JPH1171454A - ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学用材料に適したポリカーボネートの優れ
た透明性、機械物性を保持しつつ成形性、熱安定性及び
金型腐食性が良好で、且つ低複屈折の成形品を与えるポ
リカーボネートの製造方法を提供する。 【解決手段】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルを溶融重縮合させてポリカーボネートを製造する方
法において、全芳香族ジヒドロキシ化合物の少くとも８
０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよび
（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデ
ン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンの特定割合か
らなるポリカーボネートであって、特定の末端停止剤を
添加し、末端封鎖するポリカーボネートの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はポリカーボネートの
製造方法に関する。更に詳しくは、ポリカーボネートの
末端フェノール性水酸基の反応性を利用して末端停止し
た成形性、熱安定性、耐金型腐食性が良好で且つ低複屈
折の成形品を与えるポリカーボネートの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）とホスゲンとの
界面重縮合反応から得られるポリカーボネートは、その
優れた機械的特性、熱的特性から各種用途に広く用いら
れている。しかしながら、この方法は、有毒であるホス
ゲンを使用することから安全性に問題があり、また溶媒
として塩化メチレンを使用することからポリマー中に塩
素化合物が残存し、成形時に使用した金型を腐食し、更
に、光学材料として用いた場合、金属の記録膜を腐食す
る等多くの問題がある。

【０００３】そこで、最近塩化メチレンやホスゲンを使
用しないエステル交換法が脚光を浴びている。エステル
交換法は、通常芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニル
カーボネート等の炭酸ジエステルを溶融状態で反応させ
る。この場合特に末端停止剤による処理を施さない場合
は、末端フェノール性水酸基が多量に残存し、ポリマー
の物性に悪影響を及ぼす。このフェノール性水酸基を低
減する方法は種々知られている（特開昭６３−１７９３
０１号公報、特開平２−１７５７２３号公報、特開平６
−１５７７３９号公報、特開平７−２３８１５６号公
報）。

【０００４】しかしながら、これらの公報で使用される
末端停止剤の場合、反応速度が低く、また末端停止剤に
由来するフェノール類の残存等の問題があり、より迅速
に反応し、且つより安定なポリカーボネートを与える末
端停止剤が求められている。

【０００５】また、ビスフェノールＡから得られるポリ
カーボネートは、特に透明性に優れることから光学材料
としての用途も多い。しかしながら、かかるポリカーボ
ネートはベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大き
く、成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が求
められている。

【０００６】特開平２−８８６３４号公報には、特定構
造のジヒドロキシジフェニルアルカン及びそれからの新
規なポリカーボネートについて記載されている。この公
報に開示されている代表例は１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２モル％使用したポ
リカーボネートである。具体的には１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロ
ヘキサンを１００〜３０モル％の割合で使用したホモ又
はコポリカーボネートが示され、コポリマーの場合の共
重合成分としては、ビスフェノールＡが３０、５０、６
５又は７０モル％使用されている。上記公報には、得ら
れたポリカーボネートは、従来のビスフェノールＡから
のポリカーボネートの用途、例えば電気分野、被覆及び
透明板ガラスの分野で使用され、高い耐熱性を有する点
で優れていることが開示されている。しかしながら、こ
のポリカーボネートは、溶融流動性が悪く良好な成形品
が得られ難いという問題がある。また、この公報にはビ
スフェノールＡ以外の種々の共重合体に関する記載はあ
るが、その具体的事例は何も示されていない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、光学
用材料に適したポリカーボネートの優れた透明性、機械
物性を保持しつつ成形性、熱安定性及び金型腐食性が良
好で、且つ低複屈折の成形品を与えるポリカーボネート
の製造方法を提供することにある。

【０００８】本発明者は、上記課題を達成せんとして、
鋭意研究を重ねた結果、特定の２種の二価フェノールと
炭酸ジエステルを溶融重合する際に、末端フェノール性
水酸基を迅速に封鎖して離型性、熱安定性に優れたポリ
カーボネートが光学用材料として好適であることを見出
し、本発明に到達した。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、芳香族ジヒド
ロキシ化合物と炭酸ジエステルを溶融重縮合させてポリ
カーボネートを製造する方法において、全芳香族ジヒド
ロキシ化合物の少くとも８０モル％が（ａ）１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン（成分ａ）および（ｂ）４，４′−
（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールお
よび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン（成分ｂ）であり且つ成分ａと成
分ｂの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲であ
るポリカーボネートであって、末端停止剤として、下記
式（１）

【００１０】

【化５】

【００１１】［式中、Ｒ¹は塩素原子、メトキシカルボ
ニル基又はエトキシカルボニル基であり、Ｒ²は炭素数
１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルケニル
基、炭素数１〜３０のシクロアルキル基、炭素数１〜３
０のアルコキシル基、炭素数６〜３０のアリール基又は
炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。ここでかか
るアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基及びア
ルコキシル基は、メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）オキシ
カルボニル基又は（ｏ−エトキシカルボニルフェニル）
オキシカルボニル基の置換基を有していてもよく、また
炭素数６〜３０のアリール基及び炭素数６〜３０のアリ
ールオキシ基は、そのベンゼン環にメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、（ｏ−メトキシカルボニル
フェニル）オキシカルボニル基、（ｏ−エトキシカルボ
ニルフェニル）オキシカルボニル基、炭素数１〜３０の
アルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシル基の置換基
を有していてもよい。］で表される化合物を添加し、末
端封鎖することを特徴とするポリカーボネートの製造方
法である。

【００１２】本発明で使用する上記式（１）で表される
化合物は、Ｒ²の定義によってカーボネート及びカルボ
ン酸エステルを包含する。式（１）において、Ｒ¹は塩
素原子、メトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル
基である。これらのうち、塩素原子及びメトキシカルボ
ニル基が好ましく、メトキシカルボニル基が特に好まし
い。

【００１３】また、Ｒ²は炭素数１〜３０のアルキル
基、炭素数１〜３０のアルケニル基、炭素数１〜３０の
シクロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシル基、
炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数６〜３０のアリ
ールオキシ基である。炭素数１〜３０のアルキル基は、
直鎖状であっても分岐状であってもよい。

【００１４】かかるアルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニ
ル基、ｎ−デシル基、ラウリル基、パルミチル基、ステ
アリル基等の直鎖状アルキル基、イソプロピル基、ｔ−
ブチル基、イソオクチル基、４−ブチルノニル基等の分
岐状アルキル基等が挙げられる。

【００１５】かかるアルケニル基としては、例えばアリ
ル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ドデ
セニル基、オレイル基等が挙げられ、かかるシクロアル
キル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキ
シル基等が挙げられる。これらの中ではポリカーボネー
トの離型性向上の点から長鎖アルキル基が好ましく、具
体的にはラウリル基、ステアリル基が特に好ましい。

【００１６】また、炭素数１〜３０のアルコキシル基
は、直鎖状であっても、分岐状であっても、環状であっ
てもよく、また不飽和基を有していてもよい。かかるア
ルコキシル基としては例えばメトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ
基、ｎ−ヘキソキシ基、ｎ−オクトキシ基、ｎ−ノニル
オキシ基、ｎ−デカニルオキシ基、ｎ−ラウリルオキシ
基、ｎ−パルミチルオキシ基、ステアリルオキシ基等の
直鎖状アルコキシル基；イソプロピルオキシ基、ｔ−ブ
チルオキシ基、４−ブチルノニルオキシ基等の分岐状ア
ルコキシル基；アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペ
ンテニルオキシ基、ヘキセニルオキシ基、ドデセニルオ
キシ基、オレイルオキシ基等の不飽和基を持つアルコキ
シ基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ
基等のシクロアルキルオキシ基等が挙げられる。これら
のうち、ポリカーボネートの離型性向上の点から長鎖ア
ルキル基例えばラウリルオキシ基、ドデセニルオキシ基
が好ましい。

【００１７】上記の炭素数１〜３０のアルキル基、炭素
数１〜３０のアルケニル基、炭素数１〜３０のシクロア
ルキル基及び炭素数１〜３０のアルコキシ基は、メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、（ｏ−メトキ
シカルボニルフェニル）オキシカルボニル基

【００１８】

【化６】

【００１９】又は（ｏ−エトキシカルボニルフェニル）
オキシカルボニル基

【００２０】

【化７】

【００２１】の置換基を有していてもよい。

【００２２】また、炭素数６〜３０のアリール基として
は、例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ア
ントラニル基等を挙げられる。炭素数６〜３０のアリー
ルオキシ基としては例えばフェノキシ基、ナフトキシ
基、ビフェニルオキシ基、アントラニルオキシ基等を挙
げることができる。これらの炭素数６〜３０のアリール
基及び炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、そのベン
ゼン環にメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボ
ニル基、（ｏ−エトキシカルボニルフェニ）オキシカル
ボニル基、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３
０のアルケニル基、炭素数１〜３０のシクロアルキル基
又は炭素数１〜３０のアルコキシル基の置換基を有して
いてもよい。炭素数１〜３０のアルキル、炭素数１〜３
０のアルケニル基、炭素数１〜３０のシクロアルキル基
及び炭素数１〜３０のアルコキシルとしては前記したも
のと同様なものが挙げられる。

【００２３】上記式（１）で表される化合物はＲ²の定
義に基づいて下記式（１）−１

【００２４】

【化８】

【００２５】［式中、Ｒ¹は式（１）と同様であり、Ｒ
²¹は炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のア
ルケニル基、炭素数１〜３０のシクロアルキル基又は炭
素数６〜３０のアリール基であり、これらの基は式
（１）と同様の置換基を有していてもよい。］で表され
るカーボネート化合物及び下記式（１）−２

【００２６】

【化９】

【００２７】［式中、Ｒ¹は式（１）と同様であり、Ｒ
²²は炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のア
ルケニル基、炭素数１〜３０のシクロアルキル基又は炭
素数６〜３０のアリール基であり、これらの基は式
（１）と同様の置換基を有していてもよい。］で表され
るカルボン酸アリールエステルに分類することができ
る。

【００２８】上記式（１）−１で表されるカーボネート
化合物としては、例えば２−クロロフェニル−フェニル
カーボネート、２−クロロフェニル−４′−メチルフェ
ニルカーボネート、２−クロロフェニル−４′−エチル
フェニルカーボネート、２−クロロフェニル−４′−ｎ
−ブチルフェニルカーボネート、２−クロロフェニル−
４′−ｔ−ブチルフェニルカーボネート、２−クロロフ
ェニル−４′−ノニルフェニルカーボネート、２−クロ
ロフェニル−４′−クミルカーボネート、２−クロロフ
ェニル−ナフチルカーボネート、２−クロロフェニル−
４′−メトキシフェニルカーボネート、２−クロロフェ
ニル−４′−ｎ−ブトキシフェニルカーボネート、２−
クロロフェニル−４′−ｔ−プロピルオキシフェニルカ
ーボネート、２−クロロフェニル−２′−メトキシカル
ボニルフェニルカーボネート、２−クロロフェニル−
４′−メトキシカルボニルフェニルカーボネート、２−
クロロフェニル−２′−エトキシカルボニルフェニルカ
ーボネート、２−クロロフェニル−４′−エトキシカル
ボニルフェニルカーボネート、２−クロロフェニル−
２′−（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）オキシカル
ボニルフェニルカーボネート、２−クロロフェニル−
２′−（ｏ−エトキシカルボニルフェニル）オキシカル
ボニルフェニルカーボネート等の２−クロロフェニル−
アリールカーボネート類；

【００２９】２−クロロフェニル−メチルカーボネー
ト、２−クロロフェニル−エチルカーボネート、２−ク
ロロフェニル−ｎ−ブチルカーボネート、２−クロロフ
ェニル−オクチルカーボネート、２−クロロフェニル−
ｉ−プロピルカーボネート、２−クロロフェニル−２−
メトキシカルボニルエチルカーボネート、２−クロロフ
ェニル−２−エトキシカルボニルエチルカーボネート、
２−クロロフェニル−２−（ｏ−エトキシカルボニルフ
ェニル）オキシカルボニルエチルカーボネート等の２−
クロロフェニル−アルキルカーボネート類；

【００３０】２−メトキシカルボニルフェニル−フェニ
ルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−エ
チルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフ
ェニル−ｎ−ブチルフェニルカーボネート、２−メトキ
シカルボニルフェニル−ノニルフェニルカーボネート、
２−メトキシカルボニルフェニル−ドデシルフェニルカ
ーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−ヘキサ
デシルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニル
フェニル−ジ−ｎ−ブチルフェニルカーボネート、２−
メトキシカルボニルフェニル−ジ−ｔ−ブチルフェニル
カーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−ジノ
ニルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフ
ェニル−ナフチルフェニルカーボネート、２−メトキシ
カルボニルフェニル−ビフェニルカーボネート、２−メ
トキシカルボニルフェニル−４′−メトキシフェニルカ
ーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−４′−
エトキシフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニ
ルフェニル−４′−ｎ−ブトキシフェニルカーボネー
ト、２−メトキシカルボニルフェニル−４′−ｔ−ブト
キシフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフ
ェニル−４′−ノニルオキシフェニルカーボネート、２
−メトキシカルボニルフェニル−４′−クミルオキシフ
ェニルカーボネート、ジ（２−メトキシカルボニルフェ
ニル）カーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル
−４′−メトキシカルボニルフェニルカーボネート、２
−メトキシカルボニルフェニル−２′−エトキシカルボ
ニルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフ
ェニル−４′−エトキシカルボニルフェニルカーボネー
ト、２−メトキシカルボニルフェニル−２′−（ｏ−メ
トキシカルボニルフェニル）オキシカルボニルフェニル
カーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−２′
−（ｏ−エトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニ
ルフェニルカーボネート等の２−メトキシカルボニルフ
ェニルアリールカーボネート類；

【００３１】２−メトキシカルボニルフェニル−メチル
カーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−エチ
ルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−ｎ
−ブチルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニ
ル−オクチルカーボネート、２−メトキシカルボニルフ
ェニル−ノニルカーボネート、２−メトキシカルボニル
フェニル−ラウリルカーボネート、２−メトキシカルボ
ニルフェニル−２−メトキシカルボニルエチルカーボネ
ート、２−メトキシカルボニルフェニル−２−エトキシ
カルボニルエチルカーボネート、２−メトキシカルボニ
ルフェニル−２−（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）
オキシカルボニルエチルカーボネート、２−メトキシカ
ルボニルフェニル−２−（ｏ−エトキシカルボニルフェ
ニル）オキシカルボニルエチルカーボネート等の２−メ
トキシカルボニルフェニル−アルキルカーボネート類；

【００３２】２−エトキシカルボニルフェニル−フェニ
ルカーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−メ
チルフェニルカーボーネート、２−エトキシカルボニル
フェニル−エチルフェニルカーボネート、２−エトキシ
カルボニルフェニル−プロピルフェニルカーボネート、
２−エトキシカルボニルフェニル−ｎ−ブチルフェニル
カーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−ヘキ
シルフェニルカーボネート、２−エトキシカルボニルフ
ェニル−ノニルフェニルカーボネート、２−エトキシカ
ルボニルフェニル−ドデシルフェニルカーボネート、２
−エトキシカルボニルフェニル−ヘキサデシルフェニル
カーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−ジ−
ｎ−ブチルフェニルカーボネート、２−エトキシカルボ
ニルフェニル−ジ−ｔ−ブチルフェニルカーボネート、
２−エトキシカルボニルフェニル−ジノニルフェニルカ
ーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−シクロ
ヘキシルフェニルカーボネート、２−エトキシカルボニ
ルフェニル−ナフチルフェニルカーボネート、２−エト
キシカルボニルフェニル−ビフェニルカーボネート、２
−エトキシカルボニルフェニル−クミルフェニルカーボ
ネート、２−エトキシカルボニルフェニル−４′−メト
キシフェニルカーボネート、２−エトキシカルボニルフ
ェニル−４′−エトキシフェニルカーボネート、２−エ
トキシカルボニルフェニル−４′−ｎ−ブトキシフェニ
ルカーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−
４′−ｔ−ブトキシフェニルカーボネート、２−エトキ
シカルボニルフェニル−４′−ノニルオキシフェニルカ
ーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−４′−
クミルオキシフェニルカーボネート、ジ（２−エトキシ
カルボニルフェニル）カーボネート、２−エトキシカル
ボニルフェニル−４′−メトキシカルボニルフェニルカ
ーボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−４′−
エトキシカルボニルフェニルカーボネート、２−エトキ
シカルボニルフェニル−２′−（ｏ−メトキシカルボニ
ルフェニル）オキシカルボニルフェニルカーボネート、
２−エトキシカルボニルフェニル−２′−（ｏ−エトキ
シカルボニルフェニル）オキシカルボニルフェニルカー
ボネート等の２−エトキシカルボニルフェニル−アリー
ルカーボネート類；

【００３３】２−エトキシカルボニルフェニル−メチル
カーボーネート、２−エトキシカルボニルフェニル−エ
チルカーボーネート、２−エトキシカルボニルフェニル
−ｎ−ブチルカーボネート、２−エトキシカルボニルフ
ェニル−オクチルカーボネート、２−エトキシカルボニ
ルフェニル−２−メトキシカルボニルエチルカーボネー
ト、２−エトキシカルボニルフェニル−２−（ｏ−メト
キシカルボニルフェニル）オキシカルボニルエチルカー
ボネート、２−エトキシカルボニルフェニル−２−（ｏ
−エトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニルエチ
ルカーボネート等の２−エトキシカルボニルフェニル−
アルキルカーボーネート類を挙げることができる。

【００３４】これらの中でも２−クロロフェニル−フェ
ニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニル−
フェニルカーボネートおよび２−エトキシカルボニルフ
ェニル−フェニルカーボネートは、フェニル基によって
末端が封鎖されるため耐加水分解性（耐湿温性）に優れ
ており好ましく用いられ、特に、２−メトキシカルボニ
ルフェニル−フェニルカーボネートが好ましく用いられ
る。

【００３５】また、上記式（１）−２で表されるカルボ
ルン酸アリールエステルとしては例えば安息香酸２−ク
ロロフェニル、４−メチル安息香酸２−クロロフェニ
ル、４−エチル安息香酸２−クロロフェニル、４−ｎ−
ブチル安息香酸２−クロロフェニル、４−ｔ−ブチル安
息香酸２−クロロフェニル、４−ノニル安息香酸２−ク
ロロフェニル、４−クミル安息香酸２−クロロフェニ
ル、ナフトエ酸２−クロロフェニル、４−メトキシ安息
香酸２−クロロフェニル、４−エトキシ安息香酸２−ク
ロロフェニル、４−ｎ−ブトキシ安息香酸２−クロロフ
ェニル、４−ｔ−ブトキシ安息香酸２−クロロフェニ
ル、４−ノニルオキシ安息香酸２−クロロフェニル、４
−クミルオキシ安息香酸２−クロロフェニル、２−メト
キシカルボニル安息香酸２−クロロフェニル、４−メト
キシカルボニル安息香酸２−クロロフェニル、２−エト
キシカルボニル安息香酸２−クロロフェニル、４−エト
キシカルボニル安息香酸２−クロロフェニル、２−（ｏ
−メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル安息
香酸２−クロロフェニル、２−（ｏ−エトキシカルボニ
ルフェニル）オキシカルボニル安息香酸２−クロロフェ
ニル等の芳香族カルボン酸２−クロロフェニルエステ
ル；

【００３６】酢酸２−クロロフェニル、プロピオン酸２
−クロロフェニル、２−クロロフェニルバレレート、２
−クロロフェニルペラルゴレート、２−クロロフェニル
−１−メチルプロピオネート、２−クロロフェニル−２
−メトキシカルボニルプロピオネート、２−クロロフェ
ニル−２−エトキシカルボニルブチレート、２−クロロ
フェニル−４′−（２−メトキシカルボニルフェニル）
オキシカルボニルブチレート、２−クロロフェニル−
４′−（２−メトキシカルボニルフェニル）オキシカル
ボニルブチレート等の脂肪族カルボン酸２−クロロフェ
ニルエステル；

【００３７】（２−メトキシカルボニルフェニル）ベン
ゾエート、４−メチルベンゾイル（２′−メトキシカル
ボニルフェニル）エステル、４−エチルベンゾイル
（２′−メトキシカルボニルフェニル）エステル、４−
ｎ−ブチルベンゾイル（２′−メトキシカルボニルフェ
ニル）エステル、４−ｔ−ブチルベンゾイル（２′−メ
トキシカルボニルフェニル）エステル、ナフトエ酸
（２′−メトキシカルボニルフェニル）エステル、４−
ノニル安息香酸（２′−メトキシカルボニルフェニル）
エステル、４−クミル安息香酸（２′−メトキシカルボ
ニルフェニル）エステル、４−メトキシ安息香酸（２′
−メトキシカルボニルフェニル）エステル、４−エトキ
シ安息香酸（２′−メトキシカルボニルフェニル）エス
テル、４−ｎ−ブトキシ安息香酸（２′−メトキシカル
ボニルフェニル）エステル、４−ｔ−ブトキシ安息香酸
（２′−メトキシカルボニルフェニル）エステル、４−
クミルオキシ安息香酸（２′−メトキシカルボニルフェ
ニル）エステル、４−メトキシカルボニル安息香酸
（２′−メトキシカルボニルフェニル）エステル、３−
（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル
フェニル安息香酸（２′−メトキシカルボニルフェニ
ル）エステル、４−（ｏ−メトキシカルボニルフェニ
ル）オキシカルボニル安息香酸（２′−メトキシカルボ
ニルフェニル）エステル、３−（ｏ−エトキシカルボニ
ルフェニル）オキシカルボニル安息香酸（２′−メトキ
シカルボニルフェニル）エステル等の芳香族カルボン酸
（２′−メトキシカルボニルフェニル）エステル；

【００３８】（２−エトキシカルボニルフェニル）ベン
ゾエート、４−メチルベンゾイル（２′−エトキシカル
ボニルフェニル）エステル、４−エチルベンゾイル
（２′−エトキシカルボニルフェニル）エステル、４−
ｎ−ブチルベンゾイル（２′−エトキシカルボニルフェ
ニル）エステル、４−ｔ−ブチルベンゾイル（２′−エ
トキシカルボニルフェニル）エステル、ナフトエ酸
（２′−エトキシカルボニルフェニル）エステル、４−
ノニル安息香酸（２′−エトキシカルボニルフェニル）
エステル、４−クミル安息香酸（２′−エトキシカルボ
ニルフェニル）エステル、４−メトキシ安息香酸（２′
−エトキシカルボニルフェニル）エステル、４−ｎ−ブ
トキシ安息香酸（２′−エトキシカルボニルフェニル）
エステル、４−ｔ−ブトキシ安息香酸（２′−エトキシ
カルボニルフェニル）エステル、４−ノニルオキシ安息
香酸（２′−エトキシカルボニルフェニル）エステル、
４−クミルオキシ安息香酸（２′−エトキシカルボニル
フェニル）エステル、２−メトキシカルボニル安息香酸
（２′−エトキシカルボニルフェニル）エステル、４−
エトキシカルボニル安息香酸（２′−エトキシカルボニ
ルフェニル）エステル、３−（ｏ−メトキシカルボニル
フェニル）オキシカルボニル安息香酸（２′−エトキシ
カルボニルフェニル）エステル、４−（ｏ−メトキシカ
ルボニルフェニル）オキシカルボニル安息香酸（２′−
エトキシカルボニルフェニル）エステル、（３−ｏ−メ
トキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル安息香酸
（２′−エトキシカルボニルフェニル）エステル等の芳
香族カルボン酸（２′−エトキシカルボニルフェニル）
エステルを挙げることができる。

【００３９】上記式（１）−２で表される化合物として
は、中でも２−メトキシカルボニルフェニルベンゾエー
ト、４−クミル安息香酸（２′−メトキシカルボニルフ
ェニル）エステル、２−エトキシカルボニルフェニルベ
ンゾエートおよび４−（ｏ−メトキシカルボニルフェニ
ル）オキシカルボニル安息香酸（２′−メトキシカルボ
ニルフェニル）エステルが好ましい。

【００４０】本発明方法では、末端停止剤として上記式
（１）で表される化合物を、ポリカーボネートの溶融重
縮合反応系に添加する。かかる末端停止剤は、ポリカー
ボネートの固有粘度が少くとも０．３ｄ１／ｇに達した
後添加されることが好ましい。添加された化合物は、下
記反応式

【００４１】

【化１０】

【００４２】で示されるように、ポリカーボネートの末
端水酸基と反応してポリカーボネートの末端を封鎖す
る。かかる末端停止剤は、ポリカーボネートの末端水酸
基１当量当り、好ましくは０．５〜２モル、より好まし
くは０．７〜１．５モル、特に好ましくは０．８〜１．
２モルの割合で用いられる。また、末端封鎖を速やかに
且つ高率で実施するには、生成した２−置換フェノール
を留去しつつ行うのが好ましい。

【００４３】かかる末端停止剤を添加することにより、
ポリカーボネートの末端封鎖が速やかに進行し、末端停
止剤添加時と反応終了時とのポリカーボネートの固有粘
度の差が０．１ｄ１／ｇの範囲内とすることができ、離
型性および熱安定性に優れたポリカーボネートが得られ
る。

【００４４】本発明において使用する芳香族ジヒドロキ
シ化合物は、（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
ａ）（以下ビスフェノールＴＭＣと略称することがあ
る）および（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプ
ロピリデン）ジフェノール（以下ビスフェノールＭと略
称することがある）および／または２，２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）
が全芳香族ジヒドロキシ化合物の少くとも８０モル％、
好ましくは少くとも９０モル％であるのが有利であり、
典型的には芳香族ジヒドロキシ成分が、成分ａ及び成分
ｂによって実質的になることが望ましい。この成分ａ及
び成分ｂの割合が８０モル％未満の場合、本発明の目的
である光学用材料として不満足な性質となり、好ましく
ない。

【００４５】芳香族ジヒドロキシ化合物は、成分ａと成
分ｂとの割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲で
あり、８０：２０〜２０：８０の範囲が好ましく、８
０：２０〜３０：７０の範囲が更に好ましい。成分ａの
割合が９９モル％より多く、成分ｂの割合が１モル％よ
り少くなると、得られた樹脂の溶融流動性が悪く成形不
良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。ま
た、成分ａの割合が２０モル％より少く、成分ｂの割合
が８０モル％より多くなると、得られた樹脂の光弾性定
数が大きくなり、またガラス転移温度も低下する傾向に
あるので好ましくない。

【００４６】前記芳香族ジヒドロキシ化合物の好ましい
態様の１つは、成分ａがビスフェノールＴＭＣであり、
且つ成分ｂがビスフェノールＭである組合せであり、そ
の場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、８０：２０〜
２０：８０の範囲、特に８０：２０〜３０：７０の範囲
であるのが一層好ましい。

【００４７】芳香族ジヒドロキシ化合物は、成分ａ及び
成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ化合物の少くとも８０モ
ル％、好ましくは少くとも９０モル％を占めることが望
ましいが、他のジヒドロキシ化合物（成分ｃ）を全芳香
族ジヒドロキシ成分当り２０モル％以下、好ましくは１
０モル％以下含有していても差支えない。

【００４８】かかる成分ｃとしては、通常ポリカーボネ
ートのジヒドロキシ成分として使用されている成分ａ及
び成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハイドロキノ
ン、レゾルシノール、４，４′−ビフェノール、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニ
ルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、４，４′−（ｐ−フェニレンジイソプロ
ピリデン）ジフェノール、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロ
ヘキサン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、
４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，
４′−ジヒドロキシジフェニルスルホン等が挙げられ、
なかでも２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオ
レンおよび９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）フルオレンが好ましい。

【００４９】本発明のポリカーボネートの製造方法は、
前記芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルを加熱
溶融下重縮合させる方法である。かかる方法を採用する
ことにより、ポリカーボネート中に、金型腐食を起こし
易い塩素化合物の混入のおそれが少くなり、また製造時
の安全性が高くなる。ここで使用する炭酸ジエステルと
しては、置換基を有していてもよい炭素数６〜１０のア
リール基、アラルキル基又は炭素数１〜４のアルキル基
等のカーボネートエステルが挙げられる。具体的例とし
てはジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、
ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカ
ーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニ
ル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカ
ーボネート、ジブチルカーボネート等が挙げられる。な
かでもジフェニルカーボネートが好ましい。溶融重縮合
において、炭酸ジエステルは上記芳香族ジヒドロキシ化
合物に対し過剰モル割合、好ましくは芳香族ジヒドロキ
シ化合物１モルに対し１．０１〜１．２０の割合で用い
る。

【００５０】本発明において、末端を封鎖する前のポリ
カーボネートは、アルカリ金属化合物及び／又は含窒素
塩基性化合物よりなる触媒を用いて縮合することが好ま
しい。触媒として使用するアルカリ金属化合物として
は、例えばアルカリ金属の水酸化物、炭酸水素化物、炭
酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シアン酸
塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、水素化ホウ素
塩、安息香酸塩、リン酸水素化物、ビスフェノールの
塩、フェノールの塩等が挙げられる。具体例としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、
酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、硝酸ナ
トリウム、硝酸カリウム、硝酸リチウム、亜硝酸ナトリ
ウム、亜硝酸カリウム、亜硝酸リチウム、亜硫酸ナトリ
ウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸リチウム、シアン酸ナト
リウム、シアン酸カリウム、シアン酸リチウム、チオシ
アン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム、チオシアン
酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カ
リウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素リチウム、安
息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウ
ム、リン酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジカリウム、
リン酸水素ジリチウム、ビスフェノールＡのジナトリウ
ム塩、ジカリウム塩、ジリチウム塩、フェノールのナト
リウム塩、カリウム塩、リチウム塩等が挙げられる。

【００５１】これらのアルカリ金属化合物は、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物１モルに対し１×１０^-8〜１×１０^-5
モルの範囲で使用される。この使用範囲を逸脱すると、
得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響を及ぼした
り、またエステル交換反応が十分に進行せず高分子量の
ポリカーボネートが得られない等の問題が生じ好ましく
ない。

【００５２】また、上記アルカリ金属化合物として、周
期律表第１４族元素のアート錯体のアルカリ金属塩また
は（ｂ）周期律表第１４族元素のオキソ酸のアルカリ金
属塩を用いることもできる。ここで周期律表第１４族の
元素とは、ケイ素、ゲルマニウム、スズのことをいう。
これらのアルカリ金属化合物を重縮合反応及び末端封鎖
反応の触媒として用いることにより、重縮合反応及び末
端封鎖反応を迅速且つ十分に進めることができる利点を
有する。また、重縮合反応中に生成する分岐反応のよう
な好ましくない副反応を低いレベルに抑えることができ
る。これらのアルカリ金属化合物は、アルカリ金属化合
物中のアルカリ金属元素量が芳香族ジヒドロキシ化合物
１モル当り、好ましくは１×１０^-7〜５×１０^-5当量、
より好ましくは５×１０^-7〜１×１０^-5当量となる割合
で使用される。

【００５３】また、触媒として使用する含窒素塩基性化
合物としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラブチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチル
アンモニウムヒドロキシド等のアルキル、アリール、ア
ルキルアリール基等を有するアンモニウムヒドロキシド
類、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルベ
ンジルアミン、ヘキサデシルジメチルアミン等の３級ア
ミン類、あるいはテトラメチルアンモニウムボロハイド
ライド、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド、
テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボーレート等
の塩基性塩等を挙げることができる。上記含窒素塩基性
化合物は、含窒素塩基性化合物中のアンモニウム窒素原
子が芳香族ジヒドロキシ化合物１モル当たり、好ましく
は１×１０^-5〜１×１０^-3当量、より好ましくは２×１
０^-5〜７×１０^-4当量、特に好ましくは５×１０^-5〜５
×１０^-4当量となる割合で使用される。

【００５４】本発明の重縮合反応には、上記触媒と一緒
に、必要により周期律表第１４族元素のオキソ酸及び同
元素の酸化物よりなる群から選ばれる少くとも１種の助
触媒を共存させることができる。これら助触媒を特定の
割合で用いることにより、末端封鎖反応、重縮合反応速
度を損なうことなく、重縮合反応中に生成し易い分岐反
応や成形加工時における装置内での異物の生成、ヤケと
いった好ましくない副反応をより効果的に抑制すること
ができる。助触媒は重縮合反応触媒中のアルカリ金属元
素１モル（原子）当り、助触媒中の周期律表第１４族の
金属元素が５０モル（原子）以下、更に好ましくは０．
１〜３０モル（原子）となる割合で存在させるのが好ま
しい。

【００５５】また、本発明では、以下に示した特定の触
媒中和剤を用いることによって、末端が十分に封鎖され
たポリカーボネートに残存する触媒を効果的且つ十分に
中和することができ、また触媒を中和した後において
も、色相が良好で安定化されたポリマーを提供できる。
即ち本発明では、ポリマーの末端を封鎖した後、下記一
般式（イ）〜（ニ）で示される群より選ばれる少くとも
１種の化合物を、ポリマーが溶融状態にあるうちに生成
するポリカーボネートに対して好ましくは０．０１〜５
００ｐｐｍ、より好ましくは０．０１〜３００ｐｐｍ、
更に好ましくは０．０１〜１００ｐｐｍの濃度で、触媒
の中和剤として添加することが好ましい。

【００５６】

【化１１】

【００５７】［式中、Ａ¹は置換基を有していてもよい
ｍ価の炭化水素基であり、Ｙ¹は単結合又は酸素原子で
あり、Ｘ¹は２級又は３級の１価の炭化水素基、１当量
の金属カチオン、アンモニウムカチオン又はホスホニウ
ムカチオンであり、ｍは１〜４の整数である。］

【００５８】

【化１２】

【００５９】［式中、Ａ²は２価の炭化水素基であり、⁺
Ｘ²は２〜４級のアンモニウムカチオン又は２〜４級の
ホスホニウムカチオンであり、Ｙ¹は式（イ）中のＹ¹と
同様である。］

【００６０】

【化１３】

【００６１】［式中、Ａ³はｎ価の炭化水素基であり、⁺
Ｘ³は２〜４級のアンモニウムカチオン又は２〜４級の
ホスホニウムカチオンであり、Ｒは１価の炭化水素基で
あり、ｎは２〜４の整数であり、Ｙ¹は式（イ）中のＹ¹
と同様である。］

【００６２】

【化１４】

【００６３】［式中、Ａ⁴は２価の炭化水素基であり、
Ａ⁵は１又は２価の炭化水素基であり、Ａｄ¹及びＡｄ²
は夫々独立して−ＳＯ₂−Ｏ−ＳＯ₂−及び−ＳＯ₂−Ｏ
−ＣＯ−から選ばれる酸無水物基であり、ｋは０又は１
である。但しｋが０のとき、−（Ａｄ²−Ａ⁵）_kは水素
原子か又はＡ⁴とＡ⁵との結合手を表す（この場合Ａ⁵は
２価の炭化水素基又は単結合である）。］

【００６４】上記（イ）〜（ニ）の中和剤の中で、ホス
ホニウム又はアンモニウム塩基の中和剤はそれ自身２０
０℃以上で特に安定であり、ポリマーに添加した場合速
やかに重縮合反応を中和し、目的とするポリマーを得る
ことができる。かかる中和剤は、重縮合反応触媒１モル
当り０．５〜５０モルの割合で用いるのが好ましい。中
和剤を末端封鎖後のポリマーに添加する方法には特に限
定はない。例えば末端封鎖反応が終了して溶融状態にあ
る間に添加してもよいし、押出機中に添加してペレット
化してもよい。

【００６５】また、本発明においては末端封鎖前、封鎖
中、封鎖後のうち少くともいづれかにおいて各種公知の
安定剤を単独又は組合わせて加えることが好ましい。

【００６６】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとの重縮合反応によるポリマーの製造は、従来知られ
ている通常の方法と同様な条件下で行うことができる。
具体的には、第一段目の反応を８０〜２５０℃、好まし
くは１００〜２３０℃、更に好ましくは１２０〜１９０
℃の温度で０．５〜５時間、好ましくは１〜４時間、更
に好ましくは１．５〜３時間、減圧下芳香族ジヒドロキ
シ化合物と炭酸ジエステルとを反応させる。次いで、第
二段目の反応として、反応系の真空を高めながら反応温
度を高めて反応を行い、最終的には５ｔｏｒｒ以下、好
ましくは１ｔｏｒｒ以下の減圧下で２４０〜３２０℃で
重縮合反応を行う。

【００６７】本発明において、末端封鎖剤を添加する前
のポリカーボネートの水酸基末端を全末端に対して好ま
しくは２０モル％以上、より好ましくは３０モル％以
上、さらに好ましくは４０モル％以上に制御する。この
ようにすることにより特定の末端基を高い割合で導入で
き、ポリマーの改質効果を高めることができる。通常は
全末端基のうち水酸基が３０〜９５モル％の範囲で本発
明を有利に実施できる。ポリマーの水酸基末端の割合
は、原料である芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルの仕込比によってもコントロールすることができ
る。ここで末端水酸基のモル数は常法により¹Ｈ−ＮＭ
Ｒにより定量できる。

【００６８】本発明において、末端封鎖剤の添加方法に
関しては特に制限はなく、ポリマーの固有粘度が少くと
も０．３ｄｌ／ｇに到達した後であれば固体状でも溶液
状でも、また一度にまとめて加えても、分けて加えても
よい。

【００６９】本発明においては、末端を封鎖する前のポ
リカーボネートに含まれる遊離塩素の量を、好ましくは
５０ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｍ、更に好ま
しくは５ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。遊離の塩
素量が多いと末端封鎖反応に関わる触媒活性が低下し、
また得られたポリマーの色相、安定性にも悪影響を与え
るので好ましくない。また、本発明においては、末端を
封鎖する前のポリカーボネートに含まれる鉄の量も１ｐ
ｐｍ以下、好ましくは０．７ｐｐｍ以下に抑えることが
好ましい。鉄の量が多いと触媒の活性が低下しやすく、
且つ色相、安定性にも悪影響を与えるため好ましくな
い。

【００７０】末端封鎖剤の添加後は少くとも反応により
生成するフェノール類を除去すべく減圧条件が好まし
い。具体的には好ましくは５０ｔｏｒｒ以下、更に好ま
しくは１０ｔｏｒｒ以下であり、通常０．１〜１００ｔ
ｏｒｒの範囲で実施することが好ましい。末端封鎖剤添
加後の反応温度は、通常２３０〜３６０℃、好ましくは
２４０〜３４０℃の範囲であり、これよりも低い温度で
はポリマーが溶融せず、これよりも高い温度ではポリマ
ーの分解、着色が生じ好ましくない。反応時間は、通常
１〜３０分、好ましくは１〜２０分である。

【００７１】上記のような重縮合反応は、連続式でもバ
ッチ式でもよく、反応装置は槽型、管型、塔型等いずれ
であってもよい。また本発明では、末端封鎖反応によっ
て得られるポリカーボネートに本発明の目的を損なわな
い範囲で通常の安定剤、紫外線吸収剤、離型剤、着色
剤、帯電防止剤、滑剤、充填剤等を添加してもよい。

【００７２】

【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げて本発明を更
に説明する。なお、実施例中の部は重量部、％は重量％
であり、評価は下記の方法によった。

【００７３】（１）固有粘度［η］（ｄｌ／ｇ）：塩化
メチレン１００ｍｌにポリカーボネート０．７ｇを２０
℃で溶解した溶液からウーベローデ粘度計を用いて求め
た比粘度（η_sp）を次式に挿入して算出した。 η_sp／Ｃ＝［η］＋０．４５×［η］²Ｃ Ｃ＝０．７（ｇ／ｄｌ）

【００７４】（２）末端水酸基濃度：サンプル０．０２
ｇを０．４ｍｌのクロロホルムに溶解し、２０℃で¹Ｈ
−ＮＭＲ（日本電子社製ＥＸ−２７０）を用いて末端水
酸基量及び末端フェニル基量を測定し、下記の式により
末端水酸基濃度を測定した。 末端水酸基濃度（％）＝｛末端水酸基量／（末端水酸基
量＋末端フェニル基量）｝×１００

【００７５】（３）ガラス転移点（Ｔｇ）：デュポン社
製９１０型ＤＳＣにより測定した。

【００７６】（４）流動性（ＭＦＲ）：ＪＩＳ Ｋ−７
２１０に従って東洋精機製セミオートメルトインデクサ
ーを用いて、２８０℃、荷重２．１６ｋｇで１０分間に
流出したポリマー量（ｇ）で示した。

【００７７】（５）吸水率：ＡＳＴＭ Ｄ−０５７０に
従って測定した。

【００７８】（６）全光線透過率：ＡＳＴＭ Ｄ−１０
０３に従って日本電色シグマ８０を用いて測定した。

【００７９】（７）光弾性定数：理研計器（株）製の光
弾性測定装置ＰＡ−１５０により測定した。

【００８０】（８）斜め入射複屈折位相差：オーク製エ
リプソメータＡＤＲ−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用
い、入射角３０度で測定した。

【００８１】［実施例１］撹拌機及び蒸留塔を備えた反
応器に１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン（以下“ビスフェノ
ールＴＭＣ”と略称することがある）３４．１部、４，
４′−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノ
ール（以下“ビスフェノールＭ”と略称することがあ
る）３８．１部（ビスフェノールＴＭＣとビスフェノー
ルＭの比がモル比で５０：５０）、ジフェニルカーボネ
ート（バイエル社製）４９．２部及び触媒として水酸化
ナトリウム０．００００１部とテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド０．００１６部を仕込み、窒素置換し
た。この混合物を２００℃まで加熱して撹拌しながら溶
解させた。次いで、減圧度を３０Ｔｏｒｒとして加熱し
ながら１時間で大半のフェノールを留去し、更に２７０
℃まで温度を上げ、減圧度を１Ｔｏｒｒとして１時間重
合反応を行なったところで（この際、サンプリングを行
い、測定したポリカーボネートの固有粘度は０．３６０
ｄｌ／ｇであった）、

【００８２】

【化１５】

【００８３】で示される末端停止剤を２．３部（末端水
酸基１当量当り１．０モル）添加した。このときの末端
水酸基濃度は５５％であった。その後２７０℃、１ｔｏ
ｒｒ以下で５分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態
のままで、触媒中和剤としてドデシルベンゼンスルホン
酸テトラブチルホスホニウム塩を０．００２３部（４×
１０^-5モル／ビスフェノール１モル）添加して２７０
℃、１０ｔｏｒｒ以下で１０分間反応を継続し、ポリマ
ーを得た。このポリマーの［η］は０．３７１ｄｌ／
ｇ、末端水酸基濃度は５％、Ｔｇは１４８℃、ＭＦＲは
６８ｇ／１０分、含水率は０．１５重量％であった。こ
のポリマーにトリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）ホスファイトを０．００３％、トリメチルホス
フェートを０．００５％、ステアリン酸モノグリセリド
を０．０４５％加え、住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍｌｌｌを
用いて１２０ｍｍφ、１．２ｍｍ厚みのディスク基板に
射出成形した。このものの全光線透過率は８９％、光弾
性定数は３７×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折
位相差は２１ｎｍであった。

【００８４】［実施例２］１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
の使用量を４０．９部、４，４′−（ｍ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ジフェノールの使用量を３０．４部
（ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル
比で６０：４０）とする以外は実施例１と同様の条件で
重合反応させたところで（この際、サンプリングを行
い、測定したポリカーボネートの固有粘度は０．３５０
ｄｌ／ｇであった）、

【００８５】

【化１６】

【００８６】で示される末端停止剤を２．３部（末端水
酸基１当量当り１．０モル）添加した。このときの末端
水酸基濃度は５２％であった。その後２７０℃、１ｔｏ
ｒｒ以下で５分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態
のままで、触媒中和剤としてドデシルベンゼンスルホン
酸テトラブチルホスホニウム塩を０．００２３部（４×
１０^-5モル／ビスフェノール１モル）添加して２７０
℃、１０ｔｏｒｒ以下で１０分間反応を継続し、ポリマ
ーを得た。このポリマーの［η］は０．３５８ｄｌ／
ｇ、末端水酸基濃度は７％、Ｔｇは１５７℃、ＭＦＲは
５５ｇ／１０分、吸水率は０．１７重量％であった。こ
のポリマーに実施例１と同様の添加剤を加え、実施例１
と同様に成形し、実施例１と同様に評価したところ、こ
のものの全光線透過率は８９％、光弾性定数は３７×１
０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍ
であった。

【００８７】［実施例３］実施例１の１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシク
ロヘキサンの使用量を２７．３部、４，４′−（ｍ−フ
ェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールの使用量を
４５．７部（ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭ
の比がモル比で４０：６０）とする以外は実施例１と同
様の条件で重合反応させたところで（この際、サンプリ
ングを行い、測定したポリカーボネートの固有粘度は
０．３６０ｄｌ／ｇであった）、

【００８８】

【化１７】

【００８９】で示される末端停止剤を３．０部（末端水
酸基１当量当り１．５モル）添加した。このときの末端
水酸基濃度は５３％であった。その後２７０℃、１ｔｏ
ｒｒ以下で５分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態
のままで、触媒中和剤としてドデシルベンゼンスルホン
酸テトラブチルホスホニウム塩を０．００２３部（４×
１０^-5モル／ビスフェノール）添加して２７０℃、１０
ｔｏｒｒ以下で１０分間反応を継続し、ポリマーを得
た。このポリマーの［η］は０．３６８ｄｌ／ｇ、末端
水酸基濃度は９％、Ｔｇは１３４℃、ＭＦＲは８８ｇ／
１０分、吸水率は０．１２重量％であった。このポリマ
ーに実施例１と同様の添加剤を加え、実施例１と同様に
成形し、実施例１と同様に評価したところ、このものの
全光線透過率は８９％、光弾性定数は３９×１０^-13ｃ
ｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２２ｎｍであっ
た。

【００９０】

【発明の効果】本発明の製造方法により得られるポリカ
ーボネートは成形性、熱安定性及び耐金型腐食性が良好
で且つ低複屈折の成形品を与えるので光学ディスク、光
学レンズ、光カード等の各種光学用成形品として好適に
用いられる。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
   テルを溶融重縮合させてポリカーボネートを製造する方
   法において、全芳香族ジヒドロキシ化合物の少くとも８
   ０モル％が（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
   ル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分
   ａ）および（ｂ）４，４′−（ｍ−フェニレンジイソプ
   ロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス
   （３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成
   分ｂ）であり且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で９
   ９：１〜２０：８０の範囲であるポリカーボネートであ
   って、末端停止剤として、下記式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ¹は塩素原子、メトキシカルボニル基又はエ
   トキシカルボニル基であり、Ｒ²は炭素数１〜３０のア
   ルキル基、炭素数１〜３０のアルケニル基、炭素数１〜
   ３０のシクロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシ
   ル基、炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数６〜３０
   のアリールオキシ基である。ここでかかるアルキル基、
   アルケニル基、シクロアルキル基及びアルコキシル基
   は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
   （ｏ−メトキシカルボニルフェニル）オキシカルボニル
   基又は（ｏ−エトキシカルボニルフェニル）オキシカル
   ボニル基の置換基を有していてもよく、また炭素数６〜
   ３０のアリール基及び炭素数６〜３０のアリールオキシ
   基は、そのベンゼン環にメトキシカルボニル基、エトキ
   シカルボニル基、（ｏ−メトキシカルボニルフェニル）
   オキシカルボニル基、（ｏ−エトキシカルボニルフェニ
   ル）オキシカルボニル基、炭素数１〜３０のアルキル
   基、炭素数１〜３０のアルケニル基、炭素数１〜３０の
   シクロアルキル基、炭素数１〜３０のアルコキシル基の
   置換基を有していてもよい。］で表される化合物を添加
   し、末端封鎖することを特徴とするポリカーボネートの
   製造方法。
2. 【請求項２】 該成分ｂが、４，４′−（ｍ−フェニレ
   ンジイソプロピリデン）ジフェノールである請求項１記
   載の光ディスク基板。
3. 【請求項３】 該ポリカーボネートの固有粘度が少くと
   も０．３ｄｌ／ｇに達した後、該末端停止剤を添加し、
   末端封鎖する請求項１記載のポリカーボネートの製造方
   法。
4. 【請求項４】 該末端停止剤の添加量が、添加時のポリ
   カーボネートの末端水酸基１当量当り０．５〜２モルで
   ある請求項１記載のポリカーボネートの製造方法。
5. 【請求項５】 該末端停止剤が、下記式（１）−１ 【化２】 ［式中、Ｒ¹は式（１）と同様であり、Ｒ²¹は炭素数１
   〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルケニル基、
   炭素数１〜３０のシクロアルキル基又は炭素数６〜３０
   のアリール基であり、これらの基は式（１）と同様の置
   換基を有していてもよい。］で表される請求項１記載の
   ポリカーボネートの製造方法。
6. 【請求項６】 該末端停止剤が、下記式（１）−２ 【化３】 ［式中、Ｒ¹は式（１）と同様であり、Ｒ²²は炭素数１
   〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のアルケニル基、
   炭素数１〜３０のシクロアルキル基又は炭素数６〜３０
   のアリール基であり、これらの基は式（１）と同様の置
   換基を有していてもよい。］で表される請求項１記載の
   ポリカーボネートの製造方法。
7. 【請求項７】 該末端停止剤を添加した後、下記式
   （２） 【化４】 ［式中、Ｒ¹は式（１）と同様である。］で表されるフ
   ェノール化合物を留去しつつポリカーボネートの末端を
   封鎖する請求項１記載のポリカーボネートの製造方法。