RU2018122780A

RU2018122780A - Устройство и способ обработки полупроводников

Info

Publication number: RU2018122780A
Application number: RU2018122780A
Authority: RU
Inventors: София ВЭНЬ; Чжикай ВАН
Original assignee: Хуаин Рисерч Ко., Лтд
Priority date: 2015-11-25
Filing date: 2016-03-18
Publication date: 2019-12-25
Also published as: JP2018537855A; TW201719737A; WO2017088324A1; EP3382741B1; RU2018122780A3; CN106803477A; KR102136403B1; US20200243349A1; EP3382741A4; KR20180100558A; US11101148B2; RU2713171C9; EP3382741A1; JP6665294B2; CN106803477B; RU2713171C2; TWI606504B; US11417542B2; US20190035644A1

Claims

1. Устройство обработки полупроводников, отличающееся тем, что содержит:

основную часть; по меньшей мере один элемент для обработки полупроводников на указанной основной части, при этом каждый указанный элемент для обработки полупроводников содержит: углубление, образованное в верхней торцевой поверхности указанной основной части, при этом нижняя стенка указанного углубления имеет по меньшей мере одну определенную точку и от указанной точки в направлении краев указанной нижней стенки выполнена понижающейся в направлении по линии действия силы тяжести или от указанной точки в направлении краев указанной нижней стенки выполнена повышающейся в направлении против линии действия силы тяжести; первый канал, выполненный в месте каждой указанной точки указанной нижней стенки и сообщающийся с указанным углублением; вторые каналы, выполненные в области краев нижней стенки указанного углубления в указанной основной части и сообщающиеся с указанным углублением; при этом указанный первый канал и/или указанные вторые каналы выполнены с возможностью применения в качестве выходного отверстия и/или входного отверстия для текучей среды.

2. Устройство обработки полупроводников по п. 1, отличающееся тем, что указанная точка расположена в центре нижней стенки указанного углубления.

3. Устройство обработки полупроводников по п. 2, отличающееся тем, что указанный элемент для обработки полупроводников один, и от указанной точки в направлении краев указанной нижней стенки проходит наклонная поверхность, поднимающаяся в направлении против линии действия силы тяжести.

4. Устройство обработки полупроводников по п. 2, отличающееся тем, что указанный элемент для обработки полупроводников один, и от указанной точки в направлении краев указанного углубления проходит наклонная поверхность, понижающаяся в направлении по линии действия силы тяжести.

5. Устройство обработки полупроводников по п. 1, отличающееся тем, что по краям нижней стенки указанного углубления проходит направляющий паз, при этом указанный направляющий паз внутри выполнен в сообщении с по меньшей мере одним из указанных вторых каналов.

6. Устройство обработки полупроводников по п. 1, отличающееся тем, что указанные вторые каналы расположены вокруг центра указанного углубления.

7. Устройство обработки полупроводников по п. 1, отличающееся тем, что указанная основная часть дополнительно снабжена пазом, при этом указанный паз проходит по периферии указанного углубления для сбора указанной текучей среды, перелившейся через края указанного углубления; указанная основная часть дополнительно снабжена третьим каналом, предназначенным для сообщения указанного паза с внешней средой для выведения указанной текучей среды, собравшейся в указанном пазу.

8. Устройство обработки полупроводников по п. 1, отличающееся тем, что указанный элемент для обработки полупроводников один; указанная точка расположена в центре нижней стенки указанного углубления; и от указанной точки в направлении краев указанного углубления проходит кривая поверхность, поднимающаяся в направлении против линии действия силы тяжести, при этом градиент указанной кривой поверхности уменьшается; или

от указанной точки в направлении краев указанного углубления проходит кривая поверхность, понижающаяся в направлении против линии действия силы тяжести, при этом градиент указанной кривой поверхности изменяется от меньшего к большему.

9. Устройство обработки полупроводников по п. 8, отличающееся тем, что, поскольку указанная точка в центре является исходной точкой и направление луча, проходящего в направлении указанных краев, является положительным направлением, то аналитическая функция формы указанной кривой поверхности представляет собой

где C представляет собой постоянную величину, которая больше чем 0.

10. Устройство обработки полупроводников по п. 8, отличающееся тем, что, поскольку указанная точка в центре является исходной точкой и направление луча, проходящего в направлении указанных краев, является положительным направлением, то аналитическая функция формы указанной кривой поверхности представляет собой y＝Alnx+C, где A и C представляют собой постоянные величины.

11. Устройство обработки полупроводников по п. 1, отличающееся тем, что указанное устройство дополнительно содержит крышку, выполненную с возможностью установки поверх указанной основной части; указанная крышка снабжена четвертым каналом; когда указанная крышка установлена поверх указанной основной части, между указанным углублением указанной основной части и нижней торцевой поверхностью указанной крышки образована полость, при этом указанный четвертый канал обеспечивает сообщение указанной полости с внешней средой.

12. Устройство обработки полупроводников по п. 11, отличающееся тем, что указанная основная часть снабжена первой сопрягаемой частью; указанная крышка снабжена второй сопрягаемой частью, соответствующей первой сопрягаемой части; когда указанная основная часть сопряжена с указанной крышкой, указанная основная часть и указанная крышка герметично соединены.

13. Устройство обработки полупроводников по п. 11, отличающееся тем, что нижняя торцевая поверхность указанной крышки снабжена по меньшей мере одним пазом для направления газа, при этом указанный паз для направления газа выполнен в сообщении с указанным четвертым каналом.

14. Устройство обработки полупроводников по п. 1, отличающееся тем, что верхняя торцевая поверхность указанной основной части снабжена несколькими независимыми друг от друга элементами для обработки полупроводников для обеспечения отдельной обработки разных областей поверхности одной подложки несколькими указанными элементами для обработки полупроводников.

15. Способ обработки полупроводников, отличающийся тем, что включает следующие этапы, на которых:

подлежащую обработке подложку располагают поверх углубления основной части подлежащей обработке поверхностью вниз; при этом указанная основная часть снабжена первым каналом и вторыми каналами, сообщающимися с указанным углублением; отверстия указанного первого канала и указанных вторых каналов для сообщения с указанным углублением расположены на разной высоте;

по меньшей мере по одному из указанного первого канала и указанных вторых каналов в указанное углубление вводят текучую среду, при этом указанная текучая среда заполняет пространство между нижней поверхностью указанной подложки и образованным в указанной основной части углублением, при этом указанная текучая среда контактирует с нижней поверхностью указанной подложки;

посредством одного из указанного первого канала и указанных вторых каналов, отверстие которого расположено ниже, указанную текучую среду выводят из указанного углубления.

16. Способ обработки полупроводников по п. 15, отличающийся тем, что при выведении указанной текучей среды из указанного углубления указанная текучая среда и нижняя поверхность указанной подложки образуют поверхность раздела твердой, жидкой и газообразной фаз; путем регулирования скорости перемещения и направления перемещения указанной поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз также регулируют количество и распределение оставшегося вещества на нижней поверхности указанной подложки.

17. Способ обработки полупроводников по п. 16, отличающийся тем, что при выведении указанной текучей среды из указанного углубления с образованием указанной текучей средой и нижней поверхностью указанной подложки поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз, если скорость перемещения указанной поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз соответствует предварительно определенному критерию 1, то в процессе перемещения поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз, образованной указанной текучей средой и нижней поверхностью указанной подложки, на нижней поверхности указанной подложки не остается указанной текучей среды.

18. Способ обработки полупроводников по п. 16, отличающийся тем, что при выведении указанной текучей среды из указанного углубления с образованием указанной текучей средой и нижней поверхностью указанной подложки поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз, если скорость перемещения указанной поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз соответствует предварительно определенному критерию 2, то в процессе перемещения поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз, образованной указанной текучей средой и нижней поверхностью указанной подложки, указанная текучая среда на нижней поверхности указанной подложки образует пленку предварительно определенной толщины.

19. Способ обработки полупроводников по п. 15, отличающийся тем, что нижняя стенка указанного углубления имеет по меньшей мере одну определенную точку, при этом указанная точка расположена в центре нижней стенки указанного углубления, и от указанной точки в направлении краев указанного углубления выполнена понижающейся в направлении по линии действия силы тяжести, при этом указанный первый канал представляет собой канал, отверстие которого расположено выше, а указанные вторые каналы представляют собой каналы, отверстия которых расположены ниже.

20. Способ обработки полупроводников по п. 19, отличающийся тем, что в процессе выведения указанной текучей среды из указанного углубления посредством указанных вторых каналов происходит перемещение поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз указанной текучей среды и указанной подложки от центра указанной подложки в направлении краев.

21. Способ обработки полупроводников по п. 15, отличающийся тем, что нижняя стенка указанного углубления имеет по меньшей мере одну определенную точку, при этом указанная точка расположена в центре нижней стенки указанного углубления, и от указанной точки в направлении краев указанного углубления выполнена повышающейся в направлении против линии действия силы тяжести, при этом первый канал указанной основной части представляет собой канал, отверстие которого расположено ниже, а вторые каналы указанной основной части представляют собой каналы, отверстия которых расположены выше.

22. Способ обработки полупроводников по п. 21, отличающийся тем, что в процессе выведения указанной текучей среды из указанного углубления посредством указанного первого канала происходит перемещение поверхности раздела твердой, жидкой и газообразной фаз указанной текучей среды и указанной подложки от краев указанной подложки в направлении центра.

23. Способ проверки поверхности полупроводников, отличающийся тем, что включает следующие этапы, на которых:

подлежащую проверке подложку располагают поверх основной части с выравниванием внешних кромок элементов для обработки полупроводников и внешних кромок нижней поверхности подложки относительно друг друга;

по меньшей мере по одному из первого канала и вторых каналов по меньшей мере одного указанного элемента для обработки полупроводников в указанный элемент для обработки полупроводников вводят текучую среду для введения указанной текучей среды в контакт с нижней поверхностью указанной подложки с удалением загрязняющих веществ на нижней поверхности указанной подложки;

посредством любого из указанного первого канала и указанных вторых каналов по меньшей мере одного элемента для обработки полупроводников выводят указанную текучую среду;

отдельно собирают указанную текучую среду, выводимую из по меньшей мере одного элемента для обработки полупроводников, и отдельно осуществляют проверку; на основании результатов проверки получают распределение загрязняющих веществ в разных областях указанной подложки.

24. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 23, отличающийся тем, что каждый указанный элемент для обработки полупроводников содержит углубление; нижняя стенка указанного углубления имеет по меньшей мере одну определенную точку, при этом указанная точка расположена в центре нижней стенки углубления, и наклонную поверхность, повышающуюся от указанной точки в направлении краев указанного углубления в направлении против линии действия силы тяжести; указанный первый канал представляет собой канал, отверстие которого расположено ниже, а указанные вторые каналы представляют собой каналы, отверстия которых расположены выше.

25. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 24, отличающийся тем, что по указанному первому каналу вводят указанную текучую среду; по мере непрерывного введения указанной текучей среды она контактирует с нижней поверхностью указанной подложки; посредством указанной текучей среды вещества на нижней поверхности указанной подложки устраняют или их растворяют в указанной текучей среде; по мере движения указанной текучей среды происходит перемещение указанных веществ вместе с текучей средой от центра указанной подложки в направлении краев.

26. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 25, отличающийся тем, что посредством указанного первого канала выводят указанную текучую среду; вещества на нижней поверхности указанной подложки вместе с указанной текучей средой выводят из указанного углубления и собирают для проверки.

27. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 25, отличающийся тем, что посредством указанных вторых каналов выводят указанную текучую среду; вещества на нижней поверхности указанной подложки вместе с указанной текучей средой выводят из указанного углубления и собирают для проверки.

28. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 23, отличающийся тем, что каждый указанный элемент для обработки полупроводников содержит углубление; нижняя стенка указанного углубления имеет по меньшей мере одну определенную точку, при этом указанная точка расположена в центре нижней стенки углубления, и наклонную поверхность, понижающуюся от указанной точки в направлении краев указанного углубления в направлении по линии действия силы тяжести; указанный первый канал представляет собой канал, отверстие которого расположено выше, а указанные вторые каналы представляют собой каналы, отверстия которых расположены ниже.

29. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 28, отличающийся тем, что по указанным вторым каналам вводят указанную текучую среду; по мере непрерывного введения указанной текучей среды она контактирует с нижней поверхностью указанной подложки; посредством указанной текучей среды вещества на нижней поверхности указанной подложки устраняют или их растворяют в указанной текучей среде; по мере движения указанной текучей среды происходит перемещение указанных веществ вместе с текучей средой от краев указанной подложки в направлении центра.

30. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 29, отличающийся тем, что посредством указанного первого канала выводят указанную текучую среду; вещества на нижней поверхности указанной подложки вместе с указанной текучей средой выводят из указанного углубления и собирают для проверки.

31. Способ проверки поверхности полупроводников по п. 29, отличающийся тем, что посредством указанных вторых каналов выводят указанную текучую среду; вещества на нижней поверхности указанной подложки вместе с указанной текучей средой выводят из указанного углубления и собирают для проверки.