JP2010001453A - 接着フィルム、接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、例えばダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる接着フィルム及び接着シート、並びにそれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルム１は、高タック面Ａと低タック面Ｂとを有する。高タック面Ａは第１熱可塑性樹脂を含み、低タック面Ｂは第２熱可塑性樹脂を含む。第１熱可塑性樹脂のガラス転移温度は０℃以上４０℃未満であり、第２熱可塑性樹脂のガラス転移温度は４０℃以上８０℃未満である。接着フィルム１は、第１熱可塑性樹脂を含む第１ワニスと第２熱可塑性樹脂を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布した後、乾燥することによって基材上に形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、接着フィルム、接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体チップを支持部材に実装する際、半導体チップと支持部材とを接着するダイボンディング材として、従来は主に銀ペーストが用いられてきた。しかし、半導体チップの小型化・高性能化、並びに使用される支持部材の小型化・細密化にともなって、銀ペーストを用いる方法では、銀ペーストのはみ出しや、半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時の不具合の発生のような問題が顕在化している。そのため、近年は銀ペーストに代えて接着フィルム（半導体用接着フィルム）が使用されるようになってきた。

接着フィルムを使用して半導体装置を得る方式としては、個片貼り付け方式及びウェハ裏面貼り付け方式がある。

個片貼り付け方式では、リール状の接着フィルムからカッティング又はパンチングによって個片を切り出し、この接着フィルムの個片を支持部材に接着する。支持部材に接着された接着フィルムを介して、別途ダイシング工程によって個片化された半導体チップが支持部材に接合される。その後、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経て半導体装置が得られる。しかし、個片貼り付け方式の場合、接着フィルムを個片に切り出して支持部材に接着するための専用の組立装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。

ウェハ裏面貼り付け方式では、まず、半導体ウェハの裏面に接着フィルム及びダイシングテープをこの順で貼り合わせる。そして、半導体ウェハをダイシングして複数の半導体チップに分割するとともに、接着フィルムをそれぞれの半導体チップ毎に切断する。その後、半導体チップをその裏面に積層された接着フィルムとともにピックアップし、接着フィルムを介して半導体チップを支持部材に接合する。その後、更に加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経て半導体装置が得られる。ウェハ裏面貼り付け方式の場合、接着フィルムを個片化するための組立装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置を、そのまま又は熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着フィルムを用いた方法の中では、製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。

特に、近年は半導体装置の作製工程の簡略化を目的とし、ウェハ裏面貼り付け方式が主に用いられている（例えば特許文献１参照）。
特開２００５−１１８３９号公報

近年、半導体装置の小型化、薄型化を達成するために、半導体ウェハの薄型化が進んでいる。そのため、低温で半導体ウェハの裏面にラミネートでき、且つピックアップ工程時にはダイシングテープから容易に剥離できる接着フィルムが強く望まれている。しかし、これまでの一種類のワニスから作成された接着フィルムでは、半導体ウェハの裏面にラミネートする温度を十分低温にできない。また、低温でラミネートできたとしても、室温付近における接着フィルムのタック性に起因してダイシングテープから接着フィルムを剥離することは容易でない。

本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、例えばダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる接着フィルム及び接着シート、並びにそれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明の接着フィルムは、一方の面と他方の面とを有する接着フィルムであって、前記一方の面は第１熱可塑性樹脂を含み、前記他方の面は第２熱可塑性樹脂を含み、前記第１熱可塑性樹脂のガラス転移温度は０℃以上４０℃未満であり、前記第２熱可塑性樹脂のガラス転移温度は４０℃以上８０℃未満であり、前記第１熱可塑性樹脂を含む第１ワニスと前記第２熱可塑性樹脂を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布した後、乾燥することによって前記基材上に形成される。

本発明の接着フィルムによれば、接着フィルムの一方の面（高タック面）を例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、接着フィルムの他方の面（低タック面）を例えばダイシングシート等の部材に貼り付ければ接着フィルムをダイシングシートから容易に剥離することができる。その結果、例えば半導体ウェハをダイシングした後に、得られる半導体チップをダイシングシートから容易にピックアップすることができる。

また、主として第１熱可塑性樹脂を含む第１層と、主として第２熱可塑性樹脂を含む第２層とが一体化される。そのため、第１層と第２層との界面をなくすことができるので、第１層と第２層とが分離し難くなる。さらに、第１ワニスと第２ワニスとを同時に乾燥させるので、接着フィルムの製造コストを大幅に低減できると共に、接着フィルムの更なる薄膜化を実現できる。

なお、第１ワニス上に第２ワニスを重ねて塗布してもよいし、第２ワニス上に第１ワニスを重ねて塗布してもよい。

上記接着フィルムは、熱硬化性樹脂及び無機フィラーを含有することが好ましい。熱硬化性樹脂を含む接着フィルムでは、高温でのせん断接着力が高くなる。また、無機フィラーを含む接着フィルムでは、破断強度の向上、引張破断伸びの低減、取り扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与を実現できる。

本発明の接着シートは、ダイシングシートと、前記ダイシングシートに積層された本発明の接着フィルムと、を備える。

本発明の接着シートは上記接着フィルムを備えているので、接着フィルムの一方の面（高タック面）を例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、接着フィルムの他方の面（低タック面）をダイシングシートから容易に剥離することができる。

本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に接続される被着体と、本発明の接着フィルムの硬化物からなり、前記半導体素子と前記被着体との間に配置され、前記半導体素子と前記被着体とを接続する接続層と、を備える。

本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の接着フィルムの前記一方の面を半導体ウェハに貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハを切断する工程と、を含む。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、接着フィルムの一方の面（高タック面）を半導体ウェハに低温で貼り付けることができる。また、半導体ウェハを切断した後に、接着フィルムの他方の面（低タック面）を例えばダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる。

本発明によれば、例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、例えばダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる接着フィルム及び接着シート、並びにそれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法が提供される。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
＜接着フィルム＞

図１は、実施形態に係る接着フィルムを模式的に示す断面図である。図１に示される接着フィルム１は、幅１〜２０ｍｍ程度又は幅１０〜５０ｃｍ程度の帯状とし、巻き芯に巻いた形態で搬送することが好ましい。接着フィルム１は、半導体素子と被着体とを接着するダイボンディングフィルムである。被着体としては、支持部材、半導体素子等が挙げられる。

接着フィルム１は、高タック面Ａ（一方の面）と低タック面Ｂ（他方の面）とを有する。高タック面Ａは第１接着剤樹脂組成物を含んでおり、低タック面Ｂは第１接着剤樹脂組成物とは異なる第２接着剤樹脂組成物を含んでいる。すなわち、接着フィルム１は２種類の接着剤樹脂組成物を含有する。第１接着剤樹脂組成物は第１熱可塑性樹脂を含み、第２接着剤樹脂組成物は第２熱可塑性樹脂を含んでいる。

第１熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ１）は０℃以上４０℃未満である。接着フィルム１のラミネート性の観点から、Ｔｇ１は３５℃以下がより好ましく、３０℃以下が更に好ましい。一方、室温における接着フィルム１の取り扱い性の観点から、Ｔｇ１は５℃以上がより好ましい。

第２熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ２）は４０℃以上８０℃未満である。ピックアップ工程におけるダイシングテープとの容易剥離の観点から、Ｔｇ２は４５℃以上がより好ましく、５０℃以上が更に好ましい。Ｔｇ２が低すぎると接着フィルム１のタック性が向上するため、密着しやすくなってしまう。一方、ピックアップ工程後のダイボンド温度の観点から、Ｔｇ２は７５℃以下が好ましく、７０℃以下がより好ましい。ダイボンド温度が高すぎると、ダイボンド時のチップ反りが起こり易くなる傾向にある。

また、接着フィルム１は、第１熱可塑性樹脂を含む第１ワニスと第２熱可塑性樹脂を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布した後、乾燥することによって基材上に形成される。

本実施形態の接着フィルム１によれば、接着フィルム１の高タック面Ａを例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、接着フィルム１の低タック面Ｂを例えばダイシングシート等の部材に貼り付ければ接着フィルム１をダイシングシートから容易に剥離することができる。その結果、例えば半導体ウェハをダイシングした後に、得られる半導体素子をダイシングシートから容易にピックアップすることができる。さらに、接着フィルム１は、耐リフロー性を含めた耐熱性及び耐湿性を備えている。

接着フィルム１は、例えば６０℃以下で半導体ウェハに貼り付け可能である。ここで、所定の温度に保持された接着フィルム１を、必要に応じて加圧しながら半導体ウェハに貼り付けたときに、接着フィルム１が半導体ウェハから自然に剥れない程度に固定されれば、貼り付け可能であると判断される。より具体的には、例えば、接着フィルム１と半導体ウェハとの界面におけるピール強度が２０Ｎ／ｍ以上であればよい。接着フィルム１は、例えば、６０℃以下の温度に設定されたホットロールラミネータを用いて半導体ウェハに貼り付けられる。ピール強度の測定は、２５℃の雰囲気中、引張り角度９０°、引張り速度５０ｍｍ／分として行われる。例えば、フィラーの含有量を小さくしたり、接着フィルム１の高タック面Ａに含まれる熱可塑性樹脂のＴｇ１を低くすることにより、６０℃以下で半導体ウェハに貼り付け可能な接着フィルム１が得られる。接着フィルム１を半導体ウェハに貼り付け可能な温度は、より好ましくは５０℃以下、更に好ましくは４０℃以下である。

熱可塑性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂等が好ましい。

接着フィルム１に使用される２種類のワニスにはそれぞれ、熱可塑性樹脂に加え、同じもしくは異なった熱硬化性樹脂（熱硬化性成分）、及び無機フィラーを材料として使用しても良い。

接着フィルム１は、上記熱可塑性樹脂に加えて、熱硬化性成分及び／又は無機フィラーを含有していてもよい。熱硬化性成分は、加熱により３次元的網目構造を形成して硬化し得る成分である。例えば、熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂とその硬化剤及び／又は硬化促進剤とから構成される。熱硬化性成分を用いることにより、高温でのせん断接着力が高くなる傾向がある。ただし、熱硬化性成分を用いると高温でのピール接着力は逆に低下する傾向があるため、使用目的に応じて、熱硬化性成分の使用の有無を適宜選択するのがよい。

熱硬化性樹脂の量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、好ましくは１〜１００質量部、より好ましくは１〜５０質量部である。１００質量部を超えるとフィルム形成性が低下する傾向がある。

熱硬化性樹脂は、好ましくはエポキシ樹脂、及び２個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物から選ばれる。

熱硬化性樹脂として用いられるエポキシ樹脂は、２個以上のエポキシ基を有する化合物である。硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が好ましい。フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ若しくはハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、及びビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテルが挙げられる。エポキシ当量が１００〜５００のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。

熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、その硬化剤としてフェノール樹脂が好適に用いられる。フェノール樹脂のＯＨ当量は５０〜６００であることが好ましい。フェノール樹脂は、一般的に、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物である。フェノール樹脂の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、及びフェノールアラルキル樹脂が挙げられる。フェノール樹脂を用いる場合、その量はエポキシ樹脂１００質量部に対して、好ましくは１〜３００質量部、より好ましくは１〜１５０質量部、更に好ましくは１〜１２０質量部である。３００質量部を超えると硬化性が低下する傾向がある。

エポキシ樹脂と組合わせられる硬化剤又は硬化促進剤としては、フェノール樹脂の他に、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレートが用いられる。これらは、２種以上を併用してもよい。硬化促進剤の量はエポキシ樹脂１００質量部に対し、好ましくは０〜５０質量部、より好ましくは０．１〜５０質量部、更に好ましくは０．１〜２０質量部である。硬化促進剤の量が５０質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。

エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び硬化促進剤を組合わせて用いる場合、接着フィルム１の組成は、例えば、ポリイミド樹脂１００質量部に対しエポキシ樹脂が１〜１００質量部、フェノール樹脂がエポキシ樹脂１００質量部に対し１〜６００質量部、硬化促進剤がエポキシ樹脂１００質量部に対し０〜５０質量部である。

熱硬化性樹脂として用いられるイミド化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、１，４−ビス（ｐ−マレイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイミドクミル）ベンゼン、及び下記式（ＩＶ）、（Ｖ）又は（ＶＩ）で表されるイミド化合物がある。

式（ＩＶ）中、Ｘ^１は−Ｏ−、−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−、−ＳＯ_２−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−又は−Ｃ（ＣＦ_３）_２−を示し、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３及びＲ^１４はそれぞれ独立に水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｚ^１はエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。

式（Ｖ）中、Ｘ^２は−Ｏ−、−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−、−ＳＯ_２−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−又は−Ｃ（ＣＦ_３）_２−を示し、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７及びＲ^１８はそれぞれ独立に水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Ｚ^２はエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。

式（ＶＩ）中、ｒは０〜４の整数を示し、Ｚ_３はエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。

式（ＩＶ）のイミド化合物としては、例えば、４，４’−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４’−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミド−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミドジフェニルスルホン、４，４’−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、４，４’−ビスマレイミドジフェニルケトン、２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４，４’−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパンがある。

式（Ｖ）のイミド化合物としては、例えば、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕フルオロメタン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕ケトン、２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパンがある。

これらイミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合開始剤を使用してもよい。ラジカル重合開始剤としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、及びアゾビスイソブチロニトリル等がある。ラジカル重合開始剤の使用量は、イミド化合物１００質量部に対して概ね０．０１〜１．０質量部が好ましい。

無機フィラーは、Ｂステージ状態の接着フィルム１の破断強度の向上及び引張破断伸びの低減や、取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的として用いられる。フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉及び銅粉から選らばれる導電性フィラーや、無機物質を含む非金属系の無機フィラーが用いられる。

無機フィラーを構成する無機物質としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ及びアンチモン酸化物が挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカが好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、及び非晶性シリカが好ましい。また、耐湿性を向上させるためにはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、及びアンチモン酸化物が好ましい。複数種のフィラーを併用してもよい。

フィラーの含有量を大きくすることにより、接着フィルム１の破断強度を上昇させたり、弾性率を高めたり、じん性を大きくしたりすることが可能である。ただし、フィラーの含有量を大きくしすぎると、接着フィルム１の接着性が低下して、耐リフロークラック性が低下する傾向がある。特に、有機基板のような凹凸表面を有する被着体と半導体チップとの接着に用いられたときに接着層が破壊し易くなる。また、フィラーが増えると接着フィルム１を半導体ウェハへ貼り付け可能な温度が上昇する傾向がある。このような観点から、フィラーの含有量は、接着フィルム１の全質量に対して８０質量％未満であることが好ましく、６０質量％未満であることがより好ましく、４０質量％未満であることが更に好ましく、３０質量％未満であることが特に好ましい。フィラーの含有量は、ポリイミド樹脂１００質量部に対し１質量部以上が好ましく、３質量部以上がより好ましい。

接着フィルム１は、半導体チップ搭載用の支持部材に半導体チップを搭載する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有することが好ましい。その為、耐リフロークラック性試験をパスしていることが好ましい。接着強度を指標にして接着フィルム１の耐リフロークラック性を評価することができる。良好な耐リフロークラック性を得るためには、４×２ｍｍ角の接着面積で接着フィルム１を半導体ウェハに接着したときに、ピール強度が初期に１．０ｋｇ／ｃｍ以上、８５℃／８５％の雰囲気下で４８時間放置した後に０．５ｋｇ／ｃｍ以上であることが好ましい。初期のピール強度は１．３ｋｇ以上であることがより好ましく、１．５ｋｇ／ｃｍ以上であることが更に好ましい。８５℃／８５％の雰囲気下で４８時間放置した後のピール強度は０．７ｋｇ／ｃｍ以上であることがより好ましく、０．８ｋｇ／ｃｍ以上であることが更に好ましい。

接着フィルム１は、例えばＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子と被着体とを貼り合せるためのダイボンディング用接着フィルムとして用いられる。被着体としては、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ポリイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの、アルミナ等のセラミックスからなる半導体搭載用の支持部材等が挙げられる。接着フィルム１は、表面に凹凸を有する有機基板と半導体素子とを接着するためのダイボンディング用接着フィルムとして好適に用いられる。表面に凹凸を有する有機基板としては、例えば、表面に有機レジスト層を有する有機基板、表面に配線を有する有機基板等が挙げられる。

また、接着フィルム１は、複数の半導体素子を積み重ねた構造を有するＳｔａｃｋｅｄ−ＰＫＧにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着フィルムとしても好適に用いられる。

図２は、本実施形態に係る接着フィルムの製造方法を模式的に示す工程断面図である。まず、図２（ａ）に示されるように、ＰＥＴ等からなる基材２上に第２接着剤樹脂組成物及び有機溶媒を含む第２ワニスを塗布する。これにより、基材２上に第２ワニス層１ｂが形成される。続いて、図２（ｂ）に示されるように、第２ワニスに重ねて、第１接着剤樹脂組成物及び有機溶媒を含む第１ワニスを塗布する。これにより、第２ワニス層１ｂ上に第１ワニス層１ａが形成される。第２ワニス層１ｂ及び第１ワニス層１ａは、塗膜である。

第１ワニス及び第２ワニスは、第１接着剤樹脂組成物及び第２接着剤樹脂組成物を有機溶媒中で混合及び混練することにより、調製される。混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。

有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられる。これらは単独で又は二種以上を組み合わせ使用することができる。

基材２は、後述の加熱乾燥に耐えるものであれば特に限定するものではなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。これらのフィルムを２種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理された基材２であってもよい。基材２を接着フィルム１の支持体としてそのまま用いてもよい。

第２ワニス層１ｂ及び第１ワニス層１ａの厚みに特に制約はないが、高タック面Ａを形成するための第１ワニス層１ａの厚みが、低タック面Ｂを形成するための第２ワニス層１ｂの厚みよりも薄くなることが好ましい。例えば、総厚２０μｍの接着フィルム１を得る場合、第１ワニス層１ａの乾燥後の厚みが１〜８μｍ程度、第２ワニス層１ｂの乾燥後の厚みが１２〜１９μｍ程度となるように、第１ワニス及び第２ワニスの塗布量を調整することが好ましい。高タック面Ａを形成するための第１ワニス層１ａの厚みが厚くなると、ダイシングの際に発生するバリのタック強度が増大する。その結果、隣り合う半導体チップ同士が融着し、ピックアップミスが発生する傾向にある。

続いて、第２ワニス層１ｂ及び第１ワニス層１ａを乾燥させることによって、図２（ｃ）に示されるように、基材２上に接着フィルム１を形成する。加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常５０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。その後、基材２を剥離除去する。

これにより、主として第１接着剤樹脂組成物を含む第１層と、主として第２接着剤樹脂組成物を含む第２層とが一体化される。そのため、第１層と第２層との界面をなくすことができるので、第１層と第２層とが分離し難くなる。さらに、第１ワニスと第２ワニスとを同時に乾燥させるので、個別に作製した接着フィルム同士を貼り合わせる場合に比べて、接着フィルム１の製造コストを大幅に低減できると共に、接着フィルム１の更なる薄膜化を実現できる。

なお、基材２上に第１ワニス層１ａを形成した後に、第１ワニス層１ａ上に第２ワニス層１ｂを形成してもよい。

図３は、本実施形態に係る接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。図３に示される積層体では、基材２の両面にそれぞれ接着フィルム１が設けられている。基材２の一方の面には、接着フィルム１の高タック面Ａが貼り付けられている。基材２の他方の面には、接着フィルム１の低タック面Ｂが貼り付けられている。なお、基材２の片面だけに接着フィルム１を設けてもよい。

図４は、本実施形態に係る接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。図４に示される積層体は、基材２と、基材２上に設けられた接着フィルム１と、接着フィルム１の高タック面Ａを覆うカバーフィルム３とを備える。カバーフィルム３により、接着フィルム１の損傷・汚染を防ぐことができる。
＜接着シート＞

図５は、実施形態に係る接着シートを模式的に示す断面図である。図５に示される接着シート１０は、ダイシングシート６と、ダイシングシート６に積層された接着フィルム１とを備える。ダイシングシート６は、基材フィルム４と、基材フィルム４上に設けられた粘着剤層５とを有する。接着フィルム１の低タック面Ｂは粘着剤層５に貼り合わされている。接着シート１０は、ダイシングシートとダイボンディングフィルムとが一体になっており、両者に要求される特性を兼ね備えている。接着フィルム１上にカバーフィルムを貼り付けてもよい。

本実施形態の接着シート１０は接着フィルム１を備えているので、接着フィルム１の高タック面Ａを例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、粘着剤層５を接着フィルム１の低タック面Ｂに貼り付けるので、接着フィルム１の低タック面Ｂをダイシングシート６から容易に剥離することができる。

なお、ダイシングシート６は、粘着剤層５を備えなくてもよい。この場合、接着フィルム１の平面形状を予め半導体ウェハに近い形状に加工しておくこと（プリカット）が好ましい。

粘着剤層５は、感圧型又は放射線硬化型のどちらでも良く、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。

基材フィルム４は、引っ張りテンションを加えたときの伸び（通称、エキスパンド）を確保できることが好ましく、例えばポリオレフィンからなるフィルムが挙げられる。
＜半導体装置＞

図６〜図１１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。図６〜図１１に示される各工程を経ることによって、図１１に示される半導体装置２０が製造される。
（貼り合わせ工程）

まず、図６に示されるように、接着シート１０に含まれる接着フィルム１の高タック面Ａを半導体ウェハＷに貼り合わせる。半導体ウェハＷは、回路が形成される表面ＷＡと、表面ＷＡの反対側に位置する裏面ＷＢとを有する。高タック面Ａは、半導体ウェハＷの裏面ＷＢに貼り合わされる。貼り合わせ時の温度は１００℃以下であることが好ましい。例えば、接着シート１０の接着フィルム１上にカバーフィルムが貼り付けられている場合、カバーフィルムを剥離した後、接着フィルム１を半導体ウェハＷに貼り合わせる。

なお、接着シート１０に代えて接着フィルム１を用いてもよい。例えば、基材２上に接着フィルム１が形成されている場合、接着フィルム１の高タック面Ａを半導体ウェハＷに貼り合わせた後に基材２を剥離する。続いて、接着フィルム１の低タック面Ｂとダイシングシート６の粘着剤層５とを貼り合わせる。

半導体ウェハＷとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体などから構成されるウェハが使用される。ダイシングシート６は、固定用のリングに対して固定可能な程度の粘着性を有し、接着フィルム１が分断されるように引き伸ばすことが可能なものであれば、特に制限なく用いられる。例えば、塩化ビニル系テープをダイシングテープ６として用いることができる。
（ダイシング工程）

次に、図７に示されるように、例えばダイシングブレードＢＬ等の切断装置を用いて半導体ウェハＷを切断する。例えば、半導体ウェハＷはダイシングされる。ここで、接着フィルム１に切り込みを接着フィルム１の厚み方向に入れてもよいし、接着フィルム１を完全に切断してもよい。接着フィルム１を完全に切断する工法をフルカットという。一方、接着フィルムを完全に切断せず、一部を残す工法をハーフカットという。切り込みの深さは、図２に示される第１ワニス層１ａの厚さに対応していることが好ましい。半導体ウェハＷを切断することによって、複数の半導体素子Ｃが得られる。半導体素子Ｃとしては、半導体チップ等が挙げられる。接着フィルム１に切り込みを入れる場合、次工程のピックアップ工程時にダイシングシート６を拡張（エキスパンド）する、ピックアップ工程時に突き上げ針などの治具で押し上げることで切り込み部を起点として分割することもできる。

ハーフカットする際の切り込み深さは、好ましくは接着フィルム１の厚みの１／１０〜９／１０、より好ましくは１／５〜４／５、さらに好ましくは１／３〜２／３である。接着フィルム１を切断するとき、接着フィルム１の切り込みを浅くすることで切断時に発生するバリを少なくできる。その結果、半導体装置の製造歩留まりが向上する。この場合、エキスパンド時に接着フィルム１を分割するためにエキスパンド量を大きくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さを高くすることによって接着フィルム１の未切断部を分割する。接着フィルム１の切り込みを深くすることでエキスパンド量を小さくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さが低くてもダイボンディングフィルムを分割できる。

切断装置としては、一般に上市されているダイサーやブレードを使用することができる。例えば、ダイサーとしては株式会社ディスコ社製フルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどが使用できる。ブレードとしては株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどが使用できる。また、例えば株式会社ディスコ社製フルオートマチックレーザソー７０００シリーズなどのレーザを用いて半導体ウェハＷを切断してもよい。
（ピックアップ工程）

次に、図８に示されるように、半導体素子Ｃをダイシングシート６からピックアップする。これにより、切り込みを起点として接着フィルム１が切断され、半導体素子Ｃに付着した接着層７が得られる。このようにして、半導体素子Ｃと接着層７とを有する接着層付き半導体素子８が得られる。

ダイサーでハーフカットした接着フィルム１は、一般に上市されているピックアップダイボンダーを使用することで分割可能である。例えば、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０やＤＢ−７００、新川社製ダイボンダーＳＰＡ−３００、ＳＰＡ−４００などを使用することで分割可能である。

ハーフカットした接着フィルム１は、ウェハリングに貼り付けた半導体ウェハＷ、接着フィルム１、及びダイシングシート６からなる積層物においてダイシングシート６をエキスパンドすることで分割可能である。エキスパンドはウェハリング上面又は下面側からエキスパンド用リングを挿入することでなされる。ダイシングシート６のエキスパンド量はウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いで決定される。ウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いをエキスパンド量、エキスパンド用リングの挿入速度をエキスパンド速度という。

ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のエキスパンド量は１〜３０ｍｍが望ましく、より好ましくは２〜２０ｍｍであり、さらに好ましくは３〜１０ｍｍである。エキスパンド量が３０ｍｍを超えると、エキスパンド時にダイシングシート６が極端に伸び、裂け易くなる傾向にある。また、エキスパンド量が１ｍｍ未満では、エキスパンド時に接着フィルム１のハーフカット部分に加わる応力が小さく、接着フィルム１を分割し難くなる傾向にある。

ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のエキスパンド速度は１〜５０ｍｍ／ｓが好ましく、より好ましくは３〜３０ｍｍ／ｓであり、さらに好ましくは５〜１５ｍｍ／ｓである。

ハーフカットした接着フィルム１をエキスパンドで分割する際のサンプル温度は、−１０〜３０℃が好ましく、より好ましくは０〜３０℃である。ただし、室温以下に設定するには、通常上市されているピックアップダイボンダーに冷却機構を追加した専用のエキスパンダーが必要となる。
（ダイボンディング工程）

次に、図９に示されるように、接着層付き半導体素子８を支持部材９にダイボンディングする。このとき、加熱加圧により、接着層付き半導体素子８の接着層７が支持部材９に貼り付けられる。加熱温度は、通常２０〜２５０℃である。荷重は、通常０．０１〜２０ｋｇｆである。加熱は、通常６０〜３００℃で０．１〜３００秒間行われる。

接着フィルム１が熱硬化性樹脂を含有する場合は、接着後の半導体チップを加熱して接着フィルム１の被着体への密着や硬化を促進させて、接合部の強度を増すことが好ましい。このときの加熱は、接着フィルム１の組成に応じて適宜調整すればよく、通常、６０〜２２０℃、０．１〜６００分間である。樹脂封止を行う場合は、封止樹脂の硬化工程の加熱を利用してもよい。
（ワイヤボンディング工程）

次に、図１０に示されるように、半導体素子Ｃの接続端子と支持部材９の接続端子とを電気的に接続するワイヤ１１を形成する。
（封止工程）

次に、図１１に示されるように、半導体素子Ｃを封止する封止材１２を支持部材９上に形成する。なお、封止工程を実施しなくてもよい。

ワイヤボンディング工程及び封止工程等を経ることによって、加熱により接着層７が硬化する。その結果、接着層７は、半導体素子Ｃと支持部材９とを接続する接続層７ａとなる。このようにして、図１１に示される半導体装置２０が製造される。半導体装置２０は、半導体素子Ｃと、半導体素子Ｃに接続される支持部材９（被着体）と、接着フィルム１の硬化物からなり、半導体素子Ｃと支持部材９との間に配置される接続層７ａとを備える。半導体装置２０は、例えば半導体パッケージである。

この半導体装置の製造方法によれば、接着フィルム１の高タック面Ａを半導体ウェハＷに低温で貼り付けることができる。また、半導体ウェハＷを切断した後に、接着フィルム１の低タック面Ｂをダイシングシート６から容易に剥離することができる。さらに、厚み１００μｍ以下の極薄半導体ウェハＷに対して接着フィルム１を用いると、半導体素子Ｃの製造歩留まり向上が可能である。

図１２は、別の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。図１２に示される半導体装置２０Ａは、半導体装置２０の構成に加えて、半導体素子Ｃ、接続層７ａ、ワイヤ１１、及びバンプ１３を更に備える。更なる半導体素子Ｃは、更なる接続層７ａを介して半導体素子Ｃ上に設けられている。更なるワイヤ１１は、更なる半導体素子Ｃの接続端子と支持部材９の接続端子とを電気的に接続している。バンプ１３は、支持部材９の裏面に形成されている。半導体装置２０では、複数の半導体素子Ｃが重なっている。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、接着フィルム１を半導体装置の製造以外の用途に用いてもよい。また、３種類以上の接着剤樹脂組成物を重ねて塗布した後に乾燥させることによって接着フィルム１を形成してもよい。また、接着フィルム１は粘着剤を含有してもよい。さらに、接着フィルム１の低タック面Ｂ上に粘着層を形成してもよい。また、接着フィルム１を半導体ウェハＷの表面ＷＡに貼り付けてもよい。その場合、ＩＲカメラを実装したダイサーを用いることによって、半導体ウェハＷの裏面ＷＢから切断すべき位置が認識可能になる。
（実施例）

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（ワニス１）

温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、表１のワニス１に示されるジアミン及びＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を、６０℃にて撹拌、溶解した。

ジアミンの溶解後、表１のワニス１に示される酸無水物を少量ずつ添加した。６０℃で１時間反応させた後、Ｎ_２ガスを吹き込みながら１７０℃で加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。水を除去してポリイミドの溶液を得た。

得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全質量に対して２５質量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全質量に対して３質量％となるように加え、良く混錬してワニス１を得た。
（ワニス２）

ポリイミドを合成する際の原料及びその配合比を表１のワニス２に示す各組成（質量部）に変更したこと以外はワニス１と同様にして、ポリイミドの溶液を得た。

得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全質量に対して１２質量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全質量に対して３質量％となるように加え、良く混錬してワニス２を得た。
（ワニス３）

ポリイミドを合成する際の原料及びその配合比を表１のワニス３に示す各組成（質量部）に変更したこと以外はワニス１と同様にして、ポリイミドの溶液を得た。

得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド１００質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を固形分の全質量に対して１０質量％となるように加え、良く混錬してワニス３を得た。

表１中、原料の略号は以下の酸無水物又はジアミンを示す。配合比の単位は質量部である。
（酸無水物）
ＯＤＰＡ：４，４’−オキシジフタル酸二無水物（マナック社製）
ＤＢＴＡ：１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート二無水物）（黒金化成製）
ＢＰＡＤＡ：２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（黒金化成製）
（ジアミン）
ＬＰ７１００：１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学社製）
Ｂ１２：４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン（ＢＡＳＦ社製）
Ｄ２０００：ポリオキシプロピレンジアミン２０００（ＢＡＳＦ社製）
ＢＡＰＰ：２，２ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン（和歌山精化工業社製）
（実施例１）

調合したワニス１を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布した後にワニス２を塗布した。その後、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、総厚２５μｍの実施例１の接着フィルムを作製した。なお、乾燥後の膜厚が８μｍとなるようにワニス１の塗布量を調整し、乾燥後の膜厚が１７μｍとなるようにワニス２の塗布量を調整した。
（実施例２）

調合したワニス１を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布した後にワニス３を塗布した。その後、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、総厚２５μｍの実施例２の接着フィルムを作製した。なお、乾燥後の膜厚が８μｍとなるようにワニス１の塗布量を調整し、乾燥後の膜厚が１７μｍとなるようにワニス３の塗布量を調整した。
（比較例１）

調合したワニス１を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、厚さ２５μｍの比較例１の接着フィルムを作製した。
（比較例２）

調合したワニス２を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、厚さ２５μｍの比較例２の接着フィルムを作製した。
（比較例３）

調合したワニス３を厚さ５０μｍの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルムＡ３１）上に塗布し、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱し、厚さ２５μｍの比較例３の接着フィルムを作製した。
（ガラス転移温度）

実施例１、２では第１熱可塑性樹脂及び第２熱可塑性樹脂のそれぞれからなるフィルム、比較例１〜３では較例１〜３の接着フィルムを１８０℃で１時間の加熱により硬化させ、約７×５０ｍｍの試料を切り出した。この試料について、下記の条件で、ｔａｎδの温度依存性の曲線を得た。そして、ｔａｎδピーク値からガラス転移温度を求めた。実施例１，２では、半導体ウェハへ貼り付ける面（高タック面Ａ）に使用した第１熱可塑性樹脂を熱可塑性樹脂Ａ、ダイシングシートと貼り付く面（低タック面Ｂ）に使用した第２熱可塑性樹脂を熱可塑性樹脂Ｂとした。結果を表２に示した。
試験器：ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製 ＲＳＡ−ＩＩＩ
試験周波数：１Ｈｚ
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
測定温度：−５０〜３００℃（可能な範囲にて）
試験片形状：Ｌ約１５ｍｍ（初期チャック間）
ＤｅｌｔａＬ ｌｉｍｉｔ：１５ｍｍ
モード：引張り
（タック強度）

実施例１、２及び比較例１〜３の接着フィルムのタック強度はタッキング試験器（株式会社レスカ社製 タッキング試験器）を用い、押し込み速度：２ｍｍ／ｓｅｃ、引き上げ速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ、停止加重：１００ｇｆ／ｃｍ^２、停止時間：１秒の条件にて、５．１ｍｍφのＳＵＳ３０４に対するタック強度を測定し求めた。高タック面（半導体ウェハへ貼り付ける面）のタック強度をＦＡ、低タック面（ダイシングシートに貼り付ける面）のタック強度をＦＢとした。結果を表２に示した。
（ラミネート性）

実施例１、２及び比較例１〜３の接着フィルムを直径２１０ｍｍに切り抜き、電気化学工業社製Ｔ−８０ＭＷ（８０μｍ）上に株式会社ＪＣＭ社製ＤＭ−３００−Ｈを用いて室温（２５℃）で貼り合わせた。なお、実施例１の接着フィルムに関しては、ワニス２から形成された面（低タック面）とダイシングシートを貼り合わせた。実施例２の接着フィルムに関しては、ワニス３から形成された面（低タック面）をダイシングシートと貼り合わせた。また、比較例１〜３の接着フィルムに関しては、塗工時の開放面（ポリエチレンテレフタレートフィルムの逆側）をダイシングシートと貼り合わせた。

接着フィルムとダイシングシートからなる積層品に２００μｍ厚の半導体ウェハを６０℃でラミネートし、ラミネート性を評価した。ラミネートは株式会社ＪＣＭ社製ＤＭ−３００−Ｈを用い、貼り付けが可能であった場合を良好、半導体ウェハ裏面に接着フィルムが貼付かなかった場合を不良とした。結果を表２に示した。
（ピックアップ性）

実施例１、２及び比較例１〜３の接着フィルムとダイシングシートからなる積層品に５０μｍ厚の半導体ウェハを６０℃又は８０℃でラミネートし、半導体ウェハ、接着フィルム及びダイシングシートからなる積層品を得た。ラミネート時の熱板表面温度を、実施例１、２及び比較例１では６０℃、比較例２、３では８０℃に設定した。

株式会社ディスコ社製フルオートダイサーＤＦＤ−６３６１を用いて、半導体ウェハ、接着フィルム及びダイシングシートからなる積層品を切断した。切断はブレード１枚で加工を完了するシングルカット方式で行った。ブレードとして株式会社ディスコ社製ダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ１０４Ｆ−ＳＥ ２７ＨＤＢＢを用い、ブレード回転数４５，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓの条件にて切断を行った。切断時のブレードハイトは接着フィルムを１０μｍ残す設定（９０μｍ）とした。半導体ウェハを切断するサイズは１０×１０ｍｍとした。その後、エキスパンドにより接着フィルムを完全に切断した。

続いて、ダイシングにより得られた半導体チップのピックアップ性について、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーＤＢ−７３０を使用して評価した。使用したピックアップ用コレットとしてマイクロメカニクス社製ＲＵＢＢＥＲ ＴＩＰ １３−０８７Ｅ−３３（サイズ：１０×１０ｍｍ）を用い、突上げピンとしてマイクロメカニクス社製ＥＪＥＣＴＯＲ ＮＥＥＤＬＥ ＳＥＮ２−８３−０５（直径：０．７ｍｍ、先端形状：直径３５０μｍの半円）を用いた。突上げピンは、ピン中心間隔を４．２ｍｍとして９本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度：１０ｍｍ／ｓ、突上げ高さ：１０００μｍの条件でピックアップ性を評価した。連続１００チップをピックアップし、チップ割れ、ピックアップミス等が発生しない場合を良好、１チップでもチップ割れ、ピックアップミス等が発生した場合を不良とした。結果を表２に示した。

比較例２では６０℃でラミネートできなかったので、８０℃でラミネートしてピックアップ性を評価した。比較例３ではラミネートできなかった。実施例１、２の接着フィルムでは、６０℃でのウェハラミネート性及びピックアップ性の両方が良好であった。

実施形態に係る接着フィルムを模式的に示す断面図である。 本実施形態に係る接着フィルムの製造方法を模式的に示す工程断面図である。 本実施形態に係る接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。 本実施形態に係る接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。 実施形態に係る接着シートを模式的に示す断面図である。 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。 別の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１…接着フィルム、２…基材、４…基材フィルム、５…粘着剤層、６…ダイシングシート、７ａ…接続層、９…支持部材（被着体）、１０…接着シート、２０，２０Ａ…半導体装置、Ａ…高タック面（一方の面）、Ｂ…低タック面（他方の面）、Ｃ…半導体素子、Ｗ…半導体ウェハ。

Claims (5)

1. 一方の面と他方の面とを有する接着フィルムであって、
   前記一方の面は第１熱可塑性樹脂を含み、前記他方の面は第２熱可塑性樹脂を含み、
   前記第１熱可塑性樹脂のガラス転移温度は０℃以上４０℃未満であり、
   前記第２熱可塑性樹脂のガラス転移温度は４０℃以上８０℃未満であり、
   前記第１熱可塑性樹脂を含む第１ワニスと前記第２熱可塑性樹脂を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布した後、乾燥することによって前記基材上に形成される、接着フィルム。
2. 熱硬化性樹脂及び無機フィラーを含有する、請求項１に記載の接着フィルム。
3. ダイシングシートと、前記ダイシングシートに積層された請求項１又は２に記載の接着フィルムと、を備える、接着シート。
4. 半導体素子と、
   前記半導体素子に接続される被着体と、
   請求項１又は２に記載の接着フィルムの硬化物からなり、前記半導体素子と前記被着体との間に配置され、前記半導体素子と前記被着体とを接続する接続層と、
   を備える、半導体装置。
5. 請求項１又は２に記載の接着フィルムの前記一方の面を半導体ウェハに貼り合わせる工程と、
   前記半導体ウェハを切断する工程と、
   を含む、半導体装置の製造方法。

Images