KR102136403B1 - 반도체 처리장치 및 이의 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 처리장치 및 이의 방법에 있어서, 반도체 처리장치는 본체(1); 본체(1) 상에 형성되는 적어도 하나의 반도체 처리유닛(11)을 포함하고, 각각의 반도체 처리유닛(11)은, 본체(1)의 상단에 형성되며 바닥벽 상에 적어도 하나의 기준부위가 구비되고 상기 기준부위에서 바닥벽의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠거나, 상기 기준부위에서부터 바닥벽의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띠는 수용부(111); 바닥벽의 각각의 기준부위 부분에 개설되며 수용부(111)와 연결되는 제1 통로(113); 수용부(111) 바닥벽의 가장자리 부분의 본체 상에 개설되며 수용부(111)와 연결되는 제2 통로(114);를 포함하며, 여기에서, 제1 통로(113) 및 제2 통로(114)는 유체의 출구 및/또는 출구로 사용될 수 있다. 이들은 유체가 기판 표면에서 유동하는 방향을 제어함으로써 유체가 계획대로 수용부를 지나가는 과정에서 기판의 표면과 접촉해 물리적 및/또는 화학적 반응을 생성해, 기판 표면에 공정 처리를 하도록 한다.

Description

반도체 처리장치 및 이의 방법

본 출원은 2015년 11월 25일 출원한 중국 특허 제201510828929.8 호의 우선권을 주장하며, 상기 출원은 본문에 참고로 편입된다.

본 발명은 반도체 기술분야에 관한 것으로, 특히 반도체 처리장치 및 이의 방법에 관한 것이다.

반도체 기판의 표면은 미세 오염물의 존재에 매우 민감해, 요구에 부합하는 기판 표면을 얻기 위해서는 표면의 오염물을 제거하는 동시에 오염물이 기판 표면에 다시 부착되는 것을 방지해야 한다. 따라서, 제조 과정에서 여러 차례의 표면 세정 단계를 통해 반도체 기판 표면에 부착된 금속 이온, 원자, 유기물 및 미립자를 제거해야 한다. 현재 기판 세정 기술은 대체로 습식 및 건식의 두 가지 유형으로 나눌 수 있으며, 여전히 습식 세정법을 주류로 하고 있다. 습식 세정 기술은, 액상 산염기 용액 및 탈이온수의 혼합물로 기판 표면을 씻어낸 , 헹굼, 건조 절차를 추가할 수 있는 기술이다. 산업 생산에서는, 보통 기판을 몇 가지 적합한 유체에 각각 액침하거나 적합한 유체를 회전하는 반도체 기판 상에 분사해, 처리 용액이 기판 표면에 생성하는 물리적, 화학적 작용을 통해 요건에 부합하는 기판 표면을 얻는다. 위 두 가지 세정 기술은 기판 처리 시 상대적으로 많은 양의 초순수 화학 용액 및 초순수 기체를 필요로 하며, 처리 용액은 사용 후에 일반적으로 폐기물로 폐기된다. 따라서, 엄청난 양의 초순수 화학 용액과 초순수 기체가 소모되므로 각 공정의 공정 비용 원가가 매우 높으며, 배출되는 폐기물이 매우 방대해 폐기물 처리에 드는 비용이 증가했다. 동시에, 환경에도 심각한 피해를 끼치게 된다.

반도체 제조 엔지니어들은 늘 반도체 제조 과정에서 화학 원료 소비량을 줄이는 방법과 신기술을 찾고 있다. 이렇게 하면 처리 과정의 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 폐기물 배출 처리 비용을 절감하고 안전을 보장하며 환경을 더욱 보호할 수 있다. 중국 특허출원 공보 명세서 cN103367197a는 기판 표면 습식 처리 과정의 유체 사용량을 효과적으로 절감할 수 있으며 사용한 유체를 온라인으로 회수, 처리할 수 있는 기판 표면 처리 시스템을 개시했다. 여기에서, 상기 기판 표면 처리 시스템은 반도체 실리콘판 처리에 사용되는 마이크로 챔버 처리장치를 포함하며, 구조는 도 1에 도시된 바와 같이 상부 챔버 및 하부 챔버를 포함한다. 상부 챔버 및 하부 챔버가 폐쇄 위치에 있을 때 봉쇄된 마이크로 챔버를 형성하고, 반도체 기판은 마이크로 챔버 내에 배치되며, 상기 마이크로 챔버 내에 유체(액체, 기체 등 포함)를 들여보내 반도체 기판의 상부 표면 또는 하부 표면을 공정 처리한다. 유체가 마이크로 챔버 내에서 유동하는 방식, 체류 시간 및 웨이퍼 표면과의 접촉 방식은 반도체 기판 표면의 처리 효과에 직접 영향을 미치므로, 유체가 작업 표면 상에서 유동하는 랜덤성(randomness)은 기판 처리 과정의 중복성을 직접 낮추게 된다. 따라서, 유체의 유동 방향을 정확하게 제어하기 위한 방법 및/또는 설계가 필요하다.

본 발명의 실시예에서 해결하고자 하는 기술적 과제는, 유체의 유동 방향을 제어하고 나아가 기판 표면을 처리하는 과정 및 효과를 제어할 수 있는 반도체 처리장치 및 이의 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 실시예의 구체적인 기술방안은 다음과 같다.

일종의 반도체 처리장치는 본체; 상기 본체에 있는 적어도 하나의 반도체 처리유닛을 포함하고, 각각의 상기 반도체 처리유닛은 상기 본체의 상단면에 형성되며 바닥벽에 적어도 하나의 기준부위가 구비되고 상기 기준부위에서 상기 바닥벽의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠거나, 상기 기준부위에서부터 상기 바닥벽의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띠는 수용부; 상기 바닥벽의 각각의 상기 기준부위 부분에 개설되며 상기 수용부와 연결되는 제1 통로; 상기 수용부 바닥벽의 가장자리 부분의 상기 본체에 개설되며 상기 수용부와 연결되는 제2 통로를 포함하며; 상기 제1 통로 및/또는 상기 제2 통로는 유체의 출구 및/또는 입구로 사용될 수 있다.

바람직하게는, 상기 기준부위는 상기 수용부의 바닥벽 중심에 위치한다.

바람직하게는, 상기 반도체 처리유닛은 1개이며, 상기 기준부위에서 상기 바닥벽의 가장자리로 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 경사면을 띤다.

바람직하게는, 상기 반도체 처리유닛은 1개이며, 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리로 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띤다.

바람직하게는, 상기 수용부 바닥벽의 상기 가장자리에는 가이드 슬롯이 설치되며, 상기 가이드 슬롯은 적어도 1개의 상기 제2 통로와 연결된다.

바람직하게는, 상기 제2 통로는 상기 수용부의 중심을 둘러싸며 링 형상으로 배열된다.

바람직하게는, 상기 본체에는 오목홈이 더 설치되며, 상기 오목홈은 상기 수용부의 바깥 둘레에 설치되어 상기 수용부 내에서 흘러넘치는 상기 유체를 수집한다. 상기 본체에는 상기 오목홈과 외부를 연결하는 제3 통로가 설치되어, 상기 오목홈 내에 수집된 상기 유체를 외부로 내보낸다.

바람직하게는, 상기 반도체 처리유닛은 1개이며, 상기 기준부위는 상기 수용부의 바닥벽의 중심에 위치하고, 상기 기준부위에서 상기 수용부 가장자리로 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 곡선을 띠며, 상기 곡선의 경사율은 점차 작아진다. 또는, 상기 기준부위에서 상기 수용부 가장자리로 중력의 반대 방향을 따라 하강하는 곡선을 띠며, 상기 곡선의 경사율은 점차 커진다.

바람직하게는, 중심에 위치한 상기 기준부위를 원점으로 상기 가장자리를 향해 연장되는 방사선의 방향은 정방향이며, 상기 곡선이 띠는 형상의 해석 함수는 y=-C/x 이고, 여기에서 c는 0보다 큰 상수이다.

바람직하게는, 중심에 위치한 기준부위를 원점으로 상기 가장자리를 향해 연장되는 방사선의 방향은 정방향이며, 상기 곡선이 띠는 형상의 해석 함수는 y=Alnx+C이고, 여기에서 A, C는 상수이다.

바람직하게는, 상기 장치는 상기 본체 상부에 설치될 수 있는 덮개를 더 포함하고, 상기 본체에는 제4 통로가 설치된다. 상기 덮개는 상기 본체에 배치할 때,상기 본체의 상기 수용부와 상기 덮개의 하단면 사이에는 공간이 형성되며, 상기 제4 통로에 의해 상기 공간과 외부는 연결된다.

바람직하게는, 상기 본체에는 제1 접합부가 구비되며, 상기 덮개에는 제1 접합부와 서로 대응되는 제2 접합부가 구비되어, 상기 본체와 상기 덮개가 서로 접합하면 상기 본체와 상기 덮개 사이에는 밀폐되도록 연결된다.

바람직하게는, 상기 덮개의 하단면에는 적어도 하나의 유도홈이 개설되며, 상기 유도홈은 상기 제4 통로와 연결된다.

바람직하게는, 상기 본체의 상단면에는 복수 개의 상호 독립된 상기 반도체 처리유닛이 설치되고, 복수 개의 상기 반도체 처리유닛이 동일한 기판의 일면의 서로 다른 영역을 각각 처리하도록 한다.

반도체 처리방법은 이하 단계를 포함한다. 처리될 기판을 본체의 수용부에 배치하고, 처리해야 할 표면은 아래로 향하는 단계; 여기에서, 상기 본체는 상기 수용부와 연결되는 제1 통로 및 제2 통로를 구비하고, 상기 제1 통로 및 상기 제2 통로와 상기 수용부가 연결되는 개구의 높이는 서로 다르다; 상기 제1 통로 및 상기 제2 통로 중 적어도 1개의 통로에서 상기 수용부 내로 유체를 보내고, 상기 유체가 상기 기판의 하부 표면과 상기 본체에 형성된 수용부 사이의 공간을 채우면, 상기 유체가 상기 기판의 하부 표면과 접촉하는 단계; 상기 제1 통로와 상기 제2 통로 중 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로를 통해 상기 수용부 내의 상기 유체를 내보내는 단계.

바람직하게는, 상기 유체를 상기 수용부에서 내보내면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면은 고체-액체-기체의 분계면을 형성하고 상기 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도 및 이동 방향을 제어함으로써, 상기 기판 하부 표면의 잔류 물질의 양 및 물리적 분포 상태를 제어한다.

바람직하게는, 상기 유체를 상기 수용부에서 내보내면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면은 고체-액체-기체 분계면을 형성하고, 상기 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도가 소정의 조건 1을 만족시키면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면에 형성된 고체-액체-기체 분계면의 이동 과정에서 상기 기판의 하부 표면에는 상기 유체의 잔류가 없게 된다.

바람직하게는, 상기 유체를 상기 수용부에서 내보내면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면은 고체-액체-기체 분계면을 형성하고, 상기 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도가 소정의 조건 2를 만족시키면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면에 의해 형성된 고체-액체-기체 분계면의 이동 과정에서 상기 유체는 상기 기판 하부 표면에 소정 두께의 박막을 형성한다.

바람직하게는, 상기 수용부의 바닥벽에는 적어도 하나의 기준부위가 구비되며, 상기 기준부위는 상기 수용부 바닥벽의 중심에 위치한다. 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠고, 상기 제1 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이며, 상기 제2 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이다.

바람직하게는, 상기 제2 통로를 통해 상기 수용부 내의 상기 유체를 내보내는 과정에서, 상기 유체와 상기 기판의 고체-액체-기체 분계면은 상기 기판의 중심에서 가장자리로 이동한다.

바람직하게는, 상기 수용부의 바닥벽에는 적어도 하나의 기준부위가 구비되며, 상기 기준부위는 상기 수용부 바닥벽의 중심에 위치한다. 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띠고, 상기 본체의 제1 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이며, 상기 본체의 제2 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이다.

바람직하게는, 상기 제1 통로를 통해 상기 수용부 내의 상기 유체를 내보내는 과정에서, 상기 유체와 상기 기판의 고체-액체-기체 분계면은 상기 기판의 가장자리에서 중심으로 이동한다.

일종의 반도체 표면 측정방법은 이하 단계를 포함한다. 반도체 처리유닛의 가장자리와 기판 하부 표면의 가장자리가 서로 떠받치도록, 측정될 기판을 본체에 배치하는 단계; 상기 반도체 처리유닛 중 적어도 하나의 상기 반도체 처리유닛의 제1 통로 및 제2 통로 중 적어도 하나의 통로로 유체를 들여보내, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면이 접촉하도록 함으로써 상기 기판 하부 표면의 오염물을 운반하는 단계; 적어도 하나의 반도체 처리유닛의 상기 제1 통로 및 상기 제2 통로 중 임의의 하나의 통로를 통해 상기 유체를 내보내는 단계; 적어도 하나의 반도체 처리유닛이 내보낸 상기 유체를 각각 수집해 측정하고, 측정 결과에 따라 상기 기판의 서로 다른 영역의 오염물 분포 상황을 알아내는 단계.

바람직하게는, 각각의 상기 반도체 처리유닛은 수용부를 포함하며, 상기 수용부의 바닥벽은 적어도 하나의 기준부위를 구비하고, 상기 기준부위는 수용부 바닥벽의 중심에 위치한다. 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 경사면을 띠고, 상기 제1 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이며, 상기 제2 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이다.

바람직하게는, 상기 제1 통로를 통해 상기 유체를 들여보내고, 상기 유체를 지속적으로 들여보내면 상기 기판의 하부 표면과 서로 접촉한다. 상기 유체는 상기 기판 하부 표면의 물질을 제거하거나 상기 유체에 용해시키며, 상기 유체가 유동하면 상기 물질은 유체를 따라 상기 기판의 중심에서 가장자리로 이동한다.

바람직하게는, 상기 제1 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정된다.

바람직하게는, 상기 제2 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정된다.

바람직하게는, 각각의 상기 반도체 처리유닛은 수용부를 포함하며, 상기 수용부의 바닥벽은 적어도 하나의 기준부위를 구비하고, 상기 기준부위는 수용부 바닥벽의 중심에 위치한다. 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띠고, 상기 제1 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이며, 상기 제2 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이다.

바람직하게는, 상기 제2 통로를 통해 상기 유체를 들여보내고, 상기 유체를 지속적으로 들여보내면 상기 기판의 하부 표면과 서로 접촉한다. 상기 유체는 상기 기판 하부 표면의 물질을 제거하거나 상기 유체에 용해시키며, 상기 유체가 유동하면 상기 물질은 유체를 따라 상기 기판의 가장자리에서 중심으로 이동한다.

바람직하게는, 상기 제1 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정된다.

바람직하게는, 상기 제2 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정된다.

본 발명의 기술방안은 다음과 같은 유익한 효과가 있다. 본 발명은 유체의 종류, 유체가 수용부에 진입하고 수용부로부터 내보내지는 입구 및 출구의 위치, 수용부의 내부 구조 및 유체 압력을 선택함으로써 기판 표면에서의 유체의 유동 방향 및 유동 속도를 제어해, 유체가 계획대로 수용부를 지나가는 과정에서 기판의 표면과 접촉해 물리적 및/또는 화학적 반응을 생성해 기판 표면을 공정 처리 하도록 한다. 수용부의 정밀한 설계를 통해, 중력의 작용을 충분히 이용해 유체가 수용부에서 유동하는 방향 및/또는 유동하는 속도를 정확하게 제어할 수 있으며, 유체가 기판 표면 각 위치에 생성하는 물리적 및/또는 화학적 반응의 과정 및 공정 효과도 제어할 수 있다. 또한, 수용부 구조의 특수한 설계를 통해 유체가 계획대로 수용부를 지나가는 과정에서 기판 표면의 각 부위와 접촉하는 선의 속도가 동일함을 유지할 수 있어, 균일한 처리 효과도 얻을 수 있다.

여기에서 설명하는 첨부 도면은 해석의 목적으로만 사용될 뿐, 어떤 방식으로 본 발명에서 개시한 범위를 한정하려는 것은 아니다. 또한, 도면 각 부재의 형상 및 비례 치수 등은 단지 설명을 위해 표시한 것으로 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 사용되며, 본 발명의 각 부재의 형상 및 비례 치수를 구체적으로 한정하지는 않는다. 본 분야의 당업자는 본 발명의 교도 하에 구체적인 상황에 따라 가능한 각종 형상 및 비율 치수를 선택해 본 발명을 실시할 수 있다.
도 1은 마이크로 챔버 처리장치의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치의 구조도이다.
도 2a는 실시예의 도 2에서 Ⅰ 부분을 확대한 구조도이다.
도 2b는 실시예의 도 2에서 Ⅱ 부분을 확대한 구조도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 본체의 정면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 본체의 단면도이다.
도 4a는 실시예의 도 4에서 Ⅰ 부분을 확대한 구조도이다.
도 4b는 실시예의 도 4에서 Ⅱ 부분을 확대한 구조도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 덮개의 정면도이다.
도 6은 도 5의 실시예에서 A-A단면을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치의 구조도이다.
도 7a는 실시예의 도 7에서 Ⅰ부분을 확대한 구조도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 본체의 단면도이다.
도 8a는 실시예의 도 8에서 Ⅰ부분을 확대한 구조도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 덮개의 정면도이다.
도 9a는 실시예의 도 9에서 A-A단면을 따라 자른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 수용부 구조의 A-A 설명도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치의 구조도이다.
도 11a는 실시예의 도 11에서 Ⅰ부분을 확대한 구조도이다.
도 11b는 실시예의 도 11에서 A-A단면을 따라 자른 단면도이다.
도 11c는 실시예의 도 11b에서 일 실시예에 따른 Ⅰ 부분의 구조도이다.
도 11d는 실시예의 도 11b에서 다른 실시예에 따른 Ⅰ 부분의 구조도이다.

첨부 도면 및 본 발명의 구체적인 실시예을 조합하면, 본 발명의 세부 내용에 대해 보다 명확하게 이해할 수 있을 것이다. 그러나, 여기에서 서술하는 본 발명의 구체적인 실시예은 본 발명의 목적을 해석하기 위한 용도로만 사용될 뿐, 어떤 방식으로든 본 발명을 한정하는 것으로 이해해서는 안 된다. 본 발명의 교도 하에, 당업자는 본 발명에 기초한 임의의 가능한 변형을 구상할 수 있으며, 이는 전부 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치의 구조도이다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치의 구조도이다. 본 발명의 반도체 처리장치에서, 도 2 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 처리장치는 본체(1) 및/또는 덮개(2)를 포함한다. 본체(1)에는 적어도 하나의 반도체 처리유닛(11)가 형성되며, 각각의 반도체 처리유닛(11)은, 본체(1)의 상단면에 의해 형성되며 하부를 이루는 바닥벽 상에 적어도 하나의 기준부위(1111)가 구비되고, 기준부위(1111)에서 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠거나, 기준부위(1111)에서 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띠는 수용부(111); 바닥벽의 각각의 기준부위(1111) 부분에 개설되며 수용부(111)와 연결되는 제1 통로(112); 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112) 부분의 본체(1)에 개설되며 수용부(111)와 연결되는 제2 통로(113)를 포함한다. 여기에서, 제1 통로(112) 및/또는 상기 제2 통로(113)는 유체(3)의 출구 및/또는 입구로 사용될 수 있다.

본 발명은 유체(3)의 종류, 유체(3)가 수용부(111)에 진입하고 수용부로부터 내보내지는 입구 및 출구의 위치, 수용부(111)의 내부 구조 및 유체(3) 압력을 선택함으로써 유체(3)가 기판(4) 표면에서 유동하는 방향 및 유동 속도를 제어해, 유체(3)가 계획대로 수용부(111)를 지나가는 과정에서 기판(4)의 표면과 접촉하고 물리적 및/또는 화학적 반응을 생성해 기판(4) 표면을 처리하도록 한다. 수용부(111)의 정밀한 설계를 통해, 중력의 작용을 충분히 이용해 유체가 수용부(111)에서 유동하는 방향 및/또는 유동하는 속도를 정확하게 제어할 수 있으며, 유체(3)가 기판(4) 표면 각 위치에 생성하는 물리적 및/또는 화학적 반응의 과정 및 공정 효과도 제어할 수 있다. 또한, 수용부(111) 구조의 특수한 설계를 통해 유체(3)가 계획대로 수용부(111)를 지나가는 과정에서 기판(4) 표면의 각 부위와 접촉하는 선의 속도가 동일함을 유지할 수 있어, 균일한 처리 효과도 얻을 수 있다.

일 실시예에서, 도 2a는 실시예의 도 2에서 Ⅰ부분을 확대한 구조도이고, 도 2b는 실시예의 도 2에서 Ⅱ 부분을 확대한 구조도이다. 도 2, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 반도체 표면 처리장치는 본체(1)를 포함하며, 본체(1)는 반도체 처리유닛(11), 제1 오목홈(12), 제3 통로(13), 제1 접합부(14)를 포함하고; 반도체 처리유닛(11)은 본체(1)의 상단면에 형성된 수용부(111), 수용부(111) 내부에 연결되는 제1 통로(112), 수용부(111)의 가장자리에 연결되는 제2 통로(113)를 포함하고; 수용부(111)는 수용부(111)의 바닥벽과 제1 통로(112)가 연결되는 기준부위(1111), 및 수용부(111)와 제2 통로(113)가 연결되는 가장자리(1112)를 포함하며, 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띤다. 여기에서, 제1 통로(112) 및/또는 제2 통로(113)를 통해 유체(3)를 동시에 또는 각각 들여보낼 수 있으며, 동시에 또는 각각 내보낼 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 본체(1)의 정면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 본체(1)의 단면도이다. 도 4a는 실시예의 도 4에서 Ⅰ 부분을 확대한 구조도이고, 도 4b는 실시예의 도 4에서 Ⅱ 부분을 확대한 구조도이다. 도 3에 도시된 바와 같이 본체(1)는 필요에 따라 임의의 형상으로 설계될 수 있고, 일정한 두께를 가지며, 그 두께에 수용부(111)를 개설할 수 있다. 본 실시예에서, 본체(1)는 직육면체일 수 있으며 본체(1)의 상부 표면은 정사각형일 수 있다. 도 3에 도시된 반도체 처리장치는 본체(1)의 상부 표면 상에 기판(4)을 수용할 수 있는 수용부(111)를 구비한다. 상기 수용부(111)는 대략적으로 원기둥형을 띠며, 수용부(111)는 전체적으로 중심이 대칭된다. 도 4에 도시된 바와 같이 상기 수용부(111)의 바닥벽은 하나의 기준부위(1111)를 가지고, 상기 기준부위는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치할 수 있으며, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세의 곡면을 띤다. 곡면의 형태는 상승추세의 차이로 인해 변화될 수 있다. 경사면의 상승추세가 일정한 값일 때, 수용부(111)는 도 4 및 도 4a에 도시된 바와 같이 정점이 아래로 향하는 원뿔면을 띤다. 본체(1)에서 바닥벽의 기준부위(1111)에 수용부(111)와 연결되는 제1 통로(112)가 개설되며, 수용부(111)의 가장자리(1112) 부분에는 수용부(111)와 연결되는 제2 통로(113)가 개설된다. 제1 통로(112)는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치하는 기준부위(1111)와 연결되고, 제2 통로(113)는 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)와 연결되며, 제2 통로(113)는 하나 또는 복수 개의 가이드 슬롯(114)에 연결될 수 있다. 가이드 슬롯(114)은 기준부위(1111)를 둘러싸며, 수용부(111)의 가장자리(1112)에 위치한다. 유체(3)가 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)로 흘러 들어가면 가이드 슬롯(114)을 통해 제2 통로(113)로 보내질 수 있다. 가이드 슬롯(114)이 설치된 후, 유체(3)는 원주 방향에서 보다 균일하게 제2 통로(113)로 보내질 수 있으며, 제1 통로(112) 및/또는 제2 통로(113)는 동시에 또는 각각 유체(3)에서 내보내지고/또는 유체(3)로 들여보내질 수 있다.

도 3, 도 4, 도 4b에 도시된 바와 같이, 본체(1)에는 제1 오목홈(12), 제1 접합부(14)가 더 설치될 수 있다. 제1 오목홈(12)은 반도체 처리유닛(11)의 바깥 둘레에 설치되어, 수용부(111)로부터 흘러넘치는 유체(3)를 수집한다. 상기 제1 오목홈(12)은 본체(1)의 상부 표면에서 링 형상을 띨 수 있다. 본체(1)에는 제1 오목홈(12)과 연결되는 제3 통로(13)도 설치되어 있으며, 제3 통로(13)는 제1 오목홈(12) 내에 수집된 유체(3)를 외부로 내보낸다. 동시에, 제1 통로(112)의 유량, 제2 통로(113)의 유량 및 제3 통로(13)의 유량 상황에 따라 반도체 처리장치의 고장 여부를 판단할 수 있다. 제1 접합부(14)는 덮개와 상응하는 위치를 접합, 봉쇄해, 내부 챔버를 외부 환경과 격리시킬 수 있다.

본 실시예에서, 반도체 처리장치의 작동 원리는 다음과 같다: 기판(4)의 처리해야 할 표면을 아래로 향하게 해 본체(1)에 형성된 수용부(111) 상측에 편평하게 배치하면, 기판(4)의 하부 표면과 본체(1) 수용부(111)의 바닥벽 사이에 갭이 형성되고, 상기 갭의 높이는 수용부(111)의 중심에 배치되는 기준부위(1111)에서 가장자리(1112) 방향으로 점차 작아진다. 본체(1)의 제1 통로(112)에서 수용부(111)로 유체(3)를 들여보내면, 유체(3)가 연속적으로 수용부(111)로 들어감에 따라 유체(3)가 바닥벽 중심에 위치하는 기준부위(1111)로부터 중력의 반대 방향을 따라 점차 수용부(111)를 채우게 된다. 기판(4)과 본체(1) 사이에 형성된 갭이 유체(3)에 의해 채워지면, 유체(3)는 기판(4)의 처리해야 할 하부 표면을 완전히 덮는다. 이 때, 지속적으로 제1 통로(112)에서 수용부(111)로 유체를 들여보내면 유체(3)를 제2 통로(113)를 통해 수용부(111)에서 내보낼 수 있고, 유체(3)가 수용부(111)를 통해 흘러넘쳐 제1 오목홈(12) 내로 들어간 후, 제1 오목홈(12) 내에 수집된 유체(3)를 제3 통로(13)를 통해 외부로 내보낼 수도 있다. 필요한 임의의 순간에 유체(3)를 수용부(111)로 들여보내는 것을 중단하도록 선택할 수도 있고, 기판(4) 하부 표면과 수용부(111)의 갭이 일정한 공정을 멈추는 시간 동안 유체(3)가 계속해서 기판(4)의 하부 표면과 물리적/화학적 반응을 생성하도록 한다. 원하는 임의의 순간에 수용부(111)로 기타 임의의 유형의 유체(3)를 들여보내, 이미 수용부(111)와 기판(4) 사이의 갭을 채운 유체(3)를 대체할 수 있다. 요건을 만족시키는 기판(4) 표면을 얻을 때까지 동일하거나 서로 다른 성분의 유체를 이용해 이 과정을 반복할 수 있다. 수용부(111) 내의 유체는 제1 통로 및 제2 통로를 통해 내보낼 수 있다. 유체(3)가 수용부(111)로 들어가는 속도와 수용부(111)에서 나오는 속도는 기액 펌프, 압력 및/또는 진공도를 조정함으로써 제어할 수 있다. 기판(4)과 본체(1)의 상대적인 위치는 기판 상하면의 압력 및 덮개와 본체 사이의 상대적인 위치를 조정함으로써 제어할 수 있다.

본 실시예에서, 수용부(111) 전체의 곡면 형상을 정밀하게 설계함으로써 필요한 공정 효과를 구현할 수 있다. 수용부(111)의 바닥벽은 하나의 기준부위(1111)를 구비하며, 상기 기준부위는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치할 수 있으므로, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세의 곡면을 띤다. 곡면이 바닥벽의 중심(1111)에서 반경 방향으로 바닥벽의 가장자리(1112)로 향하는 곡면 경사율은 본체 설계 시 임의로 정할 수 있으므로, 유체(3)가 수용부(111)의 중심에서 수용부(111) 가장자리(1112)를 향해 유동하는 과정에서 그 유동 방향, 유동 속도 및 기판 표면에 생성하는 압력은 수용부(111)의 표면 형태가 변화함에 따라 변하게 되며, 이어서 기판(4)의 하부 표면과 생성하는 물리적 및/또는 화학적 반응의 공정 효과에 영향을 미치게 된다.

같은 이치로, 수용부(111) 가장자리(1112)의 제2 통로(113)에서 수용부(111)로 유체(3)를 보내면 유체(3)는 초기 단계에서 수용부(111)의 가장자리(1112)에 위치하게 된다. 그 후, 수용부(111)가 바닥벽의 중심에 위치하는 기준부위(1111)에서 가장자리(1112)로 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 경사면을 띠므로, 유체(3)는 중력을 받아 수용부(111)를 따라 바닥벽의 가장자리(1112)에서 바닥벽의 중심에 위치한 기준부위(1111)로 유동한다. 이 과정에서, 유체(3)는 기판(4)의 하부 표면과 접촉해 기판(4)의 하부 표면을 처리한다. 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)로 향하는 제2 통로(113)에서 수용부(111) 내로 들여보낸 유체(3)가 기판(4)의 하부 표면과 수용부(111) 사이에 형성된 갭을 채우면, 유체(3)는 본체(1)의 제1 통로(112)를 통해 본체(1)에서 내보내진다. 이 때, 기판(4)은 유체(3)의 영향으로 인해 부유 상태가 될 수 있으며, 본체(1)와 서로 지탱할 수도 있다. 이 때부터 제2 통로(113)를 통해 유체(3)를 연속적으로 들여보내고, 제1 통로(112)를 통해 유체(3)를 내보낸다. 수용부(111)는 경사를 가지며 수용부(111)의 중심으로 유도하므로, 제2 통로(113)에서 수용부(111)로 보낸 유체(3)의 유동 방향은 제어를 받게 되며, 중력 작용으로 인해 수용부(111)의 중심 부분으로 유동한다. 전체 수용부(111) 상에서 바닥벽의 가장자리(1112)로부터 바닥벽의 중심으로 향하는 경사면의 경사율은 동일하고, 모든 유체(3)가 수용부(111) 가장자리(1112)에서 수용부(111) 중심으로 유동하는 과정에서 서로 다른 반경 방향의 수용부(111) 상에서 유체(3)의 유동 속도가 동일한 수준을 유지하므로, 서로 다른 반경 방향의 수용부(111)상의 유체(3)가 유동 과정에서 기판(4)의 하부 표면과 접촉하는 정도 역시 동일한 수준으로 유지된다. 이와 같이, 기판(4)의 표면이 일반적으로 원형을 띠므로, 기판(4)의 서로 다른 반경 방향에서 유체(3)가 기판(4)을 처리하는 정도 역시 동일한 수준으로 유지된다. 즉, 기판(4)상의 동일한 반경 위치에서 유체(3)가 상기 기준부위를 처리하는 정도는 동일하다. 들여보낸 유체(3)가 작업 요건을 만족시키면 제2 통로(113)로부터 유체(3)를 보내는 것을 중단하고, 수용부(111) 상에 위치한 유체(3)는 중력 작용으로 인해 수용부(111)를 따라 전부 수용부(111)의 중심 부분으로 유동하며, 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112) 부분에 위치한 유체(3)와 기판(4)은 먼저 고체-액체-기체 분계면을 드러낸다. 유체(3)가 제1 통로(112)로부터 연속적으로 내보내지면서, 유체(3)와 기판(4) 사이의 고체-액체-기체 분계면은 유체(3)와 기판(4)이 완전히 분리될 때까지 기판(4)의 가장자리에서 기판(4)의 중심으로 이동해, 최종적으로 유체(3)는 제1 통로(112)로부터 전부 내보내진다. 유체(3)가 내보내지는 전체 과정에서 유체(3)와 기판(4) 사이의 접촉면 및 고체-액체-기체 분계면은 완전히 제어를 받는데, 특히 고체-액체-기체 분계면이 제어를 받는다. 고체-액체-기체 분계면이 드러나면 고체-액체-기체 분계면은 전부 기판(4)의 가장자리(1112)에 위치하게 되며, 링 형을 띠는 고체-액체-기체 분계면은 전부 기판(4)의 가장자리에서 기판(4)의 중심으로 동시에 이동하고, 최종적으로는 기판(4)의 중심에서 사라진다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 덮개(2)의 정면도이고, 도 6은 도 5의 실시예에서 A-A단면을 따라 자른 단면도이다. 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 처리장치는 본체(1) 상부에 설치될 수 있는 덮개(2)를 포함할 수 있다. 덮개(2) 상에는 제4 통로(21), 유도홈(23), 제5 통로(25) 및 제2 접합부(22)가 개설된다. 본체(1)와 덮개(2)가 폐쇄 위치에 있을 때, 본체(1) 상단면의 수용부(111)와 덮개(2) 하단면 사이에는 봉쇄 공간이 형성되어 내, 외부 환경을 격리시키고, 제4 통로(21)는 공간을 외부와 연결한다. 기판(4)이 본체(1)의 수용부(111)에 배치되면, 상측에 설치된 덮개(2)를 통해 위치고정 할 수 있다. 본체(1) 및 덮개(2)는 테프론, 석영, 실리콘 카바이드 또는 ppt 플라스틱과 같은 초순수 및/또는 방부성 재료로 제조될 수 있으며, 독성 및/또는 부식성 유체(3)가 안전하고 깨끗하며 안정된 공정 환경에 있도록 해 준다.

제4 통로(21)는 덮개(2)의 중심 위치에 위치할 수 있다. 링 형상의 제2 오목홈(24), 및 제2 오목홈(24)과 외부를 연결하는 제5 통로(25)는 덮개(2)와 기판(4)이 접촉하는 영역의 바깥 둘레에 위치할 수 있으며, 본체(1) 및 덮개(2)가 폐쇄 위치에 있을 때 덮개(2)의 제2 오목홈(24)은 본체(1)의 제1 오목홈(12)과 서로 연결될 수 있다. 공정에서, 제4 통로(21) 및 제5 통로(25)를 통해 유체를 들여보내고/또는 내보내, 기판(4)의 상부 표면 및/또는 측면 상에서 유체(3)를 인입하고/또는 유도하고, 압력을 조절하며, 압력을 유지하고/또는 진공을 제조할 수 있다.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본체(1)상의 제1 접합부(14)는 덮개(2) 상에 구비된 제2 접합부(22)와 서로 대응되고, 본체(1)와 덮개(2)가 서로 접합하면 본체(1)와 덮개(2)는 밀폐되도록 연결되어, 봉쇄된 마이크로 챔버를 형성하고 외부와 격리시킨다. 본체(1) 상의 제1 접합부(14)는 본체(1) 상단면의 가장자리에 위치하며, 링 형상의 요형 가장자리일 수 있다. 덮개(2) 상의 제2 접합부(22)는 덮개(2) 하단면의 가장자리에 위치하며, 링 형상의 플랜지이다. 본체(1)와 덮개(2)가 폐쇄 위치에 있을 때, 본체(1) 상의 요형 가장자리와 덮개(2) 상의 플랜지가 서로 접합해, 본체(1)와 덮개(2) 사이가 밀폐되게 연결되도록 한다. 물론, 기타 실시예에서는 본체(1) 상단면 가장자리의 제1 접합부(14)가 링 형상의 플랜지일 수도 있으며, 덮개(2) 하단면 가장자리의 제2 접합부(22)가 링 형상의 플랜지일 수도 있다.

도 5에 도시된 바와 같이, 덮개(2)의 하단면에는 적어도 하나의 유도홈(23)이 개설되며, 유도홈(23)은 제4 통로(21)와 연결된다. 유도홈(23)은 두 개가 십자형으로 서로 교차할 수 있으며, 더 여러 개가 서로 교차할 수도 있다. 유도홈(23)이 서로 교차하는 지점은 동일한 지점이며, 복수 개의 서로 다른 지점일 수도 있다. 유도홈(23)이 서로 교차하는 지점이 동일한 지점일 경우 상기 지점의 위치는 제4 통로(21) 부분에 위치하며, 제4 통로(21)와 연결된다. 복수 개의 유도홈(23)에 의해 형성된 구조는 중심 대칭이 될 수 있어, 본체(1)와 덮개(2)에 의해 형성된 공간을 제4 통로(21)를 통해 가압 또는 감압할 때 유도홈(23)은 유체 유동의 균일성을 보장할 수 있다. 이로써, 기판(4)에 가해지는 압력의 균일성을 보장하고 기판(4)에 미치는 영향의 정도를 감소할 수 있다. 특수하게, 제4 통로(21)를 통해 진공 상태로 만들면, 유도홈(23) 하측에 기판(4)이 설치되어 있기 때문에 유도홈(23) 내의 기압이 감소하고, 기판(4)의 상, 하부 표면에 압력 차가 형성된다. 기판(4)은 강제로 위로 이동하게 되어 유도홈(23)과 서로 지탱해 봉쇄 공간을 형성하고, 압력은 한 층 더 감소해 최종적으로 기판(4)이 덮개(2)에 흡착된다.

일 실시예에서, 반도체 처리유닛(11)은 본체(1) 상단면에 형성된 수용부(111)를 포함하며, 수용부(111)는 대략 직육면체 형상을 띠고, 수용부(111)의 바닥벽 상에는 복수 개의 기준부위(1111)가 구비되어 있다. 상기 복수 개의 기준부위(1111)는 직선을 형성하며, 상기 직선에서 수용부(111)로 향하는 좌우 양측은 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띤다. 구체적으로 말하면, 상기 복수 개의 기준부위(1111)에 의해 형성된 직선은 수용부(111) 바닥벽의 대칭선 기준부위(1111)에 위치할 수 있으며, 상기 수용부(111) 바닥벽의 대칭선 기준부위(1111)로부터 좌우 양측으로 경사면의 상승추세를 띤다. 수용부(111)의 형상은 수용부(111) 대칭선의 수직면을 따라 대칭된다. 즉, 수용부(111) 바닥벽의 단면은 V형을 띤다. 제1 통로(112)는 수용부(111) 바닥벽 상의 가장 낮은 부분과 외부를 연결한다. 제1 통로(112)는 수용부(111)의 대칭선 방향을 따라 배열된다. 이러한 방식으로, 수용부(111) 바닥벽의 대칭선 방향으로 유체(3)를 균일하게 내보낼 수 있다. 제2 통로(113)는 두 열의 통로로서, 각각 수용부(111)의 좌우 양측 부분과 외부를 연결한다. 각각의 통로는 수용부(111)의 대칭선 방향으로 배열된다. 상기 반도체 처리장치는 직사각형 실리콘판을 처리할 수 있다. 실리콘판을 처리할 때, 유체(3)는 제2 통로(113)를 통해 수용부(111)가 좌우 대칭되는 양측에서 수용부(111)로 보내지고, 중력 작용으로 인해 유체(3)는 수용부(111)의 양측에서 수용부(111)의 가장 낮은 부분으로 균일하게 유동한다. 이 과정에서 실리콘판의 하부 표면과 서로 접촉해 실리콘판의 하부 표면을 처리한다. 유체(3)는 수용부(111) 양측에서부터 균일하게 수용부(111)의 가장 낮은 부분으로 유동하므로, 유체(3)가 실리콘판의 하부 표면을 처리하는 정도 역시 동일하다. 물론, 기타 실시예에서는 수용부(111) 바닥벽에 구비된 복수 개의 기준부위(1111)에 의해 형성된 직선이 수용부(111) 바닥벽의 좌우 양측을 향해 중력의 반대 방향을 따라 하강추세를 띤다. 이와 같이 수용부(111) 바닥벽의 단면은 거꾸로 된 V형을 띠며, 제1 통로(112)는 수용부(111) 상의 가장 높은 부분과 외부를 연결한다. 제2 통로(113)는 두 줄의 통로로서, 수용부(111)의 좌우 양측(가장 낮은 부분)을 각각 외부와 연결한다. 직사각형 실리콘판의 경우 상기 반도체 처리장치를 통해 처리할 수 있다.

일 실시예에서, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치의 구조도이다. 도 7a는 실시예의 도 7에서 I 부분을 확대한 구조도이다. 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 본체(1)의 단면도이다. 도 8a는 실시예의 도 8에서 I 부분을 확대한 구조도이다. 도 7, 도 7a에 도시된 바와 같이, 기판(4) 표면 처리장치는 반도체 처리유닛(11)을 포함하는 본체(1)를 포함하며, 반도체 처리유닛(11)은, 본체(1) 상에 개설되며 기판(4)을 수용할 수 있고 바닥벽 상에 하나의 기준부위(1111)가 구비되며 상기 기준부위(1111)에서 바닥벽 가장자리(1112) 방향으로 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띠는 수용부(111); 상기 기준부위(1111) 부분의 본체(1) 상에 개설되어 수용부(111)와 외부를 연결하는 제1 통로(112); 및 수용부(111) 바닥벽 가장자리(1112) 부분의 본체(1) 상에 개설되어 수용부(111)와 외부를 연결하는 제2 통로(113);를 포함하고, 제1 통로(112) 및/또는 제2 통로(113)를 통해 유체(3)를 수용부(111)로 들여보내거나 수용부(111)에서 내보낼 수 있다.

구체적으로, 도 8, 도 8a에 도시된 바와 같이, 본체(1)는 직육면체를 띨 수 있으며, 본체(1)의 상부 표면은 정사각형일 수 있다. 본체(1)의 상단면에는 기판(4)을 수용할 수 있는 수용부(111)가 형성되며, 상기 수용부(111) 바닥벽에 구비된 하나의 기준부위(1111)는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치할 수 있고, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띤다. 물론, 경사면 역시 하강추세를 띠는 곡면으로 변형될 수 있으며 하강의 정도도 변화할 수 있으나, 전체적으로는 하강하는 추세를 띤다. 수용부(111) 전체는 중심 대칭을 이룰 수 있다. 경사면의 하강추세가 일정할 때, 수용부(111)는 정점이 위로 향하는 원뿔면을 띤다. 본체(1)에는 상기 기준부위(1111) 부분에 수용부(111)와 외부를 연결하는 제1 통로(112)가 개설되며, 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112) 부분에는 수용부(111)와 외부를 연결하는 제2 통로(113)가 개설된다. 제1 통로(112)는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 연결되어, 유체(3)를 들여보내는 데 사용된다. 제2 통로(113)는 복수 개의 통로일 수 있으며, 수용부(111)의 중심을 둘러싸고 링 형으로 분포되고, 유체(3)를 내보내는 데 사용된다.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 덮개(2)의 정면도이고, 도 9a는 실시예의 도 9에서 A-A단면을 따라 자른 단면도이다. 도 9, 도 9a에 도시된 바와 같이 덮개(2) 상에는 제4 통로(21)가 개설되며, 본체(1)와 덮개(2)가 폐쇄 위치에 있을 때 본체(1) 상단면에 형성된 수용부(111)와 덮개(2)의 하단면 사이에는 공간이 형성되고, 제4 통로(21)는 공간과 외부를 연결한다. 상기 덮개(2)의 하단면에는 링 형상의 제2 오목홈(24), 및 제2 오목홈(24)과 외부를 연결하는 제5 통로(25)도 개설될 수 있다. 덮개(2)가 본체(1) 상측에 배치되면, 상기 제2 오목홈(24)과 본체(1)의 제1 오목홈(12)은 서로 연결된다. 덮개(2) 상에는 본체(1)의 제1 접합부(14)와 서로 대응되는 제2 접합부(22)가 구비되어, 본체(1)와 덮개(2)가 서로 접합하면 본체(1)와 덮개(2) 사이가 밀폐되도록 연결된다.

본 실시예에서, 반도체 처리장치의 작동 원리는 다음과 같다: 기판(4)을 본체(1)의 수용부(111)에 편평하게 배치하면 기판(4)의 하측과 수용부(111) 사이에 갭이 형성되고, 상기 갭의 폭은 기판(4)의 중심에서 가장자리를 향해 점차 커진다. 수용부(111) 중심의 제1 통로(112)에서 수용부(111)로 유체(3)를 보내면 유체(3)는 초기 단계에서 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치한 기준부위(1111)에 위치하게 된다. 그 후, 수용부(111)가 중심에 위치한 기준부위(1111)에서 수용부(111)의 가장자리(1112)를 향해 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띠므로, 유체(3)는 중력을 받아 수용부(111)를 따라 중심에서 가장자리(1112) 위치로 유동한다. 이 과정에서, 유체(3)는 기판(4)의 하부 표면과 접촉해 화학적 및 물리적 반응을 생성하고 기판의 하부 표면을 처리할 수 있다. 수용부(111) 중심의 제1 통로(112)에서 수용부(111) 내로 일정량의 유체(3)를 보내 기판(4)과 수용부(111) 사이에 형성된 갭을 채우면, 본체(1)의 제2 통로(113)를 통해 유체(3)를 내보낸다. 이 때 기판(4)은 유체(3)의 영향으로 부유 상태가 될 수 있으며, 본체(1)와 서로 지탱할 수도 있다. 이 때부터 제1 통로(112)에서 유체(3)를 연속적으로 보내는 동시에, 기판(4) 하부 표면과 접촉한 여분의 유체(3)를 제2 통로(113)로부터 내보낸다. 수용부(111)는 경사도를 가지므로, 제1 통로(112)에서 수용부(111)로 보내는 유체(3)의 유동 방향은 제어를 받게 되며, 중력 작용으로 인해 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)로 유동한다. 유체(3)가 수용부(111) 가장자리(1112)에서 수용부(111) 중심으로 유동하는 과정에서 서로 다른 반경 방향의 수용부(111)상의 유체(3)의 유동 속도는 균일하게 유지되므로, 서로 다른 반경 방향의 수용부(111)상의 유체(3)가 유동 과정에서 기판(4)의 하부 표면과 접촉하는 정도 역시 동일한 수준으로 유지된다. 이와 같이, 기판(4)의 표면이 일반적으로 원형을 띠므로, 기판(4)의 서로 다른 반경 방향에서 유체(3)가 기판 (4)을 처리하는 정도 역시 동일한 수준으로 유지된다. 즉, 기판(4)상의 동일한 반경 위치에서 유체(3)가 상기 기준부위를 처리하는 정도는 동일하다. 들여보낸 유체(3)가 작업 요건을 만족시키면 제1 통로(112)로부터 유체(3)를 보내는 것을 중단하고, 수용부(111) 상에 위치한 유체(3)는 중력 작용으로 인해 수용부(111) 전체를 따라 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)로 유동하며, 수용부(111) 바닥벽의 중심 부분에 위치한 유체(3)와 기판(4)은 먼저 고체-액체-기체 분계면을 드러낸다. 제2 통로(113)에서 유체(3)를 연속적으로 내보냄에 따라, 유체(3)와 기판(4) 사이의 고체-액체-기체 분계면은 유체(3)와 기판(4)이 완전히 분리될 때까지 기판(4)의 중심에서 기판(4)의 가장자리로 이동해, 최종적으로 유체(3)는 제2 통로(113)에서 전부 내보내지게 된다. 유체(3)를 내보내는 전체 과정에서 유체(3)와 기판(4) 사이의 접촉면 및 고체-액체-기체 분계면은 완전히 제어를 받는데, 특히 고체-액체-기체 분계면이 제어를 받는다. 고체-액체-기체 분계면이 드러날 때 고체-액체-기체 분계면은 전부 기판(4)의 중심 위치에 있으며, 고체-액체-기체 분계면은 연속적으로 링 형으로 확대되고, 링 형을 띠는 고체-액체-기체 분계면은 기판(4)의 중심에서 기판(4)의 가장자리로 이동하며, 최종적으로는 기판(4)의 가장자리에서 사라진다. 유체(3)를 내보내는 전체 과정에서 고체-액체-기체 분계면은 기판(4)의 중심 위치에서부터 균일하게 확산되는데, 상기 확산 과정에서 기판(4)의 표면에 유체(3)의 물얼룩을 남기지 않으며, 유체(3)의 물얼룩은 기판(4)의 가장자리에만 남을 수 있다. 다시 말해, 유체(3)가 기판(4)의 가장자리에서 분리될 때에만 기판(4)의 가장자리에 유체(3)의 물얼룩을 남겨둘 수 있다. 이로써, 기판(4)이 가장자리 위치 이외의 다른 위치에 유체(3)의 물얼룩을 남기지 않는다는 것을 보장할 수 있다. 물론, 기타 실시 가능한 실시예에서는 유체와 기판 하부 표면의 화학적, 물리적 작용의 정도 및 효과가 유체와 기판 하부 표면의 접촉방식과 관련이 있으므로, 수용부(111) 전체의 바닥벽 상의 중심부터 가장자리(1112)까지의 경사면의 경사율을 정밀하게 설계, 제조함으로써 원하는 처리 효과 및 품질을 얻을 수 있다.

본 실시예에서, 제1 통로(112)를 통해 수용부(111) 내로 유체(3)를 보내면 유체(3)는 기판(4)의 중심에서 가장자리로 유동한 다음, 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)에 위치한 제2 통로(113)로부터 내보내진다. 이와 같이, 최종적으로 모든 유체(3)를 내보내면 유체(3)와 기판(4) 하부 표면의 고체-액체-기체 분계면은 기판(4)의 중심으로부터 생성되고 기판(4)의 가장자리로 이동하며, 기판(4)의 가장자리에서 사라진다.

일 실시예에서, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치 중 수용부(111)의 구조도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 반도체 처리유닛(11)에서 수용부(111)의 바닥벽은 적어도 하나의 기준부위(1111)를 구비하고, 상기 기준부위(1111)는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치한다. 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 곡선을 띠며, 곡선의 경사율은 점차 작아진다. 수용부(111)의 수직 투영은 원형을 띠며, 이 실시예에서 수용부(111) 구조의 특징은 수용부(111)의 가장자리(1112)에서는 수용부(111)와 기판(4) 사이의 간격이 비교적 작고, 수용부(111)의 중심(1111)에서는 수용부(111)와 기판(4) 사이의 간격이 비교적 크다는 점이다. 도 10에 도시된 바와 같이, X구간에서 수용부(111)와 기판(4) 사이의 간격은 Y구간에서 수용부(111)와 기판(4) 사이의 거리보다 짧다. 수용부(111)를 연결하는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 제1 통로(112)를 통해 유체(3)를 수용부(111)로 들여보내면, 유체(3)는 초기 단계에서 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치한 기준부위(1111)에 있다. 수송되는 유체(3)의 체적이 증가함에 따라, 유체는 수용부(111)를 통해 바닥벽 중심에 위치한 기준부위(1111)에서 중력의 반대 방향으로 바닥벽 가장자리(1112)까지 상승한 후, 수용부(111) 가장자리(1112)의 제2 통로(113)에서 수용부(111)로 보내질 수 있다. 이 과정에서, 수송된 유체는 먼저 기판(4)의 하부 표면 중심 위치(즉, 바닥벽 중심에 위치한 기준부위(1111)와 대응되는 기판 하부 표면 위치)와 접촉하는데, 이 접촉 면적은 수송 유체의 체적이 증가함에 따라 기판의 가장자리를 향해 확대된다. 기판(4)과 본체(1) 사이에 형성된 갭이 유체에 의해 채워지면, 유체는 기판(4) 전체의 하부 표면을 덮는다. 이 때부터 제1 통로(112)에서 유체(3)를 연속적으로 보내는 동시에, 기판(4) 하부 표면과 접촉한 여분의 유체(3)를 제2 통로(113)에서 내보낸다. 기판(4)의 하부 표면을 연속적으로 유동한 유체(3)와 기판(4)의 하부 표면은 지속적으로 화학적, 물리적 반응을 생성한다. 유체(3)와 기판(4) 하부 표면의 접촉 방식(예: 각도, 유속 등)으로 인해, 유체(3)와 기판(4) 하부 표면이 생성하는 화학적, 물리적 반응 속도 및 효과에 직접적인 영향을 미치게 된다. 도 10에 도시된 바와 같은 수용부(111)의 구조를 이용하면, 수용부(111) 중심으로부터의 반경이 비교적 크며, 상기 유체(3)가 유동하는 면적은 수용부(111) 중심의 반경에 의해 형성된 원의 둘레에 수용부(111)와 기판(4) 사이의 간격을 곱한 값과 같다. 유체(3)가 중력의 영향을 받으면서 수용부(111)의 중심으로 유동하고, 수용부(111)와 기판(4) 사이의 간격은 증가하나(예: X, Y단락), Y단락에서 수용부(111)의 중심으로부터의 반경은 감소한다. 유체(3)가 유동하는 면적은 수용부(111) 중심의 반경에 의해 형성된 원의 둘레에 수용부(111)와 기판(4) 사이의 간격을 곱한 값과 같으므로, 수용부(111)와 기판(4) 사이의 간격이 증가하고 수용부(111) 중심으로부터의 반경은 감소해 동일한 비율을 유지하면, 최종적으로 계산되는 유체(3)의 유동 면적은 늘 일정한 수치를 유지한다. 유체(3)의 유동 면적이 서로 다른 위치에서 일정한 수치를 유지하면, 유체(3)가 수용부(111)의 서로 다른 위치에서 유동하는 속도 역시 늘 일정한 수치를 유지한다. 이와 같이, 유체(3)가 수용부(111)의 서로 다른 위치에서 기판(4)와 접촉해 처리하는 정도 역시 일정한 수준으로 유지할 수 있다. 수용부(111)의 특수한 구조로 인해, 기판(4) 전체 표면의 모든 위치가 유체(3)를 거쳐 처리되는 정도는 거의 완전히 일치한다. 계산해 보면, 중심 위치를 원점으로 가장자리를 향해 연장되는 방사선의 방향은 정방향이며, 상기 곡선이 띠는 형상의 해석 함수가 y=-C/x 이고, 여기에서 C가 상수일 경우, 상수 C가 커지면 일정한 유체(3)의 유량 하에 수용부(111)의 서로 다른 위치에서 일정한 유동 속도는 감소하고, 상수 C가 작아지면 일정한 유체(3)의 유량 하에 수용부(111)의 서로 다른 위치에서 유체의 일정한 유동 속도는 증가한다. 필요한 다른 상황에서 계산해 보면, 중심 위치를 원점으로 가장자리를 향해 연장되는 방사선의 방향은 정방향이며, 상기 곡선이 띠는 형상의 함수는 y=Alnx+C이고, 여기에서 A, C는 상수이다. 이러한 경우, A값 및 C값의 크기를 조정함으로써 유체(3)가 수용부(111)의 서로 다른 위치에서 유동하는 속도를 제어해 유동 속도를 변화시킬 수 있으며, 이로써 유체(3)가 기판(4) 표면의 중심 부분에서 가장자리 부분으로 유동하는 속도를 변화시킬 수 있다. 첫 번째 상황에서는 유체(3)가 기판(4) 표면의 중심 부분에서 가장자리 부분으로 유동하는 속도가 빨라지고, 두 번째 상황에서는 유체(3)가 기판(4) 표면의 중심 부분에서 가장자리 부분으로 유동하는 속도가 느려진다.

일 실시예에서, 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 처리장치의 구조도이다. 도 11a는 실시예의 도 11에서 I 부분을 확대한 구조도이다. 도 11b는 실시예의 도 11에서 A-A단면을 따라 자른 단면도이다. 도 11c는 실시예의 도 11b에서 일 실시예에 따른 I 부분의 구조도이다. 도 11d는 실시예의 도 11b에서 다른 실시예에 따른 I 부분의 구조도이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 본체(1)에는 복수 개의 상호 독립된 반도체 처리유닛(11)이 설치되어, 복수 개의 반도체 처리유닛이 동일한 기판(4)의 한 면의 서로 다른 영역을 처리하도록 한다. 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 기판(4)은 처리유닛의 수량이 5개임을 나타내고 있으며, 이들은 본체(1) 상에 상호 독립적으로 설치된다. 본체(1)에는 제1 오목홈(12)이 더 설치되어 있으며, 제1 오목홈(12)은 모든 반도체 처리유닛(11)의 바깥 둘레에 설치되어 반도체 처리유닛(11)에서 흘러넘치는 유체(3)를 수집한다. 본체(1)에는 제1 오목홈(12)과 연결되는 제3 통로(13)도 설치되어, 제1 오목홈(12) 내에 수집된 유체(3)를 밖으로 내보낸다. 각각의 반도체 처리유닛(11)은 기판(4)의 특정 영역을 독립적으로 처리할 수 있으며, 처리 과정에서 반도체 처리유닛(11) 내의 유체(3)는 기판(4)의 기타 영역에 영향을 미치지 않는다. 도 11c에 도시된 바와 같이, 일 실시예의 반도체 처리유닛(11)에서 상기 기준부위(1111)는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치하며, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 경사면을 띤다. 제1 통로(112)는 유체(3)를 내보내거나 들여보내는 데 사용되고, 제2 통로(113)도 유체(3)를 내보내거나 들여보내는 데 사용된다. 도 11d에 도시된 바와 같이, 다른 실시예의 반도체 처리유닛(11)에서 상기 기준부위(1111)는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치하며, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띤다. 제1 통로(112)는 유체(3)를 내보내거나 들여보내는 데 사용되고, 제2 통로(113)도 유체(3)를 내보내거나 들여보내는 데 사용된다.

상술한 반도체 처리장치를 이용하면, 반도체의 세정 처리, 반도체의 정화 처리, 반도체 표면의 측정 등을 포함해 기판을 서로 다른 목적으로 처리할 수 있다. 물론, 기판은 유리, 플라스틱 또는 기타 판 형상의 재료와 같은 기타 판 형 물건을 포함할 수도 있다.

본 실시예에서는 반도체 처리방법을 개시했다. 상기 방법은 주로 반도체 기판의 표면을 세정 처리하는 데 사용되며, 기판 표면의 산화층을 제거할 수도 있고, 반도체 기판은 웨이퍼 또는 실리콘판 종류의 반도체 부품일 수 있다. 상기 방법은 이하 단계를 포함한다,

처리될 기판(4)을 본체(1)의 수용부(111) 상에 배치한다. 여기에서, 본체는 수용부와 연결되는 제1 통로(112) 및 제2 통로(113)를 구비하며, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113)와 수용부가 연결되는 개구의 높이는 서로 다르다. 일 실시예에서, 수용부(111)는 적어도 하나의 기준부위(1111)를 구비하고, 상기 기준부위(1111)는 수용부(111) 바닥벽의 중심에 위치한다. 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠고, 본체(1)의 제1 통로(112)는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이며, 본체(1)의 제2 통로(113)는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이다. 다른 실시예에서, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띤다. 본체(1)의 제1 통로(112)는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이며, 본체(1)의 제2 통로(113)는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이다.

상기 제1 통로(112) 및 상기 제2 통로(113) 중 적어도 하나의 통로를 통해 상기 수용부(111) 내로 유체(3)를 들여보내고, 유체(3)가 기판(4)의 하부 표면 및 본체(1)에 의해 형성된 수용부(111) 사이의 공간을 채우면, 유체(3)가 기판(4)의 하부 표면과 접촉한다. 유체 (3)는 적어도 불화 수소산 용액, 질산 용액 및 과산화수소수 등을 포함한다. 물론, 유체(3)는 기판(4)의 표면을 세정할 수 있는 기타 유체도 포함한다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 하나의 통로를 개방해 수용부(111) 내의 유체(3)를 내보내는 동시에, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 높은 위치에 있는 하나의 통로에서도 수용부(111) 내로 유체(3)를 들여보낸다. 이 과정에서, 수용부(111) 내의 유체(3)는 기판(4)의 하부 표면과 서로 접촉해 기판(4)의 하부 표면을 처리한다. 불화 수소산 용액, 질산 용액이 기판(4)의 하부 표면을 처리하면 기판(4) 표면의 산화층이 제거되는데, 이 때 기판(4)의 표면은 소수성을 띤다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 높은 위치에 있는 하나의 통로에서 수용부(111) 내로 유체(3)를 들여보내는 것을 중단한다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로를 통해 상기 수용부(111) 내의 상기 유체(3)를 내보낸다. 유체(3)를 수용부에서 내보내는 속도를 제어하고 나아가 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도 및 이동 방향을 제어함으로써, 기판(4) 하부 표면의 잔류 물질의 양 및 물리적 분포 상태도 제어한다. 유체(3)가 수용부에서 내보내지면 유체(3)와 기판(4) 하부 표면은 고체-액체-기체 분계면을 형성하고, 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도가 소정의 조건 1을 만족시키면, 유체(3)와 기판(4)의 하부 표면에 형성된 고체-액체-기체 분계면의 이동 과정에서 기판(4)의 하부 표면에는 유체(3)가 남지 않게 된다.

이 과정에서, 기판(4)의 표면은 소수성을 띠며 유체(3)와 기판(4)의 고체-액체-기체 분계면이 기판(4)의 가장자리에서 중심으로 이동하거나 기판(4)의 중심에서 가장자리로 이동하므로, 이동 과정에서 유체(3)와 기판(4)이 최종적으로 분리되는 위치에 물얼룩이 남을 수 있다는 점을 제외하고, 기판(4)의 나머지 위치에는 물얼룩이 남지 않는다. 즉, 유체(3)와 기판(4) 사이의 고체-액체-기체 분계면이 기판(4)의 가장자리에서 중심으로 이동할 때, 유체의 물얼룩은 최종적으로 기판(4)의 중심 위치에만 남을 수 있다. 유체(3)와 기판(4) 사이의 고체-액체-기체 분계면이 기판(4)의 중심에서 가장자리로 이동할 때, 유체의 물얼룩은 최종적으로 기판(4)의 가장자리 위치에만 남을 수 있다. 이와 같이, 기판(4) 전체의 기타 위치에는 물얼룩이 남지 않게 된다. 세정 처리 후 물얼룩에 오염물이 존재하므로, 기판(4)의 품질에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.

유체(3)가 수용부에서 내보내지면 유체(3)와 기판(4)의 하부 표면은 고체-액체-기체의 분계면을 형성하고, 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도가 소정의 조건 2를 만족시키면, 유체(3)와 기판(4)의 하부 표면에 형성된 고체-액체-기체 분계면의 이동 과정에서 유체(3)는 기판(4) 하부 표면에 소정 두께의 박막을 형성한다. 유체(3)를 수용부에서 내보내는 속도가 비교적 빨라 유체(3)가 수용부 밖으로 내보내지면, 유체(3)와 기판(4) 하부 표면이 서로 분리될 때의 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도가 빨라져, 유체(3)가 기판(4) 하부 표면에 남게 되어 소정 두께의 박막을 형성한다.

본 방법은 유체(3)와 기판(4)의 접촉 정도를 제어할 수 있으며, 나아가 유체(3)와 기판(4)의 반응 정도 또는 세정 정도까지 제어할 수 있다. 다른 한편으로는, 유체(3)가 수용부에서 내보내지는 속도를 제어함으로써 기판(4) 하부 표면에 남는 유체(3)의 양 및 분포 상태까지 제어할 수 있다. 기판(4)을 세정 처리하는 과정에서, 세정하는 유체(3)가 기판(4) 하부 표면(원심 부분 또는 기판(4)의 가장자리 부분 제외)에 남지 않도록 효과적으로 제어할 수 있으며, 유체(3)가 기판(4) 하부 표면에 소정 두께의 박막을 형성하는 것도 제어할 수 있다. 상기 박막은 기판(4) 하부 표면을 보호하는 데 사용될 수 있다(예: 기판(4) 하부 표면과 공기가 접촉해 반응하는 것을 방지).

상술한 방법을 이용해 기판을 세정 처리하고 세정 처리 효과를 테스트하기 위한 실험방법은 다음과 같다:

1. 표면에 20ng의 금속 이온을 첨가한 오염된 기판(4)을 본체(1)의 수용부(111) 상에 배치하고, 덮개(2)를 본체(1)의 수용부(111) 상에 배치한다.

2. 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 높은 위치에 있는 하나의 통로에서 수용부(111)로 1.2V 체적의 유체(3)를 보낸다. 유체(3)는 불화 수소산, 질산, 과산화수소수 또는 이들로 조성된 혼합 용액 등 일 수 있다. V는 기판(4)과 수용부(111) 사이의 공간의 체적을 나타낸다. 0.2V 체적의 유체(3)를 보낼 때, 유체(3)가 기판(4)의 표면을 충분히 세정할 수 있도록 수용부(111) 내에 남아있는 V 체적의 유체(3)를 회수해 오염물 존재 상황을 측정한다.

3. 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 높은 위치에 있는 하나의 통로에서 수용부(111) 내로 20V 체적의 초순수를 넣어 기판(4)을 세정한 후, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 수용부(111)를 연결하는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 하나의 통로를 통해, 내보낸 유체(3)와 초순수를 수집한다.

4. 내보낸 유체(3) 및 초순수를 수집하고, 유도결합 플라즈마 질량 분석법 ICP-MS 측정을 진행한다. 표준 첨가법을 이용해 상기 실험 방법을 계산했으며, 실리콘판의 표면에 20ng의 금속 a를 넣은 이온을 첨가해 오염시키고 상술한 방법으로 조작한 후 ICP-MS 측정을 통해 얻어낸 내보낸 유체(3) 내의 상기 금속 측정값은 18ng이다. 여분의 0.2V의 체적을 내보냈으므로 해당 부분에도 소량의 상기 금속이 함유되어 있으며, 본 방법을 이용했을 때 오염 이온의 회수율은 90% 보다 높다는 것을 알 수 있다. 실험 결과, 분사 및 액침 기술의 습법 처리 과정과 같은 일반적인 기판 세정 방법과 비교했을 때, 본 기판 처리방법은 매우 적은 양의 유체(3) 및 초순수를 이용해 기판(4) 표면을 균일하게 세정함으로써 기판(4) 표면의 오염 이온을 효과적으로 제거할 수 있으며, 세정 효과 또한 현저한 것으로 밝혀졌다. 반도체 업계 내에서 각종 유체 및 수자원의 사용량은 우리의 상상을 훨씬 뛰어넘는다. 유체는 환경에 심각한 영향을 미쳤으며, 수자원의 대량 사용은 수자원의 고갈을 가중시켰다. 상술한 세정 처리방법은 대량의 유체(3) 및 초순수 자원을 절약할 수 있어, 유체(3)의 대규모 환경 파괴를 감소할 수 있다.

본 실시예에서는 반도체를 정화 처리하는 방법을 개시했다. 이 방법은 주로 반도체 표면을 정화 처리하는 데 사용되며, 반도체는 웨이퍼 또는 실리콘판과 같은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 본 방법은 먼저 기판 표면의 산화층을 제거한 후 기판 표면을 정화한다. 본 방법은 이하 단계를 포함한다.

처리될 기판(4)을 본체(1)의 수용부(111) 상에 배치하고, 덮개(2)를 본체(1)의 수용부(111) 상에 배치하는 단계; 일 실시예에서, 본체(1)에 의해 형성된 수용부(111)의 바닥벽 상에는 적어도 하나의 기준부위(1111)가 구비되고, 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠거나, 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띤다. 바닥벽의 각각의 기준부위(1111) 부분에 수용부(111)와 연결되는 제1 통로(112)를 개설하는 단계; 수용부(111) 바닥벽의 가장자리 부분의 본체(1) 상에 수용부(111)와 연결되는 제2 통로(113)를 개설하는 단계. 여기에서, 제1 통로(112)와 제2 통로(113) 중 하나는 유체를 들여보내는 데 사용되고, 다른 하나는 유체를 내보내는 데 사용된다. 여기에서, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113)와 수용부가 연결되는 개구의 높이는 서로 다르다. 보다 바람직한 실시예에서, 수용부(111)의 바닥벽은 적어도 하나의 기준부위(1111)를 구비하고, 상기 기준부위(1111)는 상기 수용부(111)의 바닥벽 중심에 위치한다. 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 곡선을 띠며, 곡선의 경사율은 점차 작아진다. 상기 곡선이 띠는 형상의 함수는 y=-C/x 또는 y = Alnx+C일 수 있으며, 여기에서 A, C는 상수이다. 본체(1)의 제1 통로(112)는 수용부(111)와 연결되며 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이고, 본체(1)의 제2 통로(113)는 수용부(111)와 연결되며 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 적어도 하나의 통로에서 수용부(111) 내로 기판(4) 표면의 산화물을 제거하는 유체를 들여보내, 처리될 기판(4) 하부 표면의 산화층을 제거한다. 기판(4) 표면의 산화층을 제거한 유체는 기판(4)의 하부 표면과 본체(1)의 수용부(111) 사이의 공간을 채우고, 기판(4) 표면의 산화층을 제거한 유체는 기판(4)의 하부 표면과 접촉한다. 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로에서 기판(4) 표면의 산화층을 제거하는 용액을 내보낸다. 기판(4) 표면의 산화층을 제거하는 유체는 일반적으로 불화 수소산을 사용하는데, 물론 종래기술에서는 기판(4) 표면의 산화층을 제거할 수 있는 기타 유체도 사용 가능하다. 기판(4) 표면의 산화층을 제거하고 나면 기판(4)의 표면은 소수성을 띤다. 기판(4) 표면의 산화층을 제거한 유체와 원 또는 실리콘판의 하부 표면이 일정한 정도의 반응을 나타내면, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 높은 위치에 있는 하나의 통로에서 수용부(111) 내로 기판(4) 표면의 산화층을 제거하는 유체(3)를 들여보내는 것을 중단한다.

기판(4) 표면의 산화층을 제거하는 유체의 농도가 소정의 조건 3을 만족시키면, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 높은 위치에 있는 하나의 통로에서 수용부(111) 내부로 초순수를 들여보내 기판(4)의 하부 표면을 세정하고, 기판(4) 하부 표면의 산화층을 제거하고 남은 유체를 제거한다. 기판(4) 표면의 산화층을 제거하는 유체의 농도가 소정의 조건 3을 만족시키지 않으면, 곧바로 다음 단계를 실행할 수 있다. 소정의 조건 3은 기판(4) 표면의 산화층을 제거하는 유체의 설정된 농도이다. 기판(4) 표면의 산화층을 제거하는 유체의 농도가 낮을 경우, 정제수로 기판(4)의 하부 표면을 세정할 필요 없이 기판(4) 표면의 산화층을 제거하고 남은 유체를 제거한다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 임의의 통로에서 수용부(111) 내로 기판(4)을 정화하는 물질을 보내 기판(4)의 하부 표면을 정화하고, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 임의의 통로를 통해 기판(4)을 정화하는 물질을 내보낸다.

기판(4)을 정화하는 물질을 들여보내는 양이 정화 요건을 만족시키면, 기판(4)을 정화하는 물질을 수용부(111) 내로 들여보내는 것을 중단한다. 본 단계에서, 기판(4)이 소정의 정화 요건을 만족시키는가의 여부는 기판(4)을 정화하는 물질을 들여보내는 양 또는 기판(4)을 정화하는 물질을 들여보내는 시간에 따라 판단할 수 있다. 물론, 기판(4)의 표면이 일정한 정도로 정화되고 나면 정화 정도는 기본적으로 변하지 않으며, 계속해서 정화할 수 없다. 동시에, 본 방법에서 기판(4)을 정화하는 물질은 기체 또는 액체일 수 있으며, 기판(4)을 정화하는 물질이 기체인 경우 적어도 오존을 포함한다. 물론, 종래기술에서 기판 표면을 정화할 수 있는 기타 물질도 본 방법에 동일하게 적용할 수 있다. 상기 과정에서는 기판(4)을 정화하는 물질만 수용부(111) 내로 들여보내면 된다. 수용부(111)의 구조로 인해, 종래기술과 비교했을 때 본 방법에서 기판(4)을 정화하는 데 사용되는 물질의 양은 상당히 적으며, 기판(4)의 표면을 완전히 균일하게 정화할 수 있다. 상술한 방법을 이용해 기판을 정화 처리하고 그 정화 효과를 테스트하는 실험 방법은 다음과 같다.

처리될 기판(4)을 본체(1)의 수용부(111) 내에 배치하고, 덮개(2)를 수용부(111) 상측에 배치한다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 임의의 통로에서 수용부(111) 내로 10% 질량비의 불화 수소산 용액 150mL를 천천히 넣어 처리될 기판(4)의 표면에 형성된 산화층을 제거하고, 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 하나의 통로에서 불화 수소산을 내보낸다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 높은 위치에 있는 하나의 통로에서 수용부(111) 내로 초순수 250mL를 천천히 넣어 수용부(111) 내에 잔류하는 불화 수소산을 씻어내고, 넣은 초순수는 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 하나의 통로에서 내보낸다. 불화 수소산 처리한 기판(4)의 표면은 소수성을 띠므로, 초순수를 사용해 잔류하는 불화 수소산을 세정할 때 초순수는 기판(4)의 표면에 물얼룩을 남기지 않고 기판(4)의 가장자리 또는 중심에만 물얼룩을 남길 수 있다. 이와 같이, 기판(4) 표면의 대부분 영역의 품질이 보장되며 기판(4) 표면에 건조 단계를 진행할 필요가 없다.

제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 임의의 통로에서 수용부(111) 내로 오존 기체를 넣으면, 넣은 오존 기체와 기판(4)의 하부 표면이 반응을 생성해 기판(4)을 정화 처리한다. 오존을 넣은 시간이 10분이 되면, 수용부(111) 내로 오존 기체를 넣는 것을 중단한다.

덮개(2)를 통해 수용부(111)를 열고 기판(4)을 꺼낸 후, 막두께계를 이용해 기판(4)의 표면을 측정한다. 측정 결과는 기판(4) 표면이 얻은 산화층의 평균 두께인 14Å이며, 표면 전체의 산화층 두께의 표준 편차는 5%이다. 본 방법의 단계를 통해 기판(4)의 표면을 정화 처리하면 기판(4)의 표면이 비교적 균일한 산화층을 얻을 수 있으므로, 기판(4) 전체 표면의 서로 다른 영역에서 산화층의 두께가 불균형해질 가능성이 낮아진다.

본 실시예에서는 반도체 표면의 서로 다른 영역의 오염물 분포 상황을 측정하기 위한 반도체 표면 측정방법을 개시했으며, 그 방법은 이하 단계를 포함한다.

반도체 처리유닛(11)과 기판(4) 하부 표면이 서로 떠받치도록, 복수 개의 반도체 처리유닛(11)을 구비하는 본체(1) 상에 측정될 기판(4)을 배치한다. 본체(1) 에는 복수 개의 반도체 처리유닛(11)이 구비되므로, 기판(4)에 대해 측정한 서로 다른 영역에 따라 반도체 처리유닛(11)을 배열한다. 반도체 처리유닛(11)의 수량은 기판(4)의 서로 다른 영역에 대해 측정하는 요건에 따라 결정될 수 있다. 측정 영역이 많을수록 본체(1)에 설치해야 할 반도체 처리유닛(11)도 많아진다. 기판(4) 표면을 측정하는 정밀도가 높을수록, 본체(1) 상에 설치해야 할 반도체 처리유닛(11)이 많아지고 밀집된다. 일 실시예에서, 반도체 처리유닛(11)에서 수용부(111) 바닥벽의 중심에는 하나의 기준부위(1111)가 구비되고, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 경사면을 띤다. 제1 통로(112)는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이며, 제2 통로(113)는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이다. 제1 통로(112)는 유체(3)를 들여보내거나 내보내거나 압력 균형을 유지하는 데 사용될 수 있고, 제2 통로(113)는 유체(3)를 들여보내거나 내보내거나 압력 균형을 유지하는 데 사용된다. 다른 실시예에서, 반도체 처리유닛(11)에서 수용부(111) 바닥벽의 중심에는 하나의 기준부위(1111)가 구비되고, 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112)를 향해 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띤다. 제1 통로(112)는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이며, 제2 통로(113)는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이다. 제1 통로(112)는 유체(3)를 들여보내거나 내보내거나 압력 균형을 유지하는 데 사용되고, 제2 통로(113)는 유체(3)를 들여보내고 내보내거나 압력 균형을 유지하는 데 사용된다. 여기에서, 제1 통로 및 제2 통로와 수용부가 연결되는 개구의 높이는 서로 다르다.

반도체 처리유닛(11) 중 적어도 하나의 반도체 처리유닛의 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 임의의 통로로 유체(3)를 들여보내, 유체(3)와 기판(4)의 하부 표면이 접촉하도록 함으로써 기판(4) 하부 표면의 오염물을 운반한다. 상기 단계에서 유체(3)는 측정해야 할 오염물과 서로 대응되는 유체로서, 측정하고자 하는 오염물을 기판 표면에서 제거할 수 있으며, 일반적으로 상기 유체는 불화 수소산, 과산화수소수, 질산 등을 포함할 수 있다.

적어도 하나의 반도체 처리유닛(11)의 제1 통로(112) 및 제2 통로(113) 중 임의의 하나의 통로를 통해 유체(3)를 내보낸다. 상술한 여러 가지 실시예에서, 반도체 처리유닛의 수용부가 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111) 바닥벽의 가장자리(1112) 방향으로 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 경사면 구조를 띨 경우, 제1 통로(112)를 통해 유체(3)를 들여보낸다. 유체(3)를 지속적으로 들여보내면 기판(4)의 하부 표면과 서로 접촉한다. 유체(3)는 기판(4) 하부 표면의 물질을 제거하거나 유체에 용해시키며, 유체(3)가 유동하면 물질은 유체(3)를 따라 기판(4)의 중심에서 가장자리로 이동한다. 제1 통로(112)를 통해 유체(3)를 내보낼 수 있으며, 기판(4) 하부 표면의 물질은 유체(3)를 따라 수용부(111) 밖으로 내보내져 수집되고 측정된다. 제1 통로(112)를 통해 유체를 내보내면, 제1 통로(112)가 수용부(111)의 바닥부에 위치하므로 유체(3)가 수용부(111) 밖으로 흘러나갈 때 보다 우수한 안정성을 지닐 수 있다. 물론, 제2 통로(113)를 통해 유체를 내보내는 것도 가능하다. 기판(4) 하부 표면의 물질은 유체(3)를 따라 수용부(111)에서 내보내져 수집되고 측정된다. 제2 통로(113)를 통해 유체를 내보내는 것은 제1 통로(112)를 통해 유체(3)를 들여보내기 때문이다. 유체(3)를 지속적으로 들여보내면 기판(4)의 하부 표면과 서로 접촉한다. 유체(3)는 기판(4) 하부 표면의 오염물을 제거하거나 유체(3)에 용해시키며, 유체(3)가 수용부(111)를 천천히 채우면서 대부분의 오염물은 수용부(111)의 바닥벽 가장자리(1112)로 흐르게 된다. 제2 통로(113)에서 유체(3)를 내보내면 유체(3) 내에 함유된 불순물의 양이 훨씬 안정되어, 장비의 측정에 유리하다.

반도체 처리유닛의 수용부(111)가 상기 기준부위(1111)에서 수용부(111)의 바닥벽 가장자리(1112) 방향으로 중력 방향을 따라 하강하는 경사면 구조를 띨 경우, 제2 통로(113)에서 유체(3)를 들여보낼 수 있다. 유체(3)를 지속적으로 들여보내면 기판(4)의 하부 표면과 서로 접촉한다. 유체(3)는 기판(4) 하부 표면의 물질을 제거하거나 유체(3)에 용해시키며, 유체(3)가 유동하면 물질은 유체(3)를 따라 기판(4)의 가장자리에서 중심으로 이동한다. 그리고 나서 제1 통로(112)를 통해 유체(3)를 내보내고, 기판(4) 하부 표면의 물질은 유체(3)를 따라 수용부(111)에서 내보내져 수집되고 측정된다. 제1 통로(112)를 통해 유체를 내보내는 것은 제2 통로(113)를 통해 유체(3)를 들여보내기 때문이다. 유체(3)를 지속적으로 들여보내면 기판(4)의 하부 표면과 서로 접촉한다. 유체(3)는 기판(4) 하부 표면의 오염물을 제거하거나 유체(3)에 용해시키며, 유체(3)가 수용부(111)를 천천히 채우면서 대부분의 오염물은 수용부(111)의 바닥벽 중심으로 흐르게 된다. 제1 통로(112)로부터 유체(3)를 내보내면 유체(3) 내에 함유된 불순물의 양이 훨씬 안정되어, 장비의 측정에 유리하다. 물론, 제2 통로(113)를 통해 유체(3)를 내보낼 수도 있으며, 기판(4) 하부 표면의 물질은 유체(3)를 따라 수용부(111)에서 내보내져 수집되고 측정된다. 제2 통로(113)를 통해 유체를 내보내면, 제2 통로(113)가 수용부(111)의 바닥부에 위치하므로 유체(3)가 수용부(111) 밖으로 흘러나갈 때 보다 우수한 안정성을 지닐 수 있다.

복수 개의 반도체 처리유닛(11)이 내보낸 유체를 각각 수집해 측정하고, 측정 결과에 따라 기판(4) 상의 서로 다른 영역의 오염물 분포 상황을 알아낸다.

본 기판(4) 표면 측정방법을 이용하면 동일한 기판(4)의 서로 다른 영역에 대해 오염물 측정을 할 수 있으며, 각각의 반도체 처리유닛(11)은 기판(4)의 특정 영역을 독립적으로 처리할 수 있다. 또한, 처리 과정에서 하나의 반도체 처리유닛(11)은 다른 반도체 처리유닛(11)에 영향을 주지 않으며, 반도체 처리유닛(11)의 처리에 사용되는 유체는 기판(4)의 고정 영역에만 접촉하므로 기판(4)에서 측정이 필요 없는 다른 영역으로 흐를 수 없기에, 측정한 유체가 다른 영역을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 복수 개의 반도체 처리유닛(11)이 측정한 결과를 통해 기판(4) 상의 서로 다른 영역의 오염물 분포 상황을 추가적으로 알아낸다. 설치한 반도체 처리유닛(11)이 많을수록 반도체 처리유닛(11)에 의해 측정되는 영역 면적이 작아져, 최종적으로 얻게 되는 기판(4)의 오염물 분포 상황이 더욱 이상적이게 된다.

본 명세서의 각 실시예에 대해 점진적으로 설명했으나, 각 실시예에서 중점적으로 설명한 점은 기타 실시예와의 차이점이다. 각 실시예 간의 동일 또는 유사한 부분은 서로 참조하면 될 것이다.

상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상 및 특징을 설명하기 위한 것일 뿐 본 발명의 보호범위를 한정하는 것은 아니며, 본 분야의 당업자가 본 발명의 내용을 이해하고 이에 근거해 실시하도록 하는 목적으로 사용된다. 본 발명의 사상에 따라 실시한 등가 변경 또는 수정은 모두 본 발명의 보호범위 내에 속하는 것으로 이해해야 한다.

이상 첨부 도면의 부호는 다음과 같다:
1. 본체; 11. 반도체 처리유닛; 111. 수용부; 1111. 기준부위; 1112. 가장자리; 112. 제1 통로; 113. 제2 통로; 114. 가이드 슬롯; 12. 제1 오목홈; 13. 제3 통로; 14. 제1 접합부; 2. 덮개; 21. 제4 통로; 22. 제2 접합부; 23. 유도홈; 24. 제2 오목홈; 25. 제5 통로; 3. 유체; 4. 기판

Claims (31)

1. 본체;
   상기 본체의 상단면에 설치되는 복수 개의 상호 독립된 반도체 처리유닛을 포함하고,
   각각의 상기 반도체 처리유닛은, 상기 본체의 상단면에 형성되며 하부를 이루는 바닥벽에는 적어도 하나의 기준부위가 구비되고 상기 기준부위에서 상기 바닥벽의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠거나, 상기 기준부위에서 상기 바닥벽의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띠는 수용부; 상기 바닥벽의 각각의 상기 기준부위 부분에 개설되며 상기 수용부와 연결되는 제1 통로; 상기 수용부 바닥벽의 가장자리 부분의 상기 본체에 개설되며 상기 수용부와 연결되는 제2 통로를 포함하며;
   상기 제1 통로 및/또는 상기 제2 통로는 유체의 출구 및/또는 입구로 사용될 수 있으며,
   복수 개의 상기 반도체 처리유닛이 동일한 기판의 일면의 서로 다른 영역을 각각 처리하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 기준부위는 상기 수용부의 바닥벽 중심에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
3. 삭제
4. 삭제
5. 제1항에 있어서,
   상기 수용부 바닥벽의 상기 가장자리에는 가이드 슬롯이 설치되며, 상기 가이드 슬롯은 적어도 1개의 상기 제2 통로와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 제2 통로는 상기 수용부의 중심을 둘러싸며 링 형상으로 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
7. 제1항에 있어서,
   상기 본체에는 오목홈이 더 설치되며, 상기 오목홈은 상기 수용부의 바깥 둘레에 설치되어 상기 수용부 내에서 흘러넘치는 상기 유체를 수집하고; 상기 본체에는 상기 오목홈과 외부를 연결하는 제3 통로가 설치되어, 상기 오목홈 내에 수집된 상기 유체를 외부로 내보내는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
8. 제1항에 있어서,
   상기 기준부위는 상기 수용부의 바닥벽의 중심에 위치하고,
   상기 기준부위에서 상기 수용부 가장자리로 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 곡선을 띠며, 상기 곡선의 경사율은 점차 작아지고; 또는
   상기 기준부위에서 상기 수용부 가장자리로 중력의 반대 방향을 따라 하강하는 곡선을 띠며, 상기 곡선의 경사율은 점차 커지는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
9. 제8항에 있어서,
   중심에 위치한 상기 기준부위를 원점으로 상기 가장자리를 향해 연장되는 방사선의 방향은 정방향이며, 상기 곡선이 띠는 형상의 해석 함수는 y=-C/x 이고, 여기에서 C는 0보다 큰 상수인 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
10. 제8항에 있어서,
    중심에 위치한 상기 기준부위를 원점으로 상기 가장자리를 향해 연장되는 방사선의 방향은 정방향이며, 상기 곡선이 띠는 형상의 해석 함수는 y=Alnx+C이고, 여기에서 A, C는 상수인 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
11. 제1항에 있어서,
    상기 본체 상부에 설치될 수 있는 덮개를 더 포함하고, 상기 본체에는 제4 통로가 설치되며, 상기 덮개는 상기 본체에 배치할 때, 상기 본체의 상기 수용부와 상기 덮개의 하단면 사이에는 공간이 형성되며, 상기 제4 통로에 의해 상기 공간과 외부는 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
12. 제11항에 있어서,
    상기 본체에는 제1 접합부가 구비되며, 상기 덮개에는 제1 접합부와 서로 대응되는 제2 접합부가 구비되어, 상기 본체와 상기 덮개가 서로 접합하면 상기 본체와 상기 덮개 사이에는 밀폐되도록 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
13. 제11항에 있어서,
    상기 덮개의 하단면에는 적어도 하나의 유도홈이 개설되며, 상기 유도홈은 상기 제4 통로와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리장치.
14. 삭제
15. 처리될 기판을 본체의 수용부에 배치하고, 처리해야 할 표면을 아래로 향하는 단계(여기에서, 상기 본체는 상기 수용부와 연결되는 제1 통로 및 제2 통로를 구비하고, 상기 제1 통로 및 상기 제2 통로와 상기 수용부가 연결되는 개구의 높이는 서로 다름);
    상기 제1 통로 및 상기 제2 통로 중 적어도 1개의 통로에서 상기 수용부 내로 유체를 보내고, 상기 유체가 상기 기판의 하부 표면과 상기 본체에 형성된 수용부 사이의 공간을 채우면, 상기 유체가 상기 기판의 하부 표면과 접촉하는 단계;
    상기 제1 통로와 상기 제2 통로 중 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로를 통해 상기 수용부 내의 상기 유체를 내보내는 단계;를 포함하여 이루어지되,
    상기 본체의 상단면에는 복수 개의 상호 독립된 반도체 처리유닛이 설치되고,
    각각의 상기 반도체 처리유닛은 상기 수용부를 포함하여 이루어지며,
    상기 수용부는 상기 본체의 상단면에 형성되고 상기 수용부의 하부를 이루는 바닥벽에는 적어도 하나의 기준부위가 구비되며, 상기 수용부는 상기 기준부위에서 상기 바닥벽의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠거나, 상기 기준부위에서 상기 바닥벽의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띠며,
    복수 개의 상기 반도체 처리유닛이 동일한 기판의 일면의 서로 다른 영역을 각각 처리하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
16. 제15항에 있어서,
    상기 유체를 상기 수용부에서 내보내면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면은 고체-액체-기체의 분계면을 형성하고 상기 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도 및 이동 방향을 제어함으로써, 상기 기판 하부 표면의 잔류 물질의 양 및 물리적 분포 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
17. 제16항에 있어서,
    상기 유체를 상기 수용부에서 내보내면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면은 고체-액체-기체 분계면을 형성하고, 상기 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도가 소정의 조건 1을 만족시키면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면에 형성된 고체-액체-기체 분계면의 이동 과정에서 상기 기판의 하부 표면에는 상기 유체의 잔류가 없게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
18. 제16항에 있어서,
    상기 유체를 상기 수용부에서 내보내면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면은 고체-액체-기체 분계면을 형성하고, 상기 고체-액체-기체 분계면의 이동 속도가 소정의 조건 2를 만족시키면, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면에 의해 형성된 고체-액체-기체 분계면의 이동 과정에서 상기 유체는 상기 기판 하부 표면에 소정 두께의 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
19. 제15항에 있어서,
    상기 기준부위는 상기 수용부 바닥벽의 중심에 위치하고; 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강추세를 띠고, 상기 제1 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이며, 상기 제2 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로인 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 통로를 통해 상기 수용부 내의 상기 유체를 내보내는 과정에서, 상기 유체와 상기 기판의 고체-액체-기체 분계면은 상기 기판의 중심에서 가장자리로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
21. 제15항에 있어서,
    상기 기준부위는 상기 수용부 바닥벽의 중심에 위치하고; 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승추세를 띠고, 상기 본체의 제1 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이며, 상기 본체의 제2 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로인 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
22. 제21항에 있어서,
    상기 제1 통로를 통해 상기 수용부 내의 상기 유체를 내보내는 과정에서, 상기 유체와 상기 기판의 고체-액체-기체 분계면은 상기 기판의 가장자리에서 중심으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리방법.
23. 반도체 처리유닛의 가장자리와 기판 하부 표면의 가장자리가 서로 떠받치도록, 측정될 기판을 본체에 배치하는 단계;
    상기 반도체 처리유닛의 제1 통로 및 제2 통로 중 적어도 하나의 통로로 유체를 들여보내, 상기 유체와 상기 기판의 하부 표면이 접촉하도록 함으로써 상기 기판 하부 표면의 오염물을 운반하는 단계;
    상기 반도체 처리유닛의 상기 제1 통로 및 상기 제2 통로 중 임의의 하나의 통로를 통해 상기 유체를 내보내는 단계;
    상기 반도체 처리유닛이 내보낸 상기 유체를 각각 수집해 측정하고, 측정 결과에 따라 상기 기판의 서로 다른 영역의 오염물 분포 상황을 알아내는 단계;를 포함하여 이루어지되,
    상기 본체의 상단면에는 복수 개의 상호 독립된 상기 반도체 처리유닛이 설치되어 있고,
    복수 개의 상기 반도체 처리유닛이 동일한 기판의 일면의 서로 다른 영역을 각각 처리하여, 상기 기판의 서로 다른 영역의 오염물 분포 상황을 알아내는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
24. 제23항에 있어서,
    각각의 상기 반도체 처리유닛은 수용부를 포함하며, 상기 수용부의 바닥벽은 적어도 하나의 기준부위를 구비하고, 상기 기준부위는 수용부 바닥벽의 중심에 위치하며; 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력의 반대 방향을 따라 상승하는 경사면을 띠고, 상기 제1 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로이며, 상기 제2 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로인 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
25. 제24항에 있어서,
    상기 제1 통로를 통해 상기 유체를 들여보내고, 상기 유체를 지속적으로 들여보내면 상기 기판의 하부 표면과 서로 접촉하며; 상기 유체는 상기 기판 하부 표면의 물질을 제거하거나 상기 유체에 용해시키며, 상기 유체가 유동하면 상기 물질은 유체를 따라 상기 기판의 중심에서 가장자리로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정되는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
27. 제25항에 있어서,
    상기 제2 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정되는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
28. 제23항에 있어서,
    각각의 상기 반도체 처리유닛은 수용부를 포함하며, 상기 수용부의 바닥벽은 적어도 하나의 기준부위를 구비하고, 상기 기준부위는 수용부 바닥벽의 중심에 위치하며; 상기 기준부위에서 상기 수용부의 가장자리를 향해 중력 방향을 따라 하강하는 경사면을 띠고, 상기 제1 통로는 개구가 비교적 높은 위치에 있는 통로이며, 상기 제2 통로는 개구가 비교적 낮은 위치에 있는 통로인 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
29. 제28항에 있어서,
    상기 제2 통로를 통해 상기 유체를 들여보내고, 상기 유체를 지속적으로 들여보내면 상기 기판의 하부 표면과 서로 접촉하며; 상기 유체는 상기 기판 하부 표면의 물질을 제거하거나 상기 유체에 용해시키며, 상기 유체가 유동하면 상기 물질은 유체를 따라 상기 기판의 가장자리에서 중심으로 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
30. 제29항에 있어서,
    상기 제1 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정되는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.
31. 제29항에 있어서,
    상기 제2 통로를 통해 상기 유체를 내보내고, 상기 기판 하부 표면의 물질은 상기 유체를 따라 상기 수용부에서 내보내져 수집되고 측정되는 것을 특징으로 하는 반도체 표면 측정방법.

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