TW200830590A - LED module - Google Patents

Description

200830590 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於在配線基板上安裝LED(Light Emitting Diode ;發光二極體）元件而形成的led模組。 【先前技術】 LED模組，是將led元件或LED(將LED元件封裝成 可安裝的狀態）與用於對其進行供電之配線或配線基板加以 組合而成，在最簡單的led模組中，有以通用電線將leD 連接起來’並組合閃爍用之控制器的電子裝飾用者。 近年來，由於提高了 LED元件的發光效率，並且開發 出藍色的LED元件，故藉由組合藍色LED元件與螢光物 質，或藉由混合紅色、綠色、藍色之各種LED元件的光， 可以產生白光。因此，多被使用作為行動電話等小型平面 顯示器（FlatPanelDisplay)的背光。並且，此技術的發展， 以往，採用螢光燈技術之液晶電視的背光或照明器具，替 換成LED者亦開始在市場銷售。 將LED使用在此等用途時，可舉出以下幾個重點： 更有效率地得到光、⑺使LED元件的發熱更有效地散熱， 而保持LED元件的溫度較低、（3)可進行咖元件的性能 測試等。 b

提出了覆晶安襞方式的LED 上述（1)的解決方法之一 凡件（例如，參照專利文獻1)β上述（2)的解決方法，係採 用將導熱佳的絕緣體作為輔助座（sub —m_t)，以增加执 傳導面積的方法（例如’參照專利文獻2)。上述⑺的解決 200830590 方法’如封裝成可安裝到上述輔助座或其他配線基板之狀 恶而被販售之LED的狀態。此外，綜合解決上述（〗）、（2) 的方法，冒提出可覆晶安裝、並且具有散熱用之電絕緣凸 塊的LED元件（例如，參照專利文獻3)。 專利文獻1 :曰本特開平1 1 — 340514號公報 專利文獻2 :曰本特開2006 — 86139號公報 專利文獻3 ··日本特開2003 _ 110148號公報 【發明内容】 然而，以往的LED元件的安裝，主要是採用在如氮化 銘之陶甍系之$熱佳的絕緣體表面上，以氣相法等形成用 於供電之金屬配線圖案的辅助座。然而，由於辅助座與向 其供電的配線基板是分別獨立的零件，因而會導致㈣元 件的構成零件數目增加，且由於陶兗系之絕緣體的材料本 身價格高’此外用以在辅助座表面形成配線之氣相法的製 造成本也高，從而阻礙了 LED元件的價格下降。 此外，不使用陶竟系的絕緣體，而將直接覆晶連接配 «板與LED元件的LED模版接合至散熱板上，而欲同 時達成導熱性與電絕緣性者，則由 ^ ^ , 則由於所有配線基板的絕緣 體的導熱率低，而有困難。例如，

命篮鋼的導熱率為398W / πι·Κ，相對於此，絕緣體聚 也兑知的導熱率僅為〇 25W /m_K。此外，此種覆晶安裝之 ^ s > 70件虽處於受到溫度 循哀的裱境時，因高分子樹脂、全 备屬配線的線膨脹係數盥 LED元件的線膨脹係數的差， 、係數/、

„人 而會在銲球等接合構件及JL 接0面產生應力，造成LED元件的浐 ^ 1千的彳貝壞及接合材料或接合 6 200830590 面的損壞等問題。 本發明之目的，在於解決上述問題，提 散熱性的LED模組。 n』致间 為解決上述問題，本發明的構成如下。 本發明之第1態樣的㈣模组，其特徵在於：且有且 =覆晶女裝之電極的LED元件、具備2層以上之金屬層 金屬層之層間包含高分子樹脂之電絕緣層的配線基 =!二?導該LED元件之熱的該led元件的金屬膜層， 遠酉己線基板之該金屬層中，位於該led元件裝載面之第工 金屬層具有供電用金屬圖案、及與該供電用 導熱用金屬圖案，該供電用金屬圖案與該= 係覆曰曰連接成電導通，該導熱用金屬圖案與該金屬膜声之 間係透過電絕緣部覆晶連接，該導熱用金屬圖案與該^丨 金屬層以外的該金屬層，則藉由導熱部結合。 “本發明之第2態樣，其特徵在於：於^ !態樣的LED 杈組中’在該金屬膜層形成導熱用金屬部，透過該導埶用 金屬部與該電絕緣部覆晶連接於該導熱用金屬圖案。、 本毛明之第3態樣，其特徵在於：於第i或第2 的LED模組中，在覆蓋該第1金屬層之光阻形成開口:： 電極及該導熱用金屬部在該開口部分別與該供電用金屬= 案與該導熱用金屬圖案覆晶連接。 " 本發明之第4方案態樣，其特徵在於：在第i〜第3 態樣之任-態樣的LED模組中’使該配線基板為帶狀或片 狀’在其配線基板的寬度方向或長度方向，或此等兩方向 7 200830590 以任意間隔設置2個以上該LED元件。 本發明之第五態樣，其特徵在於：在第i〜第4態樣 之任-態樣的LED模組中，該導熱部係以導熱率在3〇w/ m，K以上的材料形成。 本發明之第6態樣’其特徵在於：在第1〜第5態樣 之任-態樣的LED模組中，該導熱部為至少一個以上的埴 充鍍敷通孔。 • 1明之第7態樣，其特徵在於：在第】〜第6態樣 之任一態樣的led模組中，緯雪奶他R , 撰、、且甲。亥電絶緣層的厚度在3μπ1以 上125μιη以下。 本發明之第8態樣，其特徵在於：在第i〜第7態樣 之任7態樣的LED模組中，該高分子樹脂在從— 4〇χ至 + 12CTC的溫度範圍内的線膨脹係數為。 本發明之第9態樣，其特徵在於：在第1〜第7態樣 =任二態樣的LED模組中，該高分子樹脂在1〇(rc的儲存 •弹性板數⑻01^# elastic modulus：^ 100MPa(動態黏彈性 的測量頻率：1Hz)以下，且在縦C的儲存㈣模數為 iMPa(動態黏彈性的測量頻率：ihz)以上。 本發明之第10態樣，其特徵在於：在第i〜第9態樣 之任一態樣的LED元件中，在藉由該導熱部結合在該導熱 用孟屬圖案上的該第丨金屬層之相反侧外層的該金屬層 上，安裝有散熱物體。 本發明之第η態樣，其特徵在於：於第1〇態樣的led 模組中’該散熱物體的導熱率在3〇w/m.K以上。 200830590 本發明第之12態樣，其特徵在於：於第態樣 的LED模組中，該散熱物體為陶兗。 若採用本發明，可得到不需要輔助座就能廉價地製作， 且散熱性亦佳的led模組。 【實施形態】 以下說明本發明之LED元件的實施形態。 此LED元件具有具備可覆晶安裝之電極的元件、 Φ具備2層以上之金屬層與在該金屬層之層間包含高分子樹 脂之電絕緣層的配線基板、用以傳導該LED元件之熱的該 LED元件的金屬膜層，該配線基板的該金屬層中，位於該 LED元件裝載面的第！金屬層，具有供電用金屬圖案、及 與該供電用金屬圖案電絕緣所形成的導熱用金屬圖案，該 供電用金屬圖案與該電極覆晶連接成電導通，該導熱用金 屬圖案與該金屬膜層之間，係透過電絕緣部覆晶連接，該 導熱用金屬圖案與該第1金屬層以外的該金屬層，則藉由 | 導熱部結合。 9 在LED元件所產生的熱，係從LED元件的金屬膜層 通過具有電絕緣部之覆晶連接部，而被傳導至導熱用金屬 圖案’並且通過導熱部被傳導至第1金屬層以外的金屬層。 如此，由於LED元件的熱向導熱用金屬圖案、金屬層逐漸 擴散進行傳熱’因此可提高散熱性，增加流過LED元件的 電流而提高亮度。此外，由於將LED元件直接地覆晶安裝 於配線基板上，因此可不須輔助座，而可廉價地製作。 此外，較佳為在上述金屬膜層形成導熱用金屬部，透 9 200830590 過此導熱用金屬部與上述電絕緣部覆晶連接於上述導熱用 至屬圖案‘熱用金屬部，例如可以與電極同時形成在金 屬膜層上。 此外#乂佳為在覆蓋上述第丨金屬層的光阻形成開口， 以此等開口料上述電極及上述導熱用金屬部分別覆晶連 接於上述供電用金屬圖案及上述導熱用金屬圖案。 此外，亦可做成使上述配線基板為帶狀或片狀，在該 _配線基板的寬度方向或長方向、或此等兩方向以任意間隔 設置2個以上之上述LED元件的LED模組。藉此，可降 低製造成本，且可進行LED模組的最佳圖案設計（將多個 LED元件設置在最佳的位置等）。 此外，上述配線基板之電絕緣層所使用的高分子樹脂， 可列舉聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺 苯并噁唑、環氧樹脂、芳香族聚醯胺等樹脂或此等之混合 樹脂。又，也可以在此等樹脂或混合樹脂中添加橡膠或填 φ 料（填充劑、增強劑 '黏度調節劑）來形成。電絕緣層的厚 度’由於此等樹脂等之電絕緣層的電絕緣強度在1⑽〜2〇〇v / μηι左右、以及製造時難以控制厚度等，故電絕緣層的 厚度較佳在3 μπι以上。又，為了確保利用供電用金屬圖案 (供電配線）之接觸面積之朝高分子樹脂厚度方向的導熱 里’電絶緣層的厚度以盡可能薄至12 5 μηι以下為佳。 又，上述電％緣層的線膨脹係數，使其在從一 4至 + 120。(：的溫度範圍為〇〜gppm/oc(理想為與LED元件相 同程度）時’係可以減小因與LED元件之線膨脹的差所產 200830590 生的應力 性。 而可期待提高在受到 溫度循環之環境下的可靠 此外，從其他觀點，上 脂，較佳為在10(TC的儲存r數；I含的高分子樹 ¥ a數在lGGMPa(動態黏彈

請a(動⑮黏彈性的測量頻率：1Hz)以上。如此，藉由對 配線基板的電絕緣層選擇低彈性的高分子樹脂，可減小由 L:兀件與配線基板之線膨脹差所產生的應力，而可期待 提南在受到溫度循環之環境下的可靠性。χ，在㈣元件 安裝到配線基板上時，即使在可使焊㈣融之熔焊溫度的 240Y附近，也能確保1MPaa上的儲存彈性㈣，藉此， 來防止高分子樹脂本身或接觸介面的損壞。 此外，結合上述導熱用金屬圖案與第丨金屬層以外之 金屬層間的上述導熱部，為了彌補結合的截面積小的缺 點，特佳為例如以鍍敷銅之結合來確保398W//mK的導 熱率，但若與無鉛焊料同等的3〇w/mK的導熱率以上的 居即可。30W/ m.K &導熱率，與聚酿亞胺#導熱率相較 之下，好100倍左右。 此外，上述導熱部能以至少一個以上的鍍敷填充通孔 構成’鏡敷填充通孔的直徑Φ較佳在〗⑽pm以下。其中， Φ60μηι以下的小直徑通孔，特別是貫通孔通孔，在配線基 板的兩面沉積通孔半徑以上之厚度的鍍銅時，可以同時填 充鐵敷，藉此，可使導通通孔的品質穩定與降低配線基板 的製造成本。 11 200830590 帝λ LED 70件的金屬膜層與導熱用金屬圖案之間的 二:緣部’從製造成本的觀點，較佳為設置在LED元 :則：旦亦可設置在導熱用金屬圖案侧，或亦可設在兩方。 ^緣部，較佳為以氣相法等形成之叫、金剛石型碳 一d Like Carbon’DLC)等電絕緣膜”戈者亦可將氮 化紹等導熱佳的陶£形成為例如圓柱狀或稜柱狀，夾持設

置在導熱用金屬圖案與金屬膜層之間，來代替軟焊球。此 時，則不需要對LED元件、導熱用金屬圖案形成電絕緣膜。 此外，亦可在藉導熱部結合於上述導熱用金屬圖案之 第1金屬層相反側外層的金屬層（成為導熱用或散熱用金屬 圖案）上散熱物體。上述散熱物體有散熱器或機器的 i屬相體等’例如’只要用黏著劑將散熱物體黏著安裝在 金屬層（導熱用或散熱用金屬圖案）上即可。由於在第丨金 骞層以外的至屬層（導熱用或散熱用金屬圖案）不需要供電 配線，而月b夠增加金屬層的面積，因此使用於散熱物體之 黏接的黏著劑，可以是具有lw/m.K以上左右之導熱率 的通用的黏著劑。 此外，上述散熱物體的導熱率，即使在與無鉛焊料同 等程度以上這種意義上，亦在3〇w/m.K以上為佳。 此外，上述散熱物體由於使用金屬等具有導電性的物 體，而擔心因機器侧之問題等電的原因使led元件損壞 時，上述散熱物體亦可使用電絕緣的氧化鋁或氮化鋁等陶 兗0 以下’對本發明的實施形態進一步使用圖式加以說明。 12 200830590 (第1實施形態） 圖1係顯示將3個LED元件14串聯地設置在帶狀或 片狀的配線基板16上連接而成之LED元件一實施形態的 立體圖。至於LED元件14的密封材料（透明樹脂或下填 (under filling)材料）或反射板，可視需要附加，圖i中並未 顯示。 圖2係顯示圖1的A_ a截面。如圖2所示，led元

件14在配線基板16侧具有可覆晶安裝的2個電極7,7、 與一個以上的導熱用金屬部6。圖示例之LED元件14，係 在監寶石基板1上以有機金屬氣相磊晶法等首先積層形成 由III族氮化物半導體等所構成之n型半導體層2、發光層 (活性層）3及P型半導體層4，然後以刻蝕除去p型半導體 層4、發光層3及11型半導體層2的一部分。接著，藉由 %鍍等在η型半導體層2上形成電極（n電極）7，並藉由蒸 鍍等在Ρ型半導體層4上形成金屬膜層5後，在金屬9膜層 5上开^成電極（ρ電極）7及導熱用金屬部6。金屬膜層5成 為電極（Ρ電極）7及導熱用金屬部6之底層，且亦成胃為接受 發光層3之熱的集熱層•受熱層。並且，金屬膜層$亦為 將來自發光層3的光反射至藍寶石基板丨側的反射層。… 將上述方式所製得之LED用基板晶片化，製作led 元件14。 配線基板16，具有作為電絕緣層之高分子樹脂層工❽、 形成於高分子樹脂層10之LED元件14裝載侧之面的第^ 金屬層11、形成於高分子樹脂層10另一面的第2金屬層 13 200830590 12、及覆蓋第1金屬層11側的光 係由電連接至電;77 15°弟1金屬層11， 竹田包逑接至電極7,7的供電 mm 隹屬圖案iu、以及與供 甩用孟屬圖案lla電絕緣而形 糂士肅綠坡 >， 幻¥熱用金屬圖案11 b所 構成。配線基板16可為撓性、亦可為剛性。 高分子樹赌層10可為聚醯亞胺、聚 醯亞胺、聚醯亞胺苯并„亞唑H知 之罝3® $、H人ΛΑ * " 衣巩树脂、芳香族聚醯胺等 :早獨“合的樹塘、或在此等單獨或混合的樹脂中複合 橡谬或玻璃布形成為帶狀或膜狀。 第1金屬層11與第2么S Μ ^ ' 、’屬層12的材質，從導熱與導 笔來說銅比較合適，但亦可使用銘或銅的合金等。 導熱用金屬圖案Ub為銅時的層間連接，較佳為使用 下述方法。首先’準備例如聚酿亞胺系膜作為高分子樹脂 層10, -邊製作亦使用於圖案形成之複數個φι〜2ιηηι左 右的識別孔（未圖示），_邊以雷射加卫機打出層間連接用 之φ15〜6〇μΐη的貫通孔1〇a。將其置於濺鍍裝置，對包括 通孔10a的壁面的整個面上加工防腐層與銅濺鍍層。隨後， 將其置於鑛㈣置，全面進行鍍銅。此時，若㈣的厚度 達到貫通孔10a的半徑以上的話，則貫通孔1〇a被鍍銅所 填充（鍍敷填充通孔13)，但視餘量亦可再鍍5 μηι左右的厚 度。此時，複數個Φ1〜2mm左右的識別孔的直徑要小鍍 敷厚度的2倍左右，但由於識別孔的中心座標不變，因此 可使用此識別孔，曝光出所需的圖案，並經顯影刻蝕，形 成第1金屬層11的供電用金屬圖案Ua及導熱用金屬圖案 lib，並且形成第2金屬層（導熱或散熱用金屬圖案）12。 200830590 干以半添加（Semi-additive)法形成時，上述鋼濺鍍後對 所需之半添加用的圖案進行曝光•顯影，藉由鍍鋼進行通 孔的填充與圖案的形成。 圖案完成 在每種情況皆塗上或黏貼上曝光用的光阻 後則除去光阻。

“其次，藉由對感光性光阻15用油墨進行印刷，或用乾 膜進行疊層後，再進行曝光、顯影，形成用於覆晶連接所 奴之光阻15之外形圖案及LED元件14之電極7,7與導熱 用金屬部6的開σ 15a。特収用於覆晶連接的開口、15/，、、 由於設想Α ΦίΜηπη以下的情況，因而這種情況亦可使用 :射加工。然後，對供電用金屬圖案m、導熱用金屬圖 案1 lb及第2金屬層12進行鑛敷。鑛敷可視需要選擇μ 底層的鑛銀、Ni底層賴金等。若制遮罩，亦可對每個 孟屬圖案分別決定鍍敷與否或不同的種類。 接著，在導熱用金屬圖案llb上的覆晶連接用的開口 ba ’形成電絕緣部9。電絕緣部9，係藉由電漿法（化 學蒸鍍法）等例如形成Si〇2| DLC等電絕緣膜至必要的絕 緣厚度（例如i〜5_。此電絕緣部9與led元件Μ的導 ，用金屬冑6的連接使用鋒球時，較佳為在電絕緣部9的 取表面形成金等焊料潤濕的金屬。 曰隨後，利用光阻15的開口 15a，放置銲球進行熔焊 將知球連接到配線基板16。然後，將led元件Μ的導 用二屬部6及電極7放置到開口…的銲球上，藉由再 k焊㊉成覆晶連接層8，完成LED元件14與配線基板 15 200830590 之電、機械連接。然後，以樹脂密封LED元件14，完成LED 模組。當需要LED 元件用的反射板時，可在將LED元件14 衣載到配線基板16的前後使用黏著等方法進行安裝。 在LED元件14的發光層3所產生的熱，主要是傳導 並集中於LED元件14的金屬膜層5，並從金屬膜層5通 過導熱用金屬部6、覆晶連接層8及電絕緣部9傳導至導 熱用金屬圖案lib，然後再通過鍍敷填充通孔13傳向第2 • 金屬層12’從第2金屬層12等有效率地進行散熱。 (供電用金屬圖案及導熱用金屬圖案） 圖3顯示配線基板16的供電用金屬圖案lla及導熱用 金屬圖案11 b之一例。又，圖3中顯示在配線基板16的 寬度方向上設置3個LED元件14，並在長度方向設置複 數個LED元件的LED模組。在此LED模組中，藉由與2 個電極7與3個導熱用金屬部6對應的五個覆晶連接層8， 將各LED元件14接合至配線基板16。供電用金屬圖案Ua _ 與導熱用金屬圖案1 lb，係以隔離件隔開而電絕緣。導熱 用金屬圖案lib與配線基板16的背面的第2金屬層12連 接。 另外’供電用金屬圖案11a，在每一個LED元件i4 皆以隔離件隔開。這樣一來，可以一個一個地對LED元件 14進行測試，藉由測試確認是否合格，當有不良品時進行 了修理後’可用跳線等將供電用金屬圖案lla彼此連接成 所需的線路。當然，供電用金屬圖案丨丨a從最初圖案化至 連線狀態亦是容易的。 16 200830590 圖4顯示進一步考慮耐熱循環性的供電用金屬圖案na 及導熱用金屬圖案lib的其他例子。高分子樹脂層1〇，係 使用在一40oC〜+120。(：的實用溫度範圍中〇〜6ppin/〇C的 聚酸亞胺系樹脂，或者硬化後之儲存彈性模數在1 〇〇MPa(動 態黏彈性的測量溫度為100〇c，測量頻率1Hz)以下之環氧 樹脂與丙烯酸系橡膠的混合樹脂。並且藉由各覆晶連接層 8接合於LED元件14，使供電用金屬圖案Ua及導熱用金 屬圖案1 1 b皆獨立。藉此，由於可減小第J金屬層丨丨所 具有之線膨脹係數的影響，利用高分子樹脂層1〇所具有 的特性，因而在LED元件受溫度循環時，可以減小施加在 LED元件14或LED元件14與配線基板16之連接部的應 力0 (第2實施形態） 圖5顯示為了提高LED元件14的散熱效率，而在圖 的LED元件上進一步設置作為散熱物體之散熱器的

第2實施形態。散熱器17只要有散熱功能，亦可以為機 器侧的箱體。如圖5所示，散熱器17係藉由黏著劑層b 黏接在配線基板16的第2金屬層12。散熱器的安裝方法， 滑脂按壓 導熱好的黏接材料雖比較合適，但透過聚石夕氧潤 之方法，亦可使用按壓用之夾具（未圖示）。 (第3實施形態） 第3實施形態的LED元件如圖6所示，係上述固$ 弟2貫施形怨的配線基板16為3層構造。即， 二 在弟2金 屬層12，進一步透過高分子樹脂層1〇設置有第 = 3金屬層 17 200830590 18。較上述第2實施形態增加一層高分子樹脂層10而變 厚的部分，雖使得從LED元件14向散熱器17的導熱阻抗 增大，但可藉由盡可能減薄高分子樹脂層10，或者增大散 熱器17的散熱量，來減輕其影響。此外，當可形成與供 電絕緣的導熱圖案作為第2金屬層12 填充通孔連接該導熱圖案與第3金制18來提效 率 〇

(第4實施形態） 第4實施形態與上述第i實施形態的不同點在於，不 是將電絕緣部9設在配線基板16側而是設在Led元件14 侧。即，在製造LED元件14的步驟中，在金屬膜層5上 設置電絕緣部9’再在其上設置導熱用金屬部6。亦可在 電絕緣部9與金屬膜層5或導熱用金屬部6之間設置用於 確保密合性之作為基底之層。作為電絕緣部9,較佳為吨 或DLC等電絕緣膜。

小型 光、 圖 上述實施形態之LED模組，除了可摘 卞J J通用於行動電話等 FPD的背光外，亦可適用於照明梦 乃衣置或液晶電視之背 霓虹燈招牌等用途。 【圖式簡單說明】 圖1係顯不本發明苐1實施形態之γ p LisD权組之立體 圖2係圖1之A —A截面圖。 圖3係顯示配線基板之f i金屬層圖案之俯視圖。 圖4係顯示配線基板之第i金屬層圖案其他例子之俯 200830590 視圖。 圖5係顯示第2實施形態之LED模組之截面圖。 圖6係顯示第3實施形態之LED模組之截面圖。 圖7係顯示第4實施形態之LED模組之截面圖。 【主要元件符號說明】 1 監寶石基板 2 η型半導體 3 發光層 4 ρ型半導體 5 金屬膜層 6 導熱用金屬部 7 電極 8 覆晶連接層 9 電絕緣部 10 高分子樹脂層（電絕緣層） 11 第1金屬層 11a 供電用金屬圖案 lib 導熱用金屬圖案 12 第2金屬層 13 鍍敷填充通孔（導熱部） 14 LED元件 15 光阻 16 配線基板 17 散熱器（散熱物體） 19 200830590 18 第3金屬層 19 黏著劑層

Claims (1)

1. 200830590 十、申請專利範圍： 1. 一種LED模組，其特徵在於： 具有具備可進行覆晶安奘夕 设日日女衣之電極的LED元件、且備2 層以上的金屬層與在該金屬層 八 絕緣層的配線基板、傳導兮 了胎耵电 丹V孩LED兀件之熱的該lED元 的金屬膜層； 該配線基板的該金屬層中’位於該led元件裝載面的 =屬層具有供電用金屬圖案、以及與該供電用金屬圖 木電絕緣所形成的導熱用金屬圖案； δ亥供電用金屬圖案血該雷 ^ 一。茨包極覆晶連接成電導通； 該導熱用金屬圖案盥續厶厪 一 4孟屬膜層之間，透過電絕緣部 覆晶連接； 導熱用金屬圖幸盘贫笙， 、弟1金屬層以外的該金屬層藉由 導熱部結合。 2·如申請專利範圍第1 負之led拉組，其中，在該金

   屬膜層形成有導埶用全屬立β 、、用孟屬邛，透過該導熱用金屬部與該電 絕緣部覆晶連接於該導熱用金屬圖案。 3·如申請專利範圍第1或2 — X ζ項之led模組，其中，在 覆盖ό亥弟1金屬層的光随丑彡 尤阻$成有開口，該電極及該導熱用 至屬部在該開口部分別命#他 /、〜供電用金屬圖案與該導熱用金 屬圖案覆晶連接。 4·如申請專利範圍第1 步1主3項中任一項之LED模組， 其中’將該配線基板作成帶壯々u n ^ F取f狀或片狀，在該配線基板的寬 度方向或長度方向、或者兮望 有4等兩方向以任意間隔設置2個 21 200830590 以上之該LED元件。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之LED模組， 其中，該導熱部係以導熱率在30W/m.K以上的材料形成。 6·如申請專利範圍第1至5項中任一項之led模組， 其中，該導熱部為至少一個以上的鍍敷填充通孔。 7·如申請專利範圍第1至6項中任一項之LED模組， 其中’該電絕緣層的厚度在3 μηι以上125 μπι以下。 _ 8_如申請專利範圍第1至7項中任一項之LED模組， 其中，該高分子樹脂在從一 4(TC至+12(TC的溫度範圍内 的線膨服係數為0〜6ppm/。C。 9.如申請專利範圍第i至7項中任一項之LED模組， 其中，該高分子樹脂在l〇(rc的儲存彈性模數在1〇〇Mpa(動 恶黏彈性的測量頻率·· 1Hz)以下，且在24〇〇c的儲存彈性 模數在IMPa(動態黏彈性的測量頻率·· 1Hz)以上。 10·如申請專利範圍第i至9項中任一項之lED模組， _ 其中，在以該導熱部結合於該導熱用金屬圖案上的該第1 金屬層相反側外層的該金屬層，安裝有散熱物體。 11·如申請專利範圍第1〇項之led模組，其中，該散 熱物體的導熱率在30W/m.K以上。 12·如申請專利範圍第10或11項之LED模組，其中， 該散熱物體為陶兗。 Η*一、圖式： 如次頁。 22