[go: up one dir, main page]

RU2014118033A - Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение - Google Patents

Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение Download PDF

Info

Publication number
RU2014118033A
RU2014118033A RU2014118033/28A RU2014118033A RU2014118033A RU 2014118033 A RU2014118033 A RU 2014118033A RU 2014118033/28 A RU2014118033/28 A RU 2014118033/28A RU 2014118033 A RU2014118033 A RU 2014118033A RU 2014118033 A RU2014118033 A RU 2014118033A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metal oxide
layer
oxide
liquid phase
metal
Prior art date
Application number
RU2014118033/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2601210C2 (ru
Inventor
Юрген ШТАЙГЕР
Дуи Ву ПАМ
Анита НОЙМАНН
Алексей МЕРКУЛОВ
Арне ХОППЕ
Original Assignee
Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эвоник Дегусса Гмбх filed Critical Эвоник Дегусса Гмбх
Publication of RU2014118033A publication Critical patent/RU2014118033A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2601210C2 publication Critical patent/RU2601210C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1225—Deposition of multilayers of inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1279—Process of deposition of the inorganic material performed under reactive atmosphere, e.g. oxidising or reducing atmospheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6757—Thin-film transistors [TFT] characterised by the structure of the channel, e.g. transverse or longitudinal shape or doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/203—
    • H10P14/265—
    • H10P14/3226—
    • H10P14/3234—
    • H10P14/3426—
    • H10P14/3434—
    • H10P14/38—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления полупроводникового ламината, включающего в себяпервый слой оксида металла, второй слой оксида металла и слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла расположен между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика,причем способ включает в себя:формирование первого соля оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси, из первой жидкой фазы, причем первый слой оксида металла имеет толщину менее 20 нм, и первая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбирают из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси,формирование второго слоя оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси, из второй жидкой фазы, причем вторая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбран из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси.причем по меньшей мере один оксид металла первого слоя и по меньшей мере один оксид металла второго слоя различны.2. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет

Claims (28)

1. Способ изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя
первый слой оксида металла, второй слой оксида металла и слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла расположен между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика,
причем способ включает в себя:
формирование первого соля оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси, из первой жидкой фазы, причем первый слой оксида металла имеет толщину менее 20 нм, и первая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбирают из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси,
формирование второго слоя оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси, из второй жидкой фазы, причем вторая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбран из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси.
причем по меньшей мере один оксид металла первого слоя и по меньшей мере один оксид металла второго слоя различны.
2. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет толщину 0,5-20 нм.
3. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла имеет толщину, по меньшей мере равную толщине первого слоя оксида металла.
4. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя по меньшей мере один оксид металла, который не содержится в первом слое оксида металла.
5. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя по меньшей мере два оксида металла.
6. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла включает в себя по меньшей мере два оксида металла.
7. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя оксид кремния.
8. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла по существу состоит из оксида индия (In2O3) или оксида индия-галлия.
9. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла по существу состоит из ZnO, Ga2O3, HfO2, SiO2, оксида кремния-галлия или оксида кремния-гафния.
10. Способ по п. 1, причем формирование первого слоя оксида металла включает в себя:
нанесение первой жидкой фазы на слой диэлектрика и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла первой жидкой фазы на слой диэлектрика, чтобы сформировать первый слой оксида металла на слое диэлектрика,
и, причем, формирование второго слоя оксида металла включает в себя:
нанесение второй жидкой фазы на первый слой оксида металла и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла второй жидкой фазы на первый слой оксида металла, чтобы сформировать второй слой оксида металла на первом слое оксида металла.
11. Способ по п. 1, причем формирование второго слоя оксида металла включает в себя:
нанесение второй жидкой фазы на субстрат и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла второй жидкой фазы на субстрат, чтобы сформировать второй слой оксида металла на субстрате,
и причем формирование первого слоя оксида металла включает в себя:
нанесение первой жидкой фазы на второй слой оксида металла и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла первой жидкой фазы на второй слой оксида металла, чтобы сформировать первый слой оксида металла на втором слое оксида металла, и
нанесение слоя диэлектрика на первый слой оксида металла.
12. Способ по п. 10, причем первую и/или вторую жидкую фазы наносят способами, выбранными из группы, которую образуют процессы печати, процессы распыления, способы нанесения покрытия с использованием вращения, погружные процессы и покрытие с помощью щелевых головок.
13. Способ по п. 11, причем первую и/или вторую жидкую фазы наносят способами, выбранными из группы, которую образуют процессы печати, процессы распыления, способы нанесения покрытия с использованием вращения, погружные процессы и покрытие с помощью щелевых головок.
14. Способ по п. 1, причем по меньшей мере один предшественник оксида металла первой и/или второй жидкой фазы происходит из класса алкоксидов металлов и/или оксоалкоксидов металлов.
15. Способ по п. 14, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя по меньшей мере один органический растворитель.
16. Способ по п. 15, причем органический растворитель по существу безводен.
17. Способ по п. 1, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя по меньшей мере один оксид металла типа частиц оксида металла.
18. Способ по п. 1, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя водную фазу.
19. Способ по п. 17, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя водную фазу.
20. Способ по п. 10, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла также включает в себя тепловую обработку первой и/или второй жидкой фазы.
21. Способ по п. 11, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла также включает в себя тепловую обработку первой и/или второй жидкой фазы.
22. Способ по одному из пп. 10, 11, 20 и 21, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла включает в себя облучение первой и/или второй жидкой фазы электромагнитным излучением, в частности УФ, ИК и/или видимым излучением, причем, в частности, перед, во время или после тепловой обработки первой и/или второй жидкой фазы первую и/или вторую жидкую фазу облучают УФ-излучением.
23. Способ по одному из пп. 10, 11, 20 и 21, причем первый и/или второй слой оксида металла формируют в содержащей кислород атмосфере, в частности на воздухе.
24. Способ по одному из пп. 20 или 21, причем первый и/или второй слой оксида металла подвергают тепловой обработке при температуре в 100-450°С, предпочтительно при 150-350°С.
25. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет толщину 0,5-10 нм, предпочтительно 2-5 нм.
26. Полупроводниковый ламинат, изготовленный способом по пп. 1-25.
27. Электронная деталь, включающая в себя полупроводниковый ламинат по п. 26.
28. Электронная деталь по п. 27, причем электронная деталь представляет собой транзистор, тонкослойный транзистор, RFID-метку или объединительную плату TFT для экранов.
RU2014118033/28A 2011-10-07 2012-09-12 Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение RU2601210C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011084145A DE102011084145A1 (de) 2011-10-07 2011-10-07 Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung
DE102011084145.8 2011-10-07
PCT/EP2012/067804 WO2013050221A1 (de) 2011-10-07 2012-09-12 Verfahren zur herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden metalloxidschichten, nach dem verfahren hergestellte schichten und deren verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014118033A true RU2014118033A (ru) 2015-11-27
RU2601210C2 RU2601210C2 (ru) 2016-10-27

Family

ID=46832402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014118033/28A RU2601210C2 (ru) 2011-10-07 2012-09-12 Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9059299B2 (ru)
EP (1) EP2748857B1 (ru)
JP (1) JP6192646B2 (ru)
KR (1) KR102060492B1 (ru)
CN (1) CN103959478B (ru)
DE (1) DE102011084145A1 (ru)
IN (1) IN2014CN03328A (ru)
RU (1) RU2601210C2 (ru)
TW (1) TWI555088B (ru)
WO (1) WO2013050221A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102012209918A1 (de) 2012-06-13 2013-12-19 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102013212018A1 (de) * 2013-06-25 2015-01-08 Evonik Industries Ag Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung
DE102013109451B9 (de) 2013-08-30 2017-07-13 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP2874187B1 (en) 2013-11-15 2020-01-01 Evonik Operations GmbH Low contact resistance thin film transistor
DE102014202718A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Evonik Degussa Gmbh Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
EP3350115A1 (en) 2015-09-14 2018-07-25 University College Cork Semi-metal rectifying junction
US9515158B1 (en) * 2015-10-20 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same
DE102015121067B4 (de) * 2015-12-03 2018-10-18 Technische Universität Dresden Verfahren zur Reparaturvorbereitung von Faser-Kunststoff-Verbünden
GB2549951B (en) * 2016-05-03 2019-11-20 Metodiev Lavchiev Ventsislav Light emitting structures and systems on the basis of group-IV material(s) for the ultra violet and visible spectral range
KR101914835B1 (ko) * 2016-11-18 2018-11-02 아주대학교산학협력단 금속산화물 이종 접합 구조, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막트랜지스터
CN108396312B (zh) * 2018-01-19 2020-04-17 东华大学 一种快速制备高平整度金属氧化物薄膜的方法
WO2019200164A1 (en) * 2018-04-11 2019-10-17 The Regents Of The University Of California Devices and methods for detecting/discriminating complementary and mismatched nucleic acids using ultrathin film field-effect transistors
US11282966B2 (en) 2019-03-06 2022-03-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor materials
US12507537B2 (en) * 2020-10-23 2025-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102867483B1 (ko) * 2023-04-21 2025-10-14 한국과학기술원 고압 전자기파 유도가열 방법
KR102829512B1 (ko) * 2023-04-28 2025-07-03 충북대학교 산학협력단 표면 처리 공정을 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
KR102913536B1 (ko) * 2024-12-04 2026-01-15 충북대학교 산학협력단 질소 가스로부터 생성된 포커스드 플라즈마를 이용하여 표면 처리된 tft

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06136162A (ja) 1992-10-21 1994-05-17 Fujimori Kogyo Kk 金属酸化物薄膜の形成方法
JPH09157855A (ja) 1995-12-06 1997-06-17 Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk 金属酸化物薄膜の形成方法
CN1101352C (zh) 2000-07-15 2003-02-12 昆明理工大学 铟锡氧化物薄膜溶胶—凝胶制备方法
US7604839B2 (en) * 2000-07-31 2009-10-20 Los Alamos National Security, Llc Polymer-assisted deposition of films
US20060088962A1 (en) 2004-10-22 2006-04-27 Herman Gregory S Method of forming a solution processed transistor having a multilayer dielectric
JP4021435B2 (ja) * 2004-10-25 2007-12-12 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録再生装置
US7374984B2 (en) * 2004-10-29 2008-05-20 Randy Hoffman Method of forming a thin film component
RU2305346C2 (ru) * 2004-11-29 2007-08-27 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова) Тонкопленочный материал диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и способ его получения (варианты)
JP2007073704A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 半導体薄膜
JP2007073074A (ja) * 2006-12-04 2007-03-22 Omron Corp 医療情報処理システムおよび医療情報処理方法、並びに、情報処理装置および情報処理方法
DE102007018431A1 (de) * 2007-04-19 2008-10-30 Evonik Degussa Gmbh Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor
US7982216B2 (en) * 2007-11-15 2011-07-19 Fujifilm Corporation Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same
JP5250322B2 (ja) * 2008-07-10 2013-07-31 富士フイルム株式会社 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置
JP2010050165A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法、トランジスタ基板、発光装置、および、表示装置
DE102008058040A1 (de) 2008-11-18 2010-05-27 Evonik Degussa Gmbh Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten
JP2010120270A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドの製造方法
DE102009009338A1 (de) 2009-02-17 2010-08-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE102009009337A1 (de) 2009-02-17 2010-08-19 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung
JP2010258057A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Konica Minolta Holdings Inc 金属酸化物半導体、その製造方法、及びそれを用いた薄膜トランジスタ
EP2422372A1 (en) 2009-04-24 2012-02-29 Panasonic Corporation Oxide semiconductor
KR20100130850A (ko) * 2009-06-04 2010-12-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
DE102009028802B3 (de) 2009-08-21 2011-03-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung
DE102009028801B3 (de) 2009-08-21 2011-04-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung
US20120280227A1 (en) * 2009-11-27 2012-11-08 Hironori Wakana Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same
EP2513971A1 (de) * 2009-12-18 2012-10-24 Basf Se Metalloxid-feldeffekttransistoren auf mechanisch flexiblem polymersubstrat mit aus lösung prozessierbarem dielektrikum bei niedrigen temperaturen
DE102009054997B3 (de) 2009-12-18 2011-06-01 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
KR20110106225A (ko) * 2010-03-22 2011-09-28 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치
KR101669953B1 (ko) * 2010-03-26 2016-11-09 삼성전자 주식회사 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자
DE102010031895A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010031592A1 (de) 2010-07-21 2012-01-26 Evonik Degussa Gmbh Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten
DE102010043668B4 (de) 2010-11-10 2012-06-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung
JP6150038B2 (ja) * 2013-03-13 2017-06-21 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
IN2014CN03328A (ru) 2015-07-03
EP2748857A1 (de) 2014-07-02
KR20140072148A (ko) 2014-06-12
CN103959478A (zh) 2014-07-30
RU2601210C2 (ru) 2016-10-27
WO2013050221A1 (de) 2013-04-11
JP6192646B2 (ja) 2017-09-06
KR102060492B1 (ko) 2020-02-11
DE102011084145A1 (de) 2013-04-11
CN103959478B (zh) 2016-10-26
TWI555088B (zh) 2016-10-21
JP2015501529A (ja) 2015-01-15
US20150053966A1 (en) 2015-02-26
EP2748857B1 (de) 2018-06-13
TW201334070A (zh) 2013-08-16
US9059299B2 (en) 2015-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014118033A (ru) Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение
KR101835194B1 (ko) 금속 산화물 막 형성용 도포액, 금속 산화물 막, 전계 효과형 트랜지스터 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
US9309595B2 (en) Method for the production of metal oxide-containing layers
TW201041662A (en) Process for producing semiconductive indium oxide layers, indium oxide layers prepared by the process and use thereof
KR101460489B1 (ko) 산소 플라즈마 처리 공정이 포함된 졸겔(sol-gel)법을 이용한 산화물 반도체층 방법 및 이에 의해 제조된 산화물 반도체층
TWI548642B (zh) 用於製備含有氧化銦之層的烷醇側氧基銦（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｏ ａｌｋｏｘｉｄｅ）
US20090298226A1 (en) Method for producing semiconductor device
US9315901B2 (en) Method for the production of layers containing indium oxide
TWI415794B (zh) 合成銦鎵鋅氧化物之方法及使用其形成銦鎵鋅氧化物薄膜之方法
KR20130111599A (ko) 금속 산화물 박막 형성용 도포액, 금속 산화물 박막, 전계 효과형 트랜지스터 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
Chen et al. Low-temperature solution-processed flexible metal oxide thin-film transistors via laser annealing
EP3176284A1 (en) Laminate body and manufacturing method thereof, and gas barrier film and manufacturing method thereof
KR20120077788A (ko) 산화물 박막용 조성물, 산화물 박막용 조성물 제조 방법, 산화물 박막용 조성물을 이용한 산화물 박막 및 전자소자
JP2015522509A5 (ru)
CN102810483A (zh) 氧化物半导体薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法
Yang et al. Solution-Processed Indium–Zinc-Oxide Thin Film Transistors With High-$ k $ Magnesium Titanium Oxide Dielectric
Yoo et al. Low-temperature-annealed alumina/polyimide gate insulators for solution-processed ZnO thin-film transistors
WO2014103928A1 (ja) 多成分系酸化物半導体の前駆体塗布液及び該塗布液を用いた多成分系酸化物半導体膜の製造方法
JP6918511B2 (ja) 塗布型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、表示装置および塗布型酸化物半導体の製造方法
WO2013179028A3 (en) Stabilising thin metal films on substrates
KR20130106181A (ko) 산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터
JP6402518B2 (ja) ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた電子デバイス
TWI534308B (zh) 藍寶石及其抗菌化處理方法
JP2010192294A (ja) 透明導電膜の製造方法、透明導電膜およびデバイス
Chen et al. Efficient gradient heating-up approach for rapid growth of high-quality amorphous ZrO2 dielectric films

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190913