[go: up one dir, main page]

RU2018105878A - Выращивание эпитаксиального 3c-sic на монокристаллическом кремнии - Google Patents

Выращивание эпитаксиального 3c-sic на монокристаллическом кремнии Download PDF

Info

Publication number
RU2018105878A
RU2018105878A RU2018105878A RU2018105878A RU2018105878A RU 2018105878 A RU2018105878 A RU 2018105878A RU 2018105878 A RU2018105878 A RU 2018105878A RU 2018105878 A RU2018105878 A RU 2018105878A RU 2018105878 A RU2018105878 A RU 2018105878A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
precursor
substrate
preceding paragraphs
reactor
silicon
Prior art date
Application number
RU2018105878A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2764040C2 (ru
RU2018105878A3 (ru
Inventor
Максим МИРОНОВ
Джерард КОЛСТОН
Стефен РИД
Original Assignee
Дзе Юниверсити Оф Уорик
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB1513014.9A external-priority patent/GB2540608A/en
Priority claimed from GBGB1517167.1A external-priority patent/GB201517167D0/en
Application filed by Дзе Юниверсити Оф Уорик filed Critical Дзе Юниверсити Оф Уорик
Publication of RU2018105878A publication Critical patent/RU2018105878A/ru
Publication of RU2018105878A3 publication Critical patent/RU2018105878A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2764040C2 publication Critical patent/RU2764040C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H10P14/24—
    • H10P14/2905—
    • H10P14/2926—
    • H10P14/3408—
    • H10P14/3442—
    • H10P14/3444—
    • H10P14/3458—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Claims (42)

1. Способ выращивания эпитаксиального 3C-SiC на монокристаллическом кремнии, причем способ включает
предоставление монокристаллической кремниевой подложки (2) в реакторе (7) химического осаждения из газовой фазы с холодными стенками;
нагревание подложки до температуры, равной или большей, чем 700°C и равной или меньшей, чем 1200°C;
введение газовой смеси (33) в реактор, тогда как подложка находится при данной температуре, причем газовая смесь содержит прекурсор (16) источника кремния, прекурсор (18) источника углерода и несущий газ (20), таким образом, чтобы осадить эпитаксиальный слой (4) 3C-SiC на монокристаллический кремний.
2. Способ по п.1, причем прекурсор (18) источника углерода содержит кремнийорганическое соединение.
3. Способ по п.1 или 2, причем прекурсор (18) источника углерода содержит содержащий метил силан.
4. Способ по п.3, причем прекурсор (18) источника углерода содержит триметилсилан.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем расход прекурсора (18) источника углерода составляет, по меньшей мере, 1 см3/мин.
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем расход прекурсора (18) источника углерода составляет, по меньшей мере, 10 см3/мин.
7. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем прекурсор (16) источника кремния содержит силан или содержащий хлорин силан.
8. Способ по п.7, причем прекурсор (16) источника кремния содержит дихлорсилан.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем прекурсор (16) источника кремния содержит два или более различных компонентов прекурсора.
10. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем расход прекурсора (16) источника кремния составляет, по меньшей мере, 1 см3/мин.
11. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем расход прекурсора (16) источника кремния составляет, по меньшей мере, 10 см3/мин.
12. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем отношение расхода прекурсора (18) источника углерода и прекурсора (16) источника кремния меньше, чем 1,2 и больше, чем 0,8.
13. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем расходы прекурсора (18) источника углерода и прекурсора (16) источника кремния одинаковые.
14. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем температура, T, равна или больше, чем 1100°C.
15. Способ по любому из пп.1-14, причем давление в реакторе (7) во время осаждения равно или больше, чем 66,7 Па (0,5 торр) и равно или меньше, чем 26,7 кПа (200 торр).
16. Способ по любому из пп.1-14, причем давление в реакторе (7) во время осаждения равно или больше, чем 13,3 кПа (100 торр).
17. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем монокристаллический кремний имеет (001) ориентацию поверхности.
18. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем монокристаллическая кремниевая подложка (2) имеет плоскую поверхность (3).
19. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем монокристаллическая кремниевая подложка (2) содержит монокристаллическую кремниевую пластину.
20. Способ по любому из предыдущих пунктов, причем газовая смесь исключает газ хлористый водород (HCl).
21. Гетероструктура, содержащая
подложку, имеющую монокристаллическую кремниевую поверхность; и
слой эпитаксиального 3C-SiC, расположенный на монокристаллической кремниевой поверхности, имеющей толщину, по меньшей мере, 500 нм.
22. Полупроводниковое устройство, содержащее
гетероструктуру по п.21.
23. Система химического осаждения из газовой фазы для выращивания эпитаксиального 3C-SiC на подложке, имеющей поверхность из монокристаллического кремния, содержащая:
реактор (7) с холодными стенками, помещающий в себе опору (10) для поддержания подложки;
подачу (15) прекурсора (16) источника кремния;
подачу (17) прекурсора (18) источника углерода;
подачу (23) несущего газа (24);
ряд контроллеров (33, 34, 37) массового расхода, причем каждый контроллер массового расхода находится в выбираемой флюидной связи с соответствующей подачей;
манифольд (39) для приема газа от контроллеров массового расхода и подачи газовой смеси (41) на реактор;
нагреватель(-и) (9) для нагрева подложки;
температурный датчик (12) для измерения температуры подложки;
датчик (50) давления для измерения давления в реакторе;
вакуумный насос (45), находящийся в выбираемой флюидной связи с реактором;
система (13, 33, 34, 37, 51, 53) управления, сконфигурированная таким образом, что, когда подложка предоставляется в реакторе для осаждения эпитаксиального слоя 3C-SiC на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, подложка находится при температуре, равной или большей, чем 700°C и равной или меньшей, чем 1200°C.
24. Система химического осаждения из газовой фазы по п.23, которая пригодна для обработки подложки в форме пластины, имеющей диаметр, по меньшей мере, 100 мм.
25. Система химического осаждения из газовой фазы по п.24, причем диаметр составляет, по меньшей мере, 200 мм или, по меньшей мере, 450 мм.
RU2018105878A 2015-07-23 2016-07-22 ВЫРАЩИВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО 3C-SiC НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ RU2764040C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1513014.9 2015-07-23
GB1513014.9A GB2540608A (en) 2015-07-23 2015-07-23 Growing epitaxial 3C-SiC on single-crystal silicon
GBGB1517167.1A GB201517167D0 (en) 2015-09-29 2015-09-29 Growing epitaxial 3C-SiC on single -crystal silicon
GB1517167.1 2015-09-29
PCT/GB2016/052244 WO2017013445A1 (en) 2015-07-23 2016-07-22 Growing expitaxial 3c-sic on single-crystal silicon

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2018105878A true RU2018105878A (ru) 2019-08-26
RU2018105878A3 RU2018105878A3 (ru) 2019-10-23
RU2764040C2 RU2764040C2 (ru) 2022-01-13

Family

ID=56738128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018105878A RU2764040C2 (ru) 2015-07-23 2016-07-22 ВЫРАЩИВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО 3C-SiC НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10907273B2 (ru)
EP (1) EP3325695A1 (ru)
JP (1) JP2018522412A (ru)
KR (1) KR20180042228A (ru)
CN (1) CN107849730A (ru)
AU (1) AU2016296147A1 (ru)
RU (1) RU2764040C2 (ru)
TW (1) TW201716647A (ru)
WO (1) WO2017013445A1 (ru)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10217630B2 (en) * 2016-11-24 2019-02-26 Tokyo Electron Limited Method of forming silicon-containing film
FR3068506B1 (fr) 2017-06-30 2020-02-21 Soitec Procede pour preparer un support pour une structure semi-conductrice
CN110246890A (zh) * 2019-06-14 2019-09-17 大连芯冠科技有限公司 Hemt器件的外延结构
CN110499530B (zh) * 2019-08-28 2023-09-12 大同新成新材料股份有限公司 一种电子碳化硅芯片的生产设备及其方法
CN112447498A (zh) * 2019-08-29 2021-03-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 降低双极型器件正向导通SFs拓展的SiC外延层生长方法、结构及生长方法供气管路
IT201900015416A1 (it) * 2019-09-03 2021-03-03 St Microelectronics Srl Apparecchio per la crescita di una fetta di materiale semiconduttore, in particolare di carburo di silicio, e procedimento di fabbricazione associato
CN111477542A (zh) * 2020-05-25 2020-07-31 芜湖启迪半导体有限公司 一种含超级结的3C-SiC外延结构及其制备方法
CN113622030B (zh) * 2021-08-18 2022-08-26 福建北电新材料科技有限公司 碳化硅单晶体的制备方法
JP7259906B2 (ja) 2021-09-21 2023-04-18 信越半導体株式会社 ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法
KR102442730B1 (ko) 2021-12-23 2022-09-13 주식회사 쎄닉 탄화규소 분말, 이를 이용하여 탄화규소 잉곳을 제조하는 방법 및 탄화규소 웨이퍼
CN114068308B (zh) * 2022-01-17 2022-04-22 季华实验室 一种用于硅基mosfet器件的衬底及其制备方法
JP7218832B1 (ja) 2022-06-14 2023-02-07 信越半導体株式会社 ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法
CN119677900A (zh) 2022-08-03 2025-03-21 信越半导体株式会社 3C-SiC层叠基板的制造方法、3C-SiC层叠基板及3C-SiC自立基板
JP2024102694A (ja) 2023-01-19 2024-07-31 信越半導体株式会社 ３Ｃ－ＳｉＣ単結晶エピタキシャル基板の製造方法、３Ｃ－ＳｉＣ自立基板の製造方法、及び３Ｃ－ＳｉＣ単結晶エピタキシャル基板
CN116190217B (zh) * 2023-04-19 2025-08-08 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司 一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法
CN117248275A (zh) * 2023-11-20 2023-12-19 希科半导体科技(苏州)有限公司 碳化硅化学气相沉积外延方法和碳化硅外延片
CN117403319A (zh) * 2023-11-23 2024-01-16 保定市北方特种气体有限公司 烷基硅烷制备芯片用单晶碳化硅晶体的方法
CN117510236A (zh) * 2023-11-29 2024-02-06 保定市北方特种气体有限公司 甲基硅烷制备碳化硅涂层的方法
US20250179685A1 (en) * 2023-12-01 2025-06-05 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Silicon carbide platforms and the manufacture thereof through silicon carbide epitaxy on silicon
CN117438391B (zh) * 2023-12-18 2024-03-15 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 一种高热导率3C-SiC多晶基板及其制备方法
JP2025099753A (ja) * 2023-12-22 2025-07-03 信越半導体株式会社 ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3707726B2 (ja) * 2000-05-31 2005-10-19 Ｈｏｙａ株式会社 炭化珪素の製造方法、複合材料の製造方法
JP4419409B2 (ja) 2002-12-25 2010-02-24 住友電気工業株式会社 Ｃｖｄエピタキシャル成長方法
US7718469B2 (en) * 2004-03-05 2010-05-18 The University Of North Carolina At Charlotte Alternative methods for fabrication of substrates and heterostructures made of silicon compounds and alloys
EP2044244B1 (en) 2006-07-19 2013-05-08 Dow Corning Corporation Method of manufacturing substrates having improved carrier lifetimes
US8409351B2 (en) * 2007-08-08 2013-04-02 Sic Systems, Inc. Production of bulk silicon carbide with hot-filament chemical vapor deposition
RU2499324C2 (ru) * 2011-10-07 2013-11-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский федеральный университет" ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ SiC/Si И Diamond/SiC/Si, А ТАКЖЕ СПОСОБЫ ИХ СИНТЕЗА
US9546420B1 (en) * 2012-10-08 2017-01-17 Sandia Corporation Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature
TWI500806B (zh) * 2014-03-10 2015-09-21 Nat Univ Tsing Hua 碳化矽薄膜的製造方法
CN104152986A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 武汉理工大学 快速制备3C-SiC外延膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10907273B2 (en) 2021-02-02
TW201716647A (zh) 2017-05-16
RU2764040C2 (ru) 2022-01-13
CN107849730A (zh) 2018-03-27
RU2018105878A3 (ru) 2019-10-23
KR20180042228A (ko) 2018-04-25
AU2016296147A1 (en) 2018-01-18
US20180209063A1 (en) 2018-07-26
JP2018522412A (ja) 2018-08-09
EP3325695A1 (en) 2018-05-30
WO2017013445A1 (en) 2017-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018105878A (ru) Выращивание эпитаксиального 3c-sic на монокристаллическом кремнии
JP7587353B2 (ja) 気相反応器システムおよびその使用方法
JP7383669B2 (ja) 二次元材料を製造する方法
CN112626494B (zh) 气体注入系统和包括其的反应器系统
US12173404B2 (en) Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
CN102549718B (zh) 具有交叉流的外延腔室
KR102349875B1 (ko) 가스 분배 시스템, 가스 분배 시스템을 포함한 리액터, 및 가스 분배 시스템 및 리액터를 이용하는 방법들
TW200741042A (en) Vapor-phase epitaxial growth method and vapor-phase epitaxy apparatus
WO2007072855A1 (ja) 半導体薄膜製造装置
JP6491484B2 (ja) シリコン化学蒸気輸送による炭化シリコン結晶成長
WO2009025481A1 (en) Method for production of thin film and apparatus for manufacturing the same
CN104428872A (zh) 碳化硅外延晶片及其制造方法
TWI739799B (zh) 二維材料製造方法
US20140130742A1 (en) Apparatus and method for deposition
JP3948577B2 (ja) 半導体単結晶薄膜の製造方法
KR102920833B1 (ko) 에피택셜 재료를 증착하는 방법, 이를 사용하여 형성된 구조, 및 이를 수행하기 위한 시스템
US20150144963A1 (en) Silicon carbide epi-wafer and method of fabricating the same
GB2540608A (en) Growing epitaxial 3C-SiC on single-crystal silicon
EP2571042A1 (en) Method for vapor-phase epitaxial growth of semiconductor film
KR101829800B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
US20150329969A1 (en) Uniformity and selectivity of low gas flow velocity processes in a cross flow epitaxy chamber with the use of alternative highly reactive precursors though an alternative path
JP2009135157A (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
JP2022096895A (ja) 炭化珪素単結晶基板とその製造方法
HK1155495A (en) Epitaxial growth on low degree off-axis silicon carbide substrates and semiconductor devices made thereby
KR20120090349A (ko) 화학기상증착장치