TW200810106A - An integrated shadow mask and method of fabrication thereof - Google Patents

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200810106 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明概言之係關於一整合式蘚 口式威陰遮罩及其一製造方 法，及一製造一有機發光裝置之方法。 【先前技術】 0LED係電致發光（EL)裝置，其發射藉由輻射重組〇led 之-個或多個有姐層内所注射之電子及電祠而產生之 光。作為領先之下一代平板顯示哭 。。枝術，OLED提供某些 獨特之顯示器方案’例如低功耗、寬視角、良好之反差 比、視訊速率運作、低電壓運作及輕重量。〇咖顯示写 裝置亦具有熱穩定性’料某些應料有足夠之運作壽 命0 一典型之OLED組離由右擁从&丄 、〜、由有栻功此層夾在兩個電極之間構 成（包括至少一_光有機層）。料電極之-者（陽極）注 € 子’而另―電極（負極)注入負電荷載流子。 f典型OLED裝置中，發光材料可係聚合體或+ μ ^ 陽極層通吊由諸如氧化銦錫(ΙΤ〇)等透明導電材料製成· 而陰極層通常由諸如c_Mg等具有低功函之導電材料構 成。 平板顯示器通常包括一陣列於一基板上經沈積及圖案化 之圖像凡素或像素。此一像素陣列通常係一由列及行構成 車在被動矩陣型〇LED顯示器中，藉由ιτ〇行（陽極） ’、至屬？(陰極)之交疊來定義各像素。為使一特定像素照 、又又於彼特定像素之行（正極化）線與列（負極化）線 121629.doc 200810106 ^ 足夠電壓。可在沈積有機層之前，藉由使用羽 、製私及桌蝕刻製程容易地形成陽極條帶。然 而’無法以相同之方式對該陰極進行圖案化，乃因顯貪叫

=!!溶液會引起對底層有機化合物之損壞。形成陰極i ^之攻簡單方法係經由—單獨之《遮罩真空蒸發陰極金 然而，對於此方法，由於遮罩材料之製造精度及強产 ，限制，難以達成精細界定之圖案，即線距為1〇〇職或: 少之圖案。在使用此-輕料之製造過程中，在真办系 統中之對齊亦係„，且遮罩與基板之間的距離將導:模 糊之邊緣。 敫人種可用於保護一 0LED之該等脆弱有機層之技術係一 整合式遮罩，經由該遮罩可自動地對有機層及電極層進行 圖案化。頒予Tang之美國專利申請案第5,294,87〇號（公佈 於1994年！月4日）（有機電致發光多色影像顯示器鴻示在沈 積-有機EL層之前使用一系列由微影蝕刻形成之平行壁， 使得在沈積有機EL媒體後，無需微影㈣㈣化步驟或濕 化學法。為獲得陰極在横向間隔行中之沈積圖t，該沈積 f面相對於欲沈積之金屬源極定位，使得每—壁均插在有 機EL媒體表面之源極與1轉部分之間。當沿此—方向進 行沈積時，料牆壁之插人部分t途攔截自該源極行進之 =屬原子，藉此防止金屬沈積在每一壁一側上之有機££媒 體上。此設置蛾鄰之陰極列之間的間距。然而，該整合式 遮罩而要-固定之極度離軸或大角度沈積，此對於需要移 動傳送帶或旋轉體情況下之大規模生成不可行。 121629.doc 200810106 為解決該問題’整合式遮罩中之平行壁可係—系列具有 逆行輪廓（截面呈梯形）之柱子，使用一多層光阻系統來形 成具有斜邊之光阻柱子。柱子之逆行角度必須足以確保陰 極金屬不塗覆該等側壁及電短接田比鄰之列。所需之柱子輪 廊主要相依於陰極源相對於基板之相對方向。因此，該逆 行柱子輪廓仍保持對沈積角之限制。 頒予等人之美國專利第M07,楊號（公佈於2〇〇2 年6月18日）及6,596,443號（公佈於年7月22日）揭示—種 單層整合式遮罩，盆葬 一稭由使用一不同光阻系統（例如NR7- 副0-ΡΥ)而具有側壁f曲輪廓及懸垂部分之清晰特徵。該 遮ί具有，少1,5之大縱橫比，將縱橫比定義為過切部分 之洙度與局度之比。然而’若需要—精細定義之遮罩，則 大縱橫比使得柱子極為脆弱。而且，即使可用沈積角产已 被放大，在該整合式遮罩中亦仍存在對沈積角度之限:。 雖然在整合式遮罩中廣泛地利用基礎-過切部分-縣垂 部分結構來避免跨遮罩之短接，但用於沈積該電極之製程 千知旱方此避免短接問題。導電材 等平行電極條帶之間的二 擴散在大程金屬原子之擴散，同時該 言，化學塞氣沈積繁^物 沈積之材料。舉例而 散。不合意覆積製程展現出更多之擴 積。離軸沈積係自一不垂直於詨、角度沈 在懸垂部分下方Η # X的沈積’此可 方士成凹進表面，從而失去到正沈積之材料 121629.doc 200810106 源之直接視線保護。因此，為避免習用整合式遮罩之短接 問題，通常將材料及沈積製程限定於彼等產生小擴散之材 料及製程。舉例而言’通常不藉助該等遮罩來上^發光 OLED中之ΓΓΟ實施圖案化，力因通常所需之相關㈣或減 鑛均涉及大程度之擴散。 為減輕限制沈積角度之問題，頒予⑽㈣咖等人之美 國專利第5,7〇1，055號（公佈於彻年12月23日）揭示一具有

叫懸垂部分及—聚醯亞胺過切部分之兩層圖案化系統。 藉由微影_製程及反應性離子㈣製程形成該氧化物懸 垂部分，且藉由在鹼性溶液中之一濕式蝕刻或反應性離子 蝕刻與濕式蝕刻之組合形成該聚醯亞胺過切部分。然而， 該懸垂部分由於厚Si〇2與聚醯亞胺之間的弱黏附力^相當 〃匕可‘致在隧後之濕式蝕刻及乾燥製程期間該懸垂 部分自該基礎上之剝落。此外’聚醯亞胺之尺寸在很大程 度上相依於濕式蝕刻參數’濕式蝕刻參數可導致一不合責 之形狀及均句性問題。 “ 同樣，頒予BUrrows等人之美國專利第6,〇13,538號（公 於咖叫们！日）揭示-具有一懸垂部分及一過切部分 於^積有機物、陰極及保護層之多層圖案化系统。在該 有陽極條帶之基板上沈積一 2〇。麵厚之絕緣層⑽， ^ ^lNx或聚酿亞胺）。’使用—合適之方法將該絕 曰^、化成多個條帶以暴露該陽極區域進行光昭射。其 該等絕緣條帶，順次形成另―絕緣層及—光阻層。㈣ 由相應之顯影製程及化學蝕刻製程形成光阻層之懸垂部 121629.doc 200810106 及絕緣層之過切部分。 另一多層整合式遮罩揭示於頒予〇、乃⑽ Roth ^ Isabelle Levesque - John Stapledon - Anne Donat-办⑽"/W之合成金屬422 (2〇〇1) 225_227(公佈於2〇〇1年5月1 曰）中’其使用密集之Si〇2層，隨後係一多孔81〇2層，且藉 由PECVD沈積Si#4覆蓋該Si〇2層，且藉由傳統之微影钱 刻製私進行圖案化。

藉由在一緩衝氫氟酸溶液中蝕刻該絕緣體堆疊來轉印該 圖案。藉由使用不同之蝕刻速率（密集si〇2層（1〇〇 nm/分 鐘）、多孔Si〇2層（25〇 nm/分鐘）及叫队（4〇 nm/分鐘））來形 成一含有一密集Si〇2之基礎層、一多孔以…之過切部分層 及一懸垂部分層之結構。顯而易見，製造該等整合式 遮罩需要物理或化學蒸氣沈積製程，導致較高之製造成 本。此外，用於形成過切部分之化學蝕刻製程中之酸性溶 液亦侵㈣透明陽極層，該透明陽極層通f係氧化鋼錫

、因此，存在對提供一謀求解決上述缺點之至少一者之替 代整合蔽蔭遮罩設計及製造方法之需要。 【發明内容】 根據本發明之—第—態樣，提供-種整合«遮罩，其 匕括基板；至少-具有—基礎部分及—由該基礎部分 切之懸垂部分之柱子結構；其中該基礎部分與該懸垂部 '係整體形成，且該懸垂部分包括一過切表面部分，該過 切表面部分自該懸垂部分之一邊緣大致平行於或與分離於 121629.doc -10- 200810106 該基扳之一表面朝該基礎部分延伸β 該過切表面部分可包括一槽。該基礎部分可形成於一形 成於該基板上之基礎層上。該基礎層可自該基礎部分延伸 至該基板表面上至少一個點，在該至少一個點處該表面之 一表面法線與該懸垂部分之邊緣對準。 每一柱子結構均可形成為一延伸於該基板表面上之條 帶。 /

。玄迫罩可進一步包括一形成於該基板表面與該柱子之基 礎部分之間的第一電極層。該基板可包括一撓性基板。 根據本發明之一第二態樣，提供一種製造一整合蔽蔭遮 罩之方法’該方法包括：提供—基板；在該基板上形成至 少-個柱子結構’該柱子結構具有—基礎部分及―由該基 礎部分支撐之懸垂部分；其中該基礎部分與該懸垂部分係 整體形成且該懸垂部分包括—過切表面部分，該過切表面 部分自該之-邊緣大致转於或分離於該基板之 一表面朝該基礎部分延伸。 部分中形成一槽。該 基礎層，並在該基礎 該方法可進一步包括在該過切表面 方法可進一步包括在該基板上形成一 層上形成該基礎部分。 至该基板表面上至少一個 該基礎層可自該基礎部分延伸 點’在該至少一個點處該表面之一 处衣曲之表面法線與該懸垂部分 之邊緣對齊。每一柱子結構均可形 僻』4 I成為一於該基板該表面 上延伸之條帶。 面與該柱子之該基礎部 該方法可進一步包括在該基板表 12I629.doc 200810106 分之間形成一第一電極層。 形成該柱子結構可包括在該基板上形成—㈣調整物； 在該過切調整物上沈積-柱子材料；及移除該過切調整物 以自该基板釋放該柱子結構之懸垂部分。 該基板可包括一撓性基板。 根據本發明之-第三態樣，提供一種利用第一態樣中所 界定之遮罩製造一有機發光裝置之方法。 【實施方式】

本發明說明一種且有一 ””2 u + « /、百「形柱子輪廓之整合式遮罩。 該遮罩結構實際上對沈積角度、欲沈積之㈣及蒸氣沈積 製紅無限制，且因此使得能夠利Μ前不適用於頂部電極 沈積之製程’例如具有高度離軸沈積之cvd、pvD濺鍍。 本發明亦說明-整合式遮罩製造方法，該方法特定㈣ 合使用先前遮罩難以實現之高解析度〇咖裝置之高良率 大規模生產。 本發明亦說明一種使用整合式遮罩製造一被動型矩陣 OLED裝置之方法。 圖1 a及ib分別示意性地顯示"「"形遮罩丨〇〇、」5〇之截面 圖。設計100與設計！ 5〇之間唯—的區別在於設計t 5〇中之 懸垂部分在其底部表面154上具有一額外槽152。 槽152可呈任一可存在之幾何形狀，例如正方形、矩 形、三角形、曲線等。相依於該遮罩設計，過切部分1〇2 之高度可介於約2至约2〇 μηΐ2範圍内，較佳地介於約之至 約4，之範圍内以實現高解析度。縱橫比(定義為過切部 I21629.doc -12- 200810106 分102之深度與高度之比）可自約〇·5至約3〇，較佳地自約 1.0至約2·0 μπι。懸垂部分1〇4之厚度可自約2至約1() μηι， 較k地自約3至約6 μιη。柱子基礎1 〇 6及懸垂部分1㈣係整 體形成，且懸垂部分1 04包括一自懸垂部分丨〇4之邊緣1〇9 朝柱子基礎106基本上平行於基板112之表面11〇延伸之過 切表面部分1 07。在其他遮罩設計中，過切表面部分玉〇7可 自懸垂部分104之邊緣1〇9朝柱子基礎106基本上分離於基 板112之表面11〇延伸。 柱子基礎106之尺寸相依於所期望之裝置解析度。所要 求之解析度愈咼，柱子基礎1 〇6愈小。然而，柱子基礎1 〇6 較佳地足夠寬以達成所期望之柱子強度。較佳地，柱子基 礎106之寬度至少與柱子1〇8之總高度相同。基礎層ιΐ4自 柱子基礎106延伸至基板112之表面u〇之至少一點，其中 表面11 〇之一表面法線（未顯示）與懸垂部分1 04之邊緣1 09對 齊。 在圖la及lb中亦顯示一沈積於遮罩1〇〇及ι5〇上之金屬層 116，其圖解說明金屬層116中由過切部分1〇2所致之不連 績性’攸而’避免金屬層Π6之頂部電極118之毗鄰條帶之 間的電短接。 圖2a顯示’’「η形遮罩1〇〇之典型製造製程。以一形成於 基板201上之經圖案化底部電極（或陽極）200開始，形成 ”有像素自204之基礎層202。基礎層202之材料可係UV 可固化聚合物，例如苯并環丁烯（BCB)及聚醯亞胺且藉由 仏準微餘刻術進行圖案化。另一選擇係，基礎層2〇2可 121629.doc -13- 200810106 由諸如Si02、ai203及Ti〇2等氧化物装A A ” 乳化物猎由溶膠-凝膠沈積或 m沈積並藉由微影蝕刻及/或化學蝕刻進行圖案化而製 成。然後在基礎層2〇2上形成過切調整物2G6。藉由選擇不 同之光阻劑及改變旋韓塗你失杳 义捉轉土怖參數或兩者可調整調整物206 之厚度。過切調整物施之形狀將定義最終之柱子輪廓。 過切調整物2 0 6之材料可待可益士 iθ 杯t十j係了猎由普通顯影劑或溶劑容易 地移除之正性光阻劑或負性光阻劑。。然後在基礎層2〇2

上及過切調整物206上形成遮罩柱子2〇8。遮罩柱子2〇8之 材料可係UV可固化聚合物且藉由標準微影钱刻術進行圖 案化。該光阻劑較佳地與預形成之過切調整物2〇6相容以 在處理期間避免或最大程度地減小對調整物寫之損壞或 使，、文开y之私度。另一選擇係，類似於基礎層202，柱子 8可由諸如Si〇2、Al2〇3及Τι〇2等氧化物藉由溶膠凝膠沈 積或蒸氣沈積且藉由微影㈣及/或化學㈣予以圖案化 而製成。在使用顯影劑或溶劑移除過切調整物2〇6之後形 成"Γ"形遮罩100。 圖2b顯示”「”形遮罩15〇之典型製造製程（圖ib)。以在形 成於一基板251上之經圖案化之底部電極（或陽極）25〇開 始，形成一具有像素窗口 254之基礎層252。基礎層252之 材料可係uv可固化聚合物，例如BCB及聚醯亞胺且藉由 標準微影蝕刻術進行圖案化。另一選擇係，基礎層M2可 由諸如Si〇2、Α!2〇3及Τι〇2等氧化物藉由溶朦_凝朦沈積或 瘵虱沈積且藉由微影蝕刻及/或化學蝕刻進行圖案化而製 成。然後在基礎層252上形成過切調整物256。藉由選擇不 121629.doc -14- 200810106 =阻劑及改變旋轉塗佈參數或兩者可調整調整物256 、予又。過切調整物256之形狀將定義最終之柱子輪廓。 過切調整物256之材料可係可藉由並 x ^ r 曰由曰通頌衫劑或溶劑容易 地私除之正性光阻劑或負性光阻劑。 25=:，對於_示之製造製程，首先在麵 / " 佈—第一光阻劑且經由—遮罩（未顯示）曝光以 在顯影之後定義過切調整物2 主 ^ 心土版255之間的開孔 =過：調整物256上旋轉塗佈-與形成過切調整物 256主體之光阻劑不同之光阻劑259作為緩衝層，且經曝光 及顯影以形成開孔’用於沈積由與過切調整物…之主體 ⑸相同類型之光阻劑形成之紐結部分⑸。然後在基礎層 252及過切調整物256上形成遮罩柱子258。遮罩柱子Mg之 材料可係UV可固化聚合物且藉由標準微影餘刻進行圖案 化。該光阻劑較佳地與預形成之過切調整物…相容以在 處理期間避免或最大程度地減小對調整物256之損壞或使 其變形之程度。另-選擇係，類似於基礎看⑸，柱子W 可由諸如Si〇2、八12〇3及Ti〇2等氧化物藉由溶膠-凝膠沈積 或蒸氣沈積且藉由微影蝕刻及/或化學蝕刻予以圖案化而 製成。在使用I員影劑或溶劑移除過切調整物256(連同紐結 部分257及缓衝層259)之後形成，，「”形遮罩15〇。 圖3a顯示一被動型矩陣〇LED裝置之一製造完成之整厶 式遮罩300之示意性透視圖。複數個具有，，「"形之遮罩^ 帶302相對於底部電極304以一定向空間關係（例如一正交 空間關係）形成於基板306上之底部電極3〇4上方。如在圖 121629.doc -15- 200810106 中所不#由經圖案化之底部電極3〇4與頂部電極條帶 3 G 5之間的交叉來界定發光區域删之像素。製造整合式遮 罩〇〇使知自動圖案化隨後之有機沈積層及金屬頂部電 極沈積層305。 * 纟電極3G4沈積於基板3G6上且係使m微影钱刻術 • 及化子蝕刻衣釭圖案化。底部電極304及基板3〇6可由具 有白用尺寸之習用材料製成。在底部發光及雙面發光裝置 # t示射，基板3〇6可透明，例如為玻璃板、石英板或塑 踢板，且在上部發光裝置之示例中，基板306可不透明， 例如為Si晶圓、氧化物板、金屬板及諸如此類。基板挪 可係撓性基板，例如超薄玻璃、薄金屬及塑膠。在底部發 光及雙面叙光及上部發光裝置之示例中，底部電極可 由諸如導電聚合物、IT〇及其他透明導電氧化物(TC0)等 透明導體製成，而在上部發光裝置之示例中，底部電極 3〇4可不透明，由諸如金屬及類似材料製成。 # 在底部電極304及基板306上方形成有具有用於像素之敞 開窗口之基礎層(未顯示)。然後在基礎層上製造具有'「" . 形條帶或柱子302之整合式遮罩300。然後經由整合式遮罩 . 300沈積一個或多個有機層307(未顯示），使得有機層3〇7電 . 連接至底部電極304。有機層307可包括任何習用之〇led 有機材料。有機層307可係一單層，或可包括多層習用 OLED結構’例如一單層或雙層異質結構，或—個或多個 合有一OLED有機材料混合物之層。有機層3〇7可由旋轉塗 佈、噴墨印花、蒸氣沈積及類似製程形成。 121629.doc -16 - 200810106 然後經由整合式遮罩300且在有機層307上沈積複數個頂 部電極條帶305(未顯示），使得頂部電極3〇5電連接至有機 層307。頂部電極3〇5可係舉例而言一由IT〇、ai、、 Ca、Ca/Al、Mg:Ag或LiF:Al製成。較佳地，一極薄頂部電 極透明，使得發射自有機層之光可穿過頂部電極到達一觀 察者，此示例中之裝置可係一上部發光〇led。

吾一電流經由有機層穿行於底部電極3〇4與頂部電極％ 之間時，所形成之裝置發光。㈣置可係—規則底部發力 OLED ’使得經由底部電極及基板發光；或係一上部發y OLED ’使得經由頂部電極發光。 整合式遮罩300藉由提供_平行於基板鳩之過 =!:地避免電極之間的電短接。另外，整合式遮, A大對沈㈣度之限制，使得整合式遮罩 口大規极生產。較佳地’當所製 313時，在遮罩過切部分 卓柱子-有榍 使使用嚴重擴散之材料及擊炉Λ是存在一死角，即 有機材料i ‘ 卜、王進行沈積，遮罩亦可不會受 有栻材枓及導電材料影響。 曰又 應瞭解，可製造甚大於彼等 詈陳列。雜姑、π 承文中具體所述之有機裝 置陣列雖然圖3a及3b顯示一 令栻衣 更大之陣列。而卫 ^ ^ 之裝置陣列，但可製造 下轉換層或使用不同裝置中之、員技術中所習知之各種 顯示器。亦可藉由大量其二同有機材料來製造-多色 光之O L E D結合多個濾色片或—八例如使用一陣列白色發 造一多色陣列。 分佈式布拉格反射鏡來製 121629.doc 200810106 在下文中’將說明—使用正性光阻劑作為過切調整物材 料並使用-負性光阻劑作為柱子材料來製造—整合式遮罩 之具體實例。 以2500 rpm之轉逮蔣_古工士 # i 、市面有σ之正性光阻劑AZ462〇旋 轉塗佈至-玻璃基板上達約卿。將該光 下供培達5分鐘'然後經由-光遮罩將其暴露於2 mWW之寬帶紫外輻射下達％秒鐘，使得僅暴露在顯影 之後欲移除之光阻劑部分。然後在一市面有售之顯影劑 AZ400K令使該光阻劑顯影。過切調整物之高度係約帽 米。 然後以1000 rpm之轉速將一與製造過切調整物之Az462〇 光阻劑相容之負性光阻劑（例如MF4〇)塗覆該面板達秒 鐘’隨後在75。(：下進行預烘培20分鐘。厚度為〇8 _之經 乾燥負性光阻劑用作緩衝層以在隨後之製程期間保護該過 切調整物不受損壞 '然後以测rpm之轉速旋轉塗佈另一 負性光阻劑（例如經稀釋之銲料遮罩）達6〇秒。 在7 5 °C下預烘焙達3 〇分鐘後，將該負性光阻劑層經由一 光遮罩使得僅將在曝光之後預保留之光阻劑部分暴露於來 自一以12.5 mW/cm2之功率運作之高壓汞燈紫外線輻射下 達10秒鐘。然後在室溫下將經曝光之負性層在一含有工至2 %碳酸鈉之水成溶液中且然後在sp 9899顯影劑中顯影， 以移除未曝光之負性層，隨後在與第一次曝光相同之2件 下進行充溢式（flood)UV曝光達至少1 〇分鐘。 然後將已乾燥之面板置入一含有AZ400K之液體中及一 121629.doc 18- 200810106 含有丙酮之液體中以移 々夕降由正性光阻劑製成 物，且最後在一 15〇t 务成之過切調整

@ …、火、相中乾燥達2個小時。# A 結果，一具有，，广，，形杈 才作為一 製造。 +之整5 —遮罩準備好用於裝置 牡卜又甲 用一正性光阻劑作為過切 料、使用-負性光阻劑作為一續徐…，、爾物材 光阻劑作為柱子材料製造—整合式遮罩 另们生

以2500 rpni之轉速將古品士也 八粗κ例。 之轉逮將市面有售之ΑΖ462〇正性 轉塗佈至一玻璃基板 J疋 板上達40移釦。在105tB共焙該光阻 層達5:知，且然後經由-光遮罩將其暴露於一 125 之寬帶紫外線輻射下達35秒鐘，使得僅暴露在顯 衫後欲移除之光阻劑部分。然後將該光阻劑在—市面有隹 之顯影劑AZ4GGK中顯影。該已乾燥之正性光阻層係約°4 μπι 〇 然後以1000 rpm之轉速使用—與製造過切調整物之 AZ4620正性光阻劑相容之負性光阻劑（例如mf4㈧塗覆該 面板達30秒鐘’隨後在饥下進行預洪培達2()分鐘。乾燥 後之負性光阻劑具有0.8 μη1之厚度，用作緩衝層以在以下 製程中保護該過切調整物免受損土裹。然後將該負性光阻層 經由一光遮罩使得僅將在顯影之後欲保留之光阻劑部分^ 露於一 12.5 mW/cm之寬帶紫外線輻射下達6〇秒鐘，。然後 將該經曝光之面板在SP9899顯影劑中顯影以移除該等未曝 光之負性層。然後以2000 rpm之轉速旋轉塗佈入22〇〇14〇 正性光阻劑達約30秒鐘。以下步驟與上文所述關於 121629.doc -19- 200810106 AZ4620之光阻劑相同，但使用—不同之光遮罩。所形成 之兩層光阻旨在製造—具有槽之遮罩柱子之過切調整物 (比較圖1(b)) 〇 另負性光阻劑緩衝層（例如MF40)同樣用以保護調整物 之正性光阻劑部分且以下程序與實例1相同。 整合式«鱗之職設計可佔據—較小空間且較先前 技術達成更高效用。 所述之整合式遮罩製造方法具體地適用於使用現有遮罩 難以達成之OLED裝置之高良率大規模生產。 所述整合式遮罩有效地避免電極之間的電短接。 此外戶/f述整合式遮罩實務上對沈積角度無限制，且因 此較現有遮罩更適合大規模生產。 可藉由設計使用所述沈積之過切調整物準確地調整所述 遮罩中之過切部分及懸垂部分。與例如依賴於兹刻金屬之 底切技術（例如濕式餘刻形成過切部分}相比 改良。 风 可在-單㈣料中而非藉由現有遮罩中之多層 造所述具有”「"形之整合蔽餐遮罩。 所述遮罩結構實際上對沈積角度、欲沈積之_及墓氣 沈積製程無限制，且因此使能夠 π用无刖不適用於頂部電 極沈積之製程，例如離軸沈積之Cvd、pvD濺鍍。、 熟習此項技術者應㈣’可對具體實施例中所示之本發 明進行諸多改變及/或修改， " 、 ^ 此並不背離廣泛所述之本發 明之精神或範脅。因此，兮智每 口此以貫施例在所有態樣中皆應視 I21629.doc -20- 200810106 為僅為例示性而無限定性。 舉例而言，應瞭解’本發明並 陣型裝置，且可用於各心㈤厅达之特夂被動矩 本發明可用於製造諸容咕 i而&， ㈣哭… 費產品’包括平板顯示器、光電 d卩。及先電光電二極體陣列。 此外’用於製造整合式遮罩中之過切調整物及遮罩柱子 之材料可係有機物、無機物及其混合物

整合=罩中之過切調整物及柱子之塗覆製程可係濕 覆療氣沈積及其組合。此外，本發明並不限於OLED應 用，且可用於各種各樣之電子裝置。關於〇led，本發明 亚不限於所述之特定實例及實施例。 【圖式簡單說明】 圖la及b顯示，，Γ，，型整合蔽蔭遮罩之示意性截面圖。 圖2a及b顯示分別圖解說明圖“及^之，，「”型遮罩之製造 的相應之示意性截面圖序列。 圖3a及b分別顯示藉由使用圖lb之”「”型遮罩製造之一 被動矩陣型0LED顯示器裝置之一示意性透視圖及一示意 性截面圖。 【主要元件符號說明】 100 遮罩 102 過切部分 104 懸垂部分 106 柱子基礎 108 柱子 121629.doc -21 - 200810106

109 邊緣 110 表面 112 基板 114 基礎層 116 金屬層 118 頂部電極 150 遮罩 152 槽 154 底部表面 200 底部電極 201 基板 202 基礎層 204 像素窗 206 過切調整物 208 柱子 250 底部電極 251 基板 252 基礎層 253 開？L 254 像素窗口 25 5 主體 256 過切調整物 257 紐結部分 258 遮罩柱子 12l629.doc -22 200810106 259 緩衝層 300 整合式遮罩 3 02 遮罩條帶 304 底部電極 305 金屬頂部電極沈積層 306 基板 307 有機沈積層 308 發光區域 312 過切部分之表面 313 槽

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Claims (1)

1. 200810106 十、申請專利範圍： 1 種式蔽蔭遮罩，其包括： 一基板； 夕個桎子結構，其具有一基礎部分及一由該基礎 部分支撐之不對稱懸垂部分； ^ 中忒基礎部分與該不對稱懸垂部分係整體形成，且 牙稱懸垂部分包括一過切表面部分，該過切表面部 刀自忒不對稱懸垂部分之_邊緣大致平行於或分離於該 基板之一表面朝該基礎部分延伸。 2·如2求項1之遮罩，其中該過切表面部分包括一槽。 月长項1或2之遮罩，其中該基礎部分形成於一形成於 該基板上之基礎層上。 月求員3之遮罩’其中該基礎層自該基礎部分延伸至 忒基板之表面上至少一個點，在該至少一個點處該表面 之表面去線與該不對稱懸垂部分之邊緣對準。 釣述明求項中任一項之遮罩，其中每一柱子結構均形 成為一延伸於該基板之表面上之條帶。 6· ”述請求項中任_項之遮罩，其進_步包括—形成於 该基板之表面與該柱子之基礎部分之間的第一電極層。 7.如前述請求項中任—項之遮罩，其中該基板包括一挽性 基板。 8·種製造一整合式蔽蔭遮罩之方法，該方法包括： 提供一基板； 在該基板上形成至少一個柱子結構，該柱子結構具有 121629.doc 200810106 —基礎部分及-由該基礎部分支樓之不對稱懸垂部分； 其中該基礎部分與該不對稱懸垂部分係整體形成且該 二對稱懸垂部分包括-過切表面部分，該過切表面部^ 自该不對稱懸垂部分之—邊緣大致平行於或分離於該基 板之一表面朝該基礎部分延伸。 9·如請求項8之方法’其進—步包括在該過切表面部分中 形成一槽。 10.:請求項8或9之方法，其進—步包括在該基板上形成一 土礎層，並在該基礎層上形成該基礎部分。 11·，請求項1G之方法，其中該基礎層自該基礎部分延伸至 «板之表面上至少一個點，在該至少一個點處該表面 表面法線與該不對稱懸垂部分之邊緣對準。 12.如請求項8至丨丨中任一 甘士〆 員之方法，其中母一柱子結構均 形成為一延伸於該基板該表面上之條帶。 1 3 .如請求項8至j 2中任一 , 項之方法，其進一步包括在該基 反之表面與該柱子之基礎部分之間形成 14·如請求項8至13中杯棺 層 ^ s 中任一項之方法，其中形成該柱子結構 包括.· 产^ 4基板切成—過切調整物；纟該過切調整物上沈 、柱子材料，及移除該過切調整物以自該基板釋放該 柱子結構之不對稱懸垂部分。 1 5 ·如請求項8至J 4 φ 一 性美板 中任一項之方法，其中該基板包括一撓 16· —種利用如請求 、至7中任一項之遮罩來製造一有機發 先裝置之方法。 121629.doc