JPH118289A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 吸着面における吸引の悪影響を防止すること
により、搬送時の反りを抑制してパターンの破壊や基板
の破損を防止することができる。 【解決手段】 真空ポンプ１９の動作を停止し、操作三
方弁１７を大気側に切り換えて吸引通路１ｂをほぼ大気
圧としてから操作弁１５を閉止する。次に、搬送機構２
３を基板Ｗの直下に移動させて上昇させ、支持面２３ｃ
に基板Ｗが当接するまでに加圧機構２１を作動させる。
これにより吸引通路１ｂの圧力が大気圧より高くされ、
吸引通路１ｂの流路抵抗を極めて小さくできる。したが
って、吸着面１ａに吸引力が生じることを防止でき、基
板Ｗの反りを防止して破損を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）な
どに対して現像液、フォトレジスト液、ポリイミド樹
脂、シリカ系被膜形成材とも呼ばれるSOG(Spin On Glas
s,）液などの処理液を供給して処理を施す基板処理装置
に係り、特に基板を真空吸引により吸着保持した状態で
処理を施し、吸引を解除した後に基板を搬送する技術に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、回転自在に構成された真空吸引式のスピンチャッ
クと、基板をスピンチャックとの間で搬送するための搬
送アームとを備えているものが挙げられる。このように
構成されている装置は、例えば、次のように動作する。

【０００３】すなわち、真空吸引式のスピンチャックに
形成されている吸着面に連通した吸引通路を吸引して基
板を吸着保持し、基板を回転させつつフォトレジスト液
などの処理液を供給する。そして、その上面に一定膜厚
のフォトレジスト被膜を形成する処理を施したのち、ス
ピンチャックの回転を停止して吸引通路の吸引を停止
し、吸引通路内の圧力をほぼ大気圧にまで戻す。次い
で、Ｃの状の支持部を有する搬送アームを基板の下方に
進入させ、基板の下面周縁部を当接支持しつつ搬送アー
ムをスピンチャックの吸着面より高い位置に上昇させる
ことによって、基板の下面とスピンチャックの吸着面と
の平行度を保ちつつ処理済みの基板をスピンチャックか
ら離間させて搬送アームに搬送する。その後、搬送アー
ムに支持された処理済みの基板は、基板を積層収納する
キャリアに収納されたり、他の装置に搬送されて次なる
処理を施されるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、スピンチャックから搬送アームに基板
を搬送する際には、真空吸引が停止されて吸引通路内の
圧力がほぼ大気圧にされてはいるものの、吸引通路内の
流路抵抗が大きく、基板の下面とスピンチャックの吸着
面との平行度を保ちつつ搬送アームを上昇させているこ
ともあって、吸着面が減圧状態となって基板の中央部が
吸引される。そのため基板の周縁部だけが搬送アームと
ともに上昇し、基板の中央部はスピンチャックの吸着面
に吸い寄せられる。つまり、一時的にではあるが搬送時
に基板が大きく反る現象が生じる。周知のように、通
常、基板の表面には、多数のプロセスを経て種々の微細
なパターンが形成されており、このような大きな反りが
何度も生じると微細なパターンが破壊されたり、最悪の
場合には基板自体が反りに耐えられなくなって破損して
しまう問題がある。

【０００５】因みに、最近の半導体製造分野において
は、８インチ（約２００ｍｍ）径の基板から３００ｍｍ
径の基板へと大口径化が進んで径が約１．５倍にも大き
くなっている一方で、その厚みは約１．０７倍にしかな
っておらず、径に対する厚みの比率が極めて小さくなっ
て基板の反りに対する強度自体が大幅に低下してきてい
る。さらに、基板の大口径化に伴ってスピンチャックの
径も大きくなっているため、上述した減圧状態となる吸
着面の面積が増大し、基板に対する吸引力が増大してい
る。したがって、基板自身の反りに対する強度の低下と
基板に対する吸引力の増大により、上記のような不都合
が極めて生じやすくなっている。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、吸着面における吸引の悪影響を防止す
ることにより、搬送時の反りを抑制してパターンの破壊
や基板の破損を防止することができる基板処理装置を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板処理装置は、基板保持手段に
形成されている吸着面に連通した吸引通路を吸引して基
板を吸着保持した状態で処理を施し、前記吸引通路の吸
引を停止した後に搬送手段を吸着面より高い位置に相対
移動させることにより前記基板保持手段から基板を離間
させて前記搬送手段に搬送する基板処理装置において、
前記吸引通路内の圧力を高める加圧手段を備え、前記搬
送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動させる際
に、前記加圧手段を作動させるようにしたことを特徴と
するものである。

【０００８】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
基板保持手段に形成されている吸着面に連通した吸引通
路を吸引して基板を吸着保持した状態で処理を施し、前
記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手段を吸着面より
高い位置に相対移動させることにより前記基板保持手段
から基板を離間させて前記搬送手段に搬送する基板処理
装置において、前記基板の下面と前記基板保持手段の吸
着面との平行度を解除する平行度解除手段を備え、前記
搬送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動させる
際に、前記平行度解除手段を作動させるようにしたこと
を特徴とするものである。

【０００９】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
基板保持手段に形成されている吸着面に連通した吸引通
路を吸引して基板を吸着保持した状態で処理を施し、前
記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手段を吸着面より
高い位置に相対移動させることにより前記基板保持手段
から基板を離間させて前記搬送手段に搬送する基板処理
装置において、前記基板保持手段に吸着保持されている
基板に当接し、前記基板保持手段の吸着面に対して相対
昇降する一時支持手段を備え、前記吸引通路の吸引を停
止した後、前記基板保持手段に載置されている基板を前
記一時支持手段に移載し、前記一時支持手段と前記搬送
手段とを相対昇降させて前記基板を搬送するようにした
ことを特徴とするものである。

【００１０】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板を吸着保持している基板保持手段の吸引通路の
吸引を停止し、搬送手段を基板保持手段の吸着面に対し
て相対昇降させる際に、加圧手段を作動させて吸引通路
内の圧力を高める。これにより吸引通路内の流路抵抗を
小さくすることができ、基板と吸着面との平行度を保ち
つつ搬送手段を相対昇降させたとしても、基板保持手段
の吸着面に吸引力が生じることを防止できる。

【００１１】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板を吸着保持している基板保持手段の吸引通路の吸引を
停止し、搬送手段を基板保持手段の吸着面に対して相対
昇降させる際に、平行度解除手段を作動させて基板下面
と基板保持手段の吸着面との平行度を解除する。平行度
解除手段としては、例えば、搬送手段によって基板を僅
かに傾斜させたり、基板保持手段を僅かに傾斜させて平
行度を解除するものがある。これにより基板の下面と吸
着面との密着を解除して、吸引通路の流路抵抗を小さく
することができ、搬送手段を相対昇降させても基板保持
手段の吸着面に吸引力が生じることを防止できる。

【００１２】また、請求項３に記載の発明によれば、基
板を吸着保持している基板保持手段の吸引通路の吸引を
停止し、基板を基板保持手段から一時支持手段に移載す
る。このとき基板保持手段の吸着面には吸引力が作用す
るが、一時支持手段は基板を当接支持しているので、吸
引の影響による反りがほとんど生じない。次いで、一時
支持手段と搬送手段とを相対昇降させて基板を搬送す
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 ＜第１実施例＞（請求項１に係る発明） 図１は、本発明に係る基板処理装置の一例である回転式
基板塗布装置の概略構成を示す図であり、図２は各部の
動作を示すタイムチャートである。

【００１４】図中、符号１は、基板Ｗを真空吸引によっ
て吸着保持する吸引式スピンチャックであり、その下面
に回転軸３が取り付けられている。回転軸３は、電動モ
ータ５に連動連結されて鉛直軸周りに回転駆動され、吸
引式スピンチャック１とともに基板Ｗを水平面内で回転
駆動する。上記の吸引式スピンチャック１は、その上面
に吸着面１ａが形成されており、この吸着面１ａは回転
軸３に形成された吸引通路１ｂに連通している。なお、
上記の吸引式スピンチャック１が本発明の基板保持手段
に相当する。

【００１５】吸引式スピンチャック１の周囲には、昇降
可能に構成され、図中に実線で示した供給位置にあるノ
ズル７から基板Ｗに供給されたフォトレジスト液などの
処理液が周りに飛散することを防止するための飛散防止
カップ９が配備されている。この飛散防止カップ９も昇
降自在に構成されており、吸引式スピンチャック１より
も下方に位置する退避位置（図中の二点鎖線）と、吸引
式スピンチャック１を囲うような処理位置（図中の実
線）とにわたって昇降する。

【００１６】上記の回転軸３は、電動モータ５の下面か
ら突出しており、その下端部が回転軸受け１１を介して
吸引配管１３に接続されている。この吸引配管１３は、
操作弁１５と、操作三方弁１７とを介して真空ポンプ１
９に連通接続されており、操作弁１５を開放するととも
に操作三方弁１７を真空ポンプ１９側に切り換えること
によって吸引配管１３を介して吸引通路１ｂを吸引し、
基板Ｗを吸引式スピンチャック１の吸着面１ａに真空吸
着するようになっている。

【００１７】また、吸引配管１３の一部位には、本発明
の加圧手段に相当する加圧機構２１が配設されている。
この加圧機構２１は、吸引配管１３に連通したシリンダ
部２１ａと、シリンダ部２１ａ内を摺動自在のピストン
部２１ｂと、このピストン部２１ｂを上方に付勢する圧
縮コイルバネ２１ｃと、上方に付勢されているピストン
部２１ｂを下方に向けて駆動するソレノイド２１ｄとか
ら構成されている。ソレノイド２１ｄの動作は通常ＯＦ
Ｆにされており、その動作がＯＮとなると、上方に付勢
されているピストン部２１ｂが下方に駆動され、シリン
ダ部２１ａ内の空気を吸引配管１３内に送り込んでその
内部を加圧するように動作する。

【００１８】なお、シリンダ部２１ａの容積と、ソレノ
イド２１ｄによるピストン部２１ｂの移動速度を規定す
る圧縮コイルバネ２１ｃのバネ係数などは、加圧機構２
１による加圧時に基板Ｗが吸着面１ａから上方に大きく
飛び上がることのないように設定しておくことが好まし
い。この実施例では、加圧時の圧力と基板Ｗの自重が均
衡し、基板Ｗが浮き上がることがない程度に設定されて
いる。

【００１９】飛散防止カップ９の側方には、吸引式スピ
ンチャック１との間で基板Ｗを受け渡しするために、昇
降および進退自在に構成された搬送機構２３が装備され
ている。図示しない昇降手段によって昇降駆動されると
ともに進退駆動される基部２３ａの前面には、平面視Ｃ
の字状の支持部２３ｂが配設されており、この支持部２
３ｂの上部には基板Ｗの下面周縁部を当接支持するため
に先下がり傾斜状に形成された支持面２３ｃが形成され
ている。説明の都合上、基板Ｗを当接支持した際に、基
板Ｗが支持面２３ｃに当接する位置を支持点２３ｄと称
することにする。なお、この搬送機構２３が本発明にお
ける搬送手段に相当する。

【００２０】上述したノズル７の移動および処理液の供
給と、飛散防止カップ９の昇降と、電動モータ５の回転
と、操作弁１５および操作三方弁１７の開閉と、真空ポ
ンプ１９と、搬送機構２３の昇降および進退駆動は、処
理手順を規定しているプログラム（いわゆるレシピー）
をメモリ２５から読み出して実行する制御部２７によっ
て統括制御されるようになっている。また、上述した搬
送機構２３の昇降は、制御部２７によって制御される
が、その支持点２３ｄの高さがＬ２とＬ３とにわたって
移動されるようになっている。つまり、未処理の基板Ｗ
を吸引式スピンチャック１に対して渡す際には、吸着面
１ａの高さＬ１より上に位置する高さＬ３に上昇して進
入し、吸着面１ａの高さＬ１より低い高さＬ２に下降す
ることによって基板Ｗを吸着面１ａに載置するとともに
退出する。そして、処理済みの基板Ｗを吸引式スピンチ
ャック１から受け取る際には、その逆に、高さＬ２で進
入して高さＬ３に上昇することによって処理済みの基板
Ｗを吸引式スピンチャック１から離間させて退出するよ
うになっている。

【００２１】次に、図２のタイムチャートを参照して、
上記のように構成された装置の動作について説明する。
なお、未処理の基板Ｗに対する処理は既に完了している
ものとし、ノズル７は図１中に二点鎖線で示す退避位置
に既に上昇し、飛散防止カップ９は下降しているものと
する。また、電動モータ５の回転が停止された時点から
一定時間（数秒程度）が経過した時点をタイムチャート
の原点とし、この時点から説明を行うことにする。

【００２２】搬送機構２３は、図２（ａ）に示すように
その支持点２３ｄの高さが、吸着面１ａの高さより下に
位置する高さＬ２にされ、真空ポンプ１９は、図２
（ｂ）に示すように電動モータ５の回転が停止された時
点でＯＮからＯＦＦにされ、その吸引力が徐々に低下し
てｔ₁ 時点でほぼ『０』となっている。そして、吸引力
がほぼ『０』となるｔ₁ 時点で、操作三方弁１７が吸引
配管１３側から大気側に切り換えられる。これによって
吸引配管１３内が大気に連通し、吸引通路１ｂ内がほぼ
大気圧とされて、吸着面１ａにおける基板Ｗに対する吸
着力がほぼ『０』となる。

【００２３】操作三方弁１７が大気側に切り換えられた
後、ｔ₂ 時点で操作弁１５を閉止して吸引通路１ｂと吸
引配管１３を閉塞する。そして、搬送機構２３を高さＬ
２で進入させて、ｔ₄ 時点で基板Ｗの直下に移動完了し
たとする。次に、ｔ₅ 時点で搬送機構２３を高さＬ２か
ら高さＬ３に向けて上昇させ始めるが、これと同時にソ
レノイド２１ｄをＯＮにする。すると加圧機構２１が作
動し、基板Ｗ下面と操作弁１５によって閉塞されている
吸引配管１３および吸引通路１ｂの圧力が大気圧より高
くされる。

【００２４】搬送機構２３が上昇され始めてｔ₆ 時点で
支持点２３ｄが基板Ｗに当接すると、加圧時の圧力と自
重が均衡している基板Ｗは、加圧により吸引通路１ｂの
流路抵抗が小さくされていることもあって上方に押し上
げられるようにして容易に吸着面１ａから離間し、搬送
機構２３の支持面２３ｃに移載される。したがって、従
来例のように大気に開放するだけの場合に、吸着面１ａ
に生じる吸引力に起因して基板Ｗが反ることが防止でき
る。したがって、多数のプロセスを経て基板Ｗの表面に
形成されている微細パターンが損傷したり、基板Ｗが破
損するような不都合を防止することができ、歩留り向上
が期待できる。

【００２５】搬送機構２３は、ｔ₇ 時点で高さＬ３にま
で上昇し、処理済みの基板Ｗを載置した状態で退出す
る。その後、ｔ₈ 時点で操作弁１５が開放される。

【００２６】上記の説明では、搬送機構２３が上昇を開
始した時点ｔ₅ において加圧機構２１を作動させるよう
にしたが、このタイミングは基板Ｗが支持点２３ｄに当
接するｔ₆ 以前であればどのように設定してもよい。例
えば、上昇開始時点ｔ₅ より前の（ｔ₃ ）時点でもよ
く、当接時点ｔ₆ であってもよい。

【００２７】なお、加圧機構２１は、図３に示すような
構成としてもよい。すなわち、吸引配管１３から分岐し
た加圧配管３１ａと、制御部２７によって開閉操作され
る操作弁３１ｂと、一端側が操作弁３１ｂに接続され、
他端側が大気に連通されたレギュレータ３１ｃとによっ
て構成する。これにより操作弁３１ｂが開放されると加
圧配管３１ａを介して吸引配管１３の圧力が一定圧力と
なるように調整される。なお、レギュレータ３１ｃに
は、空気や窒素などの気体を供給する気体供給源を接続
するようにしてもよい。

【００２８】上記のように構成した場合には、例えば、
図４のタイムチャートに示すように動作させればよい。
つまり、真空ポンプ１９の停止により吸引力がほぼ
『０』となるｔ₁ 時点において操作弁１５を閉止した
後、ｔ₂ 時点にて操作弁３１ｂを開放してレギュレータ
３１ｃを介して一定圧力の空気を取り込み、吸引配管１
３内を加圧する。このような構成によると、詳述した構
成の装置のように操作三方弁１７により吸引配管１３内
を大気に開放する必要がなく、構成および制御を簡単化
することができつつも、詳述した上記構成のものと同等
の効果を得ることができる。

【００２９】＜第２実施例＞（請求項２に係る発明） 上記の第１実施例では、加圧機構２１で吸引配管１３を
加圧することによって吸着面１ａと基板Ｗの吸着を防止
し、基板Ｗの反りを防止したが、この実施例では吸着面
１ａと基板Ｗの平行度を解除して密着度合いを粗にする
ことによって吸着を防止するものである。以下、図５な
いし図７を参照して本実施例の構成およびその動作につ
いて説明するが、上記第１実施例と同じ構成には同符号
を付すことでその詳細な説明については省略する。

【００３０】図５に示すように電動モータ５の下部外周
面には、電動モータ５ごと吸引式スピンチャック１を傾
斜させて、吸着面１ａと基板Ｗとの平行度を解除して密
着度合いを低下させる傾斜機構３３が配設されている。
本発明の平行度解除手段に相当する傾斜機構３３は、装
置フレームに横置き固定された電動モータ３３ａと、こ
の電動モータ３３ａの回転軸に連動した螺軸３３ｂと、
縦向きの長穴３３ｃを有し、下部で螺軸３３ｂに螺合し
た移動部材３３ｄと、電動モータ５側に配設されて長穴
３３ｃに緩挿された規制ピン３３ｅとを備える。また、
電動モータ３３ａの反対側には、装置フレームに固定さ
れ、上向き円弧状の揺動穴３３ｆを形成されている揺動
基台３３ｇと、電動モータ５に配設されて揺動穴３３ｆ
に緩挿された揺動ピン３３ｈとを備えている。

【００３１】このように構成されている傾斜機構３３
は、通常、図５に示すように回転軸３をほぼ垂直に保持
している一方、処理済みの基板Ｗを搬出する際には、電
動モータ３３ａを駆動して、移動部材３３ｄを電動モー
タ５側に移動する。すると電動モータ５の下端部が水平
に左側に向かって移動しようとするが、揺動ピン３３ｈ
が円弧状の揺動穴３３ｆによって規制されているため、
規制ピン３３ｅが長穴３３ｃを下降しつつ、電動モータ
５の下端部が振り子のように揺動して図の左側に向かっ
て移動する。したがって、吸着面１ａの左端の揺動支点
Ａを中心に、吸着面１ａの右端が基板Ｗの下面から下降
するように揺動して、基板Ｗと吸着面１ａの平行度を解
除するように動作する。この動作に伴って電動モータ５
とともに吸引配管１３が左側に向かって移動するが、フ
レキシブル配管１３ａはその移動分を収縮することで吸
収する。この収縮によって吸引配管１３内の容積が僅か
ではあるが減少し、揺動するとともに加圧する副次的な
作用を生じる。

【００３２】次に、図６および図７を参照して動作につ
いて説明する。基板Ｗに対する処理が完了し、回転停止
および操作三方弁１７が大気側に切り換えられた後、図
６に実線で示すように搬送機構２３が基板Ｗの直下に進
入する。そして、電動モータ３３ａを低速で駆動して、
図中に二点鎖線で示すように揺動支点Ａを中心に吸着面
１ａの右端をゆっくりと下降させる。基板Ｗの右側下面
が支持部２３ｂの先端部側にある支持面２３ｃに当接す
ると、基板Ｗだけがその下降を規制されることになる。

【００３３】さらに電動モータ３３ａの駆動を継続する
と、図７に二点鎖線で示すように、吸着面１ａがその右
端から次第に基板Ｗの下面より離間して基板Ｗとの平行
度が徐々に解除されてゆく。このときガラス面に貼付け
た吸盤を端からめくるように基板Ｗから吸着面１ａが離
れるので、密着度合いが極めて低い状態となって流路抵
抗が極めて小さくなり、その結果、基板Ｗが大きく反る
ようなことがなく、基板Ｗのパターン損傷や基板Ｗ自体
の破損を防止できる。また、上述したように傾斜機構３
３を作動させる際には、フレキシブル配管１３ａがポン
プのように作用して吸引通路１ｂ内を僅かではあるが加
圧することになるので、吸着面１ａが基板Ｗから離れる
際に基板Ｗの反りをさらに抑制することができる。

【００３４】なお、本実施例では、吸引式スピンチャッ
ク１を電動モータ５ごと傾斜させることによって平行度
を解除したが、平行度を解除する構成としては種々の変
形実施が可能である。例えば、吸引式スピンチャック１
を傾斜させることなく、吸引式スピンチャック１の吸着
面１ａの一部から上方に微小なピンが突出するように構
成して、ピンによって基板Ｗを傾けて平行度を解除する
ようにしてもよい。

【００３５】また、搬送機構２３を基板Ｗの直下に進入
させた後、基板Ｗを支持面２３ｃに当接させ、搬送機構
２３の支持部２３ｂを長手方向の軸周りに僅かに回動さ
せるようにしてもよく、さらに支持面２３ｃに基板Ｗを
載置した際に傾斜するように支持面２３ｃに段差あるい
は突起のようなものを形成しておいてもよい。これらに
よっても平行度を解除することが可能である。

【００３６】なお、上述した＜第１実施例＞および＜第
２実施例＞では、吸引式スピンチャック１の高さを位置
固定とし、搬送機構２３を昇降させるようにしたが、そ
の逆に搬送機構２３の高さを位置固定として吸引式スピ
ンチャック１を昇降させるように構成してもよい。

【００３７】＜第３実施例＞（請求項３に係る発明） 上記の各実施例では、基板Ｗを離間させる際に吸着面１
ａにおける吸引力を解除するようにしたが、図８に示す
実施例では吸引力はそのままにして基板Ｗを離間させる
ようにしたものである。なお、上記各実施例と共通する
構成には同じ符号を付けることで詳細な説明については
省略する。

【００３８】吸引式スピンチャック１の下方には、本発
明の一時支持手段に相当する一時支持機構３５が配備さ
れている。この一時支持機構３５は、平面視環状の支持
部材３７を、電動モータ５の側面に取り付けられた３個
のアクチュエータ３９（図示は１個のみ）で昇降するよ
うに構成されている。支持部材３７は、基板Ｗとの接触
面積を極力少なくするために断面山形に形成されてお
り、その支持点３７ａが、吸着面１ａの高さＬ１より低
い高さＬ４と、搬送機構２３の支持点２３ｄの高さＬ３
よりも上方に位置する高さＬ５とにわたって昇降される
ようになっている。

【００３９】なお、上記の支持部材３７が基板Ｗのでき
るだけ中心側に位置するように、その内径を吸引式スピ
ンチャック１の外径よりわずかに大きい程度に設定して
おくことが好ましい。このように基板Ｗの中心側に位置
させることにより、基板Ｗを上昇させる際に、相対的に
吸着面１ａに生じる下向きの吸引力との関係で、基板Ｗ
に生じる反りをより小さなものとすることができる。

【００４０】このように構成されている装置の動作につ
いて、図９ないし図１１を参照して説明する。なお、既
に真空ポンプ１９はＯＦＦとされ、操作三方弁１７は大
気側に切り換えられているものとする。

【００４１】一時支持機構３５を作動させ、処理済みの
基板Ｗの下方に位置している支持部材３７を高さＬ４か
ら高さＬ５にまで上昇させる。これによって基板Ｗは、
吸引式スピンチャック１から一時支持機構３５に移載さ
れるが、中心側を当接支持されているので、吸着面１ａ
に作用する吸引力により基板Ｗが反ることを抑制でき
る。

【００４２】次いで、図１０に示すように搬送機構２３
が、一時支持機構３５に移載された基板Ｗの下方に進入
し、図１１のように一時支持機構３５を高さＬ５から高
さＬ４にまで下降させることによって、基板Ｗを搬送機
構２３の支持面２３ｃに移載する。これによって処理済
みの基板Ｗが吸引式スピンチャック１から搬送機構２３
に搬送されることになる。

【００４３】上述したように吸引式スピンチャック１か
ら搬送機構２３に基板Ｗを搬送する際に、一時支持機構
３５を介して行うことにより、吸着面１ａに生じる吸引
力を解除することなく基板Ｗの反りを抑制することがで
きる。その結果、基板Ｗに形成されているパターンの損
傷や基板Ｗの破壊を防止することができる。

【００４４】なお、上記の＜第３実施例＞では、吸引式
スピンチャック１の高さを位置固定とし、一時支持機構
３５を昇降させるようにしたが、その逆に一時支持機構
３５の高さを位置固定とし、吸引式スピンチャック１を
昇降させるようにしてもよい。

【００４５】なお、上記の第１／第２／第３実施例で
は、基板Ｗの吸引のために真空ポンプ１９を採用してい
るが、これに代えてクリーンルームに配設されているユ
ーティリティである吸引源を用いてもよい。

【００４６】また、上述した各実施例は回転式基板塗布
装置を例に採って説明したが、本発明は、真空吸引によ
って基板を保持する基板処理装置であればどのような装
置にも適用することができることは言うまでもない。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、加圧することによって吸引通
路内の流路抵抗を小さくすることができ、基板と吸着面
との平行度を保ちつつ搬送手段を相対昇降させたとして
も、基板保持手段の吸着面に吸引力が生じることを防止
できるので、基板の反りを抑制することができる。した
がって、基板に形成されている微小なパターンの破壊や
基板自体の破損を防止することができる。

【００４８】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板の下面と吸着面との密着を解除することにより吸引通
路の流路抵抗を小さくすることができ、搬送手段を相対
昇降させても基板保持手段の吸着面に吸引力が生じるこ
とを防止できるので、基板の反りを抑制することができ
る。したがって、請求項１と同様の効果を奏する。

【００４９】また、請求項３に記載の発明によれば、一
時支持手段で基板を当接支持しているので、基板保持手
段から一時支持手段への搬送時に吸引の影響による反り
を防止できる。よって、一時支持手段を介して基板保持
手段から搬送手段に基板を搬送することにより請求項１
と同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る回転式基板塗布装置の概略構
成を示す図である。

【図２】各部の動作を示すタイムチャートである。

【図３】加圧機構の変形例を示す図である。

【図４】変形例の動作を示すタイムチャートである。

【図５】第２実施例に係る回転式基板塗布装置の概略構
成を示す図である。

【図６】動作説明に供する図である。

【図７】動作説明に供する図である。

【図８】第３実施例に係る回転式基板塗布装置の概略構
成を示す図である。

【図９】動作説明に供する図である。

【図１０】動作説明に供する図である。

【図１１】動作説明に供する図である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 １ … 吸引式スピンチャック（基板保持手段） １ａ … 吸着面 １ｂ … 吸引通路 ５ … 電動モータ ７ … ノズル ２１ … 加圧機構（加圧手段） ２１ａ … シリンダ部 ２１ｂ … ピストン部 ２１ｃ … 圧縮コイルバネ ２１ｄ … ソレノイド ２３ … 搬送機構（搬送手段） ３３ … 傾斜機構（平行度解除手段） ３３ａ … 電動モータ ３３ｂ … 螺軸 ３３ｄ … 移動部材 ３３ｇ … 揺動基台 ３５ … 一時支持機構（一時支持手段） ３７ … 支持部材 ３７ａ … 支持点 ３９ … アクチュエータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板保持手段に形成されている吸着面に
   連通した吸引通路を吸引して基板を吸着保持した状態で
   処理を施し、前記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手
   段を吸着面より高い位置に相対移動させることにより前
   記基板保持手段から基板を離間させて前記搬送手段に搬
   送する基板処理装置において、 前記吸引通路内の圧力を高める加圧手段を備え、 前記搬送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動さ
   せる際に、前記加圧手段を作動させるようにしたことを
   特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 基板保持手段に形成されている吸着面に
   連通した吸引通路を吸引して基板を吸着保持した状態で
   処理を施し、前記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手
   段を吸着面より高い位置に相対移動させることにより前
   記基板保持手段から基板を離間させて前記搬送手段に搬
   送する基板処理装置において、 前記基板の下面と前記基板保持手段の吸着面との平行度
   を解除する平行度解除手段を備え、 前記搬送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動さ
   せる際に、前記平行度解除手段を作動させるようにした
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 基板保持手段に形成されている吸着面に
   連通した吸引通路を吸引して基板を吸着保持した状態で
   処理を施し、前記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手
   段を吸着面より高い位置に相対移動させることにより前
   記基板保持手段から基板を離間させて前記搬送手段に搬
   送する基板処理装置において、 前記基板保持手段に吸着保持されている基板に当接し、
   前記基板保持手段の吸着面に対して相対昇降する一時支
   持手段を備え、 前記吸引通路の吸引を停止した後、前記基板保持手段に
   載置されている基板を前記一時支持手段に移載し、前記
   一時支持手段と前記搬送手段とを相対昇降させて前記基
   板を搬送するようにしたことを特徴とする基板処理装
   置。