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JPH118289A - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

Info

Publication number
JPH118289A
JPH118289A JP9158441A JP15844197A JPH118289A JP H118289 A JPH118289 A JP H118289A JP 9158441 A JP9158441 A JP 9158441A JP 15844197 A JP15844197 A JP 15844197A JP H118289 A JPH118289 A JP H118289A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
suction
unit
suction surface
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9158441A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masakazu Sanada
雅和 真田
Takeshi Matsuka
毅 松家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP9158441A priority Critical patent/JPH118289A/en
Publication of JPH118289A publication Critical patent/JPH118289A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 吸着面における吸引の悪影響を防止すること
により、搬送時の反りを抑制してパターンの破壊や基板
の破損を防止することができる。 【解決手段】 真空ポンプ19の動作を停止し、操作三
方弁17を大気側に切り換えて吸引通路1bをほぼ大気
圧としてから操作弁15を閉止する。次に、搬送機構2
3を基板Wの直下に移動させて上昇させ、支持面23c
に基板Wが当接するまでに加圧機構21を作動させる。
これにより吸引通路1bの圧力が大気圧より高くされ、
吸引通路1bの流路抵抗を極めて小さくできる。したが
って、吸着面1aに吸引力が生じることを防止でき、基
板Wの反りを防止して破損を防止できる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To prevent a bad influence of suction on a suction surface, thereby suppressing a warpage at the time of conveyance and preventing a pattern and a substrate from being damaged. SOLUTION: The operation of a vacuum pump 19 is stopped, an operation three-way valve 17 is switched to the atmosphere side, and a suction passage 1b is set to substantially atmospheric pressure, and then the operation valve 15 is closed. Next, the transport mechanism 2
3 is moved immediately below the substrate W and raised, and the support surface 23c
The pressing mechanism 21 is operated until the substrate W comes into contact with the substrate.
Thereby, the pressure of the suction passage 1b is made higher than the atmospheric pressure,
The flow path resistance of the suction passage 1b can be extremely reduced. Therefore, it is possible to prevent a suction force from being generated on the suction surface 1a, and to prevent the substrate W from being warped and damaged.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板(以下、単に基板と称する)な
どに対して現像液、フォトレジスト液、ポリイミド樹
脂、シリカ系被膜形成材とも呼ばれるSOG(Spin On Glas
s,)液などの処理液を供給して処理を施す基板処理装置
に係り、特に基板を真空吸引により吸着保持した状態で
処理を施し、吸引を解除した後に基板を搬送する技術に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing solution and a photoresist for a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate), and the like. Liquid, polyimide resin, SOG (Spin On Glas
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing by supplying a processing liquid such as s,) liquid, and more particularly to a technique of performing processing while sucking and holding a substrate by vacuum suction, releasing the suction, and then transporting the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、回転自在に構成された真空吸引式のスピンチャッ
クと、基板をスピンチャックとの間で搬送するための搬
送アームとを備えているものが挙げられる。このように
構成されている装置は、例えば、次のように動作する。
2. Description of the Related Art A conventional substrate processing apparatus of this type includes, for example, a rotatable vacuum suction type spin chuck and a transfer arm for transferring a substrate to and from the spin chuck. Things. The device configured as described above operates, for example, as follows.

【0003】すなわち、真空吸引式のスピンチャックに
形成されている吸着面に連通した吸引通路を吸引して基
板を吸着保持し、基板を回転させつつフォトレジスト液
などの処理液を供給する。そして、その上面に一定膜厚
のフォトレジスト被膜を形成する処理を施したのち、ス
ピンチャックの回転を停止して吸引通路の吸引を停止
し、吸引通路内の圧力をほぼ大気圧にまで戻す。次い
で、Cの状の支持部を有する搬送アームを基板の下方に
進入させ、基板の下面周縁部を当接支持しつつ搬送アー
ムをスピンチャックの吸着面より高い位置に上昇させる
ことによって、基板の下面とスピンチャックの吸着面と
の平行度を保ちつつ処理済みの基板をスピンチャックか
ら離間させて搬送アームに搬送する。その後、搬送アー
ムに支持された処理済みの基板は、基板を積層収納する
キャリアに収納されたり、他の装置に搬送されて次なる
処理を施されるようになっている。
[0003] That is, a suction passage communicating with a suction surface formed in a vacuum suction type spin chuck is sucked to hold a substrate by suction, and a processing liquid such as a photoresist solution is supplied while rotating the substrate. Then, after performing a process of forming a photoresist film having a constant film thickness on the upper surface, the rotation of the spin chuck is stopped to stop the suction in the suction passage, and the pressure in the suction passage is returned to substantially the atmospheric pressure. Next, the transfer arm having a C-shaped support portion is advanced below the substrate, and the transfer arm is raised to a position higher than the suction surface of the spin chuck while abutting and supporting the lower edge of the substrate. The processed substrate is transported to the transport arm while being separated from the spin chuck while maintaining the parallelism between the lower surface and the suction surface of the spin chuck. After that, the processed substrate supported by the transfer arm is stored in a carrier that stores and stacks the substrates, or is transferred to another device to be subjected to the next processing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、スピンチャックから搬送アームに基板
を搬送する際には、真空吸引が停止されて吸引通路内の
圧力がほぼ大気圧にされてはいるものの、吸引通路内の
流路抵抗が大きく、基板の下面とスピンチャックの吸着
面との平行度を保ちつつ搬送アームを上昇させているこ
ともあって、吸着面が減圧状態となって基板の中央部が
吸引される。そのため基板の周縁部だけが搬送アームと
ともに上昇し、基板の中央部はスピンチャックの吸着面
に吸い寄せられる。つまり、一時的にではあるが搬送時
に基板が大きく反る現象が生じる。周知のように、通
常、基板の表面には、多数のプロセスを経て種々の微細
なパターンが形成されており、このような大きな反りが
何度も生じると微細なパターンが破壊されたり、最悪の
場合には基板自体が反りに耐えられなくなって破損して
しまう問題がある。
However, the prior art having such a structure has the following problems. That is, when the substrate is transferred from the spin chuck to the transfer arm, although the vacuum suction is stopped and the pressure in the suction passage is almost at atmospheric pressure, the flow path resistance in the suction passage is large, and Because the transfer arm is raised while maintaining the parallelism between the lower surface and the suction surface of the spin chuck, the suction surface is depressurized and the central portion of the substrate is sucked. Therefore, only the peripheral portion of the substrate rises together with the transfer arm, and the central portion of the substrate is attracted to the suction surface of the spin chuck. That is, a phenomenon occurs in which the substrate is greatly warped at the time of transport, though temporarily. As is well known, usually, various fine patterns are formed on the surface of a substrate through a number of processes, and if such a large warpage occurs many times, the fine patterns may be destroyed or the worst case may occur. In this case, there is a problem that the substrate itself cannot withstand the warpage and is damaged.

【0005】因みに、最近の半導体製造分野において
は、8インチ(約200mm)径の基板から300mm
径の基板へと大口径化が進んで径が約1.5倍にも大き
くなっている一方で、その厚みは約1.07倍にしかな
っておらず、径に対する厚みの比率が極めて小さくなっ
て基板の反りに対する強度自体が大幅に低下してきてい
る。さらに、基板の大口径化に伴ってスピンチャックの
径も大きくなっているため、上述した減圧状態となる吸
着面の面積が増大し、基板に対する吸引力が増大してい
る。したがって、基板自身の反りに対する強度の低下と
基板に対する吸引力の増大により、上記のような不都合
が極めて生じやすくなっている。
Incidentally, in the recent semiconductor manufacturing field, a substrate having a diameter of 8 inches (about 200 mm) has a diameter of 300 mm.
While the diameter has increased to about 1.5 times as the diameter of the substrate has increased, the thickness is only about 1.07 times, and the ratio of the thickness to the diameter is extremely small. As a result, the strength itself against the warpage of the substrate has been greatly reduced. Further, since the diameter of the spin chuck also increases with an increase in the diameter of the substrate, the area of the suction surface in the above-described reduced pressure state increases, and the suction force on the substrate increases. Therefore, the above-mentioned inconvenience is extremely likely to occur due to a decrease in strength against warpage of the substrate itself and an increase in suction force to the substrate.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、吸着面における吸引の悪影響を防止す
ることにより、搬送時の反りを抑制してパターンの破壊
や基板の破損を防止することができる基板処理装置を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and by suppressing the adverse effect of suction on a suction surface, warpage during transport is suppressed to prevent pattern destruction and substrate destruction. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that can perform the processing.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の基板処理装置は、基板保持手段に
形成されている吸着面に連通した吸引通路を吸引して基
板を吸着保持した状態で処理を施し、前記吸引通路の吸
引を停止した後に搬送手段を吸着面より高い位置に相対
移動させることにより前記基板保持手段から基板を離間
させて前記搬送手段に搬送する基板処理装置において、
前記吸引通路内の圧力を高める加圧手段を備え、前記搬
送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動させる際
に、前記加圧手段を作動させるようにしたことを特徴と
するものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. In other words, the substrate processing apparatus according to claim 1 performs a process while sucking and holding the substrate by sucking the suction passage communicating with the suction surface formed in the substrate holding means, and stopping the suction of the suction passage. In the substrate processing apparatus, the substrate is separated from the substrate holding unit and transferred to the transfer unit by relatively moving the transfer unit to a position higher than the suction surface after the transfer.
A pressurizing means for increasing the pressure in the suction passage is provided, and the pressurizing means is operated when the transfer means is relatively moved to a position higher than the suction surface. .

【0008】また、請求項2に記載の基板処理装置は、
基板保持手段に形成されている吸着面に連通した吸引通
路を吸引して基板を吸着保持した状態で処理を施し、前
記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手段を吸着面より
高い位置に相対移動させることにより前記基板保持手段
から基板を離間させて前記搬送手段に搬送する基板処理
装置において、前記基板の下面と前記基板保持手段の吸
着面との平行度を解除する平行度解除手段を備え、前記
搬送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動させる
際に、前記平行度解除手段を作動させるようにしたこと
を特徴とするものである。
[0008] Further, the substrate processing apparatus according to claim 2 is
The suction passage communicating with the suction surface formed in the substrate holding means is suctioned to perform processing while holding the substrate by suction, and after the suction of the suction passage is stopped, the transfer means is relatively moved to a position higher than the suction surface. In the substrate processing apparatus that separates the substrate from the substrate holding unit and transports the substrate to the transport unit, the substrate processing apparatus further includes a parallelism canceling unit that cancels the parallelism between the lower surface of the substrate and the suction surface of the substrate holding unit. When the transport means is relatively moved to a position higher than the suction surface, the parallelism canceling means is operated.

【0009】また、請求項3に記載の基板処理装置は、
基板保持手段に形成されている吸着面に連通した吸引通
路を吸引して基板を吸着保持した状態で処理を施し、前
記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手段を吸着面より
高い位置に相対移動させることにより前記基板保持手段
から基板を離間させて前記搬送手段に搬送する基板処理
装置において、前記基板保持手段に吸着保持されている
基板に当接し、前記基板保持手段の吸着面に対して相対
昇降する一時支持手段を備え、前記吸引通路の吸引を停
止した後、前記基板保持手段に載置されている基板を前
記一時支持手段に移載し、前記一時支持手段と前記搬送
手段とを相対昇降させて前記基板を搬送するようにした
ことを特徴とするものである。
Further, the substrate processing apparatus according to claim 3 is
The suction passage communicating with the suction surface formed in the substrate holding means is suctioned to perform processing while holding the substrate by suction, and after the suction of the suction passage is stopped, the transfer means is relatively moved to a position higher than the suction surface. In the substrate processing apparatus that separates the substrate from the substrate holding unit and transports the substrate to the transport unit, the substrate processing unit contacts the substrate that is sucked and held by the substrate holding unit, and is positioned relative to the suction surface of the substrate holding unit. After temporarily stopping the suction of the suction passage, the substrate placed on the substrate holding unit is transferred to the temporary support unit, and the temporary support unit and the transport unit are moved relative to each other. The substrate is moved up and down to transport the substrate.

【0010】[0010]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板を吸着保持している基板保持手段の吸引通路の
吸引を停止し、搬送手段を基板保持手段の吸着面に対し
て相対昇降させる際に、加圧手段を作動させて吸引通路
内の圧力を高める。これにより吸引通路内の流路抵抗を
小さくすることができ、基板と吸着面との平行度を保ち
つつ搬送手段を相対昇降させたとしても、基板保持手段
の吸着面に吸引力が生じることを防止できる。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. When the suction of the suction passage of the substrate holding means holding the substrate by suction is stopped and the transport means is moved up and down relative to the suction surface of the substrate holding means, the pressure means is operated to reduce the pressure in the suction passage. Enhance. As a result, it is possible to reduce the flow path resistance in the suction passage, and to prevent the suction force from being generated on the suction surface of the substrate holding means even if the transport means is vertically moved while maintaining the parallelism between the substrate and the suction surface. Can be prevented.

【0011】また、請求項2に記載の発明によれば、基
板を吸着保持している基板保持手段の吸引通路の吸引を
停止し、搬送手段を基板保持手段の吸着面に対して相対
昇降させる際に、平行度解除手段を作動させて基板下面
と基板保持手段の吸着面との平行度を解除する。平行度
解除手段としては、例えば、搬送手段によって基板を僅
かに傾斜させたり、基板保持手段を僅かに傾斜させて平
行度を解除するものがある。これにより基板の下面と吸
着面との密着を解除して、吸引通路の流路抵抗を小さく
することができ、搬送手段を相対昇降させても基板保持
手段の吸着面に吸引力が生じることを防止できる。
According to the second aspect of the present invention, the suction of the suction passage of the substrate holding means holding the substrate by suction is stopped, and the transport means is moved up and down relative to the suction surface of the substrate holding means. At this time, the parallelism canceling means is operated to cancel the parallelism between the lower surface of the substrate and the suction surface of the substrate holding means. As the parallelism canceling means, for example, there is a means for slightly inclining the substrate by the transfer means or slightly inclining the substrate holding means to cancel the parallelism. Thereby, the close contact between the lower surface of the substrate and the suction surface can be released, the flow path resistance of the suction passage can be reduced, and the suction force is generated on the suction surface of the substrate holding unit even when the transport unit is relatively moved up and down. Can be prevented.

【0012】また、請求項3に記載の発明によれば、基
板を吸着保持している基板保持手段の吸引通路の吸引を
停止し、基板を基板保持手段から一時支持手段に移載す
る。このとき基板保持手段の吸着面には吸引力が作用す
るが、一時支持手段は基板を当接支持しているので、吸
引の影響による反りがほとんど生じない。次いで、一時
支持手段と搬送手段とを相対昇降させて基板を搬送す
る。
According to the third aspect of the present invention, the suction of the suction passage of the substrate holding means for holding the substrate by suction is stopped, and the substrate is transferred from the substrate holding means to the temporary supporting means. At this time, a suction force acts on the suction surface of the substrate holding means, but since the temporary support means abuts and supports the substrate, there is almost no warpage due to the influence of suction. Next, the substrate is transported by moving the temporary support means and the transport means relatively up and down.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 <第1実施例>(請求項1に係る発明) 図1は、本発明に係る基板処理装置の一例である回転式
基板塗布装置の概略構成を示す図であり、図2は各部の
動作を示すタイムチャートである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> (Invention of Claim 1) FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a rotary substrate coating apparatus which is an example of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. It is a time chart shown.

【0014】図中、符号1は、基板Wを真空吸引によっ
て吸着保持する吸引式スピンチャックであり、その下面
に回転軸3が取り付けられている。回転軸3は、電動モ
ータ5に連動連結されて鉛直軸周りに回転駆動され、吸
引式スピンチャック1とともに基板Wを水平面内で回転
駆動する。上記の吸引式スピンチャック1は、その上面
に吸着面1aが形成されており、この吸着面1aは回転
軸3に形成された吸引通路1bに連通している。なお、
上記の吸引式スピンチャック1が本発明の基板保持手段
に相当する。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a suction-type spin chuck which sucks and holds a substrate W by vacuum suction, and a rotating shaft 3 is attached to a lower surface thereof. The rotating shaft 3 is connected to the electric motor 5 and is driven to rotate around a vertical axis. The rotating shaft 3 rotates the substrate W together with the suction-type spin chuck 1 in a horizontal plane. The suction type spin chuck 1 has a suction surface 1 a formed on the upper surface thereof, and the suction surface 1 a communicates with a suction passage 1 b formed in the rotating shaft 3. In addition,
The suction type spin chuck 1 described above corresponds to the substrate holding means of the present invention.

【0015】吸引式スピンチャック1の周囲には、昇降
可能に構成され、図中に実線で示した供給位置にあるノ
ズル7から基板Wに供給されたフォトレジスト液などの
処理液が周りに飛散することを防止するための飛散防止
カップ9が配備されている。この飛散防止カップ9も昇
降自在に構成されており、吸引式スピンチャック1より
も下方に位置する退避位置(図中の二点鎖線)と、吸引
式スピンチャック1を囲うような処理位置(図中の実
線)とにわたって昇降する。
Around the suction type spin chuck 1, a processing liquid such as a photoresist liquid supplied to the substrate W from the nozzle 7 at a supply position shown by a solid line in the drawing is scattered. A scatter prevention cup 9 is provided to prevent scatter. The scattering prevention cup 9 is also configured to be able to move up and down freely, and a retreat position (two-dot chain line in the figure) located below the suction-type spin chuck 1 and a processing position surrounding the suction-type spin chuck 1 (see FIG. (Solid line in the middle).

【0016】上記の回転軸3は、電動モータ5の下面か
ら突出しており、その下端部が回転軸受け11を介して
吸引配管13に接続されている。この吸引配管13は、
操作弁15と、操作三方弁17とを介して真空ポンプ1
9に連通接続されており、操作弁15を開放するととも
に操作三方弁17を真空ポンプ19側に切り換えること
によって吸引配管13を介して吸引通路1bを吸引し、
基板Wを吸引式スピンチャック1の吸着面1aに真空吸
着するようになっている。
The rotating shaft 3 protrudes from the lower surface of the electric motor 5, and its lower end is connected to a suction pipe 13 via a rotating bearing 11. This suction pipe 13
Vacuum pump 1 via operation valve 15 and operation three-way valve 17
9, the operation valve 15 is opened, and the operation three-way valve 17 is switched to the vacuum pump 19 side to suck the suction passage 1b through the suction pipe 13.
The substrate W is vacuum-sucked to the suction surface 1a of the suction-type spin chuck 1.

【0017】また、吸引配管13の一部位には、本発明
の加圧手段に相当する加圧機構21が配設されている。
この加圧機構21は、吸引配管13に連通したシリンダ
部21aと、シリンダ部21a内を摺動自在のピストン
部21bと、このピストン部21bを上方に付勢する圧
縮コイルバネ21cと、上方に付勢されているピストン
部21bを下方に向けて駆動するソレノイド21dとか
ら構成されている。ソレノイド21dの動作は通常OF
Fにされており、その動作がONとなると、上方に付勢
されているピストン部21bが下方に駆動され、シリン
ダ部21a内の空気を吸引配管13内に送り込んでその
内部を加圧するように動作する。
A pressurizing mechanism 21 corresponding to the pressurizing means of the present invention is provided at one portion of the suction pipe 13.
The pressurizing mechanism 21 includes a cylinder portion 21a communicating with the suction pipe 13, a piston portion 21b slidable in the cylinder portion 21a, a compression coil spring 21c for urging the piston portion 21b upward, and an upper portion. And a solenoid 21d for driving the biased piston portion 21b downward. The operation of the solenoid 21d is normally OF
When the operation is turned ON, the piston portion 21b urged upward is driven downward, and the air in the cylinder portion 21a is sent into the suction pipe 13 to pressurize the inside thereof. Operate.

【0018】なお、シリンダ部21aの容積と、ソレノ
イド21dによるピストン部21bの移動速度を規定す
る圧縮コイルバネ21cのバネ係数などは、加圧機構2
1による加圧時に基板Wが吸着面1aから上方に大きく
飛び上がることのないように設定しておくことが好まし
い。この実施例では、加圧時の圧力と基板Wの自重が均
衡し、基板Wが浮き上がることがない程度に設定されて
いる。
Incidentally, the volume of the cylinder portion 21a and the spring coefficient of the compression coil spring 21c which regulates the moving speed of the piston portion 21b by the solenoid 21d are determined by the pressing mechanism 2
It is preferable that the setting is made so that the substrate W does not greatly jump upward from the suction surface 1a when the pressure is applied by the pressure of 1. In this embodiment, the pressure at the time of pressurization and the weight of the substrate W are balanced so that the substrate W is set so as not to be lifted.

【0019】飛散防止カップ9の側方には、吸引式スピ
ンチャック1との間で基板Wを受け渡しするために、昇
降および進退自在に構成された搬送機構23が装備され
ている。図示しない昇降手段によって昇降駆動されると
ともに進退駆動される基部23aの前面には、平面視C
の字状の支持部23bが配設されており、この支持部2
3bの上部には基板Wの下面周縁部を当接支持するため
に先下がり傾斜状に形成された支持面23cが形成され
ている。説明の都合上、基板Wを当接支持した際に、基
板Wが支持面23cに当接する位置を支持点23dと称
することにする。なお、この搬送機構23が本発明にお
ける搬送手段に相当する。
On the side of the scattering prevention cup 9, a transfer mechanism 23 configured to be able to move up and down and move forward and backward is provided for transferring the substrate W to and from the suction-type spin chuck 1. A front surface of a base 23a driven up and down by a lifting means (not shown) and driven forward and backward is provided in a plan view C
A support portion 23b having a U-shape is provided.
A support surface 23c is formed on the upper portion of 3b so as to be inclined downward to contact and support the lower edge of the substrate W. For convenience of description, a position where the substrate W abuts on the support surface 23c when the substrate W is abutted and supported will be referred to as a support point 23d. Note that the transport mechanism 23 corresponds to a transport unit in the present invention.

【0020】上述したノズル7の移動および処理液の供
給と、飛散防止カップ9の昇降と、電動モータ5の回転
と、操作弁15および操作三方弁17の開閉と、真空ポ
ンプ19と、搬送機構23の昇降および進退駆動は、処
理手順を規定しているプログラム(いわゆるレシピー)
をメモリ25から読み出して実行する制御部27によっ
て統括制御されるようになっている。また、上述した搬
送機構23の昇降は、制御部27によって制御される
が、その支持点23dの高さがL2とL3とにわたって
移動されるようになっている。つまり、未処理の基板W
を吸引式スピンチャック1に対して渡す際には、吸着面
1aの高さL1より上に位置する高さL3に上昇して進
入し、吸着面1aの高さL1より低い高さL2に下降す
ることによって基板Wを吸着面1aに載置するとともに
退出する。そして、処理済みの基板Wを吸引式スピンチ
ャック1から受け取る際には、その逆に、高さL2で進
入して高さL3に上昇することによって処理済みの基板
Wを吸引式スピンチャック1から離間させて退出するよ
うになっている。
The movement of the nozzle 7 and the supply of the processing liquid, the raising and lowering of the scattering prevention cup 9, the rotation of the electric motor 5, the opening and closing of the operation valve 15 and the operation three-way valve 17, the vacuum pump 19, and the transfer mechanism The ascent / descent and forward / backward driving of the program 23 define a processing procedure (so-called recipe).
Is read from the memory 25 and executed by the control unit 27. The elevation of the transport mechanism 23 is controlled by the control unit 27. The height of the support point 23d is moved between L2 and L3. That is, the unprocessed substrate W
Is transferred to the suction-type spin chuck 1 and rises to a height L3 located above the height L1 of the suction surface 1a, and then descends to a height L2 lower than the height L1 of the suction surface 1a. As a result, the substrate W is placed on the suction surface 1a and withdrawn. When receiving the processed substrate W from the suction spin chuck 1, on the contrary, the processed substrate W enters the height L 2 and rises to the height L 3, whereby the processed substrate W is removed from the suction spin chuck 1. It is designed to leave and leave.

【0021】次に、図2のタイムチャートを参照して、
上記のように構成された装置の動作について説明する。
なお、未処理の基板Wに対する処理は既に完了している
ものとし、ノズル7は図1中に二点鎖線で示す退避位置
に既に上昇し、飛散防止カップ9は下降しているものと
する。また、電動モータ5の回転が停止された時点から
一定時間(数秒程度)が経過した時点をタイムチャート
の原点とし、この時点から説明を行うことにする。
Next, referring to the time chart of FIG.
The operation of the device configured as described above will be described.
It is assumed that the processing on the unprocessed substrate W has already been completed, the nozzle 7 has already been raised to the retracted position indicated by the two-dot chain line in FIG. 1, and the scattering prevention cup 9 has been lowered. Further, a point in time when a fixed time (about several seconds) has elapsed from the point in time when the rotation of the electric motor 5 is stopped is set as the origin of the time chart, and the description will be made from this point.

【0022】搬送機構23は、図2(a)に示すように
その支持点23dの高さが、吸着面1aの高さより下に
位置する高さL2にされ、真空ポンプ19は、図2
(b)に示すように電動モータ5の回転が停止された時
点でONからOFFにされ、その吸引力が徐々に低下し
てt1 時点でほぼ『0』となっている。そして、吸引力
がほぼ『0』となるt1 時点で、操作三方弁17が吸引
配管13側から大気側に切り換えられる。これによって
吸引配管13内が大気に連通し、吸引通路1b内がほぼ
大気圧とされて、吸着面1aにおける基板Wに対する吸
着力がほぼ『0』となる。
As shown in FIG. 2A, the height of the support point 23d of the transport mechanism 23 is set to a height L2 located below the height of the suction surface 1a.
As shown in (b), when the rotation of the electric motor 5 is stopped, the electric motor 5 is turned from ON to OFF, and the suction force gradually decreases to almost “0” at time t 1 . Then, at time t 1 when the suction force becomes substantially “0”, the operation three-way valve 17 is switched from the suction pipe 13 side to the atmosphere side. As a result, the inside of the suction pipe 13 communicates with the atmosphere, and the inside of the suction passage 1b is set to substantially the atmospheric pressure, so that the suction force of the suction surface 1a to the substrate W becomes substantially "0".

【0023】操作三方弁17が大気側に切り換えられた
後、t2 時点で操作弁15を閉止して吸引通路1bと吸
引配管13を閉塞する。そして、搬送機構23を高さL
2で進入させて、t4 時点で基板Wの直下に移動完了し
たとする。次に、t5 時点で搬送機構23を高さL2か
ら高さL3に向けて上昇させ始めるが、これと同時にソ
レノイド21dをONにする。すると加圧機構21が作
動し、基板W下面と操作弁15によって閉塞されている
吸引配管13および吸引通路1bの圧力が大気圧より高
くされる。
[0023] Operation three-way valve 17 is then switched to the atmosphere side, closes the suction passage 1b and the suction pipe 13 closes the operating valve 15 at t 2 time. Then, the transport mechanism 23 is moved to the height L.
It is assumed that the vehicle has been entered at 2 and the movement has been completed immediately below the substrate W at time t 4 . Next, begin to rise toward the height L3 of the conveying mechanism 23 from a height L2 in t 5 the time, which the turns ON the solenoid 21d simultaneously. Then, the pressurizing mechanism 21 operates, and the pressure of the suction pipe 13 and the suction passage 1b closed by the lower surface of the substrate W and the operation valve 15 is made higher than the atmospheric pressure.

【0024】搬送機構23が上昇され始めてt6 時点で
支持点23dが基板Wに当接すると、加圧時の圧力と自
重が均衡している基板Wは、加圧により吸引通路1bの
流路抵抗が小さくされていることもあって上方に押し上
げられるようにして容易に吸着面1aから離間し、搬送
機構23の支持面23cに移載される。したがって、従
来例のように大気に開放するだけの場合に、吸着面1a
に生じる吸引力に起因して基板Wが反ることが防止でき
る。したがって、多数のプロセスを経て基板Wの表面に
形成されている微細パターンが損傷したり、基板Wが破
損するような不都合を防止することができ、歩留り向上
が期待できる。
[0024] When the support point 23d at time t 6 and the transport mechanism 23 is started to be raised to contact the substrate W, the substrate W to pressure and own weight of pressurization is balanced, the flow path of the suction passage 1b by pressure Due to the reduced resistance, the sheet is easily separated from the suction surface 1a by being pushed upward, and is transferred to the support surface 23c of the transport mechanism 23. Therefore, in the case of merely opening to the atmosphere as in the conventional example, the suction surface 1a
The substrate W can be prevented from being warped due to the suction force generated in the step (a). Therefore, inconveniences such as damage to the fine pattern formed on the surface of the substrate W through many processes and damage to the substrate W can be prevented, and improvement in yield can be expected.

【0025】搬送機構23は、t7 時点で高さL3にま
で上昇し、処理済みの基板Wを載置した状態で退出す
る。その後、t8 時点で操作弁15が開放される。
The transport mechanism 23 is raised to a height L3 at t 7 point and exits in a state of mounting the processed substrate W. Thereafter, the operation valve 15 is opened at t 8 time.

【0026】上記の説明では、搬送機構23が上昇を開
始した時点t5 において加圧機構21を作動させるよう
にしたが、このタイミングは基板Wが支持点23dに当
接するt6 以前であればどのように設定してもよい。例
えば、上昇開始時点t5 より前の(t3 )時点でもよ
く、当接時点t6 であってもよい。
[0026] In the above description, the transfer mechanism 23 is to actuate the pressure-applying mechanism 21 at time t 5 that initiated the elevated, if the timing is a t 6 before the substrate W is brought into contact with the supporting point 23d Any setting may be made. For example, it may be a time (t 3 ) before the rising start time t 5 or a contact time t 6 .

【0027】なお、加圧機構21は、図3に示すような
構成としてもよい。すなわち、吸引配管13から分岐し
た加圧配管31aと、制御部27によって開閉操作され
る操作弁31bと、一端側が操作弁31bに接続され、
他端側が大気に連通されたレギュレータ31cとによっ
て構成する。これにより操作弁31bが開放されると加
圧配管31aを介して吸引配管13の圧力が一定圧力と
なるように調整される。なお、レギュレータ31cに
は、空気や窒素などの気体を供給する気体供給源を接続
するようにしてもよい。
The pressing mechanism 21 may be configured as shown in FIG. That is, a pressure pipe 31a branched from the suction pipe 13, an operation valve 31b that is opened / closed by the control unit 27, and one end side connected to the operation valve 31b,
The other end is constituted by a regulator 31c communicated with the atmosphere. Thus, when the operation valve 31b is opened, the pressure of the suction pipe 13 is adjusted to be constant through the pressurizing pipe 31a. Note that a gas supply source for supplying a gas such as air or nitrogen may be connected to the regulator 31c.

【0028】上記のように構成した場合には、例えば、
図4のタイムチャートに示すように動作させればよい。
つまり、真空ポンプ19の停止により吸引力がほぼ
『0』となるt1 時点において操作弁15を閉止した
後、t2 時点にて操作弁31bを開放してレギュレータ
31cを介して一定圧力の空気を取り込み、吸引配管1
3内を加圧する。このような構成によると、詳述した構
成の装置のように操作三方弁17により吸引配管13内
を大気に開放する必要がなく、構成および制御を簡単化
することができつつも、詳述した上記構成のものと同等
の効果を得ることができる。
In the case of the above configuration, for example,
The operation may be performed as shown in the time chart of FIG.
That is, after the operation valve 15 is closed at the time point t 1 when the suction force becomes substantially “0” due to the stop of the vacuum pump 19, the operation valve 31 b is opened at the time point t 2 and the air of a constant pressure is supplied through the regulator 31 c. And suction pipe 1
3 is pressurized. According to such a configuration, it is not necessary to open the inside of the suction pipe 13 to the atmosphere by the operation three-way valve 17 as in the device having the configuration described in detail. The same effect as that of the above configuration can be obtained.

【0029】<第2実施例>(請求項2に係る発明) 上記の第1実施例では、加圧機構21で吸引配管13を
加圧することによって吸着面1aと基板Wの吸着を防止
し、基板Wの反りを防止したが、この実施例では吸着面
1aと基板Wの平行度を解除して密着度合いを粗にする
ことによって吸着を防止するものである。以下、図5な
いし図7を参照して本実施例の構成およびその動作につ
いて説明するが、上記第1実施例と同じ構成には同符号
を付すことでその詳細な説明については省略する。
<Second Embodiment> (Invention of Claim 2) In the first embodiment, the suction mechanism 13 pressurizes the suction pipe 13 to prevent the suction surface 1a from adhering to the substrate W. Although the warpage of the substrate W is prevented, in this embodiment, the suction is prevented by releasing the parallelism between the suction surface 1a and the substrate W to make the degree of adhesion rough. Hereinafter, the configuration and operation of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 7, but the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0030】図5に示すように電動モータ5の下部外周
面には、電動モータ5ごと吸引式スピンチャック1を傾
斜させて、吸着面1aと基板Wとの平行度を解除して密
着度合いを低下させる傾斜機構33が配設されている。
本発明の平行度解除手段に相当する傾斜機構33は、装
置フレームに横置き固定された電動モータ33aと、こ
の電動モータ33aの回転軸に連動した螺軸33bと、
縦向きの長穴33cを有し、下部で螺軸33bに螺合し
た移動部材33dと、電動モータ5側に配設されて長穴
33cに緩挿された規制ピン33eとを備える。また、
電動モータ33aの反対側には、装置フレームに固定さ
れ、上向き円弧状の揺動穴33fを形成されている揺動
基台33gと、電動モータ5に配設されて揺動穴33f
に緩挿された揺動ピン33hとを備えている。
As shown in FIG. 5, the suction type spin chuck 1 is tilted together with the electric motor 5 on the outer peripheral surface of the lower part of the electric motor 5 to release the parallelism between the suction surface 1a and the substrate W to reduce the degree of adhesion. A tilt mechanism 33 for lowering is provided.
The tilting mechanism 33 corresponding to the parallelism canceling means of the present invention includes an electric motor 33a horizontally fixed to the apparatus frame, a screw shaft 33b interlocked with a rotation axis of the electric motor 33a,
The movable member 33d has a vertically elongated hole 33c and is screwed to the screw shaft 33b at a lower portion, and a regulating pin 33e provided on the electric motor 5 side and loosely inserted into the elongated hole 33c. Also,
On the opposite side of the electric motor 33a, a swing base 33g fixed to the device frame and having an upwardly arc-shaped swing hole 33f, and a swing hole 33f provided in the electric motor 5 are provided.
Swinging pin 33h loosely inserted into

【0031】このように構成されている傾斜機構33
は、通常、図5に示すように回転軸3をほぼ垂直に保持
している一方、処理済みの基板Wを搬出する際には、電
動モータ33aを駆動して、移動部材33dを電動モー
タ5側に移動する。すると電動モータ5の下端部が水平
に左側に向かって移動しようとするが、揺動ピン33h
が円弧状の揺動穴33fによって規制されているため、
規制ピン33eが長穴33cを下降しつつ、電動モータ
5の下端部が振り子のように揺動して図の左側に向かっ
て移動する。したがって、吸着面1aの左端の揺動支点
Aを中心に、吸着面1aの右端が基板Wの下面から下降
するように揺動して、基板Wと吸着面1aの平行度を解
除するように動作する。この動作に伴って電動モータ5
とともに吸引配管13が左側に向かって移動するが、フ
レキシブル配管13aはその移動分を収縮することで吸
収する。この収縮によって吸引配管13内の容積が僅か
ではあるが減少し、揺動するとともに加圧する副次的な
作用を生じる。
The tilting mechanism 33 constructed as described above
Normally, as shown in FIG. 5, while the rotating shaft 3 is held substantially vertically, when the processed substrate W is carried out, the electric motor 33a is driven to move the moving member 33d to the electric motor 5d. Move to the side. Then, the lower end of the electric motor 5 attempts to move horizontally to the left, but the swing pin 33h
Is regulated by the arc-shaped swing hole 33f,
The lower end of the electric motor 5 swings like a pendulum and moves toward the left side of the figure while the regulating pin 33e moves down the elongated hole 33c. Accordingly, the right end of the suction surface 1a swings about the swing fulcrum A at the left end of the suction surface 1a so as to descend from the lower surface of the substrate W, so that the parallelism between the substrate W and the suction surface 1a is released. Operate. With this operation, the electric motor 5
At the same time, the suction pipe 13 moves toward the left side, and the flexible pipe 13a absorbs the contracted amount by moving. Due to this contraction, the volume in the suction pipe 13 is slightly reduced, and a secondary action of oscillating and pressurizing occurs.

【0032】次に、図6および図7を参照して動作につ
いて説明する。基板Wに対する処理が完了し、回転停止
および操作三方弁17が大気側に切り換えられた後、図
6に実線で示すように搬送機構23が基板Wの直下に進
入する。そして、電動モータ33aを低速で駆動して、
図中に二点鎖線で示すように揺動支点Aを中心に吸着面
1aの右端をゆっくりと下降させる。基板Wの右側下面
が支持部23bの先端部側にある支持面23cに当接す
ると、基板Wだけがその下降を規制されることになる。
Next, the operation will be described with reference to FIGS. After the processing on the substrate W is completed and the rotation is stopped and the operation three-way valve 17 is switched to the atmosphere side, the transport mechanism 23 enters immediately below the substrate W as shown by a solid line in FIG. Then, the electric motor 33a is driven at a low speed,
As shown by a two-dot chain line in the figure, the right end of the suction surface 1a is slowly lowered around the swing fulcrum A. When the lower surface on the right side of the substrate W abuts on the support surface 23c on the tip side of the support portion 23b, only the substrate W is restricted from being lowered.

【0033】さらに電動モータ33aの駆動を継続する
と、図7に二点鎖線で示すように、吸着面1aがその右
端から次第に基板Wの下面より離間して基板Wとの平行
度が徐々に解除されてゆく。このときガラス面に貼付け
た吸盤を端からめくるように基板Wから吸着面1aが離
れるので、密着度合いが極めて低い状態となって流路抵
抗が極めて小さくなり、その結果、基板Wが大きく反る
ようなことがなく、基板Wのパターン損傷や基板W自体
の破損を防止できる。また、上述したように傾斜機構3
3を作動させる際には、フレキシブル配管13aがポン
プのように作用して吸引通路1b内を僅かではあるが加
圧することになるので、吸着面1aが基板Wから離れる
際に基板Wの反りをさらに抑制することができる。
When the driving of the electric motor 33a is further continued, as shown by a two-dot chain line in FIG. 7, the suction surface 1a is gradually separated from the lower surface of the substrate W from its right end, and the parallelism with the substrate W is gradually released. It is being done. At this time, since the suction surface 1a is separated from the substrate W so that the suction cup attached to the glass surface is turned from the end, the degree of adhesion is extremely low, and the flow path resistance becomes extremely small. As a result, the substrate W is greatly warped. Thus, it is possible to prevent the pattern of the substrate W from being damaged and the substrate W itself from being damaged. Further, as described above, the tilt mechanism 3
When the suction surface 1a is separated from the substrate W, the flexible pipe 13a acts like a pump and pressurizes the suction passage 1b, though slightly. It can be further suppressed.

【0034】なお、本実施例では、吸引式スピンチャッ
ク1を電動モータ5ごと傾斜させることによって平行度
を解除したが、平行度を解除する構成としては種々の変
形実施が可能である。例えば、吸引式スピンチャック1
を傾斜させることなく、吸引式スピンチャック1の吸着
面1aの一部から上方に微小なピンが突出するように構
成して、ピンによって基板Wを傾けて平行度を解除する
ようにしてもよい。
In the present embodiment, the parallelism is released by inclining the suction type spin chuck 1 together with the electric motor 5, but various modifications can be made as a configuration for releasing the parallelism. For example, suction spin chuck 1
May be configured so that minute pins protrude upward from a part of the suction surface 1a of the suction-type spin chuck 1 without tilting, and the parallelism may be released by tilting the substrate W with the pins. .

【0035】また、搬送機構23を基板Wの直下に進入
させた後、基板Wを支持面23cに当接させ、搬送機構
23の支持部23bを長手方向の軸周りに僅かに回動さ
せるようにしてもよく、さらに支持面23cに基板Wを
載置した際に傾斜するように支持面23cに段差あるい
は突起のようなものを形成しておいてもよい。これらに
よっても平行度を解除することが可能である。
After the transport mechanism 23 is moved directly below the substrate W, the substrate W is brought into contact with the support surface 23c, and the support portion 23b of the transport mechanism 23 is slightly rotated around the longitudinal axis. Alternatively, a step or a projection may be formed on the support surface 23c so as to be inclined when the substrate W is placed on the support surface 23c. The parallelism can be released by these methods.

【0036】なお、上述した<第1実施例>および<第
2実施例>では、吸引式スピンチャック1の高さを位置
固定とし、搬送機構23を昇降させるようにしたが、そ
の逆に搬送機構23の高さを位置固定として吸引式スピ
ンチャック1を昇降させるように構成してもよい。
In the first and second embodiments described above, the height of the suction-type spin chuck 1 is fixed and the transport mechanism 23 is moved up and down. The suction spin chuck 1 may be moved up and down while the height of the mechanism 23 is fixed.

【0037】<第3実施例>(請求項3に係る発明) 上記の各実施例では、基板Wを離間させる際に吸着面1
aにおける吸引力を解除するようにしたが、図8に示す
実施例では吸引力はそのままにして基板Wを離間させる
ようにしたものである。なお、上記各実施例と共通する
構成には同じ符号を付けることで詳細な説明については
省略する。
<Third Embodiment> (Invention of Claim 3) In each of the above-described embodiments, the suction surface 1
Although the suction force in FIG. 8A is released, the substrate W is separated in the embodiment shown in FIG. 8 while keeping the suction force unchanged. It is to be noted that the same reference numerals are given to the components common to the above-described embodiments, and the detailed description will be omitted.

【0038】吸引式スピンチャック1の下方には、本発
明の一時支持手段に相当する一時支持機構35が配備さ
れている。この一時支持機構35は、平面視環状の支持
部材37を、電動モータ5の側面に取り付けられた3個
のアクチュエータ39(図示は1個のみ)で昇降するよ
うに構成されている。支持部材37は、基板Wとの接触
面積を極力少なくするために断面山形に形成されてお
り、その支持点37aが、吸着面1aの高さL1より低
い高さL4と、搬送機構23の支持点23dの高さL3
よりも上方に位置する高さL5とにわたって昇降される
ようになっている。
Below the suction-type spin chuck 1, a temporary support mechanism 35 corresponding to the temporary support means of the present invention is provided. The temporary support mechanism 35 is configured to move up and down the support member 37 having an annular shape in plan view by three actuators 39 (only one is shown) attached to the side surface of the electric motor 5. The support member 37 is formed in a mountain-shaped cross section in order to minimize the contact area with the substrate W, and the support point 37a has a height L4 lower than the height L1 of the suction surface 1a and a support of the transport mechanism 23. Height L3 of point 23d
It is raised and lowered over a height L5 located above.

【0039】なお、上記の支持部材37が基板Wのでき
るだけ中心側に位置するように、その内径を吸引式スピ
ンチャック1の外径よりわずかに大きい程度に設定して
おくことが好ましい。このように基板Wの中心側に位置
させることにより、基板Wを上昇させる際に、相対的に
吸着面1aに生じる下向きの吸引力との関係で、基板W
に生じる反りをより小さなものとすることができる。
It is preferable that the inner diameter is set to be slightly larger than the outer diameter of the suction spin chuck 1 so that the support member 37 is located as close to the center of the substrate W as possible. By positioning the substrate W in the center side of the substrate W in this manner, when the substrate W is lifted, the substrate W is relatively moved in relation to the downward suction force generated on the suction surface 1a.
Can be made smaller.

【0040】このように構成されている装置の動作につ
いて、図9ないし図11を参照して説明する。なお、既
に真空ポンプ19はOFFとされ、操作三方弁17は大
気側に切り換えられているものとする。
The operation of the above-configured device will be described with reference to FIGS. It is assumed that the vacuum pump 19 has already been turned off and the operation three-way valve 17 has been switched to the atmosphere side.

【0041】一時支持機構35を作動させ、処理済みの
基板Wの下方に位置している支持部材37を高さL4か
ら高さL5にまで上昇させる。これによって基板Wは、
吸引式スピンチャック1から一時支持機構35に移載さ
れるが、中心側を当接支持されているので、吸着面1a
に作用する吸引力により基板Wが反ることを抑制でき
る。
The temporary support mechanism 35 is operated to raise the support member 37 located below the processed substrate W from the height L4 to the height L5. As a result, the substrate W
Although it is transferred from the suction type spin chuck 1 to the temporary support mechanism 35, the suction side 1a is supported because the center side is supported by contact.
Of the substrate W due to the suction force acting on the substrate W.

【0042】次いで、図10に示すように搬送機構23
が、一時支持機構35に移載された基板Wの下方に進入
し、図11のように一時支持機構35を高さL5から高
さL4にまで下降させることによって、基板Wを搬送機
構23の支持面23cに移載する。これによって処理済
みの基板Wが吸引式スピンチャック1から搬送機構23
に搬送されることになる。
Next, as shown in FIG.
Enters below the substrate W transferred to the temporary support mechanism 35, and lowers the temporary support mechanism 35 from the height L5 to the height L4 as shown in FIG. It is transferred to the support surface 23c. As a result, the processed substrate W is transferred from the suction spin chuck 1 to the transfer mechanism 23.
Will be transported.

【0043】上述したように吸引式スピンチャック1か
ら搬送機構23に基板Wを搬送する際に、一時支持機構
35を介して行うことにより、吸着面1aに生じる吸引
力を解除することなく基板Wの反りを抑制することがで
きる。その結果、基板Wに形成されているパターンの損
傷や基板Wの破壊を防止することができる。
As described above, when the substrate W is transferred from the suction-type spin chuck 1 to the transfer mechanism 23, the transfer is performed via the temporary support mechanism 35 so that the suction force generated on the suction surface 1a is not released. Warpage can be suppressed. As a result, damage to the pattern formed on the substrate W and destruction of the substrate W can be prevented.

【0044】なお、上記の<第3実施例>では、吸引式
スピンチャック1の高さを位置固定とし、一時支持機構
35を昇降させるようにしたが、その逆に一時支持機構
35の高さを位置固定とし、吸引式スピンチャック1を
昇降させるようにしてもよい。
In the above <Third Embodiment>, the height of the suction type spin chuck 1 is fixed and the temporary support mechanism 35 is moved up and down. May be fixed, and the suction-type spin chuck 1 may be moved up and down.

【0045】なお、上記の第1/第2/第3実施例で
は、基板Wの吸引のために真空ポンプ19を採用してい
るが、これに代えてクリーンルームに配設されているユ
ーティリティである吸引源を用いてもよい。
In the first, second, and third embodiments, the vacuum pump 19 is employed for sucking the substrate W. However, the utility is provided in a clean room instead. A suction source may be used.

【0046】また、上述した各実施例は回転式基板塗布
装置を例に採って説明したが、本発明は、真空吸引によ
って基板を保持する基板処理装置であればどのような装
置にも適用することができることは言うまでもない。
In each of the above embodiments, the rotary substrate coating apparatus has been described as an example. However, the present invention is applicable to any apparatus for processing a substrate that holds a substrate by vacuum suction. It goes without saying that it can be done.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、加圧することによって吸引通
路内の流路抵抗を小さくすることができ、基板と吸着面
との平行度を保ちつつ搬送手段を相対昇降させたとして
も、基板保持手段の吸着面に吸引力が生じることを防止
できるので、基板の反りを抑制することができる。した
がって、基板に形成されている微小なパターンの破壊や
基板自体の破損を防止することができる。
As is clear from the above description, according to the first aspect of the present invention, by applying pressure, the flow path resistance in the suction passage can be reduced, and the parallelism between the substrate and the suction surface can be reduced. Even if the transfer means is relatively moved up and down while maintaining the degree, the suction force of the suction surface of the substrate holding means can be prevented from being generated, so that the substrate can be prevented from warping. Therefore, it is possible to prevent the minute pattern formed on the substrate from being broken or the substrate itself from being broken.

【0048】また、請求項2に記載の発明によれば、基
板の下面と吸着面との密着を解除することにより吸引通
路の流路抵抗を小さくすることができ、搬送手段を相対
昇降させても基板保持手段の吸着面に吸引力が生じるこ
とを防止できるので、基板の反りを抑制することができ
る。したがって、請求項1と同様の効果を奏する。
According to the second aspect of the present invention, the flow path resistance of the suction passage can be reduced by releasing the close contact between the lower surface of the substrate and the suction surface. Also, it is possible to prevent a suction force from being generated on the suction surface of the substrate holding means, and therefore, it is possible to suppress the warpage of the substrate. Therefore, the same effect as that of the first aspect is obtained.

【0049】また、請求項3に記載の発明によれば、一
時支持手段で基板を当接支持しているので、基板保持手
段から一時支持手段への搬送時に吸引の影響による反り
を防止できる。よって、一時支持手段を介して基板保持
手段から搬送手段に基板を搬送することにより請求項1
と同様の効果を得ることができる。
According to the third aspect of the present invention, since the substrate is abutted and supported by the temporary support means, it is possible to prevent warping due to the influence of suction during the transfer from the substrate holding means to the temporary support means. Therefore, the substrate is transferred from the substrate holding means to the transfer means via the temporary support means.
The same effect as described above can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施例に係る回転式基板塗布装置の概略構
成を示す図である。
FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a rotary substrate coating apparatus according to a first embodiment.

【図2】各部の動作を示すタイムチャートである。FIG. 2 is a time chart showing the operation of each unit.

【図3】加圧機構の変形例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a modification of the pressing mechanism.

【図4】変形例の動作を示すタイムチャートである。FIG. 4 is a time chart illustrating an operation of a modified example.

【図5】第2実施例に係る回転式基板塗布装置の概略構
成を示す図である。
FIG. 5 is a view showing a schematic configuration of a rotary substrate coating apparatus according to a second embodiment.

【図6】動作説明に供する図である。FIG. 6 is a diagram provided for explanation of operation.

【図7】動作説明に供する図である。FIG. 7 is a diagram provided for explanation of operation.

【図8】第3実施例に係る回転式基板塗布装置の概略構
成を示す図である。
FIG. 8 is a view showing a schematic configuration of a rotary substrate coating apparatus according to a third embodiment.

【図9】動作説明に供する図である。FIG. 9 is a diagram provided for explanation of operation.

【図10】動作説明に供する図である。FIG. 10 is a diagram provided for explanation of operation.

【図11】動作説明に供する図である。FIG. 11 is a diagram provided for explanation of operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W … 基板 1 … 吸引式スピンチャック(基板保持手段) 1a … 吸着面 1b … 吸引通路 5 … 電動モータ 7 … ノズル 21 … 加圧機構(加圧手段) 21a … シリンダ部 21b … ピストン部 21c … 圧縮コイルバネ 21d … ソレノイド 23 … 搬送機構(搬送手段) 33 … 傾斜機構(平行度解除手段) 33a … 電動モータ 33b … 螺軸 33d … 移動部材 33g … 揺動基台 35 … 一時支持機構(一時支持手段) 37 … 支持部材 37a … 支持点 39 … アクチュエータ W ... Substrate 1 ... Suction type spin chuck (substrate holding means) 1a ... Suction surface 1b ... Suction passage 5 ... Electric motor 7 ... Nozzle 21 ... Pressure mechanism (pressurization means) 21a ... Cylinder 21b ... Piston 21c ... Compression Coil spring 21d Solenoid 23 Transport mechanism (transport means) 33 Inclination mechanism (parallelism release means) 33a Electric motor 33b Screw shaft 33d Moving member 33g Swing base 35 Temporary support mechanism (temporary support means) 37: Supporting member 37a: Supporting point 39: Actuator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 569C ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/30 569C

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板保持手段に形成されている吸着面に
連通した吸引通路を吸引して基板を吸着保持した状態で
処理を施し、前記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手
段を吸着面より高い位置に相対移動させることにより前
記基板保持手段から基板を離間させて前記搬送手段に搬
送する基板処理装置において、 前記吸引通路内の圧力を高める加圧手段を備え、 前記搬送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動さ
せる際に、前記加圧手段を作動させるようにしたことを
特徴とする基板処理装置。
A suction passage communicating with a suction surface formed on the substrate holding means, performing processing in a state where the suction means holds the substrate, and stopping the suction of the suction path, and then moving the transfer means from the suction surface. In a substrate processing apparatus for moving a substrate away from the substrate holding unit by relatively moving the substrate to a high position and transferring the substrate to the transfer unit, the substrate processing apparatus includes a pressurizing unit that increases a pressure in the suction passage; A substrate processing apparatus, wherein the pressurizing means is actuated when relatively moving to a higher position.
【請求項2】 基板保持手段に形成されている吸着面に
連通した吸引通路を吸引して基板を吸着保持した状態で
処理を施し、前記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手
段を吸着面より高い位置に相対移動させることにより前
記基板保持手段から基板を離間させて前記搬送手段に搬
送する基板処理装置において、 前記基板の下面と前記基板保持手段の吸着面との平行度
を解除する平行度解除手段を備え、 前記搬送手段を前記吸着面よりも高い位置に相対移動さ
せる際に、前記平行度解除手段を作動させるようにした
ことを特徴とする基板処理装置。
2. A process is performed in a state in which a suction passage communicating with a suction surface formed in a substrate holding means is sucked and a substrate is sucked and held, and after the suction in the suction passage is stopped, the transfer means is moved from the suction surface. In a substrate processing apparatus for moving a substrate away from the substrate holding unit by relatively moving to a high position and transferring the substrate to the transfer unit, the parallelism for releasing the parallelism between the lower surface of the substrate and the suction surface of the substrate holding unit A substrate processing apparatus, comprising: a release unit; and operating the parallelism release unit when the transport unit is relatively moved to a position higher than the suction surface.
【請求項3】 基板保持手段に形成されている吸着面に
連通した吸引通路を吸引して基板を吸着保持した状態で
処理を施し、前記吸引通路の吸引を停止した後に搬送手
段を吸着面より高い位置に相対移動させることにより前
記基板保持手段から基板を離間させて前記搬送手段に搬
送する基板処理装置において、 前記基板保持手段に吸着保持されている基板に当接し、
前記基板保持手段の吸着面に対して相対昇降する一時支
持手段を備え、 前記吸引通路の吸引を停止した後、前記基板保持手段に
載置されている基板を前記一時支持手段に移載し、前記
一時支持手段と前記搬送手段とを相対昇降させて前記基
板を搬送するようにしたことを特徴とする基板処理装
置。
3. A process is performed in a state where the suction passage communicating with the suction surface formed in the substrate holding means is sucked and the substrate is sucked and held. After the suction in the suction passage is stopped, the transfer means is moved from the suction surface. In a substrate processing apparatus that separates a substrate from the substrate holding unit and transports the substrate to the transport unit by relatively moving the substrate to a high position, the substrate processing unit contacts the substrate that is suction-held by the substrate holding unit,
A temporary support unit that moves up and down relative to the suction surface of the substrate holding unit; after stopping the suction of the suction passage, the substrate placed on the substrate holding unit is transferred to the temporary support unit; The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is transported by moving the temporary support means and the transport means relatively up and down.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194538A (en) * 2000-12-27 2002-07-10 Shibaura Mechatronics Corp Multilayer film forming equipment
JP2011011158A (en) * 2009-07-03 2011-01-20 Kuno Dennosuke Shoten:Kk Workpiece attaching/detaching device
JP2011187726A (en) * 2010-03-09 2011-09-22 Oki Semiconductor Co Ltd Wafer processing device, wafer processing method and handling arm

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