JPH098348A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH098348A JPH098348A JP17299295A JP17299295A JPH098348A JP H098348 A JPH098348 A JP H098348A JP 17299295 A JP17299295 A JP 17299295A JP 17299295 A JP17299295 A JP 17299295A JP H098348 A JPH098348 A JP H098348A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のこの種の発光ダイオードにおいては、
ＧａＡｓＰ層にＺｎを拡散するときの拡散防止膜である
ＳｉＮｘ膜に剥離やクラックを生じ易く、製品の歩留り
が低下したり、発光効率が低下するなどの問題点を生じ
ている。 【構成】 本発明により、密着性と耐クラック性には優
れるが拡散防止性能にはやや劣るＳｉＯ2 膜３ａを第一
層とし、拡散防止性能に優れるが密着性と耐クラック性
に劣るＳｉＮｘ膜３ｂを第二層とする拡散防止層３とす
ることで、両膜が密着性、耐クラック性、拡散防止性に
おいても相互に補完するものとして、それらの全てにつ
いて向上させるものとし、課題を解決するものである。
ＧａＡｓＰ層にＺｎを拡散するときの拡散防止膜である
ＳｉＮｘ膜に剥離やクラックを生じ易く、製品の歩留り
が低下したり、発光効率が低下するなどの問題点を生じ
ている。 【構成】 本発明により、密着性と耐クラック性には優
れるが拡散防止性能にはやや劣るＳｉＯ2 膜３ａを第一
層とし、拡散防止性能に優れるが密着性と耐クラック性
に劣るＳｉＮｘ膜３ｂを第二層とする拡散防止層３とす
ることで、両膜が密着性、耐クラック性、拡散防止性に
おいても相互に補完するものとして、それらの全てにつ
いて向上させるものとし、課題を解決するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子である
発光ダイオードに関するものであり、詳細には前記発光
ダイオードの構成およびその製造方法に係るものであ
る。
発光ダイオードに関するものであり、詳細には前記発光
ダイオードの構成およびその製造方法に係るものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の発光ダイオード９０の構
成の例を示すものが図５であり、ＧａＡｓ基板９１ａ上
にＧａＡｓＰ層９１ｂをエピタキシャル成長させたウエ
ハ９１の表面にプラズマＣＶＤ法などを用いてＳｉＮｘ
膜９２を形成し、このＳｉＮｘ膜９２にフォトリソ法に
より拡散パターン９３を開口させる。
成の例を示すものが図５であり、ＧａＡｓ基板９１ａ上
にＧａＡｓＰ層９１ｂをエピタキシャル成長させたウエ
ハ９１の表面にプラズマＣＶＤ法などを用いてＳｉＮｘ
膜９２を形成し、このＳｉＮｘ膜９２にフォトリソ法に
より拡散パターン９３を開口させる。
【０００３】続いて、前記拡散パターン９３からＺｎを
熱拡散してＰ層９４を形成し、前記ＧａＡｓＰ層９１ｂ
との間にＰ―Ｎ接合９４ａを形成させる。更に、前記拡
散パターン９３の部分にＡｌによりＰ電極９５を形成
し、ウエハ９１の背面側にはＡｕでＮ電極９６を形成す
る。
熱拡散してＰ層９４を形成し、前記ＧａＡｓＰ層９１ｂ
との間にＰ―Ｎ接合９４ａを形成させる。更に、前記拡
散パターン９３の部分にＡｌによりＰ電極９５を形成
し、ウエハ９１の背面側にはＡｕでＮ電極９６を形成す
る。
【０００４】前記ウエハ９１上には上記説明の構成を１
ユニットとする複数が設けられているものであり、以後
の工程で夫々が分割されてチップ状とされ、更に、リー
ドフレームなどにＮ電極９６側でマウントされた後に前
記Ｐ電極９５にＡｕ線のボンディングが行われて素子形
状とされるものである。
ユニットとする複数が設けられているものであり、以後
の工程で夫々が分割されてチップ状とされ、更に、リー
ドフレームなどにＮ電極９６側でマウントされた後に前
記Ｐ電極９５にＡｕ線のボンディングが行われて素子形
状とされるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の構成の発光ダイオード９０においては、拡散防
止膜として採用されたＳｉＮｘ膜９２はＧａＡｓＰ層９
１ｂとの密着性に乏しく、剥離を生じ易いものであると
共に、膜自体の内部応力も高く、合金化工程など４００
〜５００℃の加熱を行う工程時においてクラックを生じ
易いものと成っている。
た従来の構成の発光ダイオード９０においては、拡散防
止膜として採用されたＳｉＮｘ膜９２はＧａＡｓＰ層９
１ｂとの密着性に乏しく、剥離を生じ易いものであると
共に、膜自体の内部応力も高く、合金化工程など４００
〜５００℃の加熱を行う工程時においてクラックを生じ
易いものと成っている。
【０００６】このことは、前記したＺｎの熱拡散による
Ｐ層９４の形成時の拡散時に剥離した部分からＺｎの回
込みを生じたり、あるいは、クラックからＺｎの浸入を
生じてＰ―Ｎ接合９４ａの均一性が失われ、発光効率が
低下するなど性能上の問題点を生じるものとなってい
る。
Ｐ層９４の形成時の拡散時に剥離した部分からＺｎの回
込みを生じたり、あるいは、クラックからＺｎの浸入を
生じてＰ―Ｎ接合９４ａの均一性が失われ、発光効率が
低下するなど性能上の問題点を生じるものとなってい
る。
【０００７】また、前記ＳｉＮｘ膜９２は図６に示すよ
うに、前記Ｐ電極９５が形成されたときには、このＰ電
極９５のＧａＡｓＰ層９１ｂに対する絶縁も行うもので
あるので、前記ＳｉＮｘ膜９２に剥がれ、クラックを生
じているときには、Ｐ電極９５とＧａＡｓＰ層９１ｂ間
が接触するものとなり、Ｐ―Ｎ接合９４ａ間に短絡ある
いはリークを生じるものとなる。
うに、前記Ｐ電極９５が形成されたときには、このＰ電
極９５のＧａＡｓＰ層９１ｂに対する絶縁も行うもので
あるので、前記ＳｉＮｘ膜９２に剥がれ、クラックを生
じているときには、Ｐ電極９５とＧａＡｓＰ層９１ｂ間
が接触するものとなり、Ｐ―Ｎ接合９４ａ間に短絡ある
いはリークを生じるものとなる。
【０００８】従って、Ｐ―Ｎ接合９４ａに短絡を生じた
ときには発光ダイオード９０は点灯不能の完全不良とな
り歩留り低下など生産上の問題点を生じ、リークを生じ
たときにはＰ―Ｎ接合９４ａと並列に抵抗回路が接続さ
れた状態となり電流値が増して結果的に発光効率が低下
する性能上の問題点を生じ、これらの点の解決が課題と
されるものとなっている。
ときには発光ダイオード９０は点灯不能の完全不良とな
り歩留り低下など生産上の問題点を生じ、リークを生じ
たときにはＰ―Ｎ接合９４ａと並列に抵抗回路が接続さ
れた状態となり電流値が増して結果的に発光効率が低下
する性能上の問題点を生じ、これらの点の解決が課題と
されるものとなっている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的な手段として、ＧａＡｓＰ
層上に拡散防止膜を形成し、この拡散防止膜に開口する
拡散パターンを形成し、該拡散パターンからＺｎを熱拡
散してＰ―Ｎ接合を形成して成る発光ダイオードの製造
方法において、前記拡散防止膜は前記ＧａＡｓＰ層に密
着する第一層としてＳｉＯ2 膜を形成し、第二層目とし
て前記ＳｉＯ2 膜上にＳｉＮｘ膜を積層して形成し、こ
の拡散防止膜にフォトリソ法により前記拡散パターンを
形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法を
提供することで課題を解決するものである。
課題を解決するための具体的な手段として、ＧａＡｓＰ
層上に拡散防止膜を形成し、この拡散防止膜に開口する
拡散パターンを形成し、該拡散パターンからＺｎを熱拡
散してＰ―Ｎ接合を形成して成る発光ダイオードの製造
方法において、前記拡散防止膜は前記ＧａＡｓＰ層に密
着する第一層としてＳｉＯ2 膜を形成し、第二層目とし
て前記ＳｉＯ2 膜上にＳｉＮｘ膜を積層して形成し、こ
の拡散防止膜にフォトリソ法により前記拡散パターンを
形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法を
提供することで課題を解決するものである。
【００１０】
【実施例】つぎに、本発明を図に示す一実施例に基づい
て詳細に説明する。以下に、本発明による発光ダイオー
ド１の製造方法を工程の順に説明すれば、先ず、図１に
示すようにＧａＡｓ基板２ａ上にＧａＡｓＰ層２ｂをエ
ピタキシャル成長させたウエハ２上にプラズマＣＶＤ
法、スパッタ法などの成膜法によりＳｉＯ2 膜３ａを２
００〜５００Åの膜厚で第一層として形成する。
て詳細に説明する。以下に、本発明による発光ダイオー
ド１の製造方法を工程の順に説明すれば、先ず、図１に
示すようにＧａＡｓ基板２ａ上にＧａＡｓＰ層２ｂをエ
ピタキシャル成長させたウエハ２上にプラズマＣＶＤ
法、スパッタ法などの成膜法によりＳｉＯ2 膜３ａを２
００〜５００Åの膜厚で第一層として形成する。
【００１１】尚、このときに形成されるＳｉＯ2 膜３ａ
は緻密で、後に行う拡散工程でＺｎを透過させない膜質
とすることが必要であるが、例えばマグネトロンスパッ
タ法によるＳｉＯ2 膜３ａは屈折率１．４６程度と上記
の目的に対して充分に緻密であることが、この発明を成
すための発明者による実験の結果により確認されてい
る。
は緻密で、後に行う拡散工程でＺｎを透過させない膜質
とすることが必要であるが、例えばマグネトロンスパッ
タ法によるＳｉＯ2 膜３ａは屈折率１．４６程度と上記
の目的に対して充分に緻密であることが、この発明を成
すための発明者による実験の結果により確認されてい
る。
【００１２】続いて、本発明では、図２に示すように前
記ＳｉＯ2 膜３ａの上面に密接する状態にプラズマＣＶ
Ｄ法などの成膜法によりＳｉＮｘ膜３ｂを５００〜１０
００Åの膜厚で第二層として形成するものであり、よっ
て、本発明では前記ＳｉＯ2膜３ａとＳｉＮｘ膜３ｂと
の二層で拡散防止膜３とすものである。
記ＳｉＯ2 膜３ａの上面に密接する状態にプラズマＣＶ
Ｄ法などの成膜法によりＳｉＮｘ膜３ｂを５００〜１０
００Åの膜厚で第二層として形成するものであり、よっ
て、本発明では前記ＳｉＯ2膜３ａとＳｉＮｘ膜３ｂと
の二層で拡散防止膜３とすものである。
【００１３】続けて、上記拡散防止膜３には図３に示す
ようにフォトリソ法により拡散パターン４が開口され
る。ここで、前記拡散防止膜３は上記にも説明したよう
にＳｉＯ2 膜３ａの上面に重ねてＳｉＮｘ膜３ｂを成膜
したものであるので、前記拡散パターン４を形成したと
きにはその開口面に上記の二層の構成が断面として表れ
るものとなっている。
ようにフォトリソ法により拡散パターン４が開口され
る。ここで、前記拡散防止膜３は上記にも説明したよう
にＳｉＯ2 膜３ａの上面に重ねてＳｉＮｘ膜３ｂを成膜
したものであるので、前記拡散パターン４を形成したと
きにはその開口面に上記の二層の構成が断面として表れ
るものとなっている。
【００１４】そして、前記拡散パターン４からはＺｎの
熱拡散が行われてＰ層５が形成され、前記ＧａＡｓＰ層
２ｂとの間にＰ―Ｎ接合５ａが形成された後に、Ａｌに
よりＰ電極６が形成され、ウエハ２の背面側にはＡｕに
よりＮ電極７が形成され、個別に切断が行われて図４に
示すように本発明の発光ダイオード１は完成する。
熱拡散が行われてＰ層５が形成され、前記ＧａＡｓＰ層
２ｂとの間にＰ―Ｎ接合５ａが形成された後に、Ａｌに
よりＰ電極６が形成され、ウエハ２の背面側にはＡｕに
よりＮ電極７が形成され、個別に切断が行われて図４に
示すように本発明の発光ダイオード１は完成する。
【００１５】次いで、上記の構成とした本発明の発光ダ
イオード１の作用および効果について説明を行う。先
ず、本発明で拡散防止膜３を形成しているＳｉＯ2 膜３
ａとＳｉＮｘ膜３ｂとの一般的な性質について説明を行
えば、一方の前記ＳｉＯ2 膜３ａは、ＧａＡｓＰ層２ｂ
に対する密着性と、周囲の熱変化などに対する耐クラッ
ク性とでは優れるが、Ｚｎの熱拡散を行うときの拡散防
止性ではやや劣る傾向にある。
イオード１の作用および効果について説明を行う。先
ず、本発明で拡散防止膜３を形成しているＳｉＯ2 膜３
ａとＳｉＮｘ膜３ｂとの一般的な性質について説明を行
えば、一方の前記ＳｉＯ2 膜３ａは、ＧａＡｓＰ層２ｂ
に対する密着性と、周囲の熱変化などに対する耐クラッ
ク性とでは優れるが、Ｚｎの熱拡散を行うときの拡散防
止性ではやや劣る傾向にある。
【００１６】他方の前記ＳｉＮｘ膜３ｂは、膜面が緻密
であり拡散防止性では優れるが、その反面、ＧａＡｓＰ
層２ｂに対する密着性はかなり劣り往々に剥離を生じる
ものとなると共に、例えば工程中の加熱などの温度変化
によりクラックも生じ易い傾向にある。
であり拡散防止性では優れるが、その反面、ＧａＡｓＰ
層２ｂに対する密着性はかなり劣り往々に剥離を生じる
ものとなると共に、例えば工程中の加熱などの温度変化
によりクラックも生じ易い傾向にある。
【００１７】そこで、本発明のようにＧａＡｓＰ層２ｂ
に密接してＳｉＯ2 膜３ａを第一層として設けること
で、前記ＧａＡｓＰ層２ｂに対する密着性を高め剥離の
発生を防止する。また、前記ＳｉＯ2 膜３ａはＳｉＮｘ
膜３ｂに対する密着性も優れているので、後の工程でこ
のＳｉＯ2 膜３ａを覆い成膜されるＳｉＮｘ膜３ｂに対
しても剥離は生じないものとなる。
に密接してＳｉＯ2 膜３ａを第一層として設けること
で、前記ＧａＡｓＰ層２ｂに対する密着性を高め剥離の
発生を防止する。また、前記ＳｉＯ2 膜３ａはＳｉＮｘ
膜３ｂに対する密着性も優れているので、後の工程でこ
のＳｉＯ2 膜３ａを覆い成膜されるＳｉＮｘ膜３ｂに対
しても剥離は生じないものとなる。
【００１８】また、Ｚｎの熱拡散を行うときには拡散防
止の作用において、前記ＳｉＯ2 膜３ａとＳｉＮｘ膜３
ｂとは相互に補完する作用を行うものであり、仮に前記
ＳｉＯ2 膜３ａにピンホールなどを生じていても、その
ＳｉＯ2 膜３ａを覆い設けられた、より緻密性に優れる
ＳｉＮｘ膜３ｂで前記したピンホールなどを閉塞し、正
常でない状態、即ち、拡散パターン４と異なる形状での
拡散が行われるのを防止する。
止の作用において、前記ＳｉＯ2 膜３ａとＳｉＮｘ膜３
ｂとは相互に補完する作用を行うものであり、仮に前記
ＳｉＯ2 膜３ａにピンホールなどを生じていても、その
ＳｉＯ2 膜３ａを覆い設けられた、より緻密性に優れる
ＳｉＮｘ膜３ｂで前記したピンホールなどを閉塞し、正
常でない状態、即ち、拡散パターン４と異なる形状での
拡散が行われるのを防止する。
【００１９】一方、合金化工程などの熱工程で前記Ｓｉ
Ｎｘ膜３ｂにクラックを生じた場合にも、そのＳｉＮｘ
膜３ｂの下に設けられ、耐クラック性に優れるＳｉＯ2
膜３ａによりクラックの進行は阻止されてＧａＡｓＰ層
２ｂまでクラックが達することがなく、従って、この場
合にも正常でない状態での拡散を防止する。
Ｎｘ膜３ｂにクラックを生じた場合にも、そのＳｉＮｘ
膜３ｂの下に設けられ、耐クラック性に優れるＳｉＯ2
膜３ａによりクラックの進行は阻止されてＧａＡｓＰ層
２ｂまでクラックが達することがなく、従って、この場
合にも正常でない状態での拡散を防止する。
【００２０】但し、前記ＳｉＯ2 膜３ａに生じるピンホ
ールと、ＳｉＮｘ膜３ｂに生じるクラックとが同位置と
成る場合には、前記した正常でない状態での拡散は防ぐ
ことはできないが、このように両者の欠陥が一致するこ
とは確率的に極めて低く、その発生の可能性は無視でき
るものであり、ＳｉＮｘ膜３ｂの単層の場合よりも著し
く高い確率で正常な拡散が行われるものとする。
ールと、ＳｉＮｘ膜３ｂに生じるクラックとが同位置と
成る場合には、前記した正常でない状態での拡散は防ぐ
ことはできないが、このように両者の欠陥が一致するこ
とは確率的に極めて低く、その発生の可能性は無視でき
るものであり、ＳｉＮｘ膜３ｂの単層の場合よりも著し
く高い確率で正常な拡散が行われるものとする。
【００２１】更に、前記拡散防止膜３が二層で形成され
ることは、Ｚｎの拡散が行われた後に設けられるＰ電極
６に対しても有効となるものであり、前記Ｐ層５の面上
と拡散防止膜３上とに渡り設けられているＰ電極６が、
拡散防止膜３に生じているピンホール、クラックなどに
よりＧａＡｓＰ層２ｂに接触するときには、Ｐ―Ｎ接合
５ａ間に短絡あるいはリークを生じるものとなる。
ることは、Ｚｎの拡散が行われた後に設けられるＰ電極
６に対しても有効となるものであり、前記Ｐ層５の面上
と拡散防止膜３上とに渡り設けられているＰ電極６が、
拡散防止膜３に生じているピンホール、クラックなどに
よりＧａＡｓＰ層２ｂに接触するときには、Ｐ―Ｎ接合
５ａ間に短絡あるいはリークを生じるものとなる。
【００２２】ここで、上記のように拡散防止膜３がＳｉ
Ｏ2 膜３ａとＳｉＮｘ膜３ｂとの二層で形成され、一方
の膜に生じるピンホールおよびクラックを他方の膜で補
完して拡散防止膜３全体に貫通を生じないものとしたこ
とで、前記した短絡、リークの発生をほぼ完全に防止す
るものとなる。
Ｏ2 膜３ａとＳｉＮｘ膜３ｂとの二層で形成され、一方
の膜に生じるピンホールおよびクラックを他方の膜で補
完して拡散防止膜３全体に貫通を生じないものとしたこ
とで、前記した短絡、リークの発生をほぼ完全に防止す
るものとなる。
【００２３】前記した短絡の発生の防止は発光ダイオー
ド１の生産工程における歩留りの向上に有効となり、リ
ークの発生の防止は従来の一層の拡散防止膜では多かれ
少なかれ生じていたクラックに起因するリークによる発
光効率の低下を防止し、発光ダイオード１の性能向上に
有効となるものである。
ド１の生産工程における歩留りの向上に有効となり、リ
ークの発生の防止は従来の一層の拡散防止膜では多かれ
少なかれ生じていたクラックに起因するリークによる発
光効率の低下を防止し、発光ダイオード１の性能向上に
有効となるものである。
【００２４】尚、本発明を成すための発明者による試
作、実験の結果では、拡散防止膜３をＳｉＯ2 膜３ａと
ＳｉＮｘ膜３ｂとの二層とすることで、拡散防止膜３全
体の耐衝撃性も向上するものとなり、例えば、前記Ｐ電
極６にＡｕ線をボンディングするときの衝撃で前記拡散
防止膜３が破壊されるなどの事故も減少することが確認
された。
作、実験の結果では、拡散防止膜３をＳｉＯ2 膜３ａと
ＳｉＮｘ膜３ｂとの二層とすることで、拡散防止膜３全
体の耐衝撃性も向上するものとなり、例えば、前記Ｐ電
極６にＡｕ線をボンディングするときの衝撃で前記拡散
防止膜３が破壊されるなどの事故も減少することが確認
された。
【００２５】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、密
着性と耐クラック性には優れるが拡散防止性能にはやや
劣るＳｉＯ2 膜を第一層とし、拡散防止性能に優れるが
密着性と耐クラック性に劣るＳｉＮｘ膜を第二層とする
拡散防止層とすることで、両膜が密着性、耐クラック
性、拡散防止性においても相互に補完するものとして、
それらの全てについて向上させるものとし、拡散時には
正確な拡散が行えるものとし、また、Ｐ電極の形成時に
はクラックなどによる短絡、リークの発生を防止するも
のとして、歩留りの向上と性能向上とに極めて優れた効
果を奏するものである。
着性と耐クラック性には優れるが拡散防止性能にはやや
劣るＳｉＯ2 膜を第一層とし、拡散防止性能に優れるが
密着性と耐クラック性に劣るＳｉＮｘ膜を第二層とする
拡散防止層とすることで、両膜が密着性、耐クラック
性、拡散防止性においても相互に補完するものとして、
それらの全てについて向上させるものとし、拡散時には
正確な拡散が行えるものとし、また、Ｐ電極の形成時に
はクラックなどによる短絡、リークの発生を防止するも
のとして、歩留りの向上と性能向上とに極めて優れた効
果を奏するものである。
【図１】 本発明に係る発光ダイオードにおける拡散防
止膜形成工程中のＳｉＯ2 膜形成行程を示す説明図であ
る。
止膜形成工程中のＳｉＯ2 膜形成行程を示す説明図であ
る。
【図２】 同じ実施例における拡散防止膜形成工程中の
ＳｉＮｘ膜形成行程を示す説明図である。
ＳｉＮｘ膜形成行程を示す説明図である。
【図３】 同じ実施例における拡散パターン形成行程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】 本発明に係る発光ダイオードの一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】 従来例を示す断面図である。
【図６】 この種の発光ダイオードにおけるＰ電極の敷
設の状態を示す説明図である。
設の状態を示す説明図である。
１……発光ダイオード ２……ウエハ ２ａ……ＧａＡｓ基板 ２ｂ……ＧａＡｓＰ層 ３……拡散防止膜 ３ａ……ＳｉＯ2 膜 ３ｂ……ＳｉＮｘ膜 ４……拡散パターン ５……Ｐ層 ６……Ｐ電極 ７……Ｎ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓＰ層上に拡散防止膜を形成し、
この拡散防止膜に開口する拡散パターンを形成し、該拡
散パターンからＺｎを熱拡散してＰ―Ｎ接合を形成して
成る発光ダイオードの製造方法において、前記拡散防止
膜は前記ＧａＡｓＰ層に密着する第一層としてＳｉＯ2
膜を形成し、第二層目として前記ＳｉＯ2 膜上にＳｉＮ
ｘ膜を積層して形成し、この拡散防止膜にフォトリソ法
により前記拡散パターンを形成することを特徴とする発
光ダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 ＧａＡｓＰ層上に拡散防止膜が形成さ
れ、該拡散防止膜に開口された拡散パターンからりＺｎ
が熱拡散されてＰ―Ｎ接合が形成されて成る発光ダイオ
ード発光ダイオードにおいて、前記拡散防止膜は前記Ｇ
ａＡｓＰ層に密着するＳｉＯ2 膜の第一層と、前記Ｓｉ
Ｏ2 膜上に密着するＳｉＮｘ膜の第二層とが積層されて
成ることを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17299295A JPH098348A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17299295A JPH098348A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098348A true JPH098348A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15952181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17299295A Pending JPH098348A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060061A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
| JP2016171141A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 旭化成株式会社 | 窒化物発光素子および窒化物発光素子の製造方法 |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP17299295A patent/JPH098348A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060061A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
| JP2016171141A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | 旭化成株式会社 | 窒化物発光素子および窒化物発光素子の製造方法 |
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