[go: up one dir, main page]

RU2010129076A - Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке - Google Patents

Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке Download PDF

Info

Publication number
RU2010129076A
RU2010129076A RU2010129076/28A RU2010129076A RU2010129076A RU 2010129076 A RU2010129076 A RU 2010129076A RU 2010129076/28 A RU2010129076/28 A RU 2010129076/28A RU 2010129076 A RU2010129076 A RU 2010129076A RU 2010129076 A RU2010129076 A RU 2010129076A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
group
silicon
metal
devices
layer
Prior art date
Application number
RU2010129076/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Тони Д. ФЛЭЙМ (US)
Тони Д. ФЛЭЙМ
Джереми МАККАТЧЕОН (US)
Джереми МАККАТЧЕОН
Original Assignee
Брюэр Сайенс Инк. (Us)
Брюэр Сайенс Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Брюэр Сайенс Инк. (Us), Брюэр Сайенс Инк. filed Critical Брюэр Сайенс Инк. (Us)
Publication of RU2010129076A publication Critical patent/RU2010129076A/ru

Links

Classifications

    • H10P72/74—
    • H10P72/7402—
    • H10P72/7448—
    • H10P72/7412—
    • H10P72/7416—
    • H10P72/7422—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

1. Способ временного соединения, в котором: ! обеспечивают пакет, содержащий: ! первую подложку, имеющую заднюю поверхность и поверхность со сформированными устройствами, при этом поверхность со сформированными устройствами имеет периферийную область и центральную область; ! вторую подложку, имеющую несущую поверхность; и ! краевое соединение, соединенное с периферийной областью и с несущей поверхностью, причем краевое соединение отсутствует, по меньшей мере, на части упомянутой центральной области, образуя зону заполнения; и ! заполняющий материал в зоне заполнения; и ! разделяют первую и вторую подложки. ! 2. Способ по п.1, в котором поверхность со сформированными устройствами содержит матрицу устройств, выбранных из группы, состоящей из интегральных микросхем; МЭМС; микродатчиков; мощных полупроводниковых приборов; светоизлучающих диодов; световых микросхем; планок; встроенных пассивных устройств; и микроустройств, изготовленных на или из кремния, кремния-германия, арсенида галлия и нитрида галлия. ! 3. Способ по п.1, в котором вторая подложка содержит материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики. ! 4. Способ по п.1, в котором поверхность со сформированными устройствами содержит, по меньшей мере, одну структуру, выбранную из группы, состоящей из: столбиков припоя; металлических стоек; металлических опор; и структур, образованных из материала, выбранного из группы, состоящей из кремния, поликристаллического кремния, диоксида кремния, (окси)нитрида кремния, металла, диэлектриков с низким k, полимерных диэлектриков, нитридов металлов и силицидов металлов. ! 5. Спосо

Claims (45)

1. Способ временного соединения, в котором:
обеспечивают пакет, содержащий:
первую подложку, имеющую заднюю поверхность и поверхность со сформированными устройствами, при этом поверхность со сформированными устройствами имеет периферийную область и центральную область;
вторую подложку, имеющую несущую поверхность; и
краевое соединение, соединенное с периферийной областью и с несущей поверхностью, причем краевое соединение отсутствует, по меньшей мере, на части упомянутой центральной области, образуя зону заполнения; и
заполняющий материал в зоне заполнения; и
разделяют первую и вторую подложки.
2. Способ по п.1, в котором поверхность со сформированными устройствами содержит матрицу устройств, выбранных из группы, состоящей из интегральных микросхем; МЭМС; микродатчиков; мощных полупроводниковых приборов; светоизлучающих диодов; световых микросхем; планок; встроенных пассивных устройств; и микроустройств, изготовленных на или из кремния, кремния-германия, арсенида галлия и нитрида галлия.
3. Способ по п.1, в котором вторая подложка содержит материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики.
4. Способ по п.1, в котором поверхность со сформированными устройствами содержит, по меньшей мере, одну структуру, выбранную из группы, состоящей из: столбиков припоя; металлических стоек; металлических опор; и структур, образованных из материала, выбранного из группы, состоящей из кремния, поликристаллического кремния, диоксида кремния, (окси)нитрида кремния, металла, диэлектриков с низким k, полимерных диэлектриков, нитридов металлов и силицидов металлов.
5. Способ по п.1, в котором заполняющий материал имеет первую поверхность в контакте с несущей поверхностью и вторую поверхность в контакте с поверхностью со сформированными устройствами, при этом заполняющий материал представляет собой однородный материал от первой поверхности до второй поверхности.
6. Способ по п.1, в котором заполняющий материал имеет первую поверхность и вторую поверхность, и пакет дополнительно содержит второй слой в контакте с одной из первой и второй поверхностей, а другая из первой и второй поверхностей находится в контакте с одной из несущей поверхности и поверхности со сформированными устройствами.
7. Способ по п.6, в котором второй слой выбирают из группы, состоящей из слоя с низкой адгезионной прочностью, полимерного слоя и поверхностной модификации несущей поверхности или поверхности со сформированными устройствами.
8. Способ по п.7, в котором второй слой находится в контакте с несущей поверхностью.
9. Способ по п.1, в котором краевое соединение имеет ширину от приблизительно 2 мм до приблизительно 15 мм.
10. Способ по п.1, в котором краевое соединение образуют из материала, содержащего мономеры, олигомеры или полимеры, выбранные из группы, состоящей из эпоксидов, акрилатов, силиконов, стирольных соединений, винилгалогенидов, виниловых сложных эфиров, полиамидов, полиимидов, полисульфонов, полиэфирсульфонов, циклических олефинов, полиолефиновых каучуков и полиуретанов.
11. Способ по п.1, в котором заполняющий материал содержит мономеры, олигомеры и/или полимеры, выбранные из группы, состоящей из циклических олефинов и аморфных фторполимеров.
12. Способ по п.1, в котором пакет дополнительно подвергают обработке, выбранной из группы, состоящей из шлифования задней стороны, химико-механического полирования, травления, осаждения металла или диэлектрика, структурирования, пассивации, прокаливания и их комбинаций, перед разделением первой и второй подложек.
13. Способ по п.1, в котором дополнительно воздействуют на краевое соединение растворителем, чтобы растворить краевое соединение перед разделением.
14. Способ по п.1, в котором дополнительно механически разрушают краевое соединение перед разделением.
15. Способ по п.1, в котором при разделении прилагают слабую силу к, по меньшей мере, одной из первой и второй подложек, для их раздвигания.
16. Изделие, содержащее:
первую подложку, имеющую переднюю и заднюю поверхности, при этом передняя поверхность имеет периферийную область и центральную область;
краевое соединение, соединенное с периферийной областью, причем краевое соединение отсутствует, по меньшей мере, на части центральной области, образуя зону заполнения; и
заполняющий материал в зоне заполнения.
17. Изделие по п.16, в котором первая подложка содержит пластину со сформированными устройствами, имеющую поверхность со сформированными устройствами, содержащую матрицу устройств, выбранных из группы, состоящей из интегральных микросхем; МЭМС; микродатчиков; мощных полупроводниковых приборов; светоизлучающих диодов; световых микросхем; планок; встроенных пассивных устройств; и микроустройств, изготовленных на или из кремния, кремния-германия, арсенида галлия и нитрида галлия.
18. Изделие по п.16, в котором первая подложка содержит материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики.
19. Изделие по п.16, дополнительно содержащее вторую подложку, имеющую несущую поверхность, при этом краевое соединение дополнительно соединено с несущей поверхностью.
20. Изделие по п.19, в котором вторая подложка содержит материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики.
21. Изделие по п.17, в котором поверхность со сформированными устройствами содержит, по меньшей мере, одну структуру, выбранную из группы, состоящей из: столбиков припоя; металлических стоек; металлических опор; и структур, образованных из материала, выбранного из группы, состоящей из кремния, поликристаллического кремния, диоксида кремния, (окси)нитрида кремния, металла, диэлектриков с низким k, полимерных диэлектриков, нитридов металлов и силицидов металлов.
22. Изделие по п.16, в котором заполняющий материал имеет первую поверхность и вторую поверхность, и изделие дополнительно содержит второй слой в контакте с одной из первой и второй поверхностей.
23. Изделие по п.22, в котором второй слой выбран из группы, состоящей из слоя с низкой адгезионной прочностью, полимерного слоя и поверхностной модификации несущей поверхности или поверхности со сформированными устройствами.
24. Изделие по п.23, в котором второй слой находится в контакте с упомянутой несущей поверхностью.
25. Изделие по п.16, в котором краевое соединение имеет ширину от приблизительно 2 мм до приблизительно 15 мм.
26. Изделие по п.16, в котором краевое соединение образовано из материала, содержащего мономеры, олигомеры или полимеры, выбранные из группы, состоящей из эпоксидов, акрилатов, силиконов, стирольных соединений, винилгалогенидов, виниловых сложных эфиров, полиамидов, полиимидов, полисульфонов, полиэфирсульфонов, циклических олефинов, полиолефиновых каучуков и полиуретанов.
27. Изделие по п.16, в котором заполняющий материал содержит мономеры, олигомеры и/или полимеры, выбранные из группы, состоящей из циклических олефинов и аморфных фторполимеров.
28. Способ формирования временной структуры для крепления полупроводниковой пластины, где:
обеспечивают первую подложку, имеющую переднюю и заднюю поверхности, где передняя поверхность имеет периферийную область и центральную область;
формируют краевое соединение на периферийной области, причем краевое соединение отсутствует в центральной области; и
осаждают заполняющий материал в центральной области.
29. Способ по п.28, в котором осаждение заполняющего материала выполняют до формирования краевого соединения.
30. Способ по п.28, в котором первая подложка содержит пластину со сформированными устройствами, содержащую матрицу устройств, выбранных из группы, состоящей из интегральных микросхем; МЭМС; микродатчиков; мощных полупроводниковых приборов; светоизлучающих диодов; световых микросхем; планок; встроенных пассивных устройств; и микроустройств, изготовленных на или из кремния, кремния-германия, арсенида галлия и нитрида галлия.
31. Способ по п.28, в котором первая подложка содержит материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики.
32. Способ по п.28, в котором дополнительно присоединяют вторую подложку, имеющую несущую поверхность, к краевому соединению.
33. Способ по п.32, в котором вторая подложка содержит материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики.
34. Способ по п.28, в котором поверхность со сформированными устройствами содержит, по меньшей мере, одну структуру, выбранную из группы, состоящей из: столбиков припоя; металлических стоек; металлических опор; и структур, образованных из материала, выбранного из группы, состоящей из кремния, поликристаллического кремния, диоксида кремния, (окси)нитрида кремния, металла, диэлектриков с низким k, полимерных диэлектриков, нитридов металлов и силицидов металлов.
35. Способ по п.28, в котором заполняющий материал имеет первую поверхность и вторую поверхность, и изделие дополнительно содержит второй слой в контакте с одной из первой и второй поверхностей.
36. Способ по п.35, в котором второй слой выбирают из группы, состоящей из слоя с низкой адгезионной прочностью, полимерного слоя и поверхностной модификации несущей поверхности или поверхности со сформированными устройствами.
37. Способ по п.36, в котором второй слой находится в контакте с несущей поверхностью.
38. Способ по п.28, в котором краевое соединение имеет ширину от приблизительно 2 мм до приблизительно 15 мм.
39. Способ по п.28, в котором краевое соединение образуют из материала, содержащего мономеры, олигомеры или полимеры, выбранные из группы, состоящей из эпоксидов, акрилатов, силиконов, стирольных соединений, винилгалогенидов, виниловых сложных эфиров, полиамидов, полиимидов, полисульфонов, полиэфирсульфонов, циклических олефинов, полиолефиновых каучуков и полиуретанов.
40. Способ по п.28, в котором заполняющий материал содержит мономеры, олигомеры и/или полимеры, выбранные из группы, состоящей из циклических олефинов и аморфных фторполимеров.
41. Изделие, содержащее:
подложку, имеющую переднюю и заднюю поверхности, при этом передняя поверхность имеет периферийную область и центральную область; и
слой материала на передней поверхности, при этом слой отсутствует в периферийной области и выбран из группы, состоящей из слоя с низкой адгезионной прочностью и поверхностной модификации передней поверхности.
42. Изделие по п.41, в котором подложка содержит материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики.
43. Изделие по п.42, в котором подложка содержит кремний.
44. Изделие по п.41, в котором периферийная область имеет ширину от приблизительно 2 мм до приблизительно 15 мм.
45. Изделие по п.41, в котором слой имеет толщину от приблизительно 1 нм до приблизительно 5 нм.
RU2010129076/28A 2008-01-24 2009-01-23 Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке RU2010129076A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2337908P 2008-01-24 2008-01-24
US61/023,379 2008-01-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010129076A true RU2010129076A (ru) 2012-01-20

Family

ID=40901639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010129076/28A RU2010129076A (ru) 2008-01-24 2009-01-23 Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке

Country Status (13)

Country Link
US (2) US9111981B2 (ru)
EP (1) EP2238618B1 (ru)
JP (2) JP5111620B2 (ru)
KR (1) KR101096142B1 (ru)
CN (1) CN101925996B (ru)
AT (2) AT12755U1 (ru)
CA (1) CA2711266A1 (ru)
DE (2) DE112009000140B4 (ru)
IL (1) IL206872A (ru)
PT (1) PT2238618E (ru)
RU (1) RU2010129076A (ru)
TW (1) TWI439526B (ru)
WO (1) WO2009094558A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2612879C1 (ru) * 2015-10-15 2017-03-13 Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" Способ временного закрепления подложек на технологическом основании

Families Citing this family (176)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
RU2010129076A (ru) * 2008-01-24 2012-01-20 Брюэр Сайенс Инк. (Us) Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке
US8092628B2 (en) 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9601530B2 (en) 2008-12-02 2017-03-21 Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US8476165B2 (en) * 2009-04-01 2013-07-02 Tokyo Electron Limited Method for thinning a bonding wafer
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US8366873B2 (en) 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
US8181688B2 (en) 2009-04-16 2012-05-22 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus for temporary wafer bonding and debonding
US8871609B2 (en) * 2009-06-30 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling structure and method
US9305769B2 (en) 2009-06-30 2016-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thin wafer handling method
EP2290679B1 (de) * 2009-09-01 2016-05-04 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
DE102009050568A1 (de) * 2009-10-23 2011-04-28 Schott Ag Einrichtung mit verminderten Reibeigenschaften
KR101105918B1 (ko) * 2009-11-30 2012-01-17 주식회사 엘지실트론 질화물 반도체 소자의 제조방법
TWI412096B (zh) * 2009-12-15 2013-10-11 Hiwin Tech Corp 晶圓防護裝置及其操作流程
JP5535670B2 (ja) * 2010-01-28 2014-07-02 富士フイルム株式会社 放射線画像検出器の製造方法
US9159595B2 (en) * 2010-02-09 2015-10-13 Suss Microtec Lithography Gmbh Thin wafer carrier
JP2013520009A (ja) 2010-02-12 2013-05-30 ダウ コーニング コーポレーション 半導体加工のための一時的ウェハー接着方法
US8541886B2 (en) * 2010-03-09 2013-09-24 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with via and method of manufacture thereof
EP2553719B1 (de) * 2010-03-31 2019-12-04 Ev Group E. Thallner GmbH Verfahren zur herstellung eines mit chips bestückten wafers mit hilfe von zwei selektiv abtrennbaren trägerwafern mit ringförmigen adhäsionsschichten mit unterschiedlichen ringbreiten
JP5728163B2 (ja) * 2010-04-02 2015-06-03 東京応化工業株式会社 剥離方法、および剥離液
US9064686B2 (en) 2010-04-15 2015-06-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh Method and apparatus for temporary bonding of ultra thin wafers
US9859141B2 (en) 2010-04-15 2018-01-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for aligning and centering wafers
US9837295B2 (en) 2010-04-15 2017-12-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
EP2572380B1 (de) * 2010-05-20 2021-06-16 Ev Group E. Thallner GmbH Verfahren zur herstellung von chipstapeln sowie ein träger für die durchführung des verfahrens
US8742009B2 (en) * 2010-06-04 2014-06-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Temporary adhesive composition, and method of producing thin wafer
JP5671265B2 (ja) * 2010-06-10 2015-02-18 東京応化工業株式会社 基板の加工方法
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
CN102315311A (zh) * 2010-07-06 2012-01-11 杜邦太阳能有限公司 太阳能模块装置及其封边涂布方法
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
KR101735571B1 (ko) 2010-08-20 2017-05-16 삼성전자주식회사 방열 재료, 상기 방열 재료로 만들어진 접합부를 포함하는 발광 다이오드 패키지
JP5714859B2 (ja) * 2010-09-30 2015-05-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
EP3514529B1 (de) 2010-11-12 2023-03-15 EV Group E. Thallner GmbH Messeinrichtung zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
US8415183B2 (en) * 2010-11-22 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level conformal coating for LED devices
US8753460B2 (en) * 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
CN102637575B (zh) * 2011-02-09 2015-07-01 群康科技(深圳)有限公司 元件基板的制造方法
JP5882364B2 (ja) 2011-02-18 2016-03-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウエハレベルのシンギュレーションのための方法
JP6234363B2 (ja) * 2011-04-11 2017-11-22 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー キャリア基板を外すための屈曲可能なキャリア台、デバイス、および方法
KR101830471B1 (ko) * 2011-06-06 2018-02-20 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 결합을 위해 압력 분포를 결정하기 위한 방법 및 장치
US9827757B2 (en) 2011-07-07 2017-11-28 Brewer Science Inc. Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
DE102011079687A1 (de) 2011-07-22 2013-01-24 Wacker Chemie Ag Temporäre Verklebung von chemisch ähnlichen Substraten
JP2013026546A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜デバイス用基板、及び薄膜デバイスの製造方法
US8940104B2 (en) 2011-08-02 2015-01-27 Brewer Science Inc. Cleaning composition for temporary wafer bonding materials
US20130061869A1 (en) * 2011-09-06 2013-03-14 Brewer Science Inc. Use of megasonic energy to assist edge bond removal in a zonal temporary bonding process
JP5933724B2 (ja) * 2011-09-20 2016-06-15 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 支持ウェハを被覆する装置及び方法
JP5962395B2 (ja) * 2011-09-28 2016-08-03 Jsr株式会社 基材の仮固定方法、半導体装置および仮固定用組成物
JP5913053B2 (ja) * 2011-12-08 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20200019772A (ko) 2011-12-22 2020-02-24 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성 기판 홀더, 제1 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
US8696864B2 (en) 2012-01-26 2014-04-15 Promerus, Llc Room temperature debonding composition, method and stack
WO2013119976A1 (en) * 2012-02-08 2013-08-15 Brewer Science Inc. Fluorinated silane coating compositions for thin wafer bonding and handling
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US8975157B2 (en) 2012-02-08 2015-03-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer
JP6055597B2 (ja) * 2012-02-09 2016-12-27 東京応化工業株式会社 貼付方法及び貼付装置
US8697542B2 (en) 2012-04-12 2014-04-15 The Research Foundation Of State University Of New York Method for thin die-to-wafer bonding
JP5348341B1 (ja) * 2012-04-27 2013-11-20 Ｊｓｒ株式会社 基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置
US9127126B2 (en) 2012-04-30 2015-09-08 Brewer Science Inc. Development of high-viscosity bonding layer through in-situ polymer chain extension
JP5360260B2 (ja) * 2012-05-08 2013-12-04 Ｊｓｒ株式会社 基材の処理方法、積層体および半導体装置
JP5901422B2 (ja) 2012-05-15 2016-04-13 古河電気工業株式会社 半導体ウェハのダイシング方法およびこれに用いる半導体加工用ダイシングテープ
JP6063641B2 (ja) * 2012-05-16 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハ保護部材
JP5752639B2 (ja) * 2012-05-28 2015-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN103035580B (zh) * 2012-07-24 2015-06-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
KR102014574B1 (ko) * 2012-07-30 2019-08-26 에리히 탈너 기판들을 본딩하기 위한 기판 조립체, 방법 및 장치
US8963336B2 (en) 2012-08-03 2015-02-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor packages, methods of manufacturing the same, and semiconductor package structures including the same
KR101970291B1 (ko) 2012-08-03 2019-04-18 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
KR101276487B1 (ko) * 2012-10-05 2013-06-18 주식회사 이녹스 웨이퍼 적층체 및 디바이스 웨이퍼 및 캐리어 웨이퍼의 본딩 및 디본딩 처리 방법
US9029238B2 (en) * 2012-10-11 2015-05-12 International Business Machines Corporation Advanced handler wafer bonding and debonding
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
US20140117509A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Infineon Technologies Ag Metal Deposition with Reduced Stress
DE102012220954A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Wacker Chemie Ag Schleifbare Siliconelastomerzusammensetzung und deren Verwendung
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
TW201429708A (zh) * 2012-12-13 2014-08-01 Corning Inc 玻璃及製造玻璃物品的方法
TWI617437B (zh) * 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
EP2747130B1 (en) 2012-12-21 2017-10-11 ams AG Method of producing a removable wafer connection and a wafer-carrier assembly
JP6170672B2 (ja) * 2012-12-27 2017-07-26 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法
EP2752871B1 (en) * 2013-01-08 2015-09-16 ams AG Method of application of a carrier to a device wafer
JP6162976B2 (ja) * 2013-02-26 2017-07-12 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
EP2772939B1 (en) 2013-03-01 2016-10-19 Ams Ag Semiconductor device for detection of radiation and method of producing a semiconductor device for detection of radiation
US10000675B2 (en) * 2013-03-03 2018-06-19 John Cleaon Moore Temporary adhesive with tunable adhesion force sufficient for processing thin solid materials
CN104981889B (zh) * 2013-03-14 2017-03-08 富士电机株式会社 半导体器件的制造方法
US9028628B2 (en) 2013-03-14 2015-05-12 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer oxide fusion bonding
JP6186493B2 (ja) * 2013-03-15 2017-08-23 コーニング インコーポレイテッド ガラスシートのバルクアニール
US9093489B2 (en) * 2013-03-15 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Selective curing method of adhesive on substrate
JP5921473B2 (ja) * 2013-03-21 2016-05-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP6114596B2 (ja) 2013-03-26 2017-04-12 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP5975918B2 (ja) 2013-03-27 2016-08-23 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP6050170B2 (ja) 2013-03-27 2016-12-21 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
CN104103731A (zh) * 2013-04-03 2014-10-15 新世纪光电股份有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN103259069B (zh) * 2013-04-12 2015-06-24 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 一种改进损耗的传输线
CN103259070B (zh) * 2013-04-12 2016-08-03 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 一种降低损耗的传输线
CN103280423A (zh) * 2013-05-29 2013-09-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺及系统
US9058974B2 (en) 2013-06-03 2015-06-16 International Business Machines Corporation Distorting donor wafer to corresponding distortion of host wafer
KR101617316B1 (ko) 2013-08-14 2016-05-02 코스텍시스템(주) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩/디본딩 방법 및 본딩/디본딩 장치
CN103441083B (zh) * 2013-06-27 2016-03-30 清华大学 一种用于三维集成的临时键合方法
US9508659B2 (en) 2013-07-01 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus to protect a wafer edge
KR20150011072A (ko) 2013-07-22 2015-01-30 삼성전자주식회사 임시 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN103367221A (zh) * 2013-07-23 2013-10-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种晶圆拆键合工艺及系统
US8962449B1 (en) 2013-07-30 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
US10103048B2 (en) 2013-08-28 2018-10-16 Brewer Science, Inc. Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
JP6182491B2 (ja) 2013-08-30 2017-08-16 富士フイルム株式会社 積層体およびその応用
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
CN103633004B (zh) * 2013-11-20 2016-05-25 中国电子科技集团公司第四十一研究所 30μm-50μm超薄石英基片上光刻刻蚀薄膜电路图形的方法
JP5607847B1 (ja) 2013-11-29 2014-10-15 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
US9224696B2 (en) 2013-12-03 2015-12-29 United Microelectronics Corporation Integrated semiconductor device and method for fabricating the same
FR3015110B1 (fr) * 2013-12-17 2017-03-24 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d’un substrat-poignee destine au collage temporaire d’un substrat
US9761474B2 (en) 2013-12-19 2017-09-12 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
US9865490B2 (en) 2014-01-07 2018-01-09 Brewer Science Inc. Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
SG11201605469PA (en) 2014-01-07 2016-08-30 Brewer Science Inc Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
WO2017034644A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
TW201530610A (zh) * 2014-01-27 2015-08-01 道康寧公司 暫時性接合晶圓系統及其製造方法
WO2015112958A1 (en) 2014-01-27 2015-07-30 Corning Incorporated Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers
EP2899760B1 (en) 2014-01-27 2018-08-29 ams AG Semiconductor device for optical applications and method of producing such a semiconductor device
CN103839862A (zh) * 2014-02-28 2014-06-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺方法
CN105684131B (zh) 2014-03-03 2018-09-25 古河电气工业株式会社 半导体加工用粘合带
JP6151204B2 (ja) * 2014-03-04 2017-06-21 東京エレクトロン株式会社 接合方法および接合システム
JP2017518954A (ja) 2014-04-09 2017-07-13 コーニング インコーポレイテッド デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法
CN103956327A (zh) * 2014-04-28 2014-07-30 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种激光拆键合工艺方法及系统
JP2017518638A (ja) * 2014-05-13 2017-07-06 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・フォー・アンド・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティＡｒｉｚｏｎａ Ｂｏａｒｄ Ｏｆ Ｒｅｇｅｎｔｓ Ｆｏｒ Ａｎｄ Ｏｎ Ｂｅｈａｌｆ Ｏｆ Ａｒｉｚｏｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 電子デバイスを提供する方法およびその電子デバイス
JP6385133B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び中間部材
JP6344971B2 (ja) * 2014-05-16 2018-06-20 株式会社ディスコ サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法
CN106687541B (zh) 2014-07-22 2019-09-24 布鲁尔科技公司 聚酰亚胺用作用于3d ic应用的激光剥离材料
CN105336682A (zh) * 2014-08-06 2016-02-17 上海和辉光电有限公司 一种柔性基板的制作方法、固定方法以及固定结构
US10978334B2 (en) * 2014-09-02 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Sealing structure for workpiece to substrate bonding in a processing chamber
US10141216B2 (en) 2014-10-22 2018-11-27 Promerus, Llc Room temperature debondable and thermally curable compositions
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
WO2016112975A1 (de) * 2015-01-14 2016-07-21 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zum lösen eines substrats von einem substratstapel
DE102015100863B4 (de) * 2015-01-21 2022-03-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem
CN107249933B (zh) * 2015-02-06 2020-03-17 安道拓卢森堡控股有限公司 交通工具座椅部件的连接方法以及交通工具座椅
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
US10522383B2 (en) 2015-03-25 2019-12-31 International Business Machines Corporation Thermoplastic temporary adhesive for silicon handler with infra-red laser wafer de-bonding
CN107635769B (zh) 2015-05-19 2020-09-15 康宁股份有限公司 使片材与载体粘结的制品和方法
DE102015210384A1 (de) 2015-06-05 2016-12-08 Soitec Verfahren zur mechanischen Trennung für eine Doppelschichtübertragung
CN104916550A (zh) * 2015-06-09 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 用于制造柔性基板的方法以及基板结构
US9799625B2 (en) 2015-06-12 2017-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
KR102524620B1 (ko) 2015-06-26 2023-04-21 코닝 인코포레이티드 시트 및 캐리어를 포함하는 방법들 및 물품들
CN105280541A (zh) * 2015-09-16 2016-01-27 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
DE102015118742A1 (de) 2015-11-02 2017-05-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum Bonden und Lösen von Substraten
US10050012B2 (en) * 2015-11-25 2018-08-14 International Business Machines Corporation Method for semiconductor die removal rework
DE102016106351A1 (de) * 2016-04-07 2017-10-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bonden zweier Substrate
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
US20180068843A1 (en) * 2016-09-07 2018-03-08 Raytheon Company Wafer stacking to form a multi-wafer-bonded structure
CN106847718A (zh) * 2017-03-28 2017-06-13 深圳市化讯半导体材料有限公司 一种器件晶圆的临时键合与拆键合工艺
US10403598B2 (en) 2017-08-11 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Methods and system for processing semiconductor device structures
KR102659516B1 (ko) 2017-08-18 2024-04-23 코닝 인코포레이티드 유리 적층체
US10326044B2 (en) * 2017-08-18 2019-06-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor device structures
US10300649B2 (en) 2017-08-29 2019-05-28 Raytheon Company Enhancing die flatness
KR102550390B1 (ko) 2017-09-12 2023-07-03 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 일시적으로 접합된 기판 스택을 분리하는 방법 및 장치
CN111615567B (zh) 2017-12-15 2023-04-14 康宁股份有限公司 用于处理基板的方法和用于制备包括粘合片材的制品的方法
JP7362612B2 (ja) * 2017-12-22 2023-10-17 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． ３－ｄ ｉｃ用途用レーザー離型性接着材料
US10446431B2 (en) * 2017-12-27 2019-10-15 Micron Technology, Inc. Temporary carrier debond initiation, and associated systems and methods
KR102503622B1 (ko) * 2018-05-31 2023-02-24 인스티튜트 오브 플렉서블 일렉트로닉스 테크놀로지 오브 투, 저장 유연성 소자의 과도 장치, 제조 방법 및 유연성 소자의 제작 방법
CN112913000B (zh) * 2018-10-18 2026-01-06 朗姆研究公司 用于斜面蚀刻器的下等离子体排除区域环
US11024501B2 (en) * 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
EP3914663B1 (en) 2019-01-22 2025-10-22 Brewer Science Inc. Laser-releasable bonding materials for 3-d ic applications
US10847569B2 (en) 2019-02-26 2020-11-24 Raytheon Company Wafer level shim processing
FR3103313B1 (fr) * 2019-11-14 2021-11-12 Commissariat Energie Atomique Procédé de démontage d’un empilement d’au moins trois substrats
JP7523983B2 (ja) * 2020-07-22 2024-07-29 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7535891B2 (ja) * 2020-08-27 2024-08-19 株式会社荏原製作所 基板処理方法、および基板処理装置
CN114334774B (zh) * 2020-09-30 2025-08-22 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构
FR3128058B1 (fr) * 2021-10-08 2023-09-22 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de composants sur les deux faces d’un substrat
CN114628242A (zh) * 2022-01-20 2022-06-14 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件
DE102022000425A1 (de) 2022-02-03 2023-08-03 Azur Space Solar Power Gmbh III-N-Silizium Halbleiterscheibe
WO2023179868A1 (de) 2022-03-25 2023-09-28 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und substratsystem zum trennen von trägersubstraten
JP2024085189A (ja) * 2022-12-14 2024-06-26 タツモ株式会社 半導体デバイスの製造方法
WO2025085895A1 (en) * 2023-10-19 2025-04-24 Brewer Science, Inc. Versatile dual-layer temporary wafer bonding for harsh processing conditions
CN117219502B (zh) * 2023-11-07 2024-01-12 天通控股股份有限公司 一种键合晶片的单面减薄方法
WO2025228530A1 (de) 2024-05-02 2025-11-06 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären verbinden eines produktsubstrats und eines trägersubstrats, trägersubstrat, produktsubstrat und schichtsystem sowie deren anordnung und eine vorrichtung zum durchführen eines solchen verfahrens

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3970494A (en) * 1975-04-18 1976-07-20 Western Electric Co., Inc. Method for adhering one surface to another
US4474942A (en) * 1982-06-28 1984-10-02 Takeda Chemical Industries, Ltd. Cross-linked polyesteramide from bis(2-oxazoline)
GB8320270D0 (en) 1983-07-27 1983-09-01 Raychem Ltd Polymer composition
JPS61144839A (ja) * 1984-12-18 1986-07-02 Toshiba Corp 半導体ウエハの接着方法
US4558114A (en) * 1985-01-23 1985-12-10 Ashland Oil, Inc. Polymers derived from polyisocyanates, bicyclic amide acetals and oxazolines
US4710542A (en) * 1986-05-16 1987-12-01 American Cyanamid Company Alkylcarbamylmethylated amino-triazine crosslinking agents and curable compositions containing the same
US4855170A (en) * 1986-08-21 1989-08-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive tape construction incorporating resilient polymeric microspheres
JPH0266933A (ja) * 1988-09-01 1990-03-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
NL8902683A (nl) 1989-10-31 1991-05-16 Stamicarbon Meerkomponentensysteem op basis van een oxazoline en een fosfor bevattende verbinding.
US5043250A (en) * 1990-07-17 1991-08-27 Eastman Kodak Company Radiation-sensitive composition containing a poly (N-acyl-alkyleneimine) and use thereof in lithographic printing plates
US5195729A (en) * 1991-05-17 1993-03-23 National Semiconductor Corporation Wafer carrier
JPH0645436A (ja) * 1992-07-22 1994-02-18 Nec Corp 半導体基板の貼付方法
JP3656254B2 (ja) 1994-02-28 2005-06-08 三菱住友シリコン株式会社 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置
US5654226A (en) * 1994-09-07 1997-08-05 Harris Corporation Wafer bonding for power devices
JP2004119975A (ja) * 1995-12-04 2004-04-15 Renesas Technology Corp Ｉｃカードの製造方法
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
JPH09263500A (ja) * 1996-01-22 1997-10-07 Komatsu Electron Metals Co Ltd 貼り合わせｓｏｉウェーハの剥がし治具
DE19628393A1 (de) 1996-07-13 1998-01-15 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum Schutz des Rands eines Wafers vor einer ätzenden Flüssigkeit und Verfahren zur Montage der Vorrichtung
US6054363A (en) * 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
ATE261612T1 (de) 1996-12-18 2004-03-15 Canon Kk Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht
WO1998033861A1 (en) * 1997-01-30 1998-08-06 Mitsui Chemicals, Inc. Hot melt adhesive compositions
KR100536823B1 (ko) * 1997-08-22 2005-12-16 큐빅 메모리, 인코포레이티드 열전도성 에폭시 예비성형체를 갖는 실리콘 세그먼트용 수직 상호접속 프로세스
US6110999A (en) * 1998-03-06 2000-08-29 Denovus Llc Reusable adhesive composition and method of making the same
KR100304197B1 (ko) * 1998-03-30 2001-11-30 윤종용 소이제조방법
US6068727A (en) * 1998-05-13 2000-05-30 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for separating a stiffener member from a flip chip integrated circuit package substrate
KR100509059B1 (ko) * 1998-09-12 2005-11-22 엘지전자 주식회사 플렉시블인쇄회로기판의제조방법및그방법으로생산한플렉시블인쇄회로기판
FR2783970B1 (fr) * 1998-09-25 2000-11-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif
FR2785217B1 (fr) * 1998-10-30 2001-01-19 Soitec Silicon On Insulator Procede et dispositif pour separer en deux tranches une plaque de materiau notamment semi-conducteur
JP2000138193A (ja) * 1998-11-02 2000-05-16 Enya System:Kk マウント板への堆積物の付着防止方法
EP1135795B1 (en) * 1998-12-02 2008-03-12 Newport Corporation Specimen holding robotic arm end effector
JP2000208252A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
FR2796491B1 (fr) * 1999-07-12 2001-08-31 Commissariat Energie Atomique Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre
US6350664B1 (en) * 1999-09-02 2002-02-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20020137859A1 (en) * 2000-04-13 2002-09-26 Kiyohiko Yokota Process for producing alpha-olefin/aromatic vinyl copolymer
WO2002017695A1 (en) * 2000-08-22 2002-02-28 Zeon Corporation Method of film laminating
JP2002237516A (ja) 2001-02-07 2002-08-23 Seiko Epson Corp ウェハ保護ケース
US20020115263A1 (en) * 2001-02-16 2002-08-22 Worth Thomas Michael Method and related apparatus of processing a substrate
US6660330B2 (en) * 2001-04-10 2003-12-09 International Business Machines Corporation Method for depositing metal films onto substrate surfaces utilizing a chamfered ring support
FR2823596B1 (fr) * 2001-04-13 2004-08-20 Commissariat Energie Atomique Substrat ou structure demontable et procede de realisation
DE10121115A1 (de) 2001-04-28 2002-10-31 Leica Microsystems Haltevorrichtung für Wafer
US6811916B2 (en) * 2001-05-15 2004-11-02 Neah Power Systems, Inc. Fuel cell electrode pair assemblies and related methods
US6543808B1 (en) * 2001-07-05 2003-04-08 Translucent Technologies, Llc Direct thermal printable pull tabs
DE10137375A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verwendung von Polybenzoxazolen (PBO) zum Kleben
EP1295926A1 (en) * 2001-09-19 2003-03-26 ExxonMobil Chemical Patents Inc. Components for adhesive compositions and process for manufacture
JP3957506B2 (ja) * 2001-12-26 2007-08-15 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 基板表面保護シート貼り付け装置および貼り付け方法
WO2003095579A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-20 Jsr Corporation Composition and method for temporarily fixing solid
JP4281685B2 (ja) * 2002-05-20 2009-06-17 株式会社Ｓｕｍｃｏ 貼り合わせ基板の製造方法ならびにそれに使用されるウェーハ外周加圧用治具類
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP4074794B2 (ja) 2002-08-30 2008-04-09 ソタジャパン有限会社 ゲルマニウム合金−シリカ複合体を用いた装身具
US7608336B2 (en) * 2002-11-28 2009-10-27 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Flame-retardant epoxy resin composition and cured product obtained therefrom
JP4593068B2 (ja) * 2002-11-29 2010-12-08 古河電気工業株式会社 半導体ウエハー固定用粘着テープ
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US6869894B2 (en) * 2002-12-20 2005-03-22 General Chemical Corporation Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing
JP4514409B2 (ja) * 2003-02-20 2010-07-28 日東電工株式会社 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板
JP4171898B2 (ja) * 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
DE10320375B3 (de) * 2003-05-07 2004-12-16 Süss Micro Tec Laboratory Equipment GmbH Verfahren zum temporären Fixieren zweier flächiger Werksücke
JP4208843B2 (ja) * 2003-05-13 2009-01-14 三益半導体工業株式会社 ウェハ単離方法、ウェハ単離装置及びウェハ単離移載機
US6911375B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-28 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding at low temperature
JP4170839B2 (ja) * 2003-07-11 2008-10-22 日東電工株式会社 積層シート
DE10334576B4 (de) * 2003-07-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse
JP4462997B2 (ja) * 2003-09-26 2010-05-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP4447280B2 (ja) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
US7084201B2 (en) * 2003-11-14 2006-08-01 Wall-Guard Corporation Of Ohio Non-flammable waterproofing composition
WO2005052085A1 (ja) 2003-11-27 2005-06-09 Jsr Corporation ホットメルト型接着剤組成物
JP2006135272A (ja) * 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US7279063B2 (en) * 2004-01-16 2007-10-09 Eastman Kodak Company Method of making an OLED display device with enhanced optical and mechanical properties
KR100696287B1 (ko) * 2004-01-28 2007-03-19 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 보호방법
RU2273075C2 (ru) 2004-01-28 2006-03-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") Устройство для обработки полупроводниковых пластин
DE102004007060B3 (de) * 2004-02-13 2005-07-07 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Wafern
FR2866983B1 (fr) * 2004-03-01 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Realisation d'une entite en materiau semiconducteur sur substrat
JP2005268690A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層回路基板の製造方法
US7226812B2 (en) * 2004-03-31 2007-06-05 Intel Corporation Wafer support and release in wafer processing
DE102004018249B3 (de) * 2004-04-15 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger
US20060046433A1 (en) 2004-08-25 2006-03-02 Sterrett Terry L Thinning semiconductor wafers
JP4539368B2 (ja) * 2005-02-24 2010-09-08 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
KR101278460B1 (ko) 2005-03-01 2013-07-02 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접착방법
JP4721828B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
US7545042B2 (en) * 2005-12-22 2009-06-09 Princo Corp. Structure combining an IC integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure
DE102006000687B4 (de) * 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
US8268449B2 (en) * 2006-02-06 2012-09-18 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
JP4682883B2 (ja) * 2006-03-10 2011-05-11 株式会社豊田自動織機 貼り合わせ基板の分断方法
US20070267972A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Menegus Harry E Method for forming a temporary hermetic seal for an OLED display device
US20070274871A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Genetix Limited Well plate
RU2380305C2 (ru) * 2006-07-06 2010-01-27 Рена Зондермашинен Гмбх Устройство и способ разъединения и транспортировки подложек
JP2008021929A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
US7713835B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
JP2008171934A (ja) 2007-01-10 2008-07-24 Lintec Corp 脆質部材の保護構造および脆質部材の処理方法
CN101379606B (zh) 2007-01-31 2012-04-18 信越工程株式会社 粘接卡盘装置
JP4729003B2 (ja) * 2007-06-08 2011-07-20 リンテック株式会社 脆質部材の処理方法
JP2011500902A (ja) * 2007-10-19 2011-01-06 ニットウ ヨーロッパ エヌ． ブイ． 接着テープ
JP2009154407A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tdk Corp 剥離装置、剥離方法および情報記録媒体製造方法
RU2010129076A (ru) 2008-01-24 2012-01-20 Брюэр Сайенс Инк. (Us) Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2612879C1 (ru) * 2015-10-15 2017-03-13 Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" Способ временного закрепления подложек на технологическом основании

Also Published As

Publication number Publication date
DE202009018064U1 (de) 2010-12-02
AT508318B1 (de) 2022-07-15
CN101925996B (zh) 2013-03-20
KR101096142B1 (ko) 2011-12-19
IL206872A0 (en) 2010-12-30
DE112009000140T5 (de) 2010-11-18
US20090218560A1 (en) 2009-09-03
US20110069467A1 (en) 2011-03-24
TW200946628A (en) 2009-11-16
PT2238618E (pt) 2015-09-03
AT508318A3 (de) 2015-12-15
JP5558531B2 (ja) 2014-07-23
AT508318A2 (de) 2010-12-15
EP2238618A4 (en) 2011-03-09
IL206872A (en) 2015-07-30
AT12755U1 (de) 2012-11-15
DE112009000140B4 (de) 2022-06-15
CN101925996A (zh) 2010-12-22
CA2711266A1 (en) 2009-07-30
EP2238618A2 (en) 2010-10-13
KR20100095021A (ko) 2010-08-27
TWI439526B (zh) 2014-06-01
JP2012253367A (ja) 2012-12-20
JP5111620B2 (ja) 2013-01-09
WO2009094558A2 (en) 2009-07-30
US9111981B2 (en) 2015-08-18
US9099512B2 (en) 2015-08-04
EP2238618B1 (en) 2015-07-29
WO2009094558A3 (en) 2009-09-24
JP2011510518A (ja) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010129076A (ru) Способ обратимого крепления полупроводниковой пластины со сформированными устройствами к несущей подложке
TWI809092B (zh) 用於簡化的輔具晶圓的dbi至矽接合
US20230115122A1 (en) Method of bonding thin substrates
EP2601676B1 (en) Multiple bonding layers for thin-wafer handling
US20160167358A1 (en) Support for bonding a workpiece and method thereof
US20130273691A1 (en) Apparatus and method for thin die-to-wafer bonding
US9962919B2 (en) Method of separating a carrier-workpiece bonded stack
WO2003010086A3 (en) Microelectromechanical system devices integrated with semiconductor structures
US9006896B2 (en) Chip package and method for forming the same
KR20160107204A (ko) 일시적 웨이퍼 결합 공정에 사용하기 위한, 환형 올레핀 중합체 조성물 및 폴리실록산 이형층
EP1424377A4 (en) DICING ADHESIVE AND DICING METHOD
US10137603B2 (en) Vacuum carrier module, method of using and process of making the same
US7846776B2 (en) Methods for releasably attaching sacrificial support members to microfeature workpieces and microfeature devices formed using such methods
KR102656505B1 (ko) 마이크로 전사 인쇄를 이용한 다이-대-웨이퍼 본딩
US20130061869A1 (en) Use of megasonic energy to assist edge bond removal in a zonal temporary bonding process
US12463174B2 (en) Method for bonding chips to a substrate by direct bonding
US10163673B2 (en) Dual adhesive bonding with perforated wafer
KR100510963B1 (ko) 반도체 디바이스 제조방법
US20250054785A1 (en) Method of selective release of components using thermal release layer
JP2003224085A (ja) 半導体チップのピックアップ方法
CN111952166A (zh) 晶圆接合膜及制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20120601