法，其中該界面活性劑作用 於該擬拋光之氧化物膜。 5. 如請求項2之平坦化抛光方法，其中該氧化物膜係橫跨 基板之溝道及在該溝道外部之在氮化矽膜之下形成之氧 化矽膜，及 該界面活性劑作用於該氧化矽膜。 6. 如請求項2之平坦化拋光方法，其中藉由使用含有研磨 粒及經由表面塗層囊封之界面活性劑之第一種拋光漿料 執行抛光直到抛光目標表面上之一突出區域被平坦化為 止，及 藉由使用不含界面活性劑之第二種拋光漿料執行後續 抛光。 7·如請求項1之平坦化拋光方法，其中該經囊封之界面活 性劑塗覆膜之機械強度等於或低於由拋光壓力及剪切力 所造成之機械強度。 126272.doc 200845168 8, 一種製造半導體裝置的方法，該；^& 4 ^ ^方法包括以下步驟： 子於形成用作元件隔離區域之淺溝道隔離區域，係夢 由使用含有研磨粒及經由表面塗層囊封之界面⑽心 抛先漿料將沈積於-除半導體基板之溝道外之區域上之 氧化物膜拋光以達成平坦化表面。 9.如請求項8之製造半導體裝置的方法，其中使該位於該 溝道外之區域上之氧化物膜沈積於由氮化物 層膜上。 ^ 10.如請求項8之製造半導體裝置的方法，#中使用含有作 為該研磨粒之二氧化鈽粒子之以二氧化鈽為主之抛光漿 料0 11.如請求項8之製造半導體裝置的方法，其中該界面活性 劑作用於該擬拋光之氧化物膜。 12·如請求項8之製造半導體裝置的方法，其中藉由使用含 有研磨粒及經由表面塗層囊封之界面活性劑之第一種拋 光裝料執行拋光直到該氧化物膜之突出區域被平坦化為 止，及 藉由使用不含界面活性劑之第二種拋光漿料執行後續 拋光。 13·如請求項8之製造半導體裝置的方法，其中該經囊封界 面活性劑之塗覆膜之機械強度等於或低於由拋光壓力及 韵切力所造成之機械強度。 126272.doc