JP2013520009A - 半導体加工のための一時的ウェハー接着方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なし。
本発明は、硬化性接着剤組成物を用いて基材にウェハーを接着するための方法に関する。接着剤を除去するための方法が開示される。
(1)第一基材上にてフィルムを形成する工程であって、前記フィルムが、
(I)硬化性接着剤組成物と、
(II)分解剤と、を含む、工程、
選択的に、(2)工程(1)の生成物を加熱する工程、
(3)第二基材を前記フィルムに適用する工程であって、前記第一基材及び前記第二基材のうちの少なくとも1つが半導体ウェハーである、適用する工程、
(4)前記フィルムを硬化させて硬化済みフィルムを形成する工程、
(5)前記半導体ウェハーを加工する工程、
(6)加熱により前記硬化済みフィルムを分解する工程、
選択的に、(7)溶媒で前記半導体ウェハーから残留物を除去する工程、
(8)前記第一基材と前記第二基材を分離する工程、並びに
選択的に、(9)溶媒及び/エッチング液で前記導体ウェハーから残留物を除去する工程、を具える。
本発明の方法における使用のための接着剤組成物は、その硬化反応から実質的な副生成物を生じない任意の接着剤組成物であり得る。接着剤組成物は、付加反応硬化性接着剤組成物又はラジカル硬化性接着剤組成物又はエポキシ硬化性組成物であり得る。硬化性接着剤組成物としては、アクリレート硬化性、エポキシ硬化性、ヒドロシリル化硬化性及びメタクリレート硬化性が挙げられるが、これらに限定されない。硬化性接着剤組成物は、硬化性シリコーン接着剤組成物であってもよい。本方法での使用に好適なヒドロシリル化硬化性接着剤組成物は、
(A)ケイ素に結合した不飽和有機基を分子あたり平均少なくとも2個含有するポリオルガノシロキサン、
(B)組成物を硬化させるのに十分な量の、ケイ素に結合した水素原子を分子あたり平均少なくとも2個含有する有機ケイ素化合物、及び
(C)ヒドロシリル化触媒、を含む。
成分(A)は、ケイ素に結合した不飽和有機基を分子あたり平均少なくとも2個含有するポリオルガノシロキサンを少なくとも1種含む。これらの不飽和有機基は、ヒドロシリル化反応を起こすことが可能であり、アルケニル基により例示される。このポリオルガノシロキサンは、直鎖、分枝鎖又は樹脂性構造を有する分子の混合物であってもよい。あるいは、このポリオルガノシロキサンは、直鎖又は分枝鎖構造を有する分子の混合物であってもよい。あるいは、このポリオルガノシロキサンは、直鎖構造であってもよい。あるいは、この接着剤組成物は、無樹脂であってもよい。本明細書の目的に関して、用語「無樹脂」は、硬化性シリコーン接着剤組成物が、下記方法における工程(6)、(7)、(8)若しくは(9)の後で組成物固体又は液体を硬化させることにより調製される接着剤を下塗りするのに不十分であるT及び/又はQ単位を有するポリオルガノシロキサン成分を含有することを意味する。あるいは、無樹脂は、ポリオルガノシロキサン成分中のSi−O単位の数に基づいて、組成物のポリオルガノシロキサン成分中に0重量%〜3重量%のT及びQ単位を含有する硬化性接着剤組成物、あるいは組成物の0重量%のポリオルガノシロキサン成分を含有する硬化性接着剤組成物、あるいは組成物の0.01重量%〜3重量%のポリオルガノシロキサン成分を含有する硬化性接着剤組成物を包含する。理論に束縛されるものではないが、T又はQ単位を有する樹脂が過剰に硬化性接着剤組成物中に存在する場合、塩基性分解剤の存在下での再平衡化プロセスが存在することになり、これは、ウェハーからの接着剤残留物の適切な除去を可能にするためのガス状副生成物に対して十分に分解可能ではない樹脂を形成し得る。したがって、シリコーン接着剤中の過剰の樹脂は、その分解生成物が液体又は固体であり得、これが本明細書に記載の方法において使用される基材上に残留物を残す恐れがあるので、本プロセスにとって有害である。このポリオルガノシロキサンは、ホモポリマー又はコポリマーであってもよい。この不飽和有機基は2〜10個の炭素原子を有してもよく、炭素原子の数は2〜10の各整数及び全整数を含み、ビニル、アリル、ブテニル及びヘキセニルなどのアルケニル基により例示されるがこれらに限定されない。ポリオルガノシロキサン中の不飽和有機基は、末端に、側枝に、又は末端及び側枝位置の両方に、配置され得る。
25℃におけるポリオルガノシロキサンの粘度は、分子量及び構造と共に変化するが、0.001〜100,000パスカル・秒(Pa・s)、0.01〜10,000パスカル・秒(Pa・s)、あるいは0.01〜1,000Pa・sであり得る。粘度は、25℃の温度にてASTM D 1084により測定した。
ViMe2SiO(Me2SiO)0.95a(Ph2SiO)0.05aSiMe2Vi、ViMe2SiO(Me2SiO)0.98a(MeViSiO)0.02aSiMe2Vi、Me3SiO(Me2SiO)0.95a(MeViSiO)0.05aSiMe3及びPhMeViSiO(Me2SiO)aSiPhMeVi:式中、Me、Vi及びPhはそれぞれメチル、ビニル及びフェニルを指し、下付き文字は、ポリジオルガノシロキサンの粘度が0.001〜100,000Pa・sであるような値を有し、下付き文字がaの前に数値を有する場合にはこれはaの値が数値により乗算されることを意味する。
対応するオルガノハロシランの加水分解及び縮合又は環状ポリジオルガノシロキサンの平衡などの、接着剤組成物での使用に好適な調製方法は、当該技術分野において既知である。
このポリオルガノシロキサン樹脂は、当該技術分野において既知の方法により調製され得る。例えば、ポリオルガノシロキサン樹脂は、少なくとも1種のアルケニル含有末端保護(endblocking)試薬を用いるDaudt,et al.のシリカヒドロゾル封鎖法により生じる樹脂コポリマーを処理することにより、調製され得る。Daudt,et al.の方法は、米国特許第2,676,182号に開示されている。
ヒドロシリル化硬化性接着剤組成物中の成分(B)は、ケイ素に結合した水素原子を分子あたり平均少なくとも2個含有する少なくとも1つの有機ケイ素化合物である。成分(A)中の分子あたりのアルケニル基の平均数と成分(B)中の分子あたりのケイ素に結合した水素原子の平均数の和が4を超える場合に、架橋が生じることは一般に理解されている。成分(B)中のケイ素に結合した水素原子は、末端に、側枝に、又は末端及び側枝位置の両方に、配置され得る。
好適なヒドロシリル化触媒は、当該技術分野において既知であり、市販されている。成分(C)は、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム又はイリジウム金属から選択される白金族金属、あるいはこれらの有機金属化合物、あるいはこれらの組み合わせを含み得る。成分(C)は、塩化白金酸、塩化白金酸六水和物、二塩化白金、白金アセチルアセトネートなどの化合物、上記化合物と低分子量オルガノポリシロキサンの錯体、あるいは、マトリックス又はコアシェル型構造でマイクロカプセル化された白金化合物により例示される。白金と低分子量オルガノポリシロキサンの錯体としては、白金を有する1,3−ジエテニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体が挙げられる。これらの錯体は、樹脂マトリックス中にマイクロカプセル化されてもよい。
本明細書に記載の方法においてフィルムを形成するために使用される硬化性接着剤組成物に分解剤が添加される。この分解剤は、塩基又は酸であり得る。この塩基は、熱的に(硬化性接着剤組成物を硬化させることにより調製される)接着剤を熱分解可能にする。例えば、分解剤は、シリコーン接着剤組成物に添加される塩基であってもよく、ここで、塩基とシリコーン接着剤組成物から生成したフィルムは、硬化して、ウェハー接着及び加工方法を通して接着剤として機能するシリコーン接着剤を形成するが、このシリコーン接着剤は高温では分解して(戻って)環状ポリオルガノシロキサンと副生成物になり、結果として、シリコーン接着剤の蒸発を生じ、これによりキャリア又は別のウェハーなどの基材からの加工済みウェハーのきれいな取り外しが可能になる。この副生成物はガス状であり得る。
本明細書の方法に記載のフィルムは、任意成分が本発明の方法において接着剤組成物の硬化に悪影響を与えないのであれば、1種以上の任意成分を更に含んでもよい。任意成分の例としては、(III)溶媒、(IV)阻害物質、(V)充填剤、(VI)処理剤、(VII)スペーサー、(VIII)接着促進剤、(IX)界面活性剤、(X)顔料又は色素などの着色剤、(XI)蛍光増白剤及びこれらの組み合わせが挙げられるがこれらに限定されない。
このフィルムは、選択的に、溶媒を更に含んでもよい。好適な溶媒は当該技術分野において既知であり、市販されている。この溶媒は、3〜20個の炭素原子を有する有機溶媒であり得る。溶媒の例としては、ノナン、デカリン及びドデカンなどの脂肪族炭化水素、メシチレン、キシレン及びトルエンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチル及びγ−ブチロラクトンなどのエステル、n−ブチルエーテル及びポリエチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル、メチルイソブチルケトン及びメチルペンチルケトンなどのケトン、テトラヒドロフラン、直鎖、分枝鎖及び環状ポリジメチルシロキサンなどのシリコーン流体、並びにこのような溶媒の組み合わせが挙げられる。接着剤組成物中での具体的な溶媒の最適濃度は、ルーチンの実験により容易に判定することができる。しかしながら、溶媒の量は、本組成物の0重量%〜95重量%、あるいは1重量%〜95重量%であり得る。
成分(A)、(B)及び(C)の組み合わせは、周囲温度で硬化を開始し得る。より長い作用時間又は「可使時間」を得るために、周囲条件下での触媒の活性は、硬化性接着剤組成物に任意成分(IV)阻害物質を添加することにより遅らせることができる又は抑制することができる。阻害物質は、周囲温度にて本接着剤組成物の硬化を遅らせるが、本組成物が高温にて硬化するのを妨げない。ヒドロシリル化硬化性接着剤組成物に好適な阻害物質としては、3−メチル−3−ペンテン−1−イン及び3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−インなどの様々な「エン−イン」系、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、1−エチニル−1−シクロヘキサノール及び2−フェニル−3−ブチン−2−オールなどのアセチレンアルコール、周知のジアルキル、ジアルケニル及びジアルコキシアルキルのフマル酸塩及びマレイン酸塩などのマレイン酸塩及びフマル酸塩、並びに、シクロビニルシロキサンが挙げられる。
任意成分(V)は、充填剤である。成分(V)は、熱伝導性充填剤、補強充填剤又はこれらの組み合わせを含んでもよい。成分(V)に好適な熱伝導性充填剤としては、金属粒子、金属酸化物粒子及びこれらの組み合わせが挙げられる。成分(V)に好適な熱伝導性充填剤は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、ダイヤモンド、グラファイト、酸化マグネシウム、銅、金、ニッケル又は銀などの金属微粒子、炭化ケイ素、炭化タングステン、酸化亜鉛及びこれらの組み合わせにより例示される。
この充填剤は、選択的に、成分(VI)処理剤で処理された表面であり得る。処理剤及び処理方法は、当該技術分野において既知であり、例えば、米国特許第6,169,142号(4段42行〜5段2行)を参照されたい。
任意成分(VIII)は、スペーサーである。スペーサーは、有機粒子、無機粒子又はこれらの組み合わせを含み得る。スペーサーは、熱伝導性、導電性又は両方であり得る。スペーサーは、ウェハーと基材がどれだけ離れていることが望ましいかなどの様々な因子に依存して粒径を有するが、スペーサーは25〜250マイクロメートルの範囲の粒径を有し得る。スペーサーは、単分散ビーズを含んでもよい。スペーサーは、ポリスチレン、ガラス、ペルフルオロ化炭化水素ポリマー及びこれらの組み合わせにより例示されるが、これらに限定されない。スペーサーは、充填剤のすべて若しくは一部分に加えて又はそれらの代わりに、添加され得る。スペーサーは、成分(VI)で処理され得る。
成分(VIII)は、接着促進剤である。成分(VIII)は、遷移金属キレート、アルコキシシラン、アルコキシシランとヒドロキシ官能性ポリオルガノシロキサン又はこれらの組み合わせを含み得る。
好適なエポキシ官能性アルコキシシランの例としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、(エポキシシクロヘキシル)エチルジメトキシシラン、(エポキシシクロヘキシル)エチルジエトキシシラン及びこれらの組み合わせが挙げられる。好適な不飽和アルコキシシランの例としては、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ヘキセニルトリメトキシシラン、ウンデシレノイル(undecylenyl)トリメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン及びこれらの組み合わせが挙げられる。
成分(XI)は、蛍光増白剤である。好適な蛍光増白剤は当該技術分野において既知であり、市販されている。例えば、(チオフェンジイル)ビス(t−ブチルベンゾオキサゾール)は、BASF Corporation(Florham Park,New Jersey,USA)からCiba(登録商標)TINOPAL(登録商標)OBとして市販されている。
あるいは、ラジカル硬化性シリコーン接着剤組成物は、工程(I)の硬化性接着剤組成物として本明細書に記載の方法で使用され得る。本方法で有用な、好適なラジカル硬化性接着剤組成物は、
(a)ラジカル硬化性有機基を分子あたり平均少なくとも2個含有するポリオルガノシロキサン、及び
(b)ラジカル反応開始剤、を含む。
このような熱ラジカル反応開始剤の例は、以下の商品名で市販されている:Arkema,Inc.(Philadelphia,Pennsylvania,U.S.A.)により販売されているLuperox(登録商標)、Akzo Nobel Polymer Chemicals LLC(Chicago,Illinois,U.S.A.)により販売されているTrigonox及びPerkadox、E.I.duPont deNemours and Co.(Wilmington,Delaware,USA)により販売されているVAZO、R.T.Vanderbilt Company,Inc.(Norwalk,Connecticut,U.S.A.)により販売されているVAROX(登録商標)、Syrgis Performance Initiators,Inc.(Helena,Arkansas,U.S.A.)により販売されているNorox。熱ラジカル反応開始剤の濃度は、本組成物の0.01重量%〜15重量%、あるいは0.1重量%〜5重量%、あるいは0.1重量%〜2重量%の範囲であり得る。
あるいは、エポキシ硬化性シリコーン接着剤組成物は、工程(I)の硬化性接着剤組成物として本明細書に記載の方法で使用され得る。本方法で有用な、好適なエポキシ硬化性シリコーン接着剤組成物は、
(a)エポキシ官能性有機基を分子あたり平均少なくとも2個含有するポリオルガノシロキサン、及び
(b)エポキシ硬化剤、を含む。
対応するオルガノハロシランの加水分解及び縮合又は環状ポリジオルガノシロキサンの平衡などの、エポキシ硬化性接着剤組成物での使用に好適な調製方法は、当該技術分野において既知である。
ラジカル硬化性接着剤組成物及び/又はエポキシ硬化性接着剤組成物は、選択的に、段落[0044]〜[0066]の上記任意成分を1種以上更に含んでもよい。
一時的ウェハー接着方法は、
(1)第一基材上にてフィルムを形成する工程であって、このフィルムが、
(I)硬化性接着剤組成物と、
(II)分解剤と、を含む、工程、
選択的に、(2)工程(1)の生成物を加熱する工程、
(3)第二基材をフィルムに適用する工程であって、第一基材及び第二基材のうちの少なくとも1つが半導体ウェハーである、適用する工程、
(4)フィルムを硬化させて硬化済みフィルムを形成する工程、
(5)半導体ウェハーを加工する工程、
(6)加熱により硬化済みフィルムを分解する工程、
選択的に、(7)溶媒中に工程(6)の生成物を浸漬する工程、
(8)第一基材と第二基材を分離する工程、並びに
選択的に、(9)溶媒又はエッチング液中に半導体ウェハーを浸漬する工程、を具える。任意の工程(7)及び/又は(9)はそれぞれ、いずれかの残留物が工程(6)及び/又は(8)後にウェハー上に残っていた場合に行われ得る。
プラスチック製歯科用カップの中に、カリウムtert−ブトキシドのテトロヒドロフラン(Aldrich)1.0モル溶液を少量添加した、Dow Corning Corporation(Midland,MI,USA)から市販されているヒドロシリル化硬化性接着剤組成物であるDow Corning(登録商標)Q1−4010均一コーティングを40g配置した。添加に続き、歯科用カップを素早く閉じ、歯科用ミキサー上で内容物をそれぞれ30秒にわたって二回混合し、マスターバッチ配合物を準備した。次に、このマスターバッチ配合物を発泡二酸化炭素に15分間にわたってさらし、その後、真空下で脱気した。カリウムtert−ブトキシドの濃度を変えた一連のサンプルを調製するために、所望の濃度のカリウムtert−ブトキシドを配合物中で達成するまでDow Corning(登録商標)Q1−4010を添加することにより、このマスターバッチ配合物を希釈した。カリウムtert−ブトキシドを有する一連のサンプルを0〜104ppmの範囲の濃度で調製した。次に、これらを歯科用ミキサーを用いて二回の30秒混合にかけた。調製したサンプルを次にアルミニウム秤量皿に5ミリメートル(mm)の深さまで注入し、脱気した後、エアオーブンの中で130℃にて2時間にわたって硬化させた。硬化に続き、すべてのサンプルを気泡の無い硬質エラストマーとして単離した。これらのサンプルを次に熱重量分析(TGA)により分析して、カリウムtert−ブトキシドの濃度の関数としての配合物についての分解プロファイルを判定した。TGAのために、サンプルをPtパンの中に配置し、TA InstrumentsのQ500 V6.7 Build 203 TGAを使用して、窒素下で5℃/分の速度にて温度上限に加熱した。結果は表1並びに図1及び2にある。
1センチメートル(cm)×1cmの寸法のシリコンダイを超音波浴でイソプロピルアルコールで5分にわたって洗浄し、その後、きれいな布で拭き、空気中で130℃に15分にわたって加熱し、ダイの厚さを測定した。実施例1で調製したドープ済み接着剤組成物を少量、1つのダイに適用し、少量のPotters Industries Glass Beads(#602589(最大直径0.0017”(0.004318cm))を接着剤の表面上に配置した。第二のダイを上面に配置し、二つのダイを圧縮した。これらのダイを次に130℃まで1時間にわたって空気還流オーブン内で加熱し、その後、冷却した。元々のダイの厚さ及び接着したダイの厚さを基に、接着剤の厚さを計算した。接着剤実施例1a、1d及び1eを使用して、サンプルを調製した。調製されたままの接着したダイを手による剪断力にさらしたところ、2つのダイの分離に失敗した。
プラスチック製歯科用カップの中に、予めデカン中に10%に希釈しておいたホスファゼン塩基P4−t−Buのヘキサン(Aldrich)1.0モル溶液を少量添加したDow Corning(登録商標)Q1−4010を40g配置した。添加直後に、カップを素早く閉じ、歯科用ミキサー上で内容物をそれぞれ30秒にわたって二回混合し、マスターバッチ配合物を準備した。このマスターバッチ配合物を次に脱気し、その後、これを用いて、Dow Corning(登録商標)Q1−4010を添加することにより希釈によってホスファゼン塩基の濃度を変えた一連のサンプルを配合した。ホスファゼン塩基を有する一連のサンプルを0〜450ppmの範囲の濃度で調製した。一部のホスファゼン塩基含有配合物に少量の酢酸を添加することにより、追加のサンプルも調製して、分解プロファイルに対する影響を観察した。次に、これらのサンプルをそれぞれ歯科用ミキサーに二回30秒混合にかけた。サンプルを次にアルミニウム秤量皿に5mmの深さまで注入し、脱気した後、エアオーブンの中で130℃にて1時間にわたって硬化させた。硬化後、すべてのサンプルを、発泡又は有意な気泡を有するスポンジ状エラストマーとして単離した。これらのサンプルを熱重量分析(TGA)により分析して、ホスファゼン塩基の濃度の関数としての配合物についての分解プロファイルを判定した。
表3:様々な濃度のホスファゼン塩基(P4−t−Bu、Aldrichから市販)及び酢酸を含有するQ1−4010接着剤についての熱分解データ。Dmax、温度に対する重量喪失パーセント(%/℃)の最大値であり、Res400℃は、400で残留物が残っているパーセント(窒素雰囲気下で加熱速度5℃/分)である。
プラスチック製歯科用カップの中に、105ppmのジメチルスズジネオデカノエート(Fomrez UL−28)を添加したDow Corning(登録商標)Q1−4010均一コーティングを40g配置した。添加に続き、歯科用カップを素早く閉じ、歯科用ミキサー上で内容物をそれぞれ30秒にわたって二回混合した。このサンプルをアルミニウム秤量皿に5mmの深さまで注入し、脱気した後、エアオーブンの中で130℃にて2時間にわたって硬化させた。硬化後、このサンプルを気泡を全く有さない硬質エラストマーとして単離した。このサンプルを次に、TGAにより分析して、ジメチルスズジネオデカノエートの濃度の関数としてサンプルについての分解プロファイルを判定した。結果は図3にある。
プラスチック製歯科用カップの中に、リチウムtert−ブトキシドのテトロヒドロフラン(Aldrich)1.0モル溶液を少量添加した、Dow Corning(登録商標)Q1−4010均一コーティングを40g配置した。添加後、歯科用カップを素早く閉じ、歯科用ミキサー上で内容物をそれぞれ30秒にわたって二回混合し、マスターバッチ配合物を準備した。リチウムtert−ブトキシドの濃度を変えた一連のサンプルを調製するために、所望の濃度のリチウムtert−ブトキシドを組成物中で達成するまでDow Corning(登録商標)Q1−4010を添加することにより、このマスターバッチ配合物を希釈した。リチウムtert−ブトキシドを有する一連のサンプルを20〜80ppmの範囲の濃度で調製した。次に、これらをそれぞれ歯科用ミキサーを用いて二回の30秒混合にかけた。サンプルを次にアルミニウム秤量皿に5mmの深さまで注入し、脱気した後、エアオーブンの中で130℃にて1時間にわたって硬化させた。硬化に続き、すべてのサンプルを気泡の無い硬質エラストマーとして単離した。これらのサンプルを次にTGAにより分析して、リチウムtert−ブトキシドの濃度の関数としての組成物についての分解プロファイルを判定した。
83.3部のビニル官能性ポリジオルガノシロキサン1と11.5部のビニル官能性ポリジオルガノシロキサン2と0.91部の接着促進剤と0.34部の触媒と0.39部のメチルブチノールと3.9部のSiHポリマーを混合することにより、追加硬化によって硬化可能な無樹脂ポリジメチルシロキサン接着剤を調製した。
40.0部のビニル官能性ポリジオルガノシロキサン1と0.32部の接着促進剤と0.48部の1,1−ビス−(t−ブチルペルオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンを混合することにより、ラジカル硬化性接着剤組成物を調製した。成分を所与の順番で添加し、歯科用ミキサーで30秒にわたって混合した。127ppmのホスファゼン塩基と103ppmのカリウムt−ブトキシドと89ppmのリチウムt−ブトキシドを有する接着剤組成物のサンプルを調製するために、同じ組成を反復した。サンプルを次にアルミニウム秤量皿に5mmの深さまで注入し、脱気した後、部分窒素雰囲気下で150℃にて1時間にわたって硬化させた。硬化後、すべてのサンプルを硬質エラストマーとして単離したが、表面上の液体シロキサンの薄膜は布を使用して取り外した。これらのサンプルを次に熱重量分析により分析して、分解剤の濃度の関数としての配合物についての分解プロファイルを判定した。結果は表6並びに図6及び7にある。
実施例1aで調製したサンプル1aを329℃にて加熱した。時間の関数としての等温重量喪失のプロットを図8に示す。この実施例は、ほとんどのフィルムが30分以内に分解されることを示す。ウェハーから残留物を除去するのに溶媒又はエッチング液が全く必要とされないので、この方法は有益である。
Claims (20)
- (1)第一基材上にてフィルムを形成する工程であって、前記フィルムが、
(I)硬化性接着剤組成物と、
(II)分解剤と、を含む、工程、
選択的に、(2)工程(1)の生成物を加熱する工程、
(3)第二基材を前記フィルムに適用する工程であって、前記第一基材及び前記第二基材のうちの少なくとも1つが半導体ウェハーである、適用する工程、
(4)前記フィルムを硬化させて硬化済みフィルムを形成する工程、
(5)前記半導体ウェハーを加工する工程、
(6)加熱により前記硬化済みフィルムを分解する工程、
選択的に、(7)溶媒で前記半導体ウェハーから残留物を除去する工程、
(8)前記第一基材と前記第二基材を分離する工程、並びに
選択的に、(9)溶媒及び/エッチング液で前記導体ウェハーから残留物を除去する工程、を具える、方法。 - 前記硬化性接着剤組成物が、
(A)ケイ素に結合した不飽和有機基を分子あたり平均少なくとも2個含有するポリオルガノシロキサン、
(B)前記組成物を硬化させるのに十分な量の、ケイ素に結合した水素原子を分子あたり平均少なくとも2個含有する有機ケイ素化合物、及び
(C)触媒量のヒドロシリル化触媒、を含むヒドロシリル化硬化性接着剤組成物である、請求項1に記載の方法。 - 前記硬化性接着剤組成物が、
(a)ラジカル硬化性有機基を分子あたり平均少なくとも2個含有するポリオルガノシロキサン、及び
(b)ラジカル反応開始剤、を含む、ラジカル硬化性接着剤組成物である、請求項1に記載の方法。 - 前記フィルムが、(III)溶媒、(IV)阻害物質、(V)充填剤、(VI)処理剤、(VII)スペーサー、(VII)接着促進剤、(IX)界面活性剤、(X)着色剤、及び(XI)蛍光増白剤から選択される1種以上の成分を更に含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 工程(1)が、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディッピング又は印刷から選択される技術により行われる、請求項1に記載の方法。
- 成分(A)が、アルケニル官能性ポリオルガノシロキサン樹脂を含む、請求項2に記載の方法。
- 成分(B)が、ケイ素に結合した水素を分子あたり平均少なくとも2個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである、請求項2に記載の方法。
- 成分(C)が、ビニル官能性ポリオルガノシロキサンとの白金錯体である、請求項2に記載の方法。
- 成分(II)が、カリウムt−ブトキシド、ケイ酸カリウム、リチウムt−ブトキシド、ケイ酸リチウム、これらの組み合わせ又はこれらの炭酸塩である、請求項2に記載の方法。
- 成分(a)がアルケニル末端ポリジオルガノシロキサンである、請求項3に記載の方法。
- 成分(b)が1,1−ビス−(t−ブチルペルオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンである、請求項3に記載の方法。
- 前記第一基材が第一半導体ウェハーであり、前記第二基材が第二半導体ウェハーである、請求項1に記載の方法。
- 前記第一基材が半導体ウェハーであり、前記第二基材がウェハーキャリアである、請求項1に記載の方法。
- 工程(2)が存在し、工程(2)が、前記フィルムを部分硬化させるために最高200℃の温度にて1〜30分にわたって加熱することを含む、請求項1に記載の方法。
- 工程(4)が、120℃〜250℃の温度にて30秒〜120分にわたって加熱することにより行われる、請求項1に記載の方法。
- 工程(5)が、薄化、電気メッキ、金属被覆、プラズマ処理、フォトレジスト加工、誘電体コーティング及びこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 工程(6)が、260℃〜450℃の範囲の温度にて0.1時間〜2時間の範囲の時間にわたって工程(5)の生成物を加熱することにより、行われる、請求項1に記載の方法。
- 任意の工程(7)が存在し、溶媒及び/又はエッチング液中に前記半導体ウェハーを浸漬することにより行われる、請求項1に記載の方法。
- 工程(8)が、手又は機械的手段により行われる、請求項1に記載の方法。
- 任意の工程(9)が存在し、溶媒及び/又はエッチング液中に前記半導体ウェハーを浸漬することにより行われる、請求項1に記載の方法。
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