TW200815727A - Heat-dissipating aluminum substrate with insulating property and its manufacturing method - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
200815727 九、發明說明： 【發明所屬技術領域】 本發明係有關於-種散熱基板，尤其係有關於一種具 有電性絕緣層之銘散熱基板，其一方面可阻隔電流傳遞， 另一方面卻可導熱。 【先前技術】 隨著科技的魏，各式各樣的電子元件或裝置已㈣ 展出。這些使用電力驅動的電子元件或裝置，會难 心轉換成其他形式的能量’例如光、位能、動能 轉換率並無法達到_，因此於能. 程中會有-部分的電能會散失掉，此種散失㈣ ㈣⑦王現的形式即為熱能。因此，在習 置藉由電力運作的過程中會產生埶牛或本 的熱能會進—步導致電子元件或裝二：，、二這些蓄賴 便一故，這些不想要的熱散掉 習知具有良好熱傳導效率的材料 二，雖然具有良好的導熱性，但同時為 要-緣的狀況下。故而積極尋找一 ：卜又需 具有絕緣性之熱性但又 【發明内容】 200815727 為了克服習知技術所遭遇之困難與問題，本發明之目 的即在於提供—種具電絕緣性之錄熱基板，其不但具有 ^子的、、、傳導性可將電子元件或裝置所產生的熱散去，同 ¥亦具有良好的電性阻隔效果。 根據本發明所指出之一種具電絕緣性之銘散熱基板， 其包括： 一銘或紹合金基板；以及
形成於该鋁或鋁合金基板上之電性絕緣層， /、中"亥甩性絕緣層係為一氧化鋁層，其具有由柱狀 結晶體所構成的多孔結構，且該多孔結構之孔隙率在 20%-50%之間，且厚度在2〇_1〇〇μιη之間。 本發明之另_目的係提供一種製備上述具電絕緣性之 铭政熱基板的方法，其步驟包含： 提供一鋁或鋁合金基板；以及 對該1呂或紹合金基板之表面進行陽極處理，以使其表 面上形成一具多孔結構的氧化鋁層。 本發明將藉由參考下列的實施方式做進一步的說明， 在此所述之實施方式並不限制本發明前面所揭示之内容。 热習本發明之技#者，可做些許之改良與㈣，但仍 離本發明之齡.疃。 ^ 【實施方式】 參閱第-圖，為本發明具電絕緣性之链散熱基被 面不意圖。本發明具電絕緣性之域熱基板包含-叙或銘 6 200815727 合金基板1G，以及—形成於喊IS合金基板1G上，作為 電性絕緣層之氧化鋁層12。 … 則述之氧化鋁層具有由柱狀結晶體所構成的多孔結 構，為使其具有較佳之熱料效果且㈣能達成電絕緣 性’其厚度較佳為2(Μ〇0μπι，更佳為3〇-8〇μπι，且孔係 較佳為篇福，更佳為狐45%。另外，其孔徑大小於 本發明巾並沒料別的聞，但為麟較佳賴傳導效 果’其較佳為50-5〇〇nm。 本务明月丨』述之氧化!呂層，可藉由任何習知可製得 纽結構的方絲製備，__祕合金基板表面進行 陽極處理’以使其表面長出具有規狀纽結構紹氧化 層，亦即電性絕緣層’但並不僅限於此。 為使电子疋件或裝置之熱可均勻且快速的經由本發明 電性絕緣料出，可進—步於本發明電性絕緣層上形成一 導=金屬層14’ Μ使該電子元件或裝置所散發出來的熱 更容易聚集並傳導至本發明電性絕緣層上，如第二圖所 不此至屬層可藉由任何習知的方法形成於電性絕緣層 上’例如真^蒸錢法’但並不僅限於此。 藉此’電子元件或裝置所產的熱將可經 快速的傳導至本發明電性絕緣層上。由於空氣中通常= 由水分t所;!成之;&度，因此傳導至本發明電性絕緣層上 的熱’冒使：本發明電性絕緣層的溫度上升。當溫度上升 至40-60 C時’本發明電性絕緣層之㈣ 分子即會輯習知_流的物理顧，開騎本發明電^ 7 200815727 絕緣層的孔隙中流動 因而造成一自動循環的散熱效果， 而將熱自金屬板傳遞线—合金基板。之後，再進一步 傳遞，纽中，以相散熱之目的。由於習知氧化紹具有 電絕、纟豕性’因此電性絕緣；g 豕增即可有效的將電流阻隔。另一 方面，由於此氧化鋁層之厘疮k — 由此層傳遞出去 ^ χ 予度極溽，因此熱即可很快的噔
習知技藝者藉由閱讀 於電性絕緣層之金屬層， 線來替代。 本發明說明後均可了解到前述位 可以具有所需電路圖樣之金屬導 雖然柄明已以較佳實施例揭露如上’然其並非用以 限定本發明’任何熟習此㈣者，在錢離本發明之= 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明^ 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 不邊 200815727 【圖式簡單說明】 第一圖為本發明具電絕緣性之鋁散熱基板之一實施例的 剖面示意圖；以及 第二圖為本發明具電絕緣性之鋁散熱基板的另一實施例 的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 ίο 鋁或鋁合金基板 12 氧化鋁層 14 金屬層
Claims (1)
- 200815727 十、申請專利範圍： 1. 一種具電絕緣性之鋁散熱基板，其包括： 一鋁或鋁合金基板；以及 一形成於該鋁或鋁合金基板上之電性絕緣層， . 其中，該電性絕緣層係為一氧化鋁層，其具有 1 由柱狀結晶體所構成的多孔結構’且該多孔結構之孔隙 率在20%-50%之間，且厚度在20-100μιη之間。 2β如申請專利範圍第1項所述之鋁散熱基板，其中該多孔 φ 結構的孔徑大小為5〇_5〇Onm。 3·如申請專利範圍第1項所述之I呂散熱基板，其進一步包 含一形成於該電性絕緣層上之金屬層。 4. 如申請專利範圍第3項所述之鋁散熱基板，其中該金屬 層係由一具有一預設電路圖樣之金屬導線所構成。 5. —種製備如申請專利範圍第1項所述之具電絕緣性之鋁 散熱基板的方法，其步驟包含： 提供一銘或銘合金基板；以及 φ 對該鋁或鋁合金基板之表面進行陽極處理，以使其表面 上形成一具多孔結構的氧化鋁層。 β 6.如申請專利範圍第5項所述之方法，其進一步包含一於 ， 該氧化銘層上形成一金屬層的步驟。 10
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW95135275A TW200815727A (en) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | Heat-dissipating aluminum substrate with insulating property and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW95135275A TW200815727A (en) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | Heat-dissipating aluminum substrate with insulating property and its manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200815727A true TW200815727A (en) | 2008-04-01 |
Family
ID=44768884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW95135275A TW200815727A (en) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | Heat-dissipating aluminum substrate with insulating property and its manufacturing method |
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| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TW200815727A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102479915A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 财团法人工业技术研究院 | 散热元件及散热元件的处理方法 |
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| CN102479915A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 财团法人工业技术研究院 | 散热元件及散热元件的处理方法 |
| US8492003B2 (en) | 2010-11-24 | 2013-07-23 | Industrial Technology Research Institute | Heat sinking element and method of treating a heat sinking element |
| CN102479915B (zh) * | 2010-11-24 | 2015-03-25 | 财团法人工业技术研究院 | 散热元件及散热元件的处理方法 |
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