TW200814358A - Structure of light emitting diode - Google Patents

Description

200814358 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 特別為一種應用於高電壓環 本發明為一種發光二極體結構 境下之高功率發光二極體結構。 【先前技術】 且-公開第6,853,011號’揭露了—種發光蠢晶層結構， 其一鳊包各有一吸光型的臨時基材，而另一 基材'然後將吸光型臨時基材“份被移除ii 务先-極體結構形成-連接通道以連接第—歐姆接觸電極，以及 =-絕，溝槽以將發光二極體結構之作闕分離成兩個部分。 ，一第二歐姆接觸電極形成在披覆層上、一接合金屬層充填 於第-通道成功的形成在第二歐姆接觸電極上。因為:個^ 合金屬層具有相同的高度，因此所產生的發光二極體結構能 便的適用於覆晶結構中。 美國專利公開第6,998,642號，揭露了一種具有二個發光二極 體在串聯狀態下之半導體結構。上述半導體結構包含了兩個具有 相同堆疊結構的發光二極體，並且藉由絕緣溝槽使兩者隔離了上 ，堆疊結構從底部起形成一導熱基材；一絕緣保護層；一金屬黏 著層，一反射保護層；一 p型歐姆連接蠢晶層；一上披覆層；一 作用層以及一下披覆層。屬於兩個發光二極體之兩個p型歐姆接 觸金屬電極，被形成於一個介於反射保護層及歐姆接觸磊晶層間 的介面上，並且被埋設於反射保護層内。 上述堆疊結構具有一第一溝槽形成於上彼覆層内以及電性至 p型電極。絕緣溝槽被形成自上披覆層至絕緣保護層。兩個N型 電極被形成在兩個發光二極體之下彼覆層上。一介電層被沉積填 滿絕緣溝槽以及覆蓋第一溝槽之侧邊。所以當一金屬連接體用以 5 200814358 連接第一發光二極體之P型歐姆接觸電極及第一 型歐姆電極時，它可以電性隔離第二發光二極體=叠 6,853,011號雖然可以應用於覆晶結構中，但若無第二 ’則無法進行兩個發光二極體間之連接，且在作覆晶製 二…j處理多個晶片’增加製程複雜度。6,998,642號案^ 二了=1丁兩顆發光二極體間的電性連接，但利用金屬接合，必 ^ ΪΪ的製程方能達成’因此在生產效能及成本上均易產生 =°再者、因為整絕緣層經設置於兩發光二極體交，因次 籲能連接於兩個導電板間，絲第二基材則無法進行 φ 更複雜的電路佈局。 【發明内容】 二搞要提供—發光二極體結構，其能更制的進行發光 ί體;互連接，使得更複雜可操作在高壓環境下的發光二 極體結構早體，能更容易的製造。 一…為，上述之功效，本發明提供_種發光二極體結構，其包括： 具有—第一表面及—第二表面；—黏著層，形成於 石曰^ ，至少二第一歐姆連接層，形成於黏著層上；至少二 ⑩二日日層，任二蟲晶層間形成有一第一溝槽，每一蠢晶層，置且有： ϋη’形成於—第一歐姆連接層上；一作用層，形成於下 萝Ϊ二’ 3及一上披覆層，形成於作用層上；-第-絕緣層， 母—第—歐鱗接層及每—上披襲其裸露之表面，且形 i於t二第—歐姆連接層間’第-絕緣層於每-上披覆層及每-^一^姆連接層其裸露部處，分卿成有U孔及-第二開 t至少二第-導電板，分卿成於每—第—開孔内，且電性連 pmI上披覆層；以及至少二第二導電板，分別形成於每一第二 開孔内，且電性連接於一第一歐姆連接層。 6 200814358

為，上述之功效，本發明又提供一種發光二極體結構，其包 第—基材’具有—第—表面及—第二表面；—黏著層，形 w、一表面亡；至少二第一歐姆連接層，形成於黏著層上；至 y二蠢晶層’每-蟲晶層’其具有：—下披覆層，形成於一第一 歐姆連接層上；—侧層，形成於下披覆層上；-上披覆層，形 成於作闕上；以及-第二溝槽，垂直貫穿上披覆層及作用層， ^局部貫穿下披覆層；-第二絕緣層，覆蓋於每—上披覆層上， 亚形成於任二蠢晶層及任二第—歐姆連接層間，第二絕緣層於上 披後層上及，二溝槽内侧，分別形成有—第三開孔及一第四開 孔，至少二第五導電板，分卿成於每“第三開制，且電性連 接於一上披覆層；以及至少二第六導電板，分別形成於每一第四 開孔内，其具有向下延伸之一延伸部，延伸部垂直I穿該蟲晶層， 且電性連接於該第一歐姆連接層。 藉由本發明的實施，至少可以達到下列之進步功效·· 、半導體製程簡單，除第二基材需要新光罩外，發光二極體結 構可沿用現有之製程。 一、 相同的發光二極體結構，可藉由第二基材進行不同的連接電 路（interconnection)佈局，使得複雜連接電路的變化及設 計，變得更為簡單及容易達成。 " 二、 相較於高溫金屬接合而言，利用低溫黏著層具有低溫、高良 率及低成本之功效。 ° 四、，雜的連接電路簡化後，將更容易製造出體積小、亮度高之 高壓二極體之晶片單體，使得二極體發光裝置的體積更小、 重量更輕。 【貫施方式】 有關本發明的特徵與實施方式，茲配合圖示作最佳實施例詳 細說明如下。以下實施例中，發光二極體結構的各層結構，係以 200814358 習知之半導體成型技術加以製造，其細節將不再贅述。又爲避免 冗^的描述，特將『蝕刻製程』或『蝕刻方式』等用詞，定義為 涵1整個70整頁光製程的簡稱。又本發明之發光二極體係可形成 多維之陣列，並非限定於實施例中之數量。以上合先敘明。 【第一實施例】

第1A圖係為一第一基材^與前製程發光二極體結構1〇尚 未結合之實施姻。第1Β _為—第—基材21與前製程發光二 極體結構ίο結合後之實施例圖。f lc圖係將第1Β目之臨時基 材11及钕刻終止層12去除後之立體實施例圖。 -般發光二極體結構的製造’係以半導體製程方式，將尚未 =单το分默未完成其㈣緣層及導電板之前製光二極體 :構10。’形成於-晶圓(wafer)上。但實際發光二極體結構應用時， πϊί81厚度過厚且具有不透光的雜，因此無法加以應用而必 f去除。所以晶圓只是製造發光二極體結構過程中-_性的基 材，也就是臨時基材11。 f 基材11的方法中，烟方式是最常使用的- 1Αί忠二:=光一極體結構於餘刻過程中，不會因餘刻過度而 二極體結翻，因此會設置—侧終止層12。爛 二的過程中’大部分亦會被蝴掉，藉由姓刻 述‘德、即叮達到保護發光二極體結構之功效。完成上 过衣’即可產生前製程之發光二極體結構。 2〇，IT極體結構 26以及至少二第二導電板27。弟、、’巴緣層25、至少二弟一轉板 美材’、具有一第—表面211及一第二表面212，第一 土 要糸用Μ支撐整個發光二極體結構2〇。第一基材^可 8 200814358 以為一單晶體、一多晶體或一非晶體結構之基材，例如玻璃 (glass)、監實石(sapphire)、碳化石夕(SiC)、石粦化鎵（Gap)、石粦石申化 ，（GaAsP )、硒化辞(ZnSe)、硫化辞（ZnS )或硒硫化錄(AmSSe)… 專材料所製成之基材。此外、第一基材21可以為一透明基材或一 非透明基材，其主要係依照發光二極體結構2〇之出光方向或反射 層之設計而考量，若要同時引導出向上/向下的雙向出光，則第一 基材21必縣—咖隸。 ^ Μ 一黏著層22，形成於第一表面211上，其用以結合第一基材。 ，第-歐姆連接層23。黏著層22係可選自—苯環丁烯 ^ t:f〇b：：tene，BCB)、一環氧樹脂(ep〇xy)、一 承甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacry，pMMA)、一聚合 =ymer)f -旋轉塗佈玻璃(Spin_〇n glass，s〇G)···等其中之 甘貝。黏著層22可以為一透明黏著層22或 明^ ί 賴2G ι枝向或反騎^二而考 !明出向上/向下雙向出光’則黏著層”必須為- 第，係為本發明之發光二極體結構2G，其 之纠視實施例圖。所有本發明之發来 J後 接層23及蟲晶層24，其均“胃^括第一歐姆連 上，因此單元分—基材21及黏著層22 分割，並形成例^而歐23及蟲晶層％進行 單元。 或者6Α圖之B1、Β2、Β3···等 可以成二著上，第-_接層23 接層】3曰，其可藉由_方式，以區:第-歐姆連 式以同的其单為；!光曰^體=單體，其亦藉由侧的方 猫日日層24亦藉由餘刻製程以形成第〜溝 200814358 槽291。第一溝槽291的形成，將使得第一歐姆連接層幻產生一 局，裸露的裸露部231，因而能方便第二導電板27的設置，也因 為第二/導電板27的設置，所以不同單元的發光二極體28，能方 便的進行φ/並聯的設計，因而使得高壓的發光二極體 易的製成。 & #第3A圖係為第2圖進行第_次餞刻之製作方法實施例圖。 第3Β系為第3Α圖完成後再次進行第二次餘刻之製作方法實施 例f。第一歐姆連接層23的單元分割及第一溝槽291的製作，可

3由不同的侧步驟達成之。在眾多細步驟中，第一次侧， ，先飿刻出與兩個第一歐姆連層間相同大小及相對位置的缺口， 弟次侧，係於第一次侧後再侧出第一溝槽291的大小， 此種方式可使製程較為簡便。 v =曰曰層24 ’其至少具有··一下披覆層24卜一作用層242 覆層243。每一下披覆層241，形成於H姆連接 i β」下披覆層241係可以為—p型罐化銘銦鎵(AiGaM>)披 ^ la_242 ’形成於下披覆層241上，其可以 (DoubT H t貝結構(Smgle、一雙異質結構 Well 或—多量子胖結構__ Quantum 披覆層l43 ’形成於伽層242上，上披覆層撕 PI，化鋁銦銥披覆層。上披覆層243與第一導電板26 間Ϊ可進一歩形成有一第二歐姆連接層292。 奋施=圖ί ΐ ^進—歩完成第—絕緣層25及導電板後之剖視 i-笛二二邑緣層25係例如氧化柳i())之材質’其覆蓋於 成於任-‘23及每—上披覆層243其裸露之表面，並形 姆連接層23間。藉由第-絕緣層25的設置，除 的發光二極體28完全隔離不互相影響外，亦可確 縣先一鋪28不受外界環境，例如：水氣或濕氣的影響而減損 200814358 壽命。第一絕緣層25於每一上披覆層243及每一第一歐姆連接層 23其裸露部231處，分別形成有一第一開孔251及一第二開孔 252 ’第一開孔251及第二開孔252係於第一絕緣層25製作完成 後，再以蝕刻方式加以製成。 第一導電板26，分別形成於每一單元的第一開孔251内，且 ，性，接於相對應的上披覆層243。第二導電板27，分別形成於 每一單7G+的第二開孔252内，且電性連接於相對應的第一歐姆連 接^ 23。藉由第一導電板26及第二導電板27之設置以提供電力， 使得磊晶層24能接收電力產生發光之作用。

=發光二極體結構20設計成一面上(face up)結構時。此時调 材2,1設計為―透明基材，且將黏著層22輯為一透· 第一基材21之第二表面212上形成一反射層（圖 -： U猎由反射層將蟲晶層24所發之光進行反射，如此可 達到較佳的出級率。除此之外，亦可只將 於為一透明黏著層22，並且將反射層（圖未示)形成 與黏著層22之間，如此亦可達到光反射之_， 7笛極體結構20達到較佳的出光效率。 其分1圖係為本發明之發光二極體結構2〇進-歩结人-第- =圖沿ί 5B圖之Α·Α _。第犯圖^ 發光二極體結構V/進圖二5二圖係為第5Α圖之等效_圖。 晶結構(flip-chip)。在覆曰弟一基材50，如此可產生一覆 黏著層22係為-透明黏曰曰著°^，f 一^材21係為一透明基材且 表面μ，第三表S t基材5G其至少具有一第三 導電板53，每-第：H有^二弟三導電板52及至少二第四 6〇電性連接於相^2板5二及第四導電板53，分別藉由谭點 第三導電拓弟"：導電板26及第二導電板27。 弟四導電板53間，除了可以直接將導電板

200814358 之面積擴大，而使彼此互相電性連接外，亦可於 ίίΪΪ路Ϊ構⑽未示）’以使第三導電板52及第二導電板^3 ^:紐50 找之雜对可形賴軸€縣構。使用 以- A材、=，將使得不同發光二極體28間的串/並電路得 $弟二基材5〇上進行。由於第二基材％的面積及厚 ^ i冓此ΐ以應付非常複雜的電路結構。當複“電路 π構了f貝，發光二極體結構2〇的應用將更具多樣性。 “ f二基材50可以為一石夕基材(siliconsubstrate)、一印刷電路板 尸刷包路多層板（Printed Circuit Board,PCB )或一陶究基材 =er=c substrate)。例如：氧化離12〇3)、氮化雖降氧化鍵 ^〇)、低溫共燒多層陶瓷（L〇w 丁咖师此咖福 eram:c，LTCC)或咼溫共燒多層陶瓷獅 e齒

Ceramlc，HTCC)…等基材。 率ίΐΐ結設計中，爲了使發光二極體28有較佳的出光效 莫帝ΓΐΓ、一 ί材50的第三表面51上，於第三導電板52及第四 、电反以外之部位，進-步形成一反射層。亦可於第一絕緣層 25上，也就是第一絕緣層25裸露之表面上形成有一反射層。 上述之各個反射層，係可選自於一鋁(Α1)、一銀(Ag)及一金 (，)···等其中之-材質加以製成。製作反射層時必須注意，若反 射層為-導電材質時，反射層不能與第三導電板η或第四導電板 53接觸，亦不能與第-導電板26或第二導電板27細，而且反 射層隶好此與各個導電板保持一定的間隙，以避免各個導電板間 產生短路的現象。 ^第6A圖係為本發明之發光二極體結構2〇，其進一步形成一 第—導體層293之剖視實施例圖(沿第6B圖之B_B剖線）。第6B 圖係為第6A圖之俯視實施例圖。發光二極體結構2〇，其進一包 括一第-導體層293 ’其形成有至少一條導體並覆蓋於第一絕緣 12 200814358 第且一每導接於不同單元之第二導電 nJ蛉甩板26。如此將可輕易的將不同的菸# -朽_ % 進仃串聯/並聯。藉由第—絕緣層25浐=J的《先一極體π 亦能進行複雜的電路佈局設^ 蚊撐，使得第—導體層293 【第二實施例】 30^ 層23,、至少二磊晶層24、一第二絕』 夕一第一歐姆連接 _ 32以及至少二第六導電板33。 、、、e 、至少二第五導電板 本只例之發光二極體結構3〇,可以去#

圖至第1C圖之製程，將塗有黏著層22 一實施例第1A 圓上的前製轉光二極體28結合 基=與形成於晶 終止層以餘刻等方式去除到基材11及钱刻 極體結構30。 丁』0禾進仃早元分割之發光二 第一基材21，具有一第一表面211 基材主要係用以支撐整個 I—表面212，第- 以為一單晶體、—多晶體或-非晶體弟—基材21可 >寶石、碳切、磷化鎵、·t化鎵化° #之^ ’例如玻璃、藍 等材料所製成之基材。此外、第一 ^ &化鋅或硒硫化鎢… 非透明基材，其主要係依照發光二；H冓ϋ透明基材或一 層之設計而考量，若要同時引導出向!;二3二=光方向或i射 基材21必須為一透明基材。 的又向出光，則第一 黏著層22，形成於第一表面211 及第一歐姆連接層23,。黏著層22係選白j以結合第一基材21 脂、-矽膠、-聚甲基丙烯酸甲醋:1二：1烯、-環氧樹 等其中之一材質。黏著層22係可H“_旋=$ 13 200814358 之啤辞而去旦-说 工一脰择稱3〇之出光戈 必須為-透日1二/2^導出向上7向下雙向出光，則黏著層22 、圖ί ίΐ，例之發光二極體結構3G，已完成單元分 明黏著層22，其亦依昭私_ >抓心曰··、、、备先一極體結構30之出光方向或反射層 "雙向出光，則黏； 割 石曰爲八μ 結構30，已完成 施例：：V/鲁:及第二溝槽34製作後之剖視實施例圖。本實 _，-發先二極體結構3G亦 ^ 因此單元分f[鳩23f 割1割後亦可形成例如μ、α2、α3···等曰層24進仃分 ，第-歐姆連接層23,，縣於黏著層22上。第— 23’可以為-p型輯連接層。縣在 1 層其可藉由綱方式，以區分出不_成單\之弟—連接 切?為:發光二極體28單體’其亦藉由蝕刻的方 =以£刀出不同的早^每—遙日日日層24，其具有：—下披覆芦 24卜一作用層242、-上披覆層243以及一第二溝槽％。曰 .每-下彼覆層241，形成於-第一歐姆連接層23，上 層241係為- P型磷化銘銦雜覆層。作用層242，形 = 覆層241上，其可以為一單異質結構、一雙異質結構或一多 拼結構。上彼覆層243 ’形成於作用層242上’上彼覆層243 以為一 N型磷化鋁銦鎵披覆層。第二溝槽34，係以餘刻式 製成，第二溝槽34垂直貫穿上彼覆層243及作用層‘，:‘二 貫穿下披覆層241，藉由第二溝槽34之間隙，可以使第二溝i 兩側之作用層242、上披覆層243產生電性隔離之作用:爲^制 程上製造的方便，第二溝槽34可以圍繞的方式形成於第六導帝二 33的周邊，以使作用層242能被有效的電性隔離，使得第雷 板33之延伸部331能順利的將電力傳導至第一毆姆^接層'^電 又爲了使後續製程更容易操作，因此於製作第二絕緣層31曰時，: 一併將第二溝槽34内填滿第二絕緣層31。 日 守’可 200814358 第二絕緣層31侧如氧切之材f，其覆蓋於每—上披覆層 243其裸露^表面，並形成於任二磊晶層24及任二第一歐姆連接 層23間。藉由第二絕緣層31的設置，除了可使不同單元的發光 :極，!8完全隔離不互相影響外，亦可確保發光二極體烈不受 外界純，例如··水氣或職的影響而賴壽命。第二絕緣層％ 於上披覆層243上及第二溝槽34内侧，分卿成有一第三開孔 ϋ一第四開孔36，第三開孔35及第_孔36係於第二絕緣層 31衣作完成後，再以蝕刻方式加以製成。 第五導電板32，分卿成於每—第三開孔35内，且電性連 _接於相對應之上披覆層243。又上披覆層243與第五導電板32間， =形成-第二歐姆連接層292。第六導電板33，分別形成於每 弟Γ =孔36内’其具有向下延伸之一延伸部331，延伸部331 ，直貝穿磊晶層24，且電性連接於相對應之第一歐姆連接層23,。 =第五導電板32及第六導電板33之設置以提供電力，使得蠢 曰曰層24能接收電力產生發光之作用。 9 叙光一極體結構3〇設計成一面上結構時。此時將第一基材 ,1設計為-透明基材，且將黏著層η輯為一透明黏著層Μ， 材21之第二表面212上形成-反射層，將可藉由反 4所發之光進行反射，如此可使發光三極體結構 達^恢佳的出光效率。除此之外’亦可只將黏著層22設計成 為-透明歸層22 ’並將反射層形餘第—基材21轉 2 =’如此亦可_統射之_，同樣的使得發光二極^吉構 30達到較佳的出光效率。 第8圖係為本發明之發光二極體結構3〇進一步結合一第二基 材50之剖視實施例圖。發光二極體結構3〇，進一步包括一第二 50如此可產生一覆晶結構。在覆晶結構中，第一基材u ，、為-透明基材且黏著層a係為一透明黏著層22。第二基材刈 15 200814358 其至彡具有_第三表 ，一 導電 板52及至少二繁道泰 弟二表面51形成有至少二第三 \ —弟四反53，每一第二導雷柘52芬楚 53，分別藉由焊點60帝㈣扭 弟一¥电扳52及弟四導電板 導電板33。 电Γ連接於相對應之第五導電板32及第六 之面二麻^私板52及第四導電板53間，除了可以直接將導命士 間電性導電板52及第四導電板％ 第二基材5〇 财式可形舰雜電縣構。使用 _ 以在第- 使件不同發光二極體28 並電路得 基材5G上進行。由於第二基㈣的面積及厚度;3 =構!rit ^此足以應付非常_的結構。#複雜的電路 、、、口構，發光二極體結構30的應用將更具多樣性。 基材50係可以為一石夕基材、一印刷電路板/印刷電 ^一陶莞基材。例如··氧化銘、氮化銘、氧化鈹低溫共燒多 層陶梵或高溫共燒多層陶瓷…等基材。. 〜夕 ♦在覆晶結構的設計中，爲了使發光二極體28有較佳的出光效 f帝可於第二基材5〇的第三表面51上，於第三導電板52及第四 $%板53以外之部位，進一步形成有一反射層。或者亦可於第二 馨絕緣層31上，也就是第二絕緣層31裸露之表面上形成有二反= 層。 上述之各個反射層，係可選自於一銘、一銀及一金…等其中 之一材質加以製成。製作反射層時必須注意，若反射層為一導電 材質時，反射層不能與第三導電板52或第四導電板53接觸，亦 不能與第五導電板32或第六導電板33接觸，而且反射層最好能 與各個導電板保持一定的間隙，以避免各個導電板間產生短路的 現象。 爲了使發光二極體結構30之各發光二極體28間能更輕易的 16 200814358 敕ΐ者爲了使發光二極體結構3G與第二基材5〇，社人 的更為千纽钱，财紅導驗32帛 f 體声37 Hit明Ϊ發光二極體結構3〇進一歩形成一第二導 二導體層37,其形成有至少—條導體1、、^^：進—步包括一第 且每-導體之兩端分職性連接於31上’ 第六導電板33。如此將可輕易的將 弟=反= 聯/並聯。藉由第二絕緣層31的支撐進仃串 行複雜的電路佈局設計。^使传弟一導體層37亦能進 28 ，二絕緣層月二有上完4之^ 至弟10G圖相同或類似之複雜電路，尤其运f j 10=圖 形成覆晶結構時，相關電路之達成又更為容易吏用弟-基材如而 或修改，仍;包:成之等效修飾 【圖式簡單說明】 ί:圖圖係為一第一基材與前製程發光二極體結構尚未結合之實 :1Β圖係為-第-基材與前製程發光二極體結構結合後之實施 =C。圖係將第1Β圖之臨時基材及餘刻終止層去除後之立體實施 17 200814358 第2圖係為本發明之發光二極 實施例圖。 傅其凡成早兀分割後之剖視 第3A圖係為第2圖進行第一 第3B圖係為第3A圖完成後再次進x翁^法實施例圖。 例圖。 進仃弟二次蝕刻之製作方法實施 苐4圖為第2圖進一歩完成第一 圖。 战#系巴緣層及導電板後之剖視實施例 第5A圖係為本發明之發光二 ^ 剖視實施例圖。 體、、々構進一歩結合一第二基材之

第5B圖係為第5A圖之俯視實施例圖。 弟5C圖係為f5A圖之等效電路圖。 本㈣之發光二極觀構，魏-歩形成-第-導

體層之剖視貫施例圖。 7〜取乐V f 6B圖係為第6A圖之俯視實施例圖。 第7圖係為本實施例之發光二極 ^割及第二溝槽製作後之剖視==圖&成早4小蠢晶 ί實：ί她讀光，輸，合―第二基材之剖 第9圖係為本發明之發光二極 剖視實施例圖。 體、、、。構進—㈣成1二導體層之 Ϊ黯圖至第10G圖分別為各種高壓發光二極體之電路實施例 【主要元件符號說明】 1〇别製程發光二極體結構 11 臨時基材 12 餞刻終止層 18 200814358

20 發光二極體結構 21 第一基材 21! 第一表面 212 第二表面 22 黏著層 23 第一歐姆連接層 23, 第一歐姆連接層 231 裸露部 24 蠢晶層 241 下披覆層 242 作用層 243 上彼覆層 25 第一絕緣層 251 第一開孔 252 第二開孔 26 第一導電板 27 第二導電板 28 發光二極體 291 第一溝槽 292 第二歐姆連接層 293 第一導體層 30 發光二極體結構 31 第二絕緣層 32 第五導電板 33 第六導電板 331 延伸部 34 第二溝槽 19 200814358 35 第三開孔 36 第四開孔 37 第二導體層 50 第二基材 51 第三表面 52 第三導電板 53 第四導電板 60 焊點 X3Xt — 早兀 A卜 A2、A3··· A-A剖線 B-B剖線

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Claims (1)

1. 200814358 十、申請專利範圍： 1. 一種發光二極體結構，其包括： -第-基材，具有-第_表面及—第二表面； 一黏著層，形成於該第_表面上； 至^二第-歐姆連接層，形成於該黏著層上； 至ϋΐ晶ί，任二該磊晶層間形成有-第-溝槽，每-該 磊晶層，其具有： 下披覆層’形成於_該第—歐姆連接層上； 一作用層’形成於該下顧層上；以及 上披覆層，形成於該作用層上； ijsi緣層’覆i於每—該第—歐姆連接層及每一該上彼 露之表面’且形成於任二該第一歐姆連接層間， r弟二絕ΐ層於每—該上披覆層及每—該第-歐姆連接層 ?稞:部處，分別形成有一第一開孔及一第二開孔； t弟—導電板，分卿成於每—該第—開孔内，且電性 連接於一該上披覆層；以及 至t第二導電板，分別形成於每一該第二開孔内，且電性 連接於一該第一歐姆連接層。 2· 項所述之發光二極體結構，其中該第一 3 ^由二ί早曰曰體、一多晶體或一非晶體結構之基材。 上項所述之發光二極體結構’其中該黏著 21 200814358 6·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該第一 歐姆連接層係為一 ρ型歐姆連接層。 7·如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體結構，其中該下披 覆層係為一P型磷化鋁銦鎵披覆層且該上披覆層係為一 N型 磷化鋁銦鎵彼覆層。 8_如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該作用 層係為一單異質結構、一雙異質結構或一多量子阱結構。

   9_如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該上披 覆層與該第一導電板間形成有一第二歐姆連接層。 1〇·如申凊專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該第一 基材為一透明基材及該黏著層為一透明黏著層，且該第二表 面上形成有一反射層。 11_如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體結構，其中該黏著 層為-透明黏著層，且鮮—基材與雜著制，形成有一 反射層。 12·如^請專利範圍第〗項所述之發光二極體結構，進一步包括 二第H其具有-第三表©，該第三表面形成有至少二 導電板及至少二第四導電板，又該第二基材形成有複數 4路結，’用以電性連接該些第三導電板及第四導電板， ^母-該第二導電板及該第四導電板，分別藉由焊點電性連 接於相對應之該第-導電板及該第二導電 為-透明紐且_著層為-透鴨著層板又如基材 13·如=睛專利細第u項所述之發*二極體結構，其中該第 —基材係為一矽基材、一印刷電路板或—陶 如:請專繼圍第13項所述之發光二極體結^，其中該第 j面上，麟第三導電板及該細導電板以外之部位，形 成有一反射層。 22 200814358 15_如Γϊί,圍第13項所述之發光二極體結構，第 一系巴緣層上，形成有一反射層。 ，、Τ該昂 16亡圍第i項所述之發光二極體結構 一弟一導體層，其形成有至少一導體並费罢=進匕括 上，且每-該導體之兩端分別電性連接^同2乐一絕緣層 導電板或第一導電板。 、不冋早凡之該第二 17.—種發光二極體結構，其包括： 一第一基材，具有一第一表面及一第二表面； 一黏著層，形成於該第一表面上；

   至少二第一歐姆連接層，形成於該黏著層上； 至少一蠢晶層，每一該蠢晶層，其具有： 一下披覆層，形成於一該第一歐姆連接層上； 一作用層，形成於該下披覆層上； 曰 一上披覆層，形成於該作用層上；以及 一覆Ϊ直貫穿該上披覆層及該作用層，又局部貫 -第二絕緣層’覆蓋於每—該上披覆層上，ii形成於任二节 ，層及任二第-歐姆連接層間’該第二絕緣層於該‘ 復層上及第二溝槽内侧，分別形成有一第三 開孔； 至少二第五導電板，分卿成於每—該第三·内，且電性 連接於一該上披覆層，·以及 至少一第六導電板，分別形成於每一該第四開孔内，其具有 向下延伸之一延伸部，該延伸部垂直貫穿該磊晶層，且電 性連接於該第一歐姆連接層。 18·如申請專利範圍第π項所述之發光二極體結構，其中該第 一基材係為一單晶體、一多晶體或一非晶體結構之基材。 23 200814358 19. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構， 一基材係為一透明基材。 /、中忒弟 20. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構， 著層係選自一苯環丁烯、一環氧樹脂、—矽膠、站 烯酸甲酯、一聚合物及一旋轉塗佈玻璃等其中之一^浙土丙 21·如申請專利範圍第Π項所述之發光二極體結構，1 = 著層係為一透明黏著層。 〃 22·如申請專利範圍第π項所述之發光二極體結構， 一歐姆連接層係為一 P塑歐姆連接層。 八 23.如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構，1中 彼覆層係為一Ρ型磷化鋁銦鎵披覆層且該上披 ^二卜 型鱗化鋁銦鎵披覆層。 曰’Ν 24·如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構， 用層係為-單異質結構、-雙異質結構或—多量子^^ 25·如申請專利範圍帛17項所述之發光二極體結構，其中^繁 二溝槽内形成有該第二絕緣層。 乂弟 26.如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構，其 披覆層與該第五導電板間形成有一第二歐姆連接層。' Λ 27·如申請專繼㈣π撕述之發光二極體結構，θ其中 -基材為-透明基材及雜著層為—透日雜著層，且該^二 表面上形成有一反射層。 — 28· =，專利範圍第17項所述之發光二極體結構，其中該黏 者層為-透日滕著層，且該第—基材與該黏著層間， 一反射層。 ^ 29·如申，專利範圍第17項所述之發光二極體結構，進一步包 括基材’其具有一第三表面，該第三表面形成有至少 -弟二導電板及至少二第四導電板，又該第二基材形成有複 24 200814358 -?、、、σ構’用以電性連接該些第三 板’且母—該第三導電板及該第 W板及弟四導電 性連接於相對應之該第五導藉由焊點電 =為—透明基材且該黏著板’又該第- 3〇.如申請專利範圍第29項所述之。 31 3材係為-卿、-印刷電路板;材其中該第 ===該第三導電板及該第四導電板以外之部

   32. 如申請專利範圍第29項所述之發光二極體結構，其中 一絕緣層上，形成有一反射層。 Λ 33. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體結構，其中魅 弟五導電板麟些第六導電板之表面高度，係為相同 ^ 高度。 34·如申請專利範圍第π項所述之發光二極體結構，進一歩包 括一第二導體層，其形成有至少一導體並覆蓋於該第二絕緣 層上，且每一該導體之兩端分別電性連接於不同單元之該第 五導電板或該第六導電板。 Λ

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