TW200834832A

TW200834832A - Adhesive sheet for fabricating semiconductor device and fabricating method of semiconductor using the adhesive sheet

Info

Publication number: TW200834832A
Application number: TW096148194A
Authority: TW
Inventors: Yasuhiro Amano; Yoshio Terada; Naohide Takamoto
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2006-12-18
Filing date: 2007-12-17
Publication date: 2008-08-16
Also published as: JP2008177550A; WO2008075609A1; US20100047968A1; JP4988531B2

Description

200834832 ^0/iipif.doc 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明是關於—種使半導體元件黏著於被黏著體上對忒半導體元件進行打線接合（wire b〇nding)時所使用半導體裝置製造用黏著丨、以及使用絲著置的製造方法。【先前技術】

為了適應半一體裝置的微細化、高功能化的要求使配置於半導體晶片（半導體元件）主面的整個區源線的配線寬及信號線間的間隔變窄。 s電因此，胃產生阻抗增加及在異種節點的信號線間，干涉的現象，從而於半導體晶片的工作速度、工作^ 寬裕度、抗靜電破壞等中，絲阻礙充分發揮性= ，因。為了解決這些問題，業者提出有將半導體元件加以積層之封裝結構（例如，參照日本專利特開昭55—仙號公報以及日本專利特開2002—261233號公報）。另-方面，作為將半導體元件固定於基板等上時所使用之樹脂，提出有使用熱固性糊狀樹脂之例（例如，夫把特開2題—179769號公報）、及使用將熱塑性樹月曰與熱隨翻併狀減片之例（例如，日本專利特開 1〇Γ，233號公報以及日本和_ 2_—1嶋〇號公報）。 (lead frame) 5 200834832 ipif.doc tVZT °5 多二二、#，（晶粒黏著’dleattach)，利用加熱步驟使二、表I、，—步硬化。進而’為了將半導體元件與基板實私而進仃打線接合，然後利用密封樹脂進行成型 mo=ld亚進仃後硬化，以利用該密封樹脂進行密封（例 …日本專利特肖2QQ2—179769號公報以及日本專利斗寸開2002 — 261233號公報）。

於，行上述打線接合之時，由於超音波振動及加熱而吏土板寺_L的半導體元件發生移動。因此，先前，於進行打線接合之前，必須實行加熱步驟而對熱固性糊狀樹脂及熱固性黏著片進行加熱硬化，並加以固定，以使半導體元件不會移動。進而&由熱塑性樹脂所構成之黏著片、及將熱固性樹脂與熱塑倾脂制之黏著片中，於晶粒黏著之後且於 =線接合之前’為了雜與黏著對象物的黏著力及提高潤 >然性，必須實行加熱步驟。 —然而，存在以下問題：由於打線接合前對黏著片等實仃加熱’而自黏著片等產生揮發氣體。揮發氣體會污染焊接墊，並經常無法進行打線接合。另外由於使♦占著片等加熱硬化，而導致該黏著片等產生硬化收縮等問題。具有以下問題：與硬化收縮的同時產生應力，並在導線架或者基板上（同時，亦在半導體元件上）發生翹曲。而且，亦存在以下問題：於打線接合步驟中’由於應力而使半導體元件上產生裂缝。 6 200834832

Jipif.doc 车塞Ϊ狀為，伴隨近年來半導體元件的薄型化及小型化，、版兀件的厚度由先前的2〇〇μηι薄層化至小於阿，進而薄層北至小於等於1〇〇降。若使用小於等於= :、’導體TL件進行晶粒黏著，則在該半導體元件上合體實施晶粒黏著後的半導體元件與被黏i 之間有％會產生空隙。另外，由於晶片的多段加，故打線接合步驟中的受熱歷程延長?且促，版衣置，則存在其可靠性下降之問題。【發明内容】士^是鐾赴述問題點而形成，本發明之目的在於情況下，熱ΐ的同時不改變先前製造步驟的法㈣11祕半導體裝置之半導體裝置的製造方裝置之黏著片以及藉由該方法而獲得之半導體半導為了解決先前的問題點，而對、用站者片、以及使用該黏著片的半導體裝 ^造方法進行了研究。結果發現，藉由採用下述構成成上述目的，從而最終完成本發明。即，本發明之半導體裝置製造用黏著片解決使半導體元件黏著於被黏著體上而對該爭導 ,仃打線接合時所使用之半導體襞置製造用黏著、4寸徵在於：含有親油性的層狀黏土鑛物。 7 200834832 26731pif.doc 声狀ΐΓΐΓ著^藉由含有層―土鑛物而構成；該層狀姑土礦物，是以其積層方向與和 • ί::向大致相同之方式進行分散。另外，因強化声= ' =可加難著片於面内方向的機械強度，故本發日狀 =盘=由於進行打線接合時的超音波振動，而在 •身㈣性，因此’亦可抑制由於加熱所導 Ϊ片之發生。結果，可獲得㈣接合性優異之黏於垂ΐ於本發明之黏著片與先前的黏著片相比較，缓衝t去向上的彈性大致相同，因此該方向之 iiitit::11此’可防止在黏料與半導體元件以卞者脸的黏者面上產生空隙。在於另:構===，勿作為層狀黏土礦物之原因 »可獲得良好散性。組成物的相容性優異，結果 4 t構成中，上述層狀黏土礦物之含量，相對於構. 編⑽諭，細是在0.1 特性的情況下提&高耐熱Γ’能夠在不喪失黏著片之黏著上述成2之:著片，於175。。的條件下對此，藉由打線接人時圍内的剪切黏著力。藉钱。日寸貝靶的超音波振動及加熱，可進一步 200834832 26731pif.doc 抑制黏著片與被黏著體的黏著面上發生剪切變形。於上述構成之黏著片中，硬化前於12〇亡下之拉伸儲存彈性模數較好的是大於特1x1q4 pa，硬化後於2〇叱下之拉伸儲存彈性模數較好的是小於等於5〇Mpa。右‘著片如上述構成具有儲存彈性模數之構成，則分別於硬化前及硬化後，即使於高溫條件下放置，亦發揮可，分耐受其條件之耐熱性，並抑制該黏著片的軟化、流動。 j ’能夠實現穩定之打線接合，能夠在進—步抑下降的情況下製造半導體裝置。 ^ 著劑是，於上述構成中含有熱塑性樹脂作為上述黏 r之’於上述構成中含有熱固性樹脂與熱塑性樹月曰之兩者作纟上_1触絲。以及/另上3固/生樹脂’較好的是使用環氧樹脂。这些樹脂，因離子性較古故可確保半導體元件的可靠性。了…! 生羲间，之黎^卜。’作為上述黏著片’較好的是使用添加有交聯劑鹽的較好的是層狀矽酸鹽。層狀矽酸石夕。二使黏著片含有層狀㈣鹽’則該層狀片内«，而且亦可提高在黏著形的發生。、° 進一步減少打線接合時之剪切 200834832 ^^>/3 lpif.doc 另外，藉由使用層狀矽酸鹽，可進一步提高黏著片的耐熱性。因此，於打線接合步驟等中即使經歷長時間的受熱歷程，黏著片亦可在不完全固定的情況下停留於暫時固定的狀態。本發明之半導體裝置的製造方法的特徵在於，為了解決上述課題，而具有以下步驟：經由含有親油性的層狀黏土礦物之半導體裝置製造用黏著片，將半導體元件暫時固定於被黏著體上之暫時固定步驟；對上述半導體元件進行打線接合之打線接合步驟；利用密封樹脂對上述半導體一丁件進行樹脂密封之密封步驟；將經密封之構造物切斷= 別的半導體裝置之切斷步驟。根據本發明之製造方法，使用含有層狀黏土礦物之者片作為用以將半導體元件固定在被黏著體上之點著‘ 因此，即使省略黏著片的加熱步驟而進入二片，亦不會由於該步驟中的超音波振動及加熱，土，，半導體元件及被輯體之黏著面上發 ‘著片與能夠在抑制產率下降的情況下進行打線接人^ ^因此，另外，因含有層狀黏土礦物之黏異，故例如，即使當於打線接合步驟等中、而熱性亦優熱歷程時，亦可抑制黏著片硬化的進行。=歷長時間的受著片的流動性及埋入性之劣化，且防:果，可抑制黏元件及被黏著體之間產生空隙。於铂著片與半導體進而，於先前的製造方法中，於黏著片進行加熱，由於該加熱而自，合步驟之前對生揮發氣體， 10 200834832 此 A3 lpif.doc _會污_墊（bGndingpad)。但是崎污染焊墊。另外，亦可藉由減= 亦不:使:板：生加熱勒著片之步驟’因而果，_;吏半導體t:進元件產生裂缝。結或者:中’上述被黏著體較好的是基板、導線架

方法中包括：利用密封樹脂將上述半 3=二岔封之密封步驟、進行上述密封樹脂的後硬 = ;i ’於上述密封步驟或者後硬化步驟中的至>任-步驟巾’藉由加熱使密封樹脂硬化，並且上述黏著歧半輯元件無黏著體相互蚊。藉此了由用上述黏著片實施之固定，於密封步驟或者後硬化步驟中的至少任-步驟中，可與密封樹脂的硬化同時進行可使製造步驟簡單化。於上述方法中，上述打線接合步驟，較好的是在80。〇〜25(TC之範圍内實行。藉由於上述溫度範_實行打線接合步驟’可防jL經由黏著>{*使半導體元件無黏著體士全地固定。凡於上述方法中，較好的是，使用層狀矽酸鹽作為上述層狀黏土礦物。層狀矽酸鹽的實用性優異，若使黏著片含有層狀矽酸鹽，則使該層狀矽酸鹽的面内方向之配向性^ 好，而且亦使黏著片内之分散性提高。結果，可進—步減少打線接合時之剪切變形的發生。〆 200834832 26731pif.d〇c 另外’藉由使用層狀賴鹽，亦可使黏著片之耐熱性於打線接合步驟等中即使經歷長時間的受熱 i:狀態可=將f著片完ΐ固定的情況下停留於暫時固匈曲，卩使於進行打線接合時半導體元件產生 =:’因處於將半導體元件暫咖定於被黏著體上之狀可利用密封步驟時所施加的壓力來減少果，最終可無間隙地將半導體元件黏著固定： rrt從而能夠製造高可靠性的半導體裝置。導體二牛經由上述黏著片而將1個或2以上的半需要經由上述黏著片而將間則於根據彻元件之間的情形時，可發“ :件與玲封裝m步提==辦料元件等的【實施方式】 (實施形態1) 說明。下“本毛明之半導體裝置製造用黏著片加以若本發明之黏著片中含有層無特別限定。例如可列舉.如 / Λ _，則對其構成層的單層所構成之黏著片12. :(a)所示，僅由黏著劑材料l〇a的單面上積層有黎著劑# 所示，於核心於其兩.面上形成有黏著劑層^ ，者月1〇,或者作為上述核心材料，可曰:構之轉片等。歹]舉.缚臈（例如聚醯亞胺薄 12 200834832 26731pif.doc 膜、聚醋_、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萃缚膜、聚碳酸醋薄膜等)、藉由破璃纖維娜ί :=== 樹脂基板、梅或者玻璃基板等二 :雖亦可使用與黏著劑層的構成材料之組二、’、=好的是，使用例如含有經交聯的熱塑性樹脂等的 w材料。其在於，由於使驗交聯的獅，而使核

=料的流動性下降。另外，亦可使雜著片與晶圓切割片為一體之材料。對於上述層狀黏土礦物並無特別限定，例如可例示層狀石夕酸鹽、氮侧等。這些層狀黏土礦物巾，就黏著片; 中的，向性以及分散性之觀點而言，較好的是層狀矽酸鹽。藉由使用層狀矽酸鹽，可使黏著片内所含有的層狀矽酸鹽之配向性變得均勻，從而可提高特定方向之機械強度。另外，因可使層狀矽酸鹽的分散性變均勻，故可於黏者片之面内均勻地減少剪切變形的發生。對於上述層狀矽酸鹽並無特別限定，例如可例示：皂石（saponite )、鋅皂石（sauconite)、矽鎂石（stevensite)、鐘％潤石（hectorite)、珍珠雲母（margarite)、金雲母、滑石、溫石棉（chrysotile)、綠泥石、虫至石（vermiculite)、高嶺石（kaolinite)、白雲母、綠脆雲母（xanthophyllite)、狄克石（dickite)、透輝橄無球粒隕石（nakhlite)、葉蠟石 (pyrophyllite )、蒙脫石（montmoriiionite )、貝得石 (beidellite )、綠脫石（nontronite)、四石夕氟雲母（tetrasilicic mica )、帶雲母納（sodium taeniolite )、葉蛇紋石 13 200834832 ^〇/3ipif.doc (antigorite )、埃洛石（halI〇枷）、可單獨使用戋者併用2種$ 、坆二d狀矽酸鹽，平Μ併用2種或2種以上。另外酸鹽，可為天錄或者合絲巾的任—種。、層狀石夕上=層狀黏土礦物之長徑的平均長度，較好的 0.01〜1〇〇_之範圍内，更好的是在0 05〜1〇_之 2藉由辦上述數值範圍内，可以層㈣ = 片的面内方向不-致之方式，使層狀黏土 :;ί 二二，卜層狀黏土礦物的縱橫比（長徑/短徑比），較 ^=20〜獨之範圍内，更好的是在5〇〜·之範圍声方上献值翻内，亦可以層狀黏场物的積二片的面内方向不一致之方式’使層狀黏土礦刀月糾，層狀黏土鑛物的平均長度，為 =咖則定出之值。另外，層狀黏土礦物的縱橫比，為利用原子間力顯微鏡所測定出之值。對於層狀黏土礦物的含量並無特別限定，但可根 =的被黏著體（後述）練定層_ 土礦物的含量，以，耐熱性及脫模效果。具體而言，層狀黏土礦物的含量^ 相對於構成黏接片之黏著劑組成物丨⑻重量份，較好的θ 〜40重量份之範圍内，更好的是在1G〜3G重量份= 藉由將黏土礦物的含量設於上述數值範圍内，能夕句使奇占者片的黏著特性變好’同時亦可提高耐敎性。若上過Γ重量份，則凝集力會變得過高^熱後的剝黏著劑的黏著特性喪失，因而有時拾取性方面，若含量小於W重量份，則有時耐敎 14 200834832 2bVJIpif.doc 性會變得不充分，對長時間的加熱歷程之而會使打線接合性下降。對於黏著片的 ^ :降，從以層狀黏土礦物的含量為基準進行調整。乂好的是將奇、占著片（當於核心材料上積層有黏士、著劑層）黏著於被黏著體上，並加埶至175二曰％ ’為黏的剪切黏著力，較好的是0·2〜2^ 〜L6 MPa。藉由將黏著 ,=:4 MPa 撕，即使實行打線接合步驟（後述），力亦;為進大=物元件及被黏著體的黏著面上力刀變形之==與半導體於打線接合時的超音波振動而導導由藉此，可防止打線接合的成功率下降| 動，封步驟時半導體元件由於屢力 ^於岔的拾取有時;;力：另==驟時，半導體晶片樹脂及齡樹脂適當調整黏著片中環氧切黏著力有機樹脂組成物中的混合量，能夠調整剪成垂直方向上具有輿，向連整接體上=::”即使於打=二= 導線架得到充分固j。制著片之因而會產生接線不良。於上述打線接:ί:里:::二 15 200834832 zo/jipif.doc ===;?此，黏著片的硬化前的於更好的曰m，弹核數，較好的是大於等於lxi〇4Pa，

Pa，列Γ圓二？a。若上述拉伸儲存彈性模數小於1χΚ)4 ϋ切叫溶融之轉片，例拾取變得困難。另外，黏著片的二· C之拉伸齡彈性難，較更 ^fa5MP^4〇MP- 時會Ϊ於黏著片的凹凸面之埋入性有引線。e d丨、卜’猎設為大於等於〇.5 MPa，而於以無 +、、 a ess)結構為特徵之半導體裝置中，法伸儲存彈性模數。拉伸錯存彈性模數上述黏著劑層是具有黏著功能之層；作槿丌了早獨使用熱塑性樹脂。異戊作熱塑t樹脂，可列舉:天然_、丁基橡璆、 =-♦、氯代丁二烯橡膠、乙烯_醋來呶自欠酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、心尼邊等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸樹脂、予甲 :乙:醇_)及聚對苯二甲酸丁二醇醋二；、已酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或者氟樹脂等。這此熱塑性樹脂，可_使用或者併用2種或2種以上：：：= 16 200834832 26731pif.doc ^生樹脂之中’特別好的是離子性雜質少、耐敎性古確保半導體的可靠性之丙烯酸樹脂。门可 ϋ對丙稀酸樹麵無特別限定，可列舉m =㈣丙婦酸之酯中的!種或2種以 Γ f乍為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、*丙基、正丁基、第三丁基、丙己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、^兴戊基、十四絲、十六絲、十4基、或者二十垸^基、另外，對㈣成上㈣合物的其他單體定，例如可列舉：如丙稀酸、甲基丙稀酸、_酸^ = 酉旨酸麟·、伊康酸、馬來酸、富馬酸、或= =寻二广馬來酸科者伊驗酐等之酸酐 =如^基)_酸2铺乙_、（甲__ r :甲其：)丙烯酸基丁酯、(甲基)丙烯酸6_羥基己曰甲iLH峽8铺奸、㈣)1時基癸_、 (甲基)_酸叫！基十二㈣或者广己基)甲料之含錄單體；如苯乙料 2-(甲基）丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、（甲而文、酸，丙綱細或者(甲基M;)=; 含鱗酸基單體。減乙基顧醋等之作為上述熱固性樹脂，可列舉：齡樹月旨、胺基樹月旨、 17 200834832 26731pif.doc 不飽和聚酯樹脂、擇#j π # 脂、或者熱固性聚胺基fb_樹脂、石夕氧樹或者併用2種或=，寺。這些_，可單獨使用 =_二==半:，件樹月曰的硬化劑，較好的是酴樹脂。為裱乳雙紛$型、淳使用:雙紛A型伽^ 聯苯型、萃型^鼠化雙^型、雙齡从型、樹脂及型=基乙炫型等之二官能環氧三縮水甘油基異= = 型、 ,±,nt _ 虱尿曰型或者縮水甘油基胺型算之戸每 :上曰:腊’可單獨使用，或者併用2種或二苯型環ϋ _料__縣樹脂、聯本_魏树脂、三經基苯基甲垸型樹知对月曰的反應性強，耐熱性等優異。 · 之作^而2述紛f脂，發揮作為上述環氧樹脂的硬化劑 ^作用，例如可鱗：苯__脂、苯料燒月4:::脂、第三丁基苯酚酚醛樹脂、壬基苯酚酚醛樹寺之I軋本乙烯寺。廷些酚樹脂，可單獨使用， ^者併用2種或2種以上。這些酚樹脂齡祕樹脂、苯粉芳絲樹脂。其原因在於，可提子高^ 18 200834832 26731pif.doc 體裝置的連接可靠性。上述環氧樹脂與酴樹脂的調配比例，例如以如下方式加以調配，即，對於上述環氧樹脂成1八:疋，氧基每1當量，酚樹脂中的羥基成為〇.5〜2.〇當:。的裱的是0.8〜1.2當量。即’其原因在於，若兩者::更好處於上述數值範圍之外，則硬化反應無法充分進彳I, 樹脂硬化物的特性易於劣化。订’ ％又氧另外，於本發明中，特別好的是含有環氧樹脂、月曰以及丙烯酸樹脂之黏著片。這些樹脂的離子性嘹⑽小s、财熱性高，因此可劇呆半導體糾的可靠性。“二、 Μ二目對，酸樹脂成分刚重量份，環氧樹月旨：驗樹月日的此合置為1 〇〜200重量份。 - 為了預先使本發明之黏著片產生某種程於製作本發明之黏著片時，添加與升可之多官能性化合物；鍵提咼咼溫下的黏著特性，改善耐熱性。作為上述交聯劑，可採用先前眾所周知的交聯劑別女!的Γ苯二異氰酸酯、二苯基？垸二異她旨、對苯二異纖旨、5-萘二異氰酸醋、多：：加成物等之聚異氰酸醋化合物。〃 —/、^^知的丄乍為交聯劑的添加量，較好的是，相對圓重讀’通常為0.05〜7重量份。若交二月曰重量份，則黏著力下降，因而不理相。另— 夕方、丨〇.05重量份，則凝集力不足，。另外，於;= 19 200834832 26731pif.doc 含有如此的聚異氰酸酯化合物，而且，根據需要亦可同時含有環氧樹脂等其他多官能性化合物。 •另外，根據其用途，可於本發明之黏著片中適當調配 . 入無機填充劑。無機填充劑之調配，能夠賦予導電性及提高熱傳導性、調節拉伸儲存彈性模數。作為上述無機填充劑，例如可列舉由下列材料所構成之各種無機粉末：二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化砍、氮化石夕等陶兗類；銘、銅、銀、金、鎳、絡、錫、 9 鋅、鈀、焊錫等金屬或者合金類；其他由碳等。這些填充劑，可單獨使用或者併用2種或2種以上。其中，較好的是使用二氧化矽，特別好的是使用溶融二氧化矽。另外，無機充填劑的平均粒徑，較好的是在0.1〜80 μιη之範圍内。上述無機充填劑的調配量，相對於有機樹脂成分100 重量份，較好的是設定為0〜80重量份，更好的是設定為 0〜70重量份。 • 另外，於本發明之黏著片中，除上述無機填充劑以外，亦可根據需要而適當地調配入其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑或者離子捕捉劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、 • 溴化環氧樹脂等。這些阻燃劑，可單獨使用或者併用2種 •或2種以上。作為上述石夕统偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧基環己基）乙基三曱氧基石夕烧、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基石夕 20 200834832 ^o/jipn.doc =、γ'縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基魏等物，可單獨使用或者併用2種或2種以上。n 作為上述離子捕捉劑，例如可列舉：鋁碳 (hydrotaldte)類、氫氧化鉍等。 '吴獨使用:戈者併用2種或2種以上。—隹子捕捉制，可單接著，參照圖2,就使用上述黏著片12半的製造方法加以說明。干^肢衣置本實施方式之半導體裝置的製造方法，包括將半導體元件13暫時固定於基板或ί v線木（被黏者體，以下簡稱為基板等）η上之步驟；於半導體元件13上進行打線接合之打線接合步驟疋利用密封樹脂15將半導體元件13加以密封之密封步驟。’ 上述暫時固定步驟，如圖2 (a)所示，為經由黏 12將半導體元件13暫時固定於基板等u上之步驟。將半導體元件13暫_定於基板等11上之暫時固定^ 法，例如可列舉：將黏著片12積層於基板等u上，然後以打線接合面成為上側之方式，於黏著片12上依序積層半導體tl件13且使其暫時固定之方法。另外，亦可預先將暫時固定有黏著片12之半導體元件13暫時固定於上之後進行積層。 f外、，於本發明中，對於半導體元件13的厚度並無特別限疋。通第，其厚度為小於等於2⑻μηι，但本發明亦適用於例如厚度為小於等於動,進而是厚度為25〜5〇卿之半導體元件。若將經薄型化之半導體元件13暫時固定於 21 200834832 Z0 73lpif.doc 基板ϊ 11上，則冒成為半導體元件13翹曲成凹狀或凸狀 ^狀=、'Ό果，產生以下問題：與基板η之間產生間隙，無，獲得高可靠性的半導體裝置。但是，於本發明中，藉由貝盯後迷之密封步驟，可將半導體元件13 _於基板等 11上並且填基韻:間。以下就其詳細内容加以說明。

、作為上述基板，可使用先前眾所周知的基板。另外，作為亡述導線架’可使用Cu導線架、42她以合幻導線架等金屬導線架，及由玻璃環氧、Βτ (雙馬來醯亞胺_ 二ΐ)、聚酸亞胺等所構成之有機基板。但是，本發明並不此，亦包括封裝有半導體元件且能夠與半導體元件 %連接而使用之電路基板。 ^物線接合步驟，是利_線16而將基板等U的卜沾^!内口Η丨線’ _er lead)的前端與半導體元件13 極塾（未圖示）進行電連接之步驟（參照圖2(b))。接線16 ’例如制金線、_或銅線等。進行打 =接A之溫度在80〜25(rc，較好的是8Q〜22()。〇之範圍 ;::外，熱時間為數秒〜數分鐘。接線，是於加敎 c圍内之狀態下，藉由併用超音波的振與知加加壓的壓接能量而進行。驟是在不進行使雌著片12之固定的情況下實仃:另外，本步驟之過程中，並未經 :件丨職等η加以固定。其中，較好的是， =^的溫度範_，黏接片12的剪切黏著力亦大於寺於〇.2MPa。其在於，若在該溫度範關剪切黏著 22 200834832 26731pif.doc 力小於0·2 :使半導體元件移動，上述密封步驟，是經由密封樹脂基板等11上的半導體元件13及接線16。本步f 例如使用環氧系樹脂。進 nst溫度下進行6〇〜9G秒；但本發明限如於150〜20(TC下進行幾分鐘硬化 ^於此，例於進行樹脂密封時，亦可加厣。h :本步驟中，的是™更好加f的壓穴較好的壓力，則可經由黏著片12f丰逡雕右轭加该乾圍内 ^ 肸+導體元件13固定於其叔寻η上’並且’可將存在於兩者之夕科里, 基板4丨〗與半導體元件13 之‘者_ ’較好的是大於等於9G% =不^於，若._、於· 方面不冒出現問題。另外，所謂黏著片12將半導體元件13盥其貝疋相、、工由’占者含黏著片基方板之寺區=連接之區域，並不包產生’於密封步驟後’亦可實行使密封樹脂]5 一更化（post cure)之後硬化步驟。於本步驟中， 23 200834832 26731pif.doc 使上述密封步驟中硬化不足的密封樹脂15完全硬化。本步驟中之加熱溫度，根據密封樹脂的種類而有所不同，例如是在150〜200°C之範圍内，加熱時間為〇 5〜8小時左右。 (實施形態2 ) 以下，參照圖3，對於本發明實施形態2之半導體裝置的衣k方法加以說明。圖3是用以說明本實施形態之導體裝置的製造方法的步驟圖。本貝轭形悲之半導體裝置，與上述實施形態〗之體裝置相比較，不同之處在於：將多個半導體元件加以产層而進行3+維封裝。更詳細而言，不同之處在於：包括^ 由上述黏著片而將其他半導體元件積層於半導體元件: 步驟。〈首先，如圖3 (a)所示，將切成規定尺寸的至 2 上的黏著片12黏附於作為被黏著體之基板等^ 接者’以接線面成為上側之方式，將半導體株固定於黏著片12上（參照圖3 進 3 =部分將黏著片14黏附於半導崎 3⑹）。進而，以接線面成為上側 2'、?、圖 13暫時固定於黏著片14上（參照圖3^^ + >體元件杏行^接t3(e)所示，在不實行加熱步驟的情況下幽合步驟。藉此’利用接線巧下，中的電極墊與基板等η進行電連接。寸牛¥肢兀件13 繼而，實行經由密封樹脂對半導密封步驟，使宓封丹浐麻儿 ' 牛加以密封之郑使在封树月曰硬化，並且經由泰著片12、心2 24 200834832 26731pif.doc 板等11與半導體元件13之間、以及半導體元件13之間所產生的空隙加以填塞。於該密封步驟後，亦可實行後硬化步驟。根據本貫施方式，當對半導體元件進行3維封裝時，亦對基板等11與半導體元件13 #之間的空隙加以填埋，因此可以較高的良率製造高可靠性的半導體裝置。另外，可幾空隙地將半導體元件I3等確實地黏著固定於基板等 11上，因此能夠使半導體元件進一步薄型化。 (實施形態3) 以下，參照圖4，對本實施形態3之半導體裝置的製造方法加以說明。圖4是用以說明本實施形態之半導體裝置的製造方法的步驟圖。财詈例之半導體裝置，與上述實施形態2之半導體不同之處在於：經積層的半導體元件之間夾有間隔片。更詳細而言，不同之處在於：包括經由勒而將間^積層於半導體元件與半導體元件之間的步驟。如圖4 (a)〜圖4⑷所示，以與之方式，依序_著片12、半導體元㈣以二J 片Μ積層於基板等Π上而進行暫時固定 ^蔣 =片2!、黏著片14以及半導體元件於’义μ 上而進行暫時岐（參照圖4⑷〜圖者片14 接著，如圖4(g)所示，在不實行 . 實行打線接a转、了加熱步驟的情況下，中的〜步猎此，利用接線16將半導〜杜Π 中的電極墊與基板等η進行電連接。#肢兀件13 25 200834832 ^o/Jipif.doc 接者，貫行經由密封樹脂對半導體元件13加以密封步驊，使密封樹脂硬化，並且經由黏著片14而^基 η與㈣體13 、以及於半導體元件13之填塞。於密封步驟後，亦可實行後硬化步糟由貝订以上的I造步驟，可獲得本實施形態之半導置。、先相隔片21並無特別限^，例如可使用先刖水所周知的矽晶片、聚醯亞胺薄膜等。 (實施形態4) '' 、以下’參照圖5，對本實施形態4之半導體裝置的制造方法加以說明。圖5是用以說明本實 ^ 置的製造方法的步驟圖。 ^及千泠版衣曰圓lia)所示，將黏著片12,黏附於半導體 ΓΞΛ 附有雜片之半導體晶圓。接著，使=體晶圓π與切割保護膠帶（dicingtape) 33相貼合以m 進而&附有黏者片的半導體晶圓切割小，而使其成為晶片狀（參照圖5(c))，再將附有黏著劑的晶片自切割保護帶33上剝離。、、

將附接Π5⑷所示’以接線面成為上側之方式， :: ::接片12的半導體元件13暫時固定於基板等U 寸不同的半方式，_ 31的尺了 = + 件32暫時岐於半導體元件13上。妓綠著’如圖5⑷所示’實行接線步驟.。藉此，利用 ‘千¥版7〇件13、32上的電極墊與基板等u進行 26 200834832 26731pif.doc 電運接。私ΐ著=行經由密封樹脂對半導體元件13、32加以穷封之密封步驟，使密封樹脂硬化山，使基板等η與半導體元件13之間與半導體元件32之間得到 —牛V版το件13 可實行後硬化步驟。藉由〜。’於密封步驟後，亦實施形態之半導體裝置/仃Λ上的‘造步驟，可獲得本 (實施形態5) 以下，爹照圖6，就本實施形造方法加以說明。圖6是用以〜w千^版衣置的製置的製造方法的步_。w本貫麵態之半導體裝積層於切割保護㈣上之\不=== 圓13’積層於黏著片12丨上。將+¥肢日日首先’如圖6 (a)所示，將對莫y 護帶33上。進而，將半導體曰門=片12移層於切割保上ί夂π m a m、®暫時固定於黏著片12丨 t t ㈤）°進而’將附有_之半導體曰^ 2成規定的大小，而使其成為晶片 =^曰曰圓切再將附I㈣之晶片自切割保護帶33上亲峰、、固6⑷），接者，如圖6⑷所示，以接線$ 將附有_>M2之半導體元件13式，而，以接線面成為上側之方式，將附有小不同的半導體元件32暫時固定於半導體元:= 27 200834832 26731pif.doc 13的電極_，對半 —接者’如圖6(e)所示，在不實行加熱步驟貫行打線接合步驟。藉此，_ 月= %上:電極塾與基板等”上的内部連接用 =，實行經由_樹脂將半賴元件加封封步驟，使密封樹脂硬化，並且經由黏著片工二與半導體元件13之間、以及半導體福= 體70件32之間得到固另外，於密封步驟後，亦; 後硬化步驟。藉由實行以上的f '貝仃態之半導«置。 &找㈣，可婦本實施形 (實施形態6) 以下，參照圖7及圖8，對太每匕乙置的製造方法加以說明。圖7以:=:，半導體裝口 /疋用以祝明本實施形態之半 ^二置的製造方法的步驟圖。圖δ是表卿 =導體裝置的製造方法而獲得之半導體裝置的二麟壯^實施形態之半導體裝置，與上述實施形態3之半導脰衣置i目比較，不同之處在於：採用核心材料作為間隔片、。百先，以與上述實_5同樣之方式，將 = 上。進而’將半導體晶圓Η,黏附於 iti f而，將附有黏接片之半導體晶圓切割成規而使其成為晶片狀，將附有黏著劑之晶片自保心33上剝離。藉此’獲得具有黏著片12之半導體元 28 200834832 26731pif.doc 件13。圖7 (另a))方:枯於切割保護帶33上形成黏著片41 (參昭

7 (b)) X心材料42黏附於該黏著片4】上（表昭B 7 (b))。進而，切割成規定X、、、圖照圖7( C))，將附 ^、成^曰片狀（參接著，1之日日片狀的核心材料42，。接者以接線面成為上側式上述半導體元件13暫時固定於Λ 7由^者片12而將黏著片41’而將核心材料4、土半^^經由而，以接線面成為70件13上。進元件η暫時固=^之4方式，經由黏著片12而將半導體步驟，可獲得本杏於^料42’上。藉由實行以上的製造于本戶、轭形怨之半導體裝置。藉此二用$:=加+熱步驟的情況下’實行接線步驟。 11上的=!=導體元件13上的電極塾與基板等 ,,者接用線進行電連接（參照圖8)。封牛行經由密封樹脂對半導體元件加以贿之穷化步驟。藉于由每ϋ夕卜制於密封步驟後，亦可實行後硬半導體農置。衣造步驟，可獲得本實施形態之甲所’對於上述核心材料並無特別限定，可使用先前 4人所周知的核心材斜。M 彳災用尤月j 亞胺薄膜、聚__、二“ J使用薄膜（例如聚酿膜I對本—甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘 29 200834832 26731pif.doc 二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等）、經玻璃纖維及塑朦製不織纖維強化之樹脂基板、鏡面石夕晶圓（mirror silic〇n wafer)、矽基板或者玻璃基板等。 (實施形態7) 以下，參照圖9，對本實施形態7之半導體裝置的製造方法加以說明。圖9是用以說明本實施形態之半導體裝置的製造方法的步驟圖。、本實施形態之半導體裝置的製造方法，與上述實施形悲6之半導體裝置的製造方法相比較，不同之處在於：對於核心材料，替代切割，而是藉由對其進行衝壓等來♦涵晶片化。只見首先’以與上述實施形態6同樣之方式，獲得著片12之半導體元件13。另一方面，將核心材料幻‘ 於黏著片41上。進而，藉由衝壓等方法使其成為規定成為晶片狀，從而獲得具有黏著片41'之晶片狀核心材接著，以與上述實施例6同樣之方式，經由 41，依序將核心材料42，以及半導體 2、暫時固定。 $力口以積層而進行進而，貫订打線接合步驟、密封步驟，且 κ 行後硬化步驟’钱可獲得本實施形態之半導體=要貫

(其他事項） H Q 當將半導體元件3維封裂於上述基板等有半導體元件的電路之面之侧，於形成側形成有緩衝膜（buffer 200834832 /〇/Jipif.doc coat)。作為該緩衝膜，例如可列舉胺樹脂等耐熱樹脂所構成之緩衝膜由氮化矽膜及聚醯亞用之:著卜片於3 f:裝時’各階段所使據製造條件或用==地=成之黏著片’亦可根

另外，上述實施形態中所述之積 =積=法’可根據需要而適當地改變二之半導體裝置的製造方法中，亦能夠以上述實 =所述之積層方法將第2階段以後的半導體元件加以私層。另外，於上述實施形態中，對於當將多個半導體元件積層於基板等上之後-次性實行打線接合步驟之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於此。例如，亦可於每二I 將半導體元件積層於基板等上時實行打線接合步驟。 [實施例] 以下，例示性地詳細說明本發明之較佳實施例。其中，本貫施例中所記載之材料及調配量，只要無限定性的記載，則表示本發明之範圍並不限定於這些内容，本實施例僅為簡單的說明例。另外，對於各例中之「份」，只要無特別記載，則可作為任意的重量基準。 (實施例1 ) 首先，將40份的以丙稀酸丁酯為主成分之聚合物（根上工業（股）製造，PARACRON SN — 710)、37份的環氧樹脂（曰本環氧樹脂（股）公司製造，Epikote 1003)、23 31 200834832

ZO/3iplLd〇C ，騎樹脂（荒川化學（股）公司製造，P-18G)、3份的兴氰酸酯系交聯劑（商品名：c〇R〇NATE Ηχ，日本聚胺基甲酸_ (股）公司製造）、1G份的作為層狀石夕酸鹽之商品名’ Ca〇P Chemial公司製造，長徑的 1均长度為3.2 μιη，平均縱橫比為84)加以混合，使其溶解於=基乙基酮中’並加以婦，以製備濃度為2〇重量％之丙烯酸系黏著劑組成物的溶液。 • / .將此黏著劑組成物的溶液塗佈於由經聚矽氧、silicone)脫模處理的聚對笨二曱酸乙二醇酷、薄膜（厚度為㈣）所構成之脫模處理薄膜（核心材料）上之後^ 於120 C下乾餘3分鐘。藉此，製成於脫模處理薄膜上積層有厚度為25μιη_ί_之本實施例丨之黏著片。、 (實施例2 ) 、將以70份的丙烯酸2_乙基己酯及別分的丙稀酸正丁酉旨以及5份的丙馳作為構成單體之丙烯酸系共聚物、3 鲁知的異氰酸酯系交聯劑（商品名：CORONATE HX，曰本聚胺基曱酸酷（股）製造）、2〇份的作為層狀石夕酸鹽之

SomasifMEE (商品名，c〇-〇p chemical公司製造，長徑的平均長度為3.2 μιη，平均縱橫比為84)加以混合，使其 . 溶解於曱基乙基酮中，以製備濃度為2重量％之丙烯酸系考占著劑組成物的溶液。一進而，以與上述實施例1同樣之方式，製成於脫模處理薄膜上積層有厚度為26 μιη的黏著劑層之黏著片。 (比較例1) 32 200834832 2573Ipif.doc 本比較例1中，除於製備黏著劑組成物時不添加層狀矽酸鹽以外，其餘均以與實施例1同樣之方式製作本比較 _ 例1之黏著片。另外，黏著片中之黏著劑層的厚度為25 μπι。 (比較例2) 本比較例2中，除使用以丙稀酸酯系聚合物為主成分之聚合物（根上工業（股）製造，PARACRONSN-710) 來替代上述比較例1中所使用之丙烯酸丁酯以外，其餘均以與上述比較例1同樣之方式，製作本比較例2之黏著片。 _ 另外，黏著片中之黏著劑層的厚度為25 μπι。 (實施例3) 本實施例3中，除於上述實施例1中於製備丙烯酸系黏著劑時添加4 2份的層狀矽酸鹽以外，製備其餘與實施例 1為相同組成之丙烯酸系黏著劑。但是，由於添加42份的層狀矽酸鹽，故與實施例1以及實施例2之黏著片相比較，與有機樹脂組成物之相溶性降低，從而獲得不均勻分散之黏者片。 _ (實施例4) 於本實施例4中，除於製備黏著劑組成物時不添加份的作為層狀矽酸鹽之SomasifMEE (CO_〇p chemical (月又）製造，長位的平均長度為3.2 μιη，平均縱横比為g4) • 以外，其餘均以與實施例1同樣之方式，製作本實施例之 • 黏著片。另外，黏著片中之黏著劑層的厚度為25μιη。 (實施例5 ) 於本實施例5中，於製備黏著劑組成物時，除添加4〇 33 200834832 份的作為層狀石夕酸鹽之SomasifMEE (CO-OP Chemical (股）製造，長徑的平均長度為32 μπι，平均縱橫比為84) 以外，其餘均以與實施例1同樣之方式，製作本實施例之黏著片。另外，黏著片中之黏著劑層的厚度為25 μπι。 (實施例6 )

於本實施例6中，除添加5份的氮化硼（平均粒徑為 5 μπι，Tokuyama (股）製造，商品名·· GSP)來替代上述實施例1中使用的層狀矽酸鹽以外，其餘均以與實施例1 同樣之方式，製作本實施例之黏著片。另外，黏著片中之黏著劑層的厚度為25 μπι。 (實施例7) 於本實施例7中，於製備黏著劑組成物時，除了添加〇·〇9份的作為層狀矽酸鹽之s〇masif MEE( CCM；)p Chemial (月又）製造，長徑的平均長度為3·2 μπι，平均縱橫比為84) 以外，其餘均以與實施例1同樣之方式，製作本實施例之黏著片。另外，黏著片中之黏著劑層的厚度為25μηι。 (結果）雜上述實施例卜2、4〜7以及比較例i、2之黏著片’糟由以下方法對拉伸儲存彈性模數、剪切黏著力、切剔性、吸濕可靠性之各項進行評價。這些結果如表丨所示。 [拉伸儲存彈性模數] 、、r涂淑各味例中所使用之黏著齡成物的溶 :脫模處理之剝離刀上’進行乾燥，形成厚度為 100 _的黏著劑層。將該黏著劑層置於烘箱中於150g 34 200834832 ^/ilpi£d〇c ^置1 f時後，使用黏彈性測定裳置⑽eometrics公司製 =土，RSA- π ：)败各黏著劑層硬化後於細。。之拉伸贿雜模數。更詳“言，將樣品大小製成長3〇〇 :χ見）〇聰X厚（U mm，將測定樣品置於薄膜拉伸測定上於50 C〜250 C的溫度範圍内，於頻率1.0 Hz、變形^0.025%、升溫速度1〇t/分之條件下進行測定。 [頁切黏著力之測定]

對於上述實施例以及比較例中所製作之黏著片，以如下方式啦將黏著片暫時固㈣對基板的剪切黏著力。首先，將鋁蒸鍍晶圓進行切割，製成縱2 111111><橫2 厚500 μιη之晶片。經由各實施例或比較例中所獲得之黏著片，將該晶片晶粒黏著（die attach)於基板上，從而製成各試驗片。黏著片，是使用自間隔片上剝離後切斷成1 mm見方之黏著片。晶粒黏著，是於12〇它溫度下施加荷重（0.25 MPa)並加熱1秒之條件下，使用黏晶機（Die bonder)(新川（股）製SPA —300)進行。另外，作為基板，疋使用 UniMicron Technology Coip〇rati〇n 製造的 TFBGA16x!6 (2216 —001A01)(商品名）。此時，對於各實施例中所獲得之黏著片，可在不於黏著面上產生空隙白^ 情況下，將其暫時固定於基板及晶片上。男切黏著力的測疋’疋將各试驗片固定於能夠控制溫度的熱板上，利用推拉力計（push-pull gauge)將經晶片黏著之半導體元件以〇·1 mm/秒的速度進行水平擠壓，且於加溫至175°C下進行。另外，作為測定裝置，是使用Model 35 200834832 26731pif.doc —22)2 (商品名，AIK0H Engineering (股）製造）。另外，於晶片黏著後，並不實行各試驗片的加熱步驟。 1 [切割性評價] &於50。〇下，將切割保護帶（NBD —517〇k，日東電工 (股)。製）黏附於實施例及比較例中獲得之黏著片上包再於^)°C下將其黏附於晶目（直徑6英口寸，厚度15〇 _ 勺月面^後㊆查當使用切塊機⑽㈣加轉車由轉速仙讲。 • ΓΡϋ1、切斷速度50 mm/sec來將半導體元件切割（切斷’）成 5、mmx5 mm見方之尺寸時，是否有晶片飛出。將上述晶片飛出為小於等於1〇%時，視為無晶片飛出。 [打線接合性] 於12CTCX500 gfxi此0之條件下，將上述半導體元件晶粒接合（die bonding)於導線架的晶片墊板部分，然後使用115 KHz引線接合器（wire b〇nder)(新川製造：UTC 300 BIsuper)且利用φ25 m的金線（田中貴金屬製造 GMG —25)以下述條件進行打線接合。另外，完成全部的 _ 接線需要約1小時。當該步驟結束後，確認黏著片、半導體元件以及導線架的黏著狀態，各實施例之黏著片，即使經歷1小時的受熱歷程，亦不會完全固定，而是維持暫時固定之狀態。第一壓接加壓：80 g 第一壓接超音波強度：550 mW 弟一壓接加壓時間：1 〇 msec 第二壓接加壓：80 g 36 200834832 26731pif.doc 第二壓接超音波強度：500 mW 第二壓接加壓時間·· 8 msec [吸濕可靠性之評價] 以120°Cx5⑽gfxl sec之條件，將上述半導體元件晶粒接合於雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂基板上。隨後，於l8(rc 下經歷i小時的受熱歷程，經由環氧系密封樹脂（曰東電工製造，商品名·· HC — 300B6 )，使用模塑機（mould machine) (T0WA 製造，M〇dd — Y—系列），於口穴下，以預熱5又疋3秒、射出時間12秒、硬化時間12〇秒進行模塑。進而’以沉⑺小時之條件進行加熱硬化，從而獲得半導體封裝。，用恆溫恆濕裔’於溫度3()t：、相對濕度胆之 ’對此半導體封袭進行192小時的吸濕處理。隨 IR;eflow :衣中。將此日爾敦表面峰值 ==將封裝的中心部切斷，並對切斷面加二剝離者作為X。《見化片的剝離者作為〇，將有 200834832

uop^dle卜9CS1 【ί<】比較例2 ON 〇 1 0.05 I 〇 X 厂比較例1 | CJN 〇 1 0.15 1 90% X 實施例7 od 〇〇 0.48 100% X 實施例6 24.7 13.4 0.79 1 碟 100% 〇 |實施例5 | 30.5 41.2 1 0.35 1 碟 100% 〇實施例4 卜〇6 Η 1 0.52 1 碟 100% 〇實施例2 15.2 oo (Ν 0.57 碟 100% 〇實施例1 12.7 Ο ΓΠ ............ . -. ! 0.65 ι__ 碟 100% 〇錄¢1 〇 ^ T— Λ W Μ ^ ^ ^ ^ (Ν 剪切黏著力（MPa) 切割性（晶片飛出）| 打線接合性（成功率）碎痛： 200834832 26731pif.doc 根據表1可知，本發明之貫施例1、2、4〜7之黏箸片顯示良好的勇切黏著力以及切割性；因此可確認，藉由添 . 加層狀矽酸鹽、氮化硼等層狀黏土礦物，可抑制黏著性^ • 下降。另外可知，打線接合的成功率亦為1〇〇%，各實施例的之黏著片未發生剪切變形，打線接合性優異。另外， f實施例1、2、4〜6之黏著片中，於吸濕可靠性試驗中，择頁不，良好的剝離性，亦未發生剝離不良的情況。即，根 • 據各只靶例之黏接片可確認，藉由使用層狀矽酸鹽以及氮 2爛’/b夠提供具有目前為止所不具有的耐熱性及高可靠 '之，導體封裝。相對於此，比較例卜2中所揭示之先未脂所構成之黏著劑的剪切黏著力，於加溫下並接二黏著力，於進行打線接合時發生晶片偏移等於二==°人另外’#使用比較例卜2之黏著片時，彝丨生°式驗中發生剝離不良。【圖式簡單說明】 • 1 造方以::說明本發明實施形態1之半導體裝置的製造方說明本發明實施形態2之半導體装置的製造方說明本發明實施形態3之半導體裳置的製圖5疋用以說明本發明實施形態4之半導體裝置的製 200834832 zo/Jipif.doc 造方法的步驟圖。圖6是用以說明本發明實施形態5之半導體裝置的製 r 造方法的步驟圖。圖7是用以說明本發明實施形態6之半導體裝置的製造方法的步驟圖。圖8是表示藉由上述實施形態6之半導裝置的製造方法所獲得之半導體裝置的概略的剖面圖。圖9是用以說明本發明實施形態7之半導體裝置的製造方法的步驟圖。【主要元件符號說明】 10 :黏著片 10a ·核心材料 l〇b :黏著劑層 11 :基板等（被黏著體） 12 :黏著片 12^黏著片 • B:半導體元件 13’ ：半導體晶圓 14 :黏著片 15 :密封樹脂 - 16 :接線， 21 :間隔片 31 :黏著片 32 :半導體元件 40 200834832 zo/jipn.doc 33 ··切割保護帶 41 :黏著片 4Γ :黏著片 42 ·核心材料 42’ ：核心材料

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Claims

200834832 26731pif.doc 十、申請專利範圍： 1·一種半導體裝置製造用黏著片，其B … 一黏著於被黏著體上，而對此半導體元件7半導體兀件使用，其特徵在於：含有親油性之層狀黏=2接合時所 2·如申请專利範圍第丨項所述之半壯著片’其中上述層狀黏土礦物之含量，相對二衣仏用黏著片之黏著劑组成物重量份，在Q 2構成上述黏圍内。牧.1 40重量份之範 3.如申請專利範圍第丨項所述之半導著片，其中該黏著片於175t；之條件下用黏有0.2〜2MPa範圍内之剪切黏著力。、U部占者體具荖請專概㈣1項所述之半導體裝置製造用黏 =中硬化前於12()t之拉伸儲存彈性模數為大於等 :x Pa ’硬化後於之拉伸儲存雜模數等於50 MPa。 —5·如申鱗利範圍第2項所述之半導體裝置製造用黏著片，其中上述黏著劑組成物含有熱塑性樹脂。 ^ 6·如申請專利範圍第2項所述之半導體裝置製造用黏著片，其中上述黏著劑組成物含有熱固性樹脂與熱塑性樹脂之兩者。 7·如申請專利範圍第5項所述之半導體裝置製造用黏著片，其中上述熱塑性樹脂為丙烯酸樹脂。 8·如申請專利範圍第6項所述之半導體裝置製造用黏著片，其中上述熱塑性樹脂為丙烯酸樹脂。 42 200834832 zo/Jipif.doc 9·如申凊專利範圍第6項所述之著片，其中上述熱固性樹脂為環氣導體I置製造用勒少任一種。、月曰或者酚樹脂中之至 10.如申請專利範圍第2項所述黏著片，其中上述黏著娜成物為 ^體裝置製造用丙烯酸樹脂；相對於丙烯酸樹脂成分]=知:酚樹脂以及脂以及酚樹脂之混合量為10〜200重量fV重里份，環氧樹

11·如申請專利範圍第1〇項所黏著片，其中添加有交聯劑。蛉肢裝置製造用與著1 片第11項㈣之半㈣裝置製造用重；ΪΓ劑之添加量，相對於上述丙烯酸樹月曰100重里伤，為0·05〜7重量份。導體裝置製造用平均長度在0.01 Β♦如申請專利範圍第1項所述之半黏者片，其中上遠層狀黏土礦物之長徑之〜100 μπι之範圍内。 >14.如找專利範圍第！項所述之半導體裝置製造用黏著片，其中上述層狀黏土礦物之縱橫比在20〜500之範圍内。 15.如申清專利範圍第1項所述之半導體裝置製造用黏著片，其中上述層狀黏土礦物為層狀矽酸鹽。 16·—種半導體裝置的製造方法，其特徵在於包括：經由含有親油性的層狀黏土礦物之半導體裝置製造用黏著片，將半導體元件暫時固定於被黏著體上之暫時固著步驟； 43 200834832 zo/jipif.doc 對上w讀如域接合利用密封樹脂將上述半導接驟，驟及、千¥脰凡件加以密封之密封步驟將經密封的構造物切斷成個別的半導體裝置之切斷步 Π.如申請專利範圍第16_叙半導、生方法，其中上逑被黏著體為基板、導線者元H ，中已括.利用密封樹脂將上述半導體元件加以密 ί之後封轉、及耻述密騎朗行後硬化之後硬化步驟， =上述密封步驟或者後硬化步驟中之至少任一步驟中、’藉由加熱使密封樹脂硬化，並且，經由上述半導體元件與被黏著體固定。 19·如申明專利範圍第丨6項所述之半導體裝置的製造方法，其中上述打線接合步驟在8〇t〜25(rc的範圍^進行。 20.如申請專利範圍第16項所述之半導體裝置的製造方法，其中使用層狀矽酸鹽作為上述層狀黏土礦物。、 44