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TW200536927A - Phosphor, process for producing the same, lighting fixture and image display unit - Google Patents

Phosphor, process for producing the same, lighting fixture and image display unit Download PDF

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TW200536927A
TW200536927A TW094107494A TW94107494A TW200536927A TW 200536927 A TW200536927 A TW 200536927A TW 094107494 A TW094107494 A TW 094107494A TW 94107494 A TW94107494 A TW 94107494A TW 200536927 A TW200536927 A TW 200536927A
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TW
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phosphor
light
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TW094107494A
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TWI299055B (zh
Inventor
Naoto Hirosaki
Original Assignee
Nat Inst For Materials Science
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Publication date
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First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34975573&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW200536927(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nat Inst For Materials Science filed Critical Nat Inst For Materials Science
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Description

200536927 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明為關於具有/3型 S i 3 N 4結晶構造的螢光體和其 造方法及其用途。更詳言之，該用途為關於利用該螢光 所具有之性質，即經由2 5 0 n m〜5 0 0 n m波長之紫外線或可 光或電子射線所激發且於5 0 0 η ιέ以上6 0 0 n m以下之波長 發出具有發光波峯之綠色螢光的特性的照明器具及影像 示裝置。 【先前技術】 螢光體為被使用於螢光顯示管（VFD)、場射顯示 (FED)、電衆顯示面板（PDP)、陰極線管（CRT)、白色發光 極體（L E D )等。於此等任一種用途中，為使螢光體發光， 須對螢光體供給用以激發螢光體的能量，螢光體為經由 空紫外線、紫外線、電子射線、藍色光等之具有高能量 激發源所激發，且發出可見光線。但是，螢光體為被曝 於如前述的激發源，結果往往令螢光體的亮度降低且 化，故要求亮度降低少的螢光體。因此，為了取代先前 矽酸鹽螢光體、磷酸鹽螢光體、鋁酸鹽螢光體、硫化物 光體等之螢光體，而提案有作為亮度降低少之螢光體的 吖龍（S i a 1 ο η )螢光體。 此噻吖龍螢光體之一例為根據如下概略所述之製造步 所製造。首先，將氮化矽（S i 3 Ν 4)、氮化鋁（A 1 Ν )、氧化 (E u 2 0 3 )以指定之莫耳比混合，且於1氣壓（〇 . 1 Μ P a )之氮 中以1 7 0 0 °C之溫度保持 1小時且以熱加壓法煅燒而製 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 製 體 見 中 顯 器 必 真 的 露 惡 之 螢 噻 驟 銪 氣 造 5 200536927 (例如，參照專利文獻1 )。以此步驟所得之E U離子活化的 α σ塞吖龍已被報導經4 5 0至5 0 0 η之藍色光激發且變成發出 5 5 0至6 0 0 n in黃色光的螢光體。 更且，已知以J E Μ相（L a A 1 ( S i 6 - z A 1 z) N 1 ◦ - ζ 0 z)作為母體結 晶，被 C e 活化的藍色螢光體（參照專利文獻 2 )、以 L a 3 S i 8 Ν η 作為母體結晶且被C e活化的藍色螢光體（參照 專利文獻3 )、以C a A 1 S i N 3作為母體且被E u活化的紅色螢 光體（參照專利文獻4 )。
但是，以紫外線LED作為激發源之白色LED或電漿顯示 器等之用途中，亦要求不僅發出藍或黃色且發出綠色的螢 光體。 〈參照文獻〉 專利文獻1 :日本專利特開2 0 0 2 - 3 6 3 5 5 4號公報 專利文獻2 :日本專利特願2 ◦ 0 3 - 2 0 8 4 0 9號 專利文獻3 :日本專利特願2 0 0 3 - 3 4 6 0 1 3號 專利文獻4 :日本專利特願2 0 0 3 - 3 9 4 8 5 5號 作為其他之噻吖龍螢光體，已知於石型噻吖龍中添加稀 土類元素的螢光體（參照專利文獻5 )，以T b、Y b、A g活化 者為顯示成為發出5 2 5 η ni至5 4 5 n m綠色光的螢光體。但是， 因為合成溫度為低至1 5 0 0 °C，故活化元素未於結晶内充分 固溶，且殘留於粒界相，故無法取得高亮度的螢光體。 〈參照文獻〉 專利文獻5 :日本專利特開昭6 0 - 2 0 6 8 8 9號公報 【發明内容】 6 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 (發明所欲解決之問題） 本發明之目的為欲應付此類要求，而提供比先前之稀土 類活化噻吖龍螢光體更高綠色亮度，且比先前之氧化物螢 光體耐久性更優良的綠色螢光體。 (解決問題之手段） 本發明者等人為於此類狀況下，對於含有E u、及、S i、
A 1、0、N元素的氮化物重複致力研究，結果發現具有特定 之組成領域範圍，特定之固溶狀態及特定之結晶相者，於 500ηηι至 600nm範圍之波長中成為具有發光波峯的螢光 體。即，發現以具有/3型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮 化物作為母體結晶，且添加二價Eu離子作為發光中心的固 溶體結晶為於5 0 0 n m以上6 0 0 n m以下範圍之波長中成為具 有發光波峯的螢光體。其中，亦發現以1 8 2 0 °C以上之溫度 所合成的/3型噻吖龍，經由 Eu於/9型噻吖龍之結晶中固 溶，則可於5 0 0 n m至5 5 0 n m之波長中發出具有波峯且色純 度良好的綠色螢光。 冷型S i 3 N 4結晶構造為具有P 6 3或P 6 3 / m之對稱性，被定 義為具有表 1 之理想原子位置的構造（參照非專利文獻 1 )。具有此結晶構造的氮化物或氧氮化物，已知有型 SisNr 冷型 Ge3N4 及 /3 型噻吖龍（SihAlz〇zN8-z 但 OS 4.2) 等。又，已知/3型噻吖龍於1 7 0 0 °C以下之合成溫度下，於 結晶中不會令金屬元素固溶，且以燒結輔助劑等型式添加 的金屬氧化物為於粒界中形成玻璃相並且殘留。金屬元素 被攝入噻吖龍結晶中之情況，為使用專利文獻1中記載的 7 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 α型噻吖龍。表1中根據冷型氮化矽之原子座標示出結晶 構造數據。 〈參照文獻〉 非專利文獻 1; CHONG-MIN WANG 等 4 名 ’’Journal of Materials Science” 1996 年、31 卷、5281 〜5298 頁 表1 .冷型S i 3 N 4結晶之原子座標 x / a y / a z / c S i : 6 ( h ) 0. 7686 0. 1744 0. 2500 N1 : 6(h ) 0. 0298 0. 3294 0. 2628 N2 : 2(c) 0. 6667 0.3333 0.2392
空間群：P 6 3 晶格常數 8 = 0.759511111,(: = 0.2902311111 R.Grun， Acta Crystallogr. B35 (1979) 800 yS型 S i 3 N 4或/3型噻吖龍為以耐熱材料型式被研究，於 此處關於本結晶中令光學活性元素固溶及將已固溶之結晶 使用作為螢光體的說明，為於專利文獻5中僅調查特定的 元素。 若根據專利文獻5，作為於5 0 0 n m至6 0 0 η ηι範圍之波長 中具有發光波峯的螢光體，已報導僅為添加 Tb、Yb、Ag 的情況。但是，添加T b之螢光體為激發波長為3 0 0 n m以下， 於白色 LED用途中無法使用，且因發光壽命長故殘像殘 留’難以適用於顯示用途。又，添加Yb或Ag者具有亮度 低的問題。又，其後於達成本發明為止之期間，並無檢討 欲將具有/3型S i 3 N 4構造之結晶使用作為螢光體。 即，令特定之金屬元素固溶之具有yS型 S i 3 N 4結晶構造 8 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 的氮化物或氧氮化物可使用作為經紫外線及可見光或電子 射線或X射線激發而具有高亮度綠色發光之螢光體的重要 發現，為由本發明者所首先發現。本發明者以此發現為基 _ 礎並且進一步重複致力研究，結果亦成功經由以下（1 )〜（4 3 ) 記載之構成，提供於特定波長領域顯示高亮度之發光現象 的螢光體和此螢光體之製造方法、及具有優良特性的照明 器具、影像顯示裝置。其構成為如以下（1 )〜（4 3 )之記載。 (1) 一種螢光體，其特徵為，含有使Eu固溶於具有/3型 φ S i 3 N 4結晶構造之結晶中之氮化物或氧氮化物之結晶，且經 由照射激發源則於波長5 0 0 n m至6 0 0 n m範圍之波長中發出 具有波峯的螢光。 (2) 如前述（1 )項之螢光體，其中，該具有/3型 Si 3N4結 晶構造的結晶為包含/3型°塞吖龍（S i 6 - z A 1 ζ 0 z N 8 - z，但 0 $ z $4.2)。
(3 ) 如前述（2 )項之螢光體，其中，該z值為〇 $ z $ 〇 . 5。 (4 ) 如前述（1 )項至（3 )項中任一項之螢光體，其中，該氮 化物或氧氮化物之結晶中所含之E u、A (但，A為選自C、 Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In之一種或二種以上之元素）及 X(但’ X為選自 0、N之一種或二種之元素）以組成式 EuaAbXc(式中，a + b + c = l)表示時，式中之 a、b、c為滿足 下列之關係（i )〜（i i i )， 0. 00001^ 0.1 ..................... ( i ) (ii) 9 0. 38 ^ b ^ 0. 46 0.54^ 0.62 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 (5) 如前述（1)項至（4)項中任一項之榮光體，其中，該氮 化物或氧氮化物之結晶以組成式 E u a S i b 1 A 1 b2 ◦ c 1 N c 2 (式中’ a + b! + b2 + ci + C2=l)表示時，式中之 a、bi、b2、ci、C2 為滿 足下列之關係（i )〜（v )， 0. 0 0 0 0 1 S aS 0. 1 ............... ( i ) 0.28^ bi ^ 0.46 ............... ( i i ) 0.00 1^ b2 ^ 0.3 ............... ( i i i ) 0.001^ ci^ 0.3 ............... ( i v )
0 . 4 ^ C2 ^ 0 . 6 2 ............... (v)。 (6) 如前述（5)項之螢光體，其中，於該組成式 E U a S i b ! A 1 b 2〇c】N c 2中，b 1與b 2之關係及C 1與C 2之關係為滿 足下列之關係， 0.41^ bi + b2^ 0.44 0· 56$ C1 + C2S 0. 59。 (7 ) 如前述（1 )項至（6 )項中任一項之螢光體，其中，該激 發源為具有1 0 0 n m以上5 0 0 n m以下波長的紫外線或可見光。 (8 ) 如前述（7 )項之螢光體，其中，該激發源為具有4 0 0 n m 以上5 0 0 η ηι以下波長的紫色或藍色光。 (9 ) 如前述（1 )項至（6 )項中任一項之螢光體，其中，該激 發源為電子射線或X射線。 (10) 如前述（1 )項至（9 )項中任一項之螢光體，其中，波 峯波長為5 0 0 η ηι以上5 5 0 η η]以下之範圍。 (11) 如前述（1 )項至（1 0 )項中任一項之螢光體，其中，照 射該激發源時發光之顏色為C I Ε色度座標上的（X、y )值， 10 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 且x、y為滿足下列之關係（l )、（ 1 1 )， 0 ^ X ^ 0.3 ..................... ( i ) 0. 5 ^ y ^ 0. 83 ..................... (11)。 • (12) 如前述（1 )項至（1 1 )項中任一項之螢光體，其中，該 氮化物或氧氮化物之結晶為包含平均粒徑5 0 n m以上2 0 // m 以下的單結晶。 (13) 如前述（1 )項至（1 2 )項中任一項之螢光體，其中，該 氮化物或氧氮化物之結晶為具有縱橫比之平均值為1 . 5以 φ 上20以下之值的單結晶。 (14) 如前述（1 )項至（1 3 )項中任一項之螢光體，其中，該 氮化物或氧氮化物之結晶中所含的F e、C 〇、N i雜質元素合 計為500ppm以下。 (15) 如前述（1 )項至（1 4 )項中任一項之螢光體，其中，該 氮化物或氧氮化物之結晶為以含有其他結晶質或非晶質化 合物之混合物型式生成，且於該混合物中之該氮化物或氧 氮化物之結晶含量為5 0質量％以上。
(16) 如前述（1 5 )項之螢光體，其中，該其他結晶質或非 晶質化合物為導電性的無機化合物。 (17) 如前述（1 6 )項之螢光體，其中，該導電性之無機化 合物為含有選自Zn、Ga、In、Sn之一種或二種以上元素的 氧化物、氧氮化物、或氮化物、或該等之混合物。 (18) 一種製造如前述（1 )項至（1 7 )項中任一項之螢光體 之螢光體的製造方法，其特徵為，包含令原料混合物，於 氮氣環境中以 1 8 2 0 °C以上 2 2 0 0 °C以下之溫度範圍煅燒的 11 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494
200536927 步驟。 (19) 如前述（1 8 )項之螢光體的製造方法，其中， 混合物為含有Eu之金屬、氧化物、碳酸鹽、氮化物 物、氯化物或氧氮化物；氮化碎；和氮化紹。 (20) 如前述（1 8 )項或（1 9 )項之螢光體的製造方 中，於該煅燒步驟中，該氮氣環境為0 . 1 Μ P a以上 以下之壓力範圍的氮氣環境。 (21) 如前述（1 8 )項至（2 0 )項中任一項之螢光體的 法，其中，再包含於該煅燒步驟前，將粉體或凝集 之金屬化合物以保持於堆積密度 4 0 %以下之充填率 充填至容器以取得該原料混合物的步驟。 (22) 如前述（21)項之螢光體的製造方法，其中， 為氮化製。 (23) 如前述（2 1 )項或（2 2 )項之螢光體的製造方 中，該金屬化合物之凝集體的平均粒徑為5 0 0 // m (24) 如前述（2 3 )項之螢光體的製造方法，其中， 藉由噴霧乾燥器、分篩、或風力分級，將該金屬化 凝集體的平均粒徑作為5 0 0 // m以下的步驟。 (25) 如前述（1 8 )項至（2 4 )項中任一項之螢光體的 法，其中，該煅燒手段非以熱加壓，而為以專門的 結法或氣壓煅燒法的手段。 (2 6) 如前述（1 8 )項至（2 5 )項中任一項之螢光體的 法，其中，再包含經由選自粉碎、分級、酸處理之 數種手法，將已煅燒的螢光體粒度調整至平均粒徑； 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 該原料 、氟化 法，其 1 OOMPa 製造方 體形狀 的狀態 該容器 法，其 人下。 再包含 合物之 製造方 常壓燒 製造方 一種或 % 5 0 n m 12 200536927 以上2 0 // m以下之粉末的步驟。 (27) 如前述（1 8 )項至（2 6 )項中任一項之螢光體的製造方 法，其中，再包含將該煅燒步驟後之螢光體、或該粒度調 整步驟後之螢光體，以1 0 0 0 °C以上且未滿該煅燒步驟之煅 燒溫度的溫度下進行熱處理的步驟。 (28) 如前述（1 8 )項至（2 7 )項中任一項之螢光體的製造方 法，其中，該原料混合物為含有於該煅燒步驟之煅燒溫度 以下的溫度下生成液相的無機化合物。
(29) 如前述（2 8 )項之螢光體的製造方法，其中，於該煅 燒溫度以下之溫度下生成液相的無機化合物為含有選自 Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba之一種或二種以上之元素的 II化物、氯化物、埃化物、漠化物、或構酸鹽之一種或二 種以上的混合物。 (30) 如前述（2 9 )項之螢光體的製造方法，其中，於該煅 燒溫度以下之溫度下生成液相的無機化合物為氟化鈣。 (31) 如前述（2 8 )項至（3 0 )項中任一項之螢光體的製造方 法，其中，該原料混合物，為相對於該原料混合物1 0 0重 量份，而含有於該烺燒溫度以下之溫度下生成液相之無機 化合物0 . 1重量份以上1 0重量份以下。 (32) 如前述（2 8 )項至（3 1 )項中任一項之螢光體的製造方 法，其中，再包含於該煅燒步驟後，令該煅燒溫度以下之 溫度下生成液相之無機化合物含量減低般，以溶劑進行洗 淨的步驟。 (33) 一種照明器具，係含有發光光源和螢光體者，其特 13 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 徵為，該螢光體為包含如前述（1 )項至（7 )項中任—項之t 光體。 (34) 如前述（3 3 )項之照明器具，其中，該發光光源為至 少包含發生330〜500nm波長光之發光二極體（led)、雷射三 極體（LD)、無機EL元件、有機EL元件之任—者。 (35) 如前述（3 3 )項或（3 4 )項之照明器具，其中，該發光 光源為發出 330〜420nm波長光之發光二極體雷身于 二極體（L D )，
該螢光體為包含經由330〜420nm之激發光而於42〇nm以 上500nm以下之波長中具有發光波秦的藍色螢光體、和經 由330〜420nm之激發光而於600nm以上700nm以下之波長 中具有發光波峯的紅色螢光體，且該照明器具為混合藍色 光和綠色光和紅色光以發出白色光。 (36) 如前述（3 3 )項或（3 4 )項之照明器具，其中，該發光 光源為發出 420〜500nm波長光之發光二極體（LED)或雷射 二極體（L D )， 該螢光體為包含經由420〜500nm之激發光而於600nm以 上7 0 0 n m以下之波長中具有發光波峯的紅色螢光體，且該 照明器具為經由將發光光源之藍色光與螢光體發出之綠色 光及紅色光混合而發出白色光。 (37) 如前述（3 3 )項至（3 6 )項中任一項之照明器具，其 中，該螢光體為再包含經由300〜420n m或420〜500nm之激 發光而於5 5 0 nm以上6 0 0 nm以下之波長中具有發光波峯的 黃色（或橙色）螢光體。 14 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 074舛 200536927 (38) 如前述（3 3 )項或（3 4 )項之照明器具，其中，該發光 光源為發出420〜500n m波長光之LED或LD’ 該螢光體為再包含經由420〜500nm之激發光而於550nm 以上6 0 0 n m以下之波長中具有發光波峯的黃色（或橙色）螢 光體，且該照明器具為經由混合該發光光源之藍色光與螢 光體發出之綠色光及黃色（或橙色）光而發出白色光。 (39) 如前述（3 7 )項或（3 8 )項之照明器具，其中，該黃色 (或橙色）螢光體為令E u固溶的C a - α噻吖龍。
(40) 如前述（3 6 )項或（3 8 )項之照明器具，其中，該紅色 螢光體為含有於具有 CaAl Si Ν3型結晶構造之無機物質中 固溶Eu的螢光體。 (4 1 ) 如前述（4 0 )項之照明器具，其中，該具有C a A 1 S i N 3 型結晶構造之無機物質為C a A 1 S i N 3。 (42) 一種影像顯示裝置，係含有激發源和螢光體者，其 特徵為，該螢光體為包含如前述（1 )項至（1 7 )項中任一項之 螢光體。 (43) 如前述（4 2 )項之影像顯示裝置，其中，該影谭顯示 裝置為至少包含螢光顯示管（VFD)、場射顯示器（FED)、電 漿顯示面板（P D P )、陰極線管（C R T )之任一者。 (發明效果） 本發明之螢光體為經由含有具有/3型 S i 3 N 4結晶構造之 氮化物或氧氮化物之結晶相的固溶體作為主成分，則可比 先前的噻吖龍或氧氮化物營光體於5 0 0 n m〜6 0 0 η ηι之波長區 域的發光強度更高，且為優良的綠色螢光體。即使曝露於 15 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 07494
200536927 激發源之情形中，此螢光體的亮度亦不會降低，可提供 合成為使用於VFD、FED、PDP、CRT、白色LED等之有用 光體的氮化物。 【實施方式】 以下，根據本發明之實施例更詳細說明。 本發明之螢光體為含有以具有石型 S i 3 N 4結晶構造之 化物或氧氮化物之結晶相的固溶體（以下，稱為/5型S i 屬結晶）作為主成分者。/3型S i 3 N 4屬結晶可經由X射線 射或中子射線繞射予以鑑定，除了與純/3型 S i 3 N 4顯示 同繞射的物質以外，構成元素為以其他元素取代令晶格 數變化者亦為/3型 S i 3 N 4屬結晶。更且，有時根據固溶 形態而於結晶中導入點缺陷、面缺陷、層合缺陷，於粒 之缺陷部令固溶元素濃縮，此情況中X射線繞射之圖型 態無變化者亦為/3型 S i 3 N 4屬結晶。又，經由形成缺陷 週期性可形成具有長週期構造的多型，此情況中亦將基 構造為点型S i 3 N 4結晶構造者視為/3型S i 3 N 4屬結晶。 此處，所謂純/3型 S i 3 N 4的結晶構造，定義為屬於具 P 6 3或P 6 3 / m之對稱性之六方晶系，具有表1之理想原子 置的構造（參照非專利文獻 1 )之結晶。實際的結晶中， 原子的位置為根據各位置所佔原子的種類而由理想位置 化± 0 . 0 5左右。 其晶格常數為 a = 0.7595nni、c = 0.29023nm，其構成成 之Si為以A1等之元素取代，或N為以0等之元素取代 或E u等之金屬元素進行固溶而令晶格常數變化，但經由 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 適 氮 繞 相 常 之 内 形 之 本 有 位 各 變 分 結 16
200536927 晶構造和原子所佔之位置和其座標所提供的原子位置 大變化。因此，若提供晶格常數和純/3型S 1 3 N 4的面沿 則以 X射線繞射之繞射波峯的位置（2 0 )決定為同一 • 義。關於新物質可在由測定之X射線繞射結果所計算 格常數與使用表4之面指數所計算之繞射的波峯位置 的數據為一致時，指定與該結晶構造相同者。 具有/3型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化物結晶 結晶構造為相同則無特定物質，可列舉/3型 S i 3 N 4、 φ Ge3N4、/3型C3N4及該等之固溶體。固溶體為可將yS型 結晶構造之S i位置以C、S i、G e、S η、B、A 1、G a、 素，N位置以0、N元素予以取代。更且，此些元素之 不僅為一種且亦包含同時取代二種以上之元素。此些 内，特別取得高亮度者為/3型 Si3N4及/3型噻 (Sie-zAlzOzNe-z，但 0<ζ<4· 2) 〇 本發明中，由螢光發光之觀點而言，作為其構成成 具有/3型 S i 3 Ν 4結晶構造的氮化或氧氮化物的結晶相 純度且極力含有許多，若可能的話則期望由單相所構 但在不會降低特性之範圍中，由其他結晶相或與非晶 之混合物所構成亦可。此情況，當具有/3型 S i 3 N 4結 造之氮化物或氧氮化物之結晶相含量為5 0質量％以上 可取得高亮度，故為佳。於本發明中作為主成分之範 具有/3型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化物之結晶 量至少為5 0質量％以上。 經由以具有/3型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化 312XP/發明說明書(補件)/94_07/94107494 並無 丨數， 個意 白勺晶 (2 0) ，若 /3型 Si3N4 I η元 取代 結晶 吖龍 分之 為1¾ 成， 質相 晶構 ，因 圍為 相含 物之 17 200536927 結晶作為母體結晶，且令金屬元素Eu於母體結晶中固溶， 則二價之 Eu離子作用為發光中心，且表現螢光特性。更 且，於/3型噻吖龍結晶中含有 Eu者，δρ ，於結晶中含有 . A 1和E u者特別在綠色的發光特性為優良。 經由對本發明之螢光體照射激發源，則可發出於波長 500nm至600ηπι範圍之波長中具有波峯的螢光。於此範圍 具有波峯之發光光譜為發出綠色之光。其中於波長 5 0 0 n m 至5 5 0 n m範圍之波長中具有波峯的尖銳形狀光譜中發光的 ^ 顏色係以C I E色度座標上的（X、y )值表示，且 OSxSO.3、0. 5 ^ y ^ 0. 83 ^ 為色純度良好的綠色。 作為螢光體之激發源，若使用1 0 0 n m以上5 0 0 n m以下波 長之光（真空紫外線、深紫外線、紫外線、近紫外線、紫色 至藍色之可見光）及電子射線、X射線等，則發出高亮度的 螢光。
本發明中若為具有/3型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮 化物的結晶，則對於組成之種類並無特別規定，但以下列 組成且具有点型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化物之結 晶的含有比例高，可取得亮度高的螢光體。 具有/5型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化物之結晶的 含有比例高，且取得亮度高之螢光體的組成以下列範圍之 組成為佳。含有Eu、A(但，A為C、Si、Ge、Sn、B、A1、 Ga、In之元素）及X(但，X為選自〇、N之一種或二種元素）， 且以組成式 EuaAbXc(式中，a + b + c= l)表示，a、b、c值為 18 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494
200536927 選自完全滿足 0. 0 0 0 0 1 ^ 0. 1 …（i) 0. 38 ^ 0. 46 …（ii) . 0. 54 ^ c ^ 0. 62 …（i i i) 條件之值。 a為表示作為發光中心之元素 Eu 的添加量，原子 0 . 0 0 0 0 1以上0 . 1以下為佳。a值若小於0 . 0 0 0 0 1，則 發光中心之E u數少，故發光亮度降低。若大於0. 1， Φ 由Eu離子間的干涉而引起濃度消光且亮度降低。 b為構成母體結晶之金屬元素量，原子比為 0.38 0 . 4 6以下為佳。較佳為b = 0 . 4 2 9。b值若超出此範圍 結晶中之結合變成不安定且增加/3型 S i 3 N 4構造以外 晶相的生成比例，而使綠色的發光強度降低。 c為構成母體結晶之非金屬元素量，原子比為0 . 5 4 0 . 6 2以下為佳。較佳為c = 0 . 5 7 1。c值若超出此範圍 結晶中之結合變成不安定且增加/9型 S i 3 N 4構造以外 晶相的生成比例，而使綠色的發光強度降低。 以冷型噻吖龍作為母體結晶，且以Eu作為發光中心 以下列組成而可特別取得亮度高的螢光體 EuaSibAlb2〇ciNc2(式中，a + bi + b2 + ci + C2=l)表示，a、bi、 d、C2為選自完全滿足 0. 0 0 0 0 1 ^ ai^ 0. 1 …（i) 0.28^ bi ^ 0.46 …（i i ) 0. 001 ^ b2^ 0. 3 …（i i i) 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 比為 作為 則經 以上 ，則 之結 以上 ，則 之結 時， 。 以 b2、 19 200536927 0. 001 ^ Cl ^ 0. 3 …（i V) 0 . 44 ^ C2 ^ 0 . 6 2 …（v) 條件之值。 1^為Si之量，原子比為0.28以上0.28以上0.46以下 為佳。b 2為A 1之量，原子比為0 . 0 0 1以上0 . 3以下為佳。 又，13】與b2值之合計為0.41以上0.44以下為佳，較佳為 0 . 4 2 9。b!及 b 2值若超出此範圍，則增加冷型噻吖龍以外 之結晶相的生成比例，而使綠色的發光強度降低。
〇為氧之量，原子比為0.001以上0.3以下為佳。C2為 氮之量，原子比為0.54以上0.62以下為佳。又，ci與C2 值之合計為0.56以上0.59以下為佳。較佳為c = 0. 571。 c i及c 2值若超出此範圍，則增加/3型噻吖龍以外之結晶相 的生成比例，而使綠色的發光強度降低。 又，於此些組成中在特性不惡化的範圍下，亦可含有雜 質型式之其他元素亦無妨。令發光特性惡化的雜質為F e、 C〇、N i等，此三元素合計若超過5 0 0 p p m，則發光亮度降低。 本發明中，結晶相期望由具有/3型 S i 3 N 4結晶構造之氮 化物或氧氮化物之結晶相的單相所構成，但在不降低特性 之範圍内，亦可由其他結晶相或與非晶質相之混合物所構 成。此時，因具有万型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化 物之結晶相含量為5 0質量％以上，則可取得高亮度，故為 佳。 於本發明中作為主成分之範圍為具有/3型 S i 3 N 4結晶構 造之氮化物或氧氮化物之結晶相含量至少為 50質量°/◦以 20 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494
200536927 上。含量之比例為進行 X射線繞射測定，藉由具 S 1 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化物之結晶相及與 之結晶相之各相的最強波峯強度比，則可求出。 由其他結晶相或與非晶質相之混合物所構成的 中，可作成與具有導電性之無機物質的混合物。於 PDP等中，將本發明之螢光體以電子射線激發之情 為了令電子於螢光體上不會滯留且逃出外部，係以 程度之導電性為佳。 導電性物質可列舉含有選自 Ζ η、G a、I η、S η之 二種以上元素的氧化物、氧氮化物、或氮化物、或 物。其中，氧化銦和銦-錫氧化物（I Τ 0)因為螢光強 低少且導電性高，故為佳。 本發明之螢光體的形態並無特別規定，以粉末型 之情況，因平均粒徑5 0 η m以上2 0 " m以下之單結晶 高亮度，故為佳。更且，具有縱橫比（粒子長軸之長 短軸長度之值）之平均值為1 · 5以上2 0以下值的單 則亮度更加變高。平均粒徑若大於 2 0 // m，則應用 器具或影像顯示裝置時之分散性變差，發生色不均 為不佳。 若小於5 0 n m則因粉末凝集，故操作性變差。縱恭 子長軸之長度除以短軸長度之值）之平均值為 1.5 單結晶粒子特別為發光亮度變高。其係因高溫下具 氮化矽構造的結晶成長時於結晶中攝入較多量之 E 屬元素，因阻礙螢光之結晶缺陷少且透明性高，故 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94】07494 有yS型 此以外 螢光體 VFD或 形中， 具有某 一種或 其混合 度之降 式使用 而取得 度除以 結晶^ 於照明 勻，故 ^比（粒 以上的 有β型 u等金 發光亮 21 200536927 度變高。但是，縱橫比若超過2 0，則變成針狀結晶，由環 境方面而言為不佳。此時，根據本發明之製造方法進行粉 碎即可。 本發明之螢光體的製造方法並無特別規定，可列舉下列 _ 方法為其一例。 經由煅燒金屬化合物之混合物，則可將構成 E u, S i b A 1。0 d N e組成的原料混合物，於氮氣環境中煅燒。最 佳煅燒溫度為根據組成而異，故無法一概規定，一般為以 # 1 8 2 (TC以上2 2 0 0 °C以下之溫度範圍下，可安定取得綠色螢 光體。煅燒溫度若低於1 8 2 0 °C，則成為發光中心之元素E u 不會於具有沒型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化物的結 晶中固溶，且氧含量為高並且於粒界相中殘留，故氧化物 玻璃為以宿主（host)型式發光，成為藍色等之低波長的發 光，無法取得綠色之螢光。專利文獻5中，煅燒溫度為1 5 5 0 °C的Eu為於粒界中殘留。即，專利文獻 5中即使相同以 E u作為活化元素之情況亦為發光波長為 4 1 0〜4 4 0 η ni的藍 色，與本發明螢光體之發光波長500〜550nm於本質上為不 同的。又，煅燒溫度為2 2 0 0 °C以上，則需要特殊的裝置， 於工業上為不佳。 金屬化合物之混合物可為選自Eu之金屬、氧化物、碳 酸鹽、氮化物、或氧氮化物之含Eu的金屬化合物、與氮化 矽、與氮化鋁的混合物。彼等為具有反應性豐富、且可取 得高純度的合成物、加上易於生產取得作為工業原料的優 良。 22 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 為提高煅燒時之反應性，視需要於金屬化合物之混合物 中，可添加於煅燒溫度以下之溫度下生成液相的無機化合 物。無機化合物以在反應溫度下生成安定液相者為佳’且 以L i、N a、K、M g、C a、S r、B a元素之氟化物、氯化物、 ^ 碘化物、溴化物、或磷酸鹽為適當。 更且，此些無機化合物除了以單體添加以外，亦可混合 二種以上。其中，因為氟化鈣為提高合成反應性之能力高， 故為合適。無機化合物之添加量並無特別限定，但相對於 9 起始原料之金屬化合物的混合物1 0 0重量份，以0 · 1重量 份以上1 0重量份以下，為效果特別大。 若少於0. 1重量份，則反應性之提高少，若超過1 0重 量份，則螢光體之亮度降低。若添加此些無機化合物且煅 燒，則反應性提高，可於較短時間促進粒成長且成長出粒 徑大的單結晶，提高螢光體的亮度。更且，煅燒後以溶解 無機化合物的溶劑予以洗淨，則可減低锻燒所得之反應物 中所含之無機化合物的含量，並且提高螢光體之亮度。此
類溶劑可列舉水、乙醇、硫酸、氫氟酸、硫酸與氫氟酸之 混合物。 氮氧環境為0 . 1 Μ P a以上1 0 0 Μ P a以下之壓力範圍的氣體 環境為佳。更佳為0 . 5MPa以上1 OMPa以下。將氮化矽使用 作為原料時，若於1 8 2 0 °C以上之溫度中加熱，則氮氣環境 為低於 0. 1 Μ P a，且原料進行熱分解，故不佳。若高於 0 . 5 Μ P a， 則幾乎完全不分解。若為1 0 Μ P a，則為充分，若 1 0 0 Μ P a以上，則需要特殊之裝置，不利工業生產。 23 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494
200536927 若為將粉體或凝集體形狀之金屬化合物，以保持於 密度 4 0 %以下之充填率的狀態充填至容器後煅燒的方 則可取得特別高的亮度。以粒徑數// m 之微粉末作為 • 原料之情況，完成混合步驟之金屬化合物的混合物， . 數// m之微粉末為以數百// m至數mm之大小呈現凝集 態（稱為粉體凝集體）。本發明中，將粉體凝集體以保 堆積密度4 0 %以下之充填率的狀態下進行煅燒。 即，通常的噻吖龍製造為以熱加壓法或模具成形後 # 煅燒令粉體之充填率為高之狀態下煅燒，但本發明中 未對粉體加以機械性的力量，且未預先使用模具等進 形，將混合物之粉體凝集體之粒度整齊者，就其原樣 下於容器等中以堆積密度 4 0 %以下之充填率進行充填 需要，將該粉體凝集體使用篩或風力分級等，則可造 平均粒徑5 0 0 // m以下且控制粒度。又，使用喷霧乾燥 直接造粒成5 0 0 μ m以下之形狀亦可。又，若使用氮化 之容器，則具有與螢光體之反應少的優點。 所謂堆積密度依舊保持於4 0 %以下之狀態煅燒，係 於原料粉末周圍具有自由空間的狀態下煅燒，則反應 經由在自由空間中進行結晶成長，使得結晶彼此間的 變少，可合成表面缺陷少的結晶。如此，取得亮度高 光體。若堆積密度為超過 4 0 %，則於煅燒中引起部分 化，成為緻密的燒結體並妨礙結晶成長，令螢光體的 降低。又，無法取得微細的粉體。又，粉體凝集體之 為5 0 0 // m以下，因煅燒後之粉碎性優良，故特佳。 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 堆積 法， 起始 粒徑 的形 持在 進行 ，並 行成 狀態 。視 粒成 器等 石朋製 因若 產物 接觸 的螢 緻密 亮度 大小 24 200536927 其次，將充填率 4 0 %以下之粉體凝集體於前述條件下煅 燒。煅燒中所用之爐，由於煅燒溫度為高溫且煅燒環境氣 體為氮氣，故以金屬電阻加熱方式或石墨電阻加熱方式’ 爐高溫部之材料為使用碳的電爐為合適。煅燒之手法為常 壓燒結法或氣壓燒結法等之末由外部施以機械加壓的燒結 手法，因可就其原樣高度保持堆積密度，故為佳。
煅燒所得之粉體凝集體為強力固黏之情況，例如以球 磨、噴射磨等之工廠上通常使用的粉碎機予以粉碎。其中， 球磨粉碎為容易控制粒徑。此時所使用之球及鍋為氮化矽 燒結體或噻吖龍燒結體製為佳。特佳為與製品螢光體同組 成的陶瓷燒結體製為佳。粉碎為施行至平均粒徑2 0 // m以 下為止。特佳為平均粒徑2 0 n m以上5 // m以下。平均粒徑 若超過 2 0 // m，則粉體的流動性和對於樹脂的分散性變 差，與發光元件組合形成發光裝置時根據部位而變成發光 強度不均勻。若為2 0 n m以下，則處理粉體的操作性變差。 僅以粉碎無法取得目的粒徑之情況，可將分級予以組合。 分級之手法可使用篩分、風力分級、液體中之沈澱法等。 亦可進行酸處理作為粉碎分級的一方法。煅燒所得之粉 體凝集體，於許多情況，具有石型 S i 3 Ν 4結晶構造之氮化 物或氧氮化物之單結晶為以微量之玻璃相作為主體之粒界 相強力固黏的狀態。此情況，若浸入特定組成之酸中，則 以玻璃相作為主體的粒界相為選擇性溶解，且分離出單結 晶。如此，各個粒子並非為單結晶的凝集體，為以具有冷 型 S i 3 N 4結晶構造之氮化物或氧氮化物的單結晶1個所構 25 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 07494 200536927 成的粒子型式取得。此類粒子為由表面缺陷少之單結晶所 構成，故螢光體的党度特別南。 此處理中有效的酸可列舉氫氟酸、硫酸、鹽酸、氫氟酸 與硫酸之混合物。其中，氫氟酸與硫酸之混合物為玻璃相 的除去效果高。
以上述步驟取得微細的螢光體粉末，而為了更加提高亮 度，其以熱處理為有效。此情況可將烺燒後之粉末、或以 粉碎或分級調整粒度後的粉末，於1 〇 〇 〇 °c以上且煅燒溫度 以下之溫度進行熱處理。於低於1 0 0 0 °c之溫度下，除去表 面缺陷之效果少。於煅燒溫度以上，則已粉碎的粉體彼此 間再度固黏，故為不佳。適於熱處理的氣體環境為根據螢 光體之組成而異，可使用選自氮、空氣、氨、氫之一種或 二種以上之混合氣體環境，且特別以氮氣環境為除去缺陷 效果優良，故為佳。 如上述處理所得之本發明的氮化物，比通常的氧化物螢 光體或現存的噻吖龍螢光體，具有紫外線至可見光之寬幅 度的激發範圍，且發出於5 0 0 n m以上6 0 0 η ηι以下之範圍具 有波峯的綠色光為其特徵，可適於照明器具、影像顯示裝 置。加上即使曝露於高溫亦不會惡化，故耐熱性優良，於 氧化環境及水分環境下之長期安定性亦優良。 本發明之照明器具為至少使用發光光源和本發明之螢 光體所構成。照明器具有LED照明器具、螢光燈、EL照明 器具等。L E D照明器具可使用本發明之螢光體，根據日本 專利特開平 5 - 1 5 2 6 0 9、特開平 7 - 9 9 3 4 5、專利公報第 26 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 2 9 2 7 2 7 9號等所記載之公知方法則可製造。此情況，發光 光源期望發出3 3 0〜5 0 0 n m波長之光線，其中，以3 3 0〜4 2 0 n m 之紫外線（或紫色）LED 發光元件或 LD 發光元件與 420〜500nm之藍色LED或LD發光元件為佳。 此些發光元件為由GaN或InGaN等之氮化物半導體所構 成，經由調整組成則可取得發出指定波長光線的發光光源。
除了於照明器具中單獨使用本發明螢光體之方法以 外，經由併用具有其他發光特性之螢光體，則可構成發生 所欲顏色的照明器具。其一例為將3 3 0〜4 2 0 n m之紫外線L E D 或L D發光元件、和以此波長所激發而於4 2 0 n m以上5 0 0 n m 以下之波長具有發光波峯的藍色螢光體、和於6 0 0 n m以上 7 0 0 n m以下之波長具有發光波峯的紅色螢光體、和本發明 之綠色螢光體的組合。此類藍色螢光體可列舉 BaMgAli〇〇17:Eu，紅色螢光體可列舉特願2003-394855中記 載的CaSiAINrEu。此構成下，若將LED或LD所發出之紫 外線照射至螢光體，則發光出紅、綠、藍三色光線，且經 由其混合成為白色的照明器具。 其他之手法為將420〜500nm之藍色LED或LD發光元件， 和以此波長所激發而於6 0 0 n m以上7 0 0 n m以下之波長中具 有發光波峯的紅色螢光體、和本發明之螢光體的組合。此 類红色螢光體可舉出有日本專利特願2 0 0 3 - 3 9 4 8 5 5中記載 的CaSiAINrEu。此構成下，若將LED或LD發出之藍色光 照射至螢光體，則發出紅、綠二色光線，且其與LED或LD 本身的藍色光混合成為白色或帶紅色調之電燈泡色之照明 27 312XP/發明說明書(補件)/94·07/94107494
200536927 器具。 其他之手法為將420〜500n m之藍色LED或LD、和 長所激發而於5 5 0 n m以上6 0 0 n m以下之波長具有發 的黃色或橙色螢光體、和本發明之螢光體的組合。 色或橙色之螢光體可列舉曰本專利特開平 9 - 2 1 8 Π 載的（Υ、G d ) 2 ( Α卜G a ) 5 0 ! 2 : C e或日本專利特開2 0 0 2 -中記載的α - σ塞吖龍：E u。其中以E u固溶的C a - α 0塞 為發光亮度高而為佳。此構成下，若將LED或LD發 色光照射至螢光體，則發出黃或橙色和綠色二色光 其與 LED或 LD本身的藍色光混合成為白色的照明 又，經由變化二種螢光體的配合量，則可調整成藍 白色、帶紅色調之電燈泡色之寬幅度顏色的光。 本發明之影像顯示裝置至少由激發源和本發明 體所構成，有螢光顯示管（V F D )、場射顯示器（F E D ) 顯示面板（P D P )、陰極線管（C R T )等。本發明之螢光 認以1 0 0〜1 9 0 n m之真空紫外線、1 9 0〜3 8 0 n Hi之紫外 子射線等之激發而發光，此些激發源與本發明之螢 組合下，則可構成如上述的影像顯示裝置。 其次根據以下所示之實施例更加詳細說明本發明 僅用於可幫助輕易理解本發明而揭示，本發明並非 於此些實施例。 (實施例1 ) 原料粉末為使用平均粒徑0 . 5 # m、氧含量0 . 9 3 : α型含量 9 2 %之氮化矽粉末、比表面積 3 . 3 m2 / g、 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 以此波 光波峯 此類黃 9中記 363554 吖龍因 出之藍 線，且 器具。 白光、 之螢光 、電漿 體被確 線、電 光體的 ，但其 被限定 I；量 ％、 氧含量 28 200536927 0 . 7 9 %之氮化鋁粉末、純度9 9 . 9 %之氧化銪粉末。 欲取得組成式 E U G .。G 2 9 6 S i。_ 4 1 3 9 5 A 1 0 . G 1 3 3 4 0 ◦ . Q CM “ Ν ϋ · 5 6 5 2 8 所示 之化合物（表2中示出設計組成、表3中示出原料粉末之混 合組成和煅燒溫度），將氮化矽粉末與氮化鋁粉末與氧化銪 粉末，分別以9 4 . 7 7重量％、2 · 6 8重量％、2 · 5 5 6重量％般秤 量，且使用氮化矽燒結體製之鍋和氮化矽燒結體製之球和 正已烷以濕式球磨混合2小時。
以旋轉蒸發器除去正已烷，取得混合粉體的乾燥物。所 得之混合物使用瑪瑙乳鉢和乳棒粉碎後，通過 5 0 0 // in之 篩，則可取得流動性優良的粉體凝集體。將此粉體凝集體 自然落下裝入直徑 2 0 m m 高度 2 0 m in大小之氮化蝴製掛禍 時，堆積密度為3 0體積％。堆積密度為由投入粉體凝集體 之重量和坩堝之内容積計算。 其次，將坩堝安裝至石墨電阻加熱方式的電爐。烺燒操 作為首先以擴散泵將煅燒環境抽成真空，且由室溫至 8 0 0 °C為止以每小時5 0 0 °C之速度加熱，於8 0 0 °C下導入純度為 9 9 · 9 9 9體積％的氮且令壓力為1 Μ P a，以每小時5 0 0 °C升溫 至1 9 0 0 °C為止，且於1 9 0 0 °C保持8小時。 將合成之試料使用瑪瑙之乳鉢粉碎成粉末，並使用 Cu 之K (2射線進行粉末X射線繞射測定（X R D )。結果，所得之 圖表為圖1所示之圖型，具有/3型氮化矽構造，組成分析 為含有A 1和0，故可知生成/3型噻吖龍。將此所得之煅燒 體粗粉碎後，以氮化矽製之乳鉢和乳棒施以粉碎。測定粒 度分佈時，平均粒徑為4 // ηι。 29 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 以下述方法進行此粉末的組成分析。首先，將試料 5 0 毫克放入鉑坩堝中，添加碳酸鈉0 . 5克和硼酸0 . 2克且加 熱熔解後，溶於鹽酸2毫升且以1 0 0毫升定容製作測定用 溶液。將此液體試料進行I C Ρ發光分光分析，定量粉體試 料中之S i、A 1、E u、C a量。又，將試料2 0毫克投入錫膠 囊中，並將其放入鎳藍，使用LECO公司製TC-436型氧氮 分析計，定量粉體試料中之氧和氮。
更且，為了定量粉末中之微量成分的雜質量，將試料5 0 毫克和石墨粉末5 0毫克混合並充填至石墨電極，並使用曰 本嘉雷雅敘製之CID-DCA發光分光分析裝置，定量B、Fe、 C a、M g、A 1、C r之雜質量。以I C P發光分光分析及氧氮分 析計之測定結果為E u : 2 . 1 6 ± 0 . 0 2質量％、S i : 5 5 . 6 ± 0 . 1質 量 ％、A 1 : 1 . 6 4 ± 1 質量 ％、N : 3 8 . 0 ± 0 . 1 質量 ％、0 : 2 . 1 ± 0 . 1 質 量％ 〇 由全元素之分析結果所計算之合成無機化合物的組成 (原子數表示）為 EU0.DG29GSiG.4(H27Al0.()1210〇0.G2679N〇.55391。若 與表 2 所 示之設 計組成 (E U 0 . 0 0 2 9 6 S i 0 · 4 1 3 9 5 A 1 0 · 0 1 3 3 4 0 0 · Ο (M 4 4 N 0 · 5 6 5 2 8 )相比較，貝1J 氧含量 特別高。其理由係因使用作為原料之氮化矽、氮化鋁中所 含的雜質氧。本發明之噻吖龍組成於理想上為 S i g - z A 1 ζ Ο z N 8 - z (但0 < z < 4 . 2 )的組成，於此組成中一部分之N 被0取代者亦被包含於本發明之範圍，且於此情況下亦可 取得高亮度的綠色螢光體。
又，以C I D - D C A發光分光分析所檢測出的雜質元素為Y 30 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 為0 . 0 0 9質量％、B為0 . 0 0 1質量％、F e為0 . 0 0 3質量％、C a 為Ο . Ο Ο 1質量％以下、Μ g為Ο · Ο Ο 1質量％以下、C r為Ο . ◦ Ο 1 質量％以下。 此粉末之形態以掃描型電子顯微鏡（S Ε Μ )觀察。如圖2 所示般，確認短徑 1 0 0〜5 0 0 n m且長徑 4 μ m左右的針狀結 晶。此類形態之結晶為於自由空間中經由氣相或液相顯示 結晶成長，與1 8 0 0 °C以下之低溫下合成為本質上不同。
將此粉末之形態以穿透型電子顯微鏡（T Ε Μ)觀察（圖 3 - 1、圖 3 - 2 )。如圖 3 - 1所示般，粒子為以不存在粒界相 的單結晶，粒内之缺陷少為其特徵。又，若根據高解像度 之觀察（圖3 - 2 )，則於單結晶粒子的表面存在0 · 7 n m的非 晶質相，但確認不存在其他之非晶質及結晶質之相。 還有，此非晶質相為經由粒子表面被氧化之氧化矽。為 調查此粒子内的E u存在，使用Τ Ε Μ附屬的電子射線能量損 失分析器（Ε E L S )測定E u的光譜（圖3 - 3 )。粒子表面（圖3 - 3 中之圖表（a))與粒子中央（圖3-3中之圖表（b))顯示Eu之 電子狀態的光譜為幾乎完全相同，確認其與參照試料氧化 銪（Eu2〇3;圖3-3中之圖表（c))的光譜相同。即，Eu為存 在於粒内，確認無不良分布於非晶質的表面相者。 此粉末的均勻性，以具有陰極發光（C L)檢測器的S Ε Μ觀 察，評估陰極發光像（C L像）。此裝置為根據照射電子射線 檢測所發生之可見光且以二次元資料之照片影像型式取 得，以判明於何處發出何種波長的光。根據圖4 - 1之發光 光譜觀察，確認此螢光體為以電子射線激發顯示5 3 0 n m波 31 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 長的綠色發光。又，若根據觀察數十個粒子的 C L像（圖 4 - 2 )，則確認無特定部位為發光之處所且粒子内均勻發出 綠光。又，確認無特別強發光的粒子，數十個全粒子為均 勻發出綠光。 還有，以C L像觀察到白色部分為發出5 3 0 n m光的部分， 以白黑濃淡顯示下愈白者，則表示綠色的發光愈強。 若综合以上之XRD圖表、SEM像、ΤΕΜ像、EELS光譜、 CL像之觀察結果，則本粉末被確認為
(1 )以具有石型 S i 3 N 4構造之点-噻吖龍作為母體結晶， 且於其中固溶有Eu的無機物質， (2)組成為 Eu〇. 0029〇S i 0. 40427A 1 0. 01210〇0. 02679N〇. 55391 (3 ) E u為於y3 -噻吖龍之結晶中均勻分佈， (4 )未形成第二相或粒界相等之其他相，為單相之物質， (5 )各粒子為一個的單結晶， (6 )各粒子為均勻發光。 具有此類特徵的螢光體為未於先前報導，為本發明者等 人首先發現。 對此粉末，以發出波長3 6 5 n m光之燈照射，結果確認綠 色發光。使用螢光分光光度計測定此粉末之發光光譜及激 發光譜（圖5 )，結果得知此粉末為於3 0 3 n in中具有激發光 言普的波峯且於3 0 3 n m激發之發光光譜中，於5 3 5 η m之綠色 光具有波峯的螢光體。 波峯之發光強度為3 9 4 8計數（c 〇 u n t )。還有，計數值為 根據測定裝置或條件而變化，故單位為任意單位。即，僅 32 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 比較於同一條件下測定的本實施例及比較例内。以 3 0 3 n m 激發所發出之光的CIE色度為x二0.32、y二0.64之綠色。 根據實施例1同樣之手法，步驟再進行實施例2〜2 4。其 設計組成及原料粉末之混合組成整理示於表2、表3。 表2
實施例 設計組成（原子比） Eu Si A 1 〇 N 1 0. 002966 0. 413952 0.013348 0. 004449 0. 565284 2 0. 001427 0.4 2 1 5 4 1— 0. 006419 0. 002140 0.568474 3 0.004415 0.419426 0. 005151 0. 006623 0.564386 4 0.001478 0.421286 0.006652 0.002217 0.568367 5 0. 000444 0.421941 0.007180 0. 000666 0.569768 6 0.009105 0.409712 0.010622 0.013657 0.556904 7 0. 003063 0.413476 0.013783 0.004594 0.565084 8 0.000922 0.414810 0.014902 0. 001383 0.567983 9 0.000308 0.415193 0.015224 0. 000461 0.568814 10 0. 019417 0. 3883501 0.022654 0.029126 0.540453 11 0. 006601 0.396040 0.029703 0.009901 0. 557756 12 0.001994 0.398804 0. 032237 0.002991 0.563975 13 0.000666 0.399600 0.032967 0. 000999 0. 565768 14 0. 001069 0.391808 0.035619 0.037222 0.534283 15 0.000357 0.392507 0.035682 0. 036218 0.535236 16 0. 001069 0.356189 0.071238 0.072841 0.498664 17 0. 000357 0.356824 0. 071365 0. 071900 0.499554 18 0. 000119 0.357037 0.071407 0.071586 0.499851 19 0. 000119 0.285629 0. 1 4 2 8 1 5 0. 1 4 2 9 9 3 0. 428444 20 0. 000922 0.414810 0.014902 0. 001383 0.567983 2 1 0. 000922 0.414810 0. 014902 0. 001383 0. 567983 22 0.000999 0.399401 0. 032784 0. 001498 0. 565319 23 0. 000999 0. 399401 0. 032784 0. 001498 0.565319 24 0. 001089 0. 381194 0. 053912 0. 001634 0.562171 25 0. 001089 0.381194 0.053912 0.001634 0.562171 26 0. 001198 0.359353 0. 079257 0.001797 0.558395 27 0. 000881 0.422970 0.005434 0. 001322 0. 569393 28 0.000881 0.422970 0.005434 0. 001322 0.569393 29 0. 000894 0.420331 0.008496 0. 001341 0. 568937 30 0. 000894 0.420331 0.008496 0. 001341 0.568937 比較例 設計組成（原子比） Eu Si A 1 0 N 1 0. 000000 0.392857 0. 035714 0. 035714 0. 535714 2 0. 000858 0.427652 0. 000000 0.001287 0.570203 3 0. 004415 0.419426 0.005151 0.006623 0.564386 4 0. 001478 0.421286 0.006652 0. 002217 0.568367 5 0. 000444 0.421941 0. 007180 0.000666 0. 569768 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94107494 33 200536927
表3 .混合組成和煅燒溫度 實施例 混合組成（質量％ ) 煅燒溫度 °C S 1 3N4 A 1 N A 1 2 〇 3 E U 2 0 3 1 94.770 2.680 0.000 2.556 1900 2 97.460 1.300 0.000 1.241 1900 3 95.200 1.030 0.000 3.771 1900 4 97. 370 1.350 0.000 1.286 1900 5 98.150 1.460 0.000 0.389 1900 6 90. 390 2.050 0.000 7.559 1900 7 94. 600 2.760 0.000 2.637 1900 8 96.170 3.030 0.000 0.804 1900 9 96. 630 3.110 0.000 0.269 1900 10 80. 690 4.130 0.000 15. 183 1900 11 88.620 5.830 0.000 5.558 1900 12 91. 770 6.500 0.000 1.727 1900 13 92. 710 6.710 0.000 0.582 1900 14 90. 670 2.410 5.990 0.931 2 0 0 0 15 91.240 2.420 6.030 0.312 2 0 0 0 16 82.300 4.810 11.960 0.929 2 0 0 0 17 82.810 4.840 12.040 0.312 2 0 0 0 18 82. 980 4.850 12.060 0.104 2 0 0 0 19 66. 180 9.670 24.050 0.104 2 0 0 0 20 96.170 3.030 0.000 0.804 1900 2 1 96. 170 3.030 0.000 0.804 2 0 0 0 22 92.480 6.650 0.000 0.870 1900 23 92. 480 6.650 0.000 0.870 2 0 0 0 24 88. 130 10.930 0.000 0.948 1900 25 88. 130 10. 930 0.000 0.948 2 0 0 0 26 82.930 16.030 0.000 1.040 1900 27 98. 130 1.110 0.000 0.770 1900 28 98. 130 1.110 0.000 0.770 2 0 0 0 29 97.490 1.730 0.000 0.780 1900 30 97.490 1.730 0.000 0.780 2 0 0 0 實施例 混合組成（質量％ ) 煅燒溫度 °C SisN4 AIN A 1 2 0 3 E U 2 0 3 1 91.521 2.431 6.048 0.000 2 0 0 0 2 99.251 0.000 0.000 0.749 2 0 0 0 3 95.200 1.030 0.000 3.771 1900 4 97.370 1.350 0.000 1.286 1900 5 98.150 1.460 0.000 0.389 1900 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 34
200536927 (實施例2〜2 4 ) 使用與實施例1相同之原料粉末，欲取得表2所示 成，將氮化矽粉末與氮化鋁粉末與氧化銪粉末以指定 量，且使用氮化矽燒結體製之鍋和氮化矽燒結體製之 正己烷以濕式球磨混合2小時。 以旋轉蒸發器除去正己烷，取得混合粉體的乾燥物 得之混合物使用瑪瑙乳鉢和乳棒粉碎後，通過 5 0 0 // 篩，則可取得流動性優良的粉體凝集體。 將此粉體凝集體自然落下裝入直徑2 0 m m高度2 0 m m 之氮化硼製坩堝。其次，將坩堝安裝至石墨電阻加熱 的電爐。烺燒操作為首先以擴散泵將煅燒環境抽成真 且由室溫至8 0 0 °C為止以每小時5 0 0 °C之速度加熱，於 °C下導入純度為9 9 . 9 9 9體積％的氮且令壓力為1 Μ P a， 小時5 0 0 °C升溫至1 9 0 0 °C或2 0 0 0 °C為止，且以此溫度 2小時。 所得之煅燒物全部為含有 5 0質量％以上之/3型 S i 3 yS型噻吖龍，進行螢光分光測定時如表3所示般以紫 至可見光激發取得於5 0 0 n m〜5 5 0 n m間之波長發出具有 之綠色螢光體。以下於表4中整理示出上述實施例及 比較例的光學特性。 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 之組 量秤 球和 。所 Π1 之 大小 方式 空， 800 以每 保持 N 4或 外線 波峯 述 35 200536927 表4 . 實施例及比較例之螢光特性 實施例 煅燒溫度 °C 激發波長 (nm ) 發光波長 (nm ) 強度 任意單位 1 1900 303 535 3 9 4 8 2 1900 300 525 648 3 1900 298 524 95 4 1900 299 525 428 5 1900 299 525 73 1 6 1900 300 526 279 7 1900 300 527 1437 8 1900 300 527 1861 9 1900 299 526 960 10 1900 299 527 292 11 1900 300 535 340 12 1900 300 528 1553 13 1900 298 528 1783 14 2 0 0 0 466 538 302 15 2 0 0 0 305 535 677 16 2 0 0 0 467 544 1366 17 2 0 0 0 308 543 1962 18 2 0 0 0 306 542 149 1 19 2 0 0 0 405 546 1767 20 1900 30 1 534 3 9 9 6 2 1 2 0 0 0 307 535 6 5 4 5 22 1900 303 535 4 3 9 1 23 2 0 0 0 304 530 4 8 2 6 24 1900 303 529 2 9 9 6 25 2 0 0 0 305 528 4 2 4 8 26 1900 302 529 3 5 4 4 27 1900 302 526 2812 28 2 0 0 0 302 527 2 0 7 9 29 1900 302 528 5215 30 2 0 0 0 30 1 528 4 183 實施例 烺燒溫度 °C 激發波長 (nm ) 發光波長 (nm ) 強度 任意單位 1 2 0 0 0 2 2 0 0 0 344 592 285 3 1800 266 4 15 127 1 4 1800 268 4 14 2 0 2 4 5 1800 268 4 14 2318
(比較例1〜5 ) 除了表2及表3所示之組成及煅燒溫度以外，為以實施 例2〜2 4同樣之手法作成無機化合物粉末。 ‘ 比較例1雖接近實施例1 4之組成，但不含有E u。於2 0 0 0 °C下煅燒2小時所得之無機化合物為z = 0 . 5的/3 -噻吖龍， 36 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 但因不含有E u，故即使以2 0 0 n m〜5 0 0 n m範圍之光激發，亦 完全不發光。 比較例2雖接近實施例2 0之組成，但不含有A卜於2 0 0 0 - °C下烺燒 2小時所得之無機化合物為/3 - S i 3 N 4，但於此條 . 件下E u未於粒内固溶且殘留於粒界玻璃相，故如圖6所示 般未顯示綠色的發光。 比較例3〜5為分別與實施例1 6〜1 8相同之組成，但煅燒 溫度低。於1 8 0 0 °C下煅燒2小時所得之無機化合物為z二1 ® 的/3 -噻吖龍，但因煅燒溫度低，故E u之大部分未於粒内 固溶且以粒界相型式殘留，故若以紫外線激發，則如圖 7 所示般為藍色之發光，未顯示出綠色的發光。 (比較例6 ) 欲 合 成 專 利 文 獻 5 之 : 實 施例 23 中 言己： 载 之 Si 3 A 12.97 E u 〇 .03 0 8 .0 3 N4 • 9 7組 成 之 含 有 Eu 之 Ζ =3 的β - 噻 吖 龍 ，秤量 48 .828 重 量 %之 Si 3n^ 1粉 ‘末 、和 1 3 .84 重 量％之 .k 1 N 粉 末 、和 35 • 49 重 量 %之A 1 2 0 3 粉 末 、和 1 . 84 重 量 %之 E u ： 2 0 3 粉 末 ，並 根 據 實 施 例 1同 樣 之 手 法 、步 驟 製 作 混 合粉 末 Ο 將 其 使用 與 施 例 1 相同 之 煅 燒 爐 並於 專 利 文 獻 5之 實 施 例 2 3 1己 載之煅： 燒^ 條 件之 1 氣 壓 的 氮中 以 1 5 5 0 〇C 煅 燒 3 小 時 Ο 測 定所 得 粉 末 之 激 發發 光 光 譜 時 ，如圖ί !所 示 L為4 10 n m
波長之紫色發光，與本發明之綠色發光不同。 (實施例3 1 ) 將與實施例1相同組成之粉末，使用氮化矽燒結體製之 37 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927
鍋和氮化矽燒結體製之球和正己烷以濕式球磨混合 2小 時。以旋轉蒸發器除去正己烷，取得混合粉體的乾燥物。 所得之混合物使用瑪瑙乳鉢和乳棒粉碎後，通過 5 0 0 // m 之篩，則可取得流動性優良的粉體凝集體，並充填至氮化 硼製之坩堝。其次，將坩堝安裝至石墨電阻加熱方式的電 爐。煅燒操作為首先以擴散泵將煅燒環境抽成真空，且由 室溫至8 0 0 °C為止以每小時5 0 0 °C之速度加熱，於8 0 0 °C下 導入純度為9 9 . 9 9 9體積％的氮且令壓力為1 Μ P a，以每小時 5 0 0 °C升溫至2 0 0 0 °C為止，且於2 0 0 0 °C保持8小時後，於 1 7 0 0 °C下施以熱處理2 4小時。 所得之煅燒物以氮化矽製之乳鉢輕輕粉碎後，於鐵弗龍 製燒杯中投入粉末約5克，並於其中添加蒸餾水3 8 0毫升 和氫氟酸（和光純藥製、特級、4 6 %濃度）1 0毫升和硫酸（和 光純藥製、特級、9 5 %濃度）1 0毫升，且以磁攪拌子進行2 小時攪拌混合。其後，以蒸餾水洗淨除去酸。 酸處理前及酸處理後之激發發光光譜分別示於圖9和圖 1 0。經由本步驟，取得高亮度的綠色螢光體。酸處理後之 螢光體為超過市售之YAG:Ce之綠色螢光體的發光強度。將 本粉末以掃描型電子顯微鏡觀察時，為粒徑3 // m左右之縱 橫比為接近1的球狀粉末。更且，以高分解能力之穿透型 電子顯微鏡觀察時，確認於結晶内存在面缺陷且Eu存在於 缺陷部。 其次，說明關於使用本發明之氮化物所構成之螢光體的 照明器具。 38 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 圖1 1為作為照明器具之白色L E D的概略構造圖。 使用4 6 0 n m之藍色L E D 2作為發光元件，並令本發明實施 例 1 之螢光體、與具有 Ca0.75Eu0.25Si8.625Al3.375O1.125N14.875 組成之 C a - α噻吖龍：E U的黃色螢光體於樹脂層分散作成 於藍色LED2上覆蓋的構造。
若於導電性端子流過電流，則該L E D 2發出4 6 0 n m之光， 且以此光激發黃色螢光體及綠色螢光體並發出黃色及綠色 之光，可作用為將L E D之光與黃色及綠色混合發出白色光 的照明裝置。此照明器具與使用黃色螢光體單體之情況比 較下因為有綠色成分，故演色性高。 示出根據與上述配合不同之配合設計所製作的照明裝 置。首先，使用460nm之藍色LED作為發光元件，並令本 發明實施例1之螢光體、與紅色螢光體（C a S i A 1 N 3 : E u )於樹 脂層中分散作成於紫外光LED上覆蓋的構造。若於導電性 端子流過電流，則L E D發出4 6 0 n m之光，且以此光激發紅 色螢光體和綠色螢光體並發出紅色和綠色之光。可作用為 將LED本身發出的藍色光與來自此些螢光體之光混合發出 白色光的照明裝置。 進一步示出根據與上述配合不同之配合設計所製作的照 明裝置。 首先，使用3 8 0 n m之紫外光L E D作為發光元件，並令本 發明實施例 1之螢光體、與藍色螢光體（BaMgA 1 Eu)
和紅色螢光體（C a S i A 1 N 3 : E u )於樹脂層中分散作成於紫外 光LED上覆蓋的構造。若於導電性端子流過電流，則LED 39 3 ΠΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 發出3 8 0 n m之光，且以此光激發紅色螢光體和綠色螢光體 和藍色螢光體並發出紅色和綠色和藍色之光。可作用為將 此些光混合發出白色光的照明裝置。 其次，說明關於使用本發明之氮化物螢光體之影像顯示 裝置的設計例。
圖 1 2為作為影像顯示裝置之電漿顯示面板的原理概略 圖。將本發明實施例 1 之綠色螢光體和紅色螢光體 (Y(PV)OrEu)及藍色螢光體（BaMgAl"〇17:Eu)分別塗佈至 元件11、12、13的内面。若於電極14、15、16、17通電， 則於元件中經由X e放電而發生真空紫外線，如此激發螢光 體，且發出紅、綠、藍的可見光，且此光為透過保護層2 0、 介電體層1 9、玻璃基板2 2由外側觀察，可作用為影像顯 示之機能。 (產業上之可利用性） 本發明之氮化物螢光體為示出與先前之嗟吖龍或氧氮化 物螢光體不同的綠色發光，更且曝露於激發源時之螢光體 的亮度降低少，故為適合使用於VFD、FED、PDP、CRT、白 色L E D等的氮化物螢光體。今後，於各種顯示裝置之材料 設計中，可大為活用，且可期待有助於產業的發展。 【圖式簡單說明】 圖1為實施例1之無機化合物的X射線繞射圖。 圖2為顯示實施例1之無機化合物的掃描型電子顯微鏡 (SEM)像圖。 圖3 - 1為顯示出實施例1之無機化合物的穿透型電子顯 40 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 微鏡（Τ Ε Μ )像圖。 圖3 - 2為將實施例1之無機化合物的穿透型電子顯微鏡 (Τ Ε Μ )像以高解像度表示之圖。 ， 圖3 - 3為顯示出以Τ Ε Μ所附屬之電子射線能量損失分析 • 器（Ε E L S )之粒子内E u的觀測光譜圖。 圖4 - 1為顯示出實施例1之無機化合物之發光特性的發 光光譜。 圖4 - 2為顯示出實施例1之無機化合物以陰極發光檢測 ®器（CL)觀察之像圖。 圖5為實施例1之以螢光測定的激發光譜和發光光譜。 圖6為比較例2之發光光譜。 圖7為比較例3〜5之發光光譜。 圖8為比較例6之發光光譜。 圖9為實施例3 1之酸處理前的發光光譜。 圖1 0為比較例3 1之酸處理後的發光光譜。
圖 1 1為根據本發明之照明器具（L E D照明器具）的概略 圖。 圖 1 2為根據本發明之影像顯示裝置（電漿顯示面板）的 概略圖。 【主要元件符號說明】 1 本發明之綠色螢光體（實施例 1 )和紅色螢光體和 藍色螢光體的混合物；或本發明之綠色螢光體（實 施例1 )和紅色螢光體的混合物；或本發明之綠色 螢光體（實施例1)和黃色螢光體的混合物 41 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 2 LED晶片 3、4 導電性端子 5 電線黏合（w i r e b ο n d ) * 6 樹脂層 . 7 容器 8 紅色螢光體 9 綠色螢光體 10 藍色螢光體 β 1 1、1 2、1 3 紫外線發光元件 1 4、1 5、1 6、1 7 電極 1 8、1 9 介電體層 2 0 保護層 21 > 22 玻璃基板
312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94107494 42

Claims (1)

  1. 200536927 十、申請專利範圍： 1. 一種螢光體，其特徵為，含有使 Eu固溶於具有/3型 S 1 3 N 4結晶構造之結晶中之氮化物或氧氮化物之結晶，且經 、 由照射激發源，於波長5 0 0 n m至6 0 0 n m範圍之波長中發出 . 具有波萘的螢光。 2 .如申請專利範圍第1項之螢光體，其中，該具有冷型 S i 3 N 4結晶構造的結晶為型噻吖龍（S i 6 - z A 1 ζ 0 z N 8 - z，其中0 S z S 4· 2) 〇
    3.如申請專利範圍第2項之螢光體，其中，該z值為0 4.如申請專利範圍第1至 3項中任一項之螢光體，其 中，該氮化物或氧氮化物之結晶中所含之 E u、A (其中，A 為選自C、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In之一種或二種以上 之元素）及X(其中，X為選自0、N之一種或二種之元素） 以組成式EuaAbXc(式中，a + b + c= l)表示時，式中之a、b、 c滿足下列之關係（i )〜（i i i ): 0. 0 0 0 0 1 ^ 0. 1 0. 38^ b ^ 0· 46 ........(i i ) 0· 54^ c ^ 0. 62 ........(ii i) 〇 5. 如申 請專利範圍第 1 至 4 項 中任一項 之 螢 光 體， 其 中 5 該 氮 化 物或 氧 氮 化 物 之結晶 以 組 成 式 Eu aS ibiAl b 2 0 c iNc 2(式中 ，a + b 1 + b2 + C 1 + C 2 = 1 )表 示 時 式中 之 a、 b 1、b: i、 C 1 、 C2滿足 下 列之 關 係 (i )〜（v ): 0. 0 0 0 ( )1 ^ 0. 1 * (i) 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 43 200536927 0.28^ b.^ 0.46 ............... ( i l ) 0. 001 ^ b2^ 0. 3 ............... (iii) 0. 001^ c.^ 0.3 ............... (iv) 0 . 4 ^ C2 ^ 0 . 6 2 ............... ( v)。 6 .如申請專利範圍第5項之螢光體，其中，於 E U a S i b 1 A 1 b 2 0 c 1 N c 2 中，b 1 與 b 2 之關係及 C 1 與 C 2 之 該組成式 關係滿足 下列之關係：
    0.41^ bi + b2 ^ 0.44 0. 56S C1 + C2S 0. 59 〇
    7. 如申請專利範圍第 1至 6項中任一項之螢 中，該激發源為具有1 0 0 n m以上5 0 0 n m以下之波 線或可見光。 8. 如申請專利範圍第7項之螢光體，其中，該 具有400nm以上500nm以下之波長的紫色或藍色 9. 如申請專利範圍第1至 6項中任一項之螢 中，該激發源為電子射線或X射線。 1 〇 ·如申請專利範圍第1至9項中任一項之螢 中，波峯波長為500ηπι以上550nm以下之範圍。 1 1 ·如申請專利範圍第1至1 0項中任一項之螢 中，照射該激發源時發光之顏色以C I E色度座標 y )值表示，X、y滿足下列之關係（i )、（ i i ): 光體，其 長的紫外 激發源為 光。 光體，其 光體，其 光體，其 上的（X、 0. 5 ^ y ^ 0. 83 ..................... ( i i ) 〇 1 2 .如申請專利範圍第1至1 1項中任一項之螢 光體，其 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 44
    200536927 中，該氮化物或氧氮化物之結晶包含平均粒徑 5 0 n m以 2 0 // m以下的單結晶。 1 3 .如申請專利範圍第1至1 2項中任一項之螢光體， 中，該氮化物或氧氮化物之結晶為具有縱橫比之平均值 1 . 5以上2 0以下之值的單結晶。 1 4 .如申請專利範圍第1至1 3項中任一項之螢光體， 中，該氮化物或氧氮化物之結晶中所含的F e、C 〇、N i雜 元素合計為500ρρπι以下。 1 5 .如申請專利範圍第1至1 4項中任一項之螢光體， 中，該氮化物或氧氮化物之結晶為以含有其他結晶質或 晶質化合物之混合物型式生成，且於該混合物中之該氮 物或氧氮化物之結晶含量為5 0質量％以上。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之螢光體，其中，該其他 晶質或非晶質化合物為導電性的無機化合物。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之螢光體，其中，該導電 之無機化合物為含有選自211、68、111、311之一種或二種 上元素的氧化物、氧氮化物或氮化物、或該等之混合物 1 8 · —種製造申請專利範圍第1至1 7項中任一項之螢 之螢光體的製造方法，其特徵為，包含令原料混合物於 氣環境中以 1 8 2 0 °C以上 2 2 0 0 °C以下之溫度範圍煅燒的 驟。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之螢光體的製造方法， 中，該原料混合物含有Eu之金屬、氧化物、碳酸鹽、氮 物、氟化物、氣化物或氧氮化物；氮化矽；和氮化鋁。 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94 ] 07494 上 其 為 其 質 其 非 化 結 性 以 〇 體 氮 步 其 化 45 200536927 2 0 .如申請專利範圍第 1 8或 1 9項之螢光體的製造方 法，其中，於該煅燒步驟中，該氮氣環境為 0 · 1 Μ P a以上 1 0 0 Μ P a以下之壓力範圍的氮氣環境。 - 2 1 .如申請專利範圍第1 8至2 0項中任一項之螢光體的 . 製造方法，其中，進一步包含於該煅燒步驟前，將粉體或 凝集體形狀之金屬化合物以保持於堆積密度 4 0 %以下之充 填率的狀態充填至容器以取得該原料混合物的步驟。 2 2 .如申請專利範圍第 2 1項之螢光體的製造方法，其 Φ中，該容器為氮化硼製。 2 3 .如申請專利範圍第 2 1或 2 2項之螢光體的製造方 法，其中，該金屬化合物之凝集體的平均粒徑為 5 0 0 // in 以下 。 2 4.如申請專利範圍第 23項之螢光體的製造方法，其 中，進一步包含藉由喷霧乾燥器、分篩、或風力分級，將 該金屬化合物之凝集體的平均粒徑作成 5 0 0 // m 以下的步 驟。
    2 5 ·如申請專利範圍第1 8至2 4項中任一項之螢光體的 製造方法，其中，該煅燒手段非以熱加壓進行，而為以專 門的常壓燒結法或氣壓煅燒法進行的手段。 2 6 .如申請專利範圍第1 8至2 5項中任一項之營光體的 製造方法，其中，進一步包含經由選自粉碎、分級、酸處 理之一種或數種手法，將已煅燒的螢光體粒度調整至平均 粒徑為5 0 n m以上2 0 // hi以下之粉末的步驟。 2 7 ·如申請專利範圍第1 8至2 6項中任一項之螢光體的 46 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 200536927 製造方法，其中，進一步包含將該煅燒步驟後之螢光體、 或該粒度調整步驟後之螢光體，於1 0 0 0 °c以上且未滿該煅 燒步驟之煅燒溫度的溫度下進行熱處理的步驟。 ” 2 8 .如申請專利範圍第1 8至2 7項中任一項之螢光體的 . 製造方法，其中，該原料混合物含有於該煅燒步驟之煅燒 溫度以下的溫度下生成液相的無機化合物。 2 9.如申請專利範圍第 2 8項之螢光體的製造方法，其 中，於該煅燒溫度以下之溫度下生成液相的無機化合物含 ^ 有選自1^、^、1(、河运、〇8、31'、63之一種或二種以上之 元素的氟化物、氣化物、碘化物、溴化物或磷酸鹽之一種 或二種以上的混合物。 3 0 .如申請專利範圍第 2 9項之螢光體的製造方法，其 中，於該煅燒溫度以下之溫度下生成液相的無機化合物為 氟化妈。
    3 1 .如申請專利範圍第2 8至3 0項中任一項之螢光體的 製造方法，其中，該原料混合物係相對於該原料混合物1 0 0 重量份而含有0 . 1重量份以上1 0重量份以下之於該煅燒溫 度以下之溫度下生成液相之無機化合物。 3 2.如申請專利範圍第2 8至3 1項中任一項之螢光體的 製造方法，其中，進一步包含於該煅燒步驟後，以令在該 煅燒溫度以下之溫度下生成液相之無機化合物之含量減低 之方式，以溶劑進行洗淨的步驟。 3 3 . —種照明器具，係含有發光光源和螢光體者，其特 徵為，該螢光體包含申請專利範圍第1至1 7項中任一項之 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 47 200536927 螢光體。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之照明器具，其中，該發光 光源至少包含發生 330〜500nm 波長光之發光二極體 (LED)、雷射二極體（LD)、無機EL元件、有機EL元件之任 一者0 3 5.如申請專利範圍第3 3或3 4項之照明器具，其中， 該發光光源為發出 3 3 0〜4 2 0 n m波長光之發光二極體（L E D ) 或雷射二極體（L D )，
    該螢光體為包含經由330〜420nm之激發光而於420nm以 上5 0 0 nm以下之波長中具有發光波峯的藍色螢光體、和經 由33◦〜420nm之激發光而於600nm以上700ηηι以下之波長 中具有發光波峯的紅色螢光體， 且該照明器具混合藍色光和綠色光和紅色光而發出白 色光。 3 6 ·如申請專利範圍第3 3或3 4項之照明器具，其中， 該發光光源為發出 4 2 0〜5 0 0 n m波長光之發光二極體（L E D ) 或雷射二極體（L D )， 該螢光體包含經由420〜500nm之激發光而於600nm以上 7 0 0 n m以下之波長中具有發光波峯的紅色螢光體， 且該照明器具經由將發光光源之藍色光與螢光體所發 出之綠色光及紅色光混合而發出白色光。 3 7 ·如申請專利範圍第 3 3至 3 6項中任一項之照明器 具’其中，該螢光體進一步包含經由 300〜420nm 或 4 20〜500n in之激發光而於550 nm以上600ηιιι以下之波長中 48 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94〗07494
    200536927 具有發光波峯的黃色（或橙色）螢光體。 3 8.如申請專利範圍第3 3或3 4項之照明器具，其 該發光光源為發出420〜500ηπι波長光之LED或LD’ 該螢光體進一步包含經由 420〜500nm 之激發光 550nm以上600nm以下之波長中具有發光波萘的黃色（ 色）螢光體， 且該照明器具經由混合該發光光源之藍色光與螢 所發出之綠色光及黃色（或橙色）光而發出白色光。 3 9.如申請專利範圍第3 7或3 8項之照明器具，其 該黃色（或橙色）螢光體為令E u固溶的C a - α噻吖龍。 4 0.如申請專利範圍第3 6或3 8項之照明器具，其 該紅色螢光體含有於具有 C a A 1 S i Ν 3型結晶構造之無 質中固溶Eu的螢光體。 4 1 .如申請專利範圍第4 0項之照明器具，其中，該 C a A 1 S i N 3型結晶構造之無機物質為C a A 1 S i N 3。 4 2 . —種影像顯示裝置，係含有激發源和螢光體者 特徵為，該螢光體包含申請專利範圍第1項至1 7項中 項之螢光體。 4 3 ·如申請專利範圍第4 2項之影像顯示裝置，其中 影像顯示裝置至少包含螢光顯示管（VFD)、場射顯 (FED)、電漿顯示面板（P D P )、陰極射線管（C R T )之任一 3 12XP/發明說明書(補件)/94-07/94107494 中’ 而於 或橙 光體 中， 中， 機物 具有 ，其 任一 ，該 示器 者0 49
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI393765B (zh) * 2008-08-12 2013-04-21 三星電子股份有限公司 製備β－賽隆磷光體之方法
TWI447209B (zh) * 2010-09-09 2014-08-01 Denki Kagaku Kogyo Kk β型矽鋁氮氧化物之製造方法
TWI456307B (zh) * 2009-08-31 2014-10-11 夏普股份有限公司 液晶顯示裝置

Families Citing this family (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP3921545B2 (ja) * 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
KR101041311B1 (ko) 2004-04-27 2011-06-14 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치
JP4128564B2 (ja) * 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
JP4583076B2 (ja) * 2004-06-11 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 発光素子
JP2006282872A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Dowa Mining Co Ltd 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体、及びその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
JP4104013B2 (ja) * 2005-03-18 2008-06-18 株式会社フジクラ 発光デバイス及び照明装置
EP1865564B1 (en) 2005-03-18 2014-11-19 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
KR100987086B1 (ko) * 2005-03-22 2010-10-11 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체와 그 제조 방법 및 발광 기구
EP1867698B1 (en) 2005-03-22 2010-06-30 National Institute for Materials Science Phosphor and process for producing the same
JP2006273929A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Futaba Corp 電子線励起用蛍光体及び電子線励起蛍光発光素子
DE602006019414D1 (de) * 2005-05-12 2011-02-17 Nat Inst For Materials Science Fluoreszierende Sialonverbindung vom Beta-Typ
WO2006126567A1 (ja) 2005-05-24 2006-11-30 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその利用
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
WO2006134982A1 (ja) 2005-06-14 2006-12-21 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 蛍光体含有樹脂組成物およびシート、それらを用いた発光素子
JP2007088248A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujikura Ltd 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置
JP4879567B2 (ja) * 2005-11-25 2012-02-22 電気化学工業株式会社 サイアロン蛍光体の製造方法、それで得られた蛍光体を用いた照明器具
JP4769132B2 (ja) * 2005-11-30 2011-09-07 シャープ株式会社 発光装置
JP2011091414A (ja) * 2005-11-30 2011-05-06 Sharp Corp 発光装置
US8147715B2 (en) * 2005-12-08 2012-04-03 National Institute For Materials Science Phosphor, process for producing the same, and luminescent device
EP1964904B1 (en) 2005-12-08 2011-04-13 National Institute for Materials Science Phosphor, process for producing the same, and luminescent device
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
EP1997865B1 (en) 2006-02-24 2013-11-06 National Institute for Materials Science Phosphor, method for producing same, and light-emitting device
EP2308946B1 (en) 2006-03-10 2013-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Luminescent material and light-emitting device
WO2007129713A1 (ja) 2006-05-10 2007-11-15 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha サイアロン蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた照明器具及び発光素子
JP5122765B2 (ja) * 2006-06-09 2013-01-16 電気化学工業株式会社 蛍光体の製造方法、蛍光体と照明器具
JP2008019407A (ja) * 2006-06-12 2008-01-31 Sharp Corp 蛍光体の製造方法、蛍光体、半導体発光装置および画像表示装置
KR101108975B1 (ko) * 2006-08-14 2012-05-30 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 발광 디바이스 및 조명장치
JP2008120938A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Sharp Corp 蛍光体およびその製造方法、ならびに半導体発光装置および画像表示装置
JP4785711B2 (ja) * 2006-11-14 2011-10-05 シャープ株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
EP2093272B1 (en) * 2006-11-20 2016-11-02 Denka Company Limited Fluorescent substance and production method thereof, and light emitting device
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
WO2008084848A1 (ja) 2007-01-12 2008-07-17 National Institute For Materials Science 蛍光体、その製造方法および発光器具
JP2008208238A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Showa Denko Kk 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを備えた照明器具と画像表示装置
JP2008244468A (ja) * 2007-02-28 2008-10-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
US20110006168A1 (en) * 2007-03-20 2011-01-13 Spectrum Metal Solutions, LLC Support rails
JP2007262417A (ja) * 2007-05-18 2007-10-11 National Institute For Materials Science 蛍光体
US9279079B2 (en) 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
JP2009010315A (ja) * 2007-05-30 2009-01-15 Sharp Corp 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置
EP2175006B1 (en) 2007-07-09 2013-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Group of phosphor particles, and light-emitting device using the same
JPWO2009011205A1 (ja) * 2007-07-19 2010-09-16 シャープ株式会社 発光装置
WO2009017206A1 (ja) 2007-08-01 2009-02-05 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、結晶性窒化珪素及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
TW200910287A (en) * 2007-08-31 2009-03-01 Ledtech Electronics Corp Array type light-emitting device with high color rendering index
JP5578597B2 (ja) 2007-09-03 2014-08-27 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP2009076656A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Sharp Corp 発光装置、画像表示装置および液晶ディスプレイ
JP2009081187A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sharp Corp 半導体発光装置および画像表示装置
KR101213298B1 (ko) 2007-10-10 2012-12-18 우베 고산 가부시키가이샤 β-사이알론 형광체 분말 및 그 제조 방법
US8335037B2 (en) * 2007-10-24 2012-12-18 The University Of Tokyo Millimeter wave band nonreciprocal device
JP5000479B2 (ja) * 2007-12-27 2012-08-15 シャープ株式会社 面光源、表示装置及びその製造方法
CN102790164B (zh) 2008-03-03 2016-08-10 Ge磷光体技术有限责任公司 发光装置
JP5832713B2 (ja) * 2008-04-14 2015-12-16 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
JP5592602B2 (ja) 2008-07-31 2014-09-17 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
DE112009001977T5 (de) 2008-08-12 2012-01-26 Samsung Led Co.,Ltd. Verfahren zur Herstellung eines ß-SiAION-Leuchtstoffs
GB2474413B8 (en) * 2008-08-12 2013-02-13 Samsung Led Co Ltd Method for producing a ß-SiA1ON phosphor
JP4879950B2 (ja) * 2008-10-29 2012-02-22 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法
JP5641384B2 (ja) 2008-11-28 2014-12-17 独立行政法人物質・材料研究機構 表示装置用照明装置及び表示装置
JP4772105B2 (ja) * 2008-12-10 2011-09-14 シャープ株式会社 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置
US9708531B2 (en) 2009-02-26 2017-07-18 Nichia Corporation Fluorescent substance, method of manufacturing the fluorescent substance, and light emitting device using the fluorescent substance
EP2418265A4 (en) * 2009-04-06 2012-09-19 Sharp Kk PHOSPHORESCENT PARTICLE GROUP, LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL TELEVISION RECEIVER
JP5368557B2 (ja) * 2009-06-09 2013-12-18 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体、その用途及びその製造方法
WO2011002087A1 (ja) * 2009-07-02 2011-01-06 シャープ株式会社 発光装置
JP5517037B2 (ja) * 2009-08-06 2014-06-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP2012003073A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Sharp Corp 液晶表示装置
KR101565988B1 (ko) 2009-10-23 2015-11-05 삼성전자주식회사 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치
JP5508817B2 (ja) * 2009-11-05 2014-06-04 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体の製造方法
EP2500399B1 (en) 2009-11-10 2018-05-30 Denka Company Limited Method for producing beta-sialon and light-emitting device using the same
EP2468836A4 (en) * 2010-01-08 2014-07-30 Sharp Kk PHOSPHORUS, LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE THEREWITH
KR101077990B1 (ko) * 2010-02-12 2011-10-31 삼성엘이디 주식회사 형광체, 발광장치, 면광원장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP5190475B2 (ja) 2010-02-19 2013-04-24 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP4740379B1 (ja) 2010-02-25 2011-08-03 電気化学工業株式会社 β型サイアロン蛍光体、その用途及びβ型サイアロン蛍光体の製造方法
JP2011225822A (ja) 2010-02-26 2011-11-10 Mitsubishi Chemicals Corp ハロリン酸塩蛍光体、それを用いた発光装置及び照明装置
EP2541630B1 (en) 2010-02-26 2017-05-31 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP4930649B1 (ja) * 2011-02-25 2012-05-16 三菱化学株式会社 ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置
KR101717668B1 (ko) 2010-03-26 2017-03-17 삼성전자주식회사 복합 결정 형광체, 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP2011225696A (ja) 2010-04-19 2011-11-10 Sharp Corp 赤色系発光蛍光体、その製造方法および赤色系発光蛍光体を用いた発光装置
CN101872825B (zh) * 2010-04-29 2013-05-15 华侨大学 制备低色温高显色性大功率白光led的方法
KR101450991B1 (ko) * 2010-05-13 2014-10-15 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 β 형 사이알론의 제조 방법, β 형 사이알론 및 그 이용 제품
JP2012001716A (ja) * 2010-05-20 2012-01-05 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた発光装置
JP2013173806A (ja) * 2010-06-14 2013-09-05 Denki Kagaku Kogyo Kk β型サイアロンの製造方法
JP2012060097A (ja) * 2010-06-25 2012-03-22 Mitsubishi Chemicals Corp 白色半導体発光装置
CN103080270A (zh) * 2010-07-20 2013-05-01 电气化学工业株式会社 β型赛隆、β型赛隆的制备方法和发光装置
WO2012014701A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 シャープ株式会社 発光装置
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
JP2012036265A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Sharp Corp 照明装置
WO2012023414A1 (ja) 2010-08-19 2012-02-23 宇部興産株式会社 珪窒化物蛍光体用窒化珪素粉末並びにそれを用いたＳｒ３Ａｌ３Ｓｉ１３Ｏ２Ｎ２１系蛍光体、β－サイアロン蛍光体及びそれらの製造方法
JP5672861B2 (ja) * 2010-08-27 2015-02-18 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
WO2012026592A1 (ja) 2010-08-27 2012-03-01 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、照明器具および画像表示装置
JP2013241478A (ja) * 2010-09-09 2013-12-05 Denki Kagaku Kogyo Kk β型サイアロン及び発光装置
JP5697387B2 (ja) * 2010-09-15 2015-04-08 電気化学工業株式会社 β型サイアロンの製造法
KR101417566B1 (ko) 2010-09-16 2014-07-08 덴키 가가쿠 고교 가부시기가이샤 β형 사이알론 및 그 제조방법 및 발광 장치
KR101215342B1 (ko) 2010-09-20 2012-12-26 삼성전자주식회사 사이알론 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한 발광소자 패키지
KR101214236B1 (ko) 2010-09-20 2012-12-20 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
EP2623580B1 (en) * 2010-09-27 2017-08-23 Denka Company Limited Process for production of beta-sialon
KR101225002B1 (ko) * 2010-09-27 2013-01-22 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
KR101871524B1 (ko) 2010-09-28 2018-06-26 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체 및 그것을 이용한 발광 장치
JP5331089B2 (ja) * 2010-11-15 2013-10-30 シャープ株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
EP2662430A4 (en) * 2010-12-10 2014-10-22 Denki Kagaku Kogyo Kk LIGHT-EMITTING BETA SIALON DEVICE AND APPLICATION THEREOF
EP3133135B1 (en) 2011-01-18 2019-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device
KR101214234B1 (ko) 2011-02-14 2012-12-20 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
JP5325959B2 (ja) * 2011-03-09 2013-10-23 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5360920B2 (ja) * 2011-04-08 2013-12-04 シャープ株式会社 蛍光体
JP2012025956A (ja) * 2011-08-11 2012-02-09 Denki Kagaku Kogyo Kk β型サイアロンの製造方法
JP5866870B2 (ja) * 2011-08-26 2016-02-24 三菱化学株式会社 発光装置
KR101876103B1 (ko) * 2011-10-12 2018-07-06 우베 고산 가부시키가이샤 산질화물 형광체 분말, 산질화물 형광체 분말 제조용 질화규소 분말 및 산질화물 형광체 분말의 제조 방법
EP2784143B1 (en) 2011-11-07 2016-10-05 National Institute for Materials Science Phosphor and production method therefor, and light emission device and image display device using phosphor
JP2015083617A (ja) * 2012-02-09 2015-04-30 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
JP5916410B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-11 デンカ株式会社 蛍光体及び発光装置
JP2015083618A (ja) * 2012-02-09 2015-04-30 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
EP2828124B1 (de) * 2012-03-22 2021-02-24 Schott AG Beleuchtungseinrichtung zur erzeugung von licht mit hoher leuchtdichte
WO2013147195A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 三菱化学株式会社 半導体発光装置、及び照明装置
EP2801599B1 (en) 2012-05-31 2016-01-13 National Institute for Materials Science Phosphor, method for manufacturing same, light emitting device, and image display device
US9534171B2 (en) 2012-06-27 2017-01-03 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing same, light emitting device, and image display device
JP5885175B2 (ja) 2012-07-25 2016-03-15 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体およびその製造方法、蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
US9631140B2 (en) 2013-01-23 2017-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP6040500B2 (ja) * 2013-04-25 2016-12-07 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
US9828547B2 (en) 2013-05-14 2017-11-28 National Institute For Materials Science Phosphor, production method for same, light-emitting device, image display device, pigment, and ultraviolet absorber
CN108305929B (zh) 2013-10-02 2021-02-05 Glbtech株式会社 具有高显色性的白光发光装置
JP6151373B2 (ja) 2013-11-08 2017-06-21 シャープ株式会社 発光装置、及び照明装置
CN105917475A (zh) 2014-01-28 2016-08-31 夏普株式会社 发光二极管驱动装置以及照明装置
US9872354B2 (en) 2014-04-08 2018-01-16 Sharp Kabushiki Kaisha LED drive circuit
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
JP6372368B2 (ja) * 2015-01-22 2018-08-15 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP6020756B1 (ja) 2015-05-29 2016-11-02 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
JP6024849B1 (ja) 2015-06-05 2016-11-16 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
JP6222288B2 (ja) 2015-08-07 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
CN105295908B (zh) * 2015-12-03 2017-06-16 河北利福光电技术有限公司 一种β‑SiAlON:Eu2+绿色荧光粉及其制备方法
CN105331361B (zh) * 2015-12-03 2017-09-19 河北利福光电技术有限公司 一种β‑SiAlON∶Eu2+绿色荧光粉及其合成方法
US10385267B2 (en) 2015-12-15 2019-08-20 Nichia Corporation Method for producing β-sialon fluorescent material
US11427758B2 (en) 2015-12-15 2022-08-30 Nichia Corporation Method for producing β-sialon fluorescent material
CN105623657B (zh) * 2016-01-29 2017-04-26 江苏博睿光电有限公司 一种含氮发光颗粒及其制备方法、含氮发光体和发光器件
US10968387B2 (en) 2016-03-28 2021-04-06 National Institute For Materials Science Phosphor, method for production same, light emitting device, image display, pigment and ultraviolet light absorber
US10894917B2 (en) 2016-05-30 2021-01-19 Nichia Corporation Method of producing beta-sialon fluorescent material
JP6536622B2 (ja) 2016-05-30 2019-07-03 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
JP6790478B2 (ja) * 2016-06-14 2020-11-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11114591B2 (en) 2016-08-17 2021-09-07 Current Lighting Solutions, Llc Core-shell materials with red-emitting phosphors
US10590342B2 (en) * 2016-08-25 2020-03-17 Nichia Corporation Nitride fluorescent material, method of producing nitride fluorescent material and light emitting device
JP6658690B2 (ja) * 2016-08-25 2020-03-04 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体、その製造方法および発光装置
WO2018056447A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 三菱ケミカル株式会社 蛍光体、発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP6781921B2 (ja) * 2016-12-15 2020-11-11 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光装置
JP6867614B2 (ja) 2016-12-15 2021-04-28 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体及び発光装置
JP2018150431A (ja) * 2017-03-10 2018-09-27 デンカ株式会社 緑色蛍光体および発光装置
JP7340204B2 (ja) 2018-03-27 2023-09-07 デンカ株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
WO2019187637A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 内視鏡用発光装置及びそれを用いた内視鏡、並びに蛍光イメージング方法
CN111936599B (zh) 2018-03-29 2023-03-17 电化株式会社 β型塞隆荧光体及发光装置
CN110387231A (zh) * 2018-04-17 2019-10-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种β-SiAlON:Eu,M荧光粉及其制备方法
JP6982245B2 (ja) 2018-06-27 2021-12-17 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
JP7251839B2 (ja) 2019-04-03 2023-04-04 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光素子
KR102791719B1 (ko) 2019-06-26 2025-04-08 덴카 주식회사 형광체, 형광체의 제조 방법, 발광 소자, 발광 장치 및 화상 표시 장치
JP6684412B1 (ja) 2019-06-27 2020-04-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光装置
JP2021054899A (ja) 2019-09-27 2021-04-08 日亜化学工業株式会社 βサイアロン蛍光体の製造方法
US20240240081A1 (en) 2021-05-21 2024-07-18 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing same, light emitting element and light emitting device
KR102599818B1 (ko) 2022-01-20 2023-11-08 미쯔비시 케미컬 주식회사 형광체, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치 및 차량용 표시등
EP4293733B1 (en) 2022-01-20 2025-10-01 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light-emitting device, illumination device, image display device, and indicator lamp for vehicle
WO2023145774A1 (ja) * 2022-01-26 2023-08-03 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、および、発光デバイス
EP4678714A1 (en) 2023-03-07 2026-01-14 University of Yamanashi Method for producing aluminosilicate-based phosphor, aluminosilicate-based phosphor, and light-emitting device
KR102886486B1 (ko) 2023-12-20 2025-11-14 주식회사 유제이엘 베타-사이알론 형광체의 합성 방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8400660A (nl) 1984-03-01 1985-10-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5743955A (en) * 1995-10-23 1998-04-28 Phillips; Mark L. F. Method for synthesizing fine-grained phosphor powders of the type (RE1- Lnx)(P1-y Vy)O4
JPH09218149A (ja) 1996-02-15 1997-08-19 Shimadzu Corp 検出計セルおよび光学測定装置
JP2919362B2 (ja) * 1996-06-26 1999-07-12 日本電気株式会社 低速電子線励起蛍光表示装置およびその製造方法
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
EP0887833B1 (en) * 1997-05-22 2006-08-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. Process for preparing phosphor pattern for field emission panel and photosensitive element
JP3917110B2 (ja) 2000-06-27 2007-05-23 正 五井野 オークション方法及びサーバ
CN1108212C (zh) * 2000-07-25 2003-05-14 宝山钢铁股份有限公司 含塞隆的滑动水口砖
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP3726131B2 (ja) 2002-05-23 2005-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン系蛍光体
US6632379B2 (en) 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003208409A (ja) 2002-01-15 2003-07-25 Mitsubishi Electric Corp 認証システム及び認証方法
WO2005019376A1 (ja) 2003-08-22 2005-03-03 National Institute For Materials Science 酸窒化物蛍光体と発光器具
JP4834827B2 (ja) * 2003-10-03 2011-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3921545B2 (ja) * 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP4104013B2 (ja) * 2005-03-18 2008-06-18 株式会社フジクラ 発光デバイス及び照明装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI393765B (zh) * 2008-08-12 2013-04-21 三星電子股份有限公司 製備β－賽隆磷光體之方法
TWI456307B (zh) * 2009-08-31 2014-10-11 夏普股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI447209B (zh) * 2010-09-09 2014-08-01 Denki Kagaku Kogyo Kk β型矽鋁氮氧化物之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100526421C (zh) 2009-08-12
JP2005255895A (ja) 2005-09-22
US7678294B2 (en) 2010-03-16
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DE112005003868B4 (de) 2021-05-06
KR20100114135A (ko) 2010-10-22
JP3921545B2 (ja) 2007-05-30
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KR20070021140A (ko) 2007-02-22
CN1839191A (zh) 2006-09-27
WO2005087896A1 (ja) 2005-09-22

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