RU2008132975A - Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления - Google Patents
Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008132975A RU2008132975A RU2008132975/15A RU2008132975A RU2008132975A RU 2008132975 A RU2008132975 A RU 2008132975A RU 2008132975/15 A RU2008132975/15 A RU 2008132975/15A RU 2008132975 A RU2008132975 A RU 2008132975A RU 2008132975 A RU2008132975 A RU 2008132975A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- main body
- mold
- silicon
- internal volume
- weight
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N calcium;oxido(oxo)alumane Chemical compound [Ca+2].[O-][Al]=O.[O-][Al]=O XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Mold Materials And Core Materials (AREA)
- Press Drives And Press Lines (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
1. Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния, который содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит ! по меньшей мере 65% по весу карбида кремния; ! от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид кремния или нитрид, ! при этом основной корпус имеет по меньшей мере одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора. ! 2. Кристаллизатор по п.1, в котором основной корпус дополнительно содержит до 13% по весу одного или нескольких компонентов, выбранных из группы, в которую входят углерод, оксид магния, оксид алюминия, силикат и/или алюминат кальция. ! 3. Кристаллизатор по п.1 или 2, в котором слой диоксида кремния находится между поверхностным покрытием и стенками поверхностей, образующих внутренний объем кристаллизатора. ! 4. Кристаллизатор по п.1, в котором слой диоксида кремния находится у поверхности стенок основного корпуса, на стороне, противоположной стороне, образующей внутренний объем. ! 5. Кристаллизатор по п.1, в котором по меньшей мере 50% по весу частиц карбида кремния имеют размер больше чем 200 мкм. ! 6. Кристаллизатор по п.1, в котором частицы диоксида или нитрида кремния имеют размер меньше чем 10 мкм. ! 7. Способ изготовления кристаллизатора для обработки расплавленного кремния, имеющего основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит по меньшей мере 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят д�
Claims (10)
1. Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния, который содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит
по меньшей мере 65% по весу карбида кремния;
от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид кремния или нитрид,
при этом основной корпус имеет по меньшей мере одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.
2. Кристаллизатор по п.1, в котором основной корпус дополнительно содержит до 13% по весу одного или нескольких компонентов, выбранных из группы, в которую входят углерод, оксид магния, оксид алюминия, силикат и/или алюминат кальция.
3. Кристаллизатор по п.1 или 2, в котором слой диоксида кремния находится между поверхностным покрытием и стенками поверхностей, образующих внутренний объем кристаллизатора.
4. Кристаллизатор по п.1, в котором слой диоксида кремния находится у поверхности стенок основного корпуса, на стороне, противоположной стороне, образующей внутренний объем.
5. Кристаллизатор по п.1, в котором по меньшей мере 50% по весу частиц карбида кремния имеют размер больше чем 200 мкм.
6. Кристаллизатор по п.1, в котором частицы диоксида или нитрида кремния имеют размер меньше чем 10 мкм.
7. Способ изготовления кристаллизатора для обработки расплавленного кремния, имеющего основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит по меньшей мере 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния, и имеет по меньшей мере одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора, причем указанный способ включает в себя следующие операции:
a) формование основного корпуса с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем;
b) сушка основного корпуса;
c) выдержка основного корпуса; и
d) формирование покрытия из диоксида и/или нитрида кремния по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.
8. Способ по п.7, в котором операции с) и d) проводят одновременно путем выдержки основного корпуса в окисляющей или азотирующей газовой среде.
9. Способ по п.7, в котором операция d) предусматривает нанесение покрытия ранее операции выдержки основного корпуса.
10. Применение кристаллизатора, который содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит по меньшей мере 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния, и имеет по меньшей мере одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора, для обработки расплавленного кремния.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP06447007A EP1811064A1 (fr) | 2006-01-12 | 2006-01-12 | Creuset pour le traitement de silicium à l'état fondu |
| EP06447007.3 | 2006-01-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008132975A true RU2008132975A (ru) | 2010-02-20 |
| RU2423558C2 RU2423558C2 (ru) | 2011-07-10 |
Family
ID=36507605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008132975/05A RU2423558C2 (ru) | 2006-01-12 | 2007-01-12 | Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления |
Country Status (20)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7833490B2 (ru) |
| EP (2) | EP1811064A1 (ru) |
| JP (1) | JP5400392B2 (ru) |
| KR (1) | KR101212916B1 (ru) |
| CN (1) | CN101370968A (ru) |
| AT (1) | ATE480650T1 (ru) |
| AU (1) | AU2007204406B2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0706222A2 (ru) |
| CA (1) | CA2634199C (ru) |
| DE (1) | DE602007009043D1 (ru) |
| DK (1) | DK1979512T3 (ru) |
| ES (1) | ES2349158T3 (ru) |
| NO (1) | NO20083468L (ru) |
| PT (1) | PT1979512E (ru) |
| RU (1) | RU2423558C2 (ru) |
| SI (1) | SI1979512T1 (ru) |
| TW (1) | TWI395841B (ru) |
| UA (1) | UA89717C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007080120A1 (ru) |
| ZA (1) | ZA200805509B (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI400369B (zh) * | 2005-10-06 | 2013-07-01 | Vesuvius Crucible Co | 用於矽結晶的坩堝及其製造方法 |
| TWI401343B (zh) * | 2009-06-25 | 2013-07-11 | Wafer Works Corp | 具有保護層之石英玻璃坩堝及其製造方法 |
| WO2011009062A2 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Coated crucibles and methods for preparing and use thereof |
| NO20092797A1 (no) * | 2009-07-31 | 2011-02-01 | Nordic Ceramics As | Digel |
| DE102010000687B4 (de) * | 2010-01-05 | 2012-10-18 | Solarworld Innovations Gmbh | Tiegel und Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| US20110180229A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) | Crucible For Use In A Directional Solidification Furnace |
| JP2011219286A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Koji Tomita | シリコン及び炭化珪素の製造方法及び製造装置 |
| WO2012084832A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Steuler Solar Gmbh | Crucibles |
| WO2012092369A2 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Crucible body and method of forming same |
| US20120248286A1 (en) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) | Systems For Insulating Directional Solidification Furnaces |
| CN102862986A (zh) * | 2012-04-19 | 2013-01-09 | 北京民海艳科技有限公司 | 冶金法生产太阳能多晶硅用定向凝固器及多晶硅生产方法 |
| CN103774209B (zh) * | 2012-10-26 | 2016-06-15 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法 |
| CN103060908A (zh) * | 2013-01-06 | 2013-04-24 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 双层陶瓷坩埚 |
| TWI663126B (zh) * | 2014-07-09 | 2019-06-21 | 法商維蘇威法國公司 | 包含可磨塗層之輥、其製造方法及其用途 |
| JP5935021B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-06-15 | 蒲池 豊 | シリコン結晶の製造方法 |
| CN111848201B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-09-02 | 西安超码科技有限公司 | 一种具有碳化硅/硅涂层的炭/炭坩埚及其制备方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE962868C (de) * | 1953-04-09 | 1957-04-25 | Standard Elektrik Ag | Tiegel zum Herstellen reinsten Halbleitermaterials, insbesondere von Silizium und dessen Verwendung |
| GB1450825A (en) * | 1974-05-02 | 1976-09-29 | Smiths Industries Ltd | Methods of manufacturing semiconductor bodies and to the products of such methods |
| US4141726A (en) * | 1977-04-04 | 1979-02-27 | The Research Institute For Iron, Steel And Other Metals Of The Tohoku University | Method for producing composite materials consisting of continuous silicon carbide fibers and beryllium |
| GB2029817A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-26 | Thorn Electrical Ind Ltd | Sealing of ceramic and cermet partds |
| JPS5953209B2 (ja) * | 1981-08-06 | 1984-12-24 | 工業技術院長 | 多結晶シリコンインゴットの鋳造法 |
| US4590043A (en) * | 1982-12-27 | 1986-05-20 | Sri International | Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
| JPS62241872A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-22 | 黒崎窯業株式会社 | 反応焼結Ｓｉ↓３Ｎ↓４−ＳｉＣ複合体の製造方法 |
| DE3629231A1 (de) * | 1986-08-28 | 1988-03-03 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zum aufschmelzen von in einen schmelztiegel chargiertem siliciumpulver und schmelztiegel zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3639335A1 (de) * | 1986-11-18 | 1988-05-26 | Bayer Ag | Gegenueber metall- und salzschmelzen resistente werkstoffe, ihre herstellung und deren verwendung |
| FR2614321A1 (fr) * | 1987-04-27 | 1988-10-28 | Europ Propulsion | Cartouche en materiaux composites pour dispositif d'elaboration de monocristaux. |
| US5037503A (en) * | 1988-05-31 | 1991-08-06 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Method for growing silicon single crystal |
| EP0963464B1 (de) * | 1997-02-06 | 2001-07-18 | Deutsche Solar GmbH | Mit siliciumschutzschichten versehene schmelztiegel, ein verfahren zum aufbringen der siliciumschutzschicht und deren verwendung |
| US6048813A (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-11 | Cree, Inc. | Simulated diamond gemstones formed of aluminum nitride and aluminum nitride: silicon carbide alloys |
| JP4343482B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | シリコン系膜の形成方法、シリコン系膜及び光起電力素子 |
| CA2448958C (en) * | 2001-05-31 | 2010-07-13 | Xiaodi Huang | Method for direct metal making by microwave energy |
| JP2003128411A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-05-08 | Sharp Corp | 板状シリコン、板状シリコンの製造方法および太陽電池 |
| DE10217946A1 (de) | 2002-04-22 | 2003-11-13 | Heraeus Quarzglas | Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung desselben |
| NO317080B1 (no) | 2002-08-15 | 2004-08-02 | Crusin As | Silisiumnitriddigler som er bestandige mot silisiumsmelter og fremgangsmate for fremstilling av slike digler |
| WO2004035472A1 (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-29 | Takayuki Shimamune | 高純度シリコンの製造方法及び装置 |
| ATE373119T1 (de) * | 2002-10-18 | 2007-09-15 | Evergreen Solar Inc | Verfahren und vorrichtung zur kristallzüchtung |
| UA81278C2 (en) | 2002-12-06 | 2007-12-25 | Vessel for holding a silicon and method for its making | |
| US20050022743A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation container and vapor deposition apparatus |
| US7378128B2 (en) | 2004-04-29 | 2008-05-27 | Vesuvius Crucible Company | Crucible for the crystallization of silicon |
| KR100573473B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-04-24 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| WO2006107769A2 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Gt Solar Incorporated | Solidification of crystalline silicon from reusable crucible molds |
| EP1739209A1 (en) | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Vesuvius Crucible Company | Crucible for the crystallization of silicon |
| TWI400369B (zh) | 2005-10-06 | 2013-07-01 | Vesuvius Crucible Co | 用於矽結晶的坩堝及其製造方法 |
-
2006
- 2006-01-12 EP EP06447007A patent/EP1811064A1/fr not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-01-11 TW TW096101077A patent/TWI395841B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 DE DE602007009043T patent/DE602007009043D1/de active Active
- 2007-01-12 CN CNA2007800030630A patent/CN101370968A/zh active Pending
- 2007-01-12 EP EP07702727A patent/EP1979512B1/en not_active Not-in-force
- 2007-01-12 DK DK07702727.4T patent/DK1979512T3/da active
- 2007-01-12 AU AU2007204406A patent/AU2007204406B2/en not_active Ceased
- 2007-01-12 CA CA2634199A patent/CA2634199C/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 US US12/159,865 patent/US7833490B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 JP JP2008549835A patent/JP5400392B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 BR BRPI0706222-2A patent/BRPI0706222A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2007-01-12 PT PT07702727T patent/PT1979512E/pt unknown
- 2007-01-12 RU RU2008132975/05A patent/RU2423558C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-12 AT AT07702727T patent/ATE480650T1/de active
- 2007-01-12 KR KR1020087016906A patent/KR101212916B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-12 UA UAA200809060A patent/UA89717C2/ru unknown
- 2007-01-12 ES ES07702727T patent/ES2349158T3/es active Active
- 2007-01-12 WO PCT/EP2007/000254 patent/WO2007080120A1/en not_active Ceased
- 2007-01-12 SI SI200730372T patent/SI1979512T1/sl unknown
- 2007-01-12 ZA ZA200805509A patent/ZA200805509B/xx unknown
-
2008
- 2008-08-11 NO NO20083468A patent/NO20083468L/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE602007009043D1 (de) | 2010-10-21 |
| EP1811064A1 (fr) | 2007-07-25 |
| ZA200805509B (en) | 2009-12-30 |
| AU2007204406B2 (en) | 2012-02-16 |
| SI1979512T1 (sl) | 2010-11-30 |
| CA2634199C (en) | 2013-09-24 |
| ES2349158T3 (es) | 2010-12-28 |
| WO2007080120A1 (en) | 2007-07-19 |
| TW200738919A (en) | 2007-10-16 |
| EP1979512B1 (en) | 2010-09-08 |
| NO20083468L (no) | 2008-08-11 |
| US20080292524A1 (en) | 2008-11-27 |
| DK1979512T3 (da) | 2011-01-17 |
| JP2009523115A (ja) | 2009-06-18 |
| ATE480650T1 (de) | 2010-09-15 |
| TWI395841B (zh) | 2013-05-11 |
| CN101370968A (zh) | 2009-02-18 |
| RU2423558C2 (ru) | 2011-07-10 |
| US7833490B2 (en) | 2010-11-16 |
| BRPI0706222A2 (pt) | 2011-03-22 |
| CA2634199A1 (en) | 2007-07-19 |
| AU2007204406A1 (en) | 2007-07-19 |
| JP5400392B2 (ja) | 2014-01-29 |
| PT1979512E (pt) | 2010-11-09 |
| UA89717C2 (ru) | 2010-02-25 |
| EP1979512A1 (en) | 2008-10-15 |
| KR101212916B1 (ko) | 2012-12-14 |
| KR20080082978A (ko) | 2008-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008132975A (ru) | Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния и способ его изготовления | |
| RU2008117093A (ru) | Тигель для кристаллизации кремния и способ его изготовления | |
| RU2008103402A (ru) | Тигель для кристаллизации кремния | |
| DE602005007484D1 (de) | Tiegel für die kristallisation von silicium | |
| TW200737400A (en) | Etch resistant wafer processing apparatus and method for producing the same | |
| PL1802409T3 (pl) | Mieszanka masy formierskiej do wytwarzania form odlewniczych do przetwarzania metali | |
| EP1889949A3 (en) | Sodium containing thermal barrier coating | |
| WO2002081363A3 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements sowie ein nach dem verfahren hergestelltes halbleiterbauelement | |
| RU2004119441A (ru) | Титановый материал, способ его производства и выхлопная труба | |
| JP2015231929A5 (ru) | ||
| CN101316666B (zh) | 用于浇铸模具中的陶瓷表面的保护层 | |
| JP6253554B2 (ja) | 複合耐火物およびその製造方法 | |
| JP2006514912A (ja) | 酸化物層を有する炭化ケイ素セラミック部材 | |
| DE60236047D1 (de) | Cvd-al2o3-beschichtetes schneidwerkzeug | |
| ATE469110T1 (de) | Verfahren zum herstellen eines gebrannten formteils einer feuerfesten auskleidung | |
| JP2007083281A (ja) | 浸硫防止塗型剤 | |
| RU2407607C2 (ru) | Модифицирующий порошкообразный материал, применяемый для сухого напыления при центробежном литье чугунных труб в сочетании с материалом для влажного напыления | |
| KR101529193B1 (ko) | 타이어 코드강 용 턴디쉬 | |
| JP2019093414A (ja) | 塗型層の形成方法 | |
| JP2002134598A (ja) | 静電チャック | |
| JP2006248795A5 (ru) | ||
| JP2010105023A (ja) | 減圧吸引鋳造方法 | |
| JP2010182957A5 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CZ20041218A3 (cs) | Postup presného lití soucástek ze slitin na bázi gama TiAI | |
| JP2002322522A (ja) | 金属−セラミックス複合材料の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180113 |