TW200832504A - Flexible substrate with electronic devices and traces - Google Patents

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200832504 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一般關於電子裝置且更明確地說係關於一種互連 跡線製於一撓性基板上的電子裝置。 【先前技術】 薄膜電晶體（TFT)裝置係廣泛地用於電光學陣列與顯示 面板的切換或驅動器電路。傳統上，TFT裝置係使用熟知 的沈積、圖案化與蝕刻步驟順序製造於剛性基板（通常為 玻璃或石夕）上。例如，非晶矽TFT裝置需要在一基板上沈 積、圖案化並蝕刻金屬（如鋁、鉻或鉬）、非晶矽半導體與 絕緣物（如Si〇2或SisNO。該半導體薄膜係形成具有一般從 數nm至數百nm厚度之若干層（其中中間層具有數微米等級 之厚度），並可在置放於該剛性基板頂上之絕緣表面上形 成。 剛性基板之必要性主要基於製程本身的需求。熱特性係 尤為重要，因為TFT裝置係於相對地較高溫度下製造。因 此，已成功運用之基板材料範圍一般便有點侷限於玻璃、 石英或其他剛性之以矽為主的材料。 TFT裝置可形成於部分金屬箔與塑膠基板類型上，並在 其製造中允許某種程度的撓性。然而，諸如該基板與該等 TFT材料間之化學不相容性、基板與裝置層間之熱膨騰失 配、平坦性與表面形態與電容耦合或可能短路的問題在許 多應用中均使金屬箔基板令人滿意的程度降低。 顯然’改良並擴大諸如TFT之電子裝置之適當基板材料 122726.doc 200832504 的範圍，進而包括更多特性經改良之塑膠與塑膠材料類型 將帶來好處。如此便允許在一撓性基板上製造並有助於減 輕顯示器與其他電光學組件的整體重量。便可製造較薄的 裝置。此外，此能力可製造較大的顯示器與裝置，因為晶 態矽與許多傳統上用作基板之玻璃類型愈來愈難形成大薄 片’且在大薄片中愈來愈難以控制。 儘管塑膠與其他撓性基板有許多明顯的優點，然而亦有 坪夕顯者的缺點而使得此類基板之使用令人卻步，包括下 列缺點： •與製造TFT時所需之高溫範圍不符。 •同溫下尺寸的穩定性不佳。 •塑膠與薄膜半導體材料之熱膨脹係數（CTE)失配。 •塑膠具有高濕度吸收特性。 •許多塑膠類型的透明性差。 •必須從一載體附著並脫離該塑膠基板材料。 此等缺點主要與溫度方面的需求有關。該TFT之製程可 能需要200至300度C或更高之範圍的溫度，包括許多塑膠 基板類型在其中將無法使用的溫度位準。因此，如同美國 專利案第7,〇45,442號（Maruyama等人）中載明，廣泛地均主 張無法直接於一塑膠基板上形成一 TFT。為能提供tft裝 置女#於塑勝基板上之好處，Maruyama等人之，442揭示 内容說明一種在一初始時附著於一載體基板之釋放層上形 成4 TFT的方法。一旦製成TFT電路，接著該釋放層便與 其之載體基板分離並可積層至—較輕且較具撓性之塑膠;才 122726.doc 200832504 料上。 美國專利案第6,492,〇26號（Graff等人）揭示使用具有相對 地較高玻璃轉變溫度Tg(通常高於120度c)之撓性塑膠基板 以作為一替代性解決方案。然而，對於此類基板能否承受 比此範圍高許多之傳統TFT製造溫度仍存疑。此外，為能 使用此類塑膠，在如使用多重阻障層以保護該基板與所形 成之裝置免於刮痕破壞與濕氣滲透方面已付出許多努力。 於美國專利案第6,680,485號（Carey等人）中說明另一替 代性解決方案。在Carey等人之’485揭示内容所說明之方法 中’來自一脈衝雷射源之能量係用以在低溫塑膠基板上形 成非晶且多晶通道矽TFT。此方法所說明之傳統、低溫塑 膠基板包括（例如）聚對苯二甲酸乙二酯（ΡΕτ)、聚醚硬 (PES)與高密度聚乙浠（HDPE)。 相似地，美國專利案第6,762，124號（Kian等人）揭示一種 使用準分子雷射透過一遮罩來剝餘一材料以形成用於在一 基板上形成TFT之圖案化導體或半導體材料的程序。在 Kian等人’124之揭示内容中，所使用之基板係一複合、，，玻 璃取代π材料，其具有以一或多個阻障與保護層補強的撓 性或剛性塑膠材料。 k管&出此專與相似解決方案以在撓性基板上形成tft 組件’然而仍有許多缺陷。如同Maruyama等人之，442，積 層一與TFT裝置一起設置之釋放層必須額外的製造步驟與 材料且本身在對準方面即十分困難。使用高效能塑膠（如 Graff等人之’〇26揭示内容的塑膠）仍產生熱膨脹（CTE)之困 122726.doc 200832504 難性且需要額外之層與程序以便能保護該塑膠。在Carey 等人之，485與幻⑽等人之，124揭示内容中所提出之準分子 層解決方案沒有提供較傳統TFT製造技術之能力全面性廣 度，因而在使用上便受侷限。此等揭示内容中無任何揭示 内谷提供真正能用以取代玻璃或其他以矽為主基板的撓性 基板，因為該TFT必須在一釋放層上或在某些必須形成於 該撓性基板之頂部上的中間層上形成。 用作一基板、具有包括尺寸穩定性與熱及化學抗性性質 之一種重要的特定撓性材料係聚醯亞胺類。然而，即使聚 醯亞胺材料本身具有優點，然而其仍在導引TFT之沈積時 出現明顯的障礙。例如，必須運用額外的釋放層與轉移 層，因為聚亞醯胺並不具有回焊行為之特性。聚亞醯胺之 CTE與薄膜半導體材料之CTE不同，並在高溫製造之後導 致斷裂與電不連續性。就一改良聚亞醯胺材料特性的嘗試 而言，美國專利申請公開案第2〇〇5/〇163968號（11抓]^)說 明一種具有經改良之CTE與其他耐久性增強的微填充聚亞 醯胺膜。然而，即便是在使用微填充添加物可更加接近地 匹配CTE的情況下，仍存在其他積層問題。其他重要的塑 膠（如Teflon®)可能具有某些性質而更加適合用作撓性基 板，只是因存在其他障礙集而使其無法用於傳統製造方法 中0 如在基板上开> 成薄膜電子組件之程序的部分，各組件 間之連接進一步需要形成金屬跡線以及連接組件至此等跡 線的層間通道。熟悉此項傳統PC板製造之人士應十分瞭解 122726.doc 200832504 此程序，在傳統p c板製造中使用連續積層介電質與圖案化 或非圖案化之金屬線的個別層來製造一板。一 PC板可包含 多達20層。該等個別層含有一介電質（如填充玻璃之特夫 綸（Teflon)、酚醛樹脂或聚醯亞胺），其上電鍍著金屬（通常 為5至20微米之鋼、鋁、金或銀）。各層之金屬化通常係藉 由塗布光阻、曝露於一光罩、顯影該光阻以及蝕刻該金屬 化、保留圖案化跡線來完成圖案化。藉由在該基板中雷射 鑽孔或藉由微影钱刻而形成之通道可造成層間之互連。 傳統半導體電路或裝置可以數種方式附著至該p c板： •在該PC板上藉由將所製造之半導體晶粒線接合或覆 晶球接合至金屬跡線之頂層而使該晶粒直接附著至該基板 上（板上晶片）； •將半導體晶粒封裝於含有焊球之塑膠或陶瓷封裝中， 接著並將該等封裝附著至該基板；或 •將該半導體晶粒封裝於一含有金屬導線之塑膠或陶瓷 封裝中，該等金屬導線接著係插入孔中或起突片接合（tab_ bonded)至該 pc板。 儘官一般熱知此等方法可與多層pc板一起使用，然而， 奴將半導體裝置附著至一撓性基板而非該傳統pc板材料將 需要額外的步驟。 因此，可了解對於直接在一撓性基板上形成TFT並以最 少個數之額外步驟與程序來製備或調整該基板本身並於同 基板上形成互連跡線與通道的製造方法仍有尚未滿足之 需求。 122726.doc 200832504 【發明内容】 本發明之一目的係欲提供一種製造一電子裝置之方法， 其包含： a) 提供一基板，其包含至少一塑膠材料； b) 在該基板之至少一表面中後入一微粒材料；以及 c) 於具有該微粒材料之該表面上形成一薄膜電子裝 置。 本發明之一特徵在於其提供一製造於一撓性基板上的電 子裝置。該撓性基板可包括聚四氟乙烯（pTFE)或

Teflon®，進而能夠回焊並因此最小化或摒除對中間積層 材料的需求。本發明亦使得在較薄基板上可能製造電子裝 置。 ’ 本發明之另一優點在於提供一種塑膠基板，其可對一載 體提供經改良之積層（包括自我積層）。 結合顯示及描述本發明之說明性具體實施例的附圖，在 閱讀下列詳細說明|，熟悉本技術人士將明白本發明之該 等及其他目的、特徵與優點。 【實施方式】 本說明明確地說係針對形成根據本發明之設備之部分或 與之更直接配合的元件。應瞭解未明確顯示或說明的：件 可採用熟悉本技術人士所熟知的各種形式。 此申印書中給出之圖式表示在一基 ^ pa M . 土扳上沈積之層的整體 二間關係與配置並且可能並無依比例來繪製。 參考圖1，其中顯示根據本發明而形成之一電子裝置 122726.doc -11 - 200832504 10在撓性基板20(如塑膠，其如同接續所說明係由一 或夕種微粒接合材料及一或多種塑膠黏結劑組成的一複合 材料）之一表面28上形成一薄膜組件12(如導體、薄膜電晶 體、一極體或其他組件）。在製造處理期間，複合基板2〇 通常係附著於一載體（如玻璃薄片），而在圖1中係顯示成一 70工產πα。可形成一或多層丨4以提供電絕緣與平坦化或平 滑度並提供一適當表面以便在表面28上形成薄膜裝置。在 一項具體實施<列中，層14係用以密封並且絕緣該表面以便 能沈積薄膜的氮切。於另—具體實施射，使用一苯環 丁烯（BCB)或旋塗式玻璃（s〇G)補充層來進行平坦化。以 此方式使用時，傳統上層14指一種平坦化層。 藉由在一沈積或黏著於基板2〇之一相對表面（未顯示）上 之金屬塗層中蝕刻一圖案來在該相對表面上形成一跡線層 3〇。亦可提供一可選基底層34(亦為撓性塑膠）。可形成一 或多個通道36以使用跡線層30上之圖案化跡線互連薄膜組 件12。如同圖2之斷面圖中顯示，亦可使用一或多個置放 組件38(如使用矽或某些其他半導體基底材料所形成之傳 統半導體組件）來作為具有此配置之電路的部分。如同圖之 中指明，跡線層30在圖案化跡線之間可具有或可不具有一 額外填充劑40。亦可提供一可選保護層44(通常用於絕緣 與平坦化）。 圖3之斷面圖顯示具有多跡線層3〇與31之另一具體實施 例。兩跡線層30與31之間係一絕緣物42。跡線層3〇與^ 中’一層可提供電源或接地連接；另一層可提供組件之間 122726.doc -12- 200832504 的信號連接。視需要 (EMI)遮蔽。 額外的圖案化層亦可提供 電磁干擾 本發明亦關於對-基板之至少―表面所施加之_塑膠黏 結劑(其具有一微粒材料)與載體材料以及將裝置層接：至 -撓性基板與最小化該基板内之應力之程序的共同最佳 化。 土 作為本發明所使用之術語，"塑膠"指聚合物含量高之材 料，其通常由聚合物合成樹脂來製造，並可與其他成分姓 合，如固化劑、填充劑、增強劑、著色劑與可塑劑。； 係合成或自然發生聚合物。塑膠在其完工階段為固 悲，並在其製造或處理成完工物件的某些階段可藉由流動 來塑形。塑膠通常使用固化程序來形成，纟中一溶劑係以 -適當速率蒸發。塑膠包括熱塑性材料與熱固性材料。術 語"撓性”一般指比約i mm薄之薄片材料，其通常展現介於 約100,000至500,000 psi之間的塑膠彈性模數E。 為能支持圖1、2或3中顯示之電子裝置1〇之製造，基板 2〇特別規劃成由-適當塑舞結餘成並以—由表面顧 近或其上注入之微粒材料來進行調整。參考圖4，以一放 大圖表不一項具體實施例之複合基板2〇的結構配置。在基 板20之基底塑膠組成物中加入一微粒材料“，其相對於該 微粒而作為一黏結劑。微粒材料16係某種類型之固態微 粒其經適§選擇而能接合至層14使層14可提供絕緣、被 動化或平滑，並可修改該塑膠材料本身的(：丁£。藉由在該 表面附近添加微粒材料16，現在便可能在先前不適合薄膜 122726.doc •13- 200832504 沈積之基板（如PTFE)上製造TFT與其他薄膜裝置。此對基 板20之表面的調整因此便能夠在一撓性基板上製造電子裝 置以及其相關連接跡線與其他組件。以此方式製造時，複 合基板20能夠承受高溫並能適應各種形成TFT所必須之蝕 刻劑與程序類型。此處理類型可用於撓性基板20之一或兩 表面上且因此可用以不僅在製造TFT而且在形成圖案化跡 ' 線時提供一較適當之接合。 塑膠材料 如同接著將說明的，藉由對一塑膠添加一適當微粒材料 16，本發明之方法使撓性基板能夠使用的塑膠材料清單擴 大。黏結劑塑膠材料之範例包括（但將不限於）熱穩定性聚 對苯二甲酸乙二酯（HS-PET)。許多其他塑膠基板可用作黏 結劑，如聚萘二甲酸乙二酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)、聚芳 香族酯（PAR)、聚醚醯亞胺（PEI)、聚醚砜（PES)、聚醯亞胺 (PI)、Teflon®聚（全氟烷氧基）氟聚合物（PFA)、聚（醚醚酮） (PEEK)、聚（醚酮）（PEK)、聚（四氟乙烯乙二酯）氟聚合物 (PETFL·)、與聚（甲基丙烯酸曱酉旨）與各種丙烯酸/丙烯酸曱 酯之共聚物（PMMA)。適合用作黏結劑之塑膠可包括各種 環聚烯烴、JSR公司所製造之ARTON、Zeon Chemicals L.P·所製造之Zeonor與Celanese AG公司所製造之Topas。 亦可使用其他低溫塑膠基板，包括··乙烯-三氟氣乙烯（E-CTFE)(由 Ausimont U.S.A.公司提供，商品名為 HALAR)、 乙烯-四氣乙烯（E-TFE)(由Dupont公司以商標TEFZEL販 售）、聚四氟乙烯（PTFE)、玻璃纖維強化塑膠（FEP)與高密 122726.doc -14- 200832504 度聚乙烯（HDPE)。透明塑膠在某些應用中具有較高的優 勢。 由於添加微粒材料16，部分此等塑膠基板可在不受損之 情況下承受較高的處理溫度達至少約2〇〇度C，其中有部分 可承受300度C或更高的溫度。 特別重要之塑膠黏結劑材料包括聚醯亞胺（如同稍早所 指明），以及聚四氟乙烯（PTFE)或聚（全氟烷氧基）氟聚合物 (PFA)(由DuPont公司販售，商品名為Tefl〇n@)。如同稍早 所指明，在依傳統方式形成之情況下，聚醯亞胺與pTFE 本身均不太適合作為TFT沈積之基板，而許多不同的表面 處理產生的成效亦有限。然而，若此等材料經過根據本發 明之處理，則其便可提供具有極適合支撐TFT電路之特性 的撓性基板。 於又其他具體實施例中，包括一或多種此等塑膠材料之 、、且成物可為較佳的解決方案。例如，結合聚醯亞胺與聚 氟乙烯（PTFE)或聚（全氟烧氧基）氟聚合物（pFA)以便能獲 得兩塑膠之更佳性質可能較有利。 又 微粒材料之特性 適當的微粒材料16包括含旋塗式玻璃、碳、纖維、金屬 纖維與塑膠之玻璃。微粒材料16亦可為編織材料或纖維， (例々如）編織纖維玻璃。微粒材料16可具有結構性質與形狀 之耗，。微粒材料16可為大略圓％、尺寸小於（或超過）該 基板厚度之片狀粒子。微粒材料16形狀可為延長的，包括 (例如）線狀、桿狀或纖維狀。陶竟填充劑或其他介電材料 122726.doc -15- 200832504 可用作微粒材料1 6。 該塑膠黏結劑材料内之微粒材料16的角度方位亦可能有 所不同。例如，延長之微粒材料16在尺寸上可能對準如一 早一方向或對準不同方向之層或沿平面中兩或多個軸而對 準。微粒材料16可能關於基板2〇之表面依一特定方向或圖 案來定向，進而可影響各向異性光學、電子、熱、磁、化 予或物理性質。僅作為一範例，該黏結劑内之微粒材料1 6 之纖維可能為垂直定向以便能依垂直方向來引導光或熱。 或者，横向定向之光學纖維可用以引導光依其他方向穿透 複合基板2 0。 可加入無機材料來作為微粒材料丨6以便能修改許多性 質，如下所列之性質： •選定之光學性質，如色彩或光散射； •選疋之電子性質，如導電性或電遮蔽之碳填充； •選定之熱性質，如金屬粒子填充以改良熱傳導性； •選定之磁性質，利用磁性材料，包括用於磁附著或 資料儲存之鐵磁性材料； •化學性質，如進行化學作用之抗性，或物理性質， 如CTE、拉伸強度、壓縮強度、模數或撓性；或 •輻射性質’如輻射遮蔽或能量選擇X光傳輸或吸收。 根據本發明結合微粒材料16與塑膠黏結劑材料之一重要 結果關於改良熱膨脹係數（CTE)。已發現該複合基板之 CTE與TFT裝置之裝置層之CTE的近似程度勝過與該塑膠 黏結劑之CTE的近似程度。因此，該複合基板之CTE較近 122726.doc -16 - 200832504 似傳統上用於裝置製造之玻璃或矽載 體18之CTE。結果， 在裝置製造期間於該等裝置層中便引 改良裝置效能、尺寸穩定性與可靠性 入較少的應力，進而 。如此亦使該TFT裝 置與其基板分離之分層可能性降至最低。 /

添加諸如玻璃或陶瓷之無機微粒材料以作為微粒材料16 亦具有許多額外優點，包括： •改良該等TFT層之黏著性，因為該微粒表面會比僅有 該塑膠黏結劑時提供更佳的黏著性。 •改良裝置製造時的溫度限制··使用微粒材料會在失 去尺寸穩定性之則提升溫度限制，進而使裝置能在較高的 溫度下進行製造。 •在某些材料結合中，該微粒材料可降低該基板之介 電常數’從而有利地降低電容。 透明微粒材料16在許多應用中將很有優勢。由於光行為 十分重要，故而可以相對於該塑膠黏結劑材料之折射率h 之折射率n i為基礎來選擇微粒材料16。由於其個別折射率 〜與112相匹配（或極接近匹配），故而可最小化光學散射。 折射率〜與!!2之匹配愈接近，則所產生之散射便愈少。或 者，光學散射可令人滿意，在此情況下，折射率〜與“之 間的差異增加（例如大於約（^:^對應地會造成散射增加。可 使用不透明或反射材料。可對該塑膠材料以及微粒材料Μ 添加光吸收著色劑以便吸收雜散光、增添色彩或為進入或 離開之光提供一遽光層。相似地，平坦化層14可具有一著 色劑。 122726.doc -17- 200832504 範例1 在一項具體實施例中，用作複合基板20之材料係PTFE 編織之纖維玻璃積層，如來自加州Ranch〇 Cucam〇nga之 Arlon公司所生產之Diclad 522、527系列的一種材料。 PTFE編織之纖維玻璃積層由於在溫度應力下尺寸保持穩 定，故而可用作（例如）印刷電路板（pCB)，並且在用作此 目的時，會供應一銅層（通常為一電沈積銅層）。用作一撓 性基板20時，PTFE編織之纖維玻璃積層的理想厚度係在 約25微米至約3〇〇〇微米之範圍中。 若為此基板，則TFT製造處理將如下： 1·安裝於載體18上。初始時，在一玻璃載體18上積層 該撓性基板。此係藉由在載體18上定位基板2〇並藉由施加 熱與壓力以達該PTFE材料之流動溫度（Tg)(約3〇〇度c)來處 理此結合而完成。該PTFE材料會軟化、回焊與接合至載 體18之表面。 2·表面處理。此接續步驟會調整或處理基板2〇之表面 以便能提供一適當的基底來黏著層14。在一項具體實施例 中，層14係一平坦化層。層14替代地可為另一製備材料或 可包括用以形成該薄膜電子裝置本身的材料。此處理係藉 由將微粒材料16嵌入該基板表面而生效。如同圖4中顯 示，在最接近基板20之表面添加微粒材料丨6係十分有利 的。可藉由多種方法（包括（例如）輥製或撒粉）將微粒材料 16施加至該表面。替代地，微粒材料16可藉由喷墨沈積、 印刷、從一中間材料轉移、使用如在一溶劑中之刮板削片 122726.doc •18- 200832504 技術的應用、喷灑或其他方法來施加。可加熱該塑膠材料 以促進微粒材料1 6之嵌入。替代地，在固化程序期間可將 微粒材料1 6加入該黏結劑塑膠材料。接著將說明表面處理 的其他方法。

3·平坦化。在某些應用中，TFT沈積所需之表面粗糙度 峰至峰間可為小於〇·2至〇·3微米之等級。為達此目的，沈 積方疋塗式玻璃（SOG)。欲施加此物質，於一溶劑中之膠狀 一氧化石夕粒子溶膠係施加至該基板2〇之表面。施加3〇〇至 400度C之溫度以固化溶膠材料，進而移除溶劑並保留凝膠 殘餘物，其在本身經加熱後會轉變成一介電常數ε介於約3 與5之間的Si〇2膜，進而提供TFT沈積之前所需的必要絕緣 與平坦化。接著將說明替代性平坦化材料。 示了改良CTE匹配與反應之外，本發明之方法亦使『pi 、、且件以&改良之方式黏結至基板2G之表面。位於該表面之 附近或甚至延伸稍微超出複合基板2 〇之表面的微粒材料工6 會提供層U(其可為一絕緣氮化石夕或氧化石夕層）黏結表面區 =°在沒有微粒材料16之情況下，此等石夕化合物將無法接 合至該表面，並嚴重阻礙製造一可運作m裝置或在其上 製造其他類型之電子裝置的能力。 4.形成電絕緣層。作為用於調整該基板之表面的最終 表面製備步驟（其可為可選），在 -電絕緣層。…㈣：二:坦化層之頂部上沈積 的、，，邑緣層材料可為Si02、SiN 、 議、或此等材料之某 x 之範圍中。 此通吊在攸約0.5M.5 122726.doc -19- 200832504 5·形成TFT元件。在製備該撓性基板20之表面後，可開 始置放TFT元件。此通常需要在該基板上沈積一層薄膜半 導體材料，隨後並藉由選擇性移除該半導體材料之部分來 形成一圖案。此程序使用置放閘極、源極與汲極組件與其 他支樓層之組件製造技術中所熟知的程序。 6·從載體18分層。此可能需要應用接近該基板塑膠材 料之流動溫度之溫度的熱。如此可使基板2〇與載體丨8分 離。一旦分離之後，可將基板2〇積層至某種其他表面或可 使基板20冷卻。 7·在跡線層30上圖案化互連跡線。在此步驟中，可使 用傳統蝕刻程序來形成所需的互連跡線圖案，該蝕刻程序 使用光阻或其他遮蔽方法連同光曝露與蝕刻劑之應用以從 未曝露區域移除金屬。 8·形成通道36。可使用傳統技術形成電鍍通道36以便 以此方式互連PC板層。 二在此等基本步驟之後，可使用進一步之處理，如添加保 蔓層或提仏電子|置1()連接器或其他結構。在一項具體實 施例中仓J如，對電子裝置1〇之頂部與底部表面施加旋塗 式玻璃（SOG)之保護塗層。 範例1之方去可針對特定基板與組件類型進行修改。例 如可替代地使用其他旋轉塗布介電處理。 範例2 此接績之乾例考慮規劃複合基板20可能需要的額外步 驟。該等基本步驟係如下： 122726.doc 200832504 1 ·使該塑膠加熱達其熔化溫度Tg。 2· 將微粒材料16添加至該熔化之塑膠以作為一填充 劑。就改良接合而言，微粒材料16若沈積在基板2 0之表面 上或附近便可最佳地運作。然而，就改良CTE而言，則偏 好在整個塑膠材料中混合之粒子能更均勻地分佈。在大多 數情況下，較佳地應具有較濃的微粒材料16濃度，或微粒 材料16之曝露部分在基板2〇之表面的附近。因此，此步驟 將需要微粒材料16與熔化之塑膠黏結劑的部分混合。 3·女裝於載體18上。如同圖7A中顯示，初始時，在一 玻璃載體18上積層該撓性基板。此係藉由在載體18上定位 基板20並藉由施加熱與壓力以達該pTFE#料之流動溫度 (Tg)(約300度C)來處理此結合而完成。該pTFE材料會軟 化、回焊與接合至載體18之表面。 4,平坦化。在某些應用中，TFT沈積所需之表面粗糙 度峰至峰間可為小於G.2至G.3微米之等級。為達此目的， 如同圖7B中顯示’沈積旋塗式玻璃（SqG)以作為平坦化層 14。欲施加此物質’於—溶劑中之膠狀二氧化石夕粒子溶膠 係施加至該基板2G之表面。施加遍至彻度c之溫度以固 化溶膠材料，進而移除溶劑並保留凝膠殘餘物，其在本身 經加熱後會轉變成一介電常數8介於約3與5之間的以〇2 膜，進而提供TFT沈積之前所需的必要絕緣與平坦化2 著將說明替代性平坦化材料。 5·形成電絕緣層。作為用 表面製備步驟（其可為可選）， 於調整該基板之表面的最終 在該平坦化層之頂部上沈積 122726.doc 200832504 一電絕緣層。一適當的絕緣層材料可為Si〇2、以队、 SiON、或此等材料之某種結合。此通常在從約〇.5至15 μηι之範圍中。 6·形成TFT元件。在製備該撓性基板20之表面後，可 開始置放TFT元件。此程序使用置放閘極、源極與汲極組 件與其他支撐層之組件製造技術中所熟知的程序。作為 TFT製造之部分，沈積半導體材料，隨後藉由選擇性移除 該半導體材料之部分來形成一圖案。圖7(：顯示因此步驟而 形成的薄膜組件12。 7.添加保護層44。如同圖7D中顯示，此可選步驟提供 薄膜組件12 —保護塗層。 8·從載體18分層。此可能需要應用接近該基板塑膠材 料之流動溫度之溫度的熱。如此可使基板與載體1 $分 離。一旦分離之後，可將基板20積層至某種其他表面或可 使基板20冷卻。亦可運用替代性分層方法。 9·圖案化跡線層30。如同圖7E中顯示，現可蝕刻跡線 層30以提供組件互連所需的跡線圖案。亦可添加一可選填 充劑40。 10.添加可選基底層34。如同圖7F中顯示，可在跡線層 30之上施加基底層34。在一項具體實施例中，基底層“係 旋塗式玻璃以提供一保護與絕緣塗層。 11·形成通道。如同圖7G中顯示，在跡線層3〇上可形成 一或多個通道36以便以互連跡線連接薄膜組件12。可使用 傳統方法來鑽鑿或可使用一雷射來形成通道36。 122726.doc -22- 200832504 範例3 在另一具體實施例中，基板20係由聚醯亞胺或一聚醯亞 胺組成物與黏結劑使用下列步驟來形成： 1.在一適當載體上塗布未經固化之塑膠黏結劑材料。 於此’在該載體上塗布部分固化之聚醯亞胺。可使用任何 適當的應用方法’包括浸削片、旋塗應用或擠壓。 2·固化該未固化之塑膠材料直到大致上完成固化程序 為止。 3·在完成大約80%之固化循環時，在基板2〇之表面上 添加微粒材料16。於此，在該表面上喷灑該微粒材料16以 提供一均勻的塗層。 4 ·元成彡亥固化程序’供乾剩餘的溶劑。 5·平坦化。在某些應用中，TFT沈積所需之表面粗糙 度峰至峰間可為小於0.2至〇·3微米之等級。為達此目的， ’尤積方疋塗式玻璃（SOG)。欲施加此物質，於一溶劑中之膠 狀二氧化矽粒子溶膠係施加至該基板2〇之表面。施加3〇〇 〇〇度C之/JBL度以固化該溶膠材料，進而移除溶劑並保留 滅膠殘餘物，其在本身經加熱後會轉變成一介電常數^介 於約3與5之間的⑽膜，進而提供TFT沈積之前所需的必 要絕緣與平坦化《接著將說明替代性平坦化材料。若需 要，視需要地將平坦化材料施加至該圖案化金屬跡線。 6.形成電絕緣層。作為用於調整該基板之表面的最終 j面製備步驟(其可為可選)，在該平坦化層之頂部上沈積 一電絕緣層。一適當的絕緣層材料可為si〇2、siN 、 122726.doc -23- 200832504

SiON、或此等材料之某種結合。此通常在從約0.5至1.5 μηι之範圍中。 7.形成TFT元件。在製備該撓性基板20之表面後，可 開始置放TFT元件。此程序使用置放閘極、源極與汲極組 件與其他支撐層之組件製造技術中所熟知的程序。作為 TFT製造之部分，沈積半導體材料，隨後藉由選擇性移除 該半導體材料之部分來形成一圖案。 8·從載體18分層。此可能需要應用接近該基板塑膠材 料之流動溫度之溫度的熱。如此可使基板2〇與載體丨8分 離。一旦分離之後，可將基板20積層至某種其他表面或可 使基板20冷卻。亦可運用替代性分層方法。 9·圖案化跡線層30。如同圖7E中顯示，現可蝕刻跡線 層30以提供組件互連所需的跡線圖案。如同稍早所指明， 亦可添加一可選填充劑40。 10·添加可選基底層34。如同圖7F中顯示，可在跡線層 30之上施加基底層34。在一項具體實施例中，基底層34係 旋塗式玻璃以提供一保護與絕緣塗層。 11·形成通道。如同圖7G中顯示，在跡線層3〇上可形成 一或多個通道36以便以互連跡線連接薄膜組件以。可利用 電鍍或插入鉚釘，使用傳統方法來鑽鑿通道％。視需要 地，該等通道孔徑可使用一雷射來形成。 在一替代性具體實施例中，可將微粒材料16添加至未固 化塑膠以作為一填充劑’ i f來如範例2中所說明之cte 優勢。 122726.doc 24· 200832504

在PC板上沈積TFT 在另一具體實施例中，如同圖8之斷面圖中顯示，薄膜 組件12係直接在一 pc板46上形成。於此，薄膜組件係直接 在該PC板46表面上形成。大多數PC板係由絕緣基板50之 層所分離與支撐之較多導電層來組成，且通常使用熱與黏 著劑之部分結合而積層在一起。本發明之方法會直接在由 FR-4所形成之pC板表面上形成TFT裝置。此材料係由注入

環氧樹脂之編織纖維玻璃網來形成。 在一項具體實施例中，在PC板46上沈積TFT之製造步驟 係如下： 1·平坦化 如同圖8中所表示，在形成具有必要 化跡線層30與31等的pC板後實施此步驟。在某些應用中， TFT’尤積所而之表面粗糙度峰至峰間可為小於至ο」微 米之等級。為達此目的，在基板5〇上沈積旋塗式玻璃 ）以作為平坦化層14，如同圖8中顯示。欲施加此物 貝於/谷劑中之膠狀二氧化矽粒子溶膠係施加至該基板 施加300至4〇〇度C之溫度以固化該溶膠材料， 進而移除溶劑並^早齒、贫 保省凝膠殘餘物，其在本身經加熱後會轉 變成一介電常數於

义 ；、、、、” 5之間的Si〇2膜，進而提供TFT 沈積之刖所需的必要 適當的平坦化材料。平坦化。替代地，可使用其他 2·形成電絕緣層。作 最終表面製備步C調整PC板基板50之表面的 沈積-電絕緣層。：、二為可選)’在該平坦化層之頂部上 、田的絕緣層材料可為Si〇2、SiNx、 122726.doc -25- 200832504

Sl〇N或此等材料之某種結合。此通常在從約0.5至1.5 μιη 之範圍中。 3·形成TFT元件。在製備該pc板基板50之表面後，可開 始置放TFT元件。此程序使用置放閘極、源極與汲極組件 與其他支撐層之組件製造技術中所熟知的程序。作為tft 製造之部分，沈積半導體材料，隨後藉由選擇性移除該半 導體材料之部分來形成一圖案。 4·添加保護層44。如同圖8中顯示，此可選步驟提供薄 膜組件12 —保護塗層。 5·形成通道。如同圖8中顯示，在跡線層3〇上可形成一 或多個通道36以便以互連跡線連接薄膜組件12。可使用傳 統方法來鑽鑿或可使用一雷射來形成通道36。可見的是， 此具體實施例可具有隱蔽且埋入式的通道36。 6·置放其他組件。一旦形成通道36以連接至跡線層 30、31，便可置放其他半導體組件38，包括將其置放在極 靠近薄膜組件12之處，如同圖8之範例中顯示。 值得注意的是此等製造步驟中有部分步驟可加以重新排 列。例如，由於使用高熱程序，故而在形成Tft裝置（上文 之步驟3)之前形成通道（上文中為步驟5)可能較有利。 、、'°合PCB層與TFT層能夠在低電阻、低電容之peg中製 ^ 分或全部金屬跡線並能夠在一或多個Τρτ層中製造該 半導體裝置。該等TFT層係經由該TFT中之半導體或金屬 層與該PCB中之頂部金屬層間之連接而電連接至該等pCB 層。此結合之優點包括： 122726.doc -26- 200832504 • PCB中所使用之厚金屬化的電阻降低使得電流升高、 提升時間變快、電力耗散降低（J2R)。 • PCB中所使用之厚金屬化之層間的電容降低使得提升 時間變快、電力耗散因電容之充電與放電而降低、層間之 信號的電容耦合降低。 • PCB中之層的個數變多使得選路信號、電力與接地之 層變多以促使電路變複雜。 •-PCB中之厚金屬層使得改良之散熱效果比一傳統 TFT之散熱效果佳。 •由於能夠製造多重電力及接地板與電力及接地板中之 厚金屬化而使電力在大區域上之分佈獲得改良。 •由於金屬層與通道係以成本較低之？(：板程序來製造 而使該裝置之成本得以降低。 本發明之一項具體實施例由一顯示器裝置之背板組成， ”中對個⑺像素、電力板、接地板與各種時序及時脈信號 之列定址、行定址、資料傳輸之功能中的一或多個功能係 在印刷電路板層中執行，而切換與顯示像素驅動功能則在 層中執行。此具體實施例之一範例將由各印刷電路板 層中所含之時序、時脈與信號處理的水平與垂直線組成。 從此等層至該PC板之頂層的通道將於每—像素或像素組處 提供。對TFT裝置之互連將藉由該TFT上之金屬|或藉由 直接在板之頂金屬層上直接製造該半導體裝置來提 供。 本發明之另一具體實施例由一影像感應裝置之背板組 122726.doc 27· 200832504 成，其中對個別像素、電力板、接地板與各種時序及時脈 仏號之列定址、行定址、資料傳輸之功能中的一或多個功 能係在pc板層中執行，而切換與顯示像素驅動功能則在該 等TFT層中執行。此具體實施例之一範例將由各pcB層中 所含之時序、時脈與信號發送的水平與垂直線組成。從此 等層至該PC板之頂層的通道將於每一像素或像素組處提 供。對TFT裝置之互連將藉由該TFT上之金屬層或藉由直 ( 接在？<：板46之頂金屬層上直接製造該半導體裝置來提供。 ^ 印刷電路板46之基板50可由之外的多種替代性材料 組成。其他具有合適之低介電常數與低耗散因子的材料可 包括獲得自C〇nnecticut、Rogers之R〇gers公司的R〇g⑽ 4000或Rogers Duroid。特夫綸類型之GT或Gx、聚醯亞 胺、聚苯乙烯與交聯聚苯乙烯（例如）可替代地用於基板 50 〇 表面處理方法 C 調整基板20或50之表面以改良層14與製造薄膜裝置之其 他材料的接合可以數種方式來執行。如同稍早所指明，本 發明之方法在該微粒材料16係曝露於基板20之表面上，從 而並提供接合表面時會產生最佳的功效。由於基板中用 ‘ 料結劑之塑膠材料之本質，基板20之表面即使在使用微 ^料16之填充劑的情況下，仍通常會具有高比例的樹脂 含置。因此，為改良接合而曝露微粒材料16便可能需要某 種沿該表面本身移除部分塑膠材料百分比的方法。 圖5之放大部分顯示在曝露微粒材料16時一表面u可具 122726.doc -28- 200832504 有之特徵。以此方式調整該表面之方法包括以下之方法： •如使用蝕刻劑材料（包括多種適當之酸）的化學移除。 •電漿蝕刻。 •環形放電處理。 •熱施加。 •使用超臨界之二氧化碳（C〇2)。 •雷射剝钱。 •真空中熱沈積。 熟悉表面處理技術之人士對於用以移除塑膠黏結劑材料 之此等表面處理方法的應用係十分熟悉。不同於其中添加 或嵌入微粒材料16以作為一在基板20之表面上與附近處濃 度很高之填充劑的圖4與5之示範性具體實施例，可在基板 20由全面經或多或少之均勻混合以在該塑膠黏結劑内作為 填充劑的微粒材料i 6混合物組成時使用此等表面處理方 法。如同稍早所指明，此依材料之一固有優勢係其經改良 的 CTE 〇 於另一具體實施例中，利用PTFE之回焊優勢以利於表 面凋整。可在恰南於其玻璃轉變溫度Tg下，在pTFE或與 具另一適當材料之PTFE組成物的加熱表面上進行微粒材 料16之撒粉或噴灑。使該打叩材料冷卻，然後產生經調 王以便沈積或平坦化其他層之表面。某些處理（其使用剛 才說明之調整方法）可用以在沈積微粒材料丨6之後改良基 板2 0之表面。 如同圖6中顯示，於又另一具體實施例中，提供一第一 122726.doc -29- 200832504 塑勝材料以作為—基底基板24。隨後，在此基底基板之表 面上塗布—組成物26，丨中該組成物包括-與至少-微粒 材料16混合的塑膠黏結騎料。此程序因此提供-經適當 處理能用於沈積一或多層的表面’其可為(例如)用以形成 薄膜電子裝置之某部分的如圖6中顯示之平坦化層Μ、 一絕緣層或一電子作用半導體層。 平坦化材料

除了旋塗式玻璃之外，在不同具體實施例中可使用下列 平坦化材料： •本％ 丁烯（BCB)。此材料必須為半導體等級，而無移 動離子。 •丙稀酸。 •四乙氧矽烷（TEOS)。 相車乂於其他嘗試運用塑膠基板之解決方案，本發明之方 法促使該等TFT層之黏著性改良，因為玻璃、陶兗或其他 適當微粒提供的黏著性比僅有該塑膠黏結劑時的黏著性 佳。使用微粒材料16會在失去尺寸穩定性之前提升溫度限 制，進而使裝置能在較高的溫度下進行製造。 本發明之方法具有優勢，因為其使TFT組件能夠直接形 成於撓性基板上，而無須諸如積層之中間步驟。此方法 尤能適合捲筒式（web)或連續捲軸式（r〇u_t〇_r〇11)製造，其 中基板薄片會從一第一滾筒解開，進行如稍早所說明嵌 入U粒材料16之表面調整，然後進一步加以處理或回捲至 一第一滾筒上以供之後使用。 122726.doc 200832504 有十分廣範圍之各類型微粒物質可用作微粒材㈣或所 使用之微粒材料混合物（以制多種材料的有利性質）。在 電子裝置製程中的各時間點可使用額外類型之表面調整， 並使用如電漿㈣之卫具，如同稍早所指明。可使用本發 明之方法來處理基板材料之薄片的一側或兩側。在施加平 坦化層14與TFT裝置形成之前，可使用各種方法（包括壓 紋）來製備基板20之表面。基板2〇或平坦化層14上所形成 之、’且件可包括光學組件，其包括諸如一或多個透鏡或小透 鏡的折射組件。小透鏡在空間上可對準術組件，以提供 輸入或輸出像素元件。可根據程序需求或裝置特性修改示 範性具體實施例中所給出的製造步驟。例如，於部分具體 實施例中，通道與跡線係於形成該等TFT裝置之前形成。 基板20或5〇上所形成之電子裝置可用以將信號提供至多 個不同類型組件中的任一個或提供來自多個不同類型組件 中的任-個之信號’並可針對影像顯示像素或影像感應像 素進行特定應用。例如，該基板2〇之表面上所形成之電子 裝置可麵合__對應液晶像素、發光二極體像素或有機發光 二極體像素以供（例如）顯示用。就影像感應而言，該基板 20之表面上所开）成之電子裝置可輕合一可刺激磷光體像素 或耦合另一類型之感應器像素（包括生物偵測器）。 在一基板上使用薄膜組件之情況下，於本發明中使用通 道3 6會產生其他散熱優點。熱通道之使用係於經一般讓渡 之美國專利案第6,8 12,949號（Switzer等人）中有較詳細的說 明0 122726.doc •31- 200832504 在某些具體實施例中，於基板2〇之一側上所形成之圖案 化金屬塗層會在形成一電路之組件之間提供信號連接。在 其他具體實施例中，該圖案化金屬塗層可為一接地板或一 電磁干擾（EMI)屏蔽。 本發明亦關於多層基板，其中底層針對與該載體相關之 性質（如對該載體之黏著性質）係獲得最佳化，頂層針對與 該電子裝置相關之性質（如對該等裝置層之黏著性）係獲得 最佳化，而最佳化中間層以達成選定之性質，如光學、電 子、熱、磁或化學性質。 口此，所長:供的係一種用於在一基板上製造一電子裝置 與互連跡線的設備與方法。 【圖式簡單說明】 儘管本說明書的結束部分以申請專利範圍明確指出並清 邊申明本發明之標的，然而咸信從以下之說明並結合附圖 將更加瞭解本發明，其中： 圖1係顯示使用本發明之方法於具有金屬跡線之一撓性 基板上所形成之一電子電路的斷面圖； 圖2係顯示於根據本發明之於一撓性基板上形成並具有 一額外半導體組件之一電子電路的斷面圖； 圖3係顯示使用本發明之方法於具有在多層中之金屬跡 線之一撓性基板上所形成之一電子電路的斷面圖； 圖4係顯示本發明之複合基板之一放大部分的斷面圖； 圖5係顯示經表面調整後之複合基板之一放大部分的斷 面圖； 122726.doc -32- 200832504 於一基底層頂上具有一 圖6係顯示在一項具體實施例中 複合層之一基板之一放大部分的斷面圖； 圖7A至7G顯示根據一項具體實施例的電子裝置製造步 驟；以及 圖8係顯示在一項具體實施例中具有形成於一 pc板上之 TFT組件之一電路配置的斷面圖。 【主要元件符號說明】

10 電子裝置 12 薄膜組件 14 層 16 微粒材料 18 載體 20 基板 22 表面 24 基底基板 26 組成物 28 表面 30 跡線層 31 跡線層 34 基底層 36 通道 38 組件 40 填充劑 42 絕緣物 122726.doc -33- 200832504 44 46 50 保護層 PC板 基板

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Claims (1)

1. 200832504 十、申清專利範圍： 1· 一種製造一電子梦 电卞裴置的方法，其包含： a)提供一基板，其包含在一表面上具有一金屬塗層的 至少一塑膠材料； )餘刻4金屬塗層之_部分以形成_圖案化金屬塗 層； )在4基板之一相對表面中嵌入一微粒材料；以及 d)在具有該微粒材料之該相對表面上形成一薄膜電子 裝置。 、 2 ·如請求項1 $古 、 万去，其中該微粒材料係一纖維。 3 · 如清求項1夕t、、上 4+1 、方法，其中該電子裝置包含一或多個薄膜 电日日體。 4 ·如請求項1 、 / ，/、進一步包含形成在該薄膜電子裝 "、亥圖案化金屬塗層間延伸的一通道。 5 ·如請求項1 > t、、土 , 、 ，，/、中該微粒材料係選自由纖維、桿 或薄層組成之群組。 6·如請求項彳 ，八進一步包含在另一裝置上積層該 卷板。 8如：：項1之方法’其中該塑膠材料實質上係透明的。 .二項7之方法’其中該塑膠材料之折射率實質上係 4於4微粒材料之折射率。 122726.doc 1 Π:項7之方法’其中該塑膠材料之折射率與該微粒 材科之折射率的差異超過〇·1。 10 ·如請来s 、之方法，其中該塑膠材料實質上係不透明 200832504 的 1 1 ·如請求 Jg 1-¾. -jL X 項1之方法，其中該塑膠材料包含一光吸收著色 劑。 π U 12. 如請求jg 、 去，其中該微粒材料包含一光吸收著色 劑。 13. 如請求垣, 、 去，其中提供該基板之步驟包含從一滾 筒解開該基板。 :求項13之方法，其進一步包含將其上已有該電子裝 置形成之基板回捲至一滾筒上。 月求員1之方法，其進一步包含使該表面上所形成之 該電子裝置耦合一液晶像素。 =:求項1之方法，其進一步包含使該表面上所形成之 該電子裝置耦合一發光二極體像素。 > :长項1之方法，其進一步包含使該表面上所形成之 σ亥電子襞置耦合一有機發光二極體像素。 \ 18 ·如請求j苜1夕士、+ ^ 貝1之方法，其進一步包含使該表面上所形成之 该電子裴置耦合一可刺激磷光體像素。 19·如μ求項1之方法，其進一步包含使該表面上所形成之 該電子裝置耦合一感應器像素。 2〇·種製造一電子裝置的方法，其包含： a) 提供一基板，其包含在一表面上具有一金屬塗層的 至少一塑膠材料； b) 在與遠金屬塗層相對之未經塗布表面中嵌入一微粒 材料； 122726.doc -2 · 200832504 c) 藉由餘刻該金屬塗層形成一跡線圖案； d) 對具有該嵌入之微粒材料之該基板的該表面施加一 平坦化材料，從而形成一平坦化層； e) 於具有該微粒材料之該表面上形成一薄膜電子裝 置；以及 f) 形成連接該薄膜電子裝置與該跡線圖案之一部分的 —通道〇 ’其中該平坦化材料包含一光吸收著 21.如請求項2〇之方法 色劑。 22· 一種製造一電子裝置的方法，其包含： a) 提供一基板，其包含至少一塑膠材料以作為一基力 基板並在一表面上具有一金屬塗層； b) 在該金屬塗層中形成導電跡線之一圖案； 其中該組成物材料包含至少一塑膠

   案化金屬塗層之一表面； 〇在該基底基板之該相對表面上塗布—組成物材料， 一表面及無具一圖

   面以提升該表面 122726.doc 200832504 之微粒材料對塑膠材料的比例； 接 )在該至夕-调整表面上形成一薄膜電子裝置；以及 d)在該薄膜電子裝置與該圖案化金屬塗層間提供一連 25 26, 27. 28. 29. 30. 31. 32. .如請求項24之方法，其中調整 τπ正主少一表面包含化學移除 於該表面之塑膠材料。 ’如明求項24之方法’其中調整該表面包含藉由電漿蝕刻 移除於該表面之塑膠材料。 如請求項24之方法，其中調整該表面包含藉由加熱移除 於該表面之塑膠材料。 如請求項24之方法，其中調整該表面包含藉由曝露於超 臨界之C〇2移除於該表面之塑膠材料。 如請求項24之方法’其中調整該表面包含藉由雷射剝蝕 移除於該表面之塑膠材料。 如π求項24之方法，其中調整該表面包含藉由於真空中 之熱分解移除於該表面之塑膠材料。 如請求項24之方法’其中調整該表面包含藉由環形放電 處理移除於該表面之塑膠材料。 一種製造一電子裝置的方法，其包含： a)提供一基板，其包含聚四氟乙烯（pTFE)與至少_微 粒材料； b) 在該基板之至少一表面上形成一薄膜電子裝置； c) 在s亥基板之該相對表面上形成一電子跡線圖案； 以及 122726.doc 200832504 d)开y成用於互連該等薄膜電子裝置與該圖案化金屬層 之一通道。 33· —種製造一電子裝置的方法，其包含·· a) 提供一基板，其包含聚四氟乙烯（PTFE)、至少一其 他塑膠材料與至少一微粒材料； b) 在该基板之至少一表面上形成一薄膜電子裝置； c) 在邊基板之該相對表面上形成一圖案化金屬層； 以及 d) 形成用於互連該等薄臈電子裝置與該圖案化金屬層 之一通道。 34.如請求項33之方法，其中該至少一其他塑膠材料係聚醯 亞胺。 35· —種製造一電子裝置的方法，其包含： a) 提供一基板’其包含聚四氟乙烯（pTFE)與至少一微 粒材料； b) 於該基板之一表面上形成一圖案化金屬層； c) 將該基板積層至一載體； d) 於該基板上形成一電子裝置；以及 e) 形成連接該基板上之該電子裝置與該圖案化金屬層 的一通道。 36· —種製造一電子裝置的方法，其包含： a)提供至少一基板，其包含一第一塑膠、至少一微粒 材料與至少一其他塑膠材料，其中該基板具有形成於一 表面上的一圖案化金屬塗層； 122726.doc 200832504 b)將該至少一基板積層至一載體； C)形成在該圖案化金屬塗層與該相對表面間延伸的一 通道；以及 d)在该相對表面上形成一電子裝置。 37·如凊求項36之方法，其進一步包含從一載體移除該基 板。 38· —種製造一電子裝置的方法，其包含·· a) 提供一基板，其包含一塑膠材料與至少一微粒材 料； b) 於该基板之一第一表面上形成一圖案化金屬跡線 層； c) 在一载體層上安裝該基板； d) 調整相對該第一表面之該基板的一第二表面以便沈 積薄膜半導體材料； e) 在該基板之该第二表面上沈積一層薄膜半導體材 料；以及 f) 藉由選擇性移除該半導體材料之部分形成一圖案。 3 9 ·如睛求項3 8之方法，其進一步包含： g) 使用熱從該載體層移除該基板。 40· —種製造一電子裝置的方法，其包含： a) 提供一基板，其包含至少一塑膠材料； b) 於該基板之至少一表面上形成一圖案； C)將一微粒材料嵌入該基板之該至少一表面； d)對具有㈣人之微粒材料之該基板的該表面施加一 122726.doc 200832504 平坦化材料，從而形成—平坦化層； 薄膜電子裝 面之該基板表 e)於具有該微粒材料之該表面上形成 置；以及 f)在相對具有該後入之微粒材料之該表 面上形成一圖案化跡線層。 41 ·如睛求項4 〇之方法 42.如請求項4〇之方法 件。 其中形成一圖案包含壓紋。 ，其中該圖案包含一或多個透鏡元 43.如請求項4〇之方法，盆中兮 jl> ^ . 乂 ^具中該一或多個透鏡元件在空間上 係對準於該表面上所形成之該薄膜電子裝置。 44· 一種製造一電子裝置的方法，其包含： a)提供-第一基板，其包含在一第一表面上具有一金 屬塗層的至少一塑膠材料； - b) 兹刻該金屬塗層之至少一部分以在該第一基板之該 第一表面上形成一第一圖案化金屬塗層； c) 在該第二基板之一第一表面上提供具有一第二圖案 化金屬塗層的一第二基板，其中該第二基板係附著於該 第一基板； d)形成在該第一基板之一第二表面與該第一或該第二 或該兩者之圖案化金屬塗層間延伸的一或多個通道；以 及 e)在該第一基板之該第二表面上形成一薄膜電子裝 置。 45.如清求項44之方法’其中在該第一基板之該第二表面中 122726.doc 200832504 其中一第三基板係附著於該第二基 嵌入一微粒材料。 46.如請求項44之方法 板0 47.- 電子裝置的方法，其包含 禋製造一 a)提供一基板，宜☆人> . 板'、包含在一表面上具有一金屬塗層的 至少一塑膠材料； J b)藉由蝕刻該金屬塗層形成一跡線圖案；

   e)對該基板之-相對表面施加_平坦化材料 成一平坦化層； 欠而形 薄螟電子裴 d)於具有該微粒材料之該表面上形成一 、 置；以及 e)形成連接該薄膜電子裝置與該跡線圖案之〜 一通道。 。丨分的 48· —種製造一電子裝置的方法，其包含： ^提供複數個基板； b) 在該等基板之至少某些基板上形成金屬層； c) 圖案化該等金屬層之至少某些金屬層； d) 接合該複數個基板； e) 形成在該等圖案化金屬層間延伸的通道；以及 f) 在該等基板中之至少一基板上形成一電子裝置。 49·如請求項48之方法，其中一第一基板係附著於—栽體。 5 0·如請求項49之方法，其包含： h)使含有該電子裝置之該第一基板脫離該載體。 51.如請求項48之方法，其中在至少一基板中嵌入至小 122726.doc 200832504 粒材料。 52. —種製造一電子裝置的方法，其包含·· a) 提供複數個塑膠基板，其在該等基板之至少某些基 板上具有金屬層； b) 於一第一基板之一第一金屬層上形成一圖案； c) 將一第二基板接合至該第一基板； d) 在該第二基板上圖案化一第二金屬層； e) 形成在該等圖案化金屬層間延伸的通道；以及 f) 在該等基板中之至少一基板上形成一電子裝置。 53·如請求項52之方法，其中步驟勾與幻係針對至少—額外 基板而重複。 54·如請求項52之方法，其中步驟匀與句與幻係針對至少— 額外基板而重複。 55.如請求項52之方法，其中一第一基板係附著於一栽體。 56·如請求項55之方法，其包含使含有該電子裝置之該第一 基板脫離該載體。 57.如請求項52之方法’其中在至少一基板中嵌入至少—微 粒材料。 122726.doc