JPH1167993A

JPH1167993A - カード型携帯用電子装置およびカード型携帯用電子装置用放熱板の製造方法

Info

Publication number: JPH1167993A
Application number: JP21934397A
Authority: JP
Inventors: Yuji Kawauchi; 祐治川内; Hiroki Nakanishi; 寛紀中西
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1997-08-14
Filing date: 1997-08-14
Publication date: 1999-03-09

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＣカードの放熱板用として良好な熱伝導率
と低熱膨張およびシールドを有する複合材料を提供する
ことを目的とする。【解決手段】半導体素子と情報伝達手段とが組み込ま
れて構成されるカード型携帯用電子装置において、銅ま
たは銅合金の高熱伝導層と、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨
張層が交互に積層され１０層以上の多層構造をなし、好
ましくは５０層以上の多層構造を形成し、さらに低熱膨
張層をはさみ込む高熱伝導層は、低熱膨張層に形成した
複数の貫通孔を介して連続する基板が設置されているこ
とを特徴とするカード型携帯用電子装置およびカード型
携帯用電子装置用放熱板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＣ（パーソナル
コンピュータ）用カード、あるいはクレジットカードや
銀行のキャッシュカード、さらにはＩＤカードとしても
用いられるＩＣカードと呼ばれるカード型携帯用電子装
置の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】クレジットカードや銀行のキャッシュカ
ード、さらにはＩＣカードと呼ばれるカード型携帯用電
子装置が広汎に利用されている。また、ＰＣカードとは
ＲＯＭカード、ＲＡＭカード、カードモデムやＬＡＮカ
ードとしても利用されている。このＩＣカード、ＰＣカ
ードは、例えば塩化ビニール樹脂板よりなるカード本体
に半導体素子、入出力端子部等が組み込まれていて構成
されるものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のようにＩＣカー
ド、ＰＣカードは、携帯用の電子装置であるため、国際
標準化機構により、その大きさは８５×５７ｍｍと規定
されている。ところで、近年はＩＣカード、ＰＣカード
も上記用途以外にゲーム機器の外部記憶装置、プリンタ
ーやパソコンのプログラムメモリ等にも利用されてお
り、メモリ容量の増大が望まれている。このため、ＩＣ
チップの大型化や、消費電力の増大に伴い、発熱量が増
加する傾向にある。このため、発熱によるＩＣチップの
温度上昇は、ＩＣチップの誤作動の原因となり、また温
度上昇による電気抵抗の増大は信号伝達の遅延をまねき
好ましくない。またチップの発熱により、外装の塩化ビ
ニール板が軟化するため、ＩＣカードやＰＣカード自体
が変形してしまうという問題もある。したがって、ＩＣ
カードやＰＣカードの放熱性は非常に重要な課題となり
つつある。

【０００４】また、ＩＣカードのメモリ容量の増大に加
えて、ＩＣカードやＰＣカードと装置本体との間での信
号伝達速度の増大に伴い、消費電力を抑えるために作動
電圧が下げられている。この結果、外部からの電磁波ノ
イズによるＩＣチップの誤作動も問題となっている。こ
のため、外部からの電磁波ノイズをシールドすることも
重要な課題となりつつある。

【０００５】これらの放熱性、シールド性を確保するた
めに特開昭６２−１６９６９７号、特開昭６１−２８２
９８２号や特開平４−３４７６９９号では金属の放熱
物、具体的には銅、ニッケル、アルミや銅合金、ニッケ
ル合金、アルミ合金、ＳＵＳ３０４等の金属製放熱板を
ＩＣカード中に埋め込んだり、溶融金属を隙間に流し込
んで固めることにより、放熱性の改善やシールド性を実
現させることも提案されている。

【０００６】しかし、これらの金属板もしくは金属層
は、ＩＣチップの材質であるシリコンと比較して熱膨張
係数が大きいといった問題がある。このため、従来のよ
うにＩＣチップが小型であった頃には、この熱膨張係数
の違いは大きな問題とはならなかったが、ＩＣチップの
大型化に伴い、ＩＣチップと放熱用金属板との間の熱膨
張係数の違いが顕著となり、組立て時の半田付けによる
温度上昇に伴う、ＩＣチップと放熱板との位置ずれ、使
用時の温度上昇に伴う信頼性が劣る等の問題が発生する
可能性がある。本発明は係る問題に鑑みてなされたもの
で、高い放熱性と低熱膨張特性およびシールド性を兼ね
備えた信頼性の高いカード型携帯用電子装置、およびカ
ード型携帯用電子装置用放熱板を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、カード型
携帯用電子装置の放熱板として、高い熱伝導特性の確保
と、カード型携帯用電子装置の熱変形の防止の両立およ
び電磁波および磁気に対するシールド性を得るべく検討
を行なった。そして、高い熱伝導率と電気伝導率を有す
る銅または銅合金と、さらに低熱膨張特性を有するＦｅ
−Ｎｉ系合金とを銅または銅合金が板厚方向に貫通する
ように複合化した放熱板が適用できることを見いだし本
発明に到達した。

【０００８】すなわち、本発明は樹脂で構成されるカー
ド本体と、該カード本体に内包される半導体装置と、該
半導体装置からの熱を放熱する放熱板とを具備するカー
ド型携帯用電子装置であって、前記放熱板は、銅または
銅合金の高熱伝導層と、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層
が交互に積層され１０層以上の多層構造をなし、さらに
低熱膨張層をはさみ込む高熱伝導層は、低熱膨張層に形
成した複数の貫通孔を介して連続されてなるカード型携
帯用電子装置である。上記放熱板は、好ましくは５０層
以上の多層構造を形成する。

【０００９】上述した本発明の放熱板は、例えば銅また
は銅合金の高熱伝導層と複数の貫通孔を有するＦｅ−Ｎ
ｉ系合金の低熱膨張層とを交互に積層して１０層以上の
多層構造となし、前記多層構造を加圧して前記複数の貫
通孔に前記銅または銅合金を介在させるよう接合し、圧
延を行なうことを特徴とするカード型携帯電子装置用放
熱板の製造方法である。

【００１０】好ましくは、放熱板は低熱膨張層の厚さ
を、０．１ｍｍ以下、さらに好ましくは０．０２ｍｍ以
下とする。また、基板の最外層に銅または銅合金の連続
した高熱伝導層を積層するか、あるいは最外層にＦｅ−
Ｎｉ系合金の連続した低熱膨張層を積層することが望ま
しい。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の重要な特徴の一つは、カ
ード型携帯用電子装置に適用する放熱板を銅または銅合
金が板厚方向に貫通するように銅または銅合金とＦｅ−
Ｎｉ系合金とを１０層以上、好ましくは５０層以上の多
層構造体としたことである。本発明のカード型携帯用電
子装置の一例を図５に断面図として示す。図５において
は、カバー本体となる樹脂カバー８に、半導体装置であ
るＩＣチップ１０と、端子となるボール１１と、プリン
ト基板１２が内包され、ＩＣチップに接合された放熱板
となる複合材料５で構成されるものである。

【００１２】図５に示すように、半導体装置は、カバー
本体に内包されるため、放熱する必要がある。図５に示
すように、半導体装置からの放熱を効率良く行うには、
半導体装置に放熱板を接合した構造とする。なお、本発
明は、半導体装置と接合した構造に限定されるものでは
なく、プリント基板に接合することもできる。また、シ
ールド効果を高めるため、半導体装置を覆うように表裏
両面に配置することもできる。

【００１３】上述したように、本発明において、放熱板
は、銅または銅合金が板厚方向に貫通するように銅また
は銅合金とＦｅ−Ｎｉ系合金とを１０層以上、好ましく
は５０層以上の多層構造体としている。貫通した銅また
は銅合金は、高熱伝導性を有するため内包される半導体
装置からの放熱性を高めることができる。また、層構造
とすることは、熱の幅方向の拡散性をたかめるととも銅
の持つ高電気伝導性による電磁シールド性を利用でき
る。また、層構造としたＦｅ−Ｎｉ系合金は、その低熱
膨張特性から、放熱板の熱膨張を抑え、カード本体の変
形、半導体装置への応力の発生を防止することができ
る。また、強磁性であるＦｅ−Ｎｉ系合金は、磁気シー
ルド性を利用できる。また、多層構造とすることは、異
種金属を層構造とした場合の反りの発生を防止する上で
有効である。

【００１４】本発明においては、１０層以上の多層構造
を現実のものとするために検討を行ない、低熱膨張層を
はさみ込む高熱伝導層を低熱膨張層に形成した複数の貫
通孔を介して連続させるため、積層後、缶体に充填し、
１０マイナス３乗Ｔｏｒｒ以下に減圧してから封止し、
ついで７００〜１０５０℃の温度範囲において５０ＭＰ
ａ以上に加圧して接合処理を行なうものとした。このよ
うに、真空引きしてから、高圧下で加熱接合することに
より、従来５層構造が限界であった圧延圧着法を適用し
なくても、高熱伝導層を低熱膨張層の貫通孔に連続させ
た複合材料を一挙に１０層以上とすることができたもの
である。

【００１５】本発明においては、好ましくは低熱膨張層
の厚さを、０．１ｍｍ以下と薄くする。このように薄
い、低熱膨張層を多層化することにより、熱膨張率の違
いによる反りなどの変形をより確実に抑えることが可能
である。さらに好ましくは低熱膨張層の厚さが０．０２
ｍｍ以下と薄くし、低熱膨張層をさらに多層化すること
で、熱膨張率の違いによる反りなどの変形をさらに抑え
ることが可能である。また、さらに好ましくは、最外層
に銅または銅合金の連続した高熱伝導層を積層するか、
あるいは最外層にＦｅ−Ｎｉ系合金の連続した低熱膨張
層を積層する。

【００１６】最外層に貫通孔を有しない銅または銅合金
の連続した高熱伝導層あるいはＦｅ−Ｎｉ系合金の連続
した低熱膨張層を形成することにより、めっき処理時に
表面の不均一性が解消され、良好なめっき性が得られる
ようになる。最外層を高熱伝導層とするか低熱膨張層と
するかは、ＩＣのチップの大きさがＩＣカード全体の大
きさに対して、どの程度の大きさになっているかで決ま
り、任意に選択できる。たとえば、最外層は、接合面の
低熱膨張特性を特に要求される場合は、低熱膨張層と
し、高熱伝導特性を特に要求される場合には、高熱膨張
層とすることができる。

【００１７】銅または銅合金の高熱伝導層と複数の貫通
孔を有するＦｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層を積層した本
発明に使用する基板となる複合材料の基本構成を示すと
図１に示すようになる。図１は多層構造を有する複合材
料５の低熱膨張層１と高熱伝導層３が接合した部分を示
すものである。図１に示すように低熱膨張層１の両側に
ある高熱伝導層３は、貫通孔２に充填した銅または銅合
金により連続されている。なお、図１の右側に理想的な
断面を示している。このようにすることによって、Ｆｅ
−Ｎｉ系合金の低熱膨張層を厚さ方向に横切る熱移動を
確保し、シールド性も実現するものである。また、図２
に示すように、本発明では複合材料５の最外層４に貫通
孔を有しない銅または銅合金の連続した高熱伝導材料あ
るいは貫通孔を有しないＦｅ−Ｎｉ系合金の連続した低
熱膨張材料を配置することが可能である。

【００１８】本発明においては、低熱膨張層と高熱伝導
層との接合信頼性を高めるため、具体的には１０ミクロ
ン以上という充分に厚い拡散層を得るために、７００〜
１０５０℃の温度範囲において５０ＭＰａ以上の圧力を
適用する。５０ＭＰａ以上という高い圧力を適用する
と、７００〜１０５０℃の温度範囲において、１０ミク
ロン以上という従来の冷間圧延による圧着と焼鈍によっ
て形成されるよりも著しく厚い拡散層を形成することが
可能となる。圧力はできるだけ高いことが好ましいが、
装置性能上、２００ＭＰａ以下が現実的であり、好まし
くは８０〜１５０ＭＰａの範囲である。

【００１９】本発明においては、７００℃以下の温度で
は、拡散が不十分となり、十分な接合強度が得られな
い。また、１０５０℃以上の温度では銅または銅合金の
表面酸化が顕著となり、十分な接合強度が得られず、ま
た銅または銅合金が溶融化する場合があり好ましくな
い。従って、本発明において十分な接合強度を得るため
の温度範囲は、７００〜１０５０℃である。

【００２０】また、本発明において、上述した接合処理
に先だって、缶体に充填した後、１０マイナス３乗Ｔｏ
ｒｒよりも減圧としてから封止する工程を付与してい
る。これは、本発明はＦｅ−Ｎｉ系合金素材に形成した
貫通孔に気体が残留すると、貫通孔に銅または銅合金が
充分に充填できなくなるため、脱気処理を実施するもの
である。

【００２１】また、本発明においては、上述した接合処
理の後、圧延により所定の板厚に仕上げるものである。
本発明においては、高圧下で接合処理を行うが、これだ
けでは、貫通孔に充分に銅または銅合金を充填すること
は難しい。そこで、本発明は、接合処理の後、熱間圧延
および、または冷間圧延を付与すると良い。冷間圧延を
付与すると、電子部品用の複合材料として使用できる清
浄度および平坦度を比較的均等に得ることができる。

【００２２】本発明において、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱
膨張層は、本発明の複合材料の熱膨張を低いものとする
ことを第一の目的に配置するものである。好ましくは、
複合材料をＩＣチップの熱膨張係数に近似するように、
３０℃〜３００℃における熱膨張係数を４〜１１×１０
マイナス６乗／℃の範囲とするように配置することが望
ましい。具体的に使用するＦｅ−Ｎｉ系合金としてはＦ
ｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金のいわゆる
インバー合金、Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金のいわ
ゆるスーパーインバー合金、Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％
Ｃｏ合金等のＮｉ３０〜６０％、残部Ｆｅあるいは、Ｎ
ｉの一部をＣｏで置換したものを基本元素とするものが
使用できる。

【００２３】また、他の添加元素を含むことも当然可能
であり、熱膨張特性、機械的強度等様々の要求に合わせ
て４Ａ，５Ａ，６Ａ族の元素を低熱膨張特性を損なわな
いオーステナイト組織を保持できる限り、添加すること
が可能である。例えば、酸化膜形成等のために有効であ
るＣｒは１５質量％以下、強度を改善する元素として５
質量％以下のＮｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ、熱間
加工性を改善する元素として５質量％以下のＳｉ，Ｍｎ
あるいは０．１質量％以下のＣａ，Ｂ，Ｍｇが使用でき
る。

【００２４】本発明において、カード型携帯用電子装置
に適用する放熱板の高熱伝導層を銅または銅合金と規定
した。純銅は熱伝導性の点では非常に優れており、熱伝
導性を重視する基板用としては有効であるが、場合によ
って機械的強度、ハンダ付性、銀ろう付性、耐熱性等用
途に応じた特性改善のために合金元素を添加することが
可能である。例えば、ＳｎやＮｉは銅または銅合金中に
固溶して機械的強度を向上させることができる。また、
ＴｉはＮｉと複合で添加すると、銅マトリックス中にＮ
ｉとＴｉとの化合物として析出し、機械的強度および耐
熱性を向上する。また、Ｚｒはハンダ耐候性を向上す
る。Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｍｇはレジンとの密着性を改善
することが知られている。なお、本発明の銅または銅合
金層は、電磁波に対するシールド性の確保も目的の一つ
であるが、熱放散性の付与が最大の目的であるため、熱
放散性を低下させる前記の添加元素は好ましくは１０質
量％以下とする。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。本発
明のカード型携帯用電子装置に用いる基板の低熱膨張層
用材料として、Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３６％Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金およびＦｅ−
２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ合金を選び、冷間圧延および焼
鈍を繰り返し、厚さ０．２ｍｍのＦｅ−Ｎｉ系合金の
薄板を得た。このＦｅ−Ｎｉ系合金にフォトエッチング
により薄板の全面にφ０．８ｍｍ、１．０ｍｍピッチの
貫通孔を形成し、図３（ｂ）に示す低熱膨張層用素材と
した。

【００２６】また、高熱伝導層用材料でありかつ、電磁
波と呼ばれる電界波および磁界波に対してシールド可能
なシールド性に優れた電磁波シールド用材料として純銅
（無酸素銅）、Ｃｕ−２．４％Ｆｅ−０．０７％Ｐ−
０．１２％Ｚｎ合金（Ｃｕ合金Ａ）およびＣｕ−２．０
％Ｓｎ−０．２％Ｎｉ−０．０４％Ｐ−０．１５％Ｚｎ
合金（Ｃｕ合金Ｂ）を選び、厚さ０．３５ｍｍの薄板を
得た。これ等の薄板をそれぞれ１２０ｍｍ幅にスリット
を行ない、次に定尺切断機により、８００ｍｍ長さに切
断し図３（ａ）に示す高熱伝導層用素材７とした。な
お、Ｃｕ合金の組成は質量％である。

【００２７】次に、これ等のシートを表１に示す組合せ
により、５ｍｍ厚さのＳ１０Ｃ材のケース内に銅または
銅合金の高熱伝導層でＦｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層を
挟むように交互に積層し、低熱膨張層を５０層、高熱伝
導層を５１層とした最外層が連続した高熱伝導層となる
積層体を得た。（積層構造Ａという）また、別の例とし
て積層構造Ａのさらに外側に、積層体を構成する低熱膨
張層と同じ素材であって、貫通孔を形成しない厚さ０．
３ｍｍの薄板を配置して最外層が貫通孔のない低熱膨張
層となる積層体を得た。（積層構造Ｂという）なお、貫
通孔を形成しない低熱膨張層のＦｅ−Ｎｉ系合金を積層
した場合においては、貫通孔を形成した場合と比較し、
高周波領域でのシールド性が向上し、また、さらに銅ま
たは銅合金でのシールド性が若干劣る領域である低周波
でのさらなるシールド性の向上が図れる。

【００２８】

【表１】

【００２９】次に、Ｓ１０Ｃ材のケースを１０マイナス
３乗Ｔｏｒｒよりも減圧としてから溶接により密封し
た。この脱気後の積層体を有するＳ１０Ｃケースを表１
に示す温度において１０００気圧の条件で熱間静水圧プ
レスにより、積層体の接合一体化を行なった。この熱間
静水圧プレス後のキャン材の上下面のＳ１０Ｃケース材
を研削により除去し、熱間圧延前素材とした。この熱間
圧延前素材を７００〜９００℃の温度範囲において、熱
間圧延を行ない、厚さ３ｍｍの板とした。この板を酸洗
により脱スケール処理を施した後、冷間圧延を施し、最
終の厚さ１ｍｍの板とした。各層の厚さは約１０μｍで
あった。

【００３０】次にこの板から切出し加工を行い、２０×
２０（ｍｍ）角のカード型携帯用電子装置用放熱板を作
製した。上記の放熱板を図４および図５に示すごとく、
カード型携帯用電子装置に搭載した。この際、ＩＣチッ
プの実装としては、ＴＳＯＰ型のＩＣやベアチップ型の
ＩＣの実装が考えられるが、本実施例ではベアチップの
ＩＣ（ＣＯＢ）を搭載した。図４はカード型携帯用電子
装置に組み込まれた放熱板を示す上面図であり、外部端
子９を有する樹脂カバー８の表面に放熱板の最外層４が
露出し、ＩＣチップ１０で発生した熱を放熱し、外部か
らの電磁波をシールドしている。

【００３１】また、図５はその断面図である。樹脂カバ
ー８に内蔵されたプリント基板１２は多層化され、信号
処理に有効な配線パターンを有しており、外部端子９に
接続されて電気信号を授受している。授受された電気信
号はボール１１を通し、ＩＣチップ１０に電気信号を授
受する。この場合のボール１１はＡｕボールまたは半田
ボールが電極として設置されている。このＩＣチップ１
０の放熱および外部からの電磁波シールドとして、複合
材料５を有し、ＩＣチップ側最外層４によって接してい
る放熱板が装着されている。この複合材料５は銅または
銅合金と低熱膨張層であるＦｅ−Ｎｉが積層された複合
材であるため、組み立て時の半田付け工程の温度上昇お
よび使用中のＩＣチップの発熱による基板の反りおよび
位置ずれによる信頼性の低下は抑えることが可能とな
る。

【００３２】この半田付けの工程において（ｍａｘ．３
００℃）、放熱板の熱膨張係数は６〜７×１０マイナス
６乗（／℃）程度であり、Ｃｕ板を使用した際の熱膨張
係数１６．５×１０マイナス６乗（／℃）に比べて、大
きく熱膨張が抑えられている。また、基板単体での熱的
特性としては、表１に示す素材の組合せにより熱伝導率
１２０ｗ／ｍ・ｋ以上が得られている。なお、熱伝導率
はレーザーフラッシュ法により測定を行った。また、さ
らにＩＣチップ１０で発生した熱は複合材料５を通し、
外部へ放熱されることからＩＣチップの誤作動も抑制
し、さらには最外層４および複合材料５に配置された銅
および銅合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金によって、外部からの
電磁波および磁界による誤作動も併せて抑えることが可
能となる。

【００３３】上記特性より、本発明であるカード型携帯
用電子装置用放熱板は、放熱性に優れ、かつ装置使用中
における温度変化が生じても、ＩＣチップと基板の接合
信頼性が高いものにできたことがわかる。

【００３４】

【発明の効果】本発明は、以上の説明から明らかなよう
に、カード型携帯用電子装置の放熱板を高熱伝導層と低
熱膨張層を１０層以上の多層構造としたことにより、低
熱膨張特性と放熱性およびシールド性を兼ね備えること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合材料の基本構成の一例を示す概念
図である。

【図２】本発明の複合材料の最外層部の好ましい例を示
す概念図である。

【図３】本発明の複合材料の素材を説明する図である。

【図４】本発明を適用するカード型携帯用電子装置の構
成例である。

【図５】本発明を適用するカード型携帯用電子装置の構
成例である。

【符号の説明】

１低熱膨張層、２貫通孔、３高熱伝導層、４最
外層、５複合材料、６高熱伝導層用素材、７低熱
膨張層用素材、８樹脂カバー、９外部端子、１０
ＩＣチップ、１１ボール、１２プリント基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂で構成されるカード本体と、該カー
ド本体に内包される半導体装置と、該半導体装置からの
熱を放熱する放熱板とを具備するカード型携帯用電子装
置であって、前記放熱板は、は銅または銅合金の高熱伝
導層と、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層が交互に積層さ
れ１０層以上の多層構造をなし、さらに低熱膨張層をは
さみ込む高熱伝導層は、低熱膨張層に形成した複数の貫
通孔を介して連続されてなることを特徴とするカード型
携帯用電子装置。
【請求項２】放熱板を構成する低熱膨張層の厚さは、
０．１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
のカード型携帯用電子装置。
【請求項３】放熱板の最外層は、銅または銅合金の貫
通孔を有しない高熱伝導層が形成されていることを特徴
とする請求項１または２に記載のカード型携帯用電子装
置。
【請求項４】放熱板の最外層は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の
貫通孔を有しない低熱膨張層が形成されていることを特
徴とする請求項１または２のいずれかに記載のカード型
携帯用電子装置。
【請求項５】銅または銅合金の高熱伝導層と複数の貫
通孔を有するＦｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層とを交互に
積層して１０層以上の多層構造となし、前記多層構造を
加圧して前記複数の貫通孔に前記銅または銅合金を介在
させるよう接合し、圧延を行なうことを特徴とするカー
ド型携帯電子装置用放熱板の製造方法。