JPH0820713A - 芳香族ポリカーボネート組成物 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート組成物Info
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- JPH0820713A JPH0820713A JP6157727A JP15772794A JPH0820713A JP H0820713 A JPH0820713 A JP H0820713A JP 6157727 A JP6157727 A JP 6157727A JP 15772794 A JP15772794 A JP 15772794A JP H0820713 A JPH0820713 A JP H0820713A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 芳香族ポリカーボネート樹脂本来の優れた透
明性、機械物性を保持し、複屈折、成形性の改善された
芳香族ポリカーボネート組成物を提供する。 【構成】 ２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパンより得られる芳香族ポリカーボネー
トおよび１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサンより得られる芳香族
ポリカーボネートを特定割合で混合してなる芳香族ポリ
カーボネート組成物およびそれからの成形品。
明性、機械物性を保持し、複屈折、成形性の改善された
芳香族ポリカーボネート組成物を提供する。 【構成】 ２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパンより得られる芳香族ポリカーボネー
トおよび１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３,５−トリメチルシクロヘキサンより得られる芳香族
ポリカーボネートを特定割合で混合してなる芳香族ポリ
カーボネート組成物およびそれからの成形品。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
ト組成物に関する。さらに詳しくは２種の芳香族ポリカ
ーボネートより形成される複屈折、成形性の改善された
組成物およびそれからの成形品に関する。
ト組成物に関する。さらに詳しくは２種の芳香族ポリカ
ーボネートより形成される複屈折、成形性の改善された
組成物およびそれからの成形品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機
械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニア
リングプラスチックとして多くの分野に広く使用されて
いる。特に透明性に優れることから光学材料としての用
途も多い。
ェニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機
械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニア
リングプラスチックとして多くの分野に広く使用されて
いる。特に透明性に優れることから光学材料としての用
途も多い。
【０００３】しかしながら、かかるポリカーボネート樹
脂はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、
従って成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が
求められている。またより溶融流動性に優れた転写性の
良い、成形サイクルの短い樹脂が求められている。
脂はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、
従って成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が
求められている。またより溶融流動性に優れた転写性の
良い、成形サイクルの短い樹脂が求められている。
【０００４】一方、特開平２−８８６３４号公報には、
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサンより得られる芳香族ポリカー
ボネート樹脂が開示されており、このポリマーが低複屈
折性で耐熱性が良好なことも知られているが、溶融流動
性が悪く、良好な成形品が得られ難い。
１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−
トリメチルシクロヘキサンより得られる芳香族ポリカー
ボネート樹脂が開示されており、このポリマーが低複屈
折性で耐熱性が良好なことも知られているが、溶融流動
性が悪く、良好な成形品が得られ難い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
用材料に適したポリカーボネートの優れた透明性、機械
特性を保持しつつ斜め入射複屈折、成形性、反り等を向
上した芳香族ポリカーボネート組成物を提供することに
ある。
用材料に適したポリカーボネートの優れた透明性、機械
特性を保持しつつ斜め入射複屈折、成形性、反り等を向
上した芳香族ポリカーボネート組成物を提供することに
ある。
【０００６】本発明者はこの目的を達成せんとして鋭意
研究を重ねた結果、２種の特定の芳香族ポリカーボネー
トを特定割合で混合した組成物が光学用材料として好適
であることを見出し、本発明に到達した。
研究を重ねた結果、２種の特定の芳香族ポリカーボネー
トを特定割合で混合した組成物が光学用材料として好適
であることを見出し、本発明に到達した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば下記一般式［Ｉ］
ば下記一般式［Ｉ］
【０００８】
【化３】
【０００９】で表される繰返し単位［Ｉ］よりなる芳香
族ポリカーボネート（ＰＣ−Ｉ）および下記一般式［Ｉ
Ｉ］
族ポリカーボネート（ＰＣ−Ｉ）および下記一般式［Ｉ
Ｉ］
【００１０】
【化４】
【００１１】で表される繰返し単位［ＩＩ］よりなる芳
香族ポリカーボネート（ＰＣ−ＩＩ）より実質的にな
り、前記芳香族ポリカーボネート（ＰＣ−Ｉ）と前記芳
香族ポリカーボネート（ＰＣ−ＩＩ）の割合が重量比で
８０：２０〜３０：７０の範囲である芳香族ポリカーボ
ネート組成物が提供される。
香族ポリカーボネート（ＰＣ−ＩＩ）より実質的にな
り、前記芳香族ポリカーボネート（ＰＣ−Ｉ）と前記芳
香族ポリカーボネート（ＰＣ−ＩＩ）の割合が重量比で
８０：２０〜３０：７０の範囲である芳香族ポリカーボ
ネート組成物が提供される。
【００１２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物を形成するＰＣ−ＩおよびＰＣ−ＩＩの製造に用いる
二価フェノールとしての２,２−ビス（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパンおよび１,１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシ
クロヘキサンはその合成時に副生する不純物を極力除去
した９９.０％以上の高純度のものが好ましい。本発明
の組成物を形成するＰＣ−Ｉは８０〜３０重量％であり
ＰＣ−ＩＩは２０〜７０重量％である。ＰＣ−Ｉは７５
〜３５重量％、ＰＣ−ＩＩは２５〜６５重量％が好まし
い。ＰＣ−Ｉが８０重量％より多くＰＣ−ＩＩが２０重
量％より少なくなると得られた樹脂の光弾性定数が大き
くなりかつガラス転移点も低くなるので好ましくない。
また、ＰＣ−Ｉが３０重量％より少なく、ＰＣ−ＩＩが
７０重量％より多くなると得られた樹脂の溶融流動性が
悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難
くなる。
物を形成するＰＣ−ＩおよびＰＣ−ＩＩの製造に用いる
二価フェノールとしての２,２−ビス（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパンおよび１,１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシ
クロヘキサンはその合成時に副生する不純物を極力除去
した９９.０％以上の高純度のものが好ましい。本発明
の組成物を形成するＰＣ−Ｉは８０〜３０重量％であり
ＰＣ−ＩＩは２０〜７０重量％である。ＰＣ−Ｉは７５
〜３５重量％、ＰＣ−ＩＩは２５〜６５重量％が好まし
い。ＰＣ−Ｉが８０重量％より多くＰＣ−ＩＩが２０重
量％より少なくなると得られた樹脂の光弾性定数が大き
くなりかつガラス転移点も低くなるので好ましくない。
また、ＰＣ−Ｉが３０重量％より少なく、ＰＣ−ＩＩが
７０重量％より多くなると得られた樹脂の溶融流動性が
悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難
くなる。
【００１３】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物を形成するそれぞれの樹脂は通常の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を製造する際に用いる公知の方法、例えば二
価フェノールにホスゲンや炭酸ジエステル等のカーボネ
ート前駆物質を反応させる方法により製造される。
物を形成するそれぞれの樹脂は通常の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を製造する際に用いる公知の方法、例えば二
価フェノールにホスゲンや炭酸ジエステル等のカーボネ
ート前駆物質を反応させる方法により製造される。
【００１４】カーボネート前駆物質として例えばホスゲ
ンを使用する反応では、通常酸結合剤の水溶液に上記二
価フェノールを溶解し、有機溶媒の存在下に反応させ
る。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物が用いられ、有機溶
媒としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハ
ロゲン化炭化水素が用いられる。反応温度は通常０〜４
０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。
ンを使用する反応では、通常酸結合剤の水溶液に上記二
価フェノールを溶解し、有機溶媒の存在下に反応させ
る。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物が用いられ、有機溶
媒としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハ
ロゲン化炭化水素が用いられる。反応温度は通常０〜４
０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。
【００１５】また、反応を促進させるために触媒を用い
てもよく、触媒としては例えばトリエチルアミン、テト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−
ブチルホスホニウムブロマイドのような三級アミン、四
級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物等が挙
げられる。更に、必要に応じハイドロサルファイトのよ
うな酸化防止剤を加えることもできる。
てもよく、触媒としては例えばトリエチルアミン、テト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−
ブチルホスホニウムブロマイドのような三級アミン、四
級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物等が挙
げられる。更に、必要に応じハイドロサルファイトのよ
うな酸化防止剤を加えることもできる。
【００１６】さらに末端停止剤としては例えばフェノー
ル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェ
ノール、イソオクチルフェノール等の単官能フェノール
類を用いる。また溶融流動性をさらに向上するためには
炭素原子数１０〜５０のアルキルフェノールを全末端停
止剤の少なくとも５モル％以上用いると良い。その際用
いられる炭素原子数１０〜５０のアルキルフェノールの
アルキル基の置換位置は通常水酸基のオルソ位またはパ
ラ位のものが用いられ、中でもオルソ位とパラ位の混合
物が好ましく用いられる。
ル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェ
ノール、イソオクチルフェノール等の単官能フェノール
類を用いる。また溶融流動性をさらに向上するためには
炭素原子数１０〜５０のアルキルフェノールを全末端停
止剤の少なくとも５モル％以上用いると良い。その際用
いられる炭素原子数１０〜５０のアルキルフェノールの
アルキル基の置換位置は通常水酸基のオルソ位またはパ
ラ位のものが用いられ、中でもオルソ位とパラ位の混合
物が好ましく用いられる。
【００１７】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応では、不活性ガス雰囲気下
所定割合の上記二価フェノールを炭酸ジエステルと加熱
しながら攪拌して生成するアルコールまたはフェノール
を留出させることで行われる。反応温度は生成するアル
コールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常
１２０〜３００℃の範囲である。反応後期には系を減圧
にして生成するアルコールまたはフェノールの留出を容
易にさせて反応を完結させる。炭酸ジエステルとしては
例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
等が挙げられる。このらのうち特にジフェニルカーボネ
ートが好ましい。
ルを用いるエステル交換反応では、不活性ガス雰囲気下
所定割合の上記二価フェノールを炭酸ジエステルと加熱
しながら攪拌して生成するアルコールまたはフェノール
を留出させることで行われる。反応温度は生成するアル
コールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常
１２０〜３００℃の範囲である。反応後期には系を減圧
にして生成するアルコールまたはフェノールの留出を容
易にさせて反応を完結させる。炭酸ジエステルとしては
例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
等が挙げられる。このらのうち特にジフェニルカーボネ
ートが好ましい。
【００１８】重合速度を速めるために重合触媒を使用す
ることもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水
酸化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の
水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカ
リ金属塩、アルカリ土類金属塩、第４級アンモニウム塩
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩類、
亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物類、ゲル
マニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、ア
ンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン化合物
類、ジルコニウム化合物類等の通常エステル化反応、エ
ステル交換反応に使用される触媒を使用することができ
る。触媒は１種だけを用いても２種以上を組合わせて用
いてもよい。これらの触媒の使用量は原料の二価フェノ
ールに対し０.０００１〜１重量％、好ましくは０.００
０５〜０.５重量％の範囲で選ばれる。
ることもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水
酸化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の
水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカ
リ金属塩、アルカリ土類金属塩、第４級アンモニウム塩
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩類、
亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物類、ゲル
マニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、ア
ンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン化合物
類、ジルコニウム化合物類等の通常エステル化反応、エ
ステル交換反応に使用される触媒を使用することができ
る。触媒は１種だけを用いても２種以上を組合わせて用
いてもよい。これらの触媒の使用量は原料の二価フェノ
ールに対し０.０００１〜１重量％、好ましくは０.００
０５〜０.５重量％の範囲で選ばれる。
【００１９】かくして得られるＰＣ−ＩおよびＰＣ−Ｉ
Ｉのポリマーはいずれもポリマー０.７ｇを１００ｍｌ
の塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した比粘度が
０.２〜０.４の範囲のものが好ましく、０.２５〜０.３
５の範囲のものがさらに好ましい。比粘度が０.２未満
では成形品が脆くなり、一方、０.４より高くなると溶
融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成形
品が得られ難くなる。
Ｉのポリマーはいずれもポリマー０.７ｇを１００ｍｌ
の塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した比粘度が
０.２〜０.４の範囲のものが好ましく、０.２５〜０.３
５の範囲のものがさらに好ましい。比粘度が０.２未満
では成形品が脆くなり、一方、０.４より高くなると溶
融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成形
品が得られ難くなる。
【００２０】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成形法、溶
液キャスティング法等任意の方法で成形することができ
る。なお、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
には、必要に応じてりん系の熱安定剤、フェノール系の
酸化防止剤等を加えることができる。りん系の安定剤と
しては例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニル
フェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファ
イト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホ
スファィト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオ
クチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノ
フェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファ
イト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチ
ルジフェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトー
ルジホスファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビ
ス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト、ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
ペンタエリスリトールジホスファイト、テトラキス
（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジ
フェニレンホスホナイト等の亜りん酸のトリエステル、
ジエステル、モノエステルでありこれらは単独で使用し
てもまたは２種以上を併用してもよい。添加量としては
０.０００１〜０.０５重量％が好ましい。
物は、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成形法、溶
液キャスティング法等任意の方法で成形することができ
る。なお、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
には、必要に応じてりん系の熱安定剤、フェノール系の
酸化防止剤等を加えることができる。りん系の安定剤と
しては例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニル
フェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファ
イト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホ
スファィト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオ
クチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノ
フェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファ
イト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチ
ルジフェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトー
ルジホスファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビ
ス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト、ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
ペンタエリスリトールジホスファイト、テトラキス
（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジ
フェニレンホスホナイト等の亜りん酸のトリエステル、
ジエステル、モノエステルでありこれらは単独で使用し
てもまたは２種以上を併用してもよい。添加量としては
０.０００１〜０.０５重量％が好ましい。
【００２１】フェノール系酸化防止剤としては例えばト
リエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブ
チル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス
（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,
６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエ
ステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス
｛１,１−ジメチル−２［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニル
オキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピ
ロ（５,５）ウンデカン等が挙げられる。好ましい添加
量の範囲は０.０００１〜０.０５％である。
リエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブ
チル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス
（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,
６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエ
ステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス
｛１,１−ジメチル−２［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニル
オキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピ
ロ（５,５）ウンデカン等が挙げられる。好ましい添加
量の範囲は０.０００１〜０.０５％である。
【００２２】また必要に応じて多価アルコールの高級脂
肪酸エステルを加える事もできる。好ましい脂肪酸エス
テルとしては炭素原子数８〜２２の飽和脂肪族モノカル
ボン酸とグリコール類、グリセロール、ペンタエリスリ
トール等との全エステル、部分エステルで、好ましい添
加量は０.００１〜０.５重量％である。また光安定剤、
着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添加剤を透明性を損なわ
ない範囲で加えることができる。また他のポリカーボネ
ート樹脂、あるいは熱可塑性樹脂を少割合ブレンドして
用いることもできる。
肪酸エステルを加える事もできる。好ましい脂肪酸エス
テルとしては炭素原子数８〜２２の飽和脂肪族モノカル
ボン酸とグリコール類、グリセロール、ペンタエリスリ
トール等との全エステル、部分エステルで、好ましい添
加量は０.００１〜０.５重量％である。また光安定剤、
着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添加剤を透明性を損なわ
ない範囲で加えることができる。また他のポリカーボネ
ート樹脂、あるいは熱可塑性樹脂を少割合ブレンドして
用いることもできる。
【００２３】また本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
に含まれる塩素（Ｃｌ）は１.０ｐｐｍ以下が好まし
い。また平均径０.５μｍ以上の異物は１００００個／
ｇ以下が好ましい。
に含まれる塩素（Ｃｌ）は１.０ｐｐｍ以下が好まし
い。また平均径０.５μｍ以上の異物は１００００個／
ｇ以下が好ましい。
【００２４】本発明の芳香族ポリカーボネート組成物
は、複屈折性および成形性に特に優れているので種々の
成形品として利用することができる。殊に光学ディス
ク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィ
ルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反
射鏡、ディスプレー等の光学部品の構造材料または機能
材料用途に適した光学用成形品として有利に使用するこ
とができる。これらのうち、光ディスク用基板として特
に有利に使用することができる。
は、複屈折性および成形性に特に優れているので種々の
成形品として利用することができる。殊に光学ディス
ク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィ
ルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反
射鏡、ディスプレー等の光学部品の構造材料または機能
材料用途に適した光学用成形品として有利に使用するこ
とができる。これらのうち、光ディスク用基板として特
に有利に使用することができる。
【００２５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお合成例および実施例中の部は重量部であり％は
重量％である。なお、評価は下記の方法によった。比粘度； ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）； デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ）； ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。全光線透過率； ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日本
電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数； 理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。斜め入射複屈折位相差； オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。反り； ８０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿機中に光ディスク
を１０００時間放置した後、小野測器製ＬＭ−１２００
光ディスク検査装置を用いて基板の反りを測定した。
る。なお合成例および実施例中の部は重量部であり％は
重量％である。なお、評価は下記の方法によった。比粘度； ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）； デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ）； ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。全光線透過率； ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日本
電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数； 理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。斜め入射複屈折位相差； オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。反り； ８０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿機中に光ディスク
を１０００時間放置した後、小野測器製ＬＭ−１２００
光ディスク検査装置を用いて基板の反りを測定した。
【００２６】合成例１（ＰＣ−Ｉの合成） 温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水
４３５.４部と４８％カセイソーダ水溶液５５.６部を入
れ、２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン５７.５部およびハイドロサルファイト０.
２部を溶解した後、塩化メチレン４３５.４部を加え、
攪拌下１５〜２５℃でホスゲン２９部を４０分を要して
吹き込み反応せしめた。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.５部および４８％カセ
イソーダ水溶液１８.５部を加えて乳化後トリエチルア
ミン０.１６部を加えて２８〜３３℃で約１時間攪拌し
て反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレン
で希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の
導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで塩化
メチレンを蒸発してポリマー６１.４部を得た（収率９
７％）。このポリマーの比粘度は０.３２４、Ｔｇは１
２０℃であった。
４３５.４部と４８％カセイソーダ水溶液５５.６部を入
れ、２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン５７.５部およびハイドロサルファイト０.
２部を溶解した後、塩化メチレン４３５.４部を加え、
攪拌下１５〜２５℃でホスゲン２９部を４０分を要して
吹き込み反応せしめた。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.５部および４８％カセ
イソーダ水溶液１８.５部を加えて乳化後トリエチルア
ミン０.１６部を加えて２８〜３３℃で約１時間攪拌し
て反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレン
で希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の
導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで塩化
メチレンを蒸発してポリマー６１.４部を得た（収率９
７％）。このポリマーの比粘度は０.３２４、Ｔｇは１
２０℃であった。
【００２７】合成例２（ＰＣ−ＩＩの合成） 合成例１と同様の装置にイオン交換水１１３７.３部、
４８％カセイソーダ水溶液２３８.５部を入れ、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチ
ルシクロヘキサン２００.１部、およびハイドロサルフ
ァイト０.２部を溶解した後、塩化メチレン７０９.９部
を加えて、合成例１と同様にしてホスゲン８３.１部を
４０分を要して吹き込み反応せしめた。ホスゲン吹き込
み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール５.８部を
加え乳化後、トリエチルアミン０.２部を加えて合成例
１と同様にしてポリマー２０８.２部を得た（収率９６
％）。このポリマーの比粘度は０.２５８、Ｔｇは２２
６℃であった。
４８％カセイソーダ水溶液２３８.５部を入れ、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチ
ルシクロヘキサン２００.１部、およびハイドロサルフ
ァイト０.２部を溶解した後、塩化メチレン７０９.９部
を加えて、合成例１と同様にしてホスゲン８３.１部を
４０分を要して吹き込み反応せしめた。ホスゲン吹き込
み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール５.８部を
加え乳化後、トリエチルアミン０.２部を加えて合成例
１と同様にしてポリマー２０８.２部を得た（収率９６
％）。このポリマーの比粘度は０.２５８、Ｔｇは２２
６℃であった。
【００２８】合成例３（ＰＣ−ＩＩの合成） 合成例２のｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わりに
炭素原子数２０のアルキルフェノール（オルソ置換体７
０％とパラ置換体３０％の混合物）１４.５部を用いる
以外は合成例２と同様にしてポリマー２１７.５部を得
た（収率９４％）。このものの比粘度は０.２７２、Ｔ
ｇは１８２℃であった。
炭素原子数２０のアルキルフェノール（オルソ置換体７
０％とパラ置換体３０％の混合物）１４.５部を用いる
以外は合成例２と同様にしてポリマー２１７.５部を得
た（収率９４％）。このものの比粘度は０.２７２、Ｔ
ｇは１８２℃であった。
【００２９】実施例１ 合成例１で合成したポリカーボネート７０部、合成例２
で合成したポリカーボネート３０部、トリス（２,４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０.００
５部、トリメチルホスフェート０.００５部、ステアリ
ン酸モノグリセライド０.０４５部を塩化メチレンに均
一に溶解した後、塩化メチレンを蒸発してポリマー組成
物を得た。このものを２５０℃で溶融押出ししてペレッ
ト化した。このもののＴｇは１５０℃、ＭＦＲは５２ｇ
／１０分であった。このものを住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍ
ｌｌｌを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディス
ク基板に射出成形した。このものの全光線透過率は８９
％、光弾性定数は４９×１０ -13ｃｍ2／ｄｙｎ、斜め入
射複屈折位相差は２６ｎｍ、反りは０.２ｍｍであっ
た。
で合成したポリカーボネート３０部、トリス（２,４−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０.００
５部、トリメチルホスフェート０.００５部、ステアリ
ン酸モノグリセライド０.０４５部を塩化メチレンに均
一に溶解した後、塩化メチレンを蒸発してポリマー組成
物を得た。このものを２５０℃で溶融押出ししてペレッ
ト化した。このもののＴｇは１５０℃、ＭＦＲは５２ｇ
／１０分であった。このものを住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍ
ｌｌｌを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディス
ク基板に射出成形した。このものの全光線透過率は８９
％、光弾性定数は４９×１０ -13ｃｍ2／ｄｙｎ、斜め入
射複屈折位相差は２６ｎｍ、反りは０.２ｍｍであっ
た。
【００３０】実施例２ 合成例１で合成したポリマー４０部、合成例３で合成し
たポリマー６０部を実施例１と同様の添加剤組成で実施
例１と同様にしてペレット化した。このもののＴｇは１
５５℃、ＭＦＲは４３ｇ／１０分であった。このものを
実施例１と同様にしてディスク基板を成形し評価したと
ころ、全光線透過率は８９％、光弾性定数は４３×１０
-13ｃｍ2／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２６ｎｍ、
反りは０.２ｍｍであった。
たポリマー６０部を実施例１と同様の添加剤組成で実施
例１と同様にしてペレット化した。このもののＴｇは１
５５℃、ＭＦＲは４３ｇ／１０分であった。このものを
実施例１と同様にしてディスク基板を成形し評価したと
ころ、全光線透過率は８９％、光弾性定数は４３×１０
-13ｃｍ2／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は２６ｎｍ、
反りは０.２ｍｍであった。
【００３１】比較例１ 通常のビスフェノールＡポリカーボネート（帝人化成製
パンライトＡＤ−５５０３）を実施例１と同様のディス
ク基板を成形し実施例１と同様にして評価したところ全
光線透過率は８９％、光弾性定数は８２×１０-13ｃｍ2
／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は６８ｎｍ、反りは
０.３ｍｍであった。
パンライトＡＤ−５５０３）を実施例１と同様のディス
ク基板を成形し実施例１と同様にして評価したところ全
光線透過率は８９％、光弾性定数は８２×１０-13ｃｍ2
／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は６８ｎｍ、反りは
０.３ｍｍであった。
【００３２】比較例２ 合成例１で合成したポリマー９０部、合成例２で合成し
たポリマー１０部とした以外は実施例１と同様にしてペ
レットおよびディスク基板を得た。このもののＴｇは１
３０℃と低く、光弾性定数は５６×１０-13ｃｍ2／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は５５ｎｍと大きかった。
たポリマー１０部とした以外は実施例１と同様にしてペ
レットおよびディスク基板を得た。このもののＴｇは１
３０℃と低く、光弾性定数は５６×１０-13ｃｍ2／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は５５ｎｍと大きかった。
【００３３】比較例３ 合成例１で合成したポリマー１０部、合成例２で合成し
たポリマー９０部とした以外は実施例１と同様にしてペ
レット化した。このもののＴｇは２２０℃と高くＭＦＲ
は測定不可能で良好な成形品は得られなかった。
たポリマー９０部とした以外は実施例１と同様にしてペ
レット化した。このもののＴｇは２２０℃と高くＭＦＲ
は測定不可能で良好な成形品は得られなかった。
【００３４】
【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート組成物
は、低複屈折で溶融流動性が良くかつ透明性にも優れる
ので、光学ディスク、光学レンズ、光カード等の各種光
学用成形品として好適に用いられる。
は、低複屈折で溶融流動性が良くかつ透明性にも優れる
ので、光学ディスク、光学レンズ、光カード等の各種光
学用成形品として好適に用いられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２６ Ｈ 7215−5Ｄ
Claims (7)
- 【請求項１】 下記一般式［Ｉ］ 【化１】 で表される繰返し単位［Ｉ］よりなる芳香族ポリカーボ
ネート（ＰＣ−Ｉ）および下記一般式［ＩＩ］ 【化２】 で表される繰返し単位［ＩＩ］よりなる芳香族ポリカー
ボネート（ＰＣ−ＩＩ）より実質的になり、前記芳香族
ポリカーボネート（ＰＣ−Ｉ）と前記芳香族ポリカーボ
ネート（ＰＣ−ＩＩ）の割合が重量比で８０：２０〜３
０：７０の範囲である芳香族ポリカーボネート組成物。 - 【請求項２】 該ＰＣ−ＩおよびＰＣ−ＩＩのポリマー
は、それぞれのポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メ
チレンに溶解した２０℃における溶液の比粘度が０.２
〜０.４である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
組成物。 - 【請求項３】 りん系の熱安定剤０.０００１〜０.０５
重量％および／またはフェノール系酸化防止剤０.００
０１〜０.０５重量％を含有する請求項１記載の芳香族
ポリカーボネート組成物。 - 【請求項４】 該ＰＣ−Ｉのポリマーは、末端基として
炭素数１０〜５０のアルキルフェニルオキシ基を、全末
端当り少なくとも５モル％以上有する請求項１記載の芳
香族ポリカーボネート組成物。 - 【請求項５】 該ＰＣ−ＩＩのポリマーは、末端基とし
て炭素数１０〜５０のアルキルフェニルオキシ基を、全
末端当り少なくとも５モル％以上有する請求項１記載の
芳香族ポリカーボネート組成物。 - 【請求項６】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
組成物より形成された光学用材料。 - 【請求項７】 請求項１記載の芳香族ポリカーボネート
組成物より形成された光ディスク用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772794A JP3867930B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 芳香族ポリカーボネート組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15772794A JP3867930B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 芳香族ポリカーボネート組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0820713A true JPH0820713A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3867930B2 JP3867930B2 (ja) | 2007-01-17 |
Family
ID=15656049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15772794A Expired - Fee Related JP3867930B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 芳香族ポリカーボネート組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3867930B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052550A1 (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Teijin-Bayer Polytec Limited | Substrates for hard disks and hard disks |
| WO2008149579A1 (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Sumitomo Dow Limited | 光学用ポリカーボネート樹脂組成物及びそれからなる光学用成形品 |
| JP2009013393A (ja) * | 2007-06-06 | 2009-01-22 | Sumitomo Dow Ltd | 光学用ポリカーボネート樹脂組成物及びそれからなる光学用成形品 |
| JP2009013392A (ja) * | 2007-06-06 | 2009-01-22 | Sumitomo Dow Ltd | 光学用ポリカーボネート樹脂組成物及びそれからなる光学用成形品 |
| JP2013040309A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネート樹脂シート |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP15772794A patent/JP3867930B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052550A1 (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Teijin-Bayer Polytec Limited | Substrates for hard disks and hard disks |
| WO2008149579A1 (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Sumitomo Dow Limited | 光学用ポリカーボネート樹脂組成物及びそれからなる光学用成形品 |
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| JP2013040309A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネート樹脂シート |
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|---|---|
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