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KR101166007B1 - 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법 - Google Patents

노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법 Download PDF

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KR101166007B1
KR101166007B1 KR1020067015916A KR20067015916A KR101166007B1 KR 101166007 B1 KR101166007 B1 KR 101166007B1 KR 1020067015916 A KR1020067015916 A KR 1020067015916A KR 20067015916 A KR20067015916 A KR 20067015916A KR 101166007 B1 KR101166007 B1 KR 101166007B1
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KR
South Korea
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liquid
liquid supply
substrate
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projection optical
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겐이치 시라이시
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가부시키가이샤 니콘
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

청정도가 저하된 액체를 공급해 버리는 문제를 방지함과 함께, 워터 마크가 형성되는 문제를 방지할 수 있는 노광 장치를 제공한다. 노광 장치 (EX) 는, 투영 광학계 (PL) 와 액체 (LQ) 를 개재하여 기판 (P) 상에 노광광 (EL) 을 조사하여, 기판 (P) 을 노광하는 것으로서, 액체 (LQ) 를 공급하기 위한 액체 공급 기구 (10) 와, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측하는 계측기 (60) 를 구비하고 있다.
Figure R1020067015916
청정도, 노광 장치, 액체 공급 기구, 투영 광학계

Description

노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및 노광 방법{ALIGNER, DEVICE MANUFACTURING METHOD, MAINTENANCE METHOD AND ALIGNING METHOD}
기술분야
본 발명은, 투영 광학계와 액체를 개재하고 기판 상에 노광광을 조사하여 기판을 노광하는 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 및 메인터넌스 방법 및 노광 방법에 관한 것이다.
본원은, 2004년 2월 10일에 출원된 일본 특허출원 2004-033679호에 대해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
배경기술
반도체 디바이스나 액정 표시 디바이스는, 마스크 상에 형성된 패턴을 감광성을 갖는 기판 상에 전사하는, 이른바 포토리소그래피의 수법에 의해 제조된다. 이 포토리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치는, 마스크를 지지하는 마스크 스테이지와 기판을 지지하는 기판 스테이지를 갖고, 마스크 스테이지 및 기판 스테이지를 차례로 이동하면서 마스크의 패턴을 투영 광학계를 개재하여 기판에 전사하는 것이다. 최근, 디바이스 패턴의 더 한층 고집적화에 대응하기 위해 투영 광학계의 더 나은 고해상도화가 요구되고 있다. 투영 광학계의 해상도는, 사용하는 노광 파장이 짧을수록, 또한 투영 광학계의 개구수가 클수록 높아진다. 그로 인해, 노광 장치로 사용되는 노광 파장은 해마다 단파장화되고 있고, 투영 광학계 의 개구수도 증대하고 있다. 그리고, 현재 주류를 이루는 노광 파장은 KrF 엑시머 레이저의 248㎚ 이지만, 또한 단파장의 ArF 엑시머 레이저의 193㎚ 도 실용화되고 있다.
또한, 노광을 실시할 때에는, 해상도와 마찬가지로 초점 심도 (DOF) 도 중요해진다. 해상도 (R) 와 초점 심도 (δ) 는 각각 이하의 식으로 표시된다.
R= k1·λ/NA …(1)
δ=±k2·λ/NA2 …(2)
여기에서, λ 는 노광 파장, NA 는 투영 광학계의 개구수, k1, k2 는 프로세스 계수이다. (1) 식, (2) 식 보다, 해상도 (R) 를 높이기 위해, 노광 파장 (λ) 을 짧게 하고, 개구수 (NA) 를 크게 하면, 초점 심도 (δ) 가 좁아지는 것을 알 수 있다.
초점 심도 (δ) 가 지나치게 좁아지면, 투영 광학계의 이미지면에 대해 기판 표면을 합치시키는 것이 곤란해지고, 노광 동작시의 포커스 마진이 부족할 우려가 있다. 그래서, 실질적으로 노광 파장을 짧게 하고, 또한 초점 심도를 넓히는 방법으로서, 예를 들어 하기 특허문헌 1 에 개시되어 있는 액침법이 제안되고 있다. 이 액침법은, 투영 광학계의 하면 (下面) 과 기판 표면과의 사이를 물이나 유기 용매 등의 액체로 채워 액침 영역을 형성하고, 액체 중에서의 노광광의 파장이 공기 중의 1/n (n 은 액체의 굴절률로 통상 1.2～1.6 정도) 가 되는 것을 이용하여 해상도를 향상시킴과 함께, 초점 심도를 약 n 배로 확대한다는 것이다.
특허문헌 1:국제공개 제99/49504호 팜플렛
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
그런데, 액침 노광 장치에 있어서, 예를 들어 액체를 공급하는 액체 공급관 등에 액체가 체류하면, 그 액체는 액체 공급관 속에서 정체된 상태가 되기 때문에 청정도가 저하될 가능성이 있다. 그리고, 청정도가 저하된 액체를 기판 상에 공급하고, 그 액체를 개재하여 노광 처리나 계측 처리를 실시하면, 기판이 오염되거나, 노광 정밀도 및 계측 정밀도의 열화를 초래한다. 또한, 예를 들어 투영 광학계의 이미지면측에서의 액체의 회수 동작을 실시한 후, 투영 광학계의 이미지면측 선단부의 광학 부재나 기판 스테이지 상의 계측 부재 등의 소정 부재에 회수되지 않고 잔류한 액체를 장시간 방치해 두면, 그 액체가 건조되었을 때에 투영 광학계의 이미지면측 선단부의 광학 부재나 기판 스테이지 상의 계측 부재 등의 소정 부재에 액체의 부착 흔적이 형성되거나, 이물이 부착하여 노광 정밀도나 계측 정밀도의 열화를 초래한다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 청정도가 저하된 액체를 공급해 버리는 문제를 방지할 수 있는 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 및 메인터넌스 방법 및 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 액체와 접촉하는 부재에 액체의 부착 흔적이 형성되는 문제를 방지할 수 있는 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 메인터넌스 방법 및 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 실시형태에 나타내는 도 1～도 4 에 대응 첨부한 이하의 구성을 채용하고 있다.
본 발명의 노광 장치는, 투영 광학계와 액체를 개재하고 기판 상에 노광광을 조사하여, 기판을 노광하는 노광 장치에 있어서, 액체를 공급하기 위한 액체 공급 기구와, 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측하는 계측기를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측기를 사용하여 계측함으로써, 그 계측 결과에 기초하여, 예를 들어 공급관 내부에서 액체가 정체되어 청정도가 저하하기 전에 액체 공급을 재개하여 공급관 내부를 플러싱하는 등 적절한 처치를 행할 수 있다. 따라서, 정체되어 청정도가 저하된 액체가 기판 상에 공급되는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 계측기의 계측 결과에 기초하여, 잔류한 액체가 건조되고 소정 부재 상에 액체의 부착 흔적이 형성되기 전에 액체를 공급하여 소정 부재를 적시는 등의 적절한 처치를 행할 수 있다. 이와 같이, 액체 공급 기구로부터의 액체 공급을 정지한 것에 기인하여 문제가 발생할 가능성이 있더라도, 계측기의 계측 결과에 기초하여 적절한 처치를 행할 수 있기 때문에, 문제의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 디바이스 제조 방법은, 상기 기재의 노광 장치를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측하는 계측기의 계측 결과에 기초하여 적절한 처치를 행할 수 있기 때문 에, 액체 공급 기구로부터의 액체 공급을 정지한 것에 기인하는 문제의 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 원하는 성능을 갖는 디바이스를 제조할 수 있다.
본 발명의 메인터넌스 방법은, 액체를 통해 패턴의 이미지를 투영하는 투영 광학계의 메인터넌스 방법으로서, 투영 광학계의 이미지면측의 단면이 액침 상태에서 비액침 상태로 되고 나서의 경과 시간을 계측하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 투영 광학계의 이미지면측의 단면이 액침 상태에서 비액침 상태로 되고 나서의 시간을 계측함으로써, 그 계측 결과에 기초하여, 예를 들어 잔류한 액체가 건조되고 투영 광학계의 이미지면측의 단면에 부착 흔적이 형성되기 전에 액체를 공급하여 단면을 적실 수 있다. 따라서, 투영 광학계의 이미지면측의 단면에 부착 흔적이 형성되는 문제를 방지할 수 있다. 이와 같이, 경과 시간의 계측 결과에 기초하여 적절한 처치를 행할 수 있기 때문에, 액침 상태에서 비액침 상태로 한 것에 기인한 문제의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 광학 방법은, 상기 기재된 방법을 사용하여 메인터넌스된 투영 광학계를 사용하고, 디바이스 패턴의 이미지를 액체를 통해 기판 상에 투영함으로써, 기판을 노광하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 액체의 부착 흔적의 형성이 방지된 상태에서, 투영 광학계 및 액체를 개재하여 기판을 양호하게 노광할 수 있다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 노광 정밀도 및 계측 정밀도를 양호하게 유지할 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은, 본 발명의 노광 장치의 1 실시형태를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2 는, 액체 공급 기구의 액체 공급이 정지하고 있는 상태를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 액체 공급 기구의 액체 공급을 재개한 상태를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 반도체 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우 차트도이다.
부호의 설명
2A···단면, 10···액체 공급 기구, 13···공급관 (유로),
15···밸브, 16···유량계, 51···상면 (평탄부),
60···계측기, 300···기준 부재 (평탄부), EL···노광광,
EX···노광 장치, LQ···액체, P···기판,
PL···투영 광학계, PST···기판 스테이지
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 노광 장치에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1 은 본 발명의 노광 장치의 1 실시형태를 나타내는 개략 구성도이다.
도 1 에 있어서, 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 를 지지하여 이동 가능한 마스크 스테이지 (MST), 기판 (P) 을 유지하는 기판 홀더 (PH) 를 갖고 기판 홀더 (PH) 에 기판 (P) 을 유지하여 이동 가능한 기판 스테이지 (PST), 마스크 스테이지 (MST) 에 지지되어 있는 마스크 (M) 를 노광광 (EL) 에서 조명하는 조명 광학계 (IL), 노광광 (EL) 에서 조명된 마스크 (M) 의 패턴의 이미지를 기판 스테이지 (PST) 에 지지되어 있는 기판 (P) 에 투영 노광하는 투영 광학계 (PL), 시간 계측을 실시하는 계측기 (타이머 ; 60), 노광 장치 (EX) 전체의 동작을 통괄 제어하는 제어 장치 (CONT), 및 제어 장치 (CONT) 에 접속되고 노광 처리에 관한 각종 정보를 기억한 기억 장치 (MRY) 를 구비하고 있다.
본 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 노광 파장을 실질적으로 짧게 하고 해상도를 향상함과 함께 초점 심도를 실질적으로 넓히기 위해 액침법을 적용한 액침 노광 장치로서, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 를 공급하는 액체 공급 기구 (10) 와, 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 를 회수하는 액체 회수 기구 (20) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서, 액체 (LQ) 에는 순수가 사용된다. 노광 장치 (EX) 는, 적어도 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 상에 전사하고 있는 사이, 액체 공급 장치 (10) 로부터 공급한 액체 (LQ) 에 의해 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR1) 을 포함하는 기판 (P) 상의 적어도 일부에, 투영 영역 (AR1) 보다도 크거나 또는 기판 (P) 보다도 작은 액침 영역 (AR2) 을 국소적으로 형성한다. 구체적으로는, 노광 장치 (EX) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측 선단부의 광학 소자 (2) 와 기판 (P) 의 표면 (노광면) 사이에 액체 (LQ) 를 채우고, 이 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 사이의 액체 (LQ) 및 투영 광학계 (PL) 를 개재하여 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 상에 투영함으로써, 기판 (P) 을 노광한다.
여기에서, 본 실시형태에서는, 노광 장치 (EX) 로서 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 주사 방향 (소정 방향) 에 있어서의 서로 다른 방향 (역방향) 으로 동기 이동하면서 마스크 (M) 에 형성된 패턴을 기판 (P) 에 노광하는 주사형 노광 장치 (이른 바 스캐닝 스테퍼) 를 사용하는 경우를 예를 들어 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 수평면 내에서 마스크 (M) 와 기판 (P) 과의 동기 이동 방향 (주사 방향, 소정 방향) 을 X 축 방향, 수평면 내에서 X 축 방향과 직교하는 방향을 Y 축 방향 (비주사 방향), X 축 및 Y 축 방향으로 수직으로 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 과 일치하는 방향을 Z 축 방향으로 한다. 또한, X 축, Y 축, 및 Z 축 주위의 회전 (경사) 방향을 각각, θX, θY, 및 θZ 방향으로 한다. 또한, 여기에서 말하는 「기판」은 반도체 웨이퍼 상에 레지스트를 도포한 것을 포함하고, 「마스크」는 기판 상에 축소 투영되는 디바이스 패턴이 형성된 레티클을 포함한다.
조명 광학계 (IL) 는, 마스크 스테이지 (MST) 에 지지되어 있는 마스크 (M) 를 노광광 (EL) 에서 조명하는 것이며, 노광용 광원, 노광용 광원으로부터 사출된 광속의 조도를 균일화하는 옵티컬 인터그레이터, 옵티컬 인터그레이터로부터의 노광광 (EL) 을 집광하는 콘덴서 렌즈, 릴레이 렌즈계, 노광광 (EL) 에 의한 마스크 (M) 상의 조명 영역을 슬릿 형상으로 설정하는 가변 시야 조리개 등을 갖고 있다. 마스크 (M) 상의 소정의 조명 영역은 조명 광학계 (IL) 에 의해 균일한 조도 분포의 노광광 (EL) 에서 조명된다. 조명 광학계 (IL) 에서 사출되는 노광광 (EL) 으로서는, 예를 들어 수은 램프로부터 사출된 휘선 (g 선, h 선, i 선) 및 KrF 엑시머 레이저광 (파장 248㎚) 등의 원적외광 (DUV 광) 이나, ArF 엑시머 레이저광 (파장 193㎚) 및 F2 레이저광 (파장 157㎚) 등의 진공 자외광 (VUV 광) 등이 사용된다. 본 실시형태에서는, ArF 엑시머 레이저광이 사용된다. 상기 서술한 바 와 같이, 본 실시형태에 있어서의 액체 (LQ) 는 순수로서, 노광광 (EL) 이 ArF 엑시머 레이저광이어도 투과 가능하다. 또한, 순수는 수은 램프로부터 사출되는 휘선 (g 선, h 선, i 선) 및 KrF 엑시머 레이저광 (파장 248㎚) 등의 원적외광 (DUV 광) 도 투과 가능하다.
마스크 스테이지 (MST) 는, 마스크 (M) 를 유지하여 이동 가능함으로서, 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 으로 수직인 평면 내, 즉 XY 평면 내에서 2 차원 이동 가능 및 θZ 방향으로 미소 회전 가능하다. 마스크 스테이지 (MST) 는 리니어 모터 등의 마스크 스테이지 구동 장치 (MSTD) 에 의해 구동된다. 마스크 스테이지 구동 장치 (MSTD) 는 제어 장치 (CONT) 에 의해 제어된다. 마스크 스테이지 (MST) 상에는 이동 거울 (40) 이 설치되어 있다. 또한, 이동 거울 (40) 에 대향하는 위치에는 레이저 간섭계 (41) 가 설치되어 있다. 마스크 스테이지 (MST) 상의 마스크 (M) 의 2 차원 방향의 위치 및 회전각은 레이저 간섭계 (41) 에 의해 실시간으로 계측되고, 계측 결과는 제어 장치 (CONT) 에 출력된다. 제어 장치 (CONT) 는 레이저 간섭계 (41) 의 계측 결과에 기초하여 마스크 스테이지 구동 장치 (MSTD) 를 구동함으로써 마스크 스테이지 (MST) 에 지지되어 있는 마스크 (M) 의 위치 결정을 실시한다.
투영 광학계 (PL) 는, 마스크 (M) 의 패턴을 소정의 투영 배율 (β) 에서 기판 (P) 에 투영 노광하는 것으로서, 기판 (P) 측의 선단부에 설치된 광학 소자 (렌즈 ; 2) 를 포함하는 복수의 광학 소자로 구성되어 있고, 이들 광학 소자는 경통 (PK) 에서 지지되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 투영 광학계 (PL) 는, 투영 배율 (β) 이 예를 들어 1/4 또는 1/5 의 축소계이다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는 등배계 및 확대계 중 어느 것이어도 된다. 또한, 투영 광학계 (PL) 는, 굴절 소자를 포함하지 않은 반사계, 반사 소자를 포함하지 않은 굴절계, 굴절 소자와 반사 소자를 포함하는 반사 굴절계 중 어느 것이어도 된다. 또한, 본 실시형태의 투영 광학계 (PL) 의 선단부의 광학 소자 (2) 는 경통 (PK) 에 대해 착탈 (교환) 가능하게 설치되어 있다. 또한, 선단부의 광학 소자 (2) 는 경통 (PK) 보다 노출되어 있고, 액침 영역 (AR2) 의 액체 (LQ) 는 광학 소자 (2) 에 접촉한다. 이로 인해, 금속으로 이루어지는 경통 (PK) 의 부식 등이 방지되어 있다.
광학 소자 (2) 는 형석으로 형성되어 있다. 형석은 순수와의 친화성이 높기 때문에, 광학 소자 (2) 의 액체 접촉면 (단면 ; 2A) 의 거의 전체면에 액체 (LQ) 를 밀착시킬 수 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서는 광학 소자 (2) 의 액체 접촉면 (2A) 과 친화성이 높은 액체 (물 ; LQ) 를 공급하도록 하고 있기 때문에, 광학 소자 (2) 의 액체 접촉면 (2A) 과 액체 (LQ) 의 밀착성이 높고, 광학 소자 (2) 는 물과의 친화성이 높은 석영이어도 된다. 또한 광학 소자 (2) 의 액체 접촉면 (2A) 에 친수화 (친액화) 처리를 행하고, 액체 (LQ) 와의 친화성을 보다 높이도록 해도 된다.
기판 스테이지 (PST) 는, 기판 (P) 을 기판 홀더 (PH) 를 개재하여 유지하는 Z 스테이지 (52) 와, Z 스테이지 (52) 를 지지하는 XY 스테이지 (53) 를 구비하고 있다. XY 스테이지 (53) 는 베이스 (54) 상에 지지되어 있다. 기판 스테이지 (PST) 는 리니어 모터 등의 기판 스테이지 구동 장치 (PSTD) 에 의해 구동된다. 기판 스테이지 구동 장치 (PSTD) 는 제어 장치 (CONT) 에 의해 제어된다. Z 스테이지 (52) 는 기판 홀더 (PH) 에 유지되어 있는 기판 (P) 을 Z 축 방향, 및 θX, θY 방향 (경사 방향) 으로 이동 가능하다. XY 스테이지 (53) 는 기판 홀더 (PH) 에 유지되어 있는 기판 (P) 을 Z 스테이지 (52) 를 개재하여 XY 방향 (투영 광학계 (PL) 의 이미지면과 실질적으로 평행한 방향), 및 θZ 방향으로 이동 가능하다. 또한, Z 스테이지와 XY 스테이지를 일체적으로 설치해도 되는 것은 말할 필요도 없다.
기판 스테이지 (PST) 상에는 오목부 (55) 가 설치되어 있고, 기판 홀더 (PH) 는 오목부 (55) 에 배치되어 있다. 그리고, 기판 스테이지 (PST) 중 오목부 (55) 이외의 상면 (51) 은, 기판 홀더 (PH) 에 유지된 기판 (P) 의 표면과 거의 같은 높이 (면일 (面一)) 가 되는 것과 같은 평탄면 (평탄부) 으로 되어 있다. 본 실시형태에서는, 상면 (51) 을 갖는 플레이트 부재 (50) 가 기판 스테이지 (PST) 상에 대해 교환 가능하게 배치되어 있다. 기판 (P) 의 주위에 기판 (P) 표면과 거의 면일한 상면 (51) 을 설치했기 때문에, 기판 (P) 의 엣지 영역 (E) 을 액침 노광할 때에 있어서도, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측에 액체 (LQ) 를 유지하여 액침 영역 (AR2) 을 양호하게 형성할 수 있다. 또한, 기판 (P) 의 엣지부와 그 기판 (P) 의 주위에 설치된 평탄면 (상면 ; 51) 을 갖는 플레이트 부재 (50) 사이에는 0.1～2㎜ 정도의 간극이 있는데, 액체 (LQ) 의 표면 장력에 의해 그 간극에 액체 (LQ) 가 흘러 들어오는 일은 거의 없고, 기판 (P) 의 주연 (周緣) 근방을 노광하는 경우에도, 플레이트 부재 (50) 에 의해 투영 광학계 (PL) 의 아래에 액체 (LQ) 를 유지할 수 있다.
또한, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측의 광로 공간이 액체 (LQ) 로 채워지도록 액침 영역 (AR2) 을 형성할 수 있다면, 기판 (P) 의 표면과 상면 (51) 에 다소의 단차가 있어도 되고, 예를 들어, Z 방향에 대해, 기판 (P) 의 표면보다도 상면 (51) 을 낮게 해도 된다.
기판 스테이지 (PST ; Z 스테이지 (52)) 상에는 이동 거울 (42) 이 설치되어 있다. 또한, 이동 거울 (42) 에 대향하는 위치에는 레이저 간섭계 (43) 가 설치되어 있다. 기판 스테이지 (PST) 상의 기판 (P) 의 2 차원 방향의 위치 및 회전각은 레이저 간섭계 (43) 에 의해 실시간으로 계측되고, 계측 결과는 제어 장치 (CONT) 에 출력된다. 제어 장치 (CONT) 는 레이저 간섭계 (43) 의 계측 결과에 기초하여, 레이저 간섭계 (43) 로 규정되는 2 차원 좌표계 내에서 기판 스테이지 구동 장치 (PSTD) 를 개재하여 XY 스테이지 (53) 를 구동함으로써 기판 스테이지 (PST) 에 지지되어 있는 기판 (P) 의 X 축 방향 및 Y 축 방향에서의 위치 결정을 실시한다.
또한, 노광 장치 (EX) 는, 기판 (P) 표면의 면위치 정보를 검출하는 포커스 검출계 (30) 를 갖고 있다. 포커스 검출계 (30) 는, 투사부 (30A) 와 수광부 (30B) 를 갖고, 투사부 (30A) 에서 액체 (LQ) 를 개재하여 기판 (P) 표면 (노광면) 에 경사 방향으로부터 검출광 (La) 을 투사함과 함께, 그 기판 (P) 으로부터의 반사광을 액체 (LQ) 를 개재하여 수광부 (30B) 에서 수광함으로써, 기판 (P) 표면의 면위치 정보를 검출한다. 제어 장치 (CONT) 는, 포커스 검출계 (30) 의 동작을 제어함과 함께, 수광부 (30B) 의 수광 결과에 기초하여, 소정 기준면 (이미지면) 에 대한 기판 (P) 표면의 Z 축 방향에서의 위치 (포커스 위치) 를 검출한다. 또한, 기판 (P) 표면에서의 복수의 각 점에서의 각 포커스 위치를 구함으로써, 포커스 검출계 (30) 는 기판 (P) 의 경사 방향의 자세를 구할 수도 있다. 또한, 포커스 검출계 (30) 의 구성으로서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평8-37149호에 개시되어 있는 것을 사용할 수 있다. 또한, 포커스 검출계 (30) 는, 액체 (LQ) 를 개재하지 않고 기판 (P) 표면의 면위치 정보를 검출하는 것을 채용해도 된다. 그 경우, 포커스 검출계 (30) 의 검출광 (La) 의 투사 위치를, 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR1) 으로부터 떨어진 위치에 설정해도 된다.
제어 장치 (CONT) 는 기판 스테이지 구동 장치 (PSTD) 를 개재하여 기판 스테이지 (PST) 의 Z 스테이지 (52) 를 구동함으로써, Z 스테이지 (52) 에 유지되어 있는 기판 (P) 의 Z 축 방향에서의 위치 (포커스 위치), 및 θX, θY 방향에서의 위치를 제어한다. 즉, Z 스테이지 (52) 는, 포커스 검출계 (30) 의 검출 결과에 기초하는 제어 장치 (CONT) 로부터의 지령에 기초하여 동작하고, 기판 (P) 의 포커스 위치 (Z 위치) 및 경사각을 제어하고 기판 (P) 의 표면 (광학면) 을 투영 광학계 (PL) 및 액체 (LQ) 를 개재하여 형성되는 이미지면에 맞춘다.
투영 광학계 (PL) 의 선단 근방에는, 기판 (P) 상의 얼라인먼트 마크 (1) 또는 Z 스테이지 (52) 상에 설치된 기준 부재 (300) 상의 기판측 기준 마크 (PFM) 를 검출하는 기판 얼라인먼트계 (350) 가 설치되어 있다. 또한 본 실시형태의 기판 얼라인먼트계 (350) 에서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평4-65603호에 개시 되어 있는 것과 같은, 기판 스테이지 (PST) 를 정지시켜 마크 상에 할로겐 램프로부터의 백색광 등의 조명광을 조사하고, 얻어진 마크의 화상을 촬상 소자에 의해 소정의 촬상 시야 내에서 촬상하고, 화상 처리에 의해 마크의 위치를 계측하는 FIA (필드 이미지 얼라인먼트) 방식이 채용되고 있다.
또한, 마스크 스테이지 (MST) 의 근방에는, 마스크 (M) 와 투영 광학계 (PL) 를 개재하여 Z 스테이지 (52) 상에 설치된 기준 부재 (300) 상의 마스크측 기준 마크 (MFM) 를 검출하는 마스크 얼라인먼트계 (360) 가 설치되어 있다. 또한 본 실시형태의 마스크 얼라인먼트계 (360) 에서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평7-176468호에 개시되어 있는 것과 같은, 마크에 대해 광을 조사하고, CCD 카메라 등으로 촬상한 마크의 화상 데이터를 화상 처리하여 마크 위치를 검출하는 VRA (비쥬얼 레티클 얼라인먼트) 방식이 채용되고 있다.
액체 공급 기구 (10) 는, 소정의 액체 (LQ) 를 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측에 공급하기 위한 것으로서, 액체 (LQ) 를 송출 가능한 액체 공급부 (11) 와, 액체 공급부 (11) 에 그 일단부를 접속하는 공급관 (13, 13A, 13B) 을 구비하고 있다. 공급관 (13) 은 액체 (LQ) 를 흐르게 하기 위한 유로를 갖고 있다. 액체 공급부 (11) 는, 액체 (LQ) 를 수용하는 탱크, 및 가압 펌프 등을 구비하고 있다. 액체 공급부 (11) 의 액체 공급 동작은 제어 장치 (CONT) 에 의해 제어된다. 기판 (P) 상에 액침 영역 (AR2) 을 형성할 때, 액체 공급 장치 (10) 는 액체 (LQ) 를 기판 (P) 상에 공급한다.
또한, 액체 공급부 (11) 의 탱크, 가압 펌프 등은, 반드시 노광 장치 (EX) 가 구비하고 있을 필요가 없고, 노광 장치 (EX) 가 설치되는 공장 등의 설비를 대용할 수도 있다.
공급관 (13A, 13B) 의 도중에는, 공급관 (13A, 13B) 의 유로의 개폐를 실시하기 위한 밸브 (15A, 15B) 가 각각 설치되어 있다. 밸브 (15, 15A, 15B) 의 개폐 동작은 제어 장치 (CONT) 에 의해 제어되도록 되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 밸브 (15) 는, 예를 들어 정전 등에 의해 노광 장치 (EX ; 제어 장치 (CONT)) 의 구동원 (전원) 이 정지된 경우에 공급관 (13A, 13B) 의 유로를 기계적으로 폐색하는 이른바 노멀 클로즈 방식으로 되어 있다.
시간 계측을 실시하는 계측기 (60) 는 밸브 (15, 15A, 15B) 에 접속되어 있다. 계측기 (60) 는, 밸브 (15) 가 공급관 (13) 의 유로를 닫고 있는지의 여부를 검지할 수 있고, 제어 장치 (CONT) 에 의해 밸브 (15) 가 닫혀진 것을 검지했을 때에 시간 계측을 시작한다. 계측기 (60) 는, 밸브 (15) 가 공급관 (13) 의 유로를 닫았을 때부터의 경과 시간, 즉, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측하고, 그 계측 결과는 제어 장치 (CONT) 에 출력된다. 또한, 제어 장치 (CONT) 에 의해 밸브 (15) 가 열린 것을 검지했을 때에는, 계측기 (60) 는 시간 계측을 정지하고, 계측 시간을 리셋한다 (영으로 되돌린다).
또한, 계측기 (60) 는, 밸브 (15) 가 공급관 (13) 의 유로를 열었을 때부터의 경과 시간, 즉 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급 시간을 계측할 수 있다. 계측기 (60) 의 계측 결과는 제어 장치 (CONT) 에 출력된다.
액체 회수 기구 (20) 는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측의 액체 (LQ) 를 회수하기 위한 것으로서, 액체 (LQ) 를 회수 가능한 액체 회수부 (21) 와, 액체 회수부 (21) 에 그 일단부를 접속하는 회수관 (23, 23A, 23B) 을 구비하고 있다. 액체 회수부 (21) 는 예를 들어 진공 펌프 등의 진공계 (흡인 장치), 회수된 액체 (LQ) 와 기체를 분리하는 발액 분리기, 및 회수한 액체 (LQ) 를 수용하는 탱크 등을 구비하고 있다. 또한 진공계로서, 노광 장치 (EX) 에 진공 펌프를 설치하지 않고, 노광 장치 (EX) 가 배치되는 공장의 진공계를 사용하도록 해도 된다. 액체 회수부 (21) 의 액체 회수 동작은 제어 장치 (CONT) 에 의해 제어된다. 기판 (P) 상에 액침 영역 (AR2) 을 형성하기 위해, 액체 회수 기구 (20) 는 액체 공급 기구 (10) 에 의해 공급된 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 를 소정량 회수한다.
또한, 액체 회수부 (21) 의 진공계, 발액 분리기, 탱크 등은, 반드시 노광 장치 (EX) 가 구비하고 있을 필요가 없고, 노광 장치 (EX) 가 설치되는 공장 등의 설비를 대용할 수도 있다.
투영 광학계 (PL) 를 구성하는 복수의 광학 소자 중, 액체 (LQ) 에 접하는 광학 소자 (2) 의 근방에는 유로 형성 부재 (70) 가 배치되어 있다. 유로 형성 부재 (70) 는, 기판 (P ; 기판 스테이지 (PST)) 의 상방에 있어서, 광학 소자 (2) 의 측면을 둘러싸도록 설치된 환형 부재이다. 유로 형성 부재 (70) 와 광학 소자 (2) 의 사이에는 간극이 형성되어 있고, 유로 형성 부재 (70) 는 광학 소자 (2) 에 대해 진동적으로 분리되도록 소정의 지지 기구로 지지되어 있다.
유로 형성 부재 (70) 는, 예를 들어 알루미늄, 티탄, 스테인레스강, 두랄루민, 및 이들을 함유하는 합금에 의해 형성할 수 있다. 또는, 유로 형성 부재 (70) 는, 유리 (석영) 등의 광투과성을 갖는 투명 부재 (광학 부재) 에 의해 구성되어도 된다.
유로 형성 부재 (70) 는, 기판 (P ; 기판 스테이지 (PST)) 의 상방에 설치되고, 그 기판 (P) 표면에 대향하도록 배치된 액체 공급부 (12; 12A, 12B) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서, 유로 형성 부재 (70) 는 2 개의 액체 공급구 (12A, 12B) 를 갖고 있다. 액체 공급구 (12A, 12B) 는 유로 형성 부재 (70) 의 하면 (70A) 에 설치되어 있다.
또한, 유로 형성 부재 (70) 는, 그 내부에 액체 공급구 (12A, 12B) 에 대응한 공급 유로를 갖고 있다. 또한, 액체 공급구 (12A, 12B) 및 공급 유로에 대응하도록 복수 (2 개) 의 공급관 (13A, 13B) 이 설치되어 있다. 그리고, 공급 유로의 일단부는 공급관 (13A, 13B) 을 개재하여 액체 공급부 (11) 에 각각 접속되고, 타단부는 액체 공급구 (12A, 12B) 에 각각 접속되어 있다.
또한, 2 개의 공급관 (13A, 13B) 의 각각의 도중에는, 액체 공급부 (11) 로부터 송출되고, 공급관 (13A, 13B) 의 유로를 흐르는 액체 (LQ) 의 단위 시간당의 유량을 계측하는 유량계 (16; 16A, 16B) 가 설치되어 있다. 유량계 (16A, 16B) 의 계측 결과는 제어 장치 (CONT) 에 출력된다.
또한, 제어 장치 (CONT) 는, 유량계 (16) 의 계측 결과에 기초하여, 액체 공급 기구 (10) 에 의해 공급관 (13) 을 개재한 액체 공급이 실행되고 있는지의 여부를 판단할 수 있다. 즉, 유량계 (16) 의 계측 결과에 기초하여, 공급관 (13) 의 유로에 액체 (LQ) 가 흐르고 있지 않다고 판단했을 때, 제어 장치 (CONT) 는, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급이 정지되어 있다고 판단할 수 있다. 한편, 유량계 (16) 의 계측 결과에 기초하여, 공급관 (13) 의 유로에 액체 (LQ) 가 흐르고 있다고 판단하였을 때, 제어 장치 (CONT) 는, 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급이 실행되고 있다고 판단한다.
또한, 도시 생략이기는 하지만, 공급관 (13A, 13B) 의 각각의 도중에는, 액체 공급부 (11) 로부터 송출되고, 액체 공급구 (12A, 12B) 의 각각에 대한 단위 시간당의 액체 공급량을 제어하는 매스 플로 컨트롤러라고 불리는 유량 제어기가 설치되어 있다. 유량 제어기에 의한 액체 공급량의 제어는 제어 장치 (CONT) 의 지령 신호 하에서 실시된다.
또한, 유로 형성 부재 (70) 는, 기판 (P ; 기판 스테이지 (PST)) 의 상방에 설치되고, 그 기판 (P) 표면에 대향하도록 배치된 액체 회수구 (22; 22A, 22B) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서, 유로 형성 부재 (70) 는 2 개의 액체 회수구 (22A, 22B) 를 갖고 있다. 액체 회수구 (22A, 22B) 는 유로 형성 부재 (70) 의 하면 (70A) 에 설치되어 있다.
또한, 유로 형성 부재 (70) 는, 그 내부에 액체 회수구 (22A, 22B) 에 대응한 회수 유로를 갖고 있다. 또한, 액체 회수구 (22A, 22B) 및 회수 유로에 대응하도록 복수 (2 개) 의 회수관 (23A, 23B) 이 설치되어 있다. 그리고, 회수 유로의 일단부는 회수관 (23A, 23B) 을 개재하여 액체 회수부 (21) 에 각각 접속되고, 타단부는 액체 회수구 (22A, 22B) 에 각각 접속되어 있다.
본 실시형태에 있어서, 유로 형성 부재 (70) 는, 액체 공급 기구 (10) 및 액 체 회수 기구 (20) 각각의 일부를 구성하고 있다. 그리고, 액체 공급 기구 (10) 를 구성하는 액체 공급구 (12A, 12B) 는, 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR1) 을 사이에 둔 X 축 방향 양측의 각각의 위치에 설치되어 있고, 액체 회수 기구 (20) 를 구성하는 액체 회수구 (22A, 22B) 는, 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR1) 에 대해 액체 공급 기구 (10) 의 액체 공급구 (12A, 12B) 의 외측에 설치되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR1) 은, Y 축 방향을 길이 방향으로 하고, X 축 방향을 짧은 방향으로 한 평면에서 보았을 때 직사각형 형상으로 설정되어 있다.
액체 공급부 (11) 및 유량 제어기의 동작은 제어 장치 (CONT) 에 의해 제어된다. 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 를 공급할 때, 제어 장치 (CONT) 는, 액체 공급부 (11) 로부터 액체 (LQ) 를 송출하고, 공급관 (13A, 13B), 및 공급 유로를 개재하여, 기판 (P) 의 상방에 설치되어 있는 액체 공급구 (12A, 12B) 로부터 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 를 공급한다. 이 때, 액체 공급구 (12A, 12B) 는 투영 광학계 (PL) 의 투영 영역 (AR1) 을 사이에 둔 양측의 각각에 배치되어 있고, 그 액체 공급구 (12A, 12B) 를 개재하여, 투영 영역 (AR1) 의 양측으로부터 액체 (LQ) 를 공급할 수 있다. 또한, 액체 공급구 (12A, 12B) 의 각각으로부터 기판 (P) 상에 공급되는 액체 (LQ) 의 단위 시간당의 양은, 공급관 (13A, 13B) 의 각각에 설치된 유량 제어기에 의해 개별로 제어할 수 있다.
액체 회수부 (21) 의 액체 회수 동작은 제어 장치 (CONT) 에 의해 제어된다. 제어 장치 (CONT) 는 액체 회수부 (21) 에 의한 단위 시간당의 액체 회수량을 제어 할 수 있다. 기판 (P) 의 상방에 설치된 액체 회수구 (22A, 22B) 에서 회수된 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 는, 유로 형성 부재 (70) 의 회수 유로, 및 회수관 (23A, 23B) 을 개재하여 액체 회수부 (21) 에 회수된다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 공급관 (13A, 13B) 은 1 개의 액체 공급부 (11) 에 접속되어 있지만, 공급관의 수에 대응한 액체 공급부 (11) 를 복수 (여기에서는 2 개) 설치하고, 공급관 (13A, 13B) 의 각각을 상기 복수의 액체 공급부 (11) 의 각각에 접속하도록 해도 된다. 또한, 회수관 (23A, 23B) 은, 1 개의 액체 회수부 (21) 에 접속되어 있지만, 회수관의 수에 대응한 액체 회수부 (21) 를 복수 (여기에서는 2 개) 설치하고, 회수관 (23A, 23B) 의 각각을 상기 복수의 액체 회수부 (21) 의 각각에 접속하도록 해도 된다.
또한, 기판 (P ; 기판 스테이지 (PST)) 상에 국소적으로 액침 영역 (AR2) 을 형성하기 위한 기구는, 상기 서술에 한정되지 않고, 예를 들어 미국 특허공개공보 제2004/020782호에 개시되어 있는 기구를 채용할 수도 있고, 본 국제 출원으로 지정 또는 선택된 국가의 법령에 의해 허용되는 한에서, 이들의 문헌의 기재 내용을 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.
투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 액체 접촉면 (2A) 및 유로 형성 부재 (70) 의 하면 (액체 접촉면 ; 70A) 은 친액성 (친수성) 을 갖고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 광학 소자 (2) 및 유로 형성 부재 (70) 의 액체 접촉면에 대해 친액 처리가 실시되고 있고, 그 친액 처리에 의해 광학 소자 (2) 및 유로 형성 부재 (70) 의 액체 접촉면이 친액성으로 되어 있다. 바꾸어 말하면, 기판 스테이 지 (PST) 에 유지된 기판 (P) 의 피노광면 (표면) 과 대향하는 부재의 표면 중 적어도 액체 접촉면은 친액성으로 되어 있다. 본 실시형태에 있어서의 액체 (LQ) 는 극성이 큰 물이기 때문에, 친액 처리 (친수 처리) 로는, 예를 들어 알코올 등 극성이 큰 분자 구조의 물질로 박막을 형성함으로써, 이 광학 소자 (2) 나 유로 형성 부재 (70) 의 액체 접촉면에 친수성을 부여한다. 즉, 액체 (LQ) 로서 물을 사용하는 경우에는 OH 기 등 극성이 큰 분자 구조를 가지는 것을 상기 액체 접촉면에 설치하는 처리가 요구된다. 또는, MgF2, Al2O3, SiO2 등의 친액성 재료를 상기 액체 접촉면에 설치해도 된다.
유로 형성 부재 (70) 의 하면 (기판 (P) 측을 향하는 면 ; 70A) 은 거의 평탄면이고, 광학 소자 (2) 의 하면 (액체 접촉면 ; 2A) 도 평탄면으로 되어 있고, 유로 형성 부재 (70) 의 하면 (70A) 과 광학 소자 (2) 의 하면 (2A) 은 거의 면일하게 되어 있다. 이로 인해, 넓은 범위에서 액침 영역 (AR2) 을 양호하게 형성할 수 있다.
또한, 유로 형성 부재 (70) 의 하면 (70A) 과 광학 소자 (2) 의 하면 (2A) 은 반드시 면일할 필요가 없고, 유로 형성 부재 (70) 의 하면 (70A) 과 광학 소자 (2) 의 하면 (2A) 과 단차가 있어도 된다. 예를 들어, 유로 형성 부재 (70) 의 하면 (70A) 보다도 +Z 방향측에 어긋난 위치에 광학 소자 (2) 의 하면 (2A) 을 배치해도 된다.
또한, 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 은 평탄면 (평탄부) 으로 되어 있 고, 발액화 처리되어 발액성을 갖고 있다. 상면 (51) 의 발액화 처리로서는, 예를 들어 불소계 수지 재료 또는 아크릴계 수지 재료 등의 발액성 재료를 도포, 또는 상기 발액성 재료로 이루어지는 박막을 부착한다. 발액성으로 하기 위해서 발액성 재로로서는 액체 (LQ) 에 대해 비용해성의 재료가 사용된다. 또한, 기판 스테이지 (PST) 전체 또는 일부를 예를 들어 폴리 4 불화 에틸렌 (테플론 (등록 상표)) 등의 불소계 수지를 비롯한 발액성을 갖는 재료로 형성해도 된다. 또한, 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 을 갖는 플레이트 부재 (50) 를 상기 폴리 4 불화에틸렌 등으로 이루어지는 발액성을 갖는 재료에 의해 형성해도 된다.
기판 스테이지 (PST) 상에 있어서, 기판 (P) 의 외측의 소정 위치에는, 기준 부재 (300) 가 배치되어 있다. 기준 부재 (300) 에는, 기판 얼라인먼트계 (350) 에 의해 액체를 개재하지 않고 검출되는 기준 마크 (PFM) 와, 마스크 얼라인먼트계 (360) 에 의해 액체를 개재하여 검출되는 기준 마크 (MFM) 가 소정의 위치 관계에 의해 설치되어 있다. 기준 부재 (300) 의 상면 (301A) 은 거의 평탄면 (평탄부) 으로 되어 있고, 기판 스테이지 (PST) 에 유지된 기판 (P) 표면, 및 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 과 거의 같은 높이 (면일) 에 설치되어 있다. 기준 부재 (300) 의 상면 (301A) 은, 포커스 검출계 (30) 의 기준면으로서의 역할도 다할 수 있다. 또한, 기판 얼라인먼트계 (350) 는, 기판 (P) 상에 형성된 얼라인먼트 마크 (1) 도 검출한다.
또한 도시가 생략되어 있기는 하지만, 기판 스테이지 (PST) 상에서, 기판 (P) 외측의 소정 위치에는, 계측용 센서로서 예를 들어 일본 공개특허공보 소57- 117238호에 개시되어 있는 것과 같은 조도 불균일 센서가 배치되어 있다. 조도 불균일 센서는, 기판 스테이지 (PST) 에 유지된 기판 (P) 표면, 및 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 과 거의 같은 높이 (면일) 에 설치된 평탄면 (평탄부) 을 갖는 상판을 갖고 있다. 또한, 기판 스테이지 (PST) 내부 (상판의 아래) 에는 조도 불균일 센서를 구성하는 수광 소자 (디텍터) 가 매설되어 있고, 상기 상판 상의 액체를 개재하여 노광광을 수광한다. 이와 같이, 기판 스테이지 (PST) 상 중, 기판 (P) 외측의 소정 위치에는, 계측용 센서로서 예를 들어 일본 공개특허공보 2002-14005호에 개시되어 있는 것과 같은 공간 이미지 계측 센서가 설치되고 있다. 공간 이미지 계측 센서도, 기판 스테이지 (PST) 에 유지된 기판 (P) 표면, 및 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 과 거의 같은 높이 (면일) 에 설치된 평탄면 (평탄부) 을 갖는 상판을 갖고 있다. 또한, 기판 스테이지 (PST) 상에는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평11-16816호에 개시되어 있는 것과 같은 조사량 센서 (조도 센서) 도 설치되어 있고, 그 조사량 센서의 상판의 상면은 기판 스테이지 (PST) 에 유지된 기판 (P) 표면이나 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 과 거의 같은 높이 (면일) 에 설치되어 있다. 또한, 상기 서술한 계측용 센서는 모두 그 상판 상의 액체를 통해 광을 수광하여, 각종 계측을 실시하는 것이다.
다음으로, 상기 서술한 구성을 갖는 노광 장치 (EX) 를 사용하여 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 에 노광하는 방법에 대해 설명한다.
또한, 기판 (P) 의 노광을 시작하기 전에, 기판 얼라인먼트계 (350) 의 검출 기준 위치와 마스크 (M) 의 패턴 이미지의 투영 위치의 위치 관계 (베이스 라인량) 는, 기판 얼라인먼트계 (350), 마스크 얼라인먼트계 (360), 기준 부재 (300) 등을 사용하여 이미 계측되어 있는 것으로 한다.
또한, 기판 스테이지 (PST) 에 탑재되어 있는 각종 센서에 의한 계측도 이미 완료하고, 그 계측 결과에 기초하는 보정 등의 처치가 행해지고 있는 것으로 한다.
우선, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 노광 처리 대상인 기판 (P) 이 반송계 (로더 장치 ; H) 에 의해 기판 스테이지 (PST) 상에 반입 (로드) 된다. 기판 (P) 을 기판 스테이지 (PST) 에 로드할 때, 기판 스테이지 (PST) 는, 투영 광학계 (PL) 에 대해 떨어진 위치에 있는 로드 위치로 이동된다. 기판 (P) 은, 로드 위치에 있어서, 반송계 (H) 에 의해 기판 스테이지 (PST) 상에 로드된다.
기판 스테이지 (PST) 가 로드 위치에 있을 때, 제어 장치 (CONT) 는, 밸브 (15) 를 구동하여 공급관 (13) 의 유로를 닫고, 액체 공급 장치 (10) 에 의한 액체 공급을 정지하고 있다. 상기 서술한 바와 같이, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간은, 계측기 (60) 에 의해 계측 (모니터) 되어 있다.
다음으로, 제어 장치 (CONT) 는, 기판 (P) 에 대해 중첩 노광을 하기 위해, 기판 (P) 상의 복수의 쇼트 영역의 각각에 부수 (付隨) 하여 형성되어 있는 얼라인먼트 마크 (1) 를 기판 얼라인먼트계 (350) 를 사용하여 계측한다. 기판 얼라인먼트계 (350) 가 얼라인먼트 마크 (1) 를 계측하고 있을 때의 기판 스테이지 (PST) 의 위치는 레이저 간섭계 (43) 에 의해 계측되어 있다. 제어 장치 (CONT) 는, 기판 (P) 상에 액체 (LQ) 의 액침 영역을 형성하지 않은 상태에서 (비액침 상태에서), 얼라인먼트 마크 (1) 를 계측한다. 얼라인먼트 마크 (1) 를 계측하고 있는 동안, 제어 장치 (CONT) 는 밸브 (15) 를 구동하여 액체 공급 기구 (10) 의 액체 공급관 (13) 의 유로를 닫고, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 정지하고 있기 때문에, 계측기 (60) 에 의한 액체 공급의 정지 시간의 계측이 계속되고 있다.
제어 장치 (CONT) 는, 얼라인먼트 마크 (1) 의 검출 결과에 기초하여, 기판 얼라인먼트계 (350) 의 검출 기준 위치에 대한 쇼트 영역의 위치 정보를 구하고, 그 위치 정보와 먼저 계측한 베이스 라인양에 기초하여 기판 스테이지 (PST) 를 이동함으로써, 마스크 (M) 의 패턴 이미지의 투영 위치와 그 쇼트 영역을 위치 맞춤한다.
기판 (P) 의 쇼트 영역의 노광을 시작할 때는, 제어 장치 (CONT) 는, 밸브 (15) 를 구동하여 공급관 (13) 의 유로를 열고, 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 실시한다. 계측기 (60) 는, 공급관 (13) 의 유로가 열린 것을 검지하여, 액체 공급의 정지 시간의 계측을 멈추고, 그 계측 시간을 리셋한다 (영으로 되돌린다). 그리고, 제어 장치 (CONT) 는, 액체 공급 기구 (10) 에 의한 기판 (P) 상에 대한 액체 (LQ) 의 공급과 병행하고, 액체 회수 기구 (20) 에 의한 기판 (P) 상의 액체 (LQ) 의 회수를 실시하면서, 기판 (P) 을 지지하는 기판 스테이지 (PST) 를 X 축 방향 (주사 방향) 으로 이동하면서, 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 사이의 액체 (LQ) 및 투영 광학계 (PL) 를 개재하여 기판 (P) 상에 투영 노광한다.
액침 영역 (AR2) 을 형성하기 위해 액체 공급 기구 (10) 의 액체 공급부 (11) 로부터 공급된 액체 (LQ) 는, 공급관 (13A, 13B) 을 유통한 후, 유로 형성 부재 (70) 내부에 형성된 공급 유로를 개재하여 액체 공급구 (12A, 12B) 로부터 기판 (P) 상에 공급된다. 액체 공급구 (12A, 12B) 로부터 기판 (P) 상에 공급된 액체 (LQ) 는, 투영 광학계 (PL) 의 선단부 (광학 소자 (2)) 의 하단면과 기판 (P) 사이에 넓게 젖도록 공급되고, 투영 영역 (AR1) 을 포함하는 기판 (P) 상의 일부에, 기판 (P) 보다도 작고 또한 투영 영역 (AR1) 보다도 큰 액침 영역 (AR2) 을 국소적으로 형성한다. 이 때, 제어 장치 (CONT) 는, 액체 공급 기구 (10) 중 투영 영역 (AR1) 의 X 축 방향 (주사 방향) 양측에 배치된 각각의 액체 공급구 (12A, 12B) 로부터, 주사 방향에 관해 투영 영역 (AR1) 의 양측으로부터 기판 (P) 상으로의 액체 (LQ) 공급을 동시에 실시한다. 이로 인해, 액침 영역 (AR2) 은 균일 또는 양호하게 형성되어 있다.
본 실시형태에 있어서의 노광 장치 (EX) 는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 X 축 방향 (주사 방향) 으로 이동하면서 마스크 (M) 의 패턴 이미지를 기판 (P) 에 투영 노광하는 것으로서, 주사 노광시에는, 액침 영역 (AR2) 의 액체 (LQ) 및 투영 광학계 (PL) 를 개재하여 마스크 (M) 일부의 패턴 이미지가 투영 영역 (AR1) 내에 투영되고, 마스크 (M) 가 -X 방향 (또는 +X 방향) 으로 속도 V 로 이동하는 데 동기하여, 기판 (P) 이 투영 영역 (AR1) 에 대해 +X 방향 (또는 -X 방향) 으로 속도 β·V (β 는 투영 배율) 로 이동한다. 기판 (P) 상에는 복수의 쇼트 영역이 설정되어 있고, 1 개의 쇼트 영역으로의 노광 종료 후에, 기판 (P) 의 스테핑 이동에 의해 다음 쇼트 영역이 주사 개시 위치로 이동하고, 이하, 스텝 앤드 스캔 방식 에 의해 기판 (P) 을 이동하면서 각 쇼트 영역에 대한 주사 노광 처리가 순서대로 실시된다.
기판 (P) 의 액침 노광이 종료한 후, 제어 장치 (CONT) 는, 밸브 (15) 를 구동하여 공급관 (13) 의 유로를 닫고, 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 정지한다. 계측기 (60) 는, 밸브 (15) 에 의해 공급관 (13) 의 유로가 닫힌 것을 검지하고, 그 시점을 기준으로 한, 공급관 (13) 의 유로가 닫혀 있는 시간의 계측, 즉 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간의 계측을 시작한다. 계측기 (60) 에 의한 액체 공급의 정지 시간의 계측 결과는, 제어 장치 (CONT) 로 출력된다.
또한, 제어 장치 (CONT) 는, 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 정지한 후에도, 액체 회수 기구 (20) 의 구동을 소정 시간 계속하고, 노광 완료된 기판 (P) 및 그 기판 (P) 을 유지하고 있는 기판 스테이지 (PST) 상에 잔류하고 있는 액체 (LQ) 를 회수한다. 또한, 액체 공급 기구 (20) 에 의해 액체 (LQ) 를 회수하고 있을 때, 액체 회수구 (22) 에 대해 기판 스테이지 (PST) 를 XY 방향으로 이동해도 된다. 이로 인해, 기판 (P) 및 기판 스테이지 (PST) 상의 넓은 범위에 잔류한 액체 (LQ) 를 회수할 수 있다.
액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 정지하고, 기판 (P) 및 기판 스테이지 (PST) 상의 액체 회수 동작을 종료한 후, 제어 장치 (CONT) 는, 기판 스테이지 (PST) 를, 투영 광학계 (PL) 에 대해 떨어진 위치에 있는 언로드 위치로 이동한다. 그리고, 언로드 위치에 있어서, 기판 스테이지 (PST) 상의 노광 완료된 기 판 (P) 이 반송계 (언로더 장치) 에 의해 반출 (언로드) 된다.
상기 서술한 바와 같이, 기판 (P) 의 로드 및 언로드 중이나, 기판 얼라인먼트계 (350) 에 의한 비액침 상태에서의 계측 처리 중 등에 있어서의, 액체 공급 장치 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간은, 계측기 (60) 에 의해 계측 (모니터) 되어 있다.
액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간 (액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지를 시작하고 나서 액체 공급을 재개하기까지의 시간) 이 장시간에 이르면, 예를 들어 공급관 (13) 내부에 체류하고 있는 액체 (LQ) 는 정체된 상태가 되기 때문에, 청정도가 저하된다. 그 청정도가 저하된 액체 (LQ) 가, 다음 기판 (P) 의 노광 처리시나 계측 처리시에 기판 (P) 상 또는 기판 스테이지 (PST) 상 (기준 부재 (300) 나 계측용 센서의 상판을 포함한다) 에 공급되면, 공급관 (13) 내 혹은 기판 (P) 이나 기판 스테이지 (PST) 상의 부재가 오염되어, 노광 정밀도나 계측 정밀도의 열화를 초래한다.
그래서, 제어 장치 (CONT) 는, 계측기 (60) 로 계측되는 정지 시간과 소정의 허용 시간을 비교하고, 액체 공급의 정지 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 재개한다. 예를 들어, 기판 (P) 의 언로드 동작에 문제가 발생하고, 노광이 완료된 기판 (P) 이 기판 스테이지 (PST) 상에 유지된 상태가 계속되면, 액체 공급의 정지 시간이 소정의 허용 시간을 초과해버릴 가능성이 있다. 이와 같이 액체의 공급 정지 시간이 소정의 허용 시간을 초과한 경우에는, 제어 장치 (CONT) 는 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 재개한다. 이렇게 함으로써, 공급관 (13) 내부에 체류하고 있는 액체 (LQ) 를 배출 (플러싱) 할 수 있음과 함께, 공급관 (13) 내부의 액체 (LQ) 의 체류를 방지할 수 있다. 따라서, 공급관 (13) 내부의 액체 (LQ) 의 청정도가 저하되는 문제의 발생이 방지된다.
상기 허용 시간, 즉 액체 공급 기구 (10) 의 액체 공급의 정지를 개시하고 나서 액체 공급을 재개하기까지의 허용 시간은, 예를 들어 공급관 (13) 내부에 체류하고 있는 액체 (LQ) 의 청정도가 허용 레벨 이하로 열화하지 않는 시간에 기초하여 설정할 수 있다. 이 허용 시간에 관한 정보는, 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 미리 구해져, 기억 장치 (MRY) 에 기억되어 있다.
예를 들어, 상기 서술한 바와 같이, 공급관 (13) 내부에 액체 (LQ) 가 체류한 상태에서 장시간 방치해 놓으면, 공급관 (13) 내부나 공급구 (12) 근방에 박테리아 등의 균류가 증식하고, 액체 (LQ) 의 청정도를 저하시킨다. 따라서, 상기 허용 시간은, 공급관 (13) 의 유로에 있어서의 박테리아의 증식 시간을 고려하여 결정되는 것이 바람직하다. 이 경우의 허용 시간 (TB) 은, 실험이나 시뮬레이션에 의해 미리 구하여 기억 장치 (MRY) 에 기억시켜 놓을 수 있다. 그리고, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간이, 박테리아의 증식 시간을 고려하여 결정된 허용 시간 (TB) 을 초과했을 때에, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 재개함으로써, 공급관 (13) 내부나 공급구 (12) 근방에 있어서의 박테리아의 발생 (증식) 을 방지할 수 있다.
또한, 기판 (P) 의 액침 노광 중에는, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측 단면 (2A) 을 액체 (LQ) 에 접촉시킨 상태 (액침 상태) 에서 기판 (P) 상에 노광광 (EL) 을 조사하지만, 기판 (P) 의 액침 노광이 종료되고, 액체 (LQ) 의 회수 동작을 실시하여 비액침 상태로 한 후, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측 단면 (2A) 에 액체 (LQ) 가 부착 (잔류) 된 상태에서 장시간 방치해 놓으면, 그 액체 (LQ) 가 건조되고, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측 단면 (2A) 에 액체의 부착 흔적 (이후,「워터 마크」라고 한다) 이 형성되거나, 이물이 부착되는 등의 문제가 생긴다. 워터 마크는, 단면 (2A) 에 부착된 액체 (LQ) 에 주위의 불순물이 녹아들거나 혼입한 후, 그 액체 (LQ) 가 건조됨으로써 발생하는 것으로 생각된다. 한편으로, 워터 마크는, 그 단면 (2A) 을 액체 (LQ) 로 적심으로써, 그 형성을 억제되거나 제거되는 것으로 생각할 수 있다. 따라서, 상기 허용 시간은, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측 단면 (2A) 에 부착된 액체 (LQ) 의 건조 시간을 고려하여 결정되어도 된다. 또는, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 에 부착되어 있는 액체 (LQ) 의 건조에 의해, 그 단면 (2A) 에 불순물이 부착되지 않도록 결정되어도 된다. 이 워터 마크 형성에 관한 허용 시간 (TWM) 도 실험이나 시뮬레이션에 의해 미리 구하여 기억 장치 (MRY) 에 기억시켜 놓을 수 있다. 그리고, 제어 장치 (CONT) 는, 계측기 (60) 를 사용하여, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측의 단면 (2A) 이 액침 상태에서 비액침 상태가 되고 나서의 경과 시간을 계측하고, 그 경과 시간 (즉 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간) 이 허용 시간 (TWM) 을 초과하 였을 때, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 이 액체 (LQ) 를 접촉하도록 (액체 (LQ) 로 젖도록), 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 재개함으로써, 워터 마크의 발생을 방지할 수 있다.
액침 상태에서 비액침 상태로 이행한 후의 경과 시간이 허용 시간 (TWM) 을 초과하고, 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 재개할 때에는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 투영 광학계 (PL) 와 기판 스테이지 (PST) 상의 평탄면을 대향시킨 후에, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 재개한다. 즉, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때, 제어 장치 (CONT) 는, 레이저 간섭계 (43) 의 계측 결과에 기초하여, 투영 광학계 (PL) 와 기판 스테이지 (PST) 상의 평탄면이 대향하고 있는지의 여부를 판단하고, 투영 광학계 (PL) 와 기판 스테이지 (PST) 상의 평탄면이 대향하고 있는 것으로 판단한 경우에, 액체 공급 기구 (10) 로부터 액체 공급을 재개한다. 이렇게 함으로써, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 을 액체 (LQ) 로 적실 수 있다. 또한, 이 경우의 기판 스테이지 (PST) 상의 평탄면은, 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51), 기판 스테이지 (PST) 에 유지된 기판 (P) 표면, 기준 부재 (300), 계측용 센서 (조도 불균일 센서, 공간이미지 센서 등) 의 상판을 포함한다. 또한, 투영 광학계 (PL) 와 기판 스테이지 (PST) 상의 평탄면이 대향하지 않고 있다고 판단한 경우에는, 제어 장치 (CONT) 는, 레이저 간섭계 (43) 의 계측 결과에 기초하여 기판 스테이지 (PST) 를 이동하고, 투영 광학계 (PL) 와 기판 스테이지 (PST) 상의 평탄면을 대향시키고 나서 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 개시한다. 또한, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 시작하는 경우에는, 기판 스테이지 (PST) 상에 기판 (P) 이 유지되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 서술한 바와 같이, 기준 부재 (300) 상이나 계측용 센서의 상판 상에 액체 (LQ) 를 배치한 액침 상태에서 계측 처리를 실시한 후, 비액침 상태로 이행했을 때, 기준 부재 (300) 상이나 계측용 센서의 상판 상, 또는 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 등에 워터 마크가 형성될 가능성이 있다. 그래서, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 을 적실 때에는, 투영 광학계 (PL) 와 기준 부재 (300 ; 또는 계측용 센서의 상판) 을 대향시킨 상태에서, 액체 공급 기구 (10) 에 의해 액체 (LQ) 를 공급함으로써, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 에 워터 마크가 형성되는 것을 방지할 수 있음과 함께, 기준 부재 (300) 상 등에 워터 마크가 형성되는 문제도 방지할 수 있다.
또한, 박테리아의 증식 시간을 고려하여 결정된 허용 시간을 TB, 워터 마크가 형성되는 시간을 고려하여 결정된 허용 시간을 TWM, 액체 공급 장치 (10) 에 의한 액체 공급의 정지 시간 (액침 상태에서 비액침 상태로 이행한 후의 경과 시간) 을 T 로 하였을 때, T=min(TB, TWM) 이 된 시점에서, 액체 공급을 재개하도록 해도 된다.
또한, 허용 시간은, 상기 서술한 TB 나 TWM 에 한하지 않고, 예를 들어 기준 부재 (300) 상이나 상판, 상면 (51) 에 관해서도 허용 시간을 미리 정해 놓고, 기 준 부재 (300) 상 등이 액침 상태에서 비액침 상태로 되고 나서의 경과 시간이 허용 시간을 초과하였을 때에, 기준 부재 (300) 등을 액체 (LQ) 로 젖도록 해도 된다. 이와 같이, 기준 부재 (300) 나 상판 등에 워터 마크가 형성되는 것을 방지함으로써, 이들 기준 부재 (300) 나 상판을 사용한 센서의 계측 정밀도의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 포커스 검출계 (30) 에 있어서는, 포커스 검출계 (30) 의 광학계를 구성하는 복수의 광학 부재 중 소정의 광학 부재를 액침 영역 (AR2) 에 접촉시키는 구성을 생각할 수 있다. 따라서, 광학 부재에 워터 마크가 형성되는 것을 방지하기 위한 허용 시간을 정해 놓고, 그 허용 시간을 초과하였을 때에 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 재개하도록 해도 된다. 이렇게 함으로써, 포커스 검출계 (30) 의 검출 정밀도를 유지할 수 있다.
또한, 기판 (P) 을 기판 스테이지 (PST) 에 로드한 후, 그 기판 (P) 을 액침 노광하여 기판 스테이지 (PST) 로부터 언로드하기까지의 일련의 처리 도중에, 액체 공급의 정지 시간이 허용 시간을 초과하였을 때는, 처리 도중에 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 재개하도록 해도 된다. 예를 들어, 액체 공급을 정지하고, 기판 얼라인먼트계 (350) 에서 비액침 상태에서 기준 부재 (300) 상의 기준 마크 (PFM) 또는 기판 (P) 상의 얼라인먼트 마크 (1) 의 계측을 실시하고 있는 도중에, 허용 시간 TB (또는 TWM) 가 경과하였을 때에는, 기판 얼라인먼트계 (350) 에 의한 계측 동작을 일단 중지하고, 기준 부재 (300) 는 별도의 기판 스테이지 (PST) 상의 평탄면을 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 에 대향시키고, 액체 공급을 재개한다. 그리고, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 을 적신 후, 액체 회수 기구 (20) 에서 액체 (LQ) 를 회수하고, 기판 얼라인먼트계 (350) 에 의한 계측 동작을 재개하면 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 기판 (P) 을 기판 스테이지 (PST) 에 로드한 후, 그 기판 (P) 을 액침 노광하여 기판 스테이지 (PST) 로부터 언로드하기까지의 일련의 처리를 예를 들어 설명하였지만, 노광 장치 (EX) 의 메인터넌스 시, 또는 매뉴얼 어시스트 시에 액체 공급의 재개를 실시하는 것도 물론 가능하다. 즉, 기판 (P) 의 교환 중 뿐만 아니라, 부품 교환 등의 노광 장치 (EX) 의 메인터넌스 중 등에도 액체 공급 기구 (1O) 로부터의 액체 공급을 정지하지 않으면 안되는 상황도 발생할 수 있다. 이러한 경우에도, 계측기 (60) 에서 계측되는 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여 알맞은 처치를 행할 수 있다. 예를 들어 노광 장치 (EX) 의 메인터넌스 중에, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 정지하고 있을 때에는, 상기 허용 시간을 초과하였을 때, 기판 스테이지 (PST) 를 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 에 대향시키도록 이동하고, 액체 공급을 재개하면 된다. 또한, 예를 들어 메인터넌스 중이나 반송 에러 등에 의해, 노광 처리 대상인 기판 (P) 이 기판 스테이지 (PST ; 기판 홀더 (PH)) 상에 유지되어 있지 않을 때에는, 더미 기판을 기판 스테이지 (PST) 에 유지하고, 기판 스테이지 (PST) 를 투영 광학계 (PL) 의 아래로 이동시킨 상태에서 액체 공급을 재개하도록 해도 된다. 이와 같이, 기판 홀더 (PH) 에 기판 (P) 또는 더미 기판을 유지한 상태에서, 액체 공급을 재개함으로써, 기판 스테이지 (PST) 의 오목부 (55) 내부 등에 액체 (LQ) 가 침입하여, 누전이나 녹이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
이상 설명한 것과 같이, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측기 (60) 를 사용하여 계측함으로써, 그 계측 결과에 기초하여, 예를 들어 액체 (LQ) 가 고여 청정도가 저하하기 전에 액체 공급을 재개하여 프래싱 동작을 실행하는 등 적절한 처치를 행할 수 있고, 청정도가 저하된 액체 (LQ) 가 기판 (P) 상이나 계측 부재인 기준 부재 (300) 나 계측용 센서의 상판 상에 공급되는 문제를 방지할 수도 있다. 또한, 계측기 (60) 의 계측 결과에 기초하여, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 이나 기준 부재 (300) 상에 워터 마크가 형성되기 전에 액체 (LQ) 로 적시는 등의 적절한 처치를 행할 수 있다. 따라서, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 등에 워터 마크가 형성되는 문제를 방지할 수 있다. 이와 같이, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 정지한 것에 기인하여 문제가 생길 가능성이 있더라도, 계측기 (60) 의 계측 결과에 기초하여 적절한 처치를 행할 수 있기 때문에, 상기 문제의 발생을 방지할 수 있다.
박테리아 등의 발생을 방지하기 위해, 액체 (LQ) 중에 방부제 등의 첨가제를 첨가하는 것도 생각할 수 있지만, 본 실시형태와 같이 액체 (LQ) 로서 순수을 사용하는 경우, 액체 (LQ) 의 재료 특성이 변화하기 때문에, 첨가제를 첨가하는 것은 바람직하지 못하다. 따라서, 본 발명과 같이, 액체 공급을 재개하여 공급관 (13) 을 플러싱 (클리닝) 하는 구성으로 함으로써, 액체 (LQ) 의 재료 특성을 박테 리아 대응하게 하는 일없이, 박테리아의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 공급관 (13) 의 클리닝이나 단면 (2A) 의 워터 마크 대책으로서 액체 공급 장치 (10) 로부터 공급된 액체 (LQ) 는, 액체 회수 기구 (20) 와는 별도의 회수 기구에서 회수되어도 된다. 한편으로, 액체 회수 기구 (20) 의 회수구 (22) 나 회수관 (23) 내부에 있더라도, 박테리아가 발생할 가능성이 있기 때문에, 액체 회수 기구 (20) 를 사용하여 액체 회수를 실시함으로써, 회수관 (23) 이나 회수구 (22) 의 클리닝을 실시할 수 있다.
또한, 상기 서술한 바와 같이, 액체 공급의 재개를 실시하는 경우, 기판 스테이지 (PST) 를 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 에 대향하도록 이동시키지만, 소정의 경보 장치에서 기판 스테이지 (PST) 가 이동하는 취지나 액체 공급이 재개되는 취지를 알리도록 해도 된다. 이렇게 함으로써, 예를 들어 메인터넌스 중에 노광 장치 (EX) 내부에서 작업하고 있는 오퍼레이터는, 기판 스테이지 (PST) 가 이동하는 취지나 액체 공급이 재개되는 취지를 알 수 있다. 또한 경보 장치로서는, 경고음, 경고등, 디스플레이 표시 등, 임의의 수단을 사용할 수 있다.
또한, 계측기 (60) 의 계측 시간이 소정의 허용 시간을 초과하면, 소정의 경보 장치에서 오퍼레이터에게 그것을 통보하는 것만으로도 된다. 이와 같이 함으로써, 오퍼레이터가 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 재개하기 위한 조작을 실시할 수도 있다.
또한, 액체 공급을 재개할 때에는, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 과 기판 스테이지 (PST) 를 대향시키는 구성 외에, 평탄면을 갖는 기판 스테이지 (PST) 와 는 별도의 부재 (장치) 를 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 에 대향시키도록 해도 된다.
예를 들어, 일본 공개특허공보 평11-135400호에 개시되어 있는 것과 같이, 기판 스테이지 (PST) 와는 별도로, 계측용의 스테이지가 구비되어 있는 경우에는, 그 계측용 스테이지를 투영 광학계 (PL) 와 대향시킨 상태에서 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 개시하도록 해도 된다.
이러한 경우에도, 제어 장치 (CONT) 는, 계측용 스테이지 등의 별도의 부재가 투영 광학계 (PL) 에 대향하여 있는지의 여부를 판단한 후에, 액체 공급 장치 (10) 로부터의 액체 공급을 시작하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 서술한 바와 같은 복수의 처리 (반송 처리, 계측 처리, 및 노광 처리를 포함한다) 를 순서대로 실시하는 경우, 상기 허용 시간을 초과하지 않도록, 복수의 처리를 실시하는 순서를 설정하도록 해도 된다. 즉, 예를 들어, 비액침 상태에서의 기판 얼라인먼트계 (350) 에 의한 기준마크 (PFM) 의 계측이나 기판 (P) 상의 얼라인먼트 마크 (1) 의 계측을 연속하여 실시하면, 액체 공급의 정지 시간이 허용 시간을 초과할 가능성이 높아지는데, 액침 상태에서의 처리, 예를 들어 마스크 얼라인먼트계 (360) 에 의한 기준 마크 (MFM) 의 계측 처리나 조도 불균일 센서를 사용한 계측 처리와 비액침 상태에서의 처리를 예를 들어 교대로 행함으로써, 액체 공급의 정지 시간이 허용 시간을 초과할 가능성이 낮아진다. 이와 같이, 상기 허용 시간에 기초하여, 복수의 처리를 비액침 상태 및 액침 상태에서 순차적으로 실시하는 경우, 상기 허용 시간에 기초하여, 상기 복수의 처리를 실시하 는 순번을 설정하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 밸브 (15) 에 의해 공급관 (13) 의 유로가 닫혀져 있는지의 여부를 계측기 (60) 가 검지하도록 하고 있지만, 계측기 (60) 를 제어 장치 (CONT) 내에 배치하여, 제어 장치 (CONT) 가 공급관 (13) 의 유로를 닫도록 밸브 (15) 를 동작시켰을 때부터 시간 계측을 개시하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 밸브 (15) 의 동작으로부터 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지를 판단하고 있지만, 상기 서술한 바와 같이, 유량계 (16) 의 계측 결과에 기초하여, 액체 공급의 정지를 판단할 수도 있다. 따라서, 액체 공급 기구 (10) 에 의한 액체 공급을 정지하였을 때에는, 제어 장치 (CONT) 는, 유량계 (16) 의 계측 결과에 기초하여, 계측기 (60) 에 의한 시간 계측을 개시하도록 해도 된다.
또한, 공급관 (13) 에 설치되어 있는 유량계 (16) 에 의해 계측된 유량이 소정량보다도 적어졌을 때를 기준으로 하여, 계측기 (60) 의 시간 계측을 개시해도 된다.
나아가 회수관 (23) 에 유량계를 설치하고, 그 유량을 모니터함으로써도, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급이 정지된 것이나 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 단면 (2A) 이 비액침 상태로 된 것을 검지할 수 있기 때문에, 회수관 (23) 의 유량계에 의해 계측된 유량이 소정량보다도 적어졌을 때를 기준으로서 계측기 (60) 의 시간 계측을 시작하도록 해도 된다.
또한 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 이미지면측의 액체의 유무를 검 지하는 센서를 탑재하고, 그 센서가 액체가 아닌 것을 검지하였을 때를 기준으로 하여 계측기 (60) 의 시간 계측을 개시하도록 해도 된다. 이 센서로서, 예를 들어 포커스 검출계 (30) 를 사용해도 된다. 포커스 검출계 (30) 의 검출광 (반사광) 은 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측을 통과하고 있고, 투영 광학계 (PL) 의 이미지면측, 즉 검출광 (반사광) 의 광로에 액체 (LQ) 가 없어져 버리면 포커스 검출계 (30) 에 검출 에러가 생기기 때문에, 그 검출 에러를 모니터함으로써, 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 이미지면측의 액체의 유무를 검지할 수 있다.
또한, 상기 서술한 바와 같은, 액체 공급 장치 (10) 로부터의 액체 공급이 정지된 것이나, 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 단면 (2A) 이 비액침 상태를 검지하기 위한 기구를 복수 준비해두고, 그들을 적절하게 조합하여 계측기 (60) 의 시간 계측을 개시하도록 해도 된다.
또한, 노광 장치 (EX) 의 메인터넌스 등, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간이 허용 시간을 초과할 가능성이 있는 경우에는, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급과 액체 회수 기구 (20) 의 액체 회수를 소정 시간만 계속하고, 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 단면 (2A), 노즐 부재 (70) 의 하면 (70A), 기판 스테이지 (PST) 의 상면 (51) 등의 액체 접촉면을 청정한 액체 (LQ) 로 세정한 후에, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 정지하도록 해도 된다. 이와 같이 함으로써, 가령 액체 (LQ) 가 광학 소자 (2) 의 단면 (2A) 등에 잔류하더라도, 그 잔류한 액체 (LQ) 에 함유된 불순물이나 오염물을 적게 할 수 있기 때문에, 워터 마크 등의 부착 흔적의 형성을 억제할 수 있다.
또한 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간이 소정의 허용 시간을 경과하였을 때에, 액체 공급 기구 (10) 로부터의 액체 공급을 재개하여 정지 시간의 장기화에 기인하는 문제를 방지하도록 하고 있다. 그러나, 메인터넌스나 각종 에러로부터의 복귀를 위한 소정의 허용 시간이 경과하더라도 액체 공급을 개시할 수 없는 경우도 있다.
그 경우에는, 액체 공급의 정지 시간의 계측을 계속하고, 그 결과에 기초하여, 공급관 (13) 이나 광학 소자 (2) 의 교환 등을 실시하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 광사출측 (이미지면측) 으로의 액체 공급의 정지 시간을 계측하도록 하고 있지만, 국제 공개 제2004/019128호에 개시되어 있는 것과 같이, 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 광입사측의 광로 공간도 액체 (순수) 로 채우는 경우에는, 광학 소자 (2) 의 광입사측으로의 액체 공급의 정지 시간, 또는 광학 소자 (2) 의 광입사측이 액침 상태에서 비액침 상태로 변경되고 나서의 시간을 계측하도록 해도 된다.
또한, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 액체 공급 장치 (10) 로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측함으로써, 노광 장치 (EX) 에 탑재된 투영 광학계 (PL) 의 광학 소자 (2) 의 단면 (2A) 의 비액침 상태의 시간을 계측할 수 있도록 하고 있는데, 투영 광학계 (PL) 를 노광 장치 (EX) 에 탑재하기 전의 조정 공정 등에 있어서도, 예를 들어 국제공개공보 제2004/057295호에 기재되어 있는 것과 같이, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 을 액체에 담그고 각종 계측을 실시하는 것을 생각할 수 있다. 이러한 경우에도, 투영 광학계 (PL) 의 단면 (2A) 을 액침 상태에서 비액침 상태로 한 후의 경과 시간을 계측해 두고, 예를 들어 소정의 허용 시간이 경과하면 단면 (2A) 을 액체에 담그도록 해도 된다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 액체 (LQ) 는 순수에 의해 구성되어 있다. 순수는, 반도체 제조 공장 등에서 용이하게 대량으로 입수할 수 있음과 함께, 기판 (P) 상의 포토레지스트나 광학 소자 (렌즈) 등에 대한 악영향이 없는 이점이 있다. 또한, 순수는 환경에 대한 악영향이 없음과 함께, 불순물의 함유량이 매우 낮기 때문에, 기판 (P) 의 표면, 및 투영 광학계 (PL) 의 선단면에 설치되어 있는 광학 소자의 표면을 세정하는 작용도 기대할 수 있다. 또한 공장 등으로부터 공급되는 순수의 순도가 낮은 경우에는, 노광 장치가 초순수 제조기를 가지도록 해도 된다.
그리고, 파장이 193㎚ 정도인 노광광 (EL) 에 대한 순수 (물) 의 굴절률 n 은 거의 1.44 라고 일컬어지고 있고, 노광광 (EL) 의 광원으로서 ArF 엑시머 레이저광 (파장 193㎚) 을 사용한 경우, 기판 (P) 상에서는 1/n, 즉 약 134㎚ 로 단파장화되어 높은 해상도를 얻을 수 있다. 또한, 초점 심도는 공기 중에 비해 약 n 배, 즉 약 1.44 배로 확대되기 때문에, 공기 중에서 사용하는 경우와 같은 정도의 초점 심도를 확보할 수 있으면 되는 경우에는, 투영 광학계 (PL) 의 개구수를 보다 증가시킬 수 있어, 이 점에서도 해상도가 향상한다.
또한, 상기 서술한 바와 같이 액침법을 사용한 경우에는, 투영 광학계의 개구수 (NA) 가 0.9～1.3 이 될 수도 있다. 이와 같이 투영 광학계의 개구수 (NA) 가 커지는 경우에는, 종래로부터 노광광으로서 사용되고 있는 랜덤 편광광에서는 편광 효과에 의해 결상 성능이 악화할 수 있기 때문에, 편광 조명을 사용하는 것이 바람직하다. 그 경우, 마스크 (레티클) 의 라인 앤드 스페이스 패턴의 라인 패턴의 길이 방향에 맞춘 직선 편광 조명을 실시하고, 마스크 (레티클) 의 패턴으로부터는, S 편광 성분 (TE 편광 성분), 즉 라인 패턴의 길이 방향에 따른 편광 방향 성분의 회절광이 대부분 사출되도록 하면 된다. 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 표면에 도포된 레지스트 사이가 액체로 채워져 있는 경우, 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 표면에 도포된 레지스트의 사이가 공기 (기체) 로 채워져 있는 경우에 비해, 콘트라스트의 향상에 기여하는 S 편광 성분 (TE 편광 성분) 의 회절광의 레지스트 표면에서의 투과율이 높아지기 때문에, 투영 광학계의 개구수 NA 가 1.0 을 초과하는 경우에도 높은 결상 성능을 얻을 수 있다. 또한, 위상 시프트 마스크나 일본 공개특허공보 평6-188169호에 개시되어 있는 것과 같은 라인 패턴의 길이 방향으로 합쳐져 사입사 (斜入射) 조명법 (특히 다이폴 조명법) 등을 적절하게 조합하면 더욱 효과적이다.
또한, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저를 노광광으로 하고, 1/4 정도의 축소 배율의 투영 광학계 (PL) 를 사용하여, 미세한 라인 앤드 스페이스 패턴 (예를 들어 25～50㎚ 정도의 라인 앤드 스페이스) 을 기판 (P) 상에 노광하는 경우, 마스크 (M) 의 구조 (예를 들어 패턴의 미세도나 크롬의 두께) 에 따라서는, Wave guide 효과에 의해 마스크 (M) 가 편광판으로서 작용하고, 콘트라스트를 저하시키는 P 편광 성분 (TM 편광 성분) 의 회절광에 의해 S 편광 성분 (TE 편광 성분) 의 회절광 이 많이 마스크 (M) 에서 사출되게 되기 때문에, 상기 서술한 직선 편광 조명을 사용하는 것이 바람직하지만, 랜덤 편광광으로 마스크 (M) 를 조명하더라도, 투영 광학계 (PL) 의 개구수 (NA) 가 0.9～1.3 과 같이 큰 경우에도 높은 해상 성능을 얻을 수 있다. 또한, 마스크 (M) 상의 극미세인 라인 앤드 스페이스 패턴을 기판 (P) 상에 노광하는 경우, Wire Grid 효과에 의해 P 편광 성분 (TM 편광 성분) 이 S 편광 성분 (TE 편광 성분) 보다도 커질 가능성도 있지만, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저를 노광광으로 하고, 1/4 정도의 축소 배율의 투영 광학계 (PL) 를 사용하여, 25㎚ 보다 큰 라인 앤드 스페이스 패턴을 기판 (P) 상에 노광하는 경우에는, S 편광 성분 (TE 편광 성분) 의 회절광이 P 편광 성분 (TM 편광 성분) 의 회절광보다도 많이 마스크 (M) 로부터 사출되기 때문에, 투영 광학계 (PL) 의 개구수 (NA) 가 0.9～1.3 과 같이 큰 경우에도 높은 해상 성능을 얻을 수 있다.
또한, 마스크 (레티클) 의 라인 패턴의 길이 방향에 합쳐진 직선 편광 조명 (S 편광 조명) 뿐만 아니라, 일본 공개특허공보 평6-53120호에 개시되어 있는 것과 같이, 광축을 중심으로 한 원의 접선 (둘레) 방향으로 직선 편광하는 편광 조명법과 사입사 조명법의 조합도 효과적이다. 특히, 마스크 (레티클) 의 패턴이 소정의 한 방향으로 연장되는 라인 패턴 뿐만 아니라, 복수의 상이한 방향으로 연장되는 라인 패턴이 혼재하는 경우에는, 동일하게 일본 공개특허공보 평6-53120호에 개시되어 있는 것과 같이, 광축을 중심으로 한 원의 접선 방향으로 직선 편광하는 편광 조명법과 윤대 조명법을 병용함으로써, 투영 광학계의 개구수 (NA) 가 큰 경우이더라도 높은 결상 성능을 얻을 수 있다.
본 실시형태에서는, 투영 광학계 (PL) 의 선단에 광학 소자 (2) 가 장착되고, 이 렌즈에 의해 투영 광학계 (PL) 의 광학 특성, 예를 들어 수차 (구면 수차, 코마 수차 등) 의 조정을 실시할 수 있다. 또한, 투영 광학계 (PL) 의 선단에 성립되는 광학 소자로서는, 투영 광학계 (PL) 의 광학 특성 조정에 사용하는 광학 플레이트여도 된다. 또는 노광광 (EL) 이 투과 가능한 평행 평면판이어도 된다.
또한, 액체 (LQ) 의 흐름에 의해 발생하는 투영 광학계 (PL) 의 선단의 광학 소자와 기판 (P) 사이의 압력이 큰 경우에는, 그 광학 소자를 교환 가능하게 하는 것은 아니고, 그 압력에 의해 광학 소자가 움직이지 않도록 견고하게 고정해도 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 표면 사이는 액체 (LQ) 로 채워져 있는 구성인데, 예를 들어 기판 (P) 의 표면에 평행 평면판으로 이루어지는 커버 유리를 부착시킨 상태에서 액체 (LQ) 를 채우는 구성이어도 된다.
또한, 본 실시형태의 액체 (LQ) 는 물이지만, 물 이외의 액체여도 되는, 예를 들어, 노광광 (EL) 의 광원이 F2 레이저인 경우, 이 F2 레이저광은 물을 투과하지 않기 때문에, 액체 (LQ) 로서는 F2 레이저광을 투과 가능한, 예를 들어, 과불화 폴리에테르 (PFPE) 나 불소계 오일 등의 불소계 유체여도 된다. 이 경우, 액체 (LQ) 와 접촉하는 부분에는, 예를 들어 불소를 함유하는 극성이 작은 분자 구조의 물질로 박막을 형성함으로써 친액화 처리한다. 또한, 액체 (LQ) 로서는, 그 외 에도, 노광광 (EL) 에 대한 투과성이 있어 가능한 한 굴절률이 높고, 투영 광학계 (PL) 나 기판 (P) 표면에 도포되어 있는 포토 레지스트에 대해 안정적인 것 (예를 들어 시더유 (cedar oil)) 을 사용하는 것도 가능하다. 이 경우에도 표면 처리는 사용하는 액체 (LQ) 의 극성에 따라 실시된다.
또한, 상기 각 실시형태의 기판 (P) 으로서는, 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용의 유리 기판이나, 박막 자기 헤드용의 세라믹 웨이퍼, 또는 노광 장치에서 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판 (합성 석영, 규소 웨이퍼) 등이 적용된다.
노광 장치 (EX) 로서는, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 동기 이동하여 마스크 (M) 의 패턴을 주사 노광하는 스텝 앤드 스캔 방식의 주사형 노광 장치 (스캐닝 스테퍼) 외에, 마스크 (M) 와 기판 (P) 을 정지한 상태에서 마스크 (M) 의 패턴을 일괄 노광하고, 기판 (P) 을 순서대로 단계 이동시키는 스텝 앤드 리피트 방식의 투영 노광 장치 (스테퍼) 에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 기판 (P) 상에서 적어도 2 개의 패턴을 부분적으로 거듭 전사하는 스텝 앤드 스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 웨이퍼 등의 피처리 기판을 유지 가능한 기판 스테이지를 복수 구비한 멀티 스테이지형의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 예를 들어, 기판 스테이지를 2 개 구비한 트윈 스테이지형의 노광 장치의 구조 및 노광 동작은, 예를 들어 일본 공개특허공보 평10-163099호 및 일본 공개특허공보 평10-214783호 (대응 미국 특허 제6,341,007호, 제6,400,441호, 제6,549,269호 및 제6,590,634호 ), 일본 특허공표공보 2000-505958호 (대응 미국 특허 제5,969,441호) 또는 미국 특허 제6,208,407호에 개시되어 있고, 본 국제 출원으로 지정 또는 선택된 국가의 법령에 의해 허용되는 한에서, 그들의 개시를 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.
또한, 상기 서술한 실시 형태에 있어서는, 투영 광학계 (PL) 와 기판 (P) 의 사이에 국소적으로 액체를 채우는 노광 장치를 채용하고 있지만, 본 발명은, 노광 대상의 기판의 표면 전체를 액체로 덮은 상태에서 노광을 실시하는 액침 노광 장치에도 적용 가능하다. 노광 대상의 기판의 표면 전체가 액체로 덮여지는 액침 노광 장치의 구조 및 노광 동작은, 예를 들어 일본 공개특허공보 평6-124873호, 일본 공개특허공보 평10-303114호, 미국 특허 제5,825,043호 등에 상세히 기재되어 있고, 본 국제 출원으로 지정 또는 선택된 국가의 법령에 의해 허용되는 한에서, 이 문헌의 기재 내용을 원용하여 본문 기재의 일부로 한다.
노광 장치 (EX) 의 종류로는, 기판 (P) 에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용의 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이 제조용의 노광 장치나, 박막 자기 헤드, 촬상 소자 (CCD) 또는 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
기판 스테이지 (PST) 나 마스크 스테이지 (MST) 에 리니어 모터 (USP5,623,853 또는 USP5,528,118 을 참조) 를 사용하는 경우에는, 에어 베어링을 사용한 에어 부상형 및 로렌츠력 또는 리액턴스력을 사용한 자기 부상형의 어느 쪽을 사용해도 된다. 또한, 각 스테이지 (PST, MST) 는, 가이드를 따라 이동하는 타입이어도 되고, 가이드를 설치하지 않은 가이드리스 타입이어도 된다.
각 스테이지 (PST, MST) 의 구동 기구로서는, 이차원에 자석을 배치한 자석 유닛과, 이차원에 코일을 배치한 전기자 유닛을 대향시켜 전자력에 의해 각 스테이지 (PST, MST) 를 구동하는 평면 모터를 사용해도 된다. 이 경우, 자석 유닛과 전기자 유닛 중 어느 일방을 스테이지 (PST, MST) 에 접속하고, 자석 유닛과 전기자 유닛의 타방을 스테이지 (PST, MST) 의 이동면측에 설치해도 된다.
기판 스테이지 (PST) 의 이동에 의해 발생하는 반력 (反力) 은, 투영 광학계 (PL) 에 전달되지 않도록, 일본 공개특허공보 평8-166475호 (USP5,528,118) 에 기재되어 있는 것과 같이, 프레임 부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빠져나가게 해도 된다.
마스크 스테이지 (MST) 의 이동에 의해 발생하는 반력은, 투영 광학계 (PL) 에 전달되지 않도록, 일본 공개특허공보 평8-330224호 (미국 특허 제5,874,820) 에 기재되어 있는 것과 같이, 프레임 부재를 사용하여 기계적으로 바닥 (대지) 으로 빠져나가게 해도 된다.
이상과 같이, 본원 실시형태의 노광 장치 (EX) 는, 본원 특허 청구의 범위에 기재된 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브 시스템을, 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록, 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해, 이 조립의 전후에는, 각종 광학계에 대해서는 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대해서는 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대해서는 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 실시된다. 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치로의 조립 공정은, 각종 서브 시스템 상호의, 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브 시스템으로부터 노광 장치로의 조립 공정 전에, 각 서브 시스템 개개의 조립 공정이 있는 것은 말할 필요도 없다. 각종 서브 시스템의 노광 장치로의 조립 공정이 종료되면, 종합 조정이 실시되고, 노광 장치 전체로서의 각종 정밀도가 확보된다. 또한, 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸으로 실시하는 것이 바람직하다.
반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 실시하는 단계 (201), 이 설계 단계에 기초한 마스크 (레티클) 를 제작하는 단계 (202), 디바이스의 기재인 기판을 제조하는 단계 (203), 상기 서술한 실시형태의 노광 장치 (EX) 에 의해 마스크의 패턴을 기판에 노광하는 노광 처리 단계 (204), 디바이스 조립 단계 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함한다 ; 205), 검사 단계 (206) 등을 거쳐 제조된다.

Claims (34)

  1. 투영 광학계와 액체를 개재하여 기판 상에 노광광을 조사하고, 상기 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 액체를 공급하기 위한 액체 공급 기구와,
    상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지 시간을 계측하는 계측기를 구비한 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 정지 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때에, 상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급을 재개하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 액체 공급 기구는 액체를 흐르게 하기 위한 유로를 갖고,
    상기 허용 시간은, 상기 유로에 있어서의 박테리아의 증식 시간을 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 노광광은, 상기 투영 광학계의 단면이 상기 액체에 접촉된 상태에서 상기 기판 상에 조사되고,
    상기 허용 시간은, 상기 투영 광학계의 단면에 부착된 액체의 건조 시간을 고려하여 결정되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 허용 시간은, 상기 투영 광학계의 단면의 액체의 건조에 의해, 그 단면에 불순물이 부착되지 않도록 결정되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 투영 광학계의 단면측에 상기 액체 공급 기구로부터의 상기 액체의 공급이 정지된 후,
    상기 투영 광학계의 단면이 액체와 접촉하도록, 상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급을 재개하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 유지하는 기판 스테이지를 구비하고,
    상기 허용 시간을 초과하였을 때에, 상기 투영 광학계와 상기 기판 스테이지의 평탄부를 대향시킨 후에, 상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급을 재개하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판을 유지하는 기판 스테이지를 구비하고,
    상기 기판 스테이지 상에 기판 또는 더미 기판을 유지한 상태에서 상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급을 재개하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체는 순수인 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 공급 기구는, 상기 액체를 흐르게 하기 위한 유로와 그 유로의 개폐를 실시하기 위한 밸브를 갖고,
    상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지는, 상기 밸브의 동작에 기초하여 판단되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 공급 기구는, 상기 액체를 흐르게 하기 위한 유로와 그 유로를 흐르는 액체의 유량을 계측하는 유량계를 갖고,
    상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지는, 상기 유량계의 계측 결과에 기초하여 판단되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지는, 상기 투영 광학계의 아래가 상기 액체에 의한 액침 상태 영역에서 비액침 상태가 된 것에 기초하여 판단되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투영 광학계의 이미지면측에 액체가 있는지의 여부를 검지하는 검출기를 구비하고,
    상기 액체가 없는 것을 상기 검출기가 검지한 것에 기초하여, 상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지가 판단되는 노광 장치.
  14. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투영 광학계와 소정 물체를 대향시킨 상태에서, 상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급을 재개하는 노광 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 소정 물체는, 상기 투영 광학계의 이미지면에서 이동 가능한 스테이지를 포함하는 노광 장치.
  16. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투영 광학계와 상기 기판 사이에 공급된 상기 액체를 회수하는 액체 회수 기구를 구비하고,
    상기 액체 공급 기구에 의한 액체 공급을 정지한 후에도, 상기 액체 회수 기구의 구동을 계속시키는 노광 장치.
  17. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투영 광학계와 상기 기판 사이에 공급된 상기 액체를 회수하는 액체 회수 기구를 구비하고,
    상기 액체 회수 기구는, 상기 액체를 회수하기 위한 유로와 상기 유로를 흐르는 액체의 유량을 계측하는 유량계를 갖고,
    상기 액체 공급 기구로부터의 액체 공급의 정지는, 상기 액체 회수 기구의 유량계의 계측 결과에 기초하여 판단되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  18. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정지 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때에, 경보를 발생하는 경보 장치를 더 구비하는 노광 장치.
  19. 제 1 항에 기재된 노광 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  20. 액체를 개재하여 패턴의 이미지를 투영하는 투영 광학계의 메인터넌스 방법으로서,
    상기 투영 광학계의 이미지면측의 단면이 액침 상태에서 비액침 상태로 되고 나서의 경과 시간을 계측하는 것을 특징으로 하는 메인터넌스 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 경과 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때에, 상기 투영 광학계의 이미지면측의 단면을 액체로 적시는 것을 특징으로 하는 메인터넌스 방법.
  22. 제 20 항 또는 제 21 항에 기재된 방법을 사용하여 메인터넌스된 투영 광학계를 사용하고, 디바이스 패턴의 이미지를 액체를 개재하여 기판 상에 투영함으로써, 상기 기판을 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  23. 투영 광학계와 액체를 개재하여 기판 상에 노광광을 조사하고, 상기 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 계측 방법으로서,
    상기 투영 광학계와 상기 기판 사이에 상기 액체를 공급하는 것과,
    상기 투영 광학계와 상기 기판 사이로의 상기 액체의 공급이 정지된 후에 있어서의 액체 공급의 정지 시간을 계측하는 것을 포함하는 계측 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    액체 공급 기구에 의해 상기 투영 광학계와 상기 기판 사이에 상기 액체가 공급되고,
    상기 액체 공급의 정지는, 상기 액체 공급 기구의 유로에 형성된 밸브의 동작에 기초하여 판단되는 것을 특징으로 하는 계측 방법.
  25. 제 23 항 또는 제 24 항에 있어서,
    액체 공급 기구에 의해 상기 투영 광학계와 상기 기판 사이에 상기 액체가 공급되고,
    상기 액체 공급의 정지는, 상기 액체 공급 기구의 유로에 형성된 유량계의 계측 결과에 기초하여 판단되는 것을 특징으로 하는 계측 방법.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 액체 공급의 정지는, 상기 투영 광학계의 아래가 상기 액체에 의한 액침 상태 영역에서 비액침 상태가 된 것에 기초하여 판단되는 것을 특징으로 하는 계측 방법.
  27. 제 23 항에 있어서,
    상기 투영 광학계와 소정 물체를 대향시킨 상태에서, 액체 공급 기구로부터 액체 공급을 재개하는 것을 더 포함하는 계측 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 소정 물체는, 상기 투영 광학계의 이미지면에서 이동 가능한 스테이지를 포함하는 계측 방법.
  29. 제 2 항에 있어서,
    상기 정지 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때에, 상기 액체 공급 기구의 공급로에 대한 클리닝이 수행되는 노광 장치.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 클리닝은, 상기 공급로에 체류하고 있는 액체를 배출하는 것을 포함하는 노광 장치.
  31. 제 1 항에 있어서,
    상기 계측기는, 상기 투영 광학계의 이미지면측 단면이 비액침 상태가 되고나서의 경과 시간을 계측하는 노광 장치.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 경과 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때에, 경보를 발생하는 경보 장치를 더 구비하는 노광 장치.
  33. 제 20 항에 있어서,
    상기 경과 시간이 소정의 허용 시간을 초과하였을 때에, 상기 투영 광학계의 이미지면측에 액체를 공급하는 액체 공급 기구의 공급로를 클리닝하는 것을 더 포함하는 메인터넌스 방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 클리닝은, 상기 공급로에 체류하고있는 액체를 배출하는 것을 포함하는 메인터넌스 방법.
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101503992B1 (ko) 2003-04-09 2015-03-18 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI511179B (zh) 2003-10-28 2015-12-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
TWI379344B (en) 2004-02-06 2012-12-11 Nikon Corp Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4548341B2 (ja) * 2004-02-10 2010-09-22 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
JP5076497B2 (ja) * 2004-02-20 2012-11-21 株式会社ニコン 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
KR101323967B1 (ko) * 2004-06-09 2013-10-31 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
KR20170016532A (ko) * 2004-06-09 2017-02-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
EP1821337B1 (en) 2004-12-06 2016-05-11 Nikon Corporation Maintenance method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101452145B1 (ko) 2005-05-12 2014-10-16 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
JP4654120B2 (ja) * 2005-12-08 2011-03-16 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びにコンピュータプログラム
JP2007286162A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Nikon Corp 液浸顕微鏡装置
SG175671A1 (en) * 2006-05-18 2011-11-28 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
JP5029611B2 (ja) * 2006-09-08 2012-09-19 株式会社ニコン クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR100830586B1 (ko) * 2006-12-12 2008-05-21 삼성전자주식회사 기판을 노광하는 장치 및 방법
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7817241B2 (en) * 2007-07-05 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4861264B2 (ja) * 2007-07-17 2012-01-25 株式会社東芝 光情報記録装置
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US9019466B2 (en) * 2007-07-24 2015-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, reflective member and a method of irradiating the underside of a liquid supply system
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
EP2179330A1 (en) 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2179329A1 (en) 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1036273A1 (nl) * 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
NL1036306A1 (nl) * 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
CN101910253B (zh) * 2008-01-15 2013-04-10 陶氏康宁公司 倍半硅氧烷树脂
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN105606344B (zh) 2008-05-28 2019-07-30 株式会社尼康 照明光学系统、照明方法、曝光装置以及曝光方法
US8946514B2 (en) * 2009-12-28 2015-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US20030136736A1 (en) 2001-11-30 2003-07-24 Craighead Harold G. Diffusion-based molecular separation in structured microfluidic devices

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3893763A (en) * 1974-01-31 1975-07-08 Eastman Kodak Co Liquid gate for individual film frame printing
JPS5711723A (en) 1980-06-25 1982-01-21 Tachikawa Spring Co Ltd Pipe
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
JPH0463603A (ja) 1990-06-29 1992-02-28 Okuma Mach Works Ltd 推力自動調整式心押台
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
US6591634B1 (en) 1994-02-25 2003-07-15 Toshinori Morizane Method for production of metal oxide glass film at a low temperature
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
US6297871B1 (en) * 1995-09-12 2001-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
IL130137A (en) 1996-11-28 2003-07-06 Nikon Corp Exposure apparatus and an exposure method
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands B.V., Veldhoven In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
US6400411B1 (en) 1998-01-13 2002-06-04 Avid Technology, Inc. System and process for maintaining consistent video levels when digitizing video signals using different video capture devices
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US6579302B2 (en) 2001-03-06 2003-06-17 Cordis Corporation Total occlusion guidewire device
US7160429B2 (en) 2002-05-07 2007-01-09 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures and methods of and apparatus for producing such structures
JP3869730B2 (ja) * 2002-01-16 2007-01-17 株式会社平間理化研究所 処理液調製供給方法及び装置
ES2230952B1 (es) 2002-08-02 2006-07-16 Maria Alarcon Lopez Dispositivo para el ensamblaje de muebles.
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG10201803122UA (en) * 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
TWI612556B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005064210A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Nikon Corp 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
KR101915921B1 (ko) 2003-08-21 2019-01-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2005071717A1 (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4548341B2 (ja) 2004-02-10 2010-09-22 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
US7583362B2 (en) * 2004-11-23 2009-09-01 Infineon Technologies Ag Stray light feedback for dose control in semiconductor lithography systems
USD549269S1 (en) 2006-05-26 2007-08-21 Wolf Peak Holdings, Llc Eyewear
US8013975B2 (en) * 2006-12-01 2011-09-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US20030136736A1 (en) 2001-11-30 2003-07-24 Craighead Harold G. Diffusion-based molecular separation in structured microfluidic devices

Also Published As

Publication number Publication date
US20090244503A1 (en) 2009-10-01
EP1724815A4 (en) 2007-10-24
WO2005076323A1 (ja) 2005-08-18
EP2256790A2 (en) 2010-12-01
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