JPH08162405A - 熱処理方法及び熱処理装置並びに処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体の加熱・冷却処理時間の短縮化、被
処理体の面内温度分布の均一化及び製品歩留まりの向上
を図ること。 【解決手段】 半導体ウエハＷを載置する載置台２４に
ヒータ２３を埋設して、半導体ウエハＷを所定温度に加
熱可能に形成する。載置台２４の外方に、載置台２４を
包囲すべくシャッタ２６を、載置台２４と相対移動可能
に形成する。半導体ウエハＷを載置台２４上及び載置台
２４の上方位置に移動する支持ピン３２を設け、この支
持ピン３２にて支持されて載置台２４の上方位置におか
れる半導体ウエハＷに向かって進退移動可能な冷却温度
調整体４０を設ける。これにより、載置台２４上で加熱
処理された半導体ウエハＷを支持ピン３２にて載置台２
４の上方位置に移動した後、冷却温度調整体４０を半導
体ウエハＷに向かって移動して、半導体ウエハＷを所定
の温度に冷却温調することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、被処理体を加熱
した後、所定温度に冷却して被処理体を温度調整する熱
処理方法及び熱処理装置並びに処理装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）等の
被処理体の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて回
路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを
現像処理している。

【０００３】このフォトリソグラフィー工程において、
まず、未処理のウエハ上のゴミ及び汚れを除去するため
にウエハ表面を洗浄し、その後加熱乾燥処理を行う。そ
して、冷却後直ちに、ウエハをレジスト塗布装置に搬送
して、例えばスピンコート法によりウエハ表面にレジス
ト膜を塗布形成する。その後、ウエハは加熱装置に搬送
されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるために所定時
間、所定温度（８０℃前後）プリベーク処理が施され
る。その後、例えば室温（２３℃）まで冷却され、露光
装置に搬送されて露光処理が行われる。露光処理後のウ
エハは、加熱装置に搬送され、所定時間、所定温度でベ
ーク処理（現像前ベーク処理）が施される。このベーク
処理が終了したウエハは、現像装置に搬送され、ここで
現像処理が施された後、再び加熱装置に搬送され、所定
時間、所定温度（５０〜１８０℃）でポストベーク処理
（現像後ベーク処理）が施されて、現像後のフォトレジ
ストに残留する現像液等を加熱蒸発させる。その後、ウ
エハは、冷却装置に搬送され、室温（２３℃）まで冷却
すなわち温度調整された後、次の工程へ搬送される。

【０００４】上記のようにフォトリソグラフィー工程に
おいては、処理されるウエハは、レジスト塗布の前、現
像処理の前後において所定温度に加熱処理されると共
に、その後の工程に搬送される前に室温まで冷却処理を
施す必要があるため、加熱及び冷却の熱処理は重要な工
程とされている。

【０００５】ところで、従来のこの種のフォトリソグラ
フィー工程において、加熱装置と冷却装置は別の位置に
配置されており、加熱処理後のウエハをロボット等の搬
送手段で冷却装置に搬送するため、搬送時にウエハは自
己放熱及び周囲の気流による冷却等の影響を受けて温度
が変化し、面内温度分布が不均一となり、その結果、レ
ジストの膜厚の不均一や現像むら等が生じ製品歩留まり
の低下をきたすという問題があった。

【０００６】ウエハの搬送時の自己放熱及び気流による
冷却の影響を防止する手段として、特開平６−２９２０
３号公報に記載の技術が知られている。この特開平６−
２９２０３号公報に記載の技術は、ベークユニット内の
上部に設置され、ウエハをその上方から非接触で加熱す
るヒータと、ベークユニット内の下部に設置され、ウエ
ハを冷却する冷却プレートと、ベークユニット内のウエ
ハを水平に支持した状態で上下動させる昇降ピンと、ヒ
ータと冷却プレートとの間に設置され、ベークユニット
内の密閉空間を上下に二分割する断熱シャッタとを具備
する熱処理装置である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の熱処理装置においては、ウエハの上方の非接触
位置に設置されたヒータによってウエハを加熱する構造
であるため、ウエハを例えば１８０℃の高温度に加熱す
るには多くの時間を要すると共に、多くの熱エネルギー
を要するという問題があり、しかもウエハの面内温度分
布を均一にすることが難しいという問題がある。また、
同一のユニット内にヒータと冷却プレートとを設置する
ため、ヒータ及び冷却プレートの双方に熱影響を及ぼす
という問題がある。この問題は断熱シャッタの閉塞時に
は解消されるが、断熱シャッタが開放された状態では、
ヒータと冷却プレートの双方が熱による悪影響を受ける
ことは免れない。また、断熱シャッタはシャッタ巻取装
置内に収容された状態から引き出されてベークユニット
内に移動するため、断熱シャッタとベークユニットとの
摺動部分にパーティクルが発生し、そのパーティクルが
ウエハに付着し、製品歩留まりの低下をきたすという問
題がある。

【０００８】また、特に化学増幅型のレジスト膜を形成
する場合、露光処理後の現像前ベーク処理を行った後、
冷却処理を短時間内に行わないと、増幅反応が進みウエ
ハ表面にパターン形成された線幅等に悪影響を及ぼすと
いう問題もあった。更に、上記ベーク処理を行った後、
冷却処理までの時間が一定でないと、ウエハ毎に線幅が
変動するという問題もあった。

【０００９】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の加熱・冷却処理時間の短縮を図り、かつ
被処理体の面内温度分布の均一化及び製品歩留まりの向
上を図れるようにした熱処理方法及び熱処理装置並びに
処理装置を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の熱処理方法は、被処理体を加熱手段
上に載置して所定温度に加熱する工程と、 加熱処理
後、上記被処理体を上記加熱手段の上方位置に移動する
工程と、 上記被処理体に向かって移動する冷却温度調
整手段にて被処理体を所定温度に冷却する工程と、を有
することを特徴とするものである。

【００１１】請求項２記載の熱処理方法は、被処理体を
加熱手段上に載置して所定温度に加熱する工程と、 加
熱処理後、上記被処理体を上記加熱手段の上方位置に移
動する工程と、 上記被処理体に向かって移動する冷却
温度調整手段に被処理体を渡す工程と、 上記冷却温度
調整手段を上記加熱手段の側方の位置に移動して所定温
度に冷却する工程と、を有することを特徴とするもので
ある。

【００１２】請求項３記載の熱処理方法は、被処理体を
加熱手段上に載置して所定温度に加熱する工程と、 加
熱処理後、上記被処理体を上記加熱手段の上方位置に移
動する工程と、 上記被処理体に向かって移動する冷却
温度調整手段に被処理体を渡す工程と、 上記冷却温度
調整手段を上記加熱手段の側方へ移動しつつ所定温度に
冷却する工程と、を有することを特徴とするものであ
る。

【００１３】請求項４記載の熱処理装置は、被処理体を
載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して
処理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載
置台上及び載置台の上方位置に移動する支持部材と、
上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
退移動可能な冷却温度調整体と、を具備することを特徴
とするものである。

【００１４】請求項５記載の熱処理装置は、被処理体を
載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して
処理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載
置台上及び載置台の上方位置に移動する第１の支持部材
と、 上記支持部材にて支持される上記被処理体に向か
って進退移動可能な冷却温度調整体と、 上記載置台の
側方の冷却温度調整体待機位置に設けられ、上記冷却温
度調整体から上記被処理体を受け取る第２の支持部材
と、を具備することを特徴とするものである。

【００１５】請求項６記載の熱処理装置は、被処理体を
載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して
処理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載
置台上及び載置台の上方位置に移動する支持部材と、
上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
退移動可能な冷却温度調整体と、 上記載置台と冷却温
度調整体との間に介在される断熱板と、を具備すること
を特徴とするものである。

【００１６】請求項７記載の熱処理装置は、被処理体を
載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して
処理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載
置台上及び載置台の上方位置に移動する支持部材と、
上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
退移動可能な冷却温度調整体と、 上記載置台と冷却温
度調整体との間に断熱用空気を供給する空気供給手段
と、を具備することを特徴とするものである。

【００１７】請求項８記載の熱処理装置は、被処理体を
載置して所定温度に加熱する発熱体を有する載置台と、
上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して
処理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載
置台上及び載置台の上方位置に移動する支持部材と、
上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
退移動可能な冷却温度調整体と、 上記冷却温度調整体
に設けられ、上記被処理体に向けて不活性ガスを供給す
る不活性ガス供給手段と、を具備することを特徴とする
ものである。

【００１８】この発明において、上記冷却温度調整体
は、支持部材にて支持される被処理体に向かって進退移
動可能なものであれば、被処理体の上面又は下面に近接
する板状であっても差し支えないが、好ましくは被処理
体の上下面を覆うサンドイッチ形のものである方がよ
く、また少なくとも下方に冷媒を具備する方がよい。こ
の場合、冷媒としては、例えばペルチェ素子あるいは恒
温水を循環する方式を使用することができる。

【００１９】また、上記不活性ガス供給手段は、冷却温
度調整体に設けられて被処理体に向けて不活性ガスを供
給するものであれば、不活性ガスの供給形態は任意のも
のでよく、例えば被処理体の上面側あるいは下面側に向
かってシャワー状に不活性ガスを供給する方式を用いる
ことができる。この場合、不活性ガスとして、例えば窒
素（Ｎ₂）ガスあるいは清浄化された空気等を使用する
ことができる。

【００２０】また、請求項９記載の処理装置は、被処理
体を所定温度に加熱する加熱ユニット及び所定温度に冷
却する冷却ユニットを有する熱処理部と、 上記被処理
体に対しレジスト液を塗布する塗布ユニット及び現像処
理する現像ユニットの少なくともどちらか１つを有する
レジスト処理部と、 少なくとも、上記被処理体を上記
熱処理部と上記レジスト処理部との間を搬送する第１の
搬送手段と、 上記被処理体を上記熱処理部内の所定の
ユニット間のみを搬送する第２の搬送手段と、を具備す
ることを特徴とするものである。

【００２１】この場合、上記第２の搬送手段に、冷却温
度調整機能を具備する方が好ましい（請求項１０）。

【００２２】この発明によれば、被処理体を加熱手段
（載置台）上に載置して所定温度に加熱した後、支持部
材をもって被処理体を加熱手段の上方位置に移動し、こ
の状態で被処理体に向かって冷却温度調整手段（冷却温
度調整体）を移動して被処理体を所定温度に冷却するこ
とができる。

【００２３】また、被処理体の冷却は、加熱手段の上方
位置の他、加熱手段の側方の位置で行うことにより、加
熱手段による熱影響を可及的に少なくして、冷却処理を
行うことができる。また、被処理体の冷却を、加熱手段
の上方から側方の位置への移動中に行うことにより、被
処理体の搬送中に冷却処理することができ、スループッ
トの向上を図ることができる。

【００２４】また、被処理体を載置台の上方位置に移動
し、冷却温度調整体にて冷却する際、載置台と冷却温度
調整体との間に、断熱板を介在させるか、あるいは、断
熱用空気を供給することにより、載置台から冷却温度調
整体に伝熱される熱を遮断することができ、載置台から
の熱の影響を可及的に少なくすることができる。

【００２５】また、不活性ガス供給手段から被処理体に
向けて不活性ガスを供給することにより、加熱処理され
た被処理体を不活性ガス雰囲気に置換した後、冷却して
所定の温度に調整することができる。

【００２６】また、被処理体を熱処理部とレジスト処理
部との間を搬送する第１の搬送手段とは別に被処理体を
熱処理部内の所定のユニット間のみを搬送する第２の搬
送手段を設けることにより、加熱ユニットで加熱処理さ
れた被処理体を第２の搬送手段で受け取り、冷却ユニッ
トへ受け渡すことができる。したがって、熱処理が施さ
れた被処理体を迅速に冷却ユニットに搬送することがで
き、被処理体の熱影響を可及的に少なくすることができ
ると共に、スループットの向上を図ることができる。こ
の際、第２の搬送手段に温度調整機能をもたせることに
より、被処理体の搬送中に冷却処理を施すことができ、
更にスループットの向上を図ることができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施形態を図面
に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る
熱処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに
組み込んだ場合について説明する。

【００２８】上記半導体ウエハの塗布・現像処理システ
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て例えば多数枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハとい
う）を収容する複数のカセット２を例えば４個載置可能
に構成したキャリアステーション３を有し、このキャリ
アステーション３の中央部にはウエハＷの搬入・搬出及
びウエハＷの位置決めを行う補助アーム４が設けられて
いる。また、塗布・現像処理システム１のキャリアステ
ーション３側の側方にはプロセスステーション６が配置
されている。更に、その中央部にてその長さ方向に移動
可能に設けられると共に、補助アーム４からウエハＷを
受け渡される搬送手段としてのメインアーム５が設けら
れており、このメインアーム５の移送路の両側には各種
処理機構が配置されている。具体的には、これらの処理
機構として例えばウエハＷをブラシ洗浄するためのブラ
シスクラバ７及び高圧ジェット水により洗浄を施すため
の高圧ジェット洗浄機７Ａが並設され、その隣には、熱
処理装置２０が２基積み重ねて設けられると共に、メイ
ンアーム５の移送路の反対側には現像装置８が２基並設
されている。

【００２９】更に、上記プロセスステーション６の側方
には、接続用ユニット９を介してもう一つのプロセスス
テーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジスト
を塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン処
理装置１０が設けられ、この下方にはクーリング装置１
１が配置されている。これら装置１０，１１の側部には
別の熱処理装置２０が２列で２個ずつ積み重ねられて配
置されている。

【００３０】また、メインアーム５の移送路を挟んでこ
れら熱処理装置２０やアドヒージョン処理装置１０等の
反対側にはウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジ
スト塗布装置１２が２台並設されている。なお、これら
レジスト塗布装置１２の側部には、インターフェースユ
ニット１３を介してレジスト膜に所定の微細パターンを
露光するための露光装置１４等が設けられている。

【００３１】次に、熱処理装置について詳細に説明す
る。 ◎第一実施形態 図２はこの発明に係る熱処理装置２０を示す概略断面図
である。

【００３２】上記熱処理装置２０は、上記メインアーム
５によって搬送されるウエハＷを所定の温度に加熱処理
する加熱処理部２１と、この加熱処理部２１にて加熱処
理された後のウエハＷを所定の温度例えば室温（２３℃
程度）まで冷却（冷却温調）する冷却温度調整体４０の
待機部２２とを具備している。

【００３３】上記加熱処理部２１には、ウエハＷを載置
して所定温度に加熱する加熱手段としての発熱体２３
（ヒータ）を埋設して有する載置台２４が保持部材２５
にて保持されている。この載置台２４の外周側には、載
置台２４の周辺部を包囲すべく円筒状のシャッタ２６が
昇降シリンダ２７によって上下移動可能に配設されてお
り、また、載置台２４の上方には、上部中央に、図示し
ない排気装置に接続する排気口２８ａを有するカバー２
８が配設されている。

【００３４】この場合、シャッタ２６の下端部には内向
きフランジ２６ａが設けられており、昇降シリンダ２７
の駆動によってシャッタ２６が上昇した際、内向きフラ
ンジ２６ａが載置台保持部材２５の下面に装着されたシ
ールパッキング２９に密接した状態でシャッタ２６が載
置台２４を包囲してカバー２８と共に処理室３０を形成
し、シャッタ２６が下降することにより、シャッタ２６
上端部とカバー２８下側部との隙間を通して待機部２２
以外の箇所から載置台２４上へのウエハＷの搬入及び搬
出が可能に構成されている。なお、処理室３０を形成す
る際、シャッタ２６の上端とカバー２８との間には約１
ｍｍ程度の隙間３１が設けられ、この隙間３１から処理
室３０内に流入する空気が排気口２８ａから排気される
ようになっている。このように、ウエハＷの上方の周囲
から処理室３０内に流入される空気を上方の排気口２８
ａから排出することにより、流入した空気が直接ウエハ
Ｗに触れることを防止できるため、ウエハＷの加熱処理
の加熱温度を均一にすることができ、ウエハＷの加熱処
理を均一にすることができる。

【００３５】また、載置台２４の下方には、ウエハＷを
支持して載置台２４上及び載置台２４の上方位置に移動
する第１の支持部材としての３本の支持ピン３２が昇降
板３３上に同心円状に起立して設けられている。これら
支持ピン３２は、例えばセラミックス，フッ素樹脂ある
いは合成ゴム等の断熱性部材にて形成されており、昇降
板３３に連結するボールねじ機構からなる昇降機構３４
の駆動によって載置台２４に設けられた貫通孔２４ａを
介して載置台２４の上方に出没移動し得るように構成さ
れている。

【００３６】一方、上記待機部２２に配設される冷却温
度調整体４０は、上記支持ピン３２によって載置台２４
の上方位置に移動されたウエハＷの上下面を覆うサンド
イッチ形に配置された上部冷却片４１及び下部冷却片４
２と、これら冷却片４１，４２の一端を連結する連結片
４３とからなる縦断面形状がほぼコ字状に形成されてい
る。このようにコ字状に形成することにより、上下方向
の厚みを薄くでき、また、連結片４３による片持ち支持
に構成できるので、移動に都合が良く、構成も簡単にで
きる。また、上部冷却片４１又は下部冷却片４２又は両
者には冷媒としてのペルチェ素子４４が埋設されると共
に、ペルチェ素子４４の背部に放熱板４５が配設されて
おり、図示しない電源からの通電によって上部冷却片４
１の下面側及び下部冷却片４２の上面側が吸熱されて温
度が低下しウエハＷを所定の温度例えば室温（２３℃程
度）に冷却し得るように構成されている。なお、ペルチ
ェ素子４４の代りに、図３に示すように、管状の流路４
４Ａを内蔵させ、所定温度に冷却された恒温水，ガス等
を循環させて冷却するように構成することもできる。

【００３７】上記のように構成される冷却温度調整体４
０は、連結片４３に連結するロッド４６ａを介して水平
移動用の空気シリンダ４６に連結されており、この空気
シリンダ４６の駆動によって冷却温度調整体４０が載置
台２４の上方位置のウエハＷに向かって進退移動し得る
ように構成されている。この場合、冷却温度調整体４０
の下部冷却片４２には、図４に示すように、３本の支持
ピン３２との干渉を避け支持ピン３２が進退できるよう
にするためのスリット４７が設けられている。このよう
にスリット４７を設けることにより、支持ピン３２によ
って載置台２４の上方位置に移動されたウエハＷに向か
って冷却温度調整体４０を移動させ、ウエハＷの上下面
に上部冷却片４１と下部冷却片４２を近接させて、ウエ
ハＷを冷却温調することができる。この際、ウエハＷは
下部冷却片４２によって載置台２４と熱的に遮断される
ので、載置台２４からの熱の影響を受ける虞れはない。

【００３８】なお、上記第一実施形態では、円筒状のシ
ャッタ２６を上下動させて処理室３０の形成及び載置台
２４の外方の開放を行っているが、シャッタ２６の上下
動に代えて、あるいは、シャッタ２６の上下動と共にカ
バー２８及び載置台２４を上下動させて同様に処理室３
０を形成するようにしてもよい。また、上記円筒状のシ
ャッタ２６に代えて、載置台２４を収容する容器の側壁
にウエハ搬入・搬出用の開口を設け、この開口を開閉す
るシャッタとしてもよい。また、上記第一実施形態で
は、支持ピン３２でウエハＷを支持した状態で冷却温度
調整体４０を移動させてウエハＷと冷却温度調整体４０
とが非接触状態で冷却温調を行っているが、図２に想像
線で示すように、冷却温度調整体４０の下部冷却片４２
の上面に設けたスペーサ４８によってウエハＷを支持し
てプロキシミティー状態で冷却温調することも可能であ
る。

【００３９】◎第二実施形態 図５はこの発明に係る熱処理装置の第二実施形態の概略
断面図、図６は図５のＶ−Ｖ矢視図である。

【００４０】第二実施形態は、加熱処理後のウエハＷを
冷却温調する際に載置台２４からの熱が冷却温度調整体
４０に影響を及ぼすのを更に確実に防止するようにした
場合である。すなわち、シャッタ２６の外方側例えば冷
却温度調整体４０の待機位置と対向する側から載置台２
４と冷却温度調整体４０との間に進退移動する断熱板５
０を配設し、この断熱板５０には、前進した時に、冷却
温度調整体４０の下部冷却片４２に設けられたスリット
４７を、３本の支持ピン３２部分を残して他の部分を塞
ぐように形成されたスリット４７ａを設ける。そして、
図示しない移動機構によって断熱板５０を載置台２４と
冷却温度調整体４０との間に挿入し前進させて、断熱板
５０のスリット４７ａ内に支持ピン３２を位置させるこ
とにより、冷却温度調整体４０のスリット４７の存在に
よって連通される部分を極力狭くして、載置台２４と冷
却温調されるウエハＷとを遮断させるようにした場合で
ある。

【００４１】上記のように、載置台２４と冷却温度調整
体４０との間に断熱板５０を介在させることにより、載
置台２４から冷却温度調整体４０への熱の伝達を確実に
遮断することができ、加熱処理後のウエハＷが冷却温調
時に載置台２４からの熱の影響を受けるのを確実に防止
することができる。

【００４２】なお、上記第二実施形態では、断熱板５０
を冷却温度調整体４０の待機位置と対向する位置に配設
する場合について説明したが、断熱板５０の配設位置は
必ずしも冷却温度調整体４０の待機位置と対向させる必
要はなく、断熱板５０の移動時に支持ピン３２と干渉し
ないスリット４７ａを設ければ任意の位置でよく、例え
ば図５の紙面に対して直交する位置に配設してもよい。
なお、第二実施形態において、その他の部分は上記第一
実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付
して、その説明は省略する。

【００４３】◎第三実施形態 図７はこの発明に係る熱処理装置の第三実施形態の概略
断面図、図８は第三実施形態の要部を示す概略斜視図で
ある。

【００４４】第三実施形態は、加熱処理後のウエハＷを
冷却温調する際に載置台２４からの熱が冷却温度調整体
４０に影響を及ぼすのを更に確実に防止するようにした
別の場合である。すなわち、載置台２４と冷却温度調整
体４０との間の平面上におけるシャッタ２６の外方側の
対向する位置の一方に、図示しない空気供給源に接続す
る空気供給ノズル６０（空気供給手段）を配設し、他方
には、図示しない排気装置に接続する空気吸引管６１を
配設して、空気供給ノズル６０から載置台２４と冷却温
度調整体４０との間に供給される常温又は冷却された断
熱用空気を空気吸引管６１から吸引して載置台２４と冷
却温度調整体４０との間にシート状の断熱用空気層６２
を形成するようにした場合である。この場合、図８に示
すように、スリット状に形成された空気供給ノズル６０
の噴口６０ａと空気吸引管６１の吸引口６１ａをシャッ
タ２６の外周面と相似形の円弧状の偏平状に形成するこ
とにより、断熱用空気層６２を容易にシート状に形成す
ることができる。

【００４５】上記のように、載置台２４と冷却温度調整
体４０との間に断熱用空気層６２を形成することによ
り、載置台２４の熱が冷却温度調整体４０側に伝熱され
るのを防止することができる。なお、断熱用空気によっ
て載置台２４の温度が低下するので、次のウエハＷを加
熱処理する際には、載置台２４の温度が所定温度に達し
た後に次のウエハＷを載置台２４上に搬送する方が望ま
しい。なお、第三実施形態において、その他の部分は上
記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符
号を付して、その説明は省略する。

【００４６】◎第四実施形態 図９はこの発明に係る熱処理装置の第四実施形態の要部
を示す概略断面図である。

【００４７】第四実施形態は、冷却温度調整体４０より
ウエハＷに向かって常温又は冷却された不活性ガスを供
給して冷却温調する前のウエハＷを不活性ガス雰囲気に
置換するようにした場合である。すなわち、冷却温度調
整体４０の上部冷却片４１の下面側に、図示しない不活
性ガス例えば窒素（Ｎ₂）ガスの供給源に接続するＮ₂ガ
ス供給通路７０を形成すると共に、このＮ₂ガス供給通
路７０に適宜間隔をおいて多数の噴口７１を設けること
により、Ｎ₂ガス供給源からＮ₂ガス供給通路７０に流入
するＮ₂ガスを、冷却温調される前のウエハＷに向かっ
てシャワー状に供給するようにした場合である。

【００４８】なお、上記第四実施形態では、冷却温度調
整体４０の上部冷却片４１にＮ₂ガス供給通路７０と噴
口７１を設けて、ウエハＷの上面にＮ₂ガスを供給する
場合について説明したが、下部冷却片４２の上面側に同
様にＮ₂ガス供給通路７０と噴口７１を設けて、ウエハ
Ｗの下面にもＮ₂ガスを供給するようにしてもよい。ま
た、Ｎ₂ガスに代えて清浄化された空気やその他の不活
性ガスを供給するようにしてもよい。

【００４９】上記のように構成することにより、加熱処
理されたウエハＷを冷却温調する前に、ウエハＷにＮ₂
ガスを供給して、高温雰囲気を低温の不活性ガス雰囲気
に置換することができる。したがって、加熱処理された
ウエハＷの表面を予め低温の同一の雰囲気下において冷
却温調することができるので、ウエハＷの面内温度分布
を更に均一にすることができる。また、Ｎ₂ガス吐出気
流により、ウエハＷを高速冷却させ、目標冷却温度まで
の処理時間を短縮させることもできる。

【００５０】なお、第四実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。

【００５１】◎第五実施形態 図１０はこの発明に係る熱処理装置の第五実施形態の要
部の動作態様を示す概略側面図である。

【００５２】第五実施形態は、冷却処理の短縮を図れる
ようにした場合である。すなわち、冷却温度調整体４０
の上部冷却片４１又は／及び下部冷却片４２とウエハＷ
との間隔を狭くして冷却温調の促進を図れるようにした
場合である。この場合、冷却温調後のウエハＷの搬出を
円滑に行わせるために、この発明では、冷却温度調整体
４０の上部冷却片４１と下部冷却片４２とを別体に形成
し、これら冷却片４１，４２の一端に突設されるブラケ
ット４１ａ，４２ａ間に伸縮自在なシリンダ装置８０を
介設し、シリンダ装置８０の駆動によって上部冷却片４
１と下部冷却片４２との間隔を調整可能に構成してあ
る。

【００５３】このように構成することにより、ウエハＷ
の冷却温調時には、図１０（ａ）に示すように、シリン
ダ装置８０を収縮動作して上部冷却片４１と下部冷却片
４２との間隔すなわちウエハＷと冷却片４１，４２との
間隔を狭めて冷却温調処理を施すことができる。また、
冷却温調後には、図１０（ｂ）に示すように、シリンダ
装置８０を伸長動作してウエハＷと冷却片４１，４２と
の間隔を広げ、そして、ウエハＷと下部冷却片４２との
間にメインアーム５を挿入し、支持ピン３２にて支持さ
れているウエハＷをメインアーム５に受け渡すことがで
きる。

【００５４】◎第六実施形態 図１１はこの発明に係る熱処理装置の第六実施形態を示
す概略断面図である。

【００５５】第六実施形態は、ウエハＷの冷却温調を載
置台２４の上方位置以外の場所で行えるようにし、かつ
冷却温度調整体４０の待機位置で冷却温調後のウエハＷ
の受け渡しを行えるようにした場合である。

【００５６】この場合、冷却温度調整体４０の待機部２
２に、上記載置台２４ａの下方に配設された支持ピン３
２（第１の支持ピン）と同様に、ボールねじ機構にて形
成される昇降機構３４ａによって上下移動する昇降板３
３上に、同心円状に起立する第２の支持部材である３本
の第２の支持ピン３２ａを設けてなる受け渡し手段を構
成する。

【００５７】上記のように、冷却温度調整体４０の待機
部２２に、ウエハＷの受け渡し用の第２の支持ピン３２
ａを上下移動可能に配設することにより、加熱処理部２
１で加熱処理された後に第１の支持ピン３２の上昇によ
って載置台２４の上方位置に移動されたウエハＷを冷却
温度調整体４０で受け取った後、冷却温度調整体４０を
待機部２２に移動し、ウエハＷを冷却温調することがで
きる。この際、冷却温度調整体４０を待機部２２に移動
する間に冷却温調を開始すれば、冷却温調の時間の短縮
を図ることができる。冷却温調が終了した後、昇降機構
３４ａを駆動させて第２の支持ピン３２ａを冷却温度調
整体４０に向かって移動して、下部冷却片４２上のウエ
ハＷを支持した状態で、メインアーム５にウエハＷを受
け渡すことができる。

【００５８】したがって、第六実施形態によれば、加熱
処理後のウエハＷの冷却温調を載置台２４の上方位置か
ら離れた場所で行うので、載置台２４からの熱による影
響を少なくすることができ、ウエハＷの面内温度分布の
均一性をより一層高めることができる。また、次に加熱
すべきウエハＷを直ちに載置台２４に載置して、加熱処
理を開始することができる。

【００５９】次に、この発明の熱処理方法について、図
１２及び図１３を参照して説明する。

【００６０】★熱処理方法Ａ 熱処理方法Ａは、上記第一実施形態ないし第五実施形態
の熱処理装置を用いてウエハＷを加熱処理及び冷却温調
処理する方法である。以下に、第一実施形態を代表例と
して説明すると、まず、図１２（ａ）に示すように、加
熱処理部２１の載置台２４上にウエハＷを載置した状態
で、載置台２４に埋設されたヒータ２３を発熱させ又は
予め発熱させておき、所定時間、所定温度（５０〜１８
０℃）の下でウエハＷに加熱処理を施す（加熱工程）。
この際、シャッタ２６とカバー２８との隙間３１から処
理室３０内に流入する空気を排気口から排気する。

【００６１】次に、図１２（ｂ）に示すように、支持ピ
ン３２を上昇してウエハＷを載置台２４の上方位置へ移
動する（移動工程）。このとき、シャッタ２６を下降さ
せて載置台２４の上部側方を開放させる。次に、図１２
（ｃ）に示すように、待機部２２に待機していた冷却温
度調整体４０を支持ピン３２にて支持されているウエハ
Ｗに向かって移動して、上部冷却片４１と下部冷却片４
２との間にウエハＷを位置させ、ペルチェ素子（図１２
において図示せず）に通電し又は予め通電しておき、所
定時間、所定温度（室温：２３℃）になるまでウエハＷ
を冷却処理する（冷却温調工程）。

【００６２】そして、ウエハＷの冷却温調すなわち熱処
理が終了した後、支持ピン３２にて支持されているウエ
ハＷの下方にメインアーム（図示せず）を挿入して、ウ
エハＷをメインアームが受け取って次の処理工程へ搬送
する。

【００６３】上記熱処理方法Ａは、上記第一実施形態を
代表とした場合であるが、第二実施形態及び第三実施形
態の熱処理装置で熱処理を行う場合には、冷却温調工程
の際に、載置台２４と冷却温度調整体４０との間に、断
熱板５０を介在させるか、あるいは、断熱用空気層６２
を形成する。また、第四実施形態の熱処理装置で熱処理
を行う場合には、加熱処理されたウエハＷを冷却温調す
る前に、ウエハＷに例えばＮ₂ガス等の不活性ガスを供
給してウエハＷの表面を不活性ガス雰囲気に置換する。
また、第五実施形態の熱処理装置で熱処理を行う場合に
は、冷却温調工程の際にシリンダ装置８０を収縮させて
上部冷却片４１と下部冷却片４２との間隔を狭くし、ま
た、冷却温調後には、シリンダ装置８０を伸長させて上
部冷却片４１と下部冷却片４２との間隔を広げ、支持ピ
ン３２にて支持されているウエハＷの下方にメインアー
ムを挿入させてウエハＷを受け取るようにする。

【００６４】★熱処理方法Ｂ 熱処理方法Ｂは、上記第六実施形態の熱処理装置を用い
てウエハＷを熱処理する場合であり、まず、図１３に
示すように、メインアーム５によって搬送されるウエハ
Ｗを、熱処理方法Ａと同様に、加熱処理部２１の載置台
２４上に載置する。この状態で、載置台２４に埋設され
たヒータ２３を発熱させ又は予め発熱させておき、所定
時間、所定温度（５０〜１８０℃）の下でウエハＷに加
熱処理を施す（加熱工程）。

【００６５】次に、第１の支持ピン３２を上昇してウエ
ハＷを載置台２４の上方位置へ移動する（移動工程）。
このとき、シャッタ２６を下降させて載置台２４の上部
側方を開放させる。次に、図１３に示すように、待機
部２２に待機していた冷却温度調整体４０を第１の支持
ピン３２にて支持されているウエハＷに向かって移動し
て、冷却温度調整体４０にウエハＷを受け取る。そし
て、図１３に示すように、冷却温度調整体４０を待機
部２２に移動させた後、ペルチェ素子（図示せず）を通
電し又は予め通電しておき、所定時間、所定温度（室
温：２３℃）になるまでウエハＷを冷却処理する（冷却
温調工程）。

【００６６】ウエハＷの冷却温調すなわち熱処理が終了
した後、第２の支持ピン３２ａを上昇してウエハＷを支
持し、ウエハＷの下方にメインアーム５を挿入してウエ
ハＷを受け取った後、メインアーム５を待機部２２から
後退させて、次の処理工程へ搬送する（図１３，参
照）。

【００６７】★熱処理方法Ｃ 熱処理方法Ｃは、上記第六実施形態の熱処理装置を用い
てウエハＷを熱処理する場合であり、上記熱処理方法Ｂ
において、加熱処理されたウエハＷを冷却温度調整体４
０で受け取って待機部２２へ移動する際に、ペルチェ素
子（図示せず）を通電し又は予め通電しておき、ウエハ
Ｗを冷却処理（冷却温調）するようにした場合である。
熱処理方法Ｃにおいて、その他の加熱処理、ウエハの搬
送工程は熱処理方法Ｂと同じであるので、説明は省略す
る。

【００６８】◎第七実施形態 図１４はこの発明の第七実施形態の処理装置を適用した
半導体ウエハの塗布・現像処理システムの斜視図、図１
５は第七実施形態の処理装置の要部を示す概略断面図で
ある。

【００６９】上記半導体ウエハの塗布・現像処理システ
ム１は、図１に示した場合と同様に、その一端側に多数
枚のウエハＷを収容する複数のカセット２を例えば４個
載置可能に構成したキャリアステーション３を有し、こ
のキャリアステーション３の中央部にはウエハＷの搬入
・搬出及びウエハＷの位置決めを行う補助アーム４が設
けられている。また、塗布・現像処理システム１のキャ
リアステーション３側の側方にはプロセスステーション
６が配置されている。更に、その中央部にてその長さ方
向（Ｘ方向）、これに対して直交する方向（Ｙ方向）及
び垂直方向（Ｚ方向）に移動可能に、かつ回転（θ）可
能に設けられると共に、補助アーム４からウエハＷを受
け渡される第１の搬送手段としてのメインアーム５が設
けられており、このメインアーム５の移送路の一側に
は、上述したブラシスクラバ７，高圧ジェット洗浄機７
Ａ，加熱ユニット２１Ａと冷却ユニット１１Ａとを積み
重ねて設けた熱処理部１００が配置され、他側には現像
装置８（現像ユニット）が２基並列状態に配置されてい
る。この場合、１台の冷却ユニット１１Ａの上に３台の
加熱ユニット２１Ａが配置されて熱処理部１００が形成
されている。

【００７０】一方、上記プロセスステーション６の側方
には、接続用ユニット９を介してもう一つのプロセスス
テーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジスト
を塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン処
理装置１０が設けられている。このアドヒージョン装置
１０の側部には１台の冷却ユニット１１Ａの上に３台の
加熱ユニット２１Ａを積み重ねた熱処理部１００が２列
配置されている。

【００７１】また、メインアーム５の移送路を挟んでこ
れら熱処理部１００やアドヒージョン処理装置１０等の
反対側にはウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジ
スト塗布装置１２（塗布ユニット）が２台並設されてい
る。このレジスト塗布装置１２と上記現像装置８とでレ
ジスト処理部が構成されている。なお、これらレジスト
塗布装置１２の側部には、インターフェースユニット１
３を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光する
ための露光装置１４等が設けられている。

【００７２】また、上記熱処理部１００のメインアーム
５と反対側には、加熱ユニット２１Ａで加熱処理が施さ
れたウエハＷを受け取り、冷却ユニット１１Ａへ受け渡
す第２の搬送手段としてのサブアーム９０がＸ，Ｙ，Ｚ
方向へ移動可能及び回転（θ）可能に設けられている。
このサブアーム９０には冷却温度調整機能が具備されて
いる。すなわち、上述した冷却温度調整体４０と同様
に、上部冷却片４１及び下部冷却片４２の一端を連結片
４３にて連結した縦断面形状がほぼコ字状に形成されて
おり、上部冷却片４１又は下部冷却片４２又は両者に冷
却手段として例えばペルチェ素子４４が埋設されてい
る。このペルチェ素子４４から発生する熱は、図示しな
い放熱器や上記冷却片自身により上下空間に向って放出
される。

【００７３】この場合、サブアーム９０は、図示しない
搬送路に沿ってＸ方向に移動され、例えばボールねじ機
構９１によってＺ方向に移動され、かつ空気シリンダ
（図示せず）によって加熱ユニット２１Ａ又は冷却ユニ
ット１１Ａに対して進退（Ｙ方向）移動可能に構成され
ている。

【００７４】上記加熱ユニット２１Ａは、図１５に示す
ように、一側にメインアーム５の搬入・搬出口２１ａを
有し、他側にサブアーム９０の搬出口２１ｂを有する処
理室を形成する筐体２１ｃ内に、上述した熱処理装置２
０の加熱処理部２１と同様に、ウエハＷを載置して所定
温度に加熱する加熱手段としての発熱体２３（ヒータ）
を埋設して有する載置台２４を具備している。また、こ
の載置台２４の下方には、載置台２４を貫通してウエハ
Ｗを支持する３本の支持ピン３２が図示しない昇降機構
の駆動によって載置台２４の上方に出没移動し得るよう
に構成されている。なお、上記搬入・搬出口２１ａ及び
搬出口２１ｂにはそれぞれシャッタ２６Ａが開閉可能に
配設されている。また、筐体２１ｃの上部には、排気口
２８ａが設けられている。

【００７５】また、冷却ユニット１１Ａは、加熱ユニッ
ト２１Ａと同様にメインアーム５の搬入・搬出口１１ａ
とサブアーム９０の搬入口１１ｂを有する筐体１１ｃ内
に、ウエハＷを載置して所定温度に冷却する冷却手段と
しての冷媒通路１１ｄを埋設して有する載置台２４を具
備している。また、加熱ユニット２１Ａと同様に、支持
ピン３２Ａが図示しない昇降機構の駆動によって載置台
２４の上方に出没移動し得るように構成されている。な
お、搬入・搬出口１１ａ及び搬入口１１ｂには、それぞ
れシャッタ２６Ｂが開閉可能に配設されている。

【００７６】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置の動作態様について説明する。露光装置１４で
露光処理されたウエハＷは、メインアーム５によって加
熱ユニット２１Ａに搬送され、所定時間、所定温度で加
熱処理が施される。この加熱処理が程された後、支持ピ
ン３２が上昇してウエハＷが載置台２４の上方へ移動さ
れる。このとき、シャッタ２６Ａが下降して搬出口２１
ｂが開放され、サブアーム９０が支持ピン３２にて支持
されているウエハＷを受け取って後退し、そして、下降
して冷却ユニット１１Ａの開放された搬入口１１ｂから
冷却ユニット１１Ａ内に搬入する。この搬送の際、ペル
チェ素子４４を通電することで、ウエハＷを搬送中に冷
却することができる。サブアーム９０は冷却ユニット１
１Ａの載置台２４の上方に突出する支持ピン３２Ａにウ
エハＷを受け渡した後、冷却ユニット１１Ａから後退す
る。

【００７７】サブアーム９０が後退した後、冷却ユニッ
ト１１Ａのシャッタ２６Ａが上昇して搬入口１１ｂを閉
鎖すると共に、支持ピン３２Ａが下降してウエハＷが載
置台３２Ａ上に載置される。この状態で、載置台３２Ａ
に埋設された冷媒通路１１ｄを流れる冷媒によってウエ
ハＷが所定温度例えば室温（２３℃）まで冷却される。

【００７８】したがって、加熱処理されたウエハＷは、
サブアーム９０によって直ちに冷却ユニット１１Ａに搬
送されるので、メインアーム５が他のウエハＷを搬送し
ていたり、何らかの都合でウエハＷの受け取るタイミン
グが遅れるような場合に、加熱ユニット２１Ａのウエハ
Ｗが過熱状態におかれるなどの熱的影響を受けるのを防
止することができる。特に化学増幅型レジスト膜を利用
してパターンを形成する場合において、ウエハＷのパタ
ーンの線幅が均一にならず変動するような悪影響を受け
るのを防止することができる点で好適である。

【００７９】◎その他の実施形態 １）上記第七実施形態では、加熱ユニット２１Ａと冷却
ユニット１１Ａとを垂直方向に積み重ねて配置した場合
について説明したが、加熱ユニット２１Ａと冷却ユニッ
ト１１Ａとは必しも垂直方向に配置する必要はなく、水
平方向に配置してもよい。また、加熱ユニット２１Ａと
冷却ユニット１１Ａは必要に応じて任意の数設けること
ができる。また、上記第七実施形態では、サブアーム９
０に具備される冷却温度調整機能としてペルチェ素子４
４が使用されているが、ペルチェ素子４４以外の冷却手
段を用いてもよく、また、上記第二ないし第五実施形態
で説明した断熱板５０や断熱用空気層６２等を適用させ
てもよい。

【００８０】２）上記実施形態では、この発明の熱処理
方法及び装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システム
に適用した場合について説明したが、その他の処理工程
・処理システムの半導体ウエハの加熱及び冷却温調処理
するものにも適用できることは勿論である。また、半導
体ウエハ以外のＬＣＤ基板，ＣＤ等の熱処理にも適用で
きる。

【００８１】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような効果が得られる。

【００８２】１）被処理体を加熱手段（載置台）上に載
置して所定温度に加熱した後、被処理体を加熱手段の上
方位置に移動して、冷却温度調整体によって被処理体を
所定温度に冷却することができるので、被処理体の加熱
及び冷却処理時間の短縮を図ることができると共に、被
処理体の面内温度分布の均一化及び製品歩留まりの向上
を図ることができる。

【００８３】２）被処理体の冷却処理を、加熱手段（載
置台）の上方位置の他、加熱手段の側方の受け渡し位置
で行うことにより、加熱手段による熱影響を可及的に少
なくして、冷却処理を行うことができる。また、被処理
体の冷却を、加熱手段の上方から受け渡し位置への移動
中に行うことにより、被処理体の搬送中に冷却処理する
ことができ、スループットの向上を図ることができる。

【００８４】３）被処理体を載置台の上方位置に移動
し、冷却温度調整体にて冷却する際、載置台と冷却温度
調整体との間に、断熱板を介在させるか、あるいは、断
熱用空気を供給することにより、上記１）に加えて載置
台から冷却温度調整体に伝熱される熱を遮断することが
でき、載置台からの熱の影響を可及的に少なくすること
ができる。

【００８５】４）不活性ガス供給手段から被処理体に向
けて不活性ガスを供給することにより、上記１）に加え
て加熱処理された被処理体を不活性ガス雰囲気に置換し
た後、冷却して所定の温度に調整することができ、被処
理体の面内温度を更に均一にすることができる。

【００８６】５）被処理体を熱処理部とレジスト処理部
との間を搬送する第１の搬送手段とは別に、被処理体を
熱処理部内の所定のユニット間のみ搬送する第２の搬送
手段を設けることにより、熱処理が施された被処理体を
迅速に冷却ユニットに搬送することができ、被処理体の
熱影響を可及的に少なくすることができると共に、スル
ープットの向上を図ることができる。また、第２の搬送
手段に温度調整機能をもたせることにより、被処理体の
搬送中に冷却処理を施すことができ、更にスループット
の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の熱処理装置を適用した半導体ウエハ
の塗布・現像処理システムの斜視図である。

【図２】この発明に係る熱処理装置の第一実施形態を示
す概略断面図である。

【図３】この発明における冷却温度調整体の一例を示す
概略断面図である。

【図４】この発明における載置台と冷却温度調整体を示
す分解斜視図である。

【図５】この発明に係る熱処理装置の第二実施形態の概
略断面図である。

【図６】図５のＶ−Ｖ矢視図である。

【図７】この発明に係る熱処理装置の第三実施形態の概
略断面図である。

【図８】第三実施形態の要部を示す概略斜視図である。

【図９】この発明に係る熱処理装置の第四実施形態の要
部を示す概略断面図である。

【図１０】この発明に係る熱処理装置の第五実施形態の
要部の動作態様を示す概略側面図である。

【図１１】この発明に係る熱処理装置の第六実施形態を
示す概略断面図である。

【図１２】この発明の熱処理方法の一例を示す説明図で
ある。

【図１３】この発明の熱処理方法の別の例を示す概略平
面図である。

【図１４】この発明の処理装置を適用した半導体ウエハ
の塗布・現像処理システムの斜視図である。

【図１５】上記処理装置の要部を示す概略断面図であ
る。

【符号の説明】

５ メインアーム（第１の搬送手段） １１Ａ 冷却ユニット ２１ 加熱処理部 ２１Ａ 加熱ユニット ２２ 待機部 ２３ ヒータ（発熱体） ２４ 載置台（加熱手段） ２６ シャッタ ３０ 処理室 ３２ 支持ピン（支持部材，第１の支持部材） ３２ａ 第２の支持ピン（第２の支持部材） ４０ 冷却温度調整体 ４２ ペルチェ素子 ５０ 断熱板 ６０ 空気供給ノズル（空気供給手段） ６２ 断熱用空気層 ７０ Ｎ₂ガス供給通路 ７１ 噴口 ９０ サブアーム（第２の搬送手段） １００ 熱処理部 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｄ (72)発明者 原田 浩二 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体を加熱手段上に載置して所定温
   度に加熱する工程と、 加熱処理後、上記被処理体を上記加熱手段の上方位置に
   移動する工程と、 上記被処理体に向かって移動する冷却温度調整手段にて
   被処理体を所定温度に冷却する工程と、を有することを
   特徴とする熱処理方法。
2. 【請求項２】 被処理体を加熱手段上に載置して所定温
   度に加熱する工程と、 加熱処理後、上記被処理体を上記加熱手段の上方位置に
   移動する工程と、 上記被処理体に向かって移動する冷却温度調整手段に被
   処理体を渡す工程と、 上記冷却温度調整手段を上記加熱手段の側方の位置に移
   動して所定温度に冷却する工程と、を有することを特徴
   とする熱処理方法。
3. 【請求項３】 被処理体を加熱手段上に載置して所定温
   度に加熱する工程と、 加熱処理後、上記被処理体を上記加熱手段の上方位置に
   移動する工程と、 上記被処理体に向かって移動する冷却温度調整手段に被
   処理体を渡す工程と、 上記冷却温度調整手段を上記加熱手段の側方へ移動しつ
   つ所定温度に冷却する工程と、を有することを特徴とす
   る熱処理方法。
4. 【請求項４】 被処理体を載置して所定温度に加熱する
   発熱体を有する載置台と、 上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処
   理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載置台上及び載置台の上方位置に移
   動する支持部材と、 上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
   退移動可能な冷却温度調整体と、を具備することを特徴
   とする熱処理装置。
5. 【請求項５】 被処理体を載置して所定温度に加熱する
   発熱体を有する載置台と、 上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処
   理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載置台上及び載置台の上方位置に移
   動する第１の支持部材と、 上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
   退移動可能な冷却温度調整体と、 上記載置台の側方の冷却温度調整体待機位置に設けら
   れ、上記冷却温度調整体から上記被処理体を受け取る第
   ２の支持部材と、を具備することを特徴とする熱処理装
   置。
6. 【請求項６】 被処理体を載置して所定温度に加熱する
   発熱体を有する載置台と、 上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処
   理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載置台上及び載置台の上方位置に移
   動する支持部材と、 上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
   退移動可能な冷却温度調整体と、 上記載置台と冷却温度調整体との間に介在される断熱板
   と、を具備することを特徴とする熱処理装置。
7. 【請求項７】 被処理体を載置して所定温度に加熱する
   発熱体を有する載置台と、 上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処
   理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載置台上及び載置台の上方位置に移
   動する支持部材と、 上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
   退移動可能な冷却温度調整体と、 上記載置台と冷却温度調整体との間に断熱用空気を供給
   する空気供給手段と、を具備することを特徴とする熱処
   理装置。
8. 【請求項８】 被処理体を載置して所定温度に加熱する
   発熱体を有する載置台と、 上記載置台を包囲すると共に、載置台と相対移動して処
   理室を形成するシャッタと、 上記被処理体を上記載置台上及び載置台の上方位置に移
   動する支持部材と、 上記支持部材にて支持される上記被処理体に向かって進
   退移動可能な冷却温度調整体と、 上記冷却温度調整体に設けられ、上記被処理体に向けて
   不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、を具備す
   ることを特徴とする熱処理装置。
9. 【請求項９】 被処理体を所定温度に加熱する加熱ユニ
   ット及び所定温度に冷却する冷却ユニットを有する熱処
   理部と、 上記被処理体に対しレジスト液を塗布する塗布ユニット
   及び現像処理する現像ユニットの少なくともどちらか１
   つを有するレジスト処理部と、 少なくとも、上記被処理体を上記熱処理部と上記レジス
   ト処理部との間を搬送する第１の搬送手段と、 上記被処理体を上記熱処理部内の所定のユニット間のみ
   を搬送する第２の搬送手段と、を具備することを特徴と
   する処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の処理装置において、 上記第２の搬送手段に、冷却温度調整機能を具備したこ
    とを特徴とする処理装置。