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KR100648050B1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR100648050B1
KR100648050B1 KR1020050088993A KR20050088993A KR100648050B1 KR 100648050 B1 KR100648050 B1 KR 100648050B1 KR 1020050088993 A KR1020050088993 A KR 1020050088993A KR 20050088993 A KR20050088993 A KR 20050088993A KR 100648050 B1 KR100648050 B1 KR 100648050B1
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물과, 상기 화학식 1의 화합물, 또는 이 화합물에 열 경화성 또는 광경화성 작용기가 도입된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다:
유기 발광 소자, 유기물층, 정공주입물질, 정공수송물질, 아크리딘

Description

유기 발광 소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자주입층(8) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
본 발명은 유기 발광 소자에 이용 가능한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다. 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 음극과 양극으로부터 각각 전자와 정공이 유기물층으로 주입된다. 유기물층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광소자는 일반적으로 음극과 양극 및 양극과 음극 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수 송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 대부분 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이다. 상기 유기발광 소자에 사용되는 물질은 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
위에서 언급한 외에, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.
첫째로 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 열적 안정성이 우수한 것이 바람직하다. 유기 발광 소자 내에서는 전하들의 이동에 의한 줄열(joule heating)이 발생하기 때문이다. 현재 유기 발광 소자의 정공수송층 물질로 주로 사용되는 NPB는 유리 전이 온도가 100 oC 이하의 값을 가지므로, 높은 전류를 필요로 하는 유기 발광 소자에서는 사용하기 힘든 문제가 있다.
둘째로 저전압에서 구동 가능한 고효율의 유기 발광 소자를 얻기 위해서는 유기 발광 소자 내로 주입된 정공 또는 전자들이 원활하게 발광층으로 전달되는 동시에, 주입된 정공과 전자들이 발광층 밖으로 빠져나가지 않도록 하여야 한다. 이를 위해서 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 적절한 밴드갭(band gap)과 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 용액 도포법에 의해 제조되는 유기 발광 소자에서 정공수송 물질로 사용되는 PEDOT:PSS의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물의 LUMO 에너지 준위에 비하여 LUMO 에너지 준위가 낮기 때문에 고효율 및 장수명의 유기 발광 소자 제조에 어려움이 있다.
이외에도 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 화학적 안정성, 전하이동도, 전극이나인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 즉, 유기 발광소자에서 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 그리고, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.
당 기술 분야에서는 상기와 같은 요건을 갖춘 유기물의 개발이 요구되고 있다.
본 발명자들은 유기 발광 소자에서 사용 가능한 물질에 요구되는 조건, 예컨대 적절한 에너지 준위, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성 등을 만족시킬 수 있으며, 치환기에 따라 유기 발광 소자에서 요구되는 다양한 역할을 할 수 있는 화학 구조를 갖는 유기화합물을 밝혀내었다.
이에 본 발명은 본 발명자들이 밝혀낸 유기화합물, 상기 유기화합물을 이용한 유기 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 화합물, 상기 화합물에 열 경화성 또는 광경화성 작용기가 도입된 화합물 및 제1 전극, 발광층을 포함하는 1층 이상으로 이루어진 유기물층, 및 제2 전극을 순차적으로 적층된 형태로 포함하는 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 하기 화학식 1의 화합물, 또는 화학식 1의 화합물에 열 경화성 또는 광경화성 작용기가 도입된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112005053415186-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X는 C 또는 Si이고,
Ar1 내지 Ar6는 각각 독립적으로 또는 동시에 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, , , 치환 또는 비치환된 아 릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로 고리기이며, 여기서 이들은 서로 인접한 기와 축합고리를 형성할 수 있고,
R1 내지 R10은 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자 알킬기 알콕시기 티오알콕시기 아세틸렌기 ; 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 알케닐기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 알키닐기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴아민기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로 고리기 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 아미노기 니트릴기 니트로기 할로겐기 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되며,
여기서 이들은 서로 인접하는 기와 지방족 또는 헤테로의 축합 고리를 형성할 수 있고,
또한 R3와 R4 및 R7와 R8는 각각 독립적으로 또는 동시에 직접 연결되거나, 또는 O, S, NR, PR, CRR', 및 SiRR'로 이루어진 군에서 선택되는 기와 함께 축합고리를 형성할 수 있으며, 여기서 R 및 R'는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소, 산소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, 할로겐기, 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되고,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 또는 동시에 알킬기 알콕시기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로 고리기 니트릴기 아미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된다.
여기서 상기 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴기 또는 헤테로고리에 치환될 수 있는 치환기는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로 고리기, 니트릴기 또는 아세틸렌기이다.
상기 화학식 1의 치환기를 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 화학식 1 중 Ar1 내지 Ar6의 구체적인 예로는 하기와 같은 화학식의 기들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112005053415186-pat00002
상기 식에 있어서, Y 및 Y'는 각각 수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택되며, 이들은 서로 연결되어 축합고리를 형성할 수 있다.
상기 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드 등이 있고, 상기 아릴아민기의 예로는 디페닐 아민기, 페틸 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸기, 트리페닐 아민기 등이 있으며, 상기 아릴기의 예로는 페닐, 나프틸, 안트라닐, 비페닐기 등이 있고, 헤테로 고리기의 예로는 피리딜기, 아크리딜기, 티오펜기, 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기 또는 퀴놀리닐이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1의 R1 내지 R12 중 알킬기, 알콕시기, 알케닐기는 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1의 R1 내지 R12 중 아릴기의 예는 하기와 같으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112005053415186-pat00003
,
Figure 112005053415186-pat00004
,
Figure 112005053415186-pat00005
,
Figure 112005053415186-pat00006
,
Figure 112005053415186-pat00007
,
Figure 112005053415186-pat00008
,
Figure 112005053415186-pat00009
,
Figure 112005053415186-pat00010
,
Figure 112005053415186-pat00011
Figure 112005053415186-pat00012
Figure 112005053415186-pat00013
상기 화학식 1의 R1 내지 R12 중 아릴아민기의 예는 하기와 같으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112005053415186-pat00014
,
Figure 112005053415186-pat00015
,
Figure 112005053415186-pat00016
Figure 112005053415186-pat00017
상기 화학식 1의 R1 내지 R12 중 헤테로 고리기의 예는 하기와 같으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112005053415186-pat00018
,
Figure 112005053415186-pat00019
,
Figure 112005053415186-pat00020
,
Figure 112005053415186-pat00021
,
Figure 112005053415186-pat00022
,
Figure 112005053415186-pat00023
,
Figure 112005053415186-pat00024
,
Figure 112005053415186-pat00025
,
Figure 112005053415186-pat00026
상기 치환기중 티오펜의 n은 1~6이며 R은 알킬 혹은 치환되거나 비치환된 아릴기이다.
상기 화학식 1의 R1 내지 R12 중 아릴알케닐기의 예는 하기와 같으나 이것에만 한정되는 것은 아니다.
Figure 112005053415186-pat00027
Figure 112005053415186-pat00028
상기 화학식 1의 R1 내지 R12 중 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드 등이 있다.
상기 화학식에 있어서, Z는 수소, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알케닐기, C1~C20의 알키닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택되는 기이다. 상기 Z 중 아릴아민기, 아릴기, 헤테로 고리기의 구체적인 예로는 전술한 R1 내지 R12의 치환기에 기재한 예들이 있다.
본 발명의 바람직한 화합물은 상기 화학식 1 중 X는 C 또는 Si이고, R3 및 R4가 수소이거나, R3와 R4가 직접 연결되거나 O, S, NR, PR, CRR', 및 SiRR'로 이루어진 군에서 선택되는 기와 함께 축합고리를 형성하는 화합물이다(여기서, R 및 R'는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다).
본 발명의 또 하나의 바람직한 화합물은 상기 화학식 1 중 X는 C 또는 Si이고, R3과 R4 및 R7와 R8은 각각 독립적으로 또는 동시에 직접 연결되거나 O, S, NR, PR, CRR', 및 SiRR'로 이루어진 군에서 선택되는 기와 함께 축합고리를 형성하는 화합물이다(여기서, R 및 R'는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다).
상기 본 발명의 실시 상태에 있어서, CRR'은 케톤기(C(=O))일 수 있다.
본 발명의 또 하나의 바람직한 화합물은 하기 화학식 2의 화합물이다:
[화학식 2]
Figure 112005053415186-pat00029
상기 식에 있어서,
Ar1 내지 Ar6, R11 및 R12는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 발명의 또 하나의 바람직한 화합물은 하기 화학식 3의 화합물이다:
[화학식 3]
Figure 112005053415186-pat00030
상기 식에 있어서,
Ar1 내지 Ar6, R11 및 R12는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
상기 화학식 1의 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식으로 나타내어지는 화합물들이 있다. 그러나, 하기 화학식의 화합물들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것이며, 이들에 의하여 본 발명의 범위로 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1-1] [화학식 1-2]
Figure 112005053415186-pat00031
Figure 112005053415186-pat00032
[화학식 1-3] [화학식 1-4]
Figure 112005053415186-pat00033
Figure 112005053415186-pat00034
[화학식 1-5] [화학식 1-6]
Figure 112005053415186-pat00035
Figure 112005053415186-pat00036
[화학식 1-7] [화학식 1-8]
Figure 112005053415186-pat00037
Figure 112005053415186-pat00038
[화학식 1-9] [화학식 1-10]
Figure 112005053415186-pat00039
Figure 112005053415186-pat00040
[화학식 1-11] [화학식 1-12]
Figure 112005053415186-pat00041
Figure 112005053415186-pat00042
[화학식 1-13] [화학식 1-14]
Figure 112005053415186-pat00043
Figure 112005053415186-pat00044
[화학식 1-15] [화학식 1-16]
Figure 112005053415186-pat00045
Figure 112005053415186-pat00046
[화학식 1-17] [화학식 1-18]
Figure 112005053415186-pat00047
Figure 112005053415186-pat00048
[화학식 1-19] [화학식 1-20]
Figure 112005053415186-pat00049
Figure 112005053415186-pat00050
[화학식 1-21] [화학식 1-22]
Figure 112005053415186-pat00051
Figure 112005053415186-pat00052
[화학식 1-23] [화학식 1-24]
Figure 112005053415186-pat00053
Figure 112005053415186-pat00054
[화학식 1-25] [화학식 1-26]
Figure 112005053415186-pat00055
Figure 112005053415186-pat00056
[화학식 1-27]
Figure 112005053415186-pat00057
[화학식 1-28]
Figure 112005053415186-pat00058
상기 화학식 1의 화합물의 코어 구조는 아크리딘의 기본 골격에, 디아릴아민 및 디아릴아민이 치환된 페닐이 치환되어 있는 것이다. 상기 기본구조에 다양한 치환기가 도입됨으로써 유기 발광 소자의 유기물층으로 사용되기에 적합한 특성을 갖는다. 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
상기 화학식 1에 표시된 화합물의 코어 구조는 아크리딘의 기본 골격에 디아릴아민 및 파라(para-) 위치에 아릴아민이 치환된 페닐이 치환된 구조를 갖는다. 이와 같은 구조에 있어서, X를 이루는 탄소원자 또는 규소원자는 sp3결합을 가지기 때문에 아크리딘 골격을 이루는 평면과 R11 및 R12을 포함하는 평면은 직각을 이루는 입체구조를 가지며, 상기 두 평면 사이에는 컨쥬게이션이 일어나지 않게 된다. 이와 같은 구조적 특성으로 인하여 상기 화학식 1의 화합물의 코어 구조는 제한적인 컨쥬게이션을 갖게 된다.
화합물의 컨쥬게이션 길이와 에너지 밴드갭은 밀접한 관계가 있다. 구체적으로, 화합물의 컨쥬게이션 길이가 길수록 에너지 밴드갭이 작아진다. 전술한 바와 같이, 상기 화학식 1의 화합물의 코어 구조는 컨쥬게이션 구조가 제한된 구조이므로 에너지 밴드 갭이 큰 성질을 갖는다.
본 발명에서는 상기와 같이 에너지 밴드 갭이 큰 코어 구조의 R1 내지 R12 및 Ar1 내지 Ar6 위치에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 통상 에너지 밴드 갭이 큰 코어 구조에 치환기를 도입하여 에너지 밴드 갭을 조절하는 것은 용이하나, 코어 구조가 에너지 밴드 갭이 작은 경우에는 치환기를 도입하여 에너지 밴드 갭을 크게 조절하기 어렵다. 또한, 본 발명에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조의 R1 내지 R12 및 Ar1 내지Ar6에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기발광소자 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송층 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질 에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다. 특히, 상기 화학식 1의 화합물은 코어 구조에 아릴 아민 구조를 포함하고 있으므로, 유기 발광 소자에서 정공주입 및/또는 정공수송 물질로서의 적절한 에너지 준위를 가질 수 있다. 본 발명에서는 상기 화학식 1의 화합물 중 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 갖는 화합물을 선택하여 유기 발광 소자에 사용함으로써 구동 전압이 낮고 광효율이 높은 소자를 구현할 수 있다.
에너지 밴드갭 및 에너지 준위와 관련하여 구체적인 예를 들면, 화학식 1-18의 화합물은 HOMO가 5.24 eV이므로 정공 주입층이나 정공 수송층으로 사용하기 좋은 에너지 준위를 갖는다. 한편, 화학식 1-18의 화합물의 밴드갭은 여전히 3.3 eV로서 통상 정공수송층 물질로 사용되는 NPB의 밴드갭에 비해 매우 크며, 이에 따라 이 물질의 LUMO값도 약 1.94 eV로 매우 높다. 이와 같이 높은 LUMO 값을 갖는 화합물을 정공수송층으로 사용하는 경우, 이것은 발광층으로 사용되는 물질의 LUMO와의 에너지 벽을 높게 만들어 줌으로써 전자가 발광층으로부터 정공수송층으로 유입되는 것을 막을 수 있다. 따라서, 이와 같은 화합물은 기존에 사용되던 NPB (HOMO 5.4 eV, LUMO 2.3 eV, 에너지 밴드갭 3.1 eV ) 등에 비하여 유기 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 본 발명에 있어서, 에너지 밴드갭은 UV-VIS 스펙트럼에 의해 계산하는 일반적인 방법을 사용하여 계산하였다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 안정한 산화 환원 특성을 나타낸다. 산화 환원에 대한 안정성은 CV(cyclovoltammetry) 방법을 이용하여 확인할 수 있다. 구 체적인 예로서, 상기 화학식 1-18의 화합물은 여러 번의 반복 산화 전압을 가하였을 때 동일한 전압에서 산화가 일어나고 같은 전류 양을 보이는 것으로 나타났으며, 이것은 상기 화합물이 산화에 대한 안정성이 우수함을 나타낸다.
한편, 상기 화학식 1의 화합물은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 예컨대, 화학식1-18의 화합물은 유리 전이 온도가 120 ℃ 로서, 기존에 일반적으로 사용되던 NPB ( Tg : 96 ℃ )에 비해 현저히 높음을 알 수 있다. 이와 같은 화합물의 우수한 열적 안정성은 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀코팅, 딥코팅, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 화학식 1-18의 화합물은 소자의 제조 공정 중 이용되는 용매, 예를 들어 자일렌, 디클로로 에탄 또는 NMP 등과 같은 극성 용매등에 대한 용해도가 매우 우수할 뿐만 아니라 용액을 이용한 방법에서 박막 형성이 매우 잘 되는 특성을 가지므로, 소자의 제조시 용액 도포법을 사용할 수 있다. 또한, 통상 용액 도포법에 의해 형성된 박막이나 고체 상태에서의 발광 파장은 분자간 상호 작용에 의해 용액 상태의 발광 파장에 비해 장파장으로 이동하는 것을 흔히 볼 수 있는데, 상기 화학식 1의 화합물과 같은 구조를 갖는 화합물에서는 상기와 같은 파장의 이동이 매우 적게 나타난다.
상기 화학식 1의 화합물은 리티에이션(lithiation)된 알킬 또는 아릴기를 에스테르기의 카보닐기와 반응시켜 3차 알코올을 얻은 후, 이 물질을 산촉매하에서 가열하면 물이 빠지면서 6각형의 고리화합물이 형성되는 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 이와 같은 제조 방법은 당 기술 분야에 잘 알려져 있는 방법이며, 당업자는 상기 제조 방법의 조건을 변경하여 상기 화학식 1의 화합물을 제조할 수 있다. 구체적인 제조 방법은 후술하는 제조예에 예시하였다.
본 발명의 유기 발광 소자에서는 상기 화학식 1의 화합물 대신에 상기 화학식 1의 화합물에 열경화성 또는 광경화성 작용기를 도입한 화합물을 사용할 수도 있다. 이와 같은 화합물은 전술한 화학식 1의 화합물의 기본 물성을 유지하는 동시에, 소자의 제작시 용액 도포법에 의하여 박막으로 형성한 후 경화시키는 방법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다.
상기와 같이 유기 발광 소자의 제작시 유기물에 경화성 작용기를 도입하고, 용액 도포법에 의하여 상기 유기물의 박막을 형성한 후 경화하는 방법에 의하여 유기물층을 형성하는 방법은 미국 특허 공개 2003-0044518호 및 유럽 특허 공개 1146574 A2호 등에 기재되어 있다.
상기 문헌들에는 열경화 또는 광경화 가능한 비닐기 또는 아크릴기를 가진 물질을 이용하여 상기와 같은 방법에 의하여 유기물층을 형성하여 유기 발광 소자를 제작하는 경우, 용액도포법에 의해 다층구조를 가지는 유기 발광 소자를 만들 수 있을 뿐 아니라 저전압 고휘도의 유기 발광 소자를 만들 수 있다고 기재되어 있다. 이와 같은 작용 원리는 본 발명의 화합물에도 적용될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 열경화성 또는 광경화성 작용기는 비닐기 또는 아크릴기 등일 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물, 즉 상기 화학식 1 의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
그리고, 본 발명의 유기 발광 소자는 예컨대 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(Physical vapor deposition) 방법 등을 이용할 수 있으나, 이들 방법에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1의 화합물의 제조 방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 제조예 및 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 제조예 및 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
제조예 1
화합물 1-18의 합성
Figure 112005053415186-pat00059
화합물 A의 합성
디페닐 아민 16.9 g , 2-아이오도 메틸 벤조에이트 16.7 mL, 탄산칼륨 15.2 g, 구리가루 7.0 g 및 황산나트륨 15.6 g을 니트로벤젠 50 mL에 가하고, 190~200 ℃의 온도에서 하룻동안 교반하였다. 이 혼합물을 상온으로 냉각시키고 THF를 가하여 녹여준 후 여과하였다. 여액을 취하여 용매를 제거한 후, 얻어진 혼합물에 에탄올을 가하고 교반하였다. 생성된 고체를 여과하여 얻어진 고체를 THF에 녹여 실리카겔을 통과시킨 후, 용매를 제거하고 아세톤에서 교반하여 결정화하고 얻어진 고 체를 여과하여 22.4 g의 생성물을 얻었다.
화합물 B의 합성
화합물 A 18.2 g을 정제된 THF 150 mL에 녹인 후 0 ℃로 냉각하고, 여기에 에틸 에테르에 분산되어 있는 메틸 리튬 1.6 M 용액을 천천히 가하였다. 이 반응물을 천천히 상온으로 가온하면서 하룻동안 교반한 후 물로 반응을 종료하였다. 이어서, 이 반응물을 에틸 에테르로 추출하고 유기물층으로부터 잔류 수분을 제거한 후 유기 용매를 제거하였다. 생성된 노란색 액체에 n-헥산을 가하고 끓이면서 교반한 후, 상온으로 냉각하고 여과하였다. 여과하여 얻어진 고체를 n-헥산으로 세척하고 진공건조하여 11.86 g의 생성물을 얻었다.
위에서 얻어진 물질 11.86 g에 아세트산 100 mL와 진한 염산 0.5 mL 가한 후 40분간 끓이면서 교반하였다. 이 반응물을 상온으로 냉각하고 아세트산을 감압하여 제거한 후, 여기에 에탄올을 가하고 교반하였다. 생성된 고체를 여과하여 흰색의 생성물9.5 g을 얻었다.
NMR (CDCl3): 7.67 - 7.63 ( t, 2H ), 7.55 - 7.51 ( t, 1H ), 7.49 - 7.47 ( d, 2H ), 7.38 - 7.35 ( d, 2H ), 7.01 - 6.92 ( t, t, 4H ), 6.30 - 6.28 ( d, 2H ), 1.72 ( s, 6H )
MS : [M+H]+=286
HOMO : 5.80 eV
밴드 갭 : 3.7 eV
LUMO : 2.10 eV
화합물 C의 합성
화합물 B 8.56 g을 클로로포름 300 mL에 녹이고 여기에 브롬 4.67 mL를 천천히 가하였다. 이 반응물을 2 시간 동안 교반하고 물과 소량의 아세톤을 가하여 반응을 종료한 후 물층과 유기물층을 분리하였다. 유기물층으로부터 물을 제거하고 클로로포름을 이용해 실리카겔을 통과시킨 후, 유기 용매를 제거하고 에탄올을 가하여 고체화시켜 흰색의 고체 12.28 g을 얻었다
NMR (CDCl3) : 7.79 - 7.75 ( d, 2H ), 7.52 - 7.50 ( s, 2H ), 7.20 -7.15 ( d, 2H ), 7.09 - 7.04 ( d, 2H ), 6.14 - 6.10 ( d, 2H ), 1.63 ( s, 6H )
화합물 1-18의 합성
상기 화합물 C 1.044 g 및 디페닐아민 1.117 g을 자일렌 10 mL에 녹이고, 여기에 소듐-t-부톡사이드 0.769 g, 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(0) 0.110 g, 트리-tert-부틸포스핀 0.036 g을 순차적으로 가한 후 4 시간 동안 끓이면서 교반하였다. 이 반응물을 상온으로 냉각한 후 물로 반응을 종료하고 자일렌으로 추출하였다. 황산마그네슘 무수물을 이용하여 유기물층으로부터 물을 제거한 후 유기 용매를 제거하고, 생성된 액체를 테트라하이드로 퓨란/n-헥산 = 1/19로 컬럼분리하여 생성물 1.26 g을 얻었다.
MS : [M+H]+=787
HOMO : 5.24
Band gap=3.3 eV
LUMO : 1.94 eV
Tg : 120 ℃
제조예 2
화합물 1-14의 합성
제조예 1에서 중간체 A를 합성함에 있어서 디페닐 아민을 카바졸로 치환한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 제조하였다.
제조예 3
화합물 1-21의 합성
제조예 1에서 중간체 B를 합성함에 있어서 메틸 리튬을 사용하는 대신에 페닐 리튬을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 제조하였다.
제조예 4
화합물 1-23의 합성
제조예 1에서 중간체 A를 합성함에 있어 디페닐 아민을 카바졸로 치환하여 합성하고 최종 화합물에서 디페닐 아민을 치환하는 대신 페닐-1-나프틸 아민을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 제조하였다.
제조예 5
화합물 1-24의 합성
제조예 1에서 최종 화합물을 합성함에 있어 디페닐아민을 사용하는 대신 카바졸을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 제조하였다.
제조예 6
화합물 1-26의 합성
제조예 4에서 최종 화합물을 합성함에 있어 페닐-1-나프틸 아민을 사용하는 대신 카바졸을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 제조하였다.
제조예 7
화합물 1-20의 합성
제조예 4에서 중간체 A를 합성함에 있어서 카바졸을 사용하는 대신에 페노싸이아진을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 제조하였다.
[유기 발광 소자의 제조]
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1000 ??의 두께로 박막 코팅된 유리 기판 (corning 7059 glass)을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때 세제로는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며 증류수로는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2 차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30 분간 세척한 후, 증류수로 2 회 반복하여 초음파 세척을 10 분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시켰다. 질소 플라즈마를 이용하여 14 mtorr의 압력에서 85 W으로 상기 기판을 5 분간 건식 세정한 후 진공 증착기로 기판을 이송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 화합물인 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene: 이하 HAT라 함)을 500 Å의 두께로 열 진공 증착하여 ITO도전층 및 n-형 유기물을 가지는 양극을 형성시켰다.
[HAT]
Figure 112005053415186-pat00060
상기 층 위에 상기 화학식 1-18의 화합물(400 Å)을 진공증착하여 정공 주입 및 수송층을 형성시켰다. 상기 정공수송층 위에 Alq3를 300 Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성시켰다. 상기 발광층 위에 하기 화학식의 전자수송층 물질을 200 Å의 두께로 증착하여 전자수송층을 형성하였다.
[전자수송층 물질]
Figure 112005053415186-pat00061
상기 전자수송층 위에 순차적으로 12 Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2000 Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.3~0.8 Å/sec로 유지하였다. 또한, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 1.5~2.5 Å/sec의 증착 속도를 유지하였다. 증착시 진공도는 1~3 x 10-7로 유지하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/ cm2에서 8.14 V의 전계를 보였으며, 0.53 lm / W의 광 효율을 보이는 녹색의 발광을 나타내었다.
이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 정공주입층과 발광층 사이에 층을 형성한 상기 화학식 1-18의 화합물이 정공수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
실시예 2
실시예 1과 같은 방법으로 준비된 ITO 기판 상에 HAT 를 80 Å의 두께로 증착하여 ITO 도전층 및 n-형 유기물을 가지는 양극을 형성하였다. 이어서, 상기 양극상에 상기 화학식 1-18의 화합물을 800 Å의 두께로 증착하여 정공주입층을 형성하였다.
상기 정공주입층 상에 NPB을 300 Å의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성한 후, 이 위에 Alq3를 300 Å의 두께로 증착하여 발광층을 형성하였다. 발광층 상에 상기 실시예 1과 같은 방법으로 전자수송층 및 음극을 형성하였다.
본 실시예에서 유기물 및 음극의 증착속도와 증착시 진공도는 실시예 1과 동일하게 유지하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100mA/ cm2에서 9.94 V의 전계를 보였으며, 1.44 lm / W의 광 효율을 보이는 녹색 발광을 나타내었다.
이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기 판상에 형성한 박막과 정공수송층 사이에 층을 형성한 상기 화학식 1-18의 화합물이 정공주입 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
본 발명의 화합물은 유기 발광 소자에서 유기물층 물질, 특히 정공주입 물질 및/또는 정공수송 물질로 사용될 수 있으며, 이 화합물을 유기 발광 소자에 사용하는 경우 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물
    [화학식 1]
    Figure 112005053415186-pat00062
    상기 화학식 1에 있어서,
    X는 C 또는 Si이고,
    Ar1 내지 Ar6는 각각 독립적으로 또는 동시에 할로겐기, 알킬기, 알케닐기,알키닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로 고 리기이며, 여기서 이들은 서로 인접한 기와 축합고리를 형성할 수 있고,
    R1 내지 R10은 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자 탄소수 1~20의 알킬기 탄소수 1~20의 알콕시기 티오알콕시기 아세틸렌기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 티오알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 알케닐기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 티오알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 티오알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴아민기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 티오알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로 고 리기 알킬기, 알케닐기 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환된 아미노기 니트릴기 니트로기 할로겐기 아미드기 이미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되며,
    여기서 이들은 서로 인접하는 기와 지방족 또는 헤테로의 축합 고리를 형성할 수 있고,
    또한 R3와 R4 및 R7와 R8는 각각 독립적으로 또는 동시에 직접 연결되거나, 또는 O, S, NR, PR, CRR', 및 SiRR'로 이루어진 군에서 선택되는 기와 함께 축합고리를 형성할 수 있으며, 여기서 R 및 R'는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소, 산소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴 아민기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, 할로겐기, 아미드기, 이미드기, 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택되고,
    R11 및 R12는 각각 독립적으로 또는 동시에 탄소수 1~20의 알킬기 탄소수 1~20의 알콕시기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 티오알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기 할로겐기, 알킬기, 알케닐기 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴알킬 기, 치환 또는 비치환된 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 헤테로 고리기, 니트릴기, 니트로기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로 고리기 니트릴기 니트로기 아미드기 이미드기 및 에스테르기로 이루어진 군에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1 중 Ar1 내지 Ar6은 각각 독립적으로 또는 동시에 하기 화학식으로 표시되는 기로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure 112005053415186-pat00063
    상기 식에 있어서, Y 및 Y'는 각각 수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 헤테로 고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택되며, 이들은 서로 연결되어 축합고리를 형성할 수 있다.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1 중
    X는 C 또는 Si이고,
    R3과 R4 및/또는 R7와 R8은 각각 독립적으로 또는 동시에 직접 연결되거나, O, S, NR, PR, CRR', 및 SiRR'로 이루어진 군에서 선택되는 기와 함께 축합고리를 형성하는 것(여기서, R 및 R'는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다)인 화합물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 2 또는 하기 화학식 3으로 나타내어지는 것인 화합물
    [화학식 2]
    Figure 112005053415186-pat00064
    [화학식 3]
    Figure 112005053415186-pat00065
    상기 화학식 2 및 3에 있어서,
    Ar1 내지 Ar6, R11 및 R12는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
  5. 제1항에 있어서, 화학식 1의 화합물에 열 경화성 또는 광경화성 작용기가 도입된 것인 화합물.
  6. 제1 전극, 발광층을 포함하는 1층 이상으로 이루어진 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층된 형태로 포함하는 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 제1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  7. 제 6항에 있어서, 유기물층은 정공수송층을 포함하고, 이 정공수송층이 상기 제1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  8. 제6 항에 있어서, 유기물층은 정공주입층을 포함하고, 이 정공주입층이 상기 제1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 제6 항에 있어서, 유기물층은 정공주입과 정공수송을 동시에 하는 층을 포함하고, 이 층이 상기 제1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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