JP4210871B2 - 露光装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程中で、マスクパターンを感光性の基板上に転写するために使用される露光装置に関し、特に露光ビームの状態、又は結像特性等を計測するための計測装置を備えた露光装置に使用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子等を製造する際に、所定の露光光のもとでマスクとしてのレチクルのパターンを投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に転写する工程で、従来は一括露光型の投影露光装置(ステッパー)が多用されていた。最近では、投影光学系を大型化することなく大面積のレチクルのパターンを高精度に転写するために、レチクル及びウエハを投影光学系に対して同期走査して露光を行うステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の投影露光装置(走査型露光装置)も注目されている。
【0003】
これらの露光装置では、常に適正な露光量で、且つ高い結像特性を維持した状態で露光を行う必要があるため、レチクルの位置決めを行うレチクルステージ、又はウエハの位置決めを行うウエハステージには、露光光の照度等の状態、及び投影倍率等の結像特性を計測するための計測装置が備えられている。例えばウエハステージに備えられている計測装置としては、投影光学系に対する露光光の入射エネルギーを計測するための照射量モニタ、及び投影像の位置やコントラスト等を計測するための空間像検出系等がある。一方、レチクルステージ上に備えられている計測装置としては、例えば投影光学系の結像特性計測用に用いられる指標マークが形成された基準板がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の如き従来の露光装置においては、レチクルステージ、又はウエハステージに設けられた計測装置を用いて、露光量の適正化が図られると共に、高い結像特性が維持されていた。これに対して、最近の露光装置には、半導体素子等を製造する際の露光工程のスループット(生産性)を高めることも要求されている。スループットを向上させるための方法としては、単位時間当たりの露光エネルギーを増加させる方法の他に、ステージの駆動速度を大きくして、一括露光型ではステッピング時間を短縮し、走査露光型ではステッピング時間及び走査露光時間を短縮する方法がある。
【0005】
このようにステージの駆動速度を向上させるには、ステージ系が同じ大きさである場合にはより大きい出力の駆動モータを使用すればよく、逆に従来と同じ出力の駆動モータで駆動速度を向上させるには、ステージ系を小型化、軽量化する必要がある。ところが、前者のようにより大きい出力の駆動モータを使用すると、その駆動モータから発生する熱量が増大する。このように増大する熱量は、ステージ系の微妙な熱変形を生じて、露光装置で要求されている高い位置決め精度が得られなくなる恐れがある。そこで、位置決め精度の劣化を防止して、駆動速度を向上するには、後者のようにステージ系をできるだけ小型化、軽量化することが望まれる。
【0006】
特に、走査露光型の露光装置では、駆動速度の向上によって走査露光時間も短縮されてスループットが大きく改善されると共に、ステージ系の小型化によってレチクルとウエハとの同期精度も向上して、結像性能や重ね合わせ精度も向上するという大きな利点がある。ところが、従来のようにレチクルステージ、又はウエハステージに各種計測装置が備えられている場合には、ステージを小型化するのは困難である。
【0007】
更に、レチクルステージ、又はウエハステージに露光光の状態、又は結像特性等を計測するための計測装置が備えられている場合、その計測装置には通常アンプ等の熱源が付属していると共に、計測中に露光光の照射によってその計測装置の温度が次第に上昇する。その結果、レチクルステージ、又はウエハステージが微妙に熱変形して、位置決め精度や重ね合わせ精度等が劣化する恐れもある。現状では、計測装置の温度上昇による位置決め精度等の劣化は僅かなものであるが、今後、半導体素子等の回路パターンが一層微細化するにつれて、計測装置の温度上昇の影響を抑制する必要性が高まると予想される。
【0008】
本発明は斯かる点に鑑み、露光光の状態、又は結像特性を計測する機能を維持した状態で、レチクル、又はウエハを位置決めするためのステージを小型化できる露光装置を提供することを第1の目的とする。
更に本発明は、露光光の状態、又は結像特性を計測する計測装置を備えると共に、その計測装置を使用して計測する際の温度上昇の悪影響を軽減できる露光装置を提供することを第2の目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明による第1の露光装置は、マスク(R)に形成されたパターンを露光ビームを用いて基板(W)上に転写する露光装置において、その基板を保持して所定の領域を移動する第1のステージ(WST)と、その第1のステージとは独立して移動自在に配置され、その基板を保持しない第2のステージ(14)と、この第2のステージに設けられてその露光ビームの状態を計測する計測装置(18)と、その第1のステージに保持された基板の露光中、その露光ビームの照射位置から離れた待避位置にその第2のステージを配置するとともに、その露光ビームの照射位置にその第2のステージを配置して、その第1のステージへの基板のロードと並行してその計測装置によるその露光ビームの状態の計測を実行可能とする制御装置(10)と、を備えたものである。
【0010】
斯かる本発明によれば、本来の露光に使用するその第1のステージには露光に必要な最小限の機能のみを持たせることによって、その第1のステージの大きさは必要最小限にできるため、ステージの小型化、軽量化が可能になる。一方、露光に直接必要がなく、露光ビームの照度等の状態を計測する計測装置は、別の第2のステージに搭載されるため、露光ビームの状態も計測できる。
【0011】
この場合、その計測装置の一例は、露光ビームの全体のパワーを計測する光電センサ、又はその露光ビームの照度分布を計測する照度むらセンサ等である。
また、その第2のステージは、一例として例えばその第1のステージの移動面上で、その第1のステージとは独立に移動自在に配置されているものである。このとき、その第1のステージの代わりにその第2のステージを配置することによって、マスク、又は基板が実際に配置される面の近傍での露光ビームの状態が計測できる。
【0012】
また、その露光ビームが照射される位置とその露光ビームが照射されない位置との間でその第1のステージを移動させる制御装置(10)を備えることが望ましい。このとき、計測時にはその第1のステージが露光ビームの照射位置から待避される。
また、その露光ビームが照射される位置とその露光ビームが照射されない位置との間でその第2のステージを移動させる制御装置(10)を備えることが望ましい。これによって、計測時にはその第2のステージの計測装置が露光ビームの照射位置に移動する。
【0013】
また、その第1のステージがその露光ビームを照射される位置に有るときに、その第2のステージをその露光ビームが照射されない位置に位置決めする制御装置(10)を備えることが望ましい。これによって、露光時、及び計測時で2つのステージを効率的に使い分けられる。
次に、本発明による第2の露光装置は、マスク(R)に形成されたパターンを投影光学系(PL)を介して基板(W)上に投影する露光装置において、その基板を保持して所定の領域を移動する第1のステージ(WST)と、その第1のステージとは独立して移動自在に配置され、その基板を保持しない第2のステージ(14)と、この第2のステージに設けられてその投影光学系の結像特性を計測する計測装置(20)と、その第1のステージに保持された基板の露光中、その投影光学系の露光領域から離れた待避位置にその第2のステージを配置するとともに、その投影光学系と対向してその第2のステージを配置して、その第1のステージへの基板のロードと並行してその計測装置によるその結像特性の計測を実行可能とする制御装置(10)と、を備えたものである。
【0014】
斯かる本発明によれば、本来の露光に使用するその第1のステージには露光に必要な最小限の機能のみを持たせることによって、その第1のステージの小型化、軽量化が可能になる。一方、露光に直接必要がなく、ディストーション等の結像特性を計測する計測装置は、別の第2のステージに搭載されるため、結像特性も計測できる。
【0015】
この場合、その計測装置の一例は、投影像の位置センサ、計測用指標マーク、又は計測用基準面等である。
また、その第2のステージは、一例として例えばその第1のステージの移動面上で、その第1のステージとは独立に移動自在に配置されているものである。このとき、その第1のステージの代わりにその第2のステージを配置することによって、その基板が実際に配置される面での結像特性が計測できる。
【0016】
また、その投影光学系による露光領域内の位置と、この露光領域の外側の所定の位置との間でその第1のステージを移動させる制御装置(10)を備えることが望ましい。このとき、計測時にはその第1のステージが露光領域から待避される。
同様に、その投影光学系による露光領域内の位置と、この露光領域の外側の所定の位置との間でその第2のステージを移動させる制御装置(10)を備えることが望ましい。このとき、計測時にはその第2のステージの計測装置が露光領域に移動する。
【0017】
次に、本明細書の「発明の実施の形態」に記載された別の発明(以下、「本発明の第3、第4、第5、及び第6の露光装置」という。)は、以下の通りである。
即ち、本発明の第3の露光装置は、マスク(R)に形成されたパターンを露光ビームを用いて基板(W)上に転写する露光装置において、その露光ビームの状態を計測する計測装置(18,19)が配置されたステージ(41)と、このステージに備えられてその計測装置を冷却する冷却装置(44,45A,45B)と、を有するものである。斯かる本発明によれば、その計測装置を使用して露光ビームの照度等を計測する際にその計測装置が温度上昇しても、その冷却装置によって冷却されるため、露光部にはその温度上昇の影響が及ばない。
【0018】
次に、本発明の第4の露光装置は、マスク(R)に形成されたパターンを投影光学系(PL)を介して基板(W)上に投影する露光装置において、その投影光学系の結像特性を計測する計測装置(20,42,43)が配置されたステージ(41)と、このステージに備えられてその計測装置を冷却する冷却装置(44,45A,45B)と、を有するものである。斯かる本発明によれば、その計測装置を使用して結像特性を計測する際にその計測装置が温度上昇しても、その冷却装置によって冷却されるため、露光部にはその温度上昇の影響が及ばない。
【0019】
次に、本発明の第5の露光装置は、マスク(R)に形成されたパターンを露光ビームを用いて基板(W)上に転写する露光装置において、そのマスクとその基板との何れか一方を保持して所定の領域を移動する第1のステージ(WST;41A)と、その露光ビームの状態を計測する計測装置(18,19)が搭載された第2のステージ(14;41Aa)と、その第1のステージとその第2のステージとの間に配置され、その第2のステージから伝導する熱を遮断する断熱部材(48)と、を備えたものである。斯かる本発明によれば、その計測装置が熱源を含んでいても、又はその計測装置を使用して露光ビームの照度等を計測する際にその計測装置が温度上昇しても、その断熱部材によって熱伝導が阻害され、露光部にはその熱源や温度上昇の影響が及ばない。
【0020】
この場合、その断熱部材の一例は、熱伝導率の低い固体材料(48)、又は温度調整された気体である。温度調整された気体としては、空調されている気体等が使用される。
次に、本発明の第6の露光装置は、マスク(R)に形成されたパターンを投影光学系(PL)を介して基板(W)上に投影する露光装置において、その基板を保持して所定の領域を移動する第1のステージ(WST;41A)と、その投影光学系の結像特性を計測する計測装置(20)が搭載された第2のステージ(14;41Aa)と、その第1のステージとその第2のステージとの間に配置され、その第2のステージから伝導する熱を遮断する断熱部材(48)と、を備えたものである。斯かる本発明によれば、その計測装置を使用して結像特性を計測する際にその計測装置が温度上昇しても、又はその計測装置が熱源を含んでいても、その断熱部材によって熱伝導が阻害されるため、露光部にはその温度上昇等の影響が及ばない。
【0021】
この場合も、その断熱部材の一例は、熱伝導率の低い固体材料(48)、又は温度調整された気体である。
また、本発明の第1及び第2の露光装置においては、その第2のステージ(14)が、この第2ステージの位置の基準となる基準部材を有していれば、この第2ステージの位置を正確に求めることができる。
同様に、本発明の第3及び第4の露光装置においては、ステージ(14)が、このステージの位置の基準となる基準部材を有していれば、このステージの位置を正確に求めることができる。
また、本発明の第2の露光装置においては、その投影光学系(PL)による露光領域内において、その第1のステージ(WST)の位置とその第2のステージ(14)の位置とが、共通の干渉計(15)により計測されれば、その第1のステージの位置とその第2のステージの位置とを正確に求めることができるとともに、装置構成を簡単にできる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第1の実施の形態につき図1〜図4を参照して説明する。
図1は本例で使用されるステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置を示し、この図1において露光時には、露光光源、ビーム整形光学系、照度分布均一化用のフライアイレンズ、光量モニタ、可変開口絞り、視野絞り、及びリレーレンズ系等を含む照明系1から射出された露光光ILは、ミラー2、及びコンデンサレンズ3を介してレチクルRのパターン面(下面)のスリット状の照明領域を照明する。露光光ILとしては、KrF(波長248nm)、若しくはArF(波長193nm)等のエキシマレーザ光、YAGレーザの高調波、又は水銀ランプのi線(波長365nm)等が使用できる。照明系1内の可変開口絞りを切り換えることによって、通常の照明方法、輪帯照明、いわゆる変形照明、及び小さいコヒーレンスファクタ(σ値)の照明等の内の所望の照明方法を選択できるように構成されている。露光光源がレーザ光源である場合には、その発光タイミング等は装置全体の動作を統轄制御する主制御系10が、不図示のレーザ電源を介して制御する。
【0023】
レチクルRのその露光光ILによる照明領域9(図3参照)内のパターンの像は、投影光学系PLを介して投影倍率β(βは、1/4倍、又は1/5倍等)で縮小されて、フォトレジストが塗布されたウエハW上のスリット状の露光領域12に投影される。以下、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向に直交する非走査方向(即ち、図1の紙面に垂直な方向)に沿ってX軸を取り、走査方向(即ち、図1の紙面に平行な方向)に沿ってY軸を取って説明する。
【0024】
先ず、ウエハWのアライメント用のオフ・アクシス方式で画像処理方式のアライメントセンサ16が投影光学系PLに隣接して設けられており、アライメントセンサ16の検出信号が主制御系10内のアライメント処理系に供給されている。アライメントセンサ16は、ウエハW上に形成されている位置合わせ用のマーク(ウエハマーク)等の位置検出を行うために使用される。アライメントセンサ16の検出中心と投影光学系PLによるレチクルRの投影像の中心との間隔(ベースライン量)は予め高精度に求められて、主制御系10内のアライメント処理系に記憶されており、アライメントセンサ16の検出結果、及びそのベースライン量よりウエハWの各ショット領域とレチクルRの投影像とが高精度に重ね合わせられる。不図示であるが、レチクルRの上方にはレチクルR上のアライメントマークを検出するためのレチクルアライメント顕微鏡が配置されている。
【0025】
次に、レチクルRは、レチクルステージRST上に真空吸着によって保持され、レチクルステージRSTは、Y方向に平行に配置された2本のガイド4A及び4B上にエアーベアリングを介してY方向に移動自在に載置されている。更に本例では、ガイド4A及び4B上に、レチクルステージRSTとは独立にエアーベアリングを介してY方向に移動自在に計測用ステージ5が載置されている。
【0026】
図3は、レチクルステージRST及び計測用ステージ5を示す平面図であり、この図3において、Y方向(走査方向)に伸びたガイド4A及び4Bに沿って、それぞれ不図示のリニアモータ等によってY方向に駆動されるようにレチクルステージRST、及び計測用ステージ5が載置されている。ガイド4A,4Bの長さは、走査露光時のレチクルステージRSTの移動ストロークよりも、少なくとも計測用ステージ5の幅分だけ長く設定されている。また、レチクルステージRSTは、Y方向に移動する粗動ステージと、この粗動ステージ上で2次元的な位置が微調整できる微動ステージとを組み合わせて構成されている。
【0027】
そして、計測用ステージ5上にX方向に細長いガラス板よりなる基準板6が固定され、基準板6上に投影光学系PLの結像特性計測用の複数の指標マークIMが所定の配置で形成されている。基準板6は、レチクルRに対する露光光のスリット状の照明領域9、より正確には投影光学系PLのレチクルR側の視野を覆うことができるだけの大きさを備えている。基準板6を使用することで、結像特性計測用の専用レチクルを用意しておく必要がなく、且つ、実露光用のレチクルRとその専用レチクルとの交換時間も不要となるため、結像特性を高頻度に計測でき、投影光学系PLの経時変化に正確に追従することができる。
【0028】
このように本例では、基準板6用の計測用ステージ5が独立に設けられ、本来のレチクルステージRST上には、レチクルRの他に計測用の部材は搭載されていない。即ち、レチクルステージRSTは、走査露光のために必要最小限の走査、及び位置決め機能のみを備えればよいため、レチクルステージRSTの小型化、軽量化が実現されている。従って、レチクルステージRSTをより高速に走査できるため、露光工程のスループットが向上する。特に縮小投影の場合には、レチクルステージRSTの走査速度はウエハステージの走査速度の1/β倍(例えば4倍、5倍等)になるため、走査速度の上限はレチクルステージでほぼ決定されることがあり、この場合には本例では特にスループットが大きく向上する。
【0029】
また、ガイド4A,4Bに対して+Y方向に設置されたレーザ干渉計7YからレチクルステージRSTの+Y方向の側面の移動鏡にレーザビームが照射され、+X方向に設置された2軸のレーザ干渉計7X1,7X2からレチクルステージRSTの+X方向の側面の移動鏡にレーザビームが照射され、レーザ干渉計7Y,7X1,7X2によってレチクルステージRSTのX座標、Y座標、及び回転角が計測され、計測値が図1の主制御系10に供給され、主制御系10はその計測値に基づいてリニアモータ等を介してレチクルステージRSTの速度や位置を制御する。また、ガイド4A,4Bに対して−Y方向に設置されたレーザ干渉計8Yから計測用ステージ5の−Y方向の側面の移動鏡にレーザビームが照射され、レーザ干渉計8Yによって計測される計測用ステージ5のY座標が主制御系10に供給されている。Y軸のレーザ干渉計7Y及び8Yの光軸は、それぞれY方向に沿って照明領域9の中心、即ち投影光学系PLの光軸AXを通過しており、レーザ干渉計7Y及び8Yは、それぞれ常時レチクルステージRST及び計測用ステージ5の走査方向の位置を計測している。
【0030】
そして、結像特性の計測時に、レチクルステージRSTを+Y方向に待避させて、基準板6が照明領域9を覆うように計測用ステージ5をY方向に移動すると、レーザ干渉計7X1,7X2からのレーザビームがレチクルステージRSTの側面から外れて計測用ステージ5の+X方向の側面の移動鏡に照射されるようになる。このときにレーザ干渉計8Y及び7X1,7X2から得られる計測値に基づいて、主制御系10はリニアモータ等を介して計測用ステージ5の位置を高精度に制御する。なお、この際に基準板6を照明領域9に対してより高精度に位置合わせしたい場合には、基準板6上にアライメントマークを形成しておき、このマークの位置をレチクルアライメント顕微鏡を用いて検出すればよい。
【0031】
一方、計測中には、レチクルステージRSTの非走査方向の位置は計測されないが、露光のためにレチクルステージRSTが照明領域9下に達すれば、再びレーザ干渉計7X1,7X2からのレーザビームがレチクルステージRSTの移動鏡に照射されるようになる。そして、最終的な位置合わせはレチクルアライメント顕微鏡を用いて行われるため、レーザ干渉計7X1,7X2からのレーザビームが途切れることの不都合は無い。
【0032】
図1に戻り、ウエハWは不図示のウエハホルダを介してウエハステージWST上に保持され、ウエハステージWSTは定盤13上にエアーベアリングを介してX方向、Y方向に移動自在に載置されている。ウエハステージWSTには、ウエハWのZ方向の位置(フォーカス位置)、及び傾斜角を制御するフォーカス・レベリング機構も組み込まれている。また、定盤13上にウエハステージWSTとは別体でエアーベアリングを介してX方向、Y方向に移動自在に各種の計測装置が備えられた計測用ステージ14が載置されている。計測用ステージ14にも、その上面のフォーカス位置を制御する機構が組み込まれている。
【0033】
図2は、ウエハステージWST、及び計測用ステージ14を示す平面図であり、この図2において、定盤13の表面の内部には例えば所定の配列でコイル列が埋め込まれ、ウエハステージWSTの底面、及び計測用ステージ14の底面にはそれぞれヨークと共に磁石列が埋め込まれ、そのコイル列、及び対応する磁石列によってそれぞれ平面モータが構成され、この平面モータによってウエハステージWST、及び計測用ステージ14のX方向、Y方向の位置、及び回転角が互いに独立に制御されている。なお、平面モータについては、例えば特開平8−51756号公報においてより詳細に開示されている。
【0034】
本例のウエハステージWSTは、露光に必要な最小限の機能のみを備えている。即ち、ウエハステージWSTは、フォーカス・レベリング機構を備えると共に、ウエハステージWST上には、ウエハWを吸着保持するウエハホルダ(ウエハWの底面側)と、ウエハステージWSTの位置計測用の基準マーク板17との2つの部材が固定されている。基準マーク板17上には、X方向及びY方向の位置基準となる基準マーク(不図示)が形成されており、この基準マークの位置をアライメントセンサ16で検出することによって、ウエハステージWST(ウエハW)の例えばレチクルRの投影像に対する位置関係が検出される。
【0035】
また、計測用ステージ14の表面は、ウエハステージWST上のウエハWの表面とほぼ同じ高さに設定されている。そして、計測用ステージ14には、投影光学系PLを通過した露光光の全部の単位時間当たりのエネルギー(入射エネルギー)を計測するための光電センサよりなる照射量モニタ18、投影光学系PLによるスリット状の露光領域12内での照度分布を計測するための光電センサよりなる照度むらセンサ19、及び結像特性測定用のスリット21X,21Yが形成された測定板20が固定されている。測定板20のX軸のスリット21X、及びY軸のスリット21Yの底面側にはそれぞれ集光レンズ、及び光電センサが配置され、測定板20、及び光電センサ等より空間像検出系が構成されている。なお、そのスリット21X,21Yの代わりに、矩形開口のエッジを使用してもよい。そして、照射量モニタ18の受光面は、露光領域12を覆う大きさに形成されると共に、照度むらセンサ19の受光部はピンホール状となっており、照射量モニタ18及び照度むらセンサ19の検出信号は図1の主制御系10に供給されている。
【0036】
また、測定板20の底部の光電センサの検出信号は図1の結像特性演算系11に供給されている。この場合、投影光学系PLの結像特性の計測時には、図3のレチクル側の計測用ステージ5上の基準板6が照明領域9に移動され、基準板9に形成されている指標マークIMの像がウエハステージ側に投影され、その像を計測板20上のスリット21X,21YでそれぞれX方向、Y方向に走査しつつ、底部の光電センサからの検出信号を結像特性演算系11で取り込む。結像特性演算系11では、その検出信号を処理してその指標マークIMの像の位置、及びコントラスト等を検出し、この検出結果より投影像の像面湾曲、ディストーション、ベストフォーカス位置等の結像特性を求めて主制御系10に出力する。更に、不図示であるが、投影光学系PL内の所定のレンズを駆動して所定のディストーション等の結像特性を補正する機構も設けられており、主制御系10はこの補正機構を介して投影光学系PLの結像特性を補正できるように構成されている。
【0037】
図2において、計測用ステージ14に備えられている照射量モニタ18、照度むらセンサ19、及び測定板20の底部の光電センサ等のセンサには、何れもアンプ等の発熱源、及び電源や通信用の信号ケーブルが接続されている。従って、それらのセンサが露光用のウエハステージWSTに搭載されていると、センサに付随する熱源や信号ケーブルの張力によって位置決め精度等が劣化する恐れがある。また、結像特性等の計測中の露光光の照射による熱エネルギーも位置決め精度の悪化等を招く恐れがある。これに対して本例では、それらのセンサが露光用のウエハステージWSTから分離された計測用ステージ14に設けられているため、ウエハステージWSTを小型化、軽量化できると共に、計測用のセンサの熱源や計測中の露光光の熱エネルギーによる位置決め精度の低下が防止できる利点がある。ウエハステージWSTの小型化によって、ウエハステージWSTの移動速度や制御性が向上し、露光工程のスループットが高まると共に、位置決め精度等がより向上する。
【0038】
また、定盤13に対して+Y方向に設置されたレーザ干渉計15YからウエハステージWSTの+Y方向の側面の移動鏡にレーザビームが照射され、−X方向に設置された2軸のレーザ干渉計15X1,15X2からウエハステージWSTの−X方向の側面の移動鏡にレーザビームが照射され、レーザ干渉計15Y,15X1,15X2によってウエハステージWSTのX座標、Y座標、及び回転角が計測され、計測値が図1の主制御系10に供給され、主制御系10はその計測値に基づいて平面モータを介してウエハステージWSTの速度や位置を制御する。また、露光光の入射エネルギー等の計測時には、それらの位置計測用のレーザビームは計測用ステージ14の移動鏡に照射される。
【0039】
図4は、露光光の入射エネルギー等の計測時のウエハステージWST、及び計測用ステージ14の配置の一例を示し、この図4に示すようにウエハステージWSTを露光領域12から離れた位置に待避させて、露光領域12が計測用ステージ14上にかかるように計測用ステージ14を移動すると、レーザ干渉計15Y,15X1,15X2からのレーザビームが、ウエハステージWSTの側面から外れて計測用ステージ14の側面の移動鏡に照射されるようになる。このときにレーザ干渉計15Y及び15X1,15X2から得られる計測値に基づいて、主制御系10は平面モータを介して計測用ステージ14の位置を高精度に制御する。なお、平面モータをオープンループで駆動することによってもウエハステージWST、及び計測用ステージ14の位置は大まかに制御できるため、レーザビームが照射されていない状態では、主制御系10はウエハステージWST、及び計測用ステージ14の位置を平面モータを用いてオープンループ方式で駆動する。但し、レーザ干渉計15Y,15X1,15X2の他に、ウエハステージWST、及び計測用ステージ14の位置を所定精度で検出するためのリニアエンコーダ等を設けておき、レーザビームが照射されていない状態では、それらのリニアエンコーダ等を用いて位置計測を行ってもよい。
【0040】
図1に戻り、不図示であるが、投影光学系PLの側面には、ウエハWの表面の複数の計測点にスリット像を斜めに投影し、その反射光によって再結像されるスリット像の横ずれ量から対応する計測点のフォーカス位置を検出する斜入射方式の焦点位置検出系(AFセンサ)が配置されている。その焦点位置検出系の検出結果に基づいて、走査露光中のウエハWの表面が投影光学系PLの像面に合焦される。なお、図2では省略しているが、計測用ステージ14上にはその焦点位置検出系用の基準面を有する基準部材も搭載されている。
【0041】
次に、本例の投影露光装置の動作につき説明する。先ず、ウエハステージ側の計測用ステージ14を用いて投影光学系PLに対する露光光ILの入射光量を計測する。この場合、レチクルRがロードされた状態での入射光量を計測するために、図1において、レチクルステージRST上に露光用のレチクルRがロードされ、レチクルRが露光光ILの照明領域上に移動する。その後、図4に示すように、ウエハステージWSTは定盤13上で例えば+Y方向に待避し、計測用ステージ14が投影光学系PLによる露光領域12に向かって移動する。その後、計測用ステージ14上の照射量モニタ18の受光面が露光領域12を覆う位置で計測用ステージ14が停止し、この状態で照射量モニタ18を介して露光光ILの光量が計測される。
【0042】
主制御系10では、その計測された光量を結像特性演算系11に供給する。この際に、例えば照明系1内で露光光ILから分岐して得られる光束を検出して得られる計測値も結像特性演算系11に供給されており、結像特性演算系11では、2つの計測値に基づいて、照明系1内でモニタされる光量から投影光学系PLに入射する光量を間接的に演算するための係数を算出して記憶する。この間に、ウエハステージWSTにはウエハWがロードされる。その後、図2に示すように、計測用ステージ14は露光領域12から離れた位置に待避し、ウエハステージWST上のウエハWの中心が投影光学系PLの光軸AX(露光領域12の中心)付近に位置するように、ウエハステージWSTの移動が行われる。ウエハステージWSTが待避中であるときには、図4に示すように、レーザ干渉計15Y,15X1,15X2からのレーザビームは照射されないため、例えば平面モータをオープンループ方式で駆動することによって位置制御が行われている。
【0043】
その後、計測用ステージ14が露光領域12から待避して、ウエハステージWSTにレーザ干渉計15Y,15X1,15X2からのレーザビームが照射されるようになった時点で、ウエハステージWSTの位置はそれらのレーザ干渉計の計測値に基づいて制御されるようになる。その後、レチクルRの上方の不図示のレチクルアライメント顕微鏡を用いて、レチクルR上の所定のアライメントマークと、図2の基準マーク部材17上の所定の基準マークとの位置ずれ量を所定の目標値にするように、レチクルステージRSTを駆動することによって、レチクルRのアライメントが行われる。これとほぼ同時に、その基準マーク部材17上の別の基準マークの位置を図1のアライメントセンサ16で検出することによって、ウエハステージWSTのレチクルRの投影像に対する位置関係(ベースライン量)が正確に検出される。
【0044】
次に、アライメントセンサ16を介してウエハW上の所定のショット領域(サンプルショット)に付設されたウエハマークの位置を検出することによって、ウエハWの各ショット領域の配列座標が求められる。その後、その配列座標、及びアライメントセンサ16の既知のベースライン量に基づいて、ウエハWの露光対象のショット領域とレチクルRのパターン像との位置合わせを行いながら、走査露光が行われる。
【0045】
走査露光時には、図1において、露光光ILの照明領域9(図3参照)に対して、レチクルステージRSTを介してレチクルRが+Y方向(又は−Y方向)に速度VRで走査されるのに同期して、露光領域12に対してウエハステージWSTを介してウエハWが−X方向(又は+X方向)に速度β・VR(βは投影倍率)で走査される。走査方向が逆であるのは、投影光学系PLが反転像を投影することによる。そして、1つのショット領域への露光が終了すると、ウエハステージWSTのステッピングによって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で各ショット領域への露光が順次行われる。この走査露光中には、図2及び図3に示すように、ウエハステージ側の計測用ステージ14、及びレチクルステージ側の計測用ステージ5はそれぞれ露光領域外に待避している。
【0046】
また、露光中には、例えば照明系1内で露光光ILから分岐した光束の光量が常時計測されて結像特性演算系11に供給され、結像特性演算系11では、供給される光量の計測値、及び予め求めてある係数に基づいて投影光学系PLに入射する露光光ILの光量を算出し、露光光ILの吸収によって発生する投影光学系PLの結像特性(投影倍率、ディストーション等)の変化量を計算し、この計算結果を主制御系10に供給する。主制御系10では、例えば投影光学系PL内の所定のレンズを駆動することによって、その結像特性の補正を行う。
【0047】
以上が、通常の露光であるが、本例の投影露光装置のメンテナンス等で装置状態を計測するときには、計測用ステージ14を露光領域12側に移動して計測を行う。例えば、露光領域12内の照度均一性を測定するときは、レチクルRをレチクルステージRSTから除いた後、図4において、照度むらセンサ19を露光領域12内でX方向、Y方向に微動しながら照度分布を計測する。この際に、計測用ステージ14の位置をより正確に求める必要があれば、ウエハステージWSTと同様に基準マーク部材17に相当する基準マーク部材を計測用ステージ14上に設け、アライメントセンサ16でその基準マーク部材内の基準マークの位置を測定するようにしてもよい。
【0048】
次に、レチクルステージ側の計測用ステージ5、及びウエハステージ側の計測用ステージ14を用いて、投影光学系PLの結像特性を測定する動作につき説明する。この場合、図3において、レチクルステージRSTは+Y方向に待避して、計測用ステージ5上の基準板6が照明領域9内に移動する。このとき、計測用ステージ5には非走査方向のレーザ干渉計7X1,7X2からのレーザビームも照射されるようになるため、レーザ干渉計8Y,7X1,7X2の計測値に基づいて計測用ステージ5の位置は高精度に位置決めできる。
【0049】
このときに、既に説明したように、ウエハステージ側には複数の指標マークIMの像が投影光学系PLを介して投影される。この状態で、図4において、計測用ステージ14を駆動して、測定板20上のスリットでその指標マークIMの像をX方向、Y方向に走査し、測定板20の底部の光電センサの検出信号を結像特性演算系11で処理することによって、それらの像の位置、及びコントラストが求められる。また、測定板20のフォーカス位置を所定量ずつ変えながら、それらの像の位置、及びコントラストが求められる。これらの測定結果より、結像特性演算系11は、投影光学系PLの投影像のベストフォーカス位置、像面湾曲、ディストーション(倍率誤差を含む)といった結像特性の変動量を求める。この変動量は主制御系10に供給され、その変動量が許容範囲を超える場合には、主制御系10は投影光学系PLの結像特性を補正する。
【0050】
上記の実施の形態では、図2に示すように、ウエハステージWST及び計測用ステージ14は、それぞれ定盤13上で平面モータによって駆動されている。しかしながら、1次元モータの組み合わせによってウエハステージWST及び計測用ステージ14を2次元的に駆動する構成も可能である。
そこで、次に、ウエハステージ、及び計測用ステージをそれぞれ1次元モータを組み合わせた機構で駆動する第2の実施の形態につき、図5を参照して説明する。本例も、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用したものであり、図5において図1及び図2に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
【0051】
図5(a)は本例の投影露光装置のウエハステージ側を示す平面図、図5(b)はその正面図であり、図5(a),(b)において、定盤33の上面にX方向に沿って平行に2本のX軸リニアガイド34A及び34Bが設置され、X軸リニアガイド34A及び34Bを連結するように、Y方向(走査方向)に細長いY軸リニアガイド32が設置されている。Y軸リニアガイド32は、不図示のリニアモータによってX軸リニアガイド34A,34Bに沿ってX方向に駆動される。
【0052】
また、Y軸リニアガイド32に沿ってそれぞれY方向に移動自在に、且つ互いに独立にウエハステージ31、及び計測用ステージ35が配置され、ウエハステージ31上に不図示のウエハホルダを介してウエハWが吸着保持され、計測用ステージ35上には照射量モニタ18、照度むらセンサ19、及び測定板20が固定され、測定板20の底部には光電センサが組み込まれている。この場合、ウエハステージ31、及び計測用ステージ35の底面はそれぞれエアーベアリングを介して定盤33上に載置され、ウエハステージ31、及び計測用ステージ35はそれぞれ独立に不図示のリニアモータを介してY軸リニアガイド32に沿ってY方向に駆動される。即ち、ウエハステージ31、及び計測用ステージ35はそれぞれ独立にY軸リニアガイド32、及びX軸リニアガイド34A,34Bに沿って2次元的に駆動される。そして、本例においても、図3のレチクルステージ側のレーザ干渉計7Y,7X1,7X2,8Yと同様な4軸のレーザ干渉計によって、ウエハステージ31、及び計測用ステージ35の2次元的な位置が計測され、この計測結果に基づいてウエハステージ31、及び計測用ステージ35の位置や駆動速度が制御されている。その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
【0053】
本例において、露光光の照射エネルギー、又は投影光学系の結像特性を計測する際には、露光光による露光領域に対して−Y方向に離れた位置にウエハステージ31が待避して、その露光領域に計測用ステージ35が移動する。一方、露光時には、露光光による露光領域に対して+Y方向に離れた位置に計測用ステージ35が待避する。その後、ウエハステージ31をX方向、Y方向にステッピングさせて、ウエハW上の露光対象のショット領域を露光領域に対する走査開始位置に移動した後、ウエハステージ31をY軸リニアガイド32に沿ってY方向に定速移動することによって、当該ショット領域への走査露光が行われる。
【0054】
上述のように本例によれば、Y軸リニアガイド32に沿って計測用ステージ35がウエハステージ31とは独立に配置されている。この構成によって、より高いステージの制御精度が要求される走査方向(Y方向)の駆動では、計測用ステージ35を駆動する必要がないと共に、ウエハステージ31は小型化、軽量化されているため、走査速度が向上でき、走査露光時の同期精度等も向上している。一方、非走査方向(X方向)に対しては計測用ステージ35も同時に駆動されるため、駆動機構に対する負荷は大きくなる。しかしながら、非走査方向では走査方向に比べてそれ程高い制御精度が要求されないため、そのような負荷の増加の影響は小さい。更に、発熱源としての計測用ステージ35がウエハステージ31から分離されているため、ウエハステージ31の位置決め精度等の低下が防止されている。
【0055】
なお、本例において、図5(a),(b)に2点鎖線で示すようにY軸リニアガイド32と並列に第2のY軸リニアガイド36をX方向に移動自在に配置し、このY軸リニアガイド32に計測用ステージ35をY方向に移動自在に配置してもよい。これによって、ウエハステージ31をX方向へ駆動する際の制御精度も向上する。
【0056】
また、上記の第1の実施の形態では、図3に示すように、同一のガイド4A,4Bに沿ってレチクルステージRST、及び計測用ステージ5が配置されているが、図2のウエハステージ側のようにレチクルステージRST、及び計測用ステージ5が独立に2次元的に動けるようにしてもよい。
更に、上記の実施の形態では、ウエハWが載置されるウエハステージWST,31はそれぞれ1つ設けられているが、ウエハWが載置されるウエハステージを複数個設けても良い。この場合、1つのウエハステージで露光を行い、他方のウエハステージでアライメント用の計測、あるいはウエハ交換を行う方法を使用することもできる。同様に、レチクルステージ側にもレチクルRが載置される複数のレチクルステージを設け、これら複数のレチクルステージに異なるレチクルを載置して、これらのレチクルを順次ウエハ上の同一のショット領域に露光条件(フォーカス位置、露光量、照明条件等)を変えて露光するようにしてもよい。
【0057】
次に、本発明の第3の実施の形態につき図6及び図7を参照して説明する。本例は、ウエハステージに設けられた計測装置を冷却する冷却装置を設けたものであり、図6及び図7において図1及び図2に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
図6は、本例の投影露光装置を示し、この図6において、投影光学系PLによる露光領域12側にウエハWが配置され、ウエハWは不図示のウエハホルダを介してウエハステージ41上に保持され、ウエハステージ41は定盤13上に例えば平面モータによってX方向、Y方向に駆動されるように載置されている。不図示であるがウエハステージ41内にはウエハWのフォーカス位置、及び傾斜角を制御する機構も組み込まれている。更に、ウエハステージ41にはウエハWを囲むように露光光ILや結像特性の計測機構が組み込まれている。
【0058】
図7は、図6のウエハステージ41の平面図を示し、この図7において、ウエハW(ウエハホルダ)の近傍には、基準マーク部材17、照射量モニタ18、照度むらセンサ19、スリット21X,21Yが形成された測定板20が配置されている。また、ウエハステージ41上で照射量モニタ18の近傍には、持ち運びできる基準照度計を設置するための凹部47が形成されており、凹部47に基準照度計を設置して露光光ILの入射エネルギーを計測することによって、異なる投影露光装置間の照度のマッチングを取れるようになっている。更に、ウエハステージ41上の一隅に平坦度等の基準となる基準平面が形成された基準部材46も固定されている。本例では、これらの計測機構の熱源を冷却するための冷却装置が設けられている。
【0059】
即ち、図6に一部を切り欠いて示すように、測定板20のスリット21Yの底部に集光レンズ42、及び光電センサ43が配置され、不図示であるが光電センサ43にはアンプ等も接続されている。そこで、ウエハステージ41の内部に光電センサ43の近傍を通過するように冷却管44が設置され、冷却管44には大きな可撓性を有する配管45Aを介して、外部の冷却装置より低温の液体よりなる冷媒が供給され、配管45A内を通過した冷媒は大きな可撓性を有する配管45Bを介してその冷却装置に戻されている。また、その冷却管44は、図7の照射量モニタ18、照度むらセンサ19の近傍、並びに基準照度計用の凹部47、基準マーク部材17、基準部材46の底部をも通過している。本例では、これらの計測装置のアンプ等の熱源からの熱エネルギーが冷却管44内の冷媒を介して排出されるため、その熱エネルギーによってウエハWの位置決め精度等が悪化することがない。また、露光光ILの入射エネルギー等の計測時に、照射量モニタ18や照度むらセンサ19に露光光ILが照射された場合でも、その照射エネルギーは冷却管44内の冷媒を介して排出されるため、その照射エネルギーによってウエハWの位置決め精度等が悪化することがない。
【0060】
なお、本例では液体よりなる冷媒を使用して計測装置を冷却しているが、例えば空調用の空気等をそれらの計測装置の近傍に集中的に送風して冷却を行ってもよい。
次に、本発明の第4の実施の形態につき図8を参照して説明する。本例は、ウエハステージ上でウエハの配置領域(第1のステージ)と計測装置の配置領域(第2のステージ)との間に断熱部材を設けたものであり、図8において図7に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
【0061】
図8は、図7のウエハステージ41と同様に定盤上をX方向、Y方向に駆動されるウエハステージ41Aを示し、この図8において、ウエハステージ41Aの上部は、熱伝導率の低い材料よりなる断熱板48によって、計測装置設置領域41Aaと、それ以外の領域とに分かれている。熱伝導率の低い材料としては、ステンレススチール、鉄、黄銅等の金属、セラミックス、又はガラス等が使用できる。そして、後者の領域上にウエハホルダ(不図示)を介してウエハWが載置されると共に、位置基準となる基準マーク部材17が設置され、前者の計測装置設置領域41Aa内に、位置基準となるマークが形成された基準マーク部材17A、照射量モニタ18、照度むらセンサ19、基準平面を有する基準部材46、及びスリットが形成された測定板20が配置されている。更に、計測装置設置領域41Aa上には、基準照度計を設置するための凹部47が形成されている。
【0062】
本例においても、露光光や結像特性の計測時に計測装置設置領域41Aa内の計測装置が使用されるが、これらの計測装置のアンプ等で発生する熱エネルギーは断熱板48によってウエハW側には拡散しにくいため、ウエハWの位置決め精度等が悪化することがない。同様に、計測時に露光光によって与えられる照射エネルギーも断熱板48によってウエハW側には拡散しにくい利点がある。
【0063】
なお、例えば図2に示すように、ウエハステージWSTと計測用ステージ14とが分離している構成でも、ウエハステージWSTと計測用ステージ14との間の空調された空気を断熱部材とみなすことができる。また、レチクルステージ側でも、レチクルが載置される領域と、計測装置が設置される領域との間に断熱部材を配置するようにしてもよい。
【0064】
また、上記の実施の形態は本発明をステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に適用したものであるが、本発明は一括露光型の投影露光装置(ステッパー)にも適用できると共に、投影光学系を使用しないプロキシミティ方式の露光装置にも適用できる。また、露光装置のみならず、ウエハ等を位置決めするためのステージを使用する検査装置、又はリペア装置等に用いてもよい。
【0065】
このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0066】
【発明の効果】
本発明の第1及び第2の露光装置によれば、基板を移動するための第1のステージに対して計測装置を備えた第2のステージが独立に設けられているため、それぞれ露光ビーム(露光光)の状態、又は投影光学系の結像特性を計測する機能を維持した状態で、基板を位置決めするためのステージを小型化、軽量化できる利点がある。従って、これらのステージの制御性能を向上でき、露光工程のスループットも向上すると共に、計測装置を構成する光電センサ、又はアンプ等の熱源が露光用のステージから分離されることになって、重ね合わせ精度等が向上する。特に本発明をステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の露光装置に適用すると、走査速度の向上によってスループットが大きく向上するため、本発明の効果は特に大きい。
【0067】
これらの場合、第2のステージは、第1のステージとは独立に移動自在に配置されているときには、その第1のステージを迅速に計測領域に移動できる。
また、露光ビームが照射される位置(露光領域)と、露光ビームが照射されない位置(非露光領域)との間で第1のステージを移動させる制御装置を備えたときには、計測時に迅速にその第1のステージを待避できる。
【0068】
また、露光ビームが照射される位置(露光領域)と、露光ビームが照射されない位置(非露光領域)との間で第2のステージを移動させる制御装置を備えたときには、露光時に迅速にその第2のステージを待避できる。
また、第1のステージが露光ビームを照射される位置に有るときに、第2のステージを露光ビームが照射されない位置に位置決めする制御装置を備えたときには、それら2つのステージを効率的に使い分けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の投影露光装置を示す概略構成図である。
【図2】図1のウエハステージWST、及び計測用ステージ14を示す平面図である。
【図3】図1のレチクルステージRST、及び計測用ステージ5を示す平面図である。
【図4】その第1の実施の形態において、計測用ステージ14を用いて露光光の状態等を計測する場合の説明に供する平面図である。
【図5】(a)は本発明の第2の実施の形態の投影露光装置のウエハステージ、及び計測用ステージを示す平面図、(b)は図5(a)の正面図である。
【図6】本発明の第3の実施の形態の投影露光装置を示す一部を切り欠いた概略構成図である。
【図7】図6の投影露光装置のウエハステージを示す平面図である。
【図8】本発明の第4の実施の形態の投影露光装置のウエハステージを示す平面図である。
【符号の説明】
R レチクル
RST レチクルステージ
4A,4B ガイド
5 レチクルステージ側の計測用ステージ
6 基準板
PL 投影光学系
W ウエハ
WST,31,41,41A ウエハステージ
10 主制御系
11 結像特性演算系
13 定盤
14,35 ウエハステージ側の計測用ステージ
17 基準マーク部材
18 照射量モニタ
19 照度むらセンサ
20 測定板
32 Y軸リニアガイド
33 定盤
34A,34B X軸リニアガイド
48 断熱板
Claims (11)
- マスクに形成されたパターンを露光ビームを用いて基板上に転写する露光装置において、
前記基板を保持して所定の領域を移動する第1のステージと、
前記第1のステージとは独立して移動自在に配置され、前記基板を保持しない第2のステージと、
該第2のステージに設けられて前記露光ビームの状態を計測する計測装置と、
前記第1のステージに保持された基板の露光中、前記露光ビームの照射位置から離れた待避位置に前記第2のステージを配置するとともに、前記露光ビームの照射位置に前記第2のステージを配置して、前記第1のステージへの基板のロードと並行して前記計測装置による前記露光ビームの状態の計測を実行可能とする制御装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記パターンを前記基板上に投影する投影光学系を備え、前記計測装置は、前記投影光学系の結像特性を計測可能である請求項1記載の露光装置。
- マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影する露光装置において、
前記基板を保持して所定の領域を移動する第1のステージと、
前記第1のステージとは独立して移動自在に配置され、前記基板を保持しない第2のステージと、
該第2のステージに設けられて前記投影光学系の結像特性を計測する計測装置と、
前記第1のステージに保持された基板の露光中、前記投影光学系の露光領域から離れた待避位置に前記第2のステージを配置するとともに、前記投影光学系と対向して前記第2のステージを配置して、前記第1のステージへの基板のロードと並行して前記計測装置による前記結像特性の計測を実行可能とする制御装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記第1のステージは複数設けられ、前記複数の第1のステージの1つに保持される基板の露光と並行して、前記1つの第1のステージとは別の第1のステージに保持される基板のアライメント用の計測あるいはその基板の交換が行われる請求項1から3のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第1のステージと前記第2のステージをそれぞれ独立に駆動する平面モータを含む駆動装置を備える請求項1から4のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第1のステージと前記第2のステージとで一部が共用されるリニアモータを含み、前記第1のステージと前記第2のステージをそれぞれ独立に駆動する駆動装置を備える請求項1から4のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記基板のマークを検出するアライメント系を備え、前記第2のステージは、前記アライメント系によって検出可能な基準マークを有する請求項1から6のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記基板のマークを検出するアライメント系を備え、前記第1のステージは、前記アライメント系によって検出可能な基準マークを有する請求項1から7のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記マスクを保持するマスクステージを備え、前記マスクステージと前記第1のステージとによって前記マスクと前記基板とを同期移動して前記基板の走査露光を行う請求項1から8のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記マスクを保持するマスクステージと、前記露光ビームが照射されるマーク部材を有し、前記マスクステージとは独立して可動な計測用ステージとを備える請求項1から9のいずれか一項に記載の露光装置。
- それぞれマスクを保持して独立に可動な複数のマスクステージを備える前記請求項1から10のいずれか一項に記載の露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29977597A JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 露光装置 |
| AU96481/98A AU9648198A (en) | 1997-10-31 | 1998-10-26 | Aligner and exposure method |
| PCT/JP1998/004843 WO1999023692A1 (en) | 1997-10-31 | 1998-10-26 | Aligner and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29977597A JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 露光装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135400A JPH11135400A (ja) | 1999-05-21 |
| JPH11135400A5 JPH11135400A5 (ja) | 2005-07-07 |
| JP4210871B2 true JP4210871B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=17876815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29977597A Expired - Fee Related JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4210871B2 (ja) |
| AU (1) | AU9648198A (ja) |
| WO (1) | WO1999023692A1 (ja) |
Families Citing this family (156)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6351041B1 (en) | 1999-07-29 | 2002-02-26 | Nikon Corporation | Stage apparatus and inspection apparatus having stage apparatus |
| JP4230676B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2009-02-25 | 株式会社東芝 | 露光装置の照度むらの測定方法、照度むらの補正方法、半導体デバイスの製造方法及び露光装置 |
| KR101187612B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-10-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101724117B1 (ko) | 2003-04-10 | 2017-04-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
| CN101813892B (zh) | 2003-04-10 | 2013-09-25 | 株式会社尼康 | 沉浸式光刻装置及使用光刻工艺制造微器件的方法 |
| KR101289959B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
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| WO2004112108A1 (ja) | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Nikon Corporation | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
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| EP1662554A4 (en) | 2003-08-21 | 2008-01-23 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| CN101477312B (zh) | 2003-09-03 | 2015-04-08 | 株式会社尼康 | 曝光设备和装置制造方法 |
| EP1670043B1 (en) | 2003-09-29 | 2013-02-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
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| TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
| TWI628698B (zh) | 2003-10-28 | 2018-07-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
| JP4605014B2 (ja) | 2003-10-28 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
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| KR20080107363A (ko) | 2006-03-03 | 2008-12-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
| JPH09199413A (ja) * | 1996-01-23 | 1997-07-31 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP29977597A patent/JP4210871B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-26 AU AU96481/98A patent/AU9648198A/en not_active Abandoned
- 1998-10-26 WO PCT/JP1998/004843 patent/WO1999023692A1/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU9648198A (en) | 1999-05-24 |
| WO1999023692A1 (en) | 1999-05-14 |
| JPH11135400A (ja) | 1999-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041026 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080118 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081002 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081015 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141107 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141107 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141107 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |