TW200817736A - Optical film, polarizing plate, liquid crystal panel and manufacturing method of optical film - Google Patents

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200817736 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於由環狀烯烴系樹脂所成，於長邊方向爲 均質之光學薄膜、其製造方法、使用該光學薄膜之偏光板 、及液晶面板。 【先前技術】 環狀烯烴系樹脂因具有優良的透明性、耐熱性、耐濕 性等，故可適用於光學薄膜用途上。一般由環狀烯烴系樹 脂所成的薄膜爲，藉由溶液流延法（溶液澆注法）、或熔 融押出法等製膜，視必要施予延伸等而製造。 光學薄膜爲不僅被要求於透明性等光學特性優良，同 時薄膜必須爲均質，且少有光學不均爲重要。作爲欲防止 或抑制光學薄膜製造時所產生的光學不均之製造光學薄膜 的方法，例如可藉由使用塑模唇之缺陷形狀經抑制的特定 T塑模，以熔融押出成形製造出光學薄膜時，抑制沿著薄 膜之押出方向連續產生的凹凸狀線狀模樣（分模線（line ))之產生的方法已被提出（參照專利文獻1 )。 然而，製造工業上的長邊薄膜時，依據原料樹脂供給 所用之幫浦特性、薄膜經捲取輥之轉動等，產生週期性厚 度變動，藉此所得之光學薄膜有者產生明·度週期性變化或 光學性彎曲（所謂交叉痕跡（cross mark ))之問題。 又，藉由上述溶液流延法或熔融押出成形製造光學薄 膜時，發現薄膜的長邊方向上因熔融黏度之變化會引起厚 -4- 200817736 度不均的產生等光學薄膜之均質性受到阻害。 於光學薄膜上產生不均勻性時，例如作爲偏光板之保 護薄膜或相位差薄膜使用時，有著產生光學性不均等問題 。特別爲近年來偏光板之偏光度、透過率提高，與過去相 比開始注意到細微的光學不均之問題。 〔專利文獻1〕特開2005 - 1 4 8 5 6 8號公報 【發明內容】 發明說明 本發明係以提供製造工業之長邊薄膜時’於由環狀烯 烴系樹脂所成的長邊方向爲均質之光學薄膜、及製造該光 學薄膜之方法作爲課題。 本發明係關於由環狀烯烴系樹脂所成的薄膜’對於自 薄膜端部離5 0mm以上之薄膜表面’沿著薄膜長邊方向於 每5 mm測定薄膜面内之相位差R 0與薄膜面内的光軸時之 R 〇的偏差爲± 1 〇 %以下’且光軸之偏差爲中心値土 1 0度以 下爲特徴之光學薄膜。 其中，作爲上述環狀烯烴系樹脂以下述一般式（I ) 所示化合物之（共）聚合物爲佳。 -5- 200817736 [化i] 一般式（i)

(一般式（I)中，R1〜R4爲氫、鹵素原子、碳數30的 烴基、或其他1價之有機基，各可爲相同或相異。又， Rl〜R4中任意2個彼此結合，可形成單環或多環結構。π 爲〇或正整數，ρ爲〇或正整數。） 其次’本發明係關於進一步延伸上述薄膜之光學薄膜 〇 其次’本發明係關於偏光子的至少單面上，上層合上 述光學薄膜爲特徵的偏光板。 其次’本發明係關於液晶顯示元件的至少單面上層合 上述偏光板爲特徴之液晶面板。 其次’本發明係關於環狀烯烴系樹脂經熔融，由塑模 押出並於冷卻輥壓著使其薄膜化時，塑模吐出口之溫度變 化爲± 1 °C /分鐘以内作爲特徴之光學薄膜的製造方法。 其次’本發明係關於將如上述之經熔融押出的薄膜， 進一步進行延伸爲特徴之上述光學薄膜之製造方法。 所謂本發明即可提供含有環狀烯烴系樹脂，於薄膜長 邊方向均質，且不具有光學性不均之光學薄膜及其製造方 -6- 200817736 法。又，光學薄膜爲施予延伸之薄膜的情況時，可適用於 相位差或光軸爲安定且無光學性不均之相位差薄膜上。有 關本發明之光學薄膜爲長邊方向上爲極均質者，故光學性 不均較少，且於延伸薄膜時，霧値較少透明性優良，使用 此於大畫面之液晶顯示器等時可達到全面之無彎曲或不均 的高性能。 實施發行的較佳型態 《光學薄膜》 本發明的光學薄膜係爲由環狀烯烴系樹脂所成的薄膜 <環狀烯烴系樹脂> 作爲使用於本發明的光學薄膜之環狀烯烴系樹脂，可 舉出如下述的（共）聚合物。 (1) 上述一般式（I )所示特定單體之開環聚合物。 (2) 上述一般式（I)所示特定單體與共聚合性單體 之開環共聚合物。 (3 )上述（1 )或（2 )之開環（共）聚合物的氫化 (共）聚合物。 (4 )將上述（1 )或（2 )之開環（共）聚合物藉由 費里德爾-克拉夫茨反應（Friedel-Crafts reaction)進行環 化後經氫化之（共）聚合物。 (5)上述一般式（I)所示特定單體與含有不飽和雙 200817736 鍵之化合物之飽和共聚合物。 (6) 1種以上選自上述一般式（I)所示特定單體、 乙烯系環狀烴系單體及環戊二烯系單體之單體的加成型（ 共）聚合物及其氫化（共）聚合物。 (7) 上述一般式（I)所示特定單體與丙烯酸酯之交 互共聚合物。 <特定單體〉 作爲上述特定單體之具體例，可舉出如下述的化合物 ，但本發明非限定於這些具體例者。 雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 三環〔4·3·0·12,5 〕-8-癸烯、 三環〔4·4·0·12,5 〕-3-十一碳烯、 四環〔4.4.0.12’5.17，1()〕-3-十二碳烯、 五環〔6·5·1·13’6 ·02’7 .09’13〕-4-十五碳烯、 5-甲基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5-乙基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5_甲氧基羰基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5-甲基-5-甲氧基羰基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5-氰基雙環〔2·2·1〕庚-2-烯、 8-甲氧基羰基四環〔4·4.0.12’5·Γ’1()〕-3·十二碳烯、 8-乙氧基羰基四環〔4·4·0.12’5·17’1()〕-3-十二碳烯、 8-η-丙氧基羰基四環〔4.4.0.I2’5 ·1 7’1G〕-3-十二碳烯、 8-異丙氧基羰基四環〔4.4.0.I2’5 ·17’1()〕-3-十二碳烯、 -8- 200817736 8-11-丁氧基羰基四環〔4.4.0.12’5.17’1()〕-3-十二碳烯、 8-甲基-8-甲氧基羰基四環〔4.4.0.12’5 ·17’1()〕-3-十二碳烯 8-甲基-8-乙氧基羰基四環〔4.4.0.12,5 ·17，1()〕-3-十二碳烯 、 8-甲基-8-η·丙氧基羰基四環〔mP」厂’^〕-3-十二碳 烯、 8-甲基-8-異丙氧基羰基四環〔4.4.0.12’5 ·17，1()〕-3-十二碳 烯、 8_甲基-8_η-丁氧基羰基四環〔HO·。/ 厂^〕-3-十二碳 烯、 5-亞乙基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 8-亞乙基四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3-十二碳烯、 5-苯基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 8-苯基四環〔4·4·0.12,5·Γ，1()〕-3-十二碳烯、 5-氟雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5-氟甲基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5-三氟甲基雙環〔2.2.1〕庚-2·烯、 5-五氟乙基雙環〔2_2.1〕庚-2-烯、 5.5- 二氟雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5.6- 二氟雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5.5- 雙（三氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5.6- 雙（三氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5-甲基-5-三氟甲基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 -9- 200817736 5,5,6-三氟雙環〔2·2·1〕庚-2-烯、 5，5,6-參（氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5,5,6,6·四氟雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5，5,6,6-肆（三氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5.5- 二氟-6,6-雙（三氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5.6- 二氟-5,6-雙（三氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5，5,6·三氟-5-三氟甲基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5-氟-5-五氟乙基-6,6-雙（三氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2 烯、 5.6- 二氟-5-七氟-異-丙基-6-三氟甲基雙環〔2.2.1〕庚-2 烯、 5-氯-5,6，6-三氟雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5.6- 二氯-5,6-雙（三氟甲基）雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5，5,6-三氟-6-三氟甲氧基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 5，5,6-三氟-6-七氟丙氧基雙環〔2.2.1〕庚-2-烯、 8-氟四環〔4·4·0·12,5·17，1()〕-3-十二碳烯、 8-氟甲基四環〔4·4·0·12’5·Γ’1()〕-3-十二碳烯、 8-二氟甲基四環〔4.4.0.12,5 ·17，1()〕-3-十二碳烯、 8-三氟甲基四環〔4.4·0·12,5.Γ，1()〕-3-十二碳烯、 8-五氟乙基四環〔4.4·0·12’5·Γ’1()〕-3-十二碳烯、 8.8- 二氟四環〔4.4.0.12’5.17’1()〕-3-十二碳烯、 8.9- 二氟四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3-十二碳烯、 8,8-雙（三氟甲基）四環〔4.4_0.12,5.17，1()〕-3-十二碳嫌 -10- 200817736 8,9-雙（三氟甲基）四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3-十二碳烯 8-甲基-8-三氟甲基四環〔4·4·0·12’5·17，1()〕-3-十二碳烯、 8.8.9- 三氟四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3-十二碳烯、 8.8.9- 參（三氟甲基）四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3-十二碳 烯、 8.8.9.9- 四氟四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3-十二碳烯、 8.8.9.9- 肆（三氟甲基）四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3-十二碳 烯、 8,8-二氟-9,9-雙（三氟甲基）四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3· 十二碳儲、 859-二氟-8,9-雙（三氟甲基）四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕-3· 十二碳烯、 8，8,9-三氟-9-三氟甲基四環〔4.4.0.I2,5 .17，1G〕-3-十二碳 烯、 8.8.9- 三氟-9-三氟甲氧基四環〔4·4·0·12,5 .17，1()〕-3-十二 碳烯、 8.8.9- 三氟-9-五氟丙氧基四環〔4.4.0.12,5 .17，1G〕-3·十二 碳烯、 8-氟-8-五氟乙基-9,9-雙（三氟甲基）四環〔4.4.0.12,5 ·Γ，1()〕-3-十二碳烯、

8,9·二氟-8-七氟異丙基-9-三氟甲基四環〔4.4.0.I2,5 .17，1G -十

8-氯-8,9,9-三氟四環〔4·4·0.12,5·1 -11 - 200817736 8，9-二氯-8,9-雙（三氟甲基）四環〔4.4.0.12，5 ·"，i〇〕-3- 十二碳烯、 8-(2，2，2-三氟乙氧基羰基）四環〔4.4.0.12,5 .i7，1G〕-3 -十二碳嫌、 8 -甲基-8- (2，2，2-三氟乙氧基羰基）四環〔4.4.0.I2,5 • 17’1Q〕-3-十二碳烯等。 這些可單獨使用1種、或倂用2種以上。 特定單體中較佳爲上述一般式（I)中，R1及R3爲氫 或碳數1〜10，更佳爲1〜4，特佳爲1〜2的烴基，R2及R4 爲氫或一價有機基，R2及R4的至少一個表示氫及烴基以 外之具有極性的極性基，m爲0〜3的整數，p爲0〜3的整 數，較佳爲m+p=0〜4，更佳爲0〜2，特佳爲m=l、p=0 。m = 1、p = 0之特定單體以所得環狀烯烴系樹脂之玻璃 轉移溫度較高且機械性強度亦優良者爲佳。 作爲上述特定單體之極性基，可舉出羧基、烴基、烷 氧基羰基、烯丙氧基羰基、胺基、醯胺基、氰基等，這些 極性基可介著亞甲基等連結基結合。又，可舉出羰基、醚 基、甲矽烷基醚基、硫醚基、亞胺基等具有極性之2價有 機基作爲連結基結合之烴基等亦可作爲極性基。這些中以 羧基、烴基、烷氧基羰基或烯丙氧基羰基爲佳，特佳爲烷 氧基羰基或烯丙氧基羰基爲佳。 且，R2及R4的至少1個爲式-(CH2 ) nCOOR所示極 性基之單體以所得之環狀烯烴系樹脂爲具有較高玻璃轉移 -12- 200817736 溫度與較低吸濕性、與各種材料之密著性優良之觀點來看 爲佳。對於上述特定之極性基的相關式’ R爲碳原子數 1〜12，更佳爲1〜4，特佳爲1〜2之煙基’較佳爲院基。又 ，η —般爲〇〜5，但η値越小所得之環狀儲烴系樹脂的玻 璃轉移溫度越高，故較佳’且11爲0之特定單體因容易合 成故較佳。 又，上述一般式（I )中，R1或R3以烷基爲佳’碳數 1〜4的烷基爲較佳，更佳爲1〜2的烷基’以甲基爲特佳’ 特別爲該烷基結合於與上述式-(CH2 ) nCOOR所示特定之 極性基所結合的碳原子爲相同之碳原子時，所得之環狀儲 烴系樹脂的吸濕性可降低故較佳。 <共聚合性單體> 作爲共聚合性單體之具體例，可舉出環丁烯、環戊烯 、環庚烯、環辛烯、二環戊二烯等環烯烴。 作爲環烯烴之碳數以4〜20爲佳，更佳爲5〜12。這些 可單獨使用1種、或並用2種以上。 特定單體/共聚合性單體之較佳使用範圍以重量比爲 100/0 〜5 0/50，更佳爲 100/0 〜60/40。 <開環聚合觸媒> 本發明中，欲得到（1 )特定單體之開環聚合物、及 (2 )特定單體與共聚合性單體之開環共聚合物的開環聚 合反應於複分解（Metathesis )觸媒之存在下進行。 -13- 200817736 該複分解觸媒爲（a)至少1種選自W、M〇及Re的 化合物、與（b ) Deming周期律表ΙΑ族元素（例如Li、 Na、K等）、IIA族元素（例如Mg、Ca等）、ΠΒ族元素 (例如Zn、Cd、Hg等）、ΙΠΑ族元素（例如B、A1等） 、IVA族元素（例如Si、Sn、Pb等）、或IVB族兀素（ 例如Ti、Zr等）之化合物，與具有至少1個該元素-碳鍵 或該元素-氫鍵者所選出的至少1種之組合所成的觸媒。 又，此時欲提高觸媒之活性，亦可添加後述（C )添加劑 〇 作爲（a)成分之適當W、Mo或作爲Re之化合物代 表例可舉出WCl6、M〇Cl6、ReOCl3等特開平1-132626號 公報第8頁左下欄第6行〜第8頁右上欄第1 7行所記載的 化合物。 作爲（b )成分之具體例可舉出n-C4H9Li、（C2H5)3A1 、（C2H5) 2A1C1、（C2H5) uAlCh」、（c2h5) aici2、 甲基鋁四氫喃、LiH等特開平1-132626號公報第8頁右上 攔第1 8行〜第8頁右下欄第3行所記載的化合物。 作爲添加劑之（c )成分代表例，可適用醇類、醛類 、酮類、胺類等，亦可使用特開平1 - 1 32626號公報第8 頁右下欄第1 6行〜第9頁左上欄第1 7行所示化合物。 作爲複分解（Metathesis )觸媒之使用量，以上述（a )成分與特定單體之莫耳比時，使「（a)成分：特定單 體」一般成爲1:500〜1:50,000之範圍，較佳成爲1: 1，000〜1: 10,000 之範圍。 -14- 200817736 (a)成分與（b)成分之比例以金屬原子比時，（a ):(b)爲1:1〜1:5〇，較佳爲1:2〜1:30的範圍。 (a )成分與（c )成分之比例，以莫耳比時，（c ) :(a)爲0.005: 1〜15: 1，較佳爲0·05: 1〜7: 1之範圍 <聚合反應用溶劑> 作爲開環聚合反應中所使用的溶劑（構成分子量調節 劑溶液之溶劑、特定單體及/或複分解（Metathesis )觸媒 之溶劑），例如可舉出戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、 癸院等烷類、環己烷、環庚院、環辛烷、萘院、原冰片烷 等環烷類、苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、枯烯等芳香族烴 、氯丁烷、溴己烷、二氯甲烷、二氯乙烷、二溴化六伸甲 基、氯苯、氯仿、四氯伸乙基等、鹵化鏈烷、鹵化芳基等 化合物、乙酸乙酯、乙酸η-丁酯、乙酸異丁酯、丙酸甲酯 、二甲氧基乙烷等飽和羧酸酯類、二丁基醚、四氫呋喃、 二甲氧基乙烷等醚類等，這些可單獨或混合後使用。其中 以芳香族烴爲佳。 作爲溶劑之使用量，「溶劑：特定單體（重量比）」 一般成爲1: 1〜10: 1之量，較佳成爲1: 1〜5: 1之量。 <分子量調節劑> 所得之開環（共）聚合物之分子量的調節，可藉由聚 合溫度、觸媒種類、溶劑種類而進行，但本發明中，藉由 -15- 200817736 將分子量調節劑共存於反應系中而調節。 其中，作爲較佳的分子量調節劑，例如可舉出乙烯、 丙烯、1 - 丁烯、1 -戊烯、1 -己烯' 1 -庚烯、1 -辛烯、1 -壬 烯、1 -癸烯等α -烯烴類及苯乙烯，此等中以1 - 丁嫌、1 -己烯爲特佳。 這些分子量調節劑可爲單獨或混合2種以上使用。 作爲分子量調節劑之使用量，對於提供於開環聚合反 應之特定單體1莫耳而言爲0.005〜0.6莫耳：，較佳爲 0.02〜0.5莫耳。 (2 )欲得到開環共聚合物，於開環聚合步驟中，可 使特定單體與共聚合性單體進行開環共聚合，再於聚丁二 矯、聚異丁細寺共輒一嫌化合物、苯乙靖-丁二嫌共聚合 物、乙烯-非共軛二烯共聚合物、聚原冰片烯等主鏈上含 有2個以上碳-碳間雙鍵之不飽和烴系聚合物等存在下使 特定單體進行開環聚合。 如以上所得之開環（共）聚合物可直接使用，或再進 行氫化所得之（3 )氫化（共）聚合物可作爲耐衝撃性大 之樹脂原料使用。 <氫化觸媒> 氫化反應可藉由一般方法，即藉由開環聚合物之溶液 中添加氫化觸媒，於常壓〜3〇〇氣壓，較佳爲3〜2〇〇氣壓 之氫氣下〇〜2 00 °C，較佳爲20〜180 °C中起作用而進行。 作爲氫化觸媒，可使用一般使用於烯烴性化合物之氯 -16- 200817736 化反應者。作爲該氫化觸媒，可舉出不均相系觸媒及均相 系觸媒。 作爲不均相系觸媒，可舉出將鈀、鉑、鎳、铑、釕等 貴金屬觸媒物質載持於碳、二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦 等載體之固體觸媒。又，作爲均相系觸媒可舉出環烷酸鎳 /三乙基鋁、乙醯丙酮鎳/三乙基鋁、辛烯酸鈷/正丁鋰、二 氯化二茂鈦/單氯化二乙基鋁、乙酸鍺、氯參（三苯基膦 )铑、二氯參（三苯基膦）釕、氯氫羰基參（三苯基膦） 釕、二氯羰基參（三苯基膦）釕等。觸媒的形態可爲粉末 狀或粒狀。 這些氫化觸媒可以開環（共）聚合物：氫化觸媒（重 量比）爲1 : 1x1 0_6〜1 : 2之比例下使用。 如此，藉由氫化所得之氫化（共）聚合物爲具有優良 熱安定性者，即使經成形加工時或作爲製品使用時的加熱 ，該特性亦不會劣化。其中，氫化率一般爲50%以上，較 佳爲70%以上，更佳爲90%以上。 又，氫化（共）聚合物之氫化率以5 00MHz，W-NMR 所測定的値爲50%以上，較佳爲90%以上，更佳爲98%以 上，特佳爲99%以上，最佳爲99.5%以上。氫化率越高’ 對於熱或光的安定性越優良，作爲本發明之波長板使用時 ，可得到長期使用亦可得到安定之特性。 且，作爲本發明的環狀烯烴系樹脂所使用之氫化（共 )聚合物爲，含於該氫化（共）聚合物中之凝膠含有量以 5重量％以下爲佳，更以1重量％以下時爲特佳。 -17- 200817736 又，作爲本發明之環狀儲烴系樹脂’將（4)上述（1 )或（2)之開環（共）聚合物藉由費里德爾-克拉夫茨反 應（Friedel-Crafts reaction)而環化後。，亦可使用經氫 化之（共）聚合物。 <藉由費里德爾-克拉夫茨反應之環化> 將（1 )或（2 )之開環（共）聚合物藉由費里德爾-克拉夫茨反應（Friedel-Crafts reaction)之環化方法並無 特別限定，但可採用使用特開昭5 0- 1 543 99號公報所記載 的酸性化合物之公知方法。作爲酸性化合物，具體可使用 A1C13、BF3、FeCl3、Al2〇3、HC1、CH3C1C00H、沸石、 活性白土等路易氏酸、布朗斯台德酸。 經環化之開環（共）聚合物可與（1 )或（2 )之開環 (共）聚合物同樣地進行氫化。 且，作爲本發明的環狀烯烴系樹脂，亦可使用（5 ) 上述特定單體與含有不飽和雙鍵之化合物之飽和共聚合物 <含有不飽和雙鍵之化合物> 作爲含有不飽和雙鍵之化合物，例如可舉出乙烯、丙 燦、丁烯等，較佳爲碳數2〜12，更佳爲碳數2〜8之烯烴 系化合物。 特定單體/含有不飽和雙鍵之化合物的較佳使用範圍 ’以重量比時爲90/10〜40/60 ，更佳爲85/15〜50/50 。 -18- 200817736 本發明中，欲得到（5 )特定單體與含有不飽和雙鍵 之化合物的飽和共聚合物，可使用一般的加成聚合法。 <加成聚合觸媒> 作爲欲合成上述（5 )飽和共聚合物之觸媒，可使用 至少一種選自鈦化合物、鉻化合物及鈀化合物、與作爲助 觸媒之有機鋁化合物。 其中，作爲鈦化合物可舉出四氯化鈦、三氯化鈦等， 又作爲锆化合物可舉出氯化雙（環戊二烯基）锆、二氯化 雙（環戊二烯基）鉻等。 且，作爲鈀化合物，可舉出一般式 VO(OR)aXb、或 V(OR)cXd 〔但，R爲烴基，X爲鹵素原子，〇SaS3、OSbS3、2 ^ (a+b) S3、0ScS4、0Sd^4、3- (c+d) ^4。 ] 所示鈀化合物、或這些電子供給加成物。 作爲上述電子供給體可舉出醇、酚類、酮、醛、竣酸 、有機酸或無機酸之酯、醚、酸醯胺、酸酐、烷氧基砂院 等含氧電子供給體、氨、胺、硝醯、異氰酸酯等含氮電子 供給體等。 且，作爲助觸媒之有機銘化合物，可使用至少1種選 自具有至少1個鋁-碳鍵或鋁-氫鍵者。 -19- 200817736 上述中，例如使用鈀化合物時的鈀化合物與有機鋁化 合物之比率，對於鈀原子的鋁原子之比（A1/V )爲2以上 ，較佳爲2〜50，特佳爲3〜20的範圍。 使用於加成聚合之聚合反應用溶劑，可使用與使用於 開環聚合反應之相同溶劑。又，所得之（5 )飽和共聚合 物之分子量的調節，一般使用氫進行。 且，作爲本發明之環狀烯烴系樹脂，可使用選自（6 )上述特定單體、及乙烯系環狀烴系單體或環戊二烯系單 體之1種以上的單體之成型共聚合物及亦可使用其氫化共 聚合物。 <乙烯系環狀烴系單體> 作爲乙烯系環狀烴系單體，例如可舉出4-乙烯環戊烯 、2-甲基-4-異丙烯基環戊烯等乙烯環戊烯系單體、4-乙烯 環戊烷、4-異丙烯基環戊烷等乙烯環戊烷系單體等乙烯化 5員環烴系單體、4-乙烯環己烯、4-異丙烯基環己烯、1-甲基-4-異丙烯基環己烯、2-甲基-4-乙烯環己烯、2_甲基-4-異丙烯基環己烯等乙烯環己烯系單體、4-乙烯環己烷、 2-甲基-4-異丙烯基環己烷等乙烯環己烷系單體、苯乙烯、 α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯 乙烯、1-乙烯萘、2-乙烯萘、4-苯基苯乙烯、ρ-甲氧基苯 乙烯等苯乙烯系單體、d-萜烯、1-萜烯、二萜烯、d-檸檬 烯、1-檸檬烯、二戊烯等萜烯系單體、4-乙烯環庚烯、4_ 異丙烯基環庚烯等乙烯環庚烯系單體、4-乙烯環庚烷、4- -20- 200817736 異丙烯基環庚烷等乙烯環庚烷系單體等。較佳爲苯乙 α -甲基苯乙烯。這些可單獨使用1種、或並用2種 <環戊二烯系單體> 作爲本發明之（6 )加成型共聚合物的單體所使 環戊二烯系單體，例如可舉出環戊二烯、i —甲基環戊 、2-甲基環戊二烯、2-乙基環戊二烯、5-甲基環戊二 5,5 -甲基環戊二烯等。較佳爲環戊二烯。這些可單獨 1種、或倂用2種以上。 選自上述特定單體、乙烯系環狀烴系單體及環戊 系單體之1種以上單體的加成型（共）聚合物，可由 述（5 )特定單體與含有不飽和雙鍵之化合物的飽和 i 合物之同樣加成聚合法得到。 又，上述加成型（共）聚合物之氫化（共）聚合 由與上述（3)開環（共）聚合物之氫化（共）聚合 同樣氫化法得到。 且，作爲本發明的環狀烯烴系樹脂，亦可使用 上述特定單體與丙烯酸酯之交互共聚合物。 <丙烯酸酯> 作爲本發明的（7 )上述特定單體與丙烯酸酯之 共聚合物的製造上所使用的丙烯酸酯，例如可舉出具 基丙烯酸酯、2 -乙基己基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯 燦、 以上 用之 二烯 烯、 使用 二烯 與上 共聚 物可 物之 ：7 ) 交互 有甲 等碳 -21 - 200817736 原子數1〜2G的直鏈狀、分岐狀或環狀烷基丙烯酸酯、縮 水甘油丙烯酸酯、2-四氫呋喃丙烯酸酯等碳原子數2〜20 的含雜環基的丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯等碳原子數6〜20 的芳香族環基含有丙烯酸酯、異佛爾酮基丙烯酸酯、二環 戊基丙烯酸酯等碳數7〜30的多環結構之丙烯酸酯。 本發明中’欲得到（7)上述特定單體與丙烯酸酯之 交互共聚合物’於路易氏酸存在下，上述特定單體與丙烯 酸酯之總計爲100莫耳時，一般上述特定單體爲30〜70莫 耳’丙烯酸酯爲70〜30莫耳之比例下，較佳爲上述特定單 體爲40〜60莫耳，丙烯酸酯爲6〇〜40莫耳比例下，特佳爲 上述特定單體爲45〜55莫耳，丙烯酸酯爲55〜4 5莫耳之比 例下進行自由基聚合。 欲得當（7)上述特定單體與丙烯酸酯之交互共聚合 物所使用的路易氏酸之量，對於丙烯酸酯100莫耳而言爲 0.001〜1莫耳之量。又，可使用產生公知的自由基之有機 過酸化物或偶氮雙系的自由基聚合啓始劑，聚合反應溫度 一般爲-20°C〜80°C，較佳爲〜60°C。又，聚合反應用溶 劑中可使用與開環聚合反應所使用的相同溶劑。 且，本發明所謂「交互共聚合物」爲，未連接來自上 述特定單體之結構單位，即表示來自上述特定單體之結構 單位的旁邊必須具有來自丙烯酸酯之結構單位的結構之共 聚合物，並未否定來自丙烯酸酯之結構單位彼此爲隣接而 存在之結構。 本發明所使用的環狀烯烴系樹脂之較佳分子量爲’固 -22- 200817736 有黏度〔θ〕inh下爲〇·2〜5dl/g’更佳爲〇·3〜3dl/S’特佳 爲0.4〜1.5dl/g，以凝膠滲透層析儀（GPC )所測定的聚苯 乙烯換算之數平均分子量（Μη)爲8,000〜1 00,000，更佳 爲1 0,000〜80,000，特佳爲1 2,000〜50,000，重量平均分子 量（^〜）爲 20,000〜3 00,000，更佳爲 3 0,000〜2505000, 特佳爲40,000〜200,000的範圍。 固有黏度〔々〕inh、數平均分子量及重量平均分子量 若於上述範圍時，環狀烯烴系樹脂之耐熱性、耐水性、耐 藥品性、機械性特性與作爲本發明之光學薄膜的成形加工 性爲良好。 作爲使用於本發明的環狀烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度 (Tg)，一般爲110°C以上，較佳爲110〜3 5 0 °C，更佳爲 120〜25 0 °C，特佳爲120〜200°C。Tg未達ll〇°C時，高溫 條件下之使用、或塗佈、印刷等二次加工會造成變形故不 佳。另一方面，Tg若超過3 5 0 °C時，成形加工會變困難， 切藉由成形加工時的熱會使樹脂劣化之可能性變高。 環狀烯烴系樹脂中以不損害本發明之效果的範圍下， 例如添加特開平9-22 1 5 77號公報、特開平10-28 773 2號公 報所記載的特定烴系樹脂、或公知熱可塑性樹脂、熱可塑 性彈性體、橡膠質聚合物、有機微粒子、無機微粒子等亦 佳。 又，本發明的環狀烯烴系樹脂中，以不損害本發明之 效果的範圍下，欲改良耐熱劣化性或耐光性，可添加公知 抗氧化劑或紫外線吸收劑等添加劑。例如將至少1種選自 -23- 200817736 下述酚系化合物、硫醇系化合物、硫化物系化合物、二硫 化物系化合物、磷系化合物所成群的化合物，以對本發明 的環狀烯烴系樹脂100重量份爲0.01〜10重量份添加時， 可提高耐熱劣化性。 酚系化合物： 作爲酚系化合物，可舉出三乙二醇-雙〔3-(3-t - 丁 基-5-甲基-4-羥基苯基）丙酸酯〕、1，6-己烷二醇_雙〔3-(3,5-二-t -丁基-4-羥基苯基）丙酸酯〕、2,4-雙-(η-辛 基硫）-6- (4-羥基-3,5-二-t - 丁基苯胺）-3，5-三嗪、季戊 四醇-肆〔3- (3，5_二-〖-丁基-4-羥基苯基）丙酸酯〕、 2，2-硫-二伸乙基雙〔3- (3，5-二-t-丁基-4-羥基苯基）丙 酸酯〕、十八烷基-3- ( 3,5-二-t -丁基-4-羥基苯基）丙酸 酯〕、1^,.六伸甲基雙（3,5-二-七-丁基-4-羥基-氫桂皮醯 胺）、1，3,5-三甲基-2,4,6-參（3,5-二-t-丁基-4-羥基苯甲 基）苯、參-(3,5·二-t - 丁基-4-羥基苯甲基）-異三聚異 氰酸、3,9-雙〔2-〔 3- ( 3-t - 丁基-4·羥基-5-甲基苯基） 丙醯氧基〕-1，1-二甲基乙基〕-2，4,8,10-四噁螺〔5.5〕十 一烷烷、等。較佳爲十八烷基-3- ( 3，5-二-t -丁基-4-羥基 苯基）丙酸酯〕、1，3,5-三甲基-2,4,6-參（3,5-二-1-丁 基-4-羥基苯甲基）苯、季戊四醇-肆〔3-(3，5-二-t-丁 基-4-羥基苯基）丙酸酯〕，特佳爲十八烷基-3-( 3，5-二-t -丁基-4-羥基苯基）丙酸酯〕等。 -24- 200817736 硫醇系化合物： 作爲硫醇系化合物，可舉出t -十二烷硫醇、己基硫 醇等烷基硫醇、2-氫硫基苯並咪唑、2-氫硫基-6-甲基苯並 咪唑、1-甲基-2-(甲基氫硫基）苯並咪唑、2-氫硫基-1-甲基苯並咪唑、2-氫硫基-4-甲基苯並咪唑、2-氫硫基- 5-甲基苯並咪唑、2-氫硫基-5,6 -二甲基苯並咪唑、2-(甲基 氫硫基）苯並咪唑、1-甲基-2-(甲基氫硫基）苯並咪唑、 2-氫硫基-1，3-二甲基苯並咪唑、氫硫基乙酸等。 硫化物系化合物： 作爲硫化物系化合物，可舉出2,2-硫-二伸乙基雙〔3-(3，5-二-t-丁基-4-羥基苯基）丙酸酯〕、2,2-硫雙（4-甲基- 6-t-丁基酚）、2，4-雙（η-辛基硫甲基）-6 -甲基酚 、二月桂基3,3’ -硫二丙酸酯、二肉豆蔻基3,3’ -硫二丙 酸酯、二硬脂醯基3，3’ -硫二丙酸酯、季戊四醇肆（3-月 桂基硫丙酸酯）、二十七烷基3,3’ -硫二丙酸酯等。 二硫化物系化合物： 作爲二硫化物系化合物，可舉出雙（4-氯苯基）二硫 化物、雙（2-氯苯基）二硫化物、雙（2,5-二氯苯基）二 硫化物、雙（2,4,6-三氯苯基）二硫化物、雙（2-硝基苯 基）二硫化物、2,2’ -二硫二安息香酸乙基、雙（4-乙醯 基苯基）二硫化物、雙（4-胺基甲醯基苯基）二硫化物、 1，Γ -二萘基二硫化物、2，2 ’ -二萘基二硫化物、1，2 ’ -二 -25- 200817736 萘基二硫化物、2,2，-雙（1-氯二萘基）二硫化物、U1 -雙（2-氯萘基）二硫化物、2,2，-雙（卜氰基萘基）二 硫化物、2,2’ -雙（；!_乙醯基萘基）二硫化物、二月桂基_ 3，3 ’ -硫二丙酸酯等。 磷系化合物： 作爲磷系化合物，可舉出參（4-甲氧基-3，S二苯基） 磷酸酯、參（壬基苯基）磷酸酯、參（2,4_二-^-丁基苯 基）磷酸酯、雙（2,6-二-t - 丁基-4-甲基苯基）季戊四醇 二磷酸酯、雙（2,4-二-t - 丁基苯基）季戊四醇二磷酸酯 等。 且將2,4·二羥基二苯甲酮、2 -經基-4-甲氧基二苯甲酮 等二苯甲酮系化合物、N-(苯甲基氧基羰氧基）苯並三唑 等苯並三唑系化合物、或2 -乙基草醯替苯胺、2 -乙基-2 ’-乙氧基草醯替苯胺等草醯替苯胺系化合物，以對本發 明之環狀烯烴系樹脂100重量份爲0.01〜3重量份，較佳 爲0.0 5〜2重量份添加時，可提高耐光性。 又，有關本發明之環狀烯烴系樹脂，藉由熔融押出成 形爲薄膜等時，欲防止因熔融押出時之熱履歴所造成的該 樹脂之熱劣化防止，選擇所添加之抗氧化劑成爲重要之技 術要素。即，將藉由熔融押出所得之薄膜進行延伸加工時 ，欲不使相位差之表現性降低、或極力縮小其降低程度， 使用比熔融押出的環狀烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度（Tg ) 高 + 2(TC 〜Tg+130°C ，較佳爲 Tg+30°C 〜Tg+130°C 之溫 -26- 200817736 度範圍內具有融點的受阻酚系化合物作爲抗氧化劑爲佳。 融點若比融押出之環狀烯烴系樹脂的τ g未達+ 2 0 °C 時，即使用受阻系化合物，添加量增加時，有時相位差 的表現性會大幅度降低。另一方面，融點比熔融押出之環 狀烯烴系樹脂的T g超過+ 1 3 0 °C時，有時於加工時抗氧化 劑無法溶解而成爲魚眼等薄膜缺陷或異物的原因。又，融 點即使爲環狀烯烴系樹脂之T g + 2 0 °C〜Tg + 1 3 0 °C，若使 用受阻酚系化合物以外之化合物作爲抗氧化劑，亦有相位 差的表現性降低之現象。 作爲藉由熔融押出本發明的環狀烯烴系樹脂成形時適 用的上述抗氧化劑之具體例，例如可舉出1 , 3,5 -三甲基-2,4,6-參（3,5-二 t -丁基-4-羥基苯甲基）苯、N，N’ -六 伸甲基雙（3,5-二-t -丁基-4-羥基·氫化肉桂醯胺）、參-(3,5-二-t -丁基-4-羥基苯甲基）-異氰酸酯、參（2,4-二-t - 丁基苯基）亞磷酸酯等，但本發明未僅限定於此，又 對於這些，熔融押出之環狀烯烴系樹脂的Tg會引起適當 情況。且以不損害本發明的效果下，這組合這些使用，或 單獨使用。 這些抗氧化劑的添加量，對於環狀烯烴系樹脂1 00重 量份，一般爲0.01〜5重量份，較佳爲〇.〇5〜4重量份，更 佳爲、〇 . 1〜1 · 5重量份。抗氧化劑的添加量若未達〇 . 〇 1重 量份時’押出加工時於樹脂容易產生凝膠，因此被辨識爲 作爲所得薄膜上之缺陷而不佳。另一方面，添加劑量若超 過5重量份時，加工時會引起殘渣物之產生等，該殘渣物 -27- 200817736 係成爲分模線（line )、薄膜上之魚眼、燒焦等原因故不 佳。 有關抗氧化劑，可於製造環狀烯烴系樹脂時添加、或 熔融押出時與環狀烯烴系樹脂之顆粒同時添加。 又，本發明的環狀烯烴系樹脂藉由熔融押出成形時， 以不損害本發明的效果之範圍，可使用滑劑、紫外線吸収 劑、染料或顔料等上述抗氧化劑以外之添加劑。當然此時 ，具有融點之添加劑時，該融點爲本發明之必須抗氧化劑 的融點範圍時較佳。 <薄膜成形> 作爲環狀烯烴系樹脂薄膜之成形方法，可舉出溶劑澆 注法（溶液流延法）或熔融押出法等。於膜厚之均勻性及 表面平滑性良好之觀點來看以溶劑澆注法爲佳，由製造成 本面來看以熔融押出法爲佳。 〔溶劑澆注法〕 作爲藉由溶劑澆注法得到環狀烯烴系樹脂薄膜之方法 ，並無特別限定，使用公知方法即可。例如將上述環狀烯 烴系樹脂於溶劑中溶解或分散後成爲適度濃度之液體，注 入或塗佈於適當的基材上，將此乾燥後由基材剝離之方法 〇 以下舉出藉由溶劑澆注法得到環狀烯烴系樹脂薄膜之 方法的各種條件，但本發明並未僅限定於該各種條件中。 -28- 200817736 將上述環狀烯烴系樹脂溶解或分散於溶劑時，該樹脂 的濃度一般爲0 . 1〜9 0重量％，較佳爲1〜5 0重量％，更佳 爲10〜35重量％。樹脂濃度若比上述範圍低時，難以確保 薄膜厚度，又具有溶劑蒸發所引起的發泡等會造成難以得 到薄膜之表面平滑性之傾向。另一方面，濃度若超過上述 範圍時，溶液黏度會過高而具有所得之環狀烯烴系樹脂薄 膜的厚度或表面難均勻之傾向。 又，室溫中上述溶液之黏度，一般爲1〜l，000,000mPa • s，較佳爲 1 0〜1 00,000mPa · S，更佳爲 1 0 0 〜5 0，0 0 0 m P a • S，特佳爲 1，000〜40,000mPa · S。 作爲上述溶劑，例如可舉出苯、甲苯、二甲苯等芳香 族系溶劑；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、1-甲氧基-2-丙醇等 溶纖劑系溶劑；二丙酮醇、丙酮、環己酮、甲基乙基酮、 4-甲基-2-戊酮等酮系溶劑；乳酸甲酯、乳酸乙酯等酯系溶 劑；環己烷、乙基環己烷、1，2-二甲基環己烷等環烯烴系 溶劑；2,2,3,3-四氟-1-丙醇、二氯甲烷、氯仿等鹵素含有 溶劑；四氫呋喃、二噁烷等醚系溶劑；1 -戊醇、1 - 丁醇等 醇系溶劑等。 又，上述以外，僅使用 SP値（溶解度參數）爲 10〜30 ( MPa1/2 )，較佳爲 10〜25 ( MPa1/2 )，更佳爲 1 5〜2 5 ( MPa1/2 )，特佳爲1 5〜2 0 ( MP a 1/2 )之範圍的溶劑 ’即可得到具有良好表面均勻性及光學特性之環狀烯烴系 樹脂薄膜。 上述溶劑可單獨使用1種、或混合2種以上。混合系 -29- 200817736 時’以混合系時的SP値的範圍爲上述範圍内時爲佳。此 時，混合系中的S P値，可由重量比來預測，例如2種混 合中，各重量分率爲W1及W2，SP値爲SP1及SP2時之 混合系的SP値可由下述式求得： SP 値=W1 · SP1 + W2 · SP2 作爲將上述溶液塗佈於基材上的方法，例如使用模具 或塗佈器的方法以外，亦可採用噴霧法、刷毛塗佈法、輥 塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法等。特別使用模具或塗佈器 之方法中，可將基材的搬送速度或溶液供給速度的變動抑 制到最小限，而使薄膜長邊方向的厚度變動控制至最小限 。且，藉由重複塗佈亦可控制厚度或表面平滑性等。 作爲上述基材，可舉出例如金屬轉筒、鋼帶、聚對苯 二甲酸乙二酯 （PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)等 聚酯薄膜、聚四氟乙烯（商品名；鐵福隆（註冊商標）） 輸送帶等。 對於上述溶劑澆注法之乾燥步驟，並無特別限定，可 實施一般使用的方法，例如介著多數滾筒通過乾燥爐之方 法等。但，乾燥步驟中會產生因溶劑之蒸發所引起的氣泡 ，而使薄膜特性顯著降低，欲避免此，將乾燥步驟分爲2 段以上之複數步驟，並控制於各步驟之溫度或風量爲佳。 特別將自基材至剝離的乾燥步驟可分爲2段以上之複數步 驟，第1階段的乾燥步驟中溫度設置爲〇〜5 〇 °C ’較佳設定 -30- 200817736 爲10〜40 °c ，第 2階段以後之乾燥步驟的溫度設定爲 50〜200°C，較佳設定爲70〜180°C爲佳。 又，薄膜剝離時的應力TF ( MPa)以O.OIMPaS TFS 5 MPa之範圍爲佳。TF若未達0.01 MPa時，無法順利地剝 離，另一方面若超過5MPa時，薄膜會由滾筒剝離，薄膜 會延伸而成爲產生相位差不均之原因，長邊方向的薄膜厚 度分佈或相位差分佈以及光軸分佈會變大而不佳。 〔熔融押出法〕 作爲藉由熔融押出法得到環狀烯烴系樹脂薄膜之方法 ，並無特別限定，可適用公知方法。例如可舉出由附於押 出機之塑模押出熔融狀態環狀烯烴系樹，該樹脂以鏡面輥 表面壓著，其後經冷卻並剝離使其薄膜化之方法。 作爲熔融環狀烯烴系樹脂之方法，以藉由押出機熔融 樹脂之方法爲佳，該熔融樹脂可藉由齒輪幫浦進行定量供 給，將此經金屬過濾器等過濾後除去雜質後，於塑模賦予 薄膜形狀並押出之方法爲佳。 作爲冷卻由塑模被押出之薄膜並使其薄膜化的方法， 夾輥方式、靜電外加方式、氣刀方式、輪壓（calender) 方式、片面輸送帶方式、兩面輸送帶方式、3根輥方式等 ，但要製造光學變形較少的薄膜，使用片面輸送帶式中稱 爲套筒（Sleeve )式之薄膜製造裝置、靜電外加方式等爲 佳。例如可舉出塑模的吐出口下方配置鏡面輥與金屬輸送 帶，排列成語該鏡面輥並行之剝離輥經配置之薄膜製造裝 -31 - 200817736 置。上述金屬輸送帶藉由設置成銜接該内面之2個保持輥 ，保持於張力經作用之狀態。經吐出口所吐出之樹脂’通 過上述鏡面輥與金屬輸送帶之間被挾壓，轉印於鏡面輥並 經冷卻後，由剝離輥被剝離成薄膜化。又，以經吐出之薄 膜兩端之位置，配置成面對於塑模的吐出口下方之鏡面輥 ，自帶電電極將薄膜貼合於鏡面輥側，可得到無光學變形 且薄膜表面性良好之方法等爲較佳方法。 作爲押出機，可舉出單軸、二軸、行星式、混煉擠壓 器（ko-kneader)等之任一種，較佳爲使用單軸押出機。 又，作爲押出機之螺旋形狀，可舉出管彎頭型、先端帶刮 板（Dulmage)型、全螺文（full flight)型等，較佳爲全 螺文型。樹脂計量所使用的齒輪幫浦可使用内部潤滑式、 外部潤滑式任一種，其中以外部潤滑方式爲佳。 有關使用於異物過濾之過濾器，可舉出葉片型、蠟過 濾器型、葉子型、篩網等。其中，對於縮小樹脂的滯留時 間分佈作爲目的者，以葉片型最佳，過濾器孔徑以20μπι 以下，較佳爲ΙΟμηι以下，更佳爲5μπι以下。最佳爲3μιη 以下。公孔徑若大於2 0 μιη時，難以除去眼睛看的到的異 物以及凝膠等，故作爲使用於製造光學薄膜之過濾器上並 不佳。 作爲塑模，必須均勻塑模内部之樹脂流動，欲保持薄 膜之厚度均勻性，必須將塑模出口鄰近的塑模内部之壓力 分佈於寬方向爲一定。作爲滿足如此條件者，可使用歧管 塑模、魚尾式塑模、衣架式塑模等，其中以衣架式塑模爲 -32- 200817736 佳。又塑模之流量調整以彎曲唇型爲佳。又，附有可經熱 螺栓方式而藉由自動控制來進行厚薄調整功能之塑模爲特 佳。附有使用於流量調整之阻塞棍、或附有使用於厚度調 整之支撐墊塊時，連接部分會產生落差，於連接部分之隙 間等會有捲入空氣等，成爲產生燒焦的原因、或成爲分模 線之原因而不佳。塑模吐出口以鎢碳化物等超硬塗佈等塗 佈法爲佳。又，作爲塑模之材質可舉出SCM系之鋼鐵、 SUS等不鏽鋼材等，但並未僅限定於此。又，可使用於表 面施予鉻、鎳、鈦等鍍敷者、藉由PVD ( Physical Vapor Deposition)法等形成者、形成 TiN、TiA IN、TiC、CrN、 DLC (鑽石狀碳）等被膜者、其他陶瓷器經溶射所得者、 表面進行氮化處理者等。如此塑模其表面硬度高，與樹脂 之摩擦較小，故於所得之透明樹脂薄膜可防止燒焦殘渣等 混入，且可防止分模線（line )產生，故較佳。 以本發明之由環狀烯烴系樹脂所成的薄膜，得到其長 邊方向之相位差R0與光軸所測定時的R0的偏差爲±10% 以下，且光軸之偏差爲中心値± 1 〇度以下的薄膜，該薄膜 之長邊方向的厚度變動（不均）爲每l〇m爲±1 %以下，更 佳爲±0.5%以下，特佳爲，±0.3%以下爲佳。 因此，薄膜製造時之T塑模的溫度變化每1分鐘內較 佳爲±1.0 °C以下，更佳爲±0.5 °C以下，特佳爲±0.3 °C以下 〇 作爲使用於嚴密控制T塑模溫度之加熱器，可舉出加 熱板器、湊注加熱器、卡式電熱管（Cartridge Heater)、 -33- 200817736 環帶狀的電熱器等。其中以容易控制溫度者而言以澆注黃 銅或鋁之澆注加熱器’作爲卡式電熱管，熱媒體部分係由 黃銅、鋁、銅等構成者爲佳。特佳爲鋁澆注加熱器。 使用於縮小T塑模溫度變化時，以控制至T塑模的溫 度設定時流入T塑模之熱量可自由控制爲佳。 特別爲τ塑模溫度至加工溫度-2 0 °c時，與加速T塑 模之昇溫速度，流入電流至加熱器能力的上限，確認塑模 溫度提高至加工溫度_2〇 °C程度後，減低加熱器之消費電 力，控制至連續地於加熱器流入電流爲最佳。 又，欲使薄膜的長邊方向之厚度變動（不均）至上述 範圍時，將熔融樹脂的供給速度例如可舉出藉由如齒輪幫 浦以一定量連續地供給之方法、或轉印輥或其後之捲取輥 的轉動速度極力控制於一定之方法。 又，塑模吐出口的溫度於定點所測定之溫度變化設定 爲±l°c/l分鐘時，可防止長邊方向之厚度變動，其結果， 可防止薄膜的長邊方向之光學不均。塑模吐出口之溫度， 如圖1所示’於吐出薄膜之吐出口附近設置之感應器所測 定者，本發明中一般爲每1秒測定1次。 鏡面輥爲於内部具有加熱手段及冷卻手段者爲佳，該 表面粗度爲0.5 μιη以下，特佳爲0 · 3 μιη以下。作爲鏡面輥 以使用於金屬輥施予鍍敷者爲佳，施予鉻鍍敷、無電解鎳 鍍敷等爲特佳。 鏡面輥之加熱方法可使用包覆式油溫調節方式、或介 電加熱方式等較佳方法。輥的加熱方法並無特別限定，但 -34- 200817736 輥溫度爲薄膜製膜範圍，無溫度差爲佳，可被接受的輥溫 度差爲2 °C以内爲佳，更佳爲1 °C以内。 作爲單面輸送帶式裝置、或附有套筒式之裝置所使用 的金屬輸送帶，使用無連接痕跡的無端輸送帶爲佳。作爲 構成金屬輸送帶之材料，可使用不鏽鋼、鎳等。又，保持 金屬輸送帶之保持輥，其表面藉由聚矽氧橡膠或具有其他 耐熱性之彈性體等包覆爲佳。金屬輸送帶之厚度以 0.1〜0.4mm爲佳，未達0.1mm時撓性過大而使輸送帶容易 受傷故不佳。另一方面，若比0.4mm厚時，不會隨著加工 時的薄膜而變形故亦不佳。 藉由上述裝置，例如可製造出以下之薄膜。 作爲一般於押出機中投入環狀烯烴系樹脂前，預先除 去含於該樹脂之水分、氣體（氧等）、殘溶劑等之目的， 可進行該樹脂之Tg以下的適當溫度之樹脂乾燥。 使用於乾燥之乾燥機，較佳爲惰性氣體循環式乾燥機 、真空乾燥機。又，欲抑制料斗内之吸濕、或氧之吸收， 將料斗以氮或氬等惰性氣體封鎖、或使用可保持減壓狀態 之真空料斗亦爲較佳方法。 押出機量筒於欲防止熔融押出中樹脂被氧化而產生凝 膠等’可藉由氮或氬等惰性氣體進行封閉爲佳。 藉由押出機被熔融之環狀烯烴系樹脂，由塑模吐出口 往垂直方向之下方押出成薄膜狀。塑模出口之溫度分佈因 樹脂的熔融黏度差較少，故可控制於11：以下。 其後’押出之樹脂藉由鏡面輥與金屬輸送帶進行挾壓 -35- 200817736 並冷卻。然後於鏡面輥表面經轉印之樹脂藉由剝離用輥由 鏡面輥表面被剝離，而製造出薄膜狀薄膜。 本發明中，樹脂之加工溫度，即押出機及塑模的設定 溫度爲，由流動性爲均勻之熔融狀態樹脂可由塑模吐出、 且可抑制樹脂之劣化的觀點來看，以樹脂的T g + 1 0 0 °c以 上且Tg+ 200°C以下爲佳。 又，藉由鏡面輥與金屬輸送帶挾壓樹脂時，即於鏡面 輥將樹脂轉印時的壓力以面壓爲〇·〇1〜0.8 MPa爲佳，特佳 爲 0.1 〜0.6MPa。更特佳爲 0.15 〜0.45MPa。 此時’ 1¾面輕接近金屬輸迭帶之周速度爲佳。作爲較 佳範圍爲鏡面輥之周速度爲1.00，金屬輸送帶之周速度爲 0.95〜1.05，特佳爲 0.99〜1.01。 且，作爲薄膜剝離時之條件，剝離溫度Tt ( °c )，剝 離應力 TF(MPa)中，各爲 Tg-30°CSTtSTg+5°C ， 0.01MPa‘TFS5MPa 之範圍爲佳。 <薄膜延伸加工> 藉由如上述的流延法或熔融押出法所得之本發明的光 學薄膜可進一步地進行延伸。作爲此時的延伸加工方法， 具體可舉出公知的一軸延伸法或二軸延伸法。即，藉由拉 伸器法之橫一軸延伸法、輥間壓縮延伸法、利用圓周相異 的二組輥之縱一軸延伸法等、或組合橫一軸與縱一軸之二 軸延伸法、藉由吹塑法之延伸法等。 一軸延伸法時之延伸速度一^般爲1〜5，000% /分鐘，較 -36- 200817736 佳爲50〜1,000%/分鐘，更佳爲loo〜ι，〇00%/分鐘，特佳爲 100〜500%/分鐘。 二軸延伸法有同時往2方向進行延伸之情況、或一軸 延伸後往與最初延伸方向相異的方向延伸處理之情況。此 時，使用控制延伸後的薄膜之折射率楕圓體形狀之2個延 伸軸之相交角度，因取決於所望特性故無特別限定，一般 爲120〜60度之範圍。又，延伸速度爲各延伸方向可爲相 同或相異，一般爲1〜5,000%/分鐘，較佳爲50〜1,000%/分 鐘，更佳爲100〜1，000%/分鐘，特佳爲100〜500%/分鐘。 藉由使延伸速度更均勻，可抑制薄膜長邊方向之厚度 不均或相位差R0以及光軸等分佈至最小限。此時的延伸 速度之變動，較佳爲±5 %以内，更佳爲±1 %以内，特佳爲土 0.5 %以内。 延伸加工溫度雖無特別限定，但本發明的樹脂之玻璃 轉移溫度Tg作爲基準，一般爲Tg±30°C，較佳爲Tg±15°C ，更佳爲Tg-5°C〜Tg+ 15°C之範圍。又，此時的溫度變動 (不均）較佳爲±5%以内，更佳爲±1%以内，特佳爲±0.5% 以内。藉由使其爲上述範圍内時，相位差R0或光軸之變 動（不均）得產生可受到抑制故較佳。 延伸倍率因取決於所望之特性故無特別限定，一般爲 1.01〜10倍，較佳爲1.03〜5倍，更佳爲1.03〜3倍。延伸 倍率若爲1 〇倍以上時，有時相位差之控制變的困難。此 時的延伸倍率變動，較佳爲± 5 %以内，更佳爲± 1 %以内， 特佳爲± 〇 · 5 %以内。藉此薄膜長邊方向之厚度不均或相位 -37- 200817736 差R0以及光軸等分佈可抑制至最小限。 經延伸之薄膜可直接冷卻，於Tg-20°C〜Tg之 境下至少保持1 〇秒以上，較佳爲30秒〜60分鐘， 1分鐘〜60分鐘之加熱設定爲佳。藉此可得到透過 位差的經時變化較少且安定之相位差薄膜。 未施予延伸加工時的本發明的光學用薄膜之藉 的尺寸収縮率，於加熱l〇〇°C下進行5 00小時時， 5 %以下，較佳爲3%以下，更佳爲1%以下，特佳| 以下。 又，本發明之相位差薄膜的藉由加熱之尺寸収 於加熱100°C下進行5 00小時時，一般爲10%以下 爲5%以下，更佳爲3%以下，特佳爲1%以下。 如上述經延伸的薄膜爲，藉由延伸可使分子經 於透過光賦予相位差，但該相位差可藉由延伸倍率 溫度或薄膜厚度等控制。例如延伸前的薄膜厚度爲 ，延伸倍率越大之薄膜，其透過光之相位差絶対値 之傾向，藉由變更延伸倍率，可得到透過光賦予所 差之相位差薄膜。另一方面，延伸倍率相同的情況 前的薄膜厚度越厚，透過光之相位差絶対値有越大 ，故藉由變更延伸前的薄膜厚度，可得到透過光賦 相位差之相位差薄膜。又，上述延伸加工溫度範圍 伸溫度越低，透過光之相位差絶対値有越大傾向， 變更延伸溫度，可得到透過光賦予所望相位差之相 膜。 溫度環 更佳爲 光之相 由加熱 一般爲 I 0.5% 縮率， ，較佳 配向而 、延伸 相同時 有越大 望相位 ，延伸 的傾向 予所望 中，延 故藉由 位差薄 -38- 200817736 如上述經延伸所得之相位差薄膜厚度，一般爲100 μπι 以下，較佳爲100〜20 μιη，更佳爲 80〜20 μιη。使厚度變薄 時可達成使用相位差薄膜領域中製品所求之小型化、薄膜 化。其中，欲控制相位差薄膜之厚度，控制延伸前光學薄 膜之厚度、或控制延伸倍率而達到。例如薄化延伸前之光 學薄膜、或使延伸倍率變的較大，可使一層相位差薄膜之 厚度變薄。 <薄膜特性> 本發明的光學薄膜，於光線波長5 5 0nm之薄膜面内最 大折射率爲nx，薄膜面内對於nx成直交方向之折射率爲 ny，薄膜厚度方向之折射率爲nz，薄膜厚度爲d〔nm〕時 ，薄膜面内之相位差R0 ( 550) = (nx-ny) xd的値爲 0〜300nm爲佳，更佳爲10〜200nm，特佳爲30〜100nm。薄 膜面内相位差若超過3 OOnm時，恐怕容易產生光漏，對比 會降低。 本發明的光學薄膜中，對於自薄膜端部離50mm以上 之薄膜表面，沿著薄膜長邊方向之每5mm之薄膜面内的 上述R0的偏差爲±10%以下，較佳爲±5%以下，更佳爲土 2%以下。 其中，對於測定本發明之「對於自薄膜端部離50mm 以上之薄膜表面，沿著薄膜長邊方向之每5 mm的薄膜面 内」之R0的偏差、或光軸的偏差之理由爲，薄膜端部中 ，薄膜加工時R0或光軸大多會有偏差，故於長邊方向即 -39- 200817736 使以連續方式測定R〇或光軸，亦難以得到安定之數値。 其中，R0的偏差爲，使用大塚電子（股）製之相位 差薄膜検査裝置「RETS」，取樣出薄膜之任意部分lm2, 將薄膜面内以1 c m間隔進行測定所得之値。 R0的偏差若超過±10%時，使用於液晶顯示器會產生 光學性不均、以及部分性光漏或色不均而不佳。 又，本發明的光學薄膜爲，薄膜面内方向之光軸的偏 差爲中心値±10度以下，較佳爲中心値±3度以下，更佳爲 中心値±1度以下，最佳爲中心値±〇·5度以下。薄膜面内 之光軸偏差爲超過中心値± 1 0度時，使用於液晶顯示器時 ，會產生光學性不均、以及部分性光漏或色不均而不佳。 且’上述光軸之偏差爲，使用大塚電子（股）製之相 位差薄膜検査裝置「RETS」，取樣出薄膜之任意部分lm2 ，將薄膜面内以1 c m間隔進行測定所得之値。 其中，光軸爲表示遅相軸之方向，一般對應光學薄膜 之押出方向（MD方向）或延伸方向。因此，所謂光軸之 偏差爲’遲相軸方向之偏差，表示光學薄膜之押出方向（ MD方向）或延伸方向中所產生的對於遅相軸之偏差。 欲使上述R0的偏差於±10%以内且光軸之偏差爲中心 値± 1 0度以下，例如可藉由下述方法進行調整。 (1 )使所使用的環狀烯烴系樹脂之分子量分佈（ Mw/Mn )變小，使玻璃轉移溫度（Tg )均勻。 其中，分子量分佈一般爲1.2〜4.5，較佳爲1.3〜4.0, 玻璃轉移溫度之偏差一般爲±3 °C以内，較佳爲± 1 °C以内。 -40- 200817736 上述分子量分佈可使用凝膠滲透層析儀，將聚苯乙烯 換算之重量平均分子量以數平均分子量除所得之値。又， 玻璃轉移溫度之偏差可藉由差示操作熱量計，由樹脂經20 °C /分鐘加熱時的吸熱發熱指示求得。 分子量分佈狹窄，且玻璃轉移溫度之偏差較小的環狀 烯烴系樹脂，其本身的樹脂組成爲均勻，故可使所得之光 學薄膜於長邊方向之光學物性均勻化。 如此環狀烯烴系樹脂，例如可舉出如下的方法。 (甲）於特定有機過渡化合物與有機鋁羥基化合物所 成的觸媒與環狀烯烴單體接觸後製造出環狀烯烴聚合物之 方法（特開平8 - 1 6 5 3 09號公報之申請專利範圍第1項請 求項1 )。 (乙）將原冰片烯系環狀烯烴於含有周期律表第8〜1 0 的遷移金屬化合物成分之聚合觸媒存在下，且添加作爲分 子量調節劑之環狀非共軛聚烯，進行加成聚合，製造出原 冰片烯系環狀烯烴加成聚合物（特開2 0 0 2 - 2 1 2 2 0 9號公報 之申請專利範圍第1項至第4項）。 (丙）（A )於組合芳環烯金屬衍生物化合物與（B ) 鋁四氫喃、硼酸酯或硼化合物之觸媒存在下，製造出聚合 環狀烯烴之環狀烯烴聚合物的製造方法（特開2004-1 0 74 42號公報之申請專利範圍第1項至第4項）。 (2 )延伸前之薄膜厚度分佈對於平均値爲±1 %以内， 較佳爲±0.5%以内。 將延伸前的光學薄膜之厚度分佈控制於上述範圍内， •41 - 200817736 依情況進行延伸加工處理時，可防止相位差不均或光軸配 向不均。 使延伸前的薄膜厚度分佈爲對於平均値爲± 1 %以内， 例如可舉出如下的方法。 (甲）溶液流延法的情況爲，使將聚合物溶解於溶劑 時之聚合物溶液的溶液黏度爲一定、 (乙）溶融押出法的情況爲，抑制上述塑模之溫度變 動。 (3 )使延伸加工時之溫度不均較佳爲± 5 %以内，更佳 爲±1 %以内，特佳爲±0.5 %以内。 其中，溫度不均爲T塑模之唇側面貼合K型熱電對， 藉由數據讀取單位（KEYENCE製：GR3 5 00 )，以每1秒 進行1分鐘讀取所測定之値。 使延伸加工時之溫度不均爲± 1 %以内的方法，除溫度 設定方法以外亦可舉出風吹出方法或風量調整、排氣調整 等方法。 且，本發明的光學薄膜所使用的薄膜中之殘留溶劑量 ，一般爲10重量％以下，較佳爲5重量％以下，更佳爲1 重量％以下，特佳爲0.5重量％以下。其中若殘留溶劑量超 過上述範圍時，實際上使用時於經時上會有尺寸變化變大 的傾向，又殘留溶劑會使Tg降低，使的耐熱性減少。 《偏光板》 本發明的偏光板爲，PVA系薄膜等所成的偏光子的至 -42- 200817736 少單面上，將本發明的視野角補償薄膜之光學薄膜，使用 PVA樹脂作爲主體之水溶液所成的水系接著劑、極性基含 有黏接著劑、光硬化性接著劑等進行貼合，視必要將此經 加熱或曝光並壓著後，使偏光子與視野角補償薄膜接著（ 層合）而製造。 《液晶面板》 本發明的液晶面板爲，可於2片玻璃基板間挾持液晶 所成之液晶顯示元件的至少單面上，貼合本發明之偏光板 ，使液晶顯示元件與偏光板接著（層合）而製造。 【實施方式】 〔實施例〕 以下、對於本發明之具體實施例做説明，本發明並非 僅限定於這些實施例。且，以下中「份」、「％」若無特 別說明外皆表示「重量份」、「重量％」。 又，以下實施例中，玻璃轉移溫度、飽和吸水率、全 光線透過率、霧値、透過光之面内相位差、偏光板之透過 率及偏光度藉由下述方法測定。 〔玻璃轉移溫度（Tg)〕 使用 Seiko instruments公司製之差示掃描熱量計（ DSC )，氮氣環境下昇溫速度爲20°C /分鐘之條件中測定 玻璃轉移溫度。 -43- 200817736 〔飽和吸水率〕 依據 A S T M D 5 7 0，於2 3 °C水中浸漬樣品一週，測定 浸漬前後之樣品重量變化測定，由此値求得飽和吸水率。 〔全光線透過率、霧値〕 使用村上色彩技術硏究所製之霧値測定器「HM_ 1 5 0 型」，測定全光線透過率以及霧値。 〔透過光之面内相位差（R0 )〕 使用大塚電子（股）製之「RETS」，由薄膜之垂直 方向照射光時的面内相位差（R〇 )於波長 5 5 0nm時進行 測定。 〔偏光板之透過率及偏光度〕 使用大塚電子（股）製之「RETS」，測定偏光板之 透過率及偏光度。測定波長爲5 5 0 nm。 〔薄膜厚度分佈〕 使用薄膜厚度分佈測定裝置（MOC ON )，於薄膜長 邊方向進行測定。 <調製例1 > 反應容器中裝入蒸餾水250份，於該反應容器中添加 丙烯酸酸丁基90份、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯8份、二 乙烯苯2份、與油酸鉀〇. 1份後，將該系統以聚四氟伸乙 -44- 200817736 基（鐵福隆：註冊商標）製之攪拌翼進行攪拌並進行分散 處理。其後，該反應容器内以氮氣取代後，該系統昇溫至 5 0 °C，添加過硫酸鉀0 · 2份後開始聚合。聚合開始後2小 時，於聚合反應系統中添加過硫酸鉀0 · 1份後，將該系統 昇溫至8 0 °C，經1小時後繼續進行聚合反應而得到聚合物 分散液。 其次，使用蒸餾器，藉由將聚合物分散液濃縮至固形 成分濃度爲70%，得到丙烯酸酸酯系聚合物之水系分散體 所成的水系黏著劑（具有極性基之黏著劑）。 對於構成如此所得之水系黏著劑（以下亦稱爲「水系 黏著劑A」）之丙烯酸酸酯系聚合物，藉由凝膠滲透層析 儀（GPC、溶劑：四氫呋喃），測定聚苯乙烯換算之數平 均分子量（Μη)及重量平均分子量（Mw)，得到數平均 分子量（Μη )爲 69,〇〇〇，重量平均分子量（Mw)爲 1 3 5,000 ° 又’對於水系黏著劑A，測定3 (TC之氯仿中的固有黏 度（Θ inh)得到 1.2dl/g。 〔實施例1〕 作爲環狀j：希烴系樹脂，使用原冰片烯系樹脂（JSR有 限公司会社製：商品名r ARTON D45 3 l」，玻璃轉移溫 度130 C )。將該原料以乾燥溫度10(rc。氮氣下進行除 _草乙燥’導入押出機（Gm ENGINEERING CO.，LTD製： GM-65 )中以26(rc進行熔融，使用齒輪幫浦並定量下輸 -45- 200817736 送液體，使用5 μηι葉片過濾器，除去異物，實施自藉由設 定爲25 (TC之鋁澆注加熱器經加熱之Τ塑模押出。Τ塑模 之加熱爲，作爲220V、2kW之加熱器，於塑模溫度至230 °C，流入9A之電流，成爲230 °C以上時，藉由可空矽（ thyristor)通入電流2.7A，變更至流入加熱器之電流爲連 續電流。此時確認出押出之T塑模溫度爲，每1分鐘的溫 度變化爲±0.1 °C以内。 此時的T塑模之開口爲0.5mm，T塑模出口與冷卻輥 之薄膜的壓著點間之距離爲65mm，壓著於2 5 0mmq>之冷 卻輥。冷卻輥的溫度爲120°C，於其下游側設置250mm(p 之冷卻輥2，再於下游側設定2 5 Ommcp之剝離輥。各輥之 溫度設定爲1 1 5 °C、1 1 〇 °C，以薄膜表面溫度1 〇 8 °C自剝離 輥剝離1〇〇μηι厚度之薄膜。 所得之薄膜（以下亦稱爲「光學薄膜（a-1 )」）沿 著長邊方向，測定其每5 mm之薄膜面内相位差R0與薄膜 面内之光軸後，得到尺〇爲1〇11111，其偏差爲±5%以下。又 ，光軸之偏差爲薄膜長邊方向作爲〇度時爲〇±5度以下。 〔實施例2〕 使用實施例1中所得之光學薄膜（a_l )，使用130°C 下輥夾子式之縱一軸延伸機進行1.2倍延伸後，使用130 °C下拉伸式之横延伸機進行1.4倍延伸，得到厚度70 μιη 之經延伸光學薄膜（a-2 )。延伸時的溫度不均爲未達土 0.5%。該光學薄膜（a-2 )之相位差 R0爲，中心値爲 -46 - 200817736 6 Onm下的偏差爲±3 %以下。又，光軸之偏差爲以薄膜長邊 方向作爲〇度時爲90±0.5度以下。 〔比較例1〕 與實施例1同樣方法下，熔融樹脂，使用鋁澆注加熱 器，加熱Τ塑模，即使於2 3 0 °C以上亦不用可空矽（ thyristor )，繼續通電9 A電流，設定T塑模之溫度爲2 5 0 °C。其他條件與實施例1相同，進行薄膜之加工。此時的 T塑模之溫度爲每1分鐘的溫度變化爲±2.0 °c。如此得到 ΙΟΟμιη厚度之光學薄膜（b-Ι)。 所得之薄膜沿著長邊方向，測定其每5 mm之薄膜面 内相位差R0與薄膜面内之光軸後，得到R0爲12nm，其 偏差爲±12%以下。又，光軸之偏差爲薄膜長邊方向作爲〇 度時爲0±13度以下。 〔比較例2〕 與實施例1同樣方法下，熔融樹脂，使用板加熱器， 加熱T塑模，即使於23 0 °C以上，與實施例1相同藉由可 空砂（thyristor)，繼續通電2.7A電流，設定τ塑模之 溫度爲2 5 0 °C。其他條件與實施例1相同，進行薄膜之加 工。此時的T塑模之溫度爲每1分鐘的溫度變化爲±1.6 °C 。如此得到ΙΟΟμιη厚度之光學薄膜（c-1 )。 所得之薄膜沿著長邊方向，測定其每 5 m m 之薄膜面 内相位差R0與薄膜面内之光軸後，得到R0爲14nm，其 -47- 200817736 偏差爲±13 %以下。又，光軸之偏差爲薄膜長邊方 度時爲0±15度以下。 〔實施例3〕 將厚度50μιη之聚乙烯醇薄膜一邊浸漬於碘 鉀250g、硼酸10g、水i〇00g所成之40°C水浴中 軸延伸約5分鐘至4倍後得到偏光膜。該偏光膜 使用調整例1所得之水系黏著劑，將實施例1所 學薄膜（a- 1 )與實施例2所製作的光學薄膜（： 偏光膜上一片遍地接著而得到偏光板（a )。測 板（a )之透過率與偏光度後，各得到43% ' 99 ，使該偏光板（a )於光學薄膜（a_2 )爲内側下 二片正交尼科耳狀態，由一方以亮度lOOOOcd之 時，由另一方進行觀察時確認完全無因光漏引起 之不均。 〔比較例3〕 使用光學薄膜（b-Ι)與（c-1)以外皆與實损 同，得到偏光板（b )。測定該偏光板（b )之透 光度時，各爲42%、99·87%。又，使該偏光板（ 學薄膜（c-1 )爲内側下使其成爲二片正交尼科: 由一方以亮度lOOOOcd之背光照射時，由另—方 時時確認出可能由光漏所引起的條紋狀之不均。 向作爲〇 5 g、碘化 ，進彳了一 表面上， 製作的光 1-2)於各 定該偏光 • 9 9%。又 使其成爲 背光照射 的條紋狀 S例3相 過率與偏 b)於光 耳狀態， 進行觀察 -48- 200817736 產業上可利用性 本發明的光學薄膜及偏光板，例如可使用於携帶電話 、數位情報端末、呼叫器、衛星導航、車載用液晶顯示器 、液晶監視器、液晶電視、調光面板、OA機器用顯示器 、AV機器用顯示器等各種液晶顯示元件或電致發光顯示 元件或接觸面板等。又，可適用於CD、CD-R、MD、MO 、DVD等光碟記錄·放送裝置所使用的波長板。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕表示測定本發明塑模吐出口的溫度變化之測 定處模式圖。 -49-

Claims (1)

1. 200817736 十、申請專利範圍 1. 一種光學薄膜，其爲由環狀烯烴系樹脂所成之薄膜 ，其特徵爲對於離薄膜端部50mm以上之薄膜表面，沿著 薄膜長邊方向於每5mm測定薄膜面内之相位差R〇與薄膜 面内的光軸時之R0的偏差爲±10%以下，且光軸的偏差爲 中心値± 1 〇度以下。 2. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜，其中環狀烯烴 系樹脂爲下述一般式（1)所示化合物之（共）聚合物； [化1] 一般式⑴

   (一般式（I )中，R1〜R4爲氫原子、鹵素原子、碳數 1〜3 0的烴基、或其他1價有機基，各可爲相同或相異；又 ，R1〜R4中任意2個彼此結合，可形成單環或多環結構； m爲0或正整數，p爲0或正整數）。 3 · —種光學薄膜，其特徵爲進一步延伸如申請專利範 圍第1項之薄膜。 4·一種偏光板，其特徵爲偏光子的至少單面上，層合 如申請專利範圍第1項之光學薄膜。 -50- 200817736 5 . —種液晶面板，其特徵爲液晶顯示元件的至少單面 上，層合如申請專利範圍第4項之偏光板。 6. —種光學薄膜之製造方法，其特徵爲熔融環狀烯烴 系樹脂，自塑模擠出於冷卻輥壓著使其薄膜化時，塑模吐 出口的溫度變化爲± KC /分鐘以内。 7·如申請專利範圍第6項之光學薄膜之製造方法，其 爲進一步進行延伸。 -51 -