CN106803477B - 半导体处理装置及其方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体处理装置及其方法，其涉及半导体技术领域，半导体处理装置包括本体；形成在本体上的至少一个半导体处理单元，每个半导体处理单元包括：在本体的上端面形成的凹进部，凹进部的底壁上具有至少一个位置，自该位置向着底壁的边缘沿重力方向呈下降趋势或自该位置向着底壁的边缘沿重力反方向呈上升趋势；在底壁的每个位置处开设的与凹进部连通的第一通道；在凹进部底壁边缘处的本体上开设的与凹进部连通的第二通道；其中，第一通道和第二通道能够作为流体的出口和/或出口。本发明可以通过控制流体在基片表面的流动方向，使流体在按规划流经凹进部过程中与基片的表面接触并发生物理和/或化学反应，对基片表面进行工艺处理。

Description

半导体处理装置及其方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体处理装置及其方法。

背景技术

半导体基片表面对微污染物的存在非常敏感，为了得到符合要求的基片表面，常需要去除表面的污染物同时避免污染物重新附着在基片表面。因此在制造过程中，半导体基片需要经过多次的表面清洗步骤，去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。目前基片清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为主流。湿式清洗技术，是由液状酸碱溶液和去离子水的混合物清洗基片表面，随后可以再加以漂洗、干燥的程序。在工业生产中，通常采用将基片分别浸没在几种适当的流体里或通过适当的流体喷射在旋转中的半导体基片上，通过处理溶液对基片表面的物理和化学作用，得到符合要求的基片表面。这两种清洗技术在对基片进行处理时都需要耗费较大量的超纯化学溶液和超纯气体，处理溶液使用过后通常会作为废液而被废弃掉，一方面由于消耗的超纯化学溶液和超纯气体十分巨量，使每道工序的工艺费用成本极高；另一方面由于排放的废液十分巨量，进一步增大了对废液进行处理的成本费用；同时也会给环境带来严重危害。

半导体制造工程师们一直在寻找可减少半导体制造过程中化学原料消耗量的方法和新技术，如此不但能降低处理过程的成本，还能减少废液排放的处理费用、提高安全保障以及保护环境。中国发明专利申请公布说明书CN103367197A公开了一种基片表面处理系统，可以有效减少基片表面湿处理过程的流体使用量，且还能在线回收和处理使用过的流体。其中，该基片表面处理系统中包括一个用于半导体硅片处理的微腔室处理装置，结构如图1所示包括上腔室部和下腔室部。上腔室部与下腔室部处于关闭位置时形成封闭的微腔室，半导体基片放置于微腔室内，在该微腔室内送入流体(包括液体、气体等)以对半导体基片的上表面或下表面进行工艺处理。因为流体在微腔室中的流动方式、停留时间和与晶圆表面的接触方式直接影响对半导体基片表面的处理效果，流体在工作表面上流动的随机性，会直接降低基片处理过程的重复性。所以，需要一种方法和/或设计以精确控制流体的流动方向。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是提供了一种半导体处理装置及其方法，能够控制流体的流动方向，进而控制对基片表面进行处理的过程和效果。

本发明实施例的具体技术方案是：

一种半导体处理装置，其包括：本体，在所述本体上的至少一个半导体处理单元，每个所述半导体处理单元包括：在所述本体的上端面形成的凹进部，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力方向呈下降趋势或自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升趋势；在所述底壁的每个所述位置处开设的与所述凹进部连通的第一通道；在所述凹进部底壁的边缘处的所述本体上开设的与所述凹进部连通的第二通道；所述第一通道和/或所述第二通道能够作为流体的出口和/或入口。

优选地，所述位置位于所述凹进部的底壁的中心。

优选地，所述半导体处理单元为一个，自所述位置向所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升的斜面。

优选地，所述半导体处理单元为一个，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降的斜面。

优选地，所述凹进部的底壁的所边缘设置有一导向槽，所述导向槽内与至少一个所述第二通道相连通。

优选地，所述第二通道绕所述凹进部的中心呈环形分布。

优选地，所述本体上还设置有一凹槽，所述凹槽设置于所述凹进部的外围，以收集从所述凹进部内溢出的所述流体，所述本体上还设置有用于连通所述凹槽和外界的第三通道，以送出所述凹槽内收集的所述流体。

优选地，所述半导体处理单元为一个，所述位置位于所述凹进部底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈上升的曲线，所述曲线的斜率由大变小；或

自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈下降的曲线，所述曲线的斜率由小变大。

优选地，以所述中心位置为原点，以向所述边缘延伸的射线方向为正方向，所述曲线所呈形状的解析函数为其中C为大于0的常数。

优选地，以所述中心位置为原点，以向所述边缘延伸的射线方向为正方向，所述曲线所呈形状的解析函数为y＝Alnx+C，其中A、C为常数。

优选地，所述装置还包括能够设置于所述本体上方的盖体，所述盖体上开设有第四通道，所述盖体放置在所述本体上时，所述本体的所述凹进部与所述盖体的下端面之间形成空腔，所述第四通道使得所述空腔与外界连通。

优选地，所述本体上具有第一卡合部，所述盖体上具有与第一卡合部相对应的第二卡合部，当所述本体与所述盖体相卡合时，所述本体与所述盖体之间密封连接。

优选地，所述盖体的下端面开设有至少一条导气槽，所述导气槽与所述第四通道连通。

优选地，所述本体的上端面设置有多个相互独立的所述半导体处理单元，以使得多个所述半导体处理单元能对同一块基片上一面的不同区域进行分别处理。

一种半导体处理方法，其包括以下步骤：将待处理的基片放置于本体的凹进部上，需要处理的表面朝下；其中，所述本体具有与所述凹进部连通的第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道与所述凹进部连通的开口具有不同的高度；自所述第一通道和所述第二通道两者中的至少一个通道向所述凹进部内送入流体，所述流体充满所述基片的下表面与所述本体形成的凹进部之间的空间，所述流体与所述基片的下表面接触；通过所述第一通道和所述第二通道两者中开口处于较低位置的一个通道送出所述凹进部内的所述流体。

优选地，当将所述流体送出所述凹进部时，所述流体与所述基片的下表面形成固液气分界面，通过控制所述固液气分界面的移动速度和移动方向，进而控制在所述基片下表面的遗留物质的量和物理分布状态。

优选地，当将所述流体送出所述凹进部时，所述流体与所述基片的下表面形成的固液气分界面，所述固液气分界面的移动速度满足预定条件一时，在所流体与所述基片的下表面形成的固液气分界面移动过程中，在所述基片下表面无所述流体残留。

优选地，当将所述流体送出所述凹进部时，所述流体与所述基片的下表面形成的固液气分界面，所述固液气分界面的移动速度满足预定条件二时，在所流体与所述基片的下表面形成的固液气分界面移动过程中，所述流体在所述基片下表面形成预定厚度的薄膜。

优选地，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，该位置位于所述凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降趋势，所述第一通道为开口处于较高位置的通道，所述第二通道为开口处于较低位置的通道。

优选地，在通过所述第二通道送出所述凹进部内的所述流体的过程中，所述流体与所述基片的固液气分界面自所述基片的中心向边缘移动。

优选地，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，该位置位于所述凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈上升趋势，所述本体的第一通道为开口处于较低位置的通道，所述本体的第二通道为开口处于较高位置的通道。

优选地，在通过所述第一通道送出所述凹进部内的所述流体时，所述流体与所述基片的固液气分界面自所述基片的边缘向中心移动。

一种半导体表面检测方法，其包括以下步骤：将待检测的基片放置于本体上，以使半导体处理单元的外沿与基片的下表面的外沿相抵；向所述半导体处理单元中至少一个所述半导体处理单元的第一通道和第二通道中的至少一个通道中送入流体，以使所述流体与所述基片的下表面接触以带走所述基片的下表面的污染物；通过至少一个半导体处理单元中的所述第一通道和所述第二通道中的任意一个通道送出所述流体；分别收集至少一个半导体处理单元送出的所述流体并分别进行检测，根据检测结果得到所述基片上不同区域的污染物的分布情况。

优选地，每个所述半导体处理单元包括凹进部，所述凹进部的底壁具有至少一个位置，该位置位于凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈上升的斜面，所述第一通道为开口处于较低位置的通道，所述第二通道为开口处于较高位置的通道。

优选地，自所述第一通道送入所述流体，随着所述流体的持续送入，其与所述基片的下表面相接触，所述流体将所述基片下表面的物质除去或溶解于所述流体中，随着所述流体的流动，所述物质随流体自所述基片的中心向边缘移动。

优选地，通过所述第一通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

优选地，通过所述第二通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

优选地，每个所述半导体处理单元包括凹进部，所述凹进部的底壁具有至少一个位置，该位置位于凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降的斜面，所述第一通道为开口处于较高位置的通道，所述第二通道为开口处于较低位置的通道。

优选地，自所述第二通道送入所述流体，随着所述流体的持续送入，其与所述基片的下表面相接触，所述流体将所述基片下表面的物质除去或溶解于所述流体中，随着所述流体的流动，所述物质随流体自所述基片的边缘向中心移动。

优选地，通过所述第一通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

优选地，通过所述第二通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

本发明的技术方案具有以下显著有益效果：本发明可以通过选择流体种类、流体进入和送出凹进部的入口和出口位置、凹进部内部结构和流体压强，控制流体在基片表面的流动方向以及流动速度，使流体在按规划流经凹进部过程中与基片的表面接触并发生物理和/或化学反应，对基片表面进行工艺处理。通过对凹进部的精细设计，充分利用重力作用，精确控制流体在凹进部的流动方向和/或流动的速度，还可以进一步控制流体对基片表面各位置的物理和/或化学反应的过程和工艺效果。通过对凹进部结构的特殊设计，还可以使流体在按规划流经凹进部过程中与基片的表面各个部位接触的线速度保持一致，以得到均匀的处理效果。

附图说明

在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本发明公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本发明的理解，并不是具体限定本发明各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本发明的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本发明。

图1为微腔室处理装置的结构示意图。

图2为本发明半导体处理装置的一个实施例的结构示意图。

图2A为实施例图2中I处放大的结构示意图。

图2B为实施例图2中II处放大的结构示意图。

图3为本发明半导体处理装置一个实施例中本体的俯视图。

图4为本发明半导体处理装置一个实施例中本体的剖面图。

图4A为实施例图4中I处放大的结构示意图。

图4B为实施例图4中II处放大的结构示意图。

图5为本发明半导体处理装置一个实施例中盖体的仰视图。

图6为图5实施例中沿A-A剖面的剖面图。

图7为本发明半导体处理装置的另一个实施例的结构示意图。

图7A为实施例图7中I处放大的结构示意图。

图8为本发明半导体处理装置另一个实施例中本体的剖面图。

图8A为实施例图8中I处放大的结构示意图。

图9为本发明半导体处理装置的另一个实施例中盖体的仰视图。

图9A为实施例图9中沿A-A剖面的剖面图。

图10为本发明半导体处理装置另一个实施例中凹进部结构的A-A示意图。

图11为本发明半导体处理装置另一个实施例的结构示意图。

图11A为实施例图11中I处放大的结构示意图。

图11B为实施例图11中沿A-A剖面的剖面图。

图11C为实施例图11B中I处一个实施例的结构示意图。

图11D为实施例图11B中I处另一个实施例的结构示意图。

以上附图的附图标记：

1、本体；11、半导体处理单元；111、凹进部；1111、位置；1112、边缘；112、第一通道；113、第二通道；114、导向槽；12、第一凹槽；13、第三通道；14、第一卡合部；2、盖体；21、第四通道；22、第二卡合部；23、导流槽；24、第二凹槽；25、第五通道；3、流体；4、基片。

具体实施方式

结合附图和本发明具体实施方式的描述，能够更加清楚地了解本发明的细节。但是，在此描述的本发明的具体实施方式，仅用于解释本发明的目的，而不能以任何方式理解成是对本发明的限制。在本发明的教导下，技术人员可以构想基于本发明的任意可能的变形，这些都应被视为属于本发明的范围。

图2为本发明半导体处理装置的一个实施例的结构示意图，图7为本发明半导体处理装置的另一个实施例的结构示意图。在本发明半导体处理装置中，如图2、图7所示，一种半导体处理装置，其包括本体1和/或盖体2。形成在本体1上的至少存在一个半导体处理单元11，每个半导体处理单元11包括：在本体1的上端面形成的凹进部111，凹进部111的底壁上具有至少一个位置1111，自位置1111向着底壁的边缘1112沿重力方向呈下降趋势或自位置1111向着底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升趋势；在底壁的每个位置1111处开设的与凹进部111连通的第一通道112；在凹进部111底壁边缘1112处的本体1上开设的与凹进部111连通的第二通道113。其中，第一通道112和/或第二通道113能够作为流体3的出口和/或入口。

本发明可以通过选择流体3种类、3进入和送出凹进部111的入口和出口位置、凹进部111内部结构和流体3压强，控制流体3在基片4表面的流动方向以及流动速度，使流体3按规划流经凹进部111过程中与基片4的表面接触并发生物理和/或化学反应，对基片4表面进行工艺处理。通过对凹进部111的精细设计，充分利用重力作用，精确控制流体在凹进部111的流动方向和/或流动的速度，还可以进一步控制流体3对基片4表面各位置的物理和/或化学反应的过程和工艺效果。通过对凹进部111结构的特殊设计，还可以使流体3在按规划流经凹进部111过程中与基片4的表面各个部位接触的线速度保持一致，以得到均匀的处理效果。

在一个实施方式中，图2A为实施例图2中I处放大的结构示意图，图2B为实施例图2中I I处放大的结构示意图，如图2、图2A、图2B所示，一种半导体表面处理装置，其包括：本体1，本体1包括一个半导体处理单元11、第一凹槽12、第三通道13、第一卡合部14；半导体处理单元11包括：由本体1的上端面形成的凹进个部111，连接凹进部111内部的第一通道112，连接凹进部111边缘的第二通道113；凹进部111包括在凹进部111的底壁与第一通道112连接的位置1111，凹进部111与第二通道113的连接的位置1112；自位置1111朝向凹进部111底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升趋势。其中，可通过第一通道112和/或第二通道113同时或分别送入流体3和同时或分别送出流体3。

图3为本发明半导体处理装置一个实施例中本体1的俯视图，图4为本发明半导体处理装置一个实施例中本体1的剖面图。图4A为实施例图4中I处放大的结构示意图，图4B为实施例图4中II处放大的结构示意图，如图3所示，本体1可以根据需要设计成任意形状，具有一定的厚度，在其厚度上可以开设凹进部111。在本实施例中，本体1可以呈长方体，本体1的上表面可以是正方形。图3所示半导体处理装置在本体1上表面上开设有能容纳基片4的凹进部111，该凹进部111大体呈圆柱形，整个凹进部111呈中心对称。如图4所示，该凹进部111底壁具有的一个位置1111，该位置可以位于凹进部111底壁的中心，自该位置1111向凹进部111底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升趋势的曲面，曲面的形态可以因上升趋势的不同发生变化。当斜面的上升趋势为定值时，凹进部111呈顶点向下的圆锥面，如图4、图4A所示。本体1在底壁的位置1111处开设有连通凹进部111的第一通道112，在凹进部111边缘1112处开设有连通凹进部111的第二通道113。第一通道112连通凹进部111底壁的中心位置1111，第二通道113连通凹进部111底壁的边缘位置1112，第二通道113可连接一条或多条导向槽114，导向槽114环绕位置1111，位于凹进部111的边缘1112，当流体3流至凹进部111底壁的边缘位置1112时可以通过导向槽113送入第二通道113，设置有导向槽113后，流体3在周向上能够更为均匀的送入第二通道113；第一通道112和/或第二通道113可用于同时或分别送出和/或送入流体3。

如图3、图4、图4B所示，本体1上还可以设置有一第一凹槽12、第一卡合部14。第一凹槽12设置于半导体处理单元11的外围，用于收集从凹进部111溢出的流体3。该第一凹槽12在本体1的上表面可以呈圆环形。本体1上还设置有与第一凹槽12连通的第三通道13，第三通道13用于向外界送出第一凹槽12内收集的流体3。同时，可以根据第一通道112的流量、第二通道113的流量以及第三通道13的流量情况，判断半导体处理装置有无故障。第一卡合部14可以同盖体相应位置卡合封闭，隔绝内部腔室与外部环境。

在本实施例中，半导体处理装置的操作原理如下：将基片4需要处理的表面朝下、平放于本体1形成的凹进部111上方，基片4的下表面与本体1凹进部111的底壁之间形成间隙，该间隙的高度自凹进部111的中心位置1111，向边缘1112由大变小。当自本体1的第一通道112向凹进部111送入流体3时，随着流体3不断送入凹进部111，流体3自底壁中心位置1111沿重力反方向渐渐充满凹进部111，当基片4与本体1之间形成的间隙被流体3充满时，流体3完全覆盖基片4需要处理的下表面，此时如果继续自第一通道112向凹进部111送入流体，可让流体3将经由第二通道113送出凹进部111，也可以让流体3由凹进部111溢出，送入第一凹槽12内，再经由第三通道13向外界送出第一凹槽12内收集的流体3。在任意需要的时刻还可以选择停止向凹进部111送入流体3；让流体3在基片4下表面与凹进部111间的间隙停留一定的工艺时间继续与基片4下表面发生物理/化学反应。在任意需要的时刻可选择再向凹进部111送入其它任意类型的流体3，替换已充满在凹进部111与基片4间隙中的流体3。可采用相同和/或不同成分的流体任意重复此过程直至获得满足要求的基片4表面。凹进部111内的流体可经由第一通道和第二通道送出。流体3送入凹进部111的速度和送出速度可通过调整气液泵、压力和/或真空度来控制。基片4与本体1的相对位置可通过调整基片上下面的压力和盖体与本体间的相对位置进行控制。

在本实施例中，可通过对整个凹进部111上曲面形态的精密设计，实现需要的工艺效果。在凹进部111底壁具有的一个位置1111，由于该位置可以位于凹进部111底壁的中心，自该位置1111向凹进部111底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升趋势的曲面，由于曲面由底壁的中心1111沿半径方向向底壁的边缘1112的曲面的斜率是可以在本体设计时任意定义的，流体3自凹进部111中心向凹进部111边缘1112流动的过程中，其流动方向、流动速度和对基片表面产生的压强会随着凹进部111的表面形态的变化而改变，继而影响其与基片4下表面发生的物理和/或化学反应的工艺效果。

同理，可自凹进部111边缘1112的第二通道113向凹进部111送入流体3，流体3在开始阶段处于凹进部111的边缘1112，随后，由于凹进部111自底壁中心位置1111向底壁边缘1112沿重力反方向呈上升的斜面，流体3受重力作用，顺着凹进部111由底壁的边缘1112向底壁中心位置1111流动。在此过程中，流体3与基片4的下表面接触，流体3对基片4的下表面进行处理。当向凹进部111底壁的边缘1112的第二通道113向凹进部111内送入的流体3充满基片4下表面与凹进部111之间形成的间隙时，流体3自本体1的第一通道112送出本体1。此时，基片4受到流体3的影响，可以处于悬浮状态，也可以与本体1相抵住。此刻开始，不断由第二通道113送入流体3，由第一通道112则送出流体3。由于凹进部111具有斜度且导向凹进部111的中心，所以自第二通道113送入凹进部111的流体3的流动方向受到控制，其受重力作用向凹进部111中心处流动。由于整个凹进部111上由底壁的边缘1112向底壁的中心的斜面的斜率是相同的，所有流体3自凹进部111边缘1112向凹进部111中心流动的过程中，不同径向凹进部111上的流体3的流动速度保持统一规律，所以不同径向凹进部111上的流体3在流动过程中与基片4下表面接触的程度也是保持统一规律的，如此，由于基片4表面一般呈圆形，在基片4的不同径向上，流体3对基片4处理的程度也是保持统一规律的。也就是说，在基片4上同一半径位置处，流体3对该位置处理的程度是相同的。当送入的流体3达到作业要求后，停止自第二通道113送入流体3，处于凹进部111上的流体3受重力作用会沿着凹进部111全部向凹进部111的中心处流动，位于凹进部111底壁的边缘1112处的流体3与基片4首先出现固液气分界面，随着流体3的不断自第一通道112送出，流体3与基片4的固液气分界面自基片4的边缘向基片4的中心偏移，直至流体3与基片4完全分离，最终流体3自第一通道112全部送出。在整个流体3送出的过程中，流体3与基片4的接触面和固液气分界面完全受到控制，尤其是固液气分界面。当固液气分界面出现时，固液气分界面全部处于基片4的边缘1112位置，且呈环行的固液气分界面自基片4的边缘全部同时向基片4的中心偏移，最终在基片4的中心消失。

图5为本发明半导体处理装置一个实施例中盖体2的仰视图，图6为图5实施例中沿A-A剖面的剖面图，如图5、图6所示，本发明半导体处理装置可以包括能够设置于本体1上方的盖体2。盖体2上开设有第四通道21、导流槽23、第五通道25和第二卡合部22。本体1与盖体2处于关闭位置时，本体1上端面的凹进部111与盖体2下端面之间形成一封闭空腔隔离内外环境，第四通道21使得空腔与外界连通。当基片4放置于本体1凹进部111时，可以通过上方设置的盖体2进行定位。本体1和盖体2可以由聚四氟乙烯、石英、碳化硅或ppt塑料等超纯和/或抗腐蚀材料制造，提供有毒和/或腐蚀性的流体3安全、洁净和稳定的工艺环境。

第四通道21可以位于盖体2的中心位置；圆环状的第二凹槽24以及连通第二凹槽24和外界的第五通道25可以位于盖体2与基片4接触区域的外围，当本体1和盖体2处于关闭位置时，盖体2的第二凹槽24可与本体1的第一凹槽12相连通。在工艺流程中，可以通过第四通道21和第五通道25送入和/或送出流体，实现在基片4的上表面和/或侧面引入和/或导出流体3、调节压力、维持压力和/或制造真空等。

如图4、图5所示，本体1上的第一卡合部14与盖体2上具有的第二卡合部22相对应，当本体1与盖体2相卡合时，本体1与盖体2之间密封连接，形成封闭的微腔室与外界隔绝。在本体1上的第一卡合部14位于本体1上端面的边缘，其可以为一圆环状的凹缘，在盖体2上的第二卡合部22位于盖体2下端面的边缘，其为一圆环状的凸缘。当本体1与盖体2处于关闭位置1111时，本体1上的凹缘与盖体2上凸缘相卡合，如此保证本体1与盖体2之间密封连接。当然的，在其它实施方式中，位于本体1上端面的边缘的第一卡合部14也可以为一圆环状的凸缘，位于盖体2下端面的边缘的第二卡合部22也可以为一圆环状的凸缘。

如图5所示，盖体2的下端面开设有至少一条导气槽23，导气槽23与第四通道21连通。导气槽23可以两条相交，呈十字状，也可以更多条相交。导气槽23相交的点可以为同一点，也可以为多个不同的点。当导气槽23相交的点为同一点时，该点位置位于第四通道21处，其与第四通道21连通。多条导气槽23形成的结构可以呈中心对称，如此，当通过第四通道21对本体1和盖体2形成的空腔进行加压或者减压时，导气槽23可以保证流体流动的均匀性，以保证对基片4施压的均匀性，减少对基片4造成影响的程度。特殊的，当通过第四通道21抽真空时，由于导气槽23的下方放置有基片4，此时，导气槽23内气压减小，基片4上下表面形成压力差。基片4受迫向上移动，与导气槽23相抵住，形成封闭空间，压力进一步降低，最终基片4被吸附在盖体2上。

在一个实施方式中，半导体处理单元11包括在本体1的上端面形成的凹进部111，凹进部111大体呈长方体状，凹进部111的底壁上具有多个位置1111，该多个位置1111形成一直线，自该直线朝向凹进部111的左右两边沿重力反方向呈上升趋势。具体讲，该多个位置1111形成的直线可以位于凹进部111底壁的对称线位置1111，自该凹进部111底壁的对称线位置1111向左右两边呈斜面的上升趋势。凹进部111的形状沿凹进部111的对称线的垂直面对称。也就是说，凹进部111底壁的截面呈V状。第一通道112连通凹进部111底壁上最低处与外界。第一通道112沿着凹进部111的对称线方向排布，如此，可以在凹进部111底壁的对称线方向上均匀送出流体3。第二通道113为两排通道，分别连通凹进部111的左右两边处与外界。每一排通道沿着凹进部111的对称线方向排布。该半导体处理装置可以对矩形的硅片进行处理。在处理时硅片处理时，流体3自第二通道113从凹进部111的左右对称两边分别送入凹进部111，受重力作用，流体3自凹进部111两边均匀的向凹进部111的最低处流动，在此过程中与硅片的下表面相接触，对硅片的下表面进行处理，由于流体3自凹进部111两边均匀的向凹进部111的最低处流动，所以流体3对硅片下表面处理的程度也相同。当然的，在其它实施方式中，凹进部111底壁具有的多个位置1111形成的直线，自该直线朝向凹进部111底壁的左右两边沿重力反方向呈下降趋势，如此，凹进部111底壁的截面呈倒V状，第一通道112连通凹进部111上最高处与外界，第二通道113为两排通道，分别连通凹进部111的左右两边处(最低处)与外界。对于矩形状的硅片，可以通过该半导体处理装置进行处理。

在一个实施方式中，图7为本发明半导体处理装置的另一个实施例的结构示意图，图7A为实施例图7中I处放大的结构示意图，图8为本发明半导体处理装置另一个实施例中本体1的剖面图，图8A为实施例图8中I处放大的结构示意图，如图7、图7A所示，一种基片4表面处理装置，其包括：本体1，其包括一个半导体处理单元11，半导体处理单元11包括：开设于本体1上的且能容纳基片4的凹进部111，凹进部111底壁上具有一个位置1111，自该位置1111朝向凹进部111底壁边缘1112沿重力方向呈下降的斜面；在该位置1111处的本体1上开设的用于连通凹进部111与外界的第一通道112和在凹进部111底壁的边缘1112处的本体1上开设的用于连通凹进部111与外界的第二通道113，通过第一通道112和/或第二通道113流体3能够送入和/或送出凹进部111。

具体而言，如图8、图8A所示，本体1可以呈长方体，本体1的上表面可以为正方形，在本体1的上端面形成有能容纳基片4的凹进部111，该凹进部111底壁具有的一个位置1111可以位于凹进部111底壁的中心，自该位置1111朝向凹进部111底壁的边缘1112沿重力方向呈下降的斜面。当然的，斜面也可以转化成为一呈下降趋势的曲面，其下降的程度可以发生变化，总体趋势呈下降即可。整个凹进部111可以呈中心对称。当斜面的下降趋势为定值时，凹进部111呈顶点向上的圆锥面。本体1上在该位置1111处开设有连通凹进部111与外界的第一通道112，在凹进部111底壁的边缘1112处开设有连通凹进部111与外界的第二通道113。第一通道112连通凹进部111底壁的中心，其用于流体3的送入。第二通道113可以为多条通道，其绕凹进部111的中心呈环形分布，其用于流体3的送出。

图9为本发明半导体处理装置的另一个实施例中盖体2的仰视图，图9A为实施例图9中沿A-A剖面的剖面图，如图9、图9A所示，盖体2上开设有第四通道21，本体1与盖体2处于关闭位置时，本体1上端面形成的凹进部111与盖体2的下端面之间形成空腔，第四通道21使得空腔于外界连通。该盖体2的下端面也可以开设有圆环状的第二凹槽24以及连通第二凹槽24和外界的第五通道25。当盖体2放置于本体1上方时，该第二凹槽24与本体1的第一凹槽12相连通。盖体2上具有与本体1的第一卡合部14相对应的第二卡合部22，当本体1与盖体2卡合时，本体1与盖体2之间密封连接。

在本实施方式中，半导体处理装置的操作原理如下：将基片4平放于本体1的凹进部111上，基片4的下方与凹进部111之间形成间隙，该间隙的宽度自基片4的中心向边缘由小变大。自凹进部111中心的第一通道112向凹进部111送入流体3，流体3在开始阶段处于凹进部111底壁的中心位置1111，随后，由于凹进部111自中心位置1111向凹进部111边缘1112沿重力方向呈下降的斜面，流体3受重力作用，顺着凹进部111由中心向边缘1112位置流动。在此过程中，流体3与基片4的下表面接触，流体3可以与基片4的下表面发生化学和物理反应，对基片下表面进行处理。自凹进部111中心的第一通道112向凹进部111内送入一定量的流体3使得基片4与凹进部111之间形成的间隙充满时，自本体1的第二通道113送出送入的流体3。此时，基片4受到流体3的影响，可以处于浮起状态，也可以与本体1相抵住。此刻开始，不断自第一通道112送入流体3，自第二通道113则送出多余的与基片4下表面接触过的流体3。由于凹进部111具有斜度，所以自第一通道112送入凹进部111的流体3的流动方向受到控制，其受重力作用向凹进部111底壁的边缘1112流动。流体3自凹进部111边缘1112向凹进部111中心流动的过程中，不同径向凹进部111上的流体3的流动速度保持统一规律，所以不同径向凹进部111上的流体3在流动过程中与基片4下表面接触的程度保持统一规律，如此，由于基片4表面一般呈圆形，在基片4的不同径向上，流体3对基片4处理的程度也保持统一规律。也就是说，在基片4上同一半径位置处，流体3对该位置处理的程度是相同的。当送入的流体3达到作业要求后，停止自第一通道112送入流体3，处于凹进部111上的流体3受重力作用会沿着凹进部111全部向凹进部111底壁边缘1112处流动，位于凹进部111底壁中心处的流体3与基片4首先出现固液气分界面，随着流体3的不断自第二通道113送出，流体3与基片4的固液气分界面自基片4的中心向基片4的边缘偏移，直至流体3与基片4完全分离，最终流体3自第二通道113全部送出。在整个流体3送出的过程中，流体3与基片4的接触面和固液气分界面完全受到控制，尤其是固液气分界面。当固液气分界面出现时，固液气分界面全部处于基片4的中心位置，固液气分界面慢慢形成，呈环形不断扩大，呈环行的固液气分界面自基片4的中心向基片4的边缘偏移，最终在基片4的边缘消失。在整个流体3送出的过程中，固液气分界面由基片4的中心位置均匀的向便于扩散，在此扩散的过程中，不会在基片4的表面留下流体3的水渍，流体3的水渍只可能残留在基片4的边缘，也就是说，只有当流体3在与基片4的边缘脱离时才有可能在基片4的边缘残留下流体3的水渍。如此，可以保证基片4除了边缘位置外其他位置均不会留下流体3的水渍。当然的，在其它可行的实施方式中，由于流体与基片下表面的化学和物理作用程度和效果与流体与基片下表面的接触方式有关，可通过对整个凹进部111底壁上由中心向边缘1112的斜面的斜率进行精密设计和制造，获得想要的处理效果和质量。

在本实施方式中，通过第一通道112向凹进部111内送入流体3，流体3自基片4的中心向边缘流动，再从位于凹进部111底壁的边缘1112的第二通道113送出。如此，当最终送出所有流体3时，流体3与基片4下表面的固液气分界面自基片4的中心生成，并向基片4的边缘偏移，并消失在基片4的边缘。

在一个实施方式中，图10为本发明半导体处理装置另一个实施例中凹进部111的结构示意图，如图10所示，在半导体处理单元11中，凹进部111底壁具有至少一个位置1111，该位置1111位于凹进部111底壁的中心，自该位置1111朝向凹进部111底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升的曲线，曲线的斜率由大变小。凹进部111的垂直投影呈圆形，此实施例中凹进部111结构的特点是在凹进部111的边缘1112处，凹进部111与基片4之间的间距较小；而在凹进部111的中心1111处，凹进部111与基片4之间的间距较大；如图10所示，在X段处凹进部111与基片4之间的间距比在Y段处凹进部111与基片4之间的间距要短。流体3自连通凹进部111的开口处于较低位置的第一通道112送入凹进部111，流体3在开始阶段处于凹进部111的中心1111，随着输入的流体3体积增加，流体由凹进部111自底壁中心位置1111沿重力反方向上升至底壁边缘1112，并可以自凹进部111的边缘1112处的第二通道113送出凹进部111。在此过程中，输入的流体首先与基片4的下表面中心位置，即对应底壁中心位置1111的基片下表面位置接触，此接触面积随着输入流体体积的增大而向基片边缘的方向扩大。当基片4与本体1之间形成的间隙被流体充满时，流体覆盖整个基片4的下表面。此刻开始，不断自第一通道112送入流体3，同时，自第二通道113送出多余的与基片4下表面接触过的流体3。不断流过基片4下表面的流体3与基片4的下表面发生持续的化学和物理反应。由于流体3与基片4的下表面的接触方式，如角度、流速等，会直接影响流体3与基片4下表面发生的化学和物理反应速度和效果，采用如图10所示的凹进部111的结构，其离凹进部111中心的半径较大，该处流体3流动的面积等于离凹进部111中心的半径形成的圆的周长乘以凹进部111与基片4之间的间距。随着流体3受重力影响，其向凹进部111的中心流动，凹进部111与基片4之间的间距增大，例如X、Y段，但是在Y段处其离凹进部111中心的半径减小，由于流体3流动的面积等于离凹进部111中心的半径形成的圆的周长乘以凹进部111与基片4之间的间距，当凹进部111与基片4之间的间距增大与离凹进部111中心的半径减小保持在同一比例时，最终计算的流体3流动的面积时刻保持在一恒定数值。当流体3的流动面积在不同位置保持一恒定数值时，流体3在凹进部111不同位置处的流动速度时刻也保持在一恒定数值。如此，流体3在凹进部111的不同位置与基片4的接触处理的程度也可以保值在一恒定的程度，由于凹进部111的特殊结构，整个基片4表面所有位置经流体3进行处理的程度几乎完全保持一致。通过计算，中心位置为原点，以向边缘延伸的射线方向为正方向，当该曲线所呈形状的函数为

时，其中C为常数，当常数C越大时，在恒定的流体3的流量下，流体3在凹进部111不同位置处的恒定的流动速度越小；当常数C越小时，在恒定的流体3的流量下，流体3在凹进部111不同位置处的恒定的流动速度越大。在另一种需要的情况下通过计算，以中心位置为原点，以向边缘延伸的射线方向为正方向，该曲线所呈形状的函数为y＝Alnx+C，其中A、C为常数，在该种情况下，通过调节A、C值的大小，可以控制流体3在凹进部111不同位置处的流动速度，使得流动速度发生变化，从而控制流体3在基片4表面的中心处至边缘处的流动速度发生变化，在第一种情况下，流体3自基片4表面的中心处至边缘处的流动速度变大，在第二情况下，流体3自基片4表面的中心处至边缘处的流动速度变小。

在一个实施方式中，图11为本发明半导体处理装置另一个实施例的结构示意图，图11A为实施例图11中I处放大的结构示意图，图11B为实施例图11中沿A-A剖面的剖面图，图11C为实施例图11B中I处一个实施例的结构示意图，图11D为实施例图11B中I处另一个实施例的结构示意图，如图11所示，本体1上设置有多个相互独立的半导体处理单元11，以使得多个半导体表面处理单元对同一块基片4上一面的不同区域进行处理。在本实施例中，如图11A、图11B所示，在本实施例中，基片4表明处理单元数量为五个，其分别相互独立的设置于本体1上。本体1上还设置有一第一凹槽12，第一凹槽12设置于所有半导体处理单元11的外围，以收集半导体处理单元11溢出的流体3，本体1上还设置有与第一凹槽12连通的第三通道13，以送出第一凹槽12内收集的流体3。每一个半导体处理单元11可以对基片4的某一区域独立进行处理，且在处理过程中，半导体处理单元11中的流体3不会影响到基片4的其它区域。如图11C所示，在一种实施方式中，在其中一个半导体处理单元11中，该位置1111位于凹进部111底壁的中心，自该位置1111朝向凹进部111底壁边缘1112沿重力反方向呈上升的斜面，第一通道112用于流体3的送出或送入，第二通道113用于流体3的送出或送入。如图11D所示，在另一种实施方式中，在其中一个半导体处理单元11中，该位置1111位于凹进部111底壁的中心，自该位置1111朝向凹进部111底壁的边缘1112沿重力方向呈下降的斜面，第一通道112用于流体3的送出或送入，第二通道113用于流体3的送出或送入。

采用上述半导体处理装置，可以对基片进行不同目的的处理，其中包括对半导体进行清洗处理、对半导体进行钝化处理、对半导体表面进行检测处理等，当然的，基片也可以包括其它呈片状的物件，例如玻璃片、塑料片或者其它片状材料。

在本实施例公开了一种半导体处理方法，该种方法主要用于对半导体基片表面进行清洗处理，也可以除去基片表面的氧化层，半导体基片可以是晶圆或硅片之类的半导体元件。该方法包括以下步骤：

将待处理的基片4放置于本体1的凹进部111上。其中，本体具有与凹进部连通的第一通道112和第二通道113，第一通道112和第二通道113与凹进部连通的开口具有不同的高度。在一种实施方式中，凹进部111具有至少一个位置1111，该位置1111位于凹进部111底壁的中心，自该位置1111朝向凹进部111底壁边缘1112沿重力方向呈下降趋势，本体1的第一通道112为开口处于较高位置的通道，本体1的第二通道113为开口处于较低位置的通道。在另一个实施方式中，自该位置1111朝向凹进部111底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升趋势，本体1的第一通道112为开口处于较低位置的通道，本体1的第二通道113为开口处于较高位置的通道。

自第一通道112和第二通道113两者中至少一个通道中向凹进部111内送入流体3，流体3填充满基片4的下表面与本体1的凹进部111之间的空间，流体3与基片4的下表面接触。流体3至少包括氢氟酸溶液、硝酸溶液和双氧水等，当然的，流体3还包括其它可对基片4表面进行清洗的流体。

打开第一通道112和第二通道113两者中开口处于较低位置的一个通道送出凹进部111内的流体3，同时，保持自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较高位置的一个通道中向凹进部111内送入流体3，在此过程中保持凹进部111内的流体3与基片4的下表面相接触以对基片4的下表面进行处理。当氟酸溶液、硝酸溶液对基片4的下表面进行处理后，基片4表面的氧化层被去除，此时基片4表面呈疏水性。

停止自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较高位置的一个通道中向凹进部111内送入流体3。

通过第一通道112和第二通道113两者中开口处于较低位置的一个通道送出凹进部111内的流体3。通过控制流体3自凹进部送出的速度，进而控制固液气分界面的移动速度和移动方向，进而控制在基片4下表面的遗留物质的量和物理分布状态。当流体3送出凹进部时，流体3与基片4下表面形成固液气分界面，固液气分界面的移动速度满足预定条件一时，在流体3与基片4下表面形成的固液气分界面移动过程中，在基片4下表面无流体3残留。

在此过程中，由于基片4表面呈疏水性，且流体3与基片4的固液气分界面自基片4的边缘向中心移动或自基片4的中心向边缘移动，在移动的过程中，除了流体3与基片4最终相脱离的位置可能会留下水渍外，基片4的其余位置不会留下任何水渍。也就是说，当流体3与基片4的固液气分界面自基片4的边缘向中心移动时，流体的水渍最终只可能残留在基片4的中心位置。当流体3与基片4的固液气分界面自基片4的中心向边缘移动时，流体的水渍最终只可能残留在基片4的边缘位置，如此，整个基片4的其他位置不会残留下水渍，由于清洗处理后水渍中存在污染物，这样可以避免影响基片4的质量。

当流体3被送出凹进部时，流体3与基片4下表面形成的固液气分界面，固液气分界面的移动速度满足预定条件二时，在流体3与基片4下表面形成的固液气分界面移动过程中，流体3在基片4下表面形成预定厚度的薄膜。当流体3自凹进部送出的速度较大，导致流体3被送出凹进部时，流体3与基片4下表面相分离时的固液气分界面的移动速度较快，流体3将会残留在基片4下表面形成预定厚度的薄膜。

本方法一方面可以控制流体3与基片4接触程度，进而控制流体3与基片4的反应程度或清洗程度，另外一方面可以通过控制流体3自凹进部送出的速度，进而控制残留在基片4下表面的流体3的量和分布状态。在对基片4进行清洗处理过程中，可以有效控制清洗的流体3在基片4下表面(除了圆心部分或基片4的边缘部分)不发生残留，也可以控制流体3在基片4下表面形成预定厚度的薄膜。该薄膜的用途可以用于保护基片4下表面，例如避免其与空气接触发生反应。

利用上述方法可以对基片进行清洗处理，测试清洗处理效果的实验方法如下：

1、将表面滴加20ng的某金属离子污染的基片4放置于本体1的凹进部111上，将盖体2放置于本体1的凹进部111上。

2、自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较高位置的一个通道中向凹进部111内送入1.2V体积的流体3，流体3可以为氢氟酸、硝酸、双氧水或其组成的混合溶液等。V表示基片4与凹进部111之间的空间的体积。送出的0.2V体积的流体3时为了保证流体3能够对基片4表面进行充分的清洗，留存在凹进部111内的V体积的流体3将进行回收并用于检测污染物存留情况。

3、自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较高位置的一个通道中向凹进部111内送入20V体积的超纯水清洗基片4，通过第一通道112和第二通道113两者中连通凹进部111的开口处于较低位置的一个通道收集送出的流体3和超纯水。

4、收集送出的流体3和超纯水，并将其进行电感耦合等离子体质谱ICP-MS检测。采用标准加入法对该实验方法进行计算，在硅片表面加入滴加20ng的某金属A的离子污染，用上述方法进行操作，ICP-MS检测得到送出的流体3中该金属的测量值为18ng，由于送出了多余的0.2V的体积，该部分中也含有少量该金属，可以得到采用本方法下对污染离子的回收率大于90％。通过实验发现，相对比与常规基片清洗方法，例如喷射和浸没技术的湿法处理过程，本基片处理方法采用极少量的流体3和超纯水即有效的对基片4表面进行均匀清洗以去除存在基片4表面的污染离子，且清洗效果显著。在半导体行业内，各种流体以及水资源的使用量远远超出人们的想象，流体给环境带来了严重的影响，水资源的大量使用进一步加剧了水资源的匮乏程度，上述清洗处理方法可以节约大量的流体3和超纯水资源，从而进一步减小流体3对环境造成大规模破坏。

在本实施例中公开了一种对半导体进行钝化处理的方法，该种方法主要用于对半导体表面进行钝化处理，半导体可以包括有晶圆或硅片等半导体基片，在本方法中先对基片进行去除表面氧化层的处理，再对基片表面进行钝化。本方法包括以下步骤：

将待处理的基片4放置于本体1的凹进部111上，将盖体2放置于本体1的凹进部111上。在一个实施方式中，本体1形成的凹进部111底壁上至少具有一个位置1111，自位置1111向凹进部111底壁边缘1112沿重力方向呈下降趋势或自位置1111朝向凹进部111底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升趋势；在底壁的每个位置1111处开设的与凹进部111连通的第一通道112；在凹进部111底壁边缘处的本体1上开设的与凹进部111连通的第二通道113。其中，第一通道112和第二通道113中一个用于送入流体，另一个用于送出流体，其中，第一通道和第二通道与凹进部连通的开口具有不同的高度。在一个更优选实施方式中，凹进部111的底壁具有至少一个位置1111，该位置1111位于凹进部111的底壁的中心，自该位置1111向凹进部111底壁的边缘1112沿重力反方向呈上升的曲线，曲线的斜率由大变小。该曲线所呈形状的函数可以为

或y＝Alnx+C，其中A、C为常数。本体1的第一通道112为连通凹进部111的开口处于较低位置的通道，本体1的第二通道113为连通凹进部111的开口处于较高位置的通道。

自第一通道112和第二通道113两者中至少一个通道中向凹进部111内送入去除基片4表面氧化层的流体以去除待处理的基片4下表面的氧化层。去除基片4表面氧化层的流体填充满基片4的下表面与本体1的凹进部111之间的空间，去除基片4表面氧化层的流体与基片4的下表面接触。自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较低位置的一个通道中送出去除基片4表面氧化层溶液。去除基片4表面氧化层的流体一般采用氢氟酸，当然的，在现有技术中，其它可去除基片4表面氧化层的流体也均是可以行的。当去除基片4表面的氧化层后，基片4的表面呈疏水性。当去除基片4表面氧化层的流体与圆4或硅片的下表面反应达到一定程度后，停止自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较高位置的一个通道中向凹进部111内送入去除基片4表面氧化层的流体。

当去除基片4表面氧化层的流体的浓度达到预设条件三时，自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较高位置的一个通道中向凹进部111内送入超纯水对基片4的下表面进行清洗以去除残留的去除基片4表面氧化层的流体。当去除基片4表面氧化层的流体的浓度未达到预设条件三时，可直接执行下一步骤。预设条件三为设定的去除基片4表面氧化层的流体的浓度，若去除基片4表面氧化层的流体的浓度很低，则无需使用纯水对基片4的下表面进行清洗以去除残留的去除基片4表面氧化层的流体。

自第一通道112和第二通道113两者中任意一个通道中向凹进部111内送入钝化基片4的物质以对基片4的下表面进行钝化，自第一通道112和第二通道113两者中任意一个通道中送出钝化基片4的物质。

当送入钝化基片4的物质的量满足钝化要求后，停止向凹进部111内送入钝化基片4的物质。在本步骤中，可以根据送入钝化基片4的物质的量或送入钝化基片4的物质的时间来判断基片4是否满足预定的钝化要求。当然的，当基片4的表面钝化至一定程度后，其钝化程度基本保持不变，无法再继续钝化。同时，在本方法中，钝化基片4的物质可以为气体或液体，当钝化基片4的物质为气体时，钝化基片的物质至少包括臭氧，当然的，本方法中同样可以适用在现有技术中可以对基片表面进行钝化的其他物质。在该过程中，只需对凹进部111内送入钝化基片4的物质，由于凹进部111的结构原因，相比较于目前现有的技术而言，本方法中送入的钝化基片4的物质的使用量相当少，并且可以完全的较为均匀的对基片4的表面进行钝化。利用上述方法对基片进行钝化处理，测试其钝化效果的实验方法如下：

将待处理的基片4放置在本体1的凹进部111内，将盖体2放置于凹进部111上方。

自第一通道112和第二通道113两者中任意一个通道中向凹进部111内缓慢送入10％质量百分比的氢氟酸溶液150mL，用于去除待处理基片4表面已形成的氧化层，并自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较低位置的一个通道中送出氢氟酸。

自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较高位置的一个通道中向凹进部111内缓慢送入250mL超纯水，用于清洗掉凹进部111内残留的氢氟酸，送入的超纯水自第一通道112和第二通道113两者中开口处于较低位置的一个通道中送出。由于经过氢氟酸处理的基片4表面呈疏水性，所以使用超纯水进行清洗残留的氢氟酸时，超纯水不会在基片4的表面留下水渍，只可能在基片4的边缘或中心留下水渍。如此，保证了基片4表面大部分区域的质量且无需对基片4表面进行干燥去水步骤。

自第一通道112和第二通道113两者中任意一个通道中向凹进部111内臭氧气体，送入的臭氧气体与基片4的下表面发生反应以对基片4进行钝化处理。当送入臭氧的时间达到10分钟后关闭向凹进部111内送入臭氧气体。

通过盖体2打开凹进部111，取出基片4，采用膜厚仪对基片4的表面进行检测，检测结果为基片4表面得到的氧化层的平均厚度后

且整个表面氧化层的厚度的标准偏差为5％。通过本方法步骤对基片4表面进行钝化处理，基片4表面能够得获得一个较为均匀的氧化层，减小了整个基片4表面在不同区域出现氧化层厚度厚薄不均的可能性。

在本实施例中公开了一种半导体表面检测方法，其用于检测半导体表面不同区域的污染物分布情况，其包括以下步骤：

将待检测的基片4放置于具有多个半导体处理单元11的本体1上，以使半导体处理单元11与基片4的下表面相抵。本体1上具有多个半导体处理单元11，根据对基片4检测的不同区域进行排布半导体处理单元11。半导体处理单元11的数量可以根据对基片4不区域检测的要求决定，检测区域越多，在本体1上需要设置的半导体处理单元11越多。对基片4表面进行检测的精度越高，本体1上需要设置的半导体处理单元11越多越密集。在一种实施方式中，半导体处理单元11中凹进部111底壁的中心具有一个位置1111，自该位置1111朝向凹进部111底壁边缘1112沿重力反方向呈上升的斜面，第一通道112为开口处于较低位置的通道，第二通道112为开口处于较高位置的通道，第一通道112可以用于流体3的送入或送出或用于保持压力平衡，第二通道113用于流体3的送入或送出或保持压力平衡。在另一种实施方式中，半导体处理单元11中凹进部111底壁的中心具有一个位置1111，自该位置1111朝向凹进部111底壁边缘1112沿重力方向呈下降的斜面，第一通道112为开口处于较高位置的通道，第二通道112为开口处于较低位置的通道，第一通道112用于流体3的送入或送出或保持压力平衡，第二通道113用于流体3的送出和送入或保持压力平衡。其中，第一通道和第二通道与凹进部连通的开口具有不同的高度。

向多个半导体处理单元11中至少一个半导体处理单元的第一通道112和第二通道113两者中任意一个通道中送入流体3，以使流体3与基片4的下表面接触以带走基片4的下表面的污染物；该步骤中的流体3为与需要检测的污染物相对应的流体，其能够将所要检测的污染物在基片表面去除，一般该流体可以包括有氢氟酸、双氧水、硝酸等。

通过至少一个半导体处理单元11中的第一通道112和第二通道113两者中任意一个通道送出流体3。在上述多种实施方式中，当半导体处理单元的凹进部呈自该位置1111朝向凹进部111底壁边缘1112沿重力反方向呈上升的斜面结构时，自第一通道112送入流体3，随着流体3的持续送入，其与基片4的下表面相接触，流体3将基片4下表面的物质除去或溶解于流体中，随着流体3的流动，物质随流体3自基片4的中心向边缘移动。可以通过第一通道112送出流体3，基片4的下表面的物质随着流体3被送出凹进部111，并被收集检测。通过第一通道112送出流体，由于第一通道112位于凹进部111的底部，如此可以使得流体3在流出凹进部111时具有更好的稳定性。当然的，也可以通过第二通道113送出流体。基片4的下表面的物质随着流体3被送出凹进部111，并被收集检测。通过第二流道113送出流体是因为，自第一通道112送入流体3，随着流体3的持续送入，其与基片4的下表面相接触，流体3将基片4下表面的污染物除去或溶解于流体3中，随着流体3慢慢充满凹进部111，大部分的污染物都流向了凹进部111的底壁边缘1112，从第二流道113送出流体3时，流体3内含有的杂物的量更为稳定，有利于设备的检测。

当半导体处理单元的凹进部111呈自该位置1111朝向凹进部111底壁边缘1112沿重力方向呈下降的斜面结构时，可以自第二通道113送入流体3，随着流体3的持续送入，其与基片4的下表面相接触，流体3将基片4下表面的物质除去或溶解于流体3中，随着流体3的流动，物质随流体3自基片4的边缘向中心移动。然后，通过第一通道112送出流体3，基片4的下表面的物质随着流体3被送出凹进部111，并被收集检测。通过第一流道112送出流体是因为，自第二通道113送入流体3，随着流体3的持续送入，其与基片4的下表面相接触，流体3将基片4下表面的污染物除去或溶解于流体3中，随着流体3慢慢充满凹进部111，大部分的污染物都流向了凹进部111的底壁的中心1111，从第一流道112送出流体时，流体3内含有的杂物的量更为稳定，有利于设备的检测。当然的，也可以通过第二通道113送出流体3，基片4的下表面的物质随着流体3被送出凹进部111，并被收集检测。通过第二通道113送出流体3，由于该种情况下第二通道113位于凹进部111的底部，如此可以使得流体3在流出凹进部111时具有更好的稳定性。

分别收集多个半导体处理单元11送出的流体并分别进行检测，从而根据检测结果得到基片4上不同区域的污染物的分布情况。

采用本基片4表面检测方法能够对同一基片4的不同区域进行污染物的检测，每一个半导体处理单元11可以对基片4的某一区域独立进行处理，且在处理过程中，一个半导体处理单元11不会影响到另一个半导体处理单元11，且半导体处理单元11在处理中所使用的流体只会与基片4的固定区域进行接触，无法流至基片4其它无需检测区域，如此，可以防止进行检测的流体污染其它区域。通过多个半导体处理单元11检测的结果，进而得到基片4上不同区域的污染物的分布情况。当设置的半导体处理单元11越多，半导体处理单元11检测的区域面积越小，最终得到基片4污染物的分布情况越理想。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (26)

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：

本体，在所述本体上的至少一个半导体处理单元，每个所述半导体处理单元包括：在所述本体的上端面形成的凹进部，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力方向呈下降趋势或自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升趋势；在所述底壁的每个所述位置处开设的与所述凹进部连通的第一通道；在所述凹进部底壁的边缘处的所述本体上开设的与所述凹进部连通的第二通道；所述第一通道和/或所述第二通道能够作为流体的出口和/或入口；

当自所述位置向着所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升趋势时，所述位置位于所述凹进部底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈上升的曲线，以所述中心位置为原点，以向所述边缘延伸的射线方向为正方向，所述曲线所呈形状的解析函数为其中C为大于0的常数，或者所述曲线所呈形状的解析函数为y＝Alnx+C，其中A、C为常数。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述位置位于所述凹进部的底壁的中心。

3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理单元为一个，自所述位置向所述底壁的边缘沿重力反方向呈上升的斜面。

4.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理单元为一个，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降的斜面。

5.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述凹进部的底壁的所述边缘设置有一导向槽，所述导向槽内与至少一个所述第二通道相连通。

6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述第二通道绕所述凹进部的中心呈环形分布。

7.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述本体上还设置有一凹槽，所述凹槽设置于所述凹进部的外围，以收集从所述凹进部内溢出的所述流体，所述本体上还设置有用于连通所述凹槽和外界的第三通道，以送出所述凹槽内收集的所述流体。

8.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理单元为一个，所述位置位于所述凹进部底壁的中心，

自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降的曲线，所述曲线的斜率由小变大。

9.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述装置还包括能够设置于所述本体上方的盖体，所述盖体上开设有第四通道，所述盖体放置在所述本体上时，所述本体的所述凹进部与所述盖体的下端面之间形成空腔，所述第四通道使得所述空腔与外界连通。

10.根据权利要求9所述的半导体处理装置，其特征在于，所述本体上具有第一卡合部，所述盖体上具有与第一卡合部相对应的第二卡合部，当所述本体与所述盖体相卡合时，所述本体与所述盖体之间密封连接。

11.根据权利要求9所述的半导体处理装置，其特征在于，所述盖体的下端面开设有至少一条导气槽，所述导气槽与所述第四通道连通。

12.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述本体的上端面设置有多个相互独立的所述半导体处理单元，以使得多个所述半导体处理单元能对同一块基片上一面的不同区域进行分别处理。

13.一种半导体处理方法，其特征在于，其包括以下步骤：

将待处理的基片放置于本体的凹进部上，需要处理的表面朝下；其中，所述本体具有与所述凹进部连通的第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道与所述凹进部连通的开口具有不同的高度；

自所述第一通道和所述第二通道两者中的至少一个通道向所述凹进部内送入流体，所述流体充满所述基片的下表面与所述本体形成的凹进部之间的空间，所述流体与所述基片的下表面接触；

通过所述第一通道和所述第二通道两者中开口处于较低位置的一个通道送出所述凹进部内的所述流体；

当将所述流体送出所述凹进部时，所述流体与所述基片的下表面形成固液气分界面，通过控制所述固液气分界面的移动速度和移动方向，进而控制在所述基片下表面的遗留物质的量和物理分布状态。

14.根据权利要求13所述的半导体处理方法，其特征在于，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，该位置位于所述凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降趋势，所述第一通道为开口处于较高位置的通道，所述第二通道为开口处于较低位置的通道。

15.根据权利要求14所述的半导体处理方法，其特征在于，在通过所述第二通道送出所述凹进部内的所述流体的过程中，所述流体与所述基片的固液气分界面自所述基片的中心向边缘移动。

16.根据权利要求13所述的半导体处理方法，其特征在于，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，该位置位于所述凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈上升趋势，所述本体的第一通道为开口处于较低位置的通道，所述本体的第二通道为开口处于较高位置的通道。

17.根据权利要求16所述的半导体处理方法，其特征在于，在通过所述第一通道送出所述凹进部内的所述流体时，所述流体与所述基片的固液气分界面自所述基片的边缘向中心移动。

18.一种半导体表面检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：

将待检测的基片放置于本体上，以使半导体处理单元的外沿与基片的下表面的外沿相抵；

向所述半导体处理单元中至少一个所述半导体处理单元的第一通道和第二通道中的至少一个通道中送入流体，以使所述流体与所述基片的下表面接触以带走所述基片的下表面的污染物；

通过至少一个半导体处理单元中的所述第一通道和所述第二通道中的任意一个通道送出所述流体；

分别收集至少一个半导体处理单元送出的所述流体并分别进行检测，根据检测结果得到所述基片上不同区域的污染物的分布情况。

19.根据权利要求18所述的半导体表面检测方法，其特征在于，每个所述半导体处理单元包括凹进部，所述凹进部的底壁具有至少一个位置，该位置位于凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力反方向呈上升的斜面，所述第一通道为开口处于较低位置的通道，所述第二通道为开口处于较高位置的通道。

20.根据权利要求19所述的半导体表面检测方法，其特征在于，自所述第一通道送入所述流体，随着所述流体的持续送入，其与所述基片的下表面相接触，所述流体将所述基片下表面的物质除去或溶解于所述流体中，随着所述流体的流动，所述物质随流体自所述基片的中心向边缘移动。

21.根据权利要求20所述的半导体表面检测方法，其特征在于，通过所述第一通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

22.根据权利要求20所述的半导体表面检测方法，其特征在于，通过所述第二通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

23.根据权利要求18所述的半导体表面检测方法，其特征在于，每个所述半导体处理单元包括凹进部，所述凹进部的底壁具有至少一个位置，该位置位于凹进部的底壁的中心，自所述位置向所述凹进部边缘沿重力方向呈下降的斜面，所述第一通道为开口处于较高位置的通道，所述第二通道为开口处于较低位置的通道。

24.根据权利要求23所述的半导体表面检测方法，其特征在于，自所述第二通道送入所述流体，随着所述流体的持续送入，其与所述基片的下表面相接触，所述流体将所述基片下表面的物质除去或溶解于所述流体中，随着所述流体的流动，所述物质随流体自所述基片的边缘向中心移动。

25.根据权利要求24所述的半导体表面检测方法，其特征在于，通过所述第一通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

26.根据权利要求24所述的半导体表面检测方法，其特征在于，通过所述第二通道送出所述流体，所述基片的下表面的物质随着所述流体被送出所述凹进部，并被收集检测。

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