TW200811956A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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200811956 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與基板處理裝置有關，其係對半導體晶圓、液 晶顯示裝置用玻璃基板、pDP用玻璃基板等基板施行熱處 理者。 【先前技術】 從先前起’在基板製造步驟上，係施行於基板表面塗佈 抗#劑液之處理’其後，為了提昇基板表面與抗蝕劑之密 合性’而施行熱處理（加熱處理及冷卻處理）。施行熱處理 之先前的基板處理裝置，係將基板载置於配置於處理室内 之基板保持板上’並將該當基板進行加熱或冷卻。 如圖20所示般，先前之基板處理裝置1〇〇係構成為，在 基板保持板101上具有鄰近接腳等複數之支持銷1〇2，在此 等支持銷102上載置基板109並同時將基板ι〇9進行加熱或 〜卻。此一方式之先前的基板處理裝置的結構係譬如揭示 於專利文獻1中。 [專利文獻1]曰本特開平11-283909號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’在先前之基板處理裝置中，由於基板之下面部分 抵接著支持銷，所以有因支持銷而導致基板之下面遭受污 染或損傷之虞。又，在先前之基板處理裝置中，係在基板 之下面部分抵接著支持銷的狀態下，在基板施行熱處理， 因此，在基板之面内有使熱處理之狀態成為不均勻之虞。 120801.doc 200811956 尤其’近年來，由於處理對象(基板)有呈現大型化之傾 向，因此有藉由多個支持銷以保持^基板的必要性。在 此種狀態下，使上述待解決問題變得更加明顯。 本發明係有鑑於此現狀而研發者，其目的為，提供—種 基板處理裝置，其係在防止基板下面之㈣及損傷的同 時，並可將基板之面内作均勻熱處理者。 [解決問題之技術手段]

為解決上述待解決問題，與請求項1有關之發明的特徵 為，對基板施行熱處理之基板處理裝置，且包含：基板保 持板，其係藉由從形成於上面之複數個噴出孔噴心體:、 而將基板以非接觸方式保持於前述上面者；溫度調節機 構’其係將以非接觸方式保持於前述基板保持板之前述上 面的基板進行溫度調節者；及搬送機構，其係將以非接觸 方式保持於前述基板保持板之前述上面的基板沿著前述上 面進行搬送者。 與請求項2有關之發明係如請求項丨之基板處理裝置，其 中，在前述基板保持板之前述上面形成有抽吸上方氣體的 複數個抽吸孔。 與請求項3有關之發明係如請求項2之基板處理裝置，其 中，前述複數個噴出孔及前述複數個抽吸孔係於前述基板 保持板之前述上面，排列為格狀之點狀穿孔。 與請求項4有關之發明係如請求項2之基板處理裝置，其 中，前述複數個喷出孔及前述複數個抽吸孔係於前述基板 保持板之前述上面，形成於與前述搬送機構之搬送方向正 120801 ,d〇c 200811956 交之方向之狹缝狀穿孔。 與請求項5有關之發明係如請求項4之基板處理裝置，其 中，W述複數個喷出孔及前述複數個抽吸孔係於前述基板 保持板之前述上面，沿著前述搬送機構之搬送方向交錯排 . 列者。 3 : 與請求項6有關之發明係如請求項4之基板處理裝置，其 _ 中更包含：狹缝寬度調整機構，其係調整前述複數個噴/出 • 孔或前述複數個抽吸孔之狹缝寬度者。 與請求項7有關之發明係如請求項丨之基板處理裝置，其 中，前述搬送機構包含：抵接部’其係從搬送方向之後= 側抵接於基板者；及移動部，其係使前述抵接部往搬送方 向移動者。 與請求項8有關之發明係如請求項〗之基板處理裝置，其 中，兩述搬送機構包含使基板搖動之搖動機構。 與請求項9有關之發明係如請求項丨之基板處理裝置，其 • 中，前述溫度調節機構包含：第1溫度調節機構，其係藉 由别述基板保持板與基板之間的熱輻射而將基板進行溫度 -1周節者；第2溫度調節機構’其係藉由從前述複數個噴： 孔所噴出之氣體與基板之間的熱交換而將基板進行溫度調

^ 節者。 X • 與請求項10有關之發明係如請求項9之基板處理裝置， 其中包含：複數個前述基板保持板，其係沿著前述搬送機 $之搬送方向排列者；前述第i温度調節機構係將複數個 前述基板保持板個別調節溫度。 120801 .doc 200811956 與請^川有關之發明係如請求項1G之基板處理裝置， 其中’前述第1溫度調節機構係將複數個前述基板保持板 一——於各區域個別調節溫度。 與請求項12有關之發明係如請求们丨之基板處理裝置， 其中’前述第2溫度調節機構係依據前述基板保持板之各 區域之溫度，而將從形成於該區域之喷出孔所噴出之氣體 進行溫度調節者。 與請求項13有關之發明係如請求項丨至12中任一項之基 板處理裝置’其中更包含：塗佈處理部，其係對前述基板 保持板於前述搬送機構之搬送方向之上游側，在基板上面 塗佈處理液者。 【實施方式】 [發明之效果] 根據請求項1至13之發明，係包含··基板保持板，其係 藉由從形成於上面之複數個喷出孔噴出氣體，而將基板以 非接觸方式保持於上面者；溫度調節機構，其係將以非接 觸方式保持於基板保持板之上面的基板進行溫度調節者·， 及搬送機構，其係將以非接觸方式保持於基板保持板之上 面的基板’沿者上面進行搬送者。基於此因，無需支持 銷等構件抵接於基板之下面，而使基板的損傷及污染得以 防止。又，不會因支持銷等構件而使熱處理呈現部分不均 勻現象。又，由於在搬送基板的同時並施行熱處理，所以 與基板之下面側的氣體之流動無關，而可將基板之面内進 行均勻熱處理。 120801.doc 200811956 尤其，根據請求項2之發明，在基板保持板之上面係形 成抽吸上方之氣體的複數個抽吸孔。基於此因，對基板往 上方之浮力與往基板保持板之吸附力發生作用，基板係在 基板保持板上以一定之高度被穩定保持。 尤其，根據請求項3之發明，複數個噴出孔及複數個抽 吸孔係於基板保持板之上面排列為袼狀之點狀的穿孔。基 於此因，於基板保持板之±面，複數個喷出孔及複數個抽

吸孔係均作均自❹j，基板辣料水平姿㈣同時並被 穩定保持於基板保持板上。 尤其，根據請求項4之發明，複數個噴出孔及複數個抽 吸孔，係於基板保持板之上面，往與搬送機構之搬送方向 呈正交之方向形成之狹縫狀的穿孔。基於此因，在與基板 之搬运方向呈正交之方向方面，基板保持板上之氣體的流 動係成為均勻。因Λ，基板係在搬送方向及與搬送方向呈 正交之方向的任-方向方面均被作均勾加熱，基板之面内 全體被作極為均勻加熱。 尤其，根據請求項5之發明’複數個噴出孔及複數個抽 吸孔，係於基板保持板之上面 沿著搬送機構之搬送方向 壬又錯排歹j |於此因，於基板保持板之上面，複數個喷 出孔及複數個抽吸孔係均作均句排列’基板係在保持水平 姿勢的同時並被穩定保持於基板保持板上。 尤其’根據請求項6之發明’基板處理裝置更包含狹縫 寬度調整機構’其係調整複數個噴出孔或複數個抽吸孔之 狹缝寬度者。基於此因，可將來自複數個噴出孔之氣體的 12 麵 l.doc 200811956 噴出量或往複數個抽吸孔之氣體的抽吸量作任意調節。 尤其，根據請求項7之發明，搬送機構包含：抵接部， 其係從搬送方向之後方側抵接於基板者；及移動部，其係 使抵接部往搬送方向移動者。基於此因，可將基板以簡易 - 且穩定方式進行搬送。 - 尤其，根據請求項8之發明，搬送機構包含使基板搖動 之搖動機構。基於此因，即使為狹小之空間，亦可在搬送 • 基板的同時並進行熱處理。因此可減小基板處理裝置之占 有面積。 尤其，根據請求項9之發明，溫度調節機構包含··第^溫 度調節機構，其係藉由基板保持板與基板之間的熱之輻射 而將基板進行溫度調節者；第2溫度調節機構，其係藉由 複數個f出孔所噴出之氣體肖基板《間的&交換而將基板 進行溫度調節者。基於此因，可將基板之面内作更均勻熱 處理。 … 瞻尤其，根據請求項10之發明，基板處理裝置包含沿著搬 达機構之搬送方向排列之複數個基板保持板；第〗溫度調 . 即機構係將複數個基板保持板作個別溫度調節者。基於此 • 因，可在藉由搬送機構將基板作連續性搬送的同時並在基 板施行熱處理。又，由於可防止基板之急遽溫度變化，所 以可將基板以均勻方式進行熱處理。 尤其，根據請求項11之發明，第i溫度調節機構係將複 數個基板保持板—於各區域個別調節溫度。基於此因， 可使基板以更緩和方式作溫度變化。 120801.doc 200811956 尤其，根據請求項12之發明，第 其祐仅枯此办 弟2/皿度调郎機構係依據 土板保持板之各區域之溫度’而將形成於該當區 孔所噴出之氣體進行溫度調節。美 賀出 揣夕苴4c ^ 土；此口’可將基板保持 板上之基板以更均勻方式進行熱處理。 尤其，根據請求項13之發明，基板處理裝置更包含 處理部’其係對基板保持板往搬送機構之搬送方向上游 侧’在基板之上面塗佈處理液者。基於此因，可在基板之

處理液’並㈣衫式將其後之基板進行熱處 :::二省略處理液塗佈後之乾燥處理，而使基板處 理衣置之結構成為簡易化。 以下二麥考圖式，針對本發明之良好實施型態作說明。 〈L第1實施型態> 圖1係顯示與本發明之第1實施型態有關之基板處理裝置 1之結構的平面圖。又，圖2係將圖1之基板處理裝置咖· 11線切斷時之縱剖面圖。在圖2中，亦顯示對基板處理裝置 1之給排氣系的結構。再者，在圖1、圖2及其後之各圖 中，為了明確顯示各部位之位置關係而附有xyz正交座標 系0 土板處理4置1係在光微影步驟中，用於在抗蝕劑塗 佈後之基板9G的表面施行加熱處理的裝置；而該光微影步 驟係將液曰曰顯示裝置用之角形玻璃基板(以下簡稱「基 板」)90的表面作選擇性钱刻者。如圖1及圖2所示般，基板 處理裝置1主要包含處理室11、基板保持板12及基板搬送 機構13。 120801.doc -11 - 200811956 處理室11係筐體，其係在内部具有用於對基板9G施行加 熱處理之工間者。基板保持板！2及基板搬送機構！3係收容 於處理室η之内部。又，處理㈣之侧面的—部分係設置 用於對處理室u將基板90進行搬出搬入之搬出搬入口

lla、及用於將搬出搬入口 lla進行開閉之開閉門ub 將基板90搬入處理室1 j内 外時，開閉門11b係開放， 在 時、及在將基板9〇搬出處理室η 並經由搬出搬入口 1 j a而搬送基 板 又在處理至11内對基板90施行加熱處理時，開閉 門lib係關閉，使處理室u之内部呈氣密狀態。 基板保持板12係用於在上面以非接觸方式保持基板9〇， 亚將已保持之基板料以加熱之板^基板保持板η係具有 平板狀之外形，並以水平姿勢設置於處理Μ内。在基板 保持板12，係形成用於朝上方喷出氮氣之複數個喷出孔 及用於抽吸板上部之氣體的複數個抽吸孔12匕。 複數個噴出孔12a係將基板保持板12作上下貫通之穿 孔，且俯視時係形成點（斑點）狀。各噴出孔Pa係在基板保 持板12之下面側與給氣配管14a連接。在給氣配管—之上 游側係連接著氮氣供給源14b ;在給氣配管14a之路徑途中 係介插著開閉閥l4c及加熱器14d。I於此因，如在開放開 閉閥14c的同時並使加熱器⑷動作，則從氮氣供給源… 進行供給氮氣，已被加熱器14d加熱之氮氣係從噴出孔ΐ2& 朝基板保持板12之上部喷出。 另一方面，複數個抽吸孔12b係將基板保持板12作上下 貝通之牙孔，且俯視時係形成點（斑點）狀。各抽吸孔1係 120801.doc -12- 200811956 在基板保持板12之下面側與排氣配管Me連接。在排氣配 管He之下游側係、連接著藉由真空㈣施行強制排氣的排 氣部14f ;在# ^氣配管14e之路徑途中係介插著開閉閱 14g。基於此因，如開放開閉閥14g ’則基板保持板^上部 之氣體係被往抽吸孔12b抽吸，並經由排氣配管14e而往 氣部14f排氣。 將基板90載置於基板保持板丨2上，如開放上述開閉閥 14c及開閉閥I4g，則氮氣從複數個噴出孔12a喷吹於基板 90之下面，同時基板保持板12與基板9〇間之氣體係被往複 數個抽吸孔12b抽吸。藉由此方式，對基板9〇往上方之浮 力與往基板保持板12之吸附力發生作用，而使基板9〇在基 板保持板12上以一定之高度以非接觸方式被保持。 再者，如圖1所示般，複數個喷出孔12a及複數個抽吸孔 12b俯視時係以格狀呈交錯配置。亦即，在基板保持板12 上’複數個喷出孔12a及複數個抽吸孔i2b係均呈均句排 列。基於此因，對基板90之浮力與吸附力係均在基板9〇之 面内均勻發生作用，而使基板90在保持水平姿勢的同時並 被穩定保持於基板保持板12上。 又’在基板保持板12之内部係埋設著加熱器12 c。如使 加熱器12c動作，則基板保持板12被加熱而升溫至特定之 溫度。基於此因，被保持於基板保持板12上之基板9 〇係接 受來自基板保持板12之輕射熱而被進行加熱。又，在被保 持於基板保持板12上之基板9 0的下面，係被喷吹氮氣，而 其係藉由加熱器14d加熱而從複數個喷出孔12a所喷出者。 120801.doc -13 - 200811956 基於此因，基板㈣從ι氣接受熱而被進行加熱：亦即， 此基板處理裝置丨包含：第丨加熱機構，其係將加熱器 所產生之熱’經由基板保持板12而料基板列者·，及第2 加熱機構’其係將加熱器14d所產生之熱，經由複數個噴 出孔12a所噴出之氮氣而賦予基板9〇者。

基板搬送機構13係用於將以非接觸方式被㈣於基㈣ 持板12上的基板90進行搬送之機構。基板搬送機構。包 含：一對軌道部13a ’其係在基板保持板12之左右（坊側 及-y=)沿著基板保持板12鋪設者；及_對移動部m，其 係沿著軌道部13a移動者。軌道部13a及移動部ub雖可藉 由公知之各種移動機構而構成’但亦可藉由如下機構而構 成：譬如將馬達之旋轉驅動經由導螺桿、搬送帶而變換為 直線運動之機構、或使用線性馬達之機構。 如使基板搬送機構13動作，則一對移動部i3b係沿著執 道部13a而往X軸方向並進。又，在各移動部ub係固設著 用於抵接於基板90之-x側之端面的抵接部Uc。基於此 因’如使-對移動部13b往+x方向移動，則抵接部13〇抵接 於以非接觸方式被保持於基板保持板12上的基板9〇的端 面，基板90係與抵接部13c一起往+χ方向移動。 又，此基板處理裝置〗除上述結構之外亦包含控制部 15。圖3係顯示基板處理裝置】内之上述各部與控制部^間 之連接結構的區塊圖。如圖3所示般，控制㈣係與開閉 門心、基板搬送機構13、開閉閥14c、14g、加熱器12c、 再者，具體而 14d王電性連接，將此等之動作予以控制 120801.doc -14- 200811956 口，控制部15係藉由包含cpu、記憶體之電腦所構成，電 腦係遵照安裝於電腦中之程式而動作，藉由此方式，而施 行上述控制動作。 圖4〜圖7係顯示在上述基板處理裝置！中當處理基板9 〇時 之各階段的處理狀態之圖。以下，在參考圖4〜圖7的同 時，針對基板處理裝置〗之處理流程作說明。 當抗蝕劑塗佈後之基板90藉由特定之搬送機器人反被搬 送過來，首先，基板處理裝置丨係開放開閉門Ub，並經由 搬出搬入口 11a，將基板9〇搬入處理室(圖4之狀態）。 在處理至11内之基板保持板12上，則開始進行來自複數個 喷出孔12a之氮氣的噴出及往複數個抽吸孔丨2b之氣體的抽 吸。又，一對移動部13b係在處理室最深侧側）之移 動開始位置處於等待狀態。已被搬入處理室丨丨内之基板 係以非接觸方式載置於基板保持板丨2上的移動部13b之前 方。 當基板90被載置於基板保持板12上，則搬送機器人尺係 退出至處理室11之外部，開閉門Π b關閉（圖5之狀態）。其 後’一對移動部13 b(參考圖1)係沿著軌道部13 a(參考圖1) 往+x方向緩慢移動。藉由此方式，抵接部13c抵接於基板 90之-X侧之端面，基板90係被往+χ方向緩慢搬送（圖6之狀 態）。基板90係在基板保持板12上被搬送的同時，並接受 來自基板保持板12之輻射熱與來自複數個噴出孔12a之氮 氣，而被加熱。 當特定時間之加熱處理結束，基板90被搬送至搬送結束 120801.doc -15 - 200811956 位置，則基板處理裝置1係開放開閉門lib，並藉由搬送機 器人R將基板90往處理室u之外部搬出（圖7之狀態）。在 此，由於基板90係以非接觸方式被保持於基板保持板^ 上，因此當從基板保持板12將基板9〇抽離時，不會在基板 : 9G產生剝離帶電°因此’不會因靜電作用而在基板90之表 面附著微粒子。 • 如上述般，本實施型態之基板處理裝置1係將基板9〇以 φ 非接觸方式保持於基板保持板丨2上’在使基板90往一方向 移動的同時’並施行加熱處理。基於此因，無需支持銷等 構件抵接於基板90之下面’而使基板9〇的損傷及污染得以 防止。又，不會因支持銷等構件而使加熱處理呈現部分不 均勻現象。又，由於在搬送基板9〇的同時並施行加熱處 理’所以與基板90之下面側的氣體之流動無關，而可將基 板9 0之面内進行均勻熱處理。 <2 ·第2實施型態> • 圖8係顯示與本發明之第2實施型態有關之基板處理裝置 2之結構的平面圖。又，圖9係將圖8之基板處理裝置2以 ΙΧ·ΙΧ線切斷時之縱剖面圖。此基板處理裝置2係除了形成 • 於基板保持板12之噴出孔及抽吸孔之外，與第1實施型態 ^ 之基板處理裝置1具有同等之結構。基於此因，針對盥第i . 實施型態之基板處理裝置丨共通之部分，在圖8及圖9中係 賦予與圖1及圖2相同之符號，並在以下部分省略重複說 在基板處理裝置2之基板保持板22係形成用於朝上方噴 120801.doc •16- 200811956 、—孔之禝數個噴出孔22a、及用於抽吸板上部之氣體的 禝個抽吸孔22b。複數個喷出孔22a係形成於基板保持板 2之上面側之狹縫狀的穿孔。各喷出孔22“系形成於正交 、:土板90之搬运方向的方向（y軸方向），且沿著基板9〇之搬 . =向（X軸方向）排列。與第1實施型態之基板處理裝置〗相 : 同’在各噴出孔22a係連接著給氣配管14a。在給氣配管 14a之上游侧係連接著氮氣供給源w :在給氣配管⑷之 _ 路仅逐中係介插著開閉閥14c及加熱器14d。基於此因，如 在開放開閉閥Ue的同時並使加熱器⑷動作，則從氮氣供 給源14b進行供給氮氣，已被加熱器⑷加熱之氮氣係從噴 出孔22a朝基板保持板12<上部噴出。 另一方面，複數個抽吸孔22b係形成於基板保持板12之 上面側之狹缝狀的穿孔。各抽吸孔22b係形成於正交於基 板90之搬送方向的方向（y軸方向），且沿著基板9〇之搬送方 向（X軸方向）排列。與第i實施型態之基板處理裝置⑼同， • 各抽吸孔221>係連接著排氣配管14^在排氣配管14e之下 游側係連接著藉由真空系等施行強制排氣的排氣部14£; 在排氣配管14e之路徑途中係介插著開閉閥14g。基於此 ： 因，如開放開閉閥14§’則基板保持板12上部之氣體被往 抽吸孔22b抽吸，並經由排氣配管丨钓而往排氣部i4f排 、氣。 將基板90載置於基板保持板12上，如開放上述開閉閥 14c及開閉閥14g，則氮氣從複數個噴出孔22&喷吹於基板 90之下面，同時基板保持板12與基板9〇間之氣體係被往複 120801.doc -17 - 200811956 數個抽吸孔22b抽吸。藉由此方式，對基板9〇往上方之浮 力與往基板保持板12之吸附力發生作用，而使基板9〇在基 板保持板12上以一定之高度以非接觸方式被保持。 再者，如圖1所示般，複數個喷出孔22a及複數個抽吸孔 : 22七係沿著X軸方向呈交錯排列。亦即，在基板保持板12 、 上，複數個喷出孔22a及複數個抽吸孔22b係均呈均勻排 列。基於此因，對基板90之浮力與吸附力係均在基板9〇之 _ 面内均勻發生作用，而使基板90在保持水平姿勢的同時並 被穩定保持於基板保持板丨2上。 在此基板處理裝置2中對基板90施行熱處理時，係以與 圖4〜圖7所示第！實施型態之處理步驟同樣之步驟施行處 理。亦即，基板處理裝置2係經由搬出搬入口〗la，將基板 90搬入處理室參考圖4)，並以非接觸方式將基板9〇保 持在基板保持板12上（參考圖5)。接著，藉由抵接部13c在 將基板90往+x方向搬送的同時並將基板9〇加熱（參考圖 • 6);再度經由搬出搬入口 Ua，將基板90搬出處理室丨丨之 外部（參考圖7)。 • 本實施型態之基板處理裝置2亦以非接觸方式將基板9〇 _ 保持在基板保持板12上，在使基板90往一方向移動的同時 、 並施行加熱處理。基於此因，無需支持銷等構件抵接於基 ， 板90之下面，而使基板90的損傷及污染得以防止。又，不 會因支持銷等構件而使加熱處理呈現部分不均勻現象。 又’由於在搬送基板90的同時並施行加熱處理，所以與基 板90之下面側的氣體之流動無關，而可將基板％之面内進 120801.doc -18- 200811956 行均勻熱處理。 ，，本實施型態之噴出孔22a及抽吸孔m係在與基板 心之达方向呈正交之方向形成狹縫狀。基於此因，在盘 基板90之搬送方而s 丄 在〆、 氣趙的流動係成=父之方向方面’基板保持板12上之 送方向呈正=:。因此’基板9°在搬送方向及與搬 之方向的任—方向方面均被作均勻加埶， 板90之面内全體係被作極為均勾加熱。 ，、，、基

<3·第1實施型態及第2實施型態之變形例〉 上述基板處理裝置卜2係j於將基板％加熱之裝置，但 本舍明之基板處理裝置如為用於將基板列冷卻之裳置亦 可。在將基板9G冷卻之情形時，將上述基板處理裝置」、2 力…、的12c及加熱器14d分別置換為冷卻機構即可。冷

機構雖可藉由公^ ^ V 各種枝構而貫現，但如構成為如下者 即可：譬如，藉由流通冷卻水之水冷管而將基板保持板η 或給氣配管14a内之氮氣進行冷卻者。 又，上述基板搬送機構13係從基板9〇之搬送方向後方側 賦予基板90推力之機構，但本發明之基板搬送機構並不限 於上述機構。譬如，如為從基板9〇之左右（，側及彳侧）挾 持基板90並同時將基板9〇往乂軸方向搬送之機構亦可。如 為k基板90之搬送方向前方側將基板9〇拉動之機構亦可。 又，上述基板搬送機構13係將基板9〇僅往一方向（+乂方 向）搬送者，但本發明中之基板搬送機構如為將基板9〇往2 以上之方向搬送者亦可。譬如，如圖1〇般，如為將基板9〇 在+χ方向及方向父錯搬送之搖動機構16亦可。圖之搖 120801.doc -19· 200811956 動機構16包含設於基板9〇2_x側的第丨移動部16b、及設於 基板90之+x側的第2移動部16d。第丨移動部16b及第2移動 部16 d係沿著沿基板保持板丨2之側部所鋪設之執道部丨6 &， 而往X軸方向移動，在各移動部之上部係設有抵接於基板 : 9〇之端面的抵接部16c、16e。搖動機構16係藉由將第}移 動部16b及第2移動部16d往+x方向及-X方向交錯移動，而 . 以抵接部16c、16e將基板90往+X方向及々方向交錯搬送。 • 如此一來，即使為狹小之空間，亦可在搬送基板90的同時 亚進行加熱。因此可減小基板處理裝置丨（或2)之占有面 積。 又，在上述基板處理裝置2方面，噴出孔22&及抽吸孔 22b之狹縫寬度為一定，但亦可設定為依據基板9〇之處理 條件而可调整此等之狹縫寬度。譬如，如圖丨〗及圖丨2所示 瓜，在喷出孔22a之上部安裝一對狹縫寬度調整用板22c亦 可。一對狹縫寬度調整用板22c係沿著噴出孔22a安裝於基 _ 板保持板12之上面，可將其安裝位置往噴出孔22a之寬度 方向進行調整。如此一來，藉由調整各狹縫寬度調整用板 22c之安裝位置，則可調整噴出孔22a之狹縫寬度。在抽吸 _ 孔22b之上部，亦可安裝同樣之狹縫寬度調整用板22c。 或是，如圖13及圖14所示般，將已貫通形成特定寬度之 狹縫SL的1片狹縫見度調整用板22(1，安裝於喷出孔22&之 上部亦可。狹缝寬度調整用板22d係安裝於基板保持板12 之噴出孔22a的上部。如預先準備狹縫sl之寬度為不同的 複數個狹縫寬度調整用板22d，則藉由更換噴出孔22a上之 120801 ,d〇c -20- 200811956 狹缝寬度調整用板22d，則可調整喷出孔22a之狹缝寬度。 在抽吸孔22b之上部，亦可安裝同樣之狹縫寬度調整用板 22d 〇 又，上述基板處理裝置1、2包含：第1加熱機構，其係 將來自加熱器12c之熱，經由基板保持板12而賦予基板90 者；及第2加熱機構，其係將來自加熱器i4d之熱，經由氮 氣而賦予基板90者。但如僅包含此等加熱機構之任一方亦

可。然而’如利用此等2種加熱機構，則可將基板保持板 12上之基板90作更均勻加熱。 又，上述基板處理裝置〗、2係對液晶顯示裝置用之角形 玻璃基板施行處理之裝置，但本發明之基板處理裝置如為 以半導體晶圓、PDP用玻璃基板等其他基板為處理對象者 亦可。 <4.第3實施型態〉 圖15係顯示與本發明之第3實施型態有關之基板處理裝 置3之結構的平面圖。此基板處理裝置3係在光微影步驟 中，用於對基板90施行抗餘劑塗佈處理、加熱處理及冷卻 的裝置，而該光彳政影步驟係將基板的表面作選擇性 蝕刻者。基板處理裝置3主要包含抗蝕劑塗佈處理部4、複 數個熱處理部5〜9、及基板搬送機構3 i。 圖16係抗蝕劑塗佈處理部4之縱剖面圖。首先 15及圖16針對抗餘劑塗佈處理部4之結構作說明。抗 塗佈處理部4係用於在基板9〇之上面塗佈抗蝕劑以形 蝕劑膜之處理部。如圖15及圖16所示般，抗蝕劑塗佈 12080I.doc •21 - 200811956 部4主要包含處理室41、基板保持板42及喷嘴部43。 處理室41包含相互對向之處理室上部41 a及處理室下部 41b。處理室上部4la係成為可上下升降之結構，當處理室 上部41a下降後，處理室上部41a與處理室下部41b係抵接 而形成氣密之處理室41。又，當處理室上部4la上升後， 處理室上部41 a與處理室下部41b之間產生間隙，在處理室 4 1之内部與外部之間係成為可搬送基板9〇之狀態（圖丨6之 狀態）。 基板保持板42係在處理室41之内部用於保持基板9〇之 板。基板保持板42具有平板狀之外形，將基板9〇以水平方 式載置於其上面。在基板保持板42係形成用於朝上方噴出 氮氣之複數個噴出孔42a、及用於抽吸板上部之氣體的複 數個抽吸孔42b。 複數個噴出孔42a將基板保持板42作上下貫通之穿孔， 且俯視時係形成點（斑點）狀。各噴出孔42a係在基板保持板 42之下面側與給氣配管44a連接。在給氣配管44&之上游側 係連接著氮氣供給源44b ;在給氣配管443之路徑途中係介 插著開閉閥44c。基於此因’如開放開閉閥44。，則從氮氣 i、、’’σ源441>進仃供給氮氣，從喷出孔42&朝基板保持板c之 上部噴出氮氣。 *另一方面，複數個抽吸孔42b係將基板保持板“作上下 貝通之牙孔，且俯視時係形成點（斑點）狀。各抽吸孔桃係 :基板保持板42之下面側與排氣配管…連接。在排氣配 & 4 4 e之下游側係連接著藉由真空泵等施行強制排氣的排 120801.doc •22· 200811956 氣部44f ;在排氣配管44e之路徑途中係介插著開閉閥 44g。基於此因，如開放開閉閥44g，則基板保持板42上部 之氣體係被往抽吸孔42b抽吸，並經由排氣配管44e而往排 氣部44f排氣。 - 將基板載置於基板保持板42上，如開放上述開閉閥 • 44〇及開閉閥44g，則氮氣從複數個喷出孔42a喷吹於基板 - 90之下面，同時基板保持板42與基板90間之氣體係被往複 馨數個抽吸孔42b抽吸。藉由此方式，對基板9〇往上方之浮 力與往基板保持板42之吸附力發生作用，而使基板9〇在基 板保持板42上以一定之高度以非接觸方式被保持。 再者，複數個喷出孔42a及複數個抽吸孔42b俯視時係以 格狀呈交錯配置。亦即，在基板保持板42上，複數個噴出 孔42a及複數個抽吸孔4孔係均呈均勻排列。基於此因，對 基板90之浮力與吸附力係均在基板9〇之面内均勻發生作 用’而使基板90在保持水平姿勢的同時並被穩定保持於基 φ 板保持板12上。 喷嘴部43係用於在被保持於基板保持板42上之基板％的 . 上面噴出抗蝕劑液的噴出機構。喷嘴部43係連接於未圖示 ， 之抗蝕劑液供給源；又，在喷嘴部43之下部，係形成往y 軸方向穿設之狹縫狀之噴出口。又，噴嘴部43係構成為， 石著基板保持板42上之基板9〇的表面可往χ軸方向移動。 基於此因，喷嘴部43可在將被保持於基板保持板42上之基 板90的上面進行掃描的同時，並將抗蝕劑液供給源所供給 之抗餘劑液塗佈於基板90之上面。 120801 .doc •23· 200811956 熱處理部5〜9均具有同等之結構。圖17係其縱剖面圖。 以下，在參考圖15及圖17的同時，針對熱處理部5〜9之結 構作說明。如圖15及圖17所示般，熱處理部5〜9各自包含 處理室5 1及基板保持板5 2。 處理室51包含相互對向之處理室上部5U及處理室下部 51b。處理室上部5 la係成為可上下升降之結構，當處理室 上部51a下降後，處理室上部51a與處理室下部係抵接 而形成氣密之處理室51。又，當處理室上部51a上升後， 處理室上部5U與處理室下部51b之間產生間隙，在處理室 51之内部與外部之間係成為可搬送基板90之狀態（圖17之. 狀態）。 基板保持板52係在處理室51之内部，用於以非接觸方式 保持基板90且將已保持之基板9〇加熱之板。基板保持板^ 具有平板狀之外形，且以水平方式設置於處理室51内。在 基板保持板52係形成用於朝上方喷出氮氣之複數個噴出孔 52&及用於抽吸板上部之氣體的複數個抽吸孔52b。 稷數個噴出孔52a係形成於基板保持板52之上面側之狹 、、、牙孔各嘴出孔5 2 a係形成於正交於基板9 〇之搬送 方向的方向（y軸方向），且沿著基板9〇之搬送方向&軸方 在各，出孔52a係連接著給氣配管54a。在給氣 配g 54a之上游側係連接著氮氣供給源54b ;在給氣配管 之路徑途中係介插著開閉閥54c。又，給氣配管54以系 言史有口j另菩久口旮山 、1出孔52a作個別控制之複數個溫度調節部 54d。各溫度調節部54d係藉由將給氣配管54a内之氮氣加 120801.doc -24- 200811956 熱之加熱器或將給教阶总 風1配g 54a内之氮氣冷卻之水冷管所構 二味土於此因，如在開放開閉閥54c的同時並使各溫度 &P:5+4d動作’則氮氣係從各噴出孔52a朝基板保持板52 之上。卩噴出，而s亥氮氣係氮氣供給源Mb所供給且已藉由 ； I溫度調節部54_進行加熱或冷卻者。 曰 - 另一方面，複數個抽吸孔52b係形成於基板保持板52之 • 1面側之狹縫狀的穿孔。各抽吸孔52b係形成於正交於基 _ ㈣之搬送方向的方向軸方向），且沿著基板90之搬送二 向（X軸方向）排列。在各抽吸孔52b係連接著排氣配管 在排氣配管54e之下游側係連接著藉由真空聚等施行強制 排氣的排氣部54f ;在排氣配管54e之路徑途中係介插著開 閉閥54g。基於此因，如開放開閉閥54g，則基板保持板^ 上部之氣體被往抽吸孔52b抽吸，並經由排氣配管54e而往 排氣部54f排氣。 將基板90載置於基板保持板52上，如開放上述開閉閥 馨 54c及開閉閥54g，則氮氣從複數個喷出孔52a噴吹於基板 90之下面，同時基板保持板52與基板9〇間之氣體係被往複 數個抽吸孔52b抽吸。藉由此方式，對基板9〇往上方之浮 力與往基板保持板52之吸附力發生作用，而使基板9〇在基 板保持板5 2上以一定之南度以非接觸方式被保持。 又，複數個喷出孔52a及複數個抽吸孔52b係沿著X軸方 向呈交錯排列。亦即，在基板保持板52上，複數個噴出孔 52a及複數個抽吸孔52b係均呈均勻排列。基於此因，對基 板9 0之浮力與吸附力係均在基板9 0之面内均勻發生作用， 120801.doc -25- 200811956 而使基板90在保持水平姿勢的同時並被穩定保持於基板保 持板5 2上。 又’在基板保持板5 2之底部係安裝著複數個溫度調節部 52c，其係藉由將基板保持板52加熱之加熱器或將基板保 持板冷卻之水冷管所構成者。複數個溫度調節部52c係排 列於基板90之搬送方向；各溫度調節部52c之輸出（加熱力 或冷卻力）係可作値別控制。基於此因’如使各溫度調節 部52c動作，則基板保持板52之各位置係被個別進行溫度 控制。譬如，如使各溫度調節部52c以不同之輸出進行動 作’則在基板保持板52上係形成X軸方向之溫度梯度。被 保持於基板保持板52上之基板90係依據於其保持位置之基 板保持板5 2的溫度而被進行加熱或冷卻。 又，已被溫度調節部54d加熱或冷卻之氮氣係噴吹於被 保持於基板保持板52上之基板90的下面。基於此因，在基 板90與氮氣之間亦進行熱之交換，基板9〇係被加熱或冷 部。複數個溫度調節部54(|之輸出係依據複數個溫度調節 部52c之輸出而被作個別控制。基於此因，各噴出孔所 噴出之氮氣的溫度亦依據保持於基板保持板52上之溫度梯 度而被進行控制，基板9〇係依據該溫度而被加熱或冷卻。 如此方式般，熱處理部5〜9係包含藉由複數個溫度調節部 52c所構成之第1溫度調節機構、及藉由複數個溫度調節部 54d所構成之第2溫度調節機構。 基板搬送機構3 1係用於將基板9〇從抗蝕劑塗佈處理部4 到熱處理部9作水平搬送之機構。如圖15所示般，基板搬 120801.doc -26- 200811956 送機構31包含·· _對 f執道# 3 1 a，其係沿著抗蝕劑塗佈處 理。Μ及熱處理部5〜9之左右的側部鋪設者，·及一對移動部 爪，其係沿著執道部仏移動者。軌道部…及移動部爪 雖可藉由公知之各種移動機構而構成，但亦可藉由如下機 構而構成·譬如將馬達之旋轉驅動經由導螺桿、搬送帶而 變換為直線運動之機構、或使用線性馬達之機構。 、、如使基板搬送機構31動^卜對移動部3化係沿著軌 道部3 la而在X軸方向並進。又，在各移動部3比係固設著 用於抵接於基板90之侧之端面的抵接部31c。基於此 因，如使一對移動部311}往+又方向移動，則抵接部3ι〇抵接 於以非接觸方式被保持於各處理部之基板保持板C、52上 的基板90的端面，基板9〇係與抵接部31c—起往+χ方向移 動。再者，抵接部3 1c係在移動部3 lb上呈可旋動狀態，當 各處理室41、51為關閉時，抵接部31c係可往處理室41、 51之側方旋動並退避（圖15之假想線之狀態）。 又，此基板處理裝置3除上述結構之外並包含控制部 32。圖1 8係顯示基板處理裝置！内之上述各部與控制部μ 間之連接結構的區塊圖。如圖1 8所示般，控制部32係與處 理室上部41a、51a、開閉閥44x、44g、54c、54g、溫度調 節部52c、54d及基板搬送機構31呈電性連接，將此等之動 作予以控制。再者，具體而言，控制部32係藉由包含 CPU、§己憶體之電腦所構成，電腦係遵照安裝於電腦中之 程式而動作’藉由此方式，而施行上述控制動作。 在於基板處理裝置3中施行基板90之處理時，首先，將 I20801.doc -27- 200811956 基板90搬入抗蝕劑塗佈處理部*之處理室41内。基板90係 在處理室41内以非接觸方式被保持於基板保持板42上。喷 嘴部43係在把被保持於基板保持板42上 之基板90的上部 往-X方向移動的同時，並將抗蝕劑液塗佈於基板9〇之上 面。再者’採取如下方式亦可··在抗蝕劑塗佈之階段，係 使基板90接觸保持於基板保持板42上，在抗蝕劑塗佈後， 則從複數個噴出孔42a噴出氮氣並使基板90浮上。 接著’基板搬送機構3 1係將抵接部31〇抵接於基板9〇之-乂 側之端面’藉由往+x方向移動而將基板9〇往+χ方向搬送。 基板90係被從抗蝕劑塗佈處理部4搬出，並於熱處理部5〜9 之各基板保持板52上被緩慢搬送。各基板保持板52係藉由 複數個溫度調節部52c進行溫度調節，複數個喷出孔52a所 喷出的氮氣係藉由複數個溫度調節部54d進行溫度調節。 基於此因’基板90係在被往+χ方向搬送的同時，並於各基 板保持板52上被進行溫度調節。 圖19係顯示熱處理部5〜9之各基板保持板52的溫度分佈 之例之圖。在圖19中，橫軸係顯示各基板保持板52之乂軸 方向之位置，橫軸係顯示設定溫度。在圖丨9之例中，在熱 處理部5之基板保持板52方面，係形成溫度梯度，使溫度 從常溫T0到最高溫度丁〗為止往+χ方向徐徐上升。熱處理部 6、7之基板保持板52係設定為全體成為最高溫T1。又，在 熱處理部8之基板保持板52方面，係形成溫度梯度，使溫 度從最高溫度T1到常溫T0為止往七方向徐徐下降；熱處理 部9之基板保持板52係設定為全體成為常溫丁〇。又，從基 120801.doc -28- 200811956 板保持板52上之各噴 據其X軸方向之位置， 溫度。 出孔52a所喷出之氮氣的 而5又定為對應於圖19之 溫度，亦依 溫度分佈的

當基板9〇在此方式般之熱處理部5〜9上被搬送，首先， 基板㈣在熱處理部5，遵照基板保持板％之溫度梯度， 從常溫T〇到最高溫度T1為止被緩慢進行加熱。接著，基板 9〇在通過熱處理部6〜7之期間係維持於最高溫度丁卜又， 基板在熱處理部8上’係遵照基板保持板以溫度梯 度’仗最面溫度T1到常溫T〇為止被缓慢進行冷卻；在通過 熱處理部9之期間係維持於m基於此因，基板90之 ，度並不會急遽上升或下降，基板90係以均句方式被作熱 處理。為了防止基板90之急遽溫度上升，熱處理部5之先 頭部分之溫度T2，係以譬如以為常溫+3代以下為佳。 為了防止基板90之急遽溫度下降，熱處理部8之先頭 部分之溫度T3’係以譬如設定為最高溫度τι镇以上為 佳0 又’在此基板處理裝置3方面，由於可防止熱處理部Μ 上之基板90的急遽溫度變化，因此即使在抗㈣塗佈後未 將基板90完全乾燥’在熱處理時，於基板％之表面狀態亦 不會產生不均句。因此’可省略抗㈣塗佈後之減壓乾燥 處理，而達成基板處理裝置3之結構的簡易化。 又，本實施型態之基板處理裝置3亦如同第丨實施型態之 基板處理裝置丨、第2實施型態之基板處理裝置2般，以非 接觸方式絲板90保躲基板保持板52上，在將基板9〇往 120801.doc -29- 200811956 二：動的同日”施行加熱處理或冷卻處理。基於此 ’…、需支持銷等構件把 的損傷及污染得以防/ 之下面，而使基板90 .. 止。又，不會因支持銷等構件而使加 熱處理呈現部分不均 也、，A 〕勺現象。又，由於在搬送基板90的同 纟苑仃加熱處理’所以與基板90之下面側的氣體之流動 : …"而：將基板90之面内進行均勻熱處理。 α、，本貝^型恶之噴出孔52a及抽吸孔52b係往基板90之 _ 搬达方向呈正交之方向形成狹縫狀。基於此因 9〇之搬送方向呈正交之古&七 ^ ^ 长 之方向方面，基板保持板12上之氣體 、L動成為均勻。因此，基板9〇係在搬送方向及與搬送方 向呈正交之方向的任-方向方面均被作均勻加熱，基板90 之面内全體被作極為均勻加熱。 <5·第3實施型態之變形例> 第3貝她型恶之基板搬送機構3 1係從基板90之搬送方向 後方側賦予基板9〇推力之機構，但本發明之基板搬送機構 _ ϋ不限於上述機構。譬如，如為從基板9G之左右（+y側及· y側）挾持基板90並同時將基板90往χ軸方向搬送之機構亦 . 可。如為從基板90之搬送方向前方側將基板90拉動之機構 亦可。 又，上述基板搬送機構13係將基板9〇僅往一方向（+ 乂方 向）搬送者，但本發明中之基板搬送機構如為將基板卯往2 以上之方向搬送者亦可。譬如，將圖1〇般之搖動機構“應 用於基板處理裝置3，在基板保持板52之溫度成為一定之 部分方面，則將基板90往+x方向及_χ方向交錯搬送亦可。 I20801.doc -30- 200811956 如此一來，由於可將基板9〇的搬送空間狹小化，故可減小 基板處理裝置3之占有面積。

又，在上述基板處理裝置3方面，喷出孔52&及抽吸孔 52b之狹縫寬度為一定，但亦可設定為依據基板9〇之處理 條件而可調整此等之狹縫寬度。譬如，如利用如圖n及圖 12所示般之狹縫寬度調整用板22c或如圖13及圖14所示般 之狹縫寬度調整用板22d，以調整喷出孔52a及抽吸孔52b 之狹縫寬度亦可。又，噴出孔52a及抽吸孔52b如為第！實 施型態之喷出孔12a及抽吸孔12b般之點狀穿孔亦可。 又上述基板處理裝置3係包含藉由複數個溫度調節部 52c所構成之第丨溫度調節機構、及藉由複數個溫度調節部 所構&之第2溫度調節機構，但如僅包含此等溫度調節 機構之任方亦可。然而，如利用此等2種之溫度調節機 構，則可將基板保持板52上之基板9q作更均勾之溫 /r/r 即 〇 又，在上述之例中，就熱處理部5〜9之基板保持板52之 设定温度之例而言，传如圄】R _ 係如圖18所不，但基板保持板52之設 定溫度並不限於圖18之例。譬如，不在i個基板保持板52 内形成溫度梯度’而依照錢處理部對各基板保持板以 溫度賦予差異亦可。 又’在上述之例中’係相對於熱處理部5〜9將抗蝕劑塗 佈處理部4配置於基板之搬洋 土极之搬迗方向上游側，但如配置塗佈 處理部以取代抗餘劑塗饰虛 y 釗土师處理部4亦可，而該塗佈處理部 係於基板之上面塗佈其他處理液者。 120801.doc 200811956 又，上述基板處理裝置3係對液晶顯示裝置用之 璃基板施行處理之裝置，但本發明之基板處理裝置如= :導體晶圓、PDP用玻璃基板等其他基板為處理對象者亦 【圖式簡單說明】 圖1係第1實施型態中之基板處理裝置的平面圖。 圖2係第1實施型態中之基板處理裝置的縱剖面圖。 圖3係顯示第！實施型態中之控制部與各部間之連接結構 的區塊圖。 圖4係顯示第〗實施型態中之基板處理狀態之圖。 圖5係顯示基板處理裝置中之基板處理狀態之圖。 圖6係顯示基板處理裝置中之基板處理狀態之圖。 圖7係顯示基板處理裝置中之基板處理狀態之圖。 圖8係第2實施型態中之基板處理裝置的平面圖。 圖9係第2實施型態中之基板處理裝置的縱剖面圖。 圖係具備搖動機構之基板處理裝置的平面圖。 圖11係狹縫寬度調整用板之上面圖。 圖12係狹縫寬度調整用板之縱剖面圖。 圖13係狹縫寬度調整用板之上面圖。 圖14係狹縫寬度調整用板之縱剖面圖。 圖15係第3實施型態中之基板處理裝置的平面圖。 圖16係第3實施型態中之抗钱劑塗佈處理部之縱剖面 圖0 圖17係第3實施型態中之熱處理部之縱剖面圖。 120801.doc -32- 200811956 圖18係顯示第3實施型態中之栌 < L制4與各部間之連接结 構之區塊圖。 ' ° 圖19係顯示第3實施型態中之熱處理部之溫度分佈之例 之圖。

圖20係顯示先前之基板處理裝置的結構之圖。 【主要元件符號說明】 1、2、3 基板處理裝置 4 抗姓劑塗佈處理部 5〜9 熱處理部 10 基板保持板 11 、 41 、 51 處理室 12 、 22 、 42 、 52 基板保持板 12a ' 22a ^ 42a ' 52a 喷出孔 12b > 22b > 42b - 52b 抽吸孔 12c 加熱器 13 ^ 31 基板搬送機構 13a、 31a 執道部 13b 、 31b 移動部 13c - 31c 抵接部 14d 加熱器 15、32 控制部 16 摇動機構 22c 狹縫寬度調整用板 22d 狹縫寬度調整用板 120801.doc -33- 200811956 52c 溫度調節部 54d 溫度調節部 90 基板 I20801.doc -34-

Claims (1)

1. 200811956 十、申請專利範圍·· 1· 一種基板處理裝置，其特徵為： 其係對基板施行熱處理者；且包含： 基板保持板，其係從形成於上面 於 — 乂上曲之硬數個嘴出孔噴出 a 軋體，藉此將基板以非接觸方式保持於前述上面者； . s度調節機構’其係將以非接觸方式保持於前述基板 - 保持板之前述上面的基板進行溫度調節者，·及 • 料機構，其係將⑽接财式保持於前述基板保持 板之前述上面的基祐，A、+，L *7» J^m /口者刚述上面進行搬送者。 2·如請求項1之基板處理裝置，其中 纟前述基板保持板之前述上面形成有抽吸上方氣體的 複數個抽吸孔。 3 ·如請求項2之基板處理裝置，其中 前述複數個噴出孔及前述複數個抽吸孔，係於前述基 板保持板之前述上面排列為格狀之點狀穿孔。 4·如請求項2之基板處理裝置，其中 月J述複數個噴出孔及前述複數個抽吸孔，係於前述基 板：持板之前述上面形成於與前述搬送機構之搬送方向 正父之方向的狹縫狀穿孔。 5·如請求項4之基板處理裝置，其中 ⑴述複數個噴出孔及前述複數個抽吸孔，係於前述基 板保持板之前述上面沿著前述搬送機構之搬送方向交錯 排列者。 6.如請求項4之基板處理裝置，其中更包含·· 120801 .doc 200811956 狹縫寬度調整機構，其係調整前述複數個 述複數個抽吸孔之狹缝寬度者。 、115札或前 7. 如請求項1之基板處理裝置，其中 前述搬送機構包含：抵接部，其係從搬送 側抵接於基板者；及移動部 彳方 其係使前述抵接部往搬详 方向移動者。 1住飯迗 8. 如請求項1之基板處理裝置，其中 前述搬送機構包含使基板搖動之搖動機構。 9·如请求項1之基板處理裝置，其中 前述溫度調節機構包含：第 禾~皿度5周即機構，复係姐 由丽述基板保持板與基板 係错 吞+ 败之間的熱輻射而將基板進行严 度调即者；第2溫度調節機構，其係 皿 喷出孔所噴出之氣體盥其4 別立硬數個 ^之κ體與基板之間的熱交 溫度調節者。 竹丞板進仃 10.如請求項9之基板處理裝置，盆中包含. 送述基板保持板’其係沿著前述搬送機構之椒 別調前=溫度調節機構係將複數個前述基板保持板個 11 ·如凊求項10之基板處理裝置，其中 前述第1溫度調節機槿在… ^ 械耩係將複數個前述基板保持板一 一於各區域個別調節溫度。 12·如明求項丨〗之基板處理裝置，其中 前述第2溫度調節撫错在^ 2 钱構係依據前述基板保持板之各區 120801.doc 200811956 =:::調=從形成，域，孔所— 】3·如請求項！至】2中任 含： 項之基板處理裝置， 其中更包 /佈處理部’其係相對於前述基板保持板在前述搬送 機構之搬送方向上游側，於基板之上面塗佈處理液者。 120801.doc