TW200839876A - Copper interconnection for flat panel display manufacturing - Google Patents

Description

200839876 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於—種將銅互連層沉積在—基板上以用於 平面顯示器互連系統中之方法。 【先前技術】 TFT-LCD面板之基本原理係為人所熟知，而且其可廣 泛地用作電腦榮幕或TV顯示器。在該等面板中，各像素 *有-由其在構成該榮幕之像素矩陣中之列編號及行編號 所賦予之位址。一像素係存在於各列與行之交叉點處，其 士 “列。4亍係互連接整個薄膜電晶體，故啟動對應列與行 %、’啟動該薄膜電晶體（呈導電狀態），因此使像素電極處 ;k田$ £下而產生適當像素顏色。當解除對應列與行（像 素位址）¥ ’電晶體關掉相關像素之連接而使像素回到其原 當該顯示器面板尺寸擗士士 八了 h加k，需增加驅動信號之頻率，

Resistance C〇pper Address line for DiSPlay’89_pp.498顧之文章中已建議使 作為薄膜電晶體之閘電極材料及相關矩陣 排，因為銅的電阻率係遠低於鋁之電阻率

因此造成這些線之寄生電容增加，因此其意味延遲驅動信 就之傳播。在試圖降低這些延遲之研究中，如標題為”LOW TFT-LCD，，-Japan 用濺鍍銅取代鋁 互連接線或匯流 '^用夕種蝕刻方法製造電晶體。但銅之乾蝕刻係無 因為大部分銅物種不易揮發及/或蝕刻氣體及副產物 在大部分情況下係具腐蝕性的。 6 200839876 半導體工業已發展出鑲嵌製程，其中先製造通孔-孔 洞，然後藉由合併使用乾（職鍍）及濕製程（電鍍）將銅填入孔 洞中。 如在半導體工業中般’認為鋼之使用在平面顯示器工 業中係可降低信號延遲，但不認為鑲嵌製程係適當的，因 為此製程需要遠比目前佈線製程多之步驟^不曾用於大其 板（如用於G5 TFT_LCD面板之15米χΐ 8米）中。預期1

方法之使用將造成一些技術困難並增加製造成本。另一方 面’亦研究鋼之濕蝕刻。 因為使用同向濕餘刻而 但銅互連之形狀更不易控制， 非異向濕钱刻。 、咸信應可容易地合併無電電鍍製程及剝離製程。但合 併微影㈣術及無電電鍍係不容易實施的。這本質上係^ 為無電電鍍製程中存在多項欲進行之預處理步驟，立中$ 等預處理步驟係利用大部分光阻無法抵抗之驗性溶液。“ 當無電電鑛Cu係在光阻圖案上進行，該圖案溶於電 鍍㈣中且無法再獲得所需圖案。此外，這些光阻層無法 在间於90 C之操作溫度下抵抗一長時間（>1分鐘）。 【發明内容】 基板上以用於平面顯 根據本發明將鋼互連層沉積在一 不态互連系統之方法係包括下列步驟 a) 以一光阻層塗布該基板； b) 圖案化該光阻層以獲得—經圖案化之光阻層，复勺 3至少一個布圖於該光阻層中之溝渠； 7 200839876 之光阻層上；該第一 光阻層具有更好之黏 c)提供第一催化層在該經圖案化 催化層在至少一溝渠中對基板比對該 著性。 囚此，利用 …铂U口上下方至少 ----，，曰、刀u 絕緣層）將黏於其上之圖案以製造銅互連系統。 該方法之下兩個步驟本質上係由沉積絕緣層一 溝渠中並移除光阻圖案所組成，這兩個步驟可以任何 進行。 、

根據本發明第-具體態樣(圖…)，絕緣層 鍍步驟係在該第一催化步驟後進行，接 搔者進行該光阻圖幸 移除步驟，而根據第二具體態樣（圖3 ^ μ光阻圖案移除

步驟係在該第-催化步驟後進行’接著進行該絕緣I 電電鐘步驟。 9 兩具體態樣皆提供一絕緣層圖案Α晉 -、且罝长該基板上之 一催化層圖案上之基板。 無論所用具體態樣為何者，後續步驟通常包含第二 化步驟及該銅沉積之無電電鍍步驟。 因此，根據第一具體態樣，本發明方法另外包括 步驟： d) 提供一絕緣層的無電電鍍層沉積在該第一催化層 上；.及 θ e) 除了至少一溝渠的位置外，移除相繼疊置之光阻層、 第一催化層及絕緣層以在該基板上獲得— ^^ a B : &竹弟一催化層圖案 及絕緣層圖案。 200839876 根據第二具體態樣，本發明方法另外包括下列步驟· d) 除了至少一溝渠的位置外，移除該光阻層及 化層以在該基板上獲得一第一催化層圖案，及 e) 提供-絕緣層之無電電鍍層沉積於該第—催化 案上’以在該基板上獲得第一催化層圖案及絕緣層圖案γ 根據另-具體態樣，該方法可另外包括下列步驟· f) 提供一第二催化層至少於該絕緣層圖案上以 得一催化絕緣層。 Λ獲

/第二催化層較佳係鍍在整個基板表面上，但應僅黏 在该絕緣層上，而非黏在基板上。 根據另一具體態樣，該方法可另外包括下列步驟： g)提供一無電鍍銅層在步驟£)之催化絕緣層頂端上。 ，此，一種將銅沉積在位於絕緣層頂端上之第二催化 層之簡單方式係將整個基板浸在適當溶液中，記住因為第 二催化層在基板表面上應具有非常差之黏著性，故銅將不 黏在基板上。 上文所述任何方法可另外包括在步冑a)之前清潔基板 之步驟及/或在步驟a)之前微蝕刻基板之步驟。 "不論基板尺寸為何，均勻、薄且高品質之銅層皆可藉 由無電電鑛獲得。此外’所需銅圖案可利用，，無電剝離方法” 獲得而不需進行銅蝕刻。 剝離方法的原理亦為半導體及LCD製造所熟知，(如 S. w〇lf 及 R. N Tauber，”silic〇n pr〇cessing 如加 VLSI 如 ν〇1· 1”，Lattice Press)。該剝離方法係由下列組成： 9 200839876 1) 反向圖案化標的物上之模板層， 2) 將最終欲圖案化之層鍍在標的物之所有區域上， 3) 以模板層移除該模板層上之層，而將該層其他部分 保留在標的物上作為最終圖案。 該剝離係廣泛用於圖案化不易乾蝕刻之材料。依據 LCD製造，美國專利第7，⑽5,332號及第6,998,64()號揭示 TFT-LCD製造方法以降低此製程期間所用之光罩數。 ，美國專利第5,290,664號揭示一種閘電極之製造方法 及美國專利第4,599,246號揭示閘、源及沒極金屬係形成 於接觸窗口中。其皆是利用剝離方法藉由對應乾沉積（如賤 鍵）方式所形成。 首先在基板上製造光阻之反向圖案。該光阻圖案係用 作模板層。然後，將基板浸在多種溶液（如錫及鈀溶液）中 以催化該表面。此方法係在基板表面上進行似微粒吸附催 化。然後，無電極鍍上絕緣層（如NiP)。在催化時鑛上該 φ 層。然後，利用一移除溶液一起移除該光阻圖案及該光阻 上之絶緣層，但無移除直接沉積在底基板上之層。然後將 基板浸在一溶液（如銀或鈀溶液）中以再度催化該表面。此 方法係針對於基板表面上進行似微粒吸附催化。在第二催 化步驟後，無電電鍵銅層。在此，僅可在絕緣層上觀察到 鍵Cu ’因為在玻璃上鐘Cu的效能係遠比在絕緣層上差。 因此可獲得所需銅圖案。該光阻不與鹼性溶液接觸，而且 該方法不需要複雜的佈線製程如鑲嵌製程，亦不需使用產 生上文所述之一些問題的乾/濕餘刻製程。此外，該光阻層 10 200839876 接觸高於90°C之操作溫度不超過}分鐘。 之多個步驟揭示 根據較佳具體態樣後，將本發明方法 於本文中。 底基板清潔步琢（視情沉選用） 利用-如Na〇H、Na2C〇3、Na3p〇4之混合物的溶液藉 由如浸潰基板（如玻璃）於該溶液中的方式移除該基板上之 任何微量有機污染物。當該表面經充分清潔或若此處理可 能4貝告基板或造成不可預期之彳卜與g

又+t貝/月之化學反應時，可省略此步 此步驟通常係進行—段時間，其較佳係在包含3代至 HHTC之溫度下進行30秒至1G分鐘，更佳係在耽至㈣ 下進行i分鐘1 5分鐘。然後以去離子（m)水清洗基板。 此清潔步驟在必要時亦可利用紫外光或臭氧溶液進行。 微蝕刻底基板步驟（視情況選用）： 此步驟的目的係在基板上產生微粗链度以提高沉積在 基板上之第一層的黏著性。若該層（如絕緣層）因其原有粗 糙度而對基板具有足夠黏著性或若此微蝕刻處理可能在玻 璃表面上引發有害反應，則可省略此步驟。此步驟可藉將 基板浸在一通常包含〇」體積％至5體積％111?之水溶液中 (其亦可包含10克/公升至100克/公升之^^仏^達1〇秒至 5分鐘或更普遍地係利用一包含〇·3體積％至3體積％ 及30克/公升至60克/公升之νη/的水溶液浸潰之達％ 秒至3分鐘的方式完成。然後以DI純水清洗基板。 11 200839876 光阻圈案化步驟（塗布、顯影及剝除） 此步驟係藉由慣用PR圖案化方法完成，其包括如 列子步驟： h -將光阻溶液塗布在基板上； -預烘烤（如90。〇以乾燥此層； -將一光罩施用於此層上； -經由光罩使該光阻劑暴露在UV光下； -移開光罩； ^ 以TMAH溶液使·已曝光（或未曝光，視光阻劑而 定）之光阻劑顯影並以DI純水清洗之； -後洪烤（如15〇。〇以硬化該未經移除之光阻劑。 第一催化步驟： 一般而言，可將SnCl2及PdCl,溶液用於此步驟中以 產生一超薄鈀催化層於表面上，特別係在已移除光阻劑之 溝渠中；基於該目的，將基板浸在SnC12溶液中，然後以 φ DI純水清洗之，然後將其浸在PdCl2溶液中。較佳係使用 〇·1克/公升至50克/公升之SnCl2於含有0.1體積％至1〇 體積％HC1之水溶液中。該Pdcl2溶液係由一含有〇 〇1體 積％至5體積％HC1及介於〇·〇1克/公升至5克/公升之pdcl2 的水溶液製得。該SnCl2溶液更佳係包含溶於〇·5體積％至 5體積％HC1溶液之1克/公升至20克/公升之SnCl2，而且 PdCl2溶液包含溶於〇 〇5體積％至1體積％11(：1溶液之〇.1 克/公升至2克/公升之PdCl2。 預期在基板表面上可能發生下列化學反應·· Sn2+ + Pd2+ 12 200839876 、 + Pd。然後，將基板浸在一調理溶液中。此調理溶 ^ ^ 3通原劑，其可還原表面上之氧化Sn4+並促進無電 。、、、自之逖原电鍍化學。根據另一具體態樣，此調理溶液 : 有颌似在下面下個步驟中所揭示之電鍍溶液的組 、，但不含Ni鹽。根據另一具體態樣，此調理溶液係使 用5克/公升至50克/公升之NaHJO2溶液。在調理溶液中 進行浸潰達10秒至3分鐘。

絕緣層之無電電鍍步驟 、通常沉積無電NiP或NiMP(M係選自W、Mo或—Re組 成之群）作為絕緣層。NiS〇4及NaH2P〇2溶液係用作Ni及 來源。NaH2P〇2亦用作還原劑。錯合劑係選自具有至少 —個羧酸系基（-COOX: X係選自H、金屬、烷基組成之群） 之有機化合物及其混合物。其較佳係選自乙酸、酒石酸、 甘醇酸、乳酸及其混合物組成之群。對於電鍍Nip，基板 係如浸在該溶液中。必要時，溶液之pH係經pH缓衝液調 疋。一具體態樣係使用一 1 〇克/公升至45克/公升之NiS04 7H2〇、3克/公升至50克/公升之NaH2P〇2 H20、5毫升/公 升至50耄升/公升之甘醇酸（70%)及3克/公升之酒石酸的 /谷液。可加入範圍在〇.5ppm至lOppm之鉛化合物作為安 定劑。浴池之溫度及pH較佳係分別保持在50T：至90。〇之 範圍内及2至9，更佳係分別保持在70°C至80°C及2至6。 電鍍時間可由電鍍速率及所需厚度決定，對於5 〇毫微米NiP 層一般係30秒至1分鐘。然後，以DI純水清洗基板。 13 200839876 以鹸溶液或有機溶液移除光阻（PR)圈案

為移除經圖案化之光阻劑，將基板浸在一移除溶液（如 與上文所述之視情況選用的清潔步驟中所用者相同之鹼性 /谷液）中達1分鐘至15分鐘，視光阻劑厚度及移除速率而 定。然後，以DI純水清洗基板。隨光阻劑一起移除鍍在 光阻劑表面上之絕緣層，但應將直接鍍在基板上之層保留 在該表面上。即使以第一催化層上之絕緣層恢復原狀，但 移除溶液具有溶解光阻劑的能力。 第二催化步驟： 將基板浸在一含有溶於NH4〇h之AgN〇3、溶於hci 之PdCl2或溶於NH4OH之Pd(NH3)4Cl2的溶液中以沉積一 超薄銀或飽層於基板表面上。對於銀層，一般係使用〇ι 克/公升至10克/公升之AgN〇3溶於0 01%至1%NH4〇H之 溶液。此步驟一般可進行10秒至5分鐘，較佳係3()秒至 1分鐘。對於鈀層係使用0·01克/公升至5克/公升之Pdcl2 溶於0.01%至5%11(：1之溶液。更佳係將〇1克/公升至2克 /公升之PdCh溶於0.05%至i〇/〇HCl溶液中。在其他具體態 樣中係使用0.1克/公升至10克/公升之Pd(NH3)4Cl2於〇1% 至 5%NH4OH 中。 無電電鍍銅層步驟·· 若所鍍Cu之厚度均勻性及/或電阻率不在所需規格範 圍内，可完成一視情況選用之還原步驟。在此情況下，在 次入電鍛〉谷液之兩’先將基板浸在調理溶液中。使用一包 含0.1%至5%HCHO，更佳係〇·5%至3%HCHO之溶液。取 14 200839876 代利用HCHO，亦可使用—句人 包含〇·1克/公升至5克/公升之 DMAB(二甲基胺蝴烧)之溶液 狀，（更佳係〇·5克/公升至3 公升之DMAB)。 〜 無電銅電鍍溶液通常包合一 ^ 中匕3 一 Cu來源、還原劑、錯合 劑及pH缓衝液作為主組份。 —人1 士，、 " 』使用一包含2克/公升至15 克/公升之CuS04及還原劑之、、六 之/谷液作為實施例，其中該還原 劑係選自醛、胺、肼、胺硼p r ^ 切烷、乙醛酸、抗壞血酸、次磷 酸鹽及其任何混合物組成之M 4日& 土

取 < 鮮。根據較佳具體態樣，使用 〇.〇5%至1%之HCHO。可加人Ni化合物（即o.i克/公升至 U)克/公升t NiCl2)以促進錢Cu。錯合劑可選自Ε〇τΑ、 酒石酸鹽、檸檬酸鹽、二胺、播 收糖醇及其混合物組成之群。 在一較佳具體態樣中，使用 止 20克/公升至60克/公升之酒 石酸鉀鈉。以鹼性溶液如Narm收、〜+ 代那iNaUH將溶液之pH調整至9至1 3 之範圍内。亦可加入笳圚名η 1 ^ 固在O.lppm至2ppm内之硫化合物 作為安定劑。 將基板浸在混合溶液中。電鍍時間可由電鑛速率及所 需厚度決定，對於數百毫微米Cu層而言，一般係丨分鐘 至60分鐘，更佳係、5分鐘至4〇分鐘。在此，移除直接沉 積在玻璃基板上之銅層，但無移除沉積在絕緣層上之銅 層，因為在玻璃上鍍Cu的效能係遠小於在絕緣層上鍍cu。 因此可獲得所需銅圖案。 現在藉由下列實施例及對照實施例以及圖1至3將可 更清楚了解本發明，其代表根據本發明方法之多個具體態 樣0 15 200839876 圖1中，（必要時）相繼清潔破璃基板丨並（必要時）微 姓刻之。然後，使光阻劑（P.R.)層2沉積在基板i上。狹 後將具有適當開口之光罩3置於該p.R.層2上並使.光 4/可:過4等開σ而在層2上形成對應圖帛$。然後，顯 影之並剥除之以形成溝渠8。 然後’進行第-催化步驟以將催化層6沉積在該經圖 案化之層2上（在此圖丨及本說明書所附之任何其他圖式

上各種不同之層通常不具一代表其在進行製程時之實際 厚度及开y狀的厚度及形狀；其相對厚度亦不需要呈現其正 萑尺寸，k些圖式僅欲表示其疊置情形，·催化層經常具有 一相杈於光阻層、絕緣層及/或銅層之厚度極不易偵測得到 之厚度）。 然後，在溝渠8底部製造催化凸塊7。然後進行無電 電鐘以將、緣層9、1G沉積在催化層6及催化凸塊7上。 。後移除所有光阻劑圖案（其對基板的黏著性比對催化層 差）’僅留下所需絕緣層圖案1〇於催化層（催化凸塊及基 板1上（第一催化層對基板的黏著性比對光阻層好 圖2揭不另一個具體態樣，其係類似圖1之具體態樣， 但另外包括將第二催化層u沉積在絕緣層1G頂端上而產 生-催化絕緣層（1G，U);但第二催化層（11)較佳係沉積在 整個基板表面上，但其對基板的黏著性將不如其對絕緣層 (10)之黏著性般良好。進行另一由無電沉積銅圖案12於催 化絕緣層（10,11)頂端上組成之步驟。 圖3揭示另一個類似圖i之具體態樣的具體態樣。但 200839876 在第一催化步驟之後進行光阻圖案移除步驟，僅於適當處 留下催化凸塊7。然後’進行無電電鍍步驟以將絕緣層圖 案13沉積在第一催化層7上，接著進行第二催化步驟以 沉積第二催化層14(較佳係如前所解釋般沉積在整個表面 上）以提供一催化絕緣層（13，14)，最後藉由無電電鍍將銅層 15沉積於其上。僅將銅層（15)鍍在可適當地黏在前一層上 之第二催化層（14)上，即僅鍍在絕緣層圖案（13)上。 下列實施例揭示部分本發明多個可能具體態樣。 * 【實施方式】 實施例1 在80C下，將玻璃基板浸在—包含Na〇H、、

NaJO4之除油溶液中3分鐘以移除玻璃表面上之有機污染 物。 以去離子水清洗後，將其浸在稀HF/NH4HF溶液中i 分鐘以在該基板表面上產生微粗糙度。然後，將慣用正光 φ 阻刈塗布在基板上，透過光罩使其暴露在UV光下而 圖案化之並在基板上進行後烘烤後顯影之。 光阻層顯影後，將基板浸在一包含1〇克/公升之SnC12 於1%HC1溶液中之SnCl2溶液中，然後將其浸在一包含〇·3 克/公升之PdCl2於0.1%HC1溶液中之pdcl2溶液中（各在每 個溶液中4分鐘）。以D.I·水清洗基板後，將其浸在一含有 還原劑之調理溶液中30秒。然後，將其浸在一絕緣層電 鍍溶液中。 表1顯示選擇NiP作為絕緣層電鍍溶液時之浴池組成 17 200839876 及電鍍條件： 表1 組成 條件 NiS04 7H20 : 30 克/公升 藉由乙酸鹽緩衝液使pH為5 NaH2P02H20 ·· 30 克/公升 溫度：70°C 乳酸：15毫升/公升 酒石酸：15克/公升 乙酸錯 3H20 ·· 1.5ppm 以D.I.水清洗後，將基板浸在一驗性溶液（組成與本實 施例之除油溶液相同）以移除經圖案化之光阻層。此步驟係 進行5分鐘。隨光阻層一起移除鍍在光阻層上之絕緣層， 但將直接鍍在基板上之層留在基板表面上。 然後，將基板浸在一第二催化步驟所用含有1.5克/公 升之AgN03於0·3%ΝΗ4ΟΗ溶液之溶液中45秒。以D.I.水 清洗基板後，將其浸在表2所述Cu電鍍溶液中及對應電 鍍條件下： 表2 組成 條件 CuS04 5H20 ·· 7 克/公升 藉由NaOH使pH為12 C4H4Na06 5H20 : 34 克/公升 室溫 Na2C03 : 3克/公升 NiCl2 : 1克/公升 HCHO(37%) : 13 克/公升 硫脲：〇.2ppm 200839876 完成鍵銅步驟後，以D.I·水清洗基板，獲得所需銅圖 案。如利用勝帶試驗獲得證明般，所鍍Cu/NiP圖案對玻 璃基板具有極佳黏著性。這兩層的粗糙度及厚度均勻性皆 令人滿意（分別小於1〇毫微米並在1〇%内）。Nip層係包含 91重量％Ni及9重量。 X-射線分析顯露Nip層係非晶質的。鍍在Nip層上之 Cii層具有低電阻率（利用四點探測方法測得3 〇μΩ厘米）。 該X-射線分析亦顯露基板在烘箱中氮氣氛圍及4〇(rc下退 火1小時後NiP的型態僅發生些微變化。 實施例2 除了利用石夕晶圓取代玻璃基板外，依照實施例1製造 銅圖案。在晶圓上所獲得的結果與這些在玻璃基板上所獲 付的結果一致。為了研究Nip層之Cu擴散能力，使所鍍 Cu/NiP層在4〇〇°C下退火並進行χ_射線分析以測量擴散至 石夕β曰圓中之Cu量。該分析顯露所發生的擴散係可忽略 而且該NiP層具有足夠Cu阻擋能力。 對照資施彻1 絕緣層（NiP)進行濕蝕刻以圖案化基板上之該層。 先將NiP層鍍在基板上，然後如實施例1所完成般在 此層上進行光阻圖案化。然後，利用FeC13溶液蝕刻絕緣 層以圖案化該NiP層。蝕刻時間係視厚度及蝕刻速率而定， 但一般為3分鐘以钱刻50毫微米厚之Nip層。姓刻後， 將基板:在丙酮中1 〇分鐘以移除光阻劑。然後，如實施 例1般進行第二催化步驟及無電電鍍鋼層步驟。 19 200839876 即使此方法可製作鋼圖案 ,τ Λ 巾/熬蚀刻已極不易批 制銅互連形狀，因為濕蝕刻其 工

層。 U Π Γ生貝而底切蝕刻NiP 對照實施彻Ύ

NiP層 如實施例1般，將銅層鍍在基板上，但盔沉積 所得銅層對基板顯讀差之㈣性且容㈣離。貝 對照資施彻^

除了視情況選用底基板之清潔步驟或以溫度低於30t 之清潔溶液進行清潔步驟之外，進行實施例！之所有步驟。 ㈣璃表面受有機組分污染（如因手指觸摸及開凹槽或擦拭） % ’所鑛層顯示較差之厚度均勻性及/或缺之再現性。在後 面這些情況下’如上文所揭示般在適當條件下進行清潔步 驟可改善均勻性及/或再現性。 糸/ 對照膏施例4 除了視情況選用微蝕刻步驟之外，進行實施例丨之所 有步驟。當基板表面無法提供微粗糙度時，所鍍層對 ^板顯示較差之黏著性。製造基板之微粗趟度可決定:地 幫助改善黏著性。利用市售TFT-LCD面板用之玻璃基板（如 Corning 7〇59)時，此步驟通常係必要的。 #照實施彻5 除了第一催化步驟外，進行實施例丨之所有步驟。無

NlP層鍍在基板上，因此銅層對基板無足夠黏著性。 對照實施例6 除了第一催化步驟中SnCl2的濃度低於〇1克/公升或 20 200839876 π於50克/公升，或者pdCi2的濃度低於Ο Ν克/公升或高 於5克/公升之外，依照實施例丨進行多個對照實施例。在 所有這些實施例巾，無NiP層鍍在基板上或所鑛蕭層呈 現較差之厚度均句性，較差之黏著性及/或缺之再現性。因 此’沉積在NiP上之銅層亦無法令人滿意。 盘照實施例7

除了不在調理溶液中進行浸潰步驟或所用NaH2P〇2溶 液的濃度低於5克/公升或高於5G克/公升之外，在基板上 進行只施例1之所有步驟。在所有這些不同的情況下，無 NiP層鍍在基板上或若鍍上Nip層時，此Nip層呈現較差 ^厚度均勻性，較差之黏著性及/或缺乏再現性。因此，沉 積在NiP上之銅層亦無法令人滿意。

對照實施侧S 除了 NiS〇4 wo、NaH2P〇2比〇、乳酸乙醇酸酒 石酸及鉛化合物的濃度超出上文所定義之個別範圍外，依 照實施例1進行多個實施例。無Nip層鍍在基板上或若鑛 上NiP層，該Nip層呈現較差之厚度均勻性，較差之黏著 性及/或缺乏再現性。因此，沉積在Nip上<銅層亦無法人 人滿意。 對照竇施备1 9 除了 NiP電鍍浴池的溫度低於贼之外，依類似實施 例1所揭示之方式進行多個實施例。通常，無NiP層鍍在

基板上或鍍上NiP層時，該NiP層呈現較差之厚度均I 及/或缺乏再現性。 21 200839876 另一方面，當溫度高於90。〇時，如電鍍速率太高般， 所鍍NiP層對玻璃基板呈現較差之黏著性，其可能增加該 層内部應力。因此，沉積在NiP上之銅層亦無法令人滿意。 此外，光阻層無法承受9(TC之溫度超過i分鐘。若光 阻層非常厚（以提高溫度承受力），其在下一步驟期間變得 不易溶解此層。 對照實施例10 除了此NiP電鍍浴池的pH係經調整至2以下或高於9 之外，依照實施例1進行多個實施例。在所有這些各種不 同的實施例中，無NiP層鍍在基板上或鍍上Nip層時，該 層無呈現平衡特徵(如厚度均勻性、對基板之黏著性及 再現性)。因此’沉積在府層上之銅層亦無法令人滿意。 此外，當浴液之pH高於10時，光阻圖案通常在Nip電鍍 步驟期間被摧毁（溶於溶液中）。此無法完成所需Cu圖案。 對照實施例11 除了第二催化步驟外，進行實施例1之多個步驟，在 此情況下，其通常無法將Cu層鍍在Nip層上。 #照實施例12 除了光阻圖案步驟中AgN〇3的濃度低於01克/公升成 高於10克/公升之外，進行類似實施例1之多個實施例。 無鍍上Cu層或所鍍Cu層呈現較差之厚度均勻性，較差之 黏著性及/或缺乏再現性。 對照訾施例13 除了弟二催化步驟係使用PdCl2溶於HC1之溶液或 22 200839876

Pd_3)4C12溶於νΗ4〇η之溶液取代AgN〇3溶於NH4〇h 之溶液外，依照實施例1進行多個實施例。此步驟係利用 0.3克/公升之PdCl2溶於0.1%HC1中或〇25克/公井之 PcKNHAd2溶於2%NH4〇H進行3分鐘浸潰。所鍍cu層 係呈現類似這些實施例1所得者之厚度均勻性，黏著性、 電阻率及再現性。 對照實施例T4 除了 CuS〇4 5H2〇、C4H4KNNa〇6 5H2〇、犯化合物、hch〇 及/或硫化合物的個別濃度超出上文無電銅電鍍步驟中所定 義之個別範圍外’進行類似實施例丨之多個實施例。無& 層鍍在基板上或若鍍上〇^層，則該Cu層呈現較差之厚度 均勻性，較差之黏著性、較高之t阻率及/或缺乏再現性。 對照實施你丨1 5 除了 CU電鍍浴池的pH係經調整至9以下或高於13 之外，進行類似實施例丨之多個實施例。當pH低於9而 電鑛動力學太低時，無Cu層鍍在基板上。另一方面，當阳 回於13，Cu層呈現較差之厚度均勻性、較差之黏著性、 幸乂门之電阻率及/或缺乏再現性。已假設電鍍速率太高且此 可月b杧加δ亥層内部應力。在銅無電電鍍步驟所定義之範圍 下可獲得厚度均勾性、黏著性及再現性間達平衡之特徵。 實施例3 除了在無電電鍍絕緣層之前先完成光阻圖案之移除

外如貝轭例1所揭示般製造銅圖案。因此，光阻pR 案係與光阻劑上夕拙& p m 4上之催化層一起移除，但無移除直接沉積在 23 200839876 底基板上之催化層。因此，在結束光阻圖案移除時達到催 化圖案化的目的。然後，之後鍍上絕緣層（Nip)。因為僅將 NiP層選擇性鍍在催化層上，可在基板上獲得已圖案化Nip 層。然後，如實_ i所揭示般，在第二催化步驟後完成

Cu無電電鍍步驟。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明之第一具體態樣；

圖2係另一個類似圖i之具體態樣； 圖 係根據本發明之第二具體態樣。 ttfy —* 件符號說明】 1 基板 2 光阻層 3 光罩 4 UV光 5 圖案 6 催化層 7 催化凸塊 8 溝渠 9 絕緣層 10 絕緣層 11 第二催化層 12 銅圖案 13 絕緣層圖案 14 第二催化層 24 200839876 15 銅層

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Claims (1)

1. 200839876 十、申請專利範圍： 互 種將鋼互連層沉積在基板上以用於平面顯示哭 連系統之方法，其係包括下列步驟： °° a)以一光阻層塗布該基板； b)圖案化該光阻層以獲得—經圖案化之光阻層，其包 含至少一個布圖於該光阻層中之溝渠； C)提供第一催化層在該經圖案化之光阻層i， 一 催化層在至少一溝準中璧+其j x

   — 木中對基板比對该光阻層具有更好之黏 2·根據申請專利範圍第i項之方法，其另外包 步驟： d)提供一絕緣層^電電鑛層沉積在豸第一催化層 上；及 —6)除了至少一溝渠的位置外，移除相繼疊置之光阻層、 第催化層及、、、巴緣層以在該基板上獲得―第—催化層圖案 及絕緣層圖案。 3.根據中請專利範圍第丨項之方法，其另外包括下列 步驟： d) 除了至少一溝渠的位置外，移除該光阻層及第一催 化層以在該基板上獲得一第一催化層圖案，及 e) 提供一絕緣層之無電電鍍層沉積於該第一催化層圖 案上，以在該基板上獲得第一催化層圖案及絕緣層圖案。 4·根據申請專利範圍第2或3項之方法，其另外包括 下列步驟： 26 200839876 f) 提供一第二催化層至少於該絕緣層圖案頂端上以獲 得一催化絕緣層。 5. 根據申請專利範圍第4項之方法，其另外包括下列 步驟： g) 提供無電鍍銅層在步驟f)之催化絕緣層頂端上。 6. 根據申請專利範圍第1至5項中任一項之方法，其 另外包括在步驟a)之前先清潔該基板之步驟。 7. 根據申請專利範圍第1至6項中任一項之方法，其 ® 另外包括在步驟a)之前先微蝕刻該基板之步驟。 十一、祖式： 如次頁

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