RU2284069C2 - Анод с запирающим слоем на основе ниобия и конденсатор на его основе - Google Patents
Анод с запирающим слоем на основе ниобия и конденсатор на его основе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2284069C2 RU2284069C2 RU2003108257/09A RU2003108257A RU2284069C2 RU 2284069 C2 RU2284069 C2 RU 2284069C2 RU 2003108257/09 A RU2003108257/09 A RU 2003108257/09A RU 2003108257 A RU2003108257 A RU 2003108257A RU 2284069 C2 RU2284069 C2 RU 2284069C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- niobium
- layer
- anode
- tantalum
- capacitor
- Prior art date
Links
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010955 niobium Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 5
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- -1 niobium ions Chemical class 0.000 description 2
- OSYUGTCJVMTNTO-UHFFFAOYSA-D oxalate;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].[Ta+5].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O OSYUGTCJVMTNTO-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к аноду с запирающим слоем на основе ниобия, состоящему из ниобиевой металлической сердцевины, проводящего слоя из субоксида ниобия и диэлектрического запирающего слоя из пятиоксида ниобия. В диэлектрическом запирающем слое содержание тантала может быть выбрано в диапазоне от 0,15÷1,2% от веса анода. Толщина слоя субоксида может составлять, как минимум, 50 нм. Техническим результатом является увеличение емкости конденсаторов. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 табл.
Description
Данное изобретение относится к анодам для электролитических конденсаторов, конденсаторам на их основе, более конкретно, к аноду с запирающим слоем на основе ниобия и конденсатору на его основе.
В литературе описаны кислотно-земельные металлы ниобий и тантал в качестве исходных материалов для изготовления такого рода анодов и конденсаторов. Изготовление анодов происходит спеканием мелкозернистых металлических порошков для получения структуры с большой поверхностью, окислением поверхности тела, полученного при спекании, для создания непроводящего изолирующего слоя и нанесением противоэлектрода в виде слоя диоксида марганца или проводящего полимера.
До настоящего времени техническое значение для изготовления конденсаторов имел, по существу, танталовый порошок.
Существенные специфические свойства такого рода конденсаторов определяются удельной поверхностью, толщиной оксидного слоя d, образующего изолятор, и относительной диэлектрической постоянной εr. С помощью этих величин можно следующим образом рассчитать емкость С:
причем
означает диэлектрическую постоянную в вакууме и А означает поверхность конденсатора.
Изолирующий оксидный слой конденсатора обычно получают электролитически, при погружении ниобиевой, соответственно, танталовой структуры, полученной спеканием и образующей анод конденсатора, в электролит, обычно это разбавленная фосфорная кислота, и при приложении электрического поля. Толщина оксидного слоя прямо пропорциональна напряжению электролиза, которое прилагают с первоначальным ограничением тока до тех пор, пока ток электролиза не упадет до 0. Обычно оксидный слой создают при таком напряжении электролиза («формующее напряжение»), которое соответствует 1,5-4-кратному рабочему напряжению конденсатора.
Относительная диэлектрическая постоянная обычно составляет для пятиоксида тантала 27, а для пятиоксида ниобия 41. Рост толщины оксидной пленки при формовании составляет у тантала около 2 нм/В формирующего напряжения, у ниобия около 3,7 нм/В, так что большая относительная диэлектрическая постоянная ниобия компенсируется большей толщиной оксидного слоя при одинаковых формующих напряжениях.
Миниатюризацию конденсаторов осуществляют путем увеличения удельной поверхности при использовании для создания спекаемых структур более мелких порошков и снижении температуры спекания.
Однако для миниатюризации конденсаторов, то есть для повышения удельной емкости, существуют определенные пределы в связи с необходимой толщиной изолирующего оксидного слоя, так как внутри окисленной спекаемой структуры должна быть достаточная проводящая фаза для пропускания тока и ограничения образующегося омического тепла. С возрастанием миниатюризации конденсаторов возрастает и склонность к окислению. Это особенно относится к ниобиевым конденсаторам, которые по сравнению с танталовыми конденсаторами требуют большей толщины оксидного слоя при одинаковых формующих напряжениях.
Было обнаружено, что конденсатор имеет предпочтительные свойства, если при формовании используют электролит, который содержит полидентантный анион органической кислоты, образующий с ниобием стабильные комплексы. Подходящими органическими кислотами для применения в формующих электролитах являются, например, щавелевая (оксаловая) кислота, молочная кислота, лимонная кислота, винная кислота, фталевая кислота, предпочтительным кислотным анионом является анион щавелевой кислоты.
Электролит может содержать органическую кислоту в виде водного раствора. Предпочтительно используют водорастворимую соль органической кислоты. В качестве катионов пригодны такие, которые не влияют отрицательно на свойства оксидного слоя, константа комлексообразования которых с соответствующим анионом кислоты ниже, чем у ниобия с этим анионом кислоты, так что возможен обмен ионов ниобия на соответствующие ионы металлов. Предпочтительны катионы, которые при их встраивании в оксидный слой положительно влияют на свойства конденсатора. Особенно предпочтителен катион тантала.
Особенно предпочтителен в качестве формующего электролита водный раствор оксалата тантала. Изобретение далее описано на примере оксалата тантала, без ограничения общего характера.
В результате формования получают конденсаторы, которые по сравнению с конденсаторами, получаемыми при обычном формовании в разбавленной фосфорной кислоте, имеют большую почти на 50% емкость. Удельный ток утечки составляет менее 0,5 нА/мкФВ.
Обнаружено, что эффект увеличения емкости настолько больше, насколько выше проводимость электролитов при формовании.
Концентрацию электролита предпочтительно устанавливают такой, что удельная проводимость электролитов составляет от 1,5 до 25 мСм/см, более предпочтительно от 5 до 20 мСм/см, особенно предпочтительно от 8 до 18 мСм/см.
При формовании предпочтительно, чтобы формующий ток вначале был ограничено от 30 до 150 мА на м2 поверхности анода. При этом предпочтительно у электролитов с низкой проводимостью устанавливают более низкие значения формующих токов. В случае более высокой проводимости электролитов можно устанавливать формующие токи в верхних пределах.
Эффект увеличения емкости, согласно изобретению, связывают со специфическим выносом ниобия из анодной структуры во время формования. После формования в формующих электролитах обнаруживают содержание ниобия в пределах нескольких вес.% от использованной анодной структуры. Ниобий растворяется во время формования обычно в количестве от 3 до 5 вес.%, а в некоторых случаях даже до 10 вес.% анодной структуры. Фактически вынос происходит так специфически, что эффективная площадь поверхности конденсатора увеличивается по сравнению с формованием в разбавленной фосфорной кислоте. При обычном формовании в фосфорной кислоте в результате увеличения объема из-за образования оксидного слоя поры закрываются или закупориваются, так что эффективная площадь поверхности конденсатора уменьшается. По-видимому, анион органической кислоты атакует как раз в таких областях поверхности, которые граничат с особенно узкими каналами пор.
Другой предпочтительный эффект изобретения состоит в том, что оксидный слой образуется двуслойным: внешний изолирующий слой образует слой пятиоксида и внутренний между слоем пятиоксида и металлической сердцевиной слой недооксида. Съемки на растровом электронном микроскопе (РЭМ) поверхностей разломов формованных анодов показывают, что оксидные пленки имеют большую толщину, что соответствует росту толщины слоя 5 нм/В формующего напряжения или более, причем внутри заключена исчезающе малая металлическая сердцевина. С помощью оптического микроскопа можно различить, благодаря различиям в окраске (фиолетовая-зеленая), что оксидный слой состоит из двух соседних частичных слоев. Слой недооксида действует в качестве барьера на диффузию кислорода из слоя пятиоксида и таким образом вносит вклад в стабильность анода в течение длительного времени.
Другое преимущество изобретения состоит в том, что катион электролитного раствора в небольшом количестве осаждается на поверхности анода и во время окисления в связи с диффузионной кинетикой вступает в конкуренцию с диффузией кислорода внутрь анода и ниобия к поверхности анода, стабилизирующе встраиваясь в оксидный слой. Так тантал, который не образует стабильных субоксидов, подходит для стабилизации слоя пятиоксида. В связи с тем что ниобий обладает большей вероятностью обмена (смотри, например, J.Perriere, J.Siejka, J.Electro. Chem. Soc., 1983, 130(6), 1260-1273), ниобий способен во время окисления «перескочить» через нанесенный на поверхность тантал, так что кажется, что тантал сдвигается внутрь растущего оксидного слоя. Он обогащается на внутреннем слое пятиоксида и стабилизирует его. Аноды, формованные согласно изобретению, имеют содержание тантала от 0,15-1,2, предпочтительно от 0,3 до 0,6% от веса анода, причем тантал концентрируется в слое пятиоксида. Часть эффекта, повышающего емкость, в случае данного изобретения, вероятно, связана с положительным влиянием на рост толщины слоя пятиоксида и, при необходимости, с диэлектрической постоянной.
Объектом данного изобретения являются аноды с запирающим слоем для конденсаторов на основе ниобия, состоящие из металлической ниобиевой сердцевины, проводящего слоя из субоксида ниобия и диэлектрического запирающего слоя из пятиоксида ниобия. Предпочтительно толщина слоя из субоксида ниобия составляет, как минимум, 30 нм, особенно предпочтительно, как минимум, 50 нм.
Особенно предпочтительные аноды, согласно изобретению, имеют запирающий слой из пятиоксида ниобия с содержанием тантала от 0,15-0,5% от веса анода.
Примеры
а) Получение ниобиевого порошка
Использован порошок ниобия, полученный по способу, предложенному заявителем в опубликованной заявке № DE 19831280 А1. Порошок содержит следующие примеси посторонних элементов (ч/млн.):
Mg: 230,
О: 15425,
Н: 405,
N: 111,
С: 31,
Fe: 3,
Cr: 2,
Ni: 2,
Та: 78.
Далее были определены следующие физические свойства:
| удельная поверхность, согласно BET | 4,61 м2/г, |
| размер частиц, согласно FSSS | 4,2 мкм, |
| насыпная плотность | 17,9 г/дюйм3, |
| сыпучесть | 21 сек, |
распределение размеров частиц, определенное по АСТМ В822
| D10: | 78,5 мкм, |
| D50: | 178,4 мкм, |
| D90: | 288,8 мкм, |
а также определенный из РЭМ съемок размер первичных частиц около 550 нм.
б) Изготовление ниобиевых анодов:
Из порошка на соответствующих матрицах при вставлении танталовой проволоки изготовлены аноды с прессованной плотностью 2,9 г/см3 и при температуре 1125°С подвергнуты спеканию в течение 20 минут.
| Таблица 1 | |||||||
| Раствор формующего электролита | Свойства конденсатора | ||||||
| Прим № | Электролит | Та вес % | Са2O4 -2 | Удел. провод. мСм/см | Содер. Та млн.д | CV/г мФВ/г | Ir/CV нА/мкФВ |
| 1 | 0,1% Н3PO4 | - | - | 2,53 | н.н | 80 К | 0,23 |
| 2 | 0,25% Н3PO4 | - | - | 4,58 | н.н | 87 К | 0,44 |
| 3 | Щавелевая к-та в Н2O | - | 0,10 | 2,86 | н.н | 92 К | 0,75 |
| 4 | Щавелевая к-та в Н3O | - | 0,20 | 5,53 | н.н | 97 К | 0,83 |
| 5 | Та-оксалат в Н2O | 0,05 | 0,05 | 1,44 | н.н | 87 К | 0,26 |
| 6 | Та-оксалат в Н2О | 0,1 | 0,07 | 1,77 | 13500 | 89 К | 0,5 |
| 7 | Та-оксалат в 0,1 % Н3PO4 | 0,1 | 0,07 | 3,83 | 6700 | 90 К | 0,25 |
| 8 | Та-оксалат в Н2O | 0,3 | 0,21 | 4,86 | 9800 | 103 К | 0,51 |
| 9 | Та-оксалат в Н2O | 0,4 | 0,29 | 6,36 | 3400 | 88 К | 0,64 |
| 10 | Та-оксалат в Н2O | 0,4 | 0,34 | 7,43 | 2800 | 94 К | 0,48 |
| 11 | Та-оксалат в Н2O | 0,5 | 0,35 | 7,8 | 2700 | 108 К | 0,43 |
| 12 | Та-оксалат в H2O | 0,4 | 0,39 | 8,5 | 3100 | 92 К | 0,57 |
| 13 | Та-оксалат в Н2O | 0,75 | 0,51 | 10,22 | 4600 | 115 К | 0,30 |
| 14 | Та-оксалат в Н2O | 0,75 | 0,53 | 11,41 | 3300 | 123 К | 0,48 |
| 15 | Та-оксалат в Н2O | 1,25 | 0,84 | 16,63 | 5300 | 111 К | 0,49 |
| 16 | Та-оксалат в Н2O | 1 | 1 | 22,8 | 4800 | 141 К | 1,35 |
| н.о. - не обнаружен. |
в) Анодирование
Для получения изолирующего оксидного слоя на аноде, подвергнутом спеканию, аноды погружают в раствор электролита и анодируют при ограничении тока до 100 мА/г веса анода, вплоть до напряжения 40 В, при температуре 80°С. После достижения напряжения в 40 В выдерживают еще 2 часа при этом напряжении, причем сила тока падает до нуля.
Раствор электролита имеет состав, приведенный в таблице 1, и удельную проводимость, приведенную там же.
г) Измерение электрических характеристик
Удельную емкость измеряют известным способом при переменном напряжении 120 Гц, при амплитуде переменного напряжения 20 мВ и при положительном постоянном напряжении на аноде (ППАН) 1,5 В. Ток утечки определяют при измерении тока при постоянном напряжении 28 В. Результаты измерения приведены в таблице 1.
Claims (4)
1. Анод с запирающим слоем на основе ниобия, состоящий из металлической ниобиевой сердцевины, проводящего слоя из субоксида ниобия и диэлектрического запирающего слоя из пятиоксида ниобия.
2. Анод по п.1 с содержанием тантала в диэлектрическом запирающем слое от 0,15÷1,2% от веса анода.
3. Анод по п.1 или 2, причем толщина слоя субоксида составляет, как минимум, 50 нм.
4. Конденсатор, содержащий анод, по одному пп.1-3.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10041901A DE10041901A1 (de) | 2000-08-25 | 2000-08-25 | Kondensatoranode auf Basis Niob |
| DE10041901.1 | 2000-08-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003108257A RU2003108257A (ru) | 2004-08-20 |
| RU2284069C2 true RU2284069C2 (ru) | 2006-09-20 |
Family
ID=7653831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003108257/09A RU2284069C2 (ru) | 2000-08-25 | 2001-08-14 | Анод с запирающим слоем на основе ниобия и конденсатор на его основе |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6762927B2 (ru) |
| EP (1) | EP1314175B2 (ru) |
| JP (1) | JP2004507100A (ru) |
| KR (2) | KR20080083368A (ru) |
| CN (1) | CN100354998C (ru) |
| AU (2) | AU2001293772B2 (ru) |
| BR (1) | BR0113468A (ru) |
| CA (1) | CA2420249C (ru) |
| CZ (1) | CZ301766B6 (ru) |
| DE (2) | DE10041901A1 (ru) |
| IL (1) | IL154331A0 (ru) |
| MX (1) | MXPA03001602A (ru) |
| PT (1) | PT1314175E (ru) |
| RU (1) | RU2284069C2 (ru) |
| SV (1) | SV2002000614A (ru) |
| TW (1) | TW516055B (ru) |
| WO (1) | WO2002017338A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2615415C2 (ru) * | 2011-08-09 | 2017-04-04 | Х.К. Штарк Гмбх | Способ получения электролитических конденсаторов из порошков вентильных металлов |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004143477A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Cabot Supermetal Kk | ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ |
| US7445679B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-11-04 | Cabot Corporation | Controlled oxygen addition for metal material |
| DE502004011120D1 (de) * | 2003-07-15 | 2010-06-17 | Starck H C Gmbh | Niobsuboxidpulver |
| DE10347702B4 (de) * | 2003-10-14 | 2007-03-29 | H.C. Starck Gmbh | Sinterkörper auf Basis Niobsuboxid |
| EP1890967B1 (en) * | 2005-06-03 | 2009-03-04 | H.C. Starck GmbH | Niobium suboxides |
| US7880283B2 (en) * | 2006-04-25 | 2011-02-01 | International Rectifier Corporation | High reliability power module |
| DE102008026304A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805074A (en) * | 1987-03-20 | 1989-02-14 | Nitsuko Corporation | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same |
| US5448447A (en) * | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3597664A (en) * | 1969-12-05 | 1971-08-03 | Norton Co | Niobium-zirconium-titanium capacitor electrode |
| JP3019326B2 (ja) * | 1989-06-30 | 2000-03-13 | 松下電器産業株式会社 | リチウム二次電池 |
| RU2033652C1 (ru) * | 1990-06-12 | 1995-04-20 | Производственное объединение "Оксид" | Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов |
| JPH09260221A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Hitachi Aic Inc | 焼結型コンデンサの製造方法および陽極切断装置 |
| US6165623A (en) * | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| JP3254163B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
| US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| DE19831280A1 (de) | 1998-07-13 | 2000-01-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern |
| JP3196832B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US6053134A (en) | 1998-08-28 | 2000-04-25 | Linebarger; Terry Glyn | Cam operating system |
| US6322912B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| US6416730B1 (en) * | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
| US6462934B2 (en) * | 1998-09-16 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2000195757A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Hitachi Aic Inc | 固体電解コンデンサおよびその焼結体の製造方法 |
| AU2002218511A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Showa Denko K K | Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body |
-
2000
- 2000-08-25 DE DE10041901A patent/DE10041901A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-14 PT PT01974185T patent/PT1314175E/pt unknown
- 2001-08-14 JP JP2002521315A patent/JP2004507100A/ja active Pending
- 2001-08-14 KR KR1020087021416A patent/KR20080083368A/ko not_active Ceased
- 2001-08-14 CZ CZ20030546A patent/CZ301766B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 CN CNB01817809XA patent/CN100354998C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-14 AU AU2001293772A patent/AU2001293772B2/en not_active Ceased
- 2001-08-14 AU AU9377201A patent/AU9377201A/xx active Pending
- 2001-08-14 IL IL15433101A patent/IL154331A0/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 EP EP01974185A patent/EP1314175B2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-14 RU RU2003108257/09A patent/RU2284069C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 MX MXPA03001602A patent/MXPA03001602A/es active IP Right Grant
- 2001-08-14 KR KR1020037002667A patent/KR100878065B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-14 CA CA2420249A patent/CA2420249C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-14 DE DE50113014T patent/DE50113014D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-14 BR BR0113468-0A patent/BR0113468A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-08-14 WO PCT/EP2001/009373 patent/WO2002017338A1/de not_active Ceased
- 2001-08-22 TW TW090120570A patent/TW516055B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-23 US US09/935,987 patent/US6762927B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-24 SV SV2001000614A patent/SV2002000614A/es unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805074A (en) * | 1987-03-20 | 1989-02-14 | Nitsuko Corporation | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same |
| US5448447A (en) * | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2615415C2 (ru) * | 2011-08-09 | 2017-04-04 | Х.К. Штарк Гмбх | Способ получения электролитических конденсаторов из порошков вентильных металлов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080083368A (ko) | 2008-09-17 |
| AU2001293772B2 (en) | 2006-08-17 |
| CN1471716A (zh) | 2004-01-28 |
| DE10041901A1 (de) | 2002-03-07 |
| EP1314175A1 (de) | 2003-05-28 |
| SV2002000614A (es) | 2002-10-24 |
| DE50113014D1 (de) | 2007-10-25 |
| CZ301766B6 (cs) | 2010-06-16 |
| WO2002017338A1 (de) | 2002-02-28 |
| CZ2003546A3 (cs) | 2003-05-14 |
| KR100878065B1 (ko) | 2009-01-13 |
| JP2004507100A (ja) | 2004-03-04 |
| KR20030027075A (ko) | 2003-04-03 |
| EP1314175B2 (de) | 2012-02-08 |
| PT1314175E (pt) | 2007-10-23 |
| TW516055B (en) | 2003-01-01 |
| US6762927B2 (en) | 2004-07-13 |
| US20020080552A1 (en) | 2002-06-27 |
| IL154331A0 (en) | 2003-09-17 |
| EP1314175B1 (de) | 2007-09-12 |
| CN100354998C (zh) | 2007-12-12 |
| MXPA03001602A (es) | 2003-09-10 |
| AU9377201A (en) | 2002-03-04 |
| BR0113468A (pt) | 2003-07-15 |
| CA2420249C (en) | 2011-06-21 |
| CA2420249A1 (en) | 2003-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6162345A (en) | Method of anodizing a metal anode prepared from very fine metal powder | |
| KR100572181B1 (ko) | 콘덴서용 전극 재료 및 그것을 사용한 콘덴서 | |
| CN105632766A (zh) | 植入式医疗器械用湿式电解电容器 | |
| RU2284069C2 (ru) | Анод с запирающим слоем на основе ниобия и конденсатор на его основе | |
| WO2003042425A1 (fr) | Film d'oxyde de titane composite, procede de production associe et condensateur electrolytique de titane | |
| JP4454526B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP5312396B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4610383B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH04274312A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| US3649880A (en) | Solid electrolytic capacitor having a titanium-zirconium alloy electrode | |
| WO2014199770A1 (ja) | コンデンサ用電極と該コンデンサ用電極の製造方法、及びコンデンサ素子 | |
| JPS6253594B2 (ru) | ||
| KR101160907B1 (ko) | 음극전기도금과 양극산화에 의해 복합 산화물 유전체가 형성된 알루미늄 박막의 제조방법 | |
| JPH079870B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 | |
| JP2006261438A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP5099831B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2006108172A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| KR20260016472A (ko) | 캐패시터, 전기 회로, 회로 기판 및 기기 | |
| JP4947888B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH08203783A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2006108173A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS6253595B2 (ru) | ||
| JPH1050563A (ja) | 固体電解コンデンサの構造及び製造方法 | |
| JPH1050562A (ja) | 固体電解コンデンサの構造及び製造方法 | |
| JPH0766083A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080815 |