JPH0945591A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH0945591A JPH0945591A JP7193545A JP19354595A JPH0945591A JP H0945591 A JPH0945591 A JP H0945591A JP 7193545 A JP7193545 A JP 7193545A JP 19354595 A JP19354595 A JP 19354595A JP H0945591 A JPH0945591 A JP H0945591A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】導電性高分子を半導体層とする固体電解コンデ
ンサにおいて、導電性高分子の高温中での酸化反応に起
因する抵抗率の増大とそれに伴なうコンデンサのESR
増大を防止する。 【解決手段】導電性高分子としてのポリピロール層2が
陰極導体層としてのグラファイト層3から露出する部分
13とその周辺部分を少くとも覆うように、絶縁性樹脂
からなる酸素遮断層5を設ける。酸素遮断層5に絶縁性
フィラーを含ませて、酸素の侵入経路を長距離化する。
酸素遮断層5を、導電性高分子層2の露出部分13の周
辺部分から陽極リード線1に亘って形成すると共に、陽
極リード線1と酸素遮断層5との間に、シランカップリ
ング剤などのようなカップリング剤の層を形成すると、
樹脂製酸素遮断層5と金属製陽極リード線1との間の密
着性を高めることができるので、酸素侵入阻止能力を更
に高めることができる。
ンサにおいて、導電性高分子の高温中での酸化反応に起
因する抵抗率の増大とそれに伴なうコンデンサのESR
増大を防止する。 【解決手段】導電性高分子としてのポリピロール層2が
陰極導体層としてのグラファイト層3から露出する部分
13とその周辺部分を少くとも覆うように、絶縁性樹脂
からなる酸素遮断層5を設ける。酸素遮断層5に絶縁性
フィラーを含ませて、酸素の侵入経路を長距離化する。
酸素遮断層5を、導電性高分子層2の露出部分13の周
辺部分から陽極リード線1に亘って形成すると共に、陽
極リード線1と酸素遮断層5との間に、シランカップリ
ング剤などのようなカップリング剤の層を形成すると、
樹脂製酸素遮断層5と金属製陽極リード線1との間の密
着性を高めることができるので、酸素侵入阻止能力を更
に高めることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性高分子の層
を半導体層とする固体電解コンデンサに関し、特に、導
電性高分子の高温中での酸化に起因する等価直列抵抗の
増大を防止する技術に関わるものである。
を半導体層とする固体電解コンデンサに関し、特に、導
電性高分子の高温中での酸化に起因する等価直列抵抗の
増大を防止する技術に関わるものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子回路の高周波化に対応して、
例えば特公平4ー56445号公報に開示されているよ
うな、導電性高分子層を半導体層とした固体電解コンデ
ンサが開発されている。この種のコンデンサは、表面を
粗面化したタンタルやアルミニウムなどの弁作用を化成
して得た酸化皮膜上に導電性高分子層を形成し、その上
に陰極導体層としてのグラファイト層,Agペースト層
を順次形成し、更にその陰極導体層に外部陰極端子を接
続し、一方、弁作用金属に植立しておいた陽極リード線
には外部陽極端子を溶接した後、外装を施したものであ
る。こうして得られた固体電解コンデンサは、導電率が
10S/cmと従来の二酸化マンガンに比べて100倍
程度高い導電性高分子層を半導体層として用いているの
で、高周波領域でのインピーダンスが低く、電子回路の
高周波化に対応可能である。上述の導電性高分子として
は、これまで、ポリピロール,ポリチオフェン,ポリア
ニリンなどが提案されている。
例えば特公平4ー56445号公報に開示されているよ
うな、導電性高分子層を半導体層とした固体電解コンデ
ンサが開発されている。この種のコンデンサは、表面を
粗面化したタンタルやアルミニウムなどの弁作用を化成
して得た酸化皮膜上に導電性高分子層を形成し、その上
に陰極導体層としてのグラファイト層,Agペースト層
を順次形成し、更にその陰極導体層に外部陰極端子を接
続し、一方、弁作用金属に植立しておいた陽極リード線
には外部陽極端子を溶接した後、外装を施したものであ
る。こうして得られた固体電解コンデンサは、導電率が
10S/cmと従来の二酸化マンガンに比べて100倍
程度高い導電性高分子層を半導体層として用いているの
で、高周波領域でのインピーダンスが低く、電子回路の
高周波化に対応可能である。上述の導電性高分子として
は、これまで、ポリピロール,ポリチオフェン,ポリア
ニリンなどが提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、導電
性高分子層を半導体層として用いた固体電解コンデンサ
は優れた高周波特性を備えている。しかしながら、導電
性高分子は高温の環境下に置かれた場合、微量の水分お
よび酸素により酸化反応が進行し、その抵抗が増大する
ことが知られている。その結果、コンデンサとしては、
等価直列抵抗(ESR;Equivalent Ser
ies Resistance)が増加してしまうこと
になる。
性高分子層を半導体層として用いた固体電解コンデンサ
は優れた高周波特性を備えている。しかしながら、導電
性高分子は高温の環境下に置かれた場合、微量の水分お
よび酸素により酸化反応が進行し、その抵抗が増大する
ことが知られている。その結果、コンデンサとしては、
等価直列抵抗(ESR;Equivalent Ser
ies Resistance)が増加してしまうこと
になる。
【0004】従って本発明は、導電性高分子層を半導体
層として用いる固体電解コンデンサにおいて、特に高温
環境化における導電性高分子の酸化に起因するESRの
増大が無く、高周波特性の劣化のない固体電解コンデン
サを提供することを目的とするものである。
層として用いる固体電解コンデンサにおいて、特に高温
環境化における導電性高分子の酸化に起因するESRの
増大が無く、高周波特性の劣化のない固体電解コンデン
サを提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサは、導電性高分子層を半導体層とする固体電解コン
デンサであって、柱体でその柱体の軸に垂直な一端面に
陽極リード線が植立された弁作用金属の表面にその弁作
用金属の酸化皮膜層と、前記導電性高分子層と、陰極導
体層とを順次形成してなるコンデンサ素子と、そのコン
デンサ素子を覆う絶縁性樹脂体とを含む固体電解コンデ
ンサにおいて、絶縁性フィラーを含有する絶縁性樹脂か
らなる酸素遮断用の樹脂層を、前記コンデンサ素子表面
の、前記導電性高分子層が前記陰極導体層から露出する
部分とその露出部分の周辺部分とを少くとも覆うよう
に、設けたことを特徴とする。
ンサは、導電性高分子層を半導体層とする固体電解コン
デンサであって、柱体でその柱体の軸に垂直な一端面に
陽極リード線が植立された弁作用金属の表面にその弁作
用金属の酸化皮膜層と、前記導電性高分子層と、陰極導
体層とを順次形成してなるコンデンサ素子と、そのコン
デンサ素子を覆う絶縁性樹脂体とを含む固体電解コンデ
ンサにおいて、絶縁性フィラーを含有する絶縁性樹脂か
らなる酸素遮断用の樹脂層を、前記コンデンサ素子表面
の、前記導電性高分子層が前記陰極導体層から露出する
部分とその露出部分の周辺部分とを少くとも覆うよう
に、設けたことを特徴とする。
【0006】本発明の固体電解コンデンサは、又、上記
の固体電解コンデンサにおいて、前記酸素遮断用の樹脂
層が、前記導電性高分子層の露出部分の周辺部分から前
記陽極リード線に亘って形成されていると共に、陽極リ
ード線の部分にあっては、陽極リード線とこれを覆う酸
素遮断用樹脂層との間に、シランカップリング剤やチタ
ンカップリング剤などのようなカップリング剤の層が形
成されていることを特徴とする。
の固体電解コンデンサにおいて、前記酸素遮断用の樹脂
層が、前記導電性高分子層の露出部分の周辺部分から前
記陽極リード線に亘って形成されていると共に、陽極リ
ード線の部分にあっては、陽極リード線とこれを覆う酸
素遮断用樹脂層との間に、シランカップリング剤やチタ
ンカップリング剤などのようなカップリング剤の層が形
成されていることを特徴とする。
【0007】上記の固体電解コンデンサにおいて、前記
酸素遮断用の樹脂層に含まれる絶縁性フィラーは、その
樹脂層に占める含有率が体積含有率で50%以上である
と共に、粒径が5μm以下であるようにすると、特に効
果が顕著である。
酸素遮断用の樹脂層に含まれる絶縁性フィラーは、その
樹脂層に占める含有率が体積含有率で50%以上である
と共に、粒径が5μm以下であるようにすると、特に効
果が顕著である。
【0008】本発明者等は、導電性高分子層を半導体層
に用いた固体電解コンデンサにおいて従来課題となって
いた点を解決するために検討を加え、次のような実験を
実施した結果、導電性高分子層への酸素侵入経路の特定
と、その酸素侵入を阻止する方法とを見出した。
に用いた固体電解コンデンサにおいて従来課題となって
いた点を解決するために検討を加え、次のような実験を
実施した結果、導電性高分子層への酸素侵入経路の特定
と、その酸素侵入を阻止する方法とを見出した。
【0009】すなわち、図3に示す構造の、導電性高分
子層を半導体層2とするチップ型固体電解コンデンサを
作製した。この図に示すコンデンサは、従来実用に供さ
れている一般的な構造のコンデンサの一例である。この
コンデンサの外装樹脂層8に対し、図4に示し以下に記
す3つの部位に、酸素遮断層としてのエポキシ樹脂層5
をコーティングした。そして、それぞれのコンデンサを
105℃の恒温槽中に入れ、ESRの経時変化を測定し
た。 外部陽極端子9の外装樹脂層8からの導出部(図4
(a))。 外部陰極端子10の外装樹脂層8からの導出部(図4
(b))。 外部陽極端子9の外装樹脂8層からの導出部と、外部
陰極端子10の外装樹脂層8からの導出部の両方の部位
を含む部分(図4(c))。
子層を半導体層2とするチップ型固体電解コンデンサを
作製した。この図に示すコンデンサは、従来実用に供さ
れている一般的な構造のコンデンサの一例である。この
コンデンサの外装樹脂層8に対し、図4に示し以下に記
す3つの部位に、酸素遮断層としてのエポキシ樹脂層5
をコーティングした。そして、それぞれのコンデンサを
105℃の恒温槽中に入れ、ESRの経時変化を測定し
た。 外部陽極端子9の外装樹脂層8からの導出部(図4
(a))。 外部陰極端子10の外装樹脂層8からの導出部(図4
(b))。 外部陽極端子9の外装樹脂8層からの導出部と、外部
陰極端子10の外装樹脂層8からの導出部の両方の部位
を含む部分(図4(c))。
【0010】上記のESRの経時変化の測定結果を表1
に示す。
に示す。
【0011】
【表1】
【0012】表1に示す結果から、導電性高分子層2へ
の酸素侵入の主な経路は、外部陽極端子9の外装樹脂層
8からの導出部であると推測した。
の酸素侵入の主な経路は、外部陽極端子9の外装樹脂層
8からの導出部であると推測した。
【0013】この点を更に明確にするために、図3に示
す構造の固体電解コンデンサで、外部陽極端子9又は外
部陰極端子10に対し、それぞれの端子の外装樹脂層8
の内部にある部分に、図5に示すようなエッチングピッ
ト14を形成した。つまり、 外部陽極端子9にのみエッチングピットを形成した固
体電解コンデンサと、 外部陰極端子10にのみエッチングピットを形成した
固体電解コンデンサと、を作製し105℃の恒温槽中に
入れ、ESRの経時変化を測定した。その測定結果を、
表2に示す。
す構造の固体電解コンデンサで、外部陽極端子9又は外
部陰極端子10に対し、それぞれの端子の外装樹脂層8
の内部にある部分に、図5に示すようなエッチングピッ
ト14を形成した。つまり、 外部陽極端子9にのみエッチングピットを形成した固
体電解コンデンサと、 外部陰極端子10にのみエッチングピットを形成した
固体電解コンデンサと、を作製し105℃の恒温槽中に
入れ、ESRの経時変化を測定した。その測定結果を、
表2に示す。
【0014】
【表2】
【0015】表2に示す結果から、外部陽極端子9にの
みエッチングピットを形成した水準では、外部陰極端子
10にのみエッチングピットを形成した水準に比べて明
かにESRの経時劣化が抑制されている。このことか
ら、外部の酸素は主として外部陽極端子9を伝わって外
装樹脂層8内に侵入し、導電性高分子層2の酸化劣化を
引き起していることが明かになった。
みエッチングピットを形成した水準では、外部陰極端子
10にのみエッチングピットを形成した水準に比べて明
かにESRの経時劣化が抑制されている。このことか
ら、外部の酸素は主として外部陽極端子9を伝わって外
装樹脂層8内に侵入し、導電性高分子層2の酸化劣化を
引き起していることが明かになった。
【0016】つまり、外部の酸素は、外装樹脂層8と金
属である外部陽・陰極端子9,10との界面を伝わって
侵入し、内部のコンデンサ素子まで到達し、陽極リード
線1側の、グラファイト層3,Agペースト層4で被覆
されていない部位の導電性高分子層2を酸化劣化させ、
コンデンサのESRを上昇させているのである。又、酸
素侵入経路の距離を長くすることにより酸化劣化を抑制
できることも、判明した。
属である外部陽・陰極端子9,10との界面を伝わって
侵入し、内部のコンデンサ素子まで到達し、陽極リード
線1側の、グラファイト層3,Agペースト層4で被覆
されていない部位の導電性高分子層2を酸化劣化させ、
コンデンサのESRを上昇させているのである。又、酸
素侵入経路の距離を長くすることにより酸化劣化を抑制
できることも、判明した。
【0017】しかしながら、チップ型固体電解コンデン
サにおいて樹脂外装後に外部陽極端子9の導出部に酸素
遮断用の樹脂層を形成することは、外部陽極端子9の外
装樹脂層8から外部に出ている部分への樹脂付着を招き
易い。甚だしいときは外部陰極10の外装樹脂層8から
出ている部分にも酸素遮断用の樹脂層が付着することが
ある。このような外部端子9,10への樹脂付着は当
然、はんだ実装性能に影響を及ぼすのであるが、表面実
装部品にとってははんだ実装性能の低下は、致命的な問
題である。又、外装樹脂層8の外側に更に樹脂層を形成
するため必然に外形寸法が大きくなり、部品の小型化を
求める市場の要求に沿うものではない。一方、陽・陰の
外部端子9,10にエッチングピットを形成する方法
は、酸素侵入経路の距離を長くしてコンデンサの耐熱性
能を向上させる効果があることは確認されたものの、今
日の電子部品に一般的に要求される105℃,1000
時間程度の耐熱性能を十分満たすまでには至らず、これ
だけではまだ不十分であると言える。
サにおいて樹脂外装後に外部陽極端子9の導出部に酸素
遮断用の樹脂層を形成することは、外部陽極端子9の外
装樹脂層8から外部に出ている部分への樹脂付着を招き
易い。甚だしいときは外部陰極10の外装樹脂層8から
出ている部分にも酸素遮断用の樹脂層が付着することが
ある。このような外部端子9,10への樹脂付着は当
然、はんだ実装性能に影響を及ぼすのであるが、表面実
装部品にとってははんだ実装性能の低下は、致命的な問
題である。又、外装樹脂層8の外側に更に樹脂層を形成
するため必然に外形寸法が大きくなり、部品の小型化を
求める市場の要求に沿うものではない。一方、陽・陰の
外部端子9,10にエッチングピットを形成する方法
は、酸素侵入経路の距離を長くしてコンデンサの耐熱性
能を向上させる効果があることは確認されたものの、今
日の電子部品に一般的に要求される105℃,1000
時間程度の耐熱性能を十分満たすまでには至らず、これ
だけではまだ不十分であると言える。
【0018】以上のことから、導電性高分子層を半導体
層とした固体電解コンデンサの耐熱性能を市場の要求に
十分応えるレベルまで向上させるには、外装を施す前
に、コンデンサ素子の陽極リード線側にあって、陰極導
体層(この場合は、グラファイト層3とAgペースト層
4とからなる)から露出した導電性高分子層を樹脂層で
被覆し、外部から侵入する酸素を遮断すれば良いと考え
た。
層とした固体電解コンデンサの耐熱性能を市場の要求に
十分応えるレベルまで向上させるには、外装を施す前
に、コンデンサ素子の陽極リード線側にあって、陰極導
体層(この場合は、グラファイト層3とAgペースト層
4とからなる)から露出した導電性高分子層を樹脂層で
被覆し、外部から侵入する酸素を遮断すれば良いと考え
た。
【0019】しかもその場合、酸素の侵入経路長を最少
の樹脂量で最長にするには、酸素遮断用樹脂層に到達し
た酸素がその樹脂層内に十分長く留まるようにすればよ
い。すなわち、図6に示すように、樹脂16中にフィラ
ー17を混入させ、酸素がそのフィラー17の表面に沿
って移動するようにするのである。つまり、酸素の侵入
経路15がフィラー17に沿って形成されるようにす
る。このことから、樹脂層5中のフィラー含有率は、高
い方が効果的である。又、フィラー粒径は小さい方が同
じフィラー含有率でも表面積つまり酸素の移動距離を大
きくできるので、酸素侵入阻止効果はより大である。
の樹脂量で最長にするには、酸素遮断用樹脂層に到達し
た酸素がその樹脂層内に十分長く留まるようにすればよ
い。すなわち、図6に示すように、樹脂16中にフィラ
ー17を混入させ、酸素がそのフィラー17の表面に沿
って移動するようにするのである。つまり、酸素の侵入
経路15がフィラー17に沿って形成されるようにす
る。このことから、樹脂層5中のフィラー含有率は、高
い方が効果的である。又、フィラー粒径は小さい方が同
じフィラー含有率でも表面積つまり酸素の移動距離を大
きくできるので、酸素侵入阻止効果はより大である。
【0020】更に、上記の酸素遮断用樹脂層5は、少く
とも導電性高分子が陰極導体層から露出する部分を覆え
ば、十分効果を示すと考えられるが、酸素侵入経路をよ
り長距離化するには、導電性高分子層の露出部13から
陽極リード線1に亘って樹脂層5を形成すると良い。そ
の場合、金属である陽極リード線1と樹脂である酸素遮
断用樹脂層5との間の密着性が良ければ良いほど、酸素
侵入阻止効果は高い。本発明では、両者の間の密着性を
高めるために、シランカップリング剤,チタンカップリ
ング剤などのカップリング剤の層を、樹脂層5と陽極リ
ード線1との間に介在させる。
とも導電性高分子が陰極導体層から露出する部分を覆え
ば、十分効果を示すと考えられるが、酸素侵入経路をよ
り長距離化するには、導電性高分子層の露出部13から
陽極リード線1に亘って樹脂層5を形成すると良い。そ
の場合、金属である陽極リード線1と樹脂である酸素遮
断用樹脂層5との間の密着性が良ければ良いほど、酸素
侵入阻止効果は高い。本発明では、両者の間の密着性を
高めるために、シランカップリング剤,チタンカップリ
ング剤などのカップリング剤の層を、樹脂層5と陽極リ
ード線1との間に介在させる。
【0021】
【発明の実施の形態】次に、本発明の発明の幾つかの実
施の形態について、比較例と比較しながら説明する。
施の形態について、比較例と比較しながら説明する。
【0022】(第1の実施の形態)本実施の形態では、
図1に示す構造のタンタル固体電解コンデンサ素子を作
製し、酸素遮断用樹脂層5に含まれるフィラー17の含
有率と、耐熱性能との関係を調査した。先ず、直径3m
m、長さ4mmのタンタル焼結体6を0.01wt%の
リン酸水溶液中で35Vで陽極酸化し、酸化タンタル皮
膜11(図3参照)を形成した。次いで、ピロール50
wt%のエタノール溶液および硝酸第二鉄Fe(N
O3 )3 30wt%水溶液に順次浸漬し、上記の酸化タ
ンタル皮膜11上に導電性高分子であるポリピロール層
を形成した。この浸漬操作を4回繰り返し、タンタル焼
結体表面に半導体層としての導電性ポリピロール層2を
形成した。次に、陰極導体層として、グラファイト層
3,銀ペースト層4を順次形成し、タンタル固体電解コ
ンデンサ素子7を得た。
図1に示す構造のタンタル固体電解コンデンサ素子を作
製し、酸素遮断用樹脂層5に含まれるフィラー17の含
有率と、耐熱性能との関係を調査した。先ず、直径3m
m、長さ4mmのタンタル焼結体6を0.01wt%の
リン酸水溶液中で35Vで陽極酸化し、酸化タンタル皮
膜11(図3参照)を形成した。次いで、ピロール50
wt%のエタノール溶液および硝酸第二鉄Fe(N
O3 )3 30wt%水溶液に順次浸漬し、上記の酸化タ
ンタル皮膜11上に導電性高分子であるポリピロール層
を形成した。この浸漬操作を4回繰り返し、タンタル焼
結体表面に半導体層としての導電性ポリピロール層2を
形成した。次に、陰極導体層として、グラファイト層
3,銀ペースト層4を順次形成し、タンタル固体電解コ
ンデンサ素子7を得た。
【0023】こうして得られたコンデンサ素子7に対
し、ポリピロール層2がグラファイト層3から露出して
いる部分13を被覆するように、酸素遮断層としてのエ
ポキシ樹脂層5をシリンジで定量塗布し、温度150℃
で60分間硬化させた。尚、この硬化は、硬化温度での
ポリピロールの酸化劣化を防止するために、窒素雰囲気
中で行った。この酸素遮断用エポキシ樹脂層5にはフィ
ラー17として、シリカを混入させてある。本実施の形
態ではそのフィラー含有率を10,30,50,70v
ol%の4水準とし、それぞれの水準毎に試料を10個
ずつ作製した。
し、ポリピロール層2がグラファイト層3から露出して
いる部分13を被覆するように、酸素遮断層としてのエ
ポキシ樹脂層5をシリンジで定量塗布し、温度150℃
で60分間硬化させた。尚、この硬化は、硬化温度での
ポリピロールの酸化劣化を防止するために、窒素雰囲気
中で行った。この酸素遮断用エポキシ樹脂層5にはフィ
ラー17として、シリカを混入させてある。本実施の形
態ではそのフィラー含有率を10,30,50,70v
ol%の4水準とし、それぞれの水準毎に試料を10個
ずつ作製した。
【0024】次に、これら試料を105℃の恒温槽中に
放置し、100kHzでのESRの経時変化を測定し
た。その測定結果を、表3に示す。
放置し、100kHzでのESRの経時変化を測定し
た。その測定結果を、表3に示す。
【0025】(比較例1)この比較例は、酸素遮断用エ
ポキシ樹脂層5を形成していないこと以外は、第1の実
施の形態によるタンタル固体電解コンデンサ素子と同じ
コンデンサ素子である。比較例1ではこのコンデンサ素
子を評価用試料として、ESRの経時変化を測定した。
その測定結果を、表3に示す。
ポキシ樹脂層5を形成していないこと以外は、第1の実
施の形態によるタンタル固体電解コンデンサ素子と同じ
コンデンサ素子である。比較例1ではこのコンデンサ素
子を評価用試料として、ESRの経時変化を測定した。
その測定結果を、表3に示す。
【0026】
【表3】
【0027】表3を参照すると、第1の実施の形態によ
る試料の方が比較例の試料に比べて、明かにESRの経
時変化が小さいことが分る。又、第1の実施の形態にお
ける測定結果から、フィラー17の含有率は、50vo
l%以上であることが望ましいと言える。
る試料の方が比較例の試料に比べて、明かにESRの経
時変化が小さいことが分る。又、第1の実施の形態にお
ける測定結果から、フィラー17の含有率は、50vo
l%以上であることが望ましいと言える。
【0028】第1の実施の形態におけるフィラー含有率
と耐熱性能との間の相関関係は、次のように説明され
る。一般に酸素のエポキシ樹脂層5への侵入は、図6に
示すように、フィラー17と樹脂16との界面を酸素侵
入経路15として生じる。そのため、樹脂16中のフィ
ラー17の量を多くした試料の方が、エポキシ樹脂層5
の単位体積当りの酸素侵入経路15の距離が長くなり、
高い酸素侵入阻止能力を示すものと考えられる。
と耐熱性能との間の相関関係は、次のように説明され
る。一般に酸素のエポキシ樹脂層5への侵入は、図6に
示すように、フィラー17と樹脂16との界面を酸素侵
入経路15として生じる。そのため、樹脂16中のフィ
ラー17の量を多くした試料の方が、エポキシ樹脂層5
の単位体積当りの酸素侵入経路15の距離が長くなり、
高い酸素侵入阻止能力を示すものと考えられる。
【0029】(第2の実施の形態)本実施の形態では、
酸素遮断用樹脂層5に含まれるフィラー17の粒径と耐
熱性能との関係を調査した。第1の実施の形態によるコ
ンデンサ素子と同じ構造のタンタルコンデンサ素子を作
製し、第1の実施の形態におけると同一の部位すなわち
ポリピロール層2がグラファイト層3から露出する部分
13に、シリカ含有のエポキシ樹脂をシリンジで定量塗
布し、窒素雰囲気中で150℃,30分間硬化させて、
酸素遮断用エポキシ樹脂層5を形成した。エポキシ樹脂
層5に含まれるフィラー(シリカ)17は含有率を50
vol%とし、フィラー粒径を、1.0,5.0,8.
0,10.0μmの4水準とした。本実施の形態では、
それぞれの水準毎に試料を10個ずつ作製し、第1の実
施の形態におけると同様に、105℃の恒温槽中でES
Rの経時変化を調査した。その結果を、表4に示す。
酸素遮断用樹脂層5に含まれるフィラー17の粒径と耐
熱性能との関係を調査した。第1の実施の形態によるコ
ンデンサ素子と同じ構造のタンタルコンデンサ素子を作
製し、第1の実施の形態におけると同一の部位すなわち
ポリピロール層2がグラファイト層3から露出する部分
13に、シリカ含有のエポキシ樹脂をシリンジで定量塗
布し、窒素雰囲気中で150℃,30分間硬化させて、
酸素遮断用エポキシ樹脂層5を形成した。エポキシ樹脂
層5に含まれるフィラー(シリカ)17は含有率を50
vol%とし、フィラー粒径を、1.0,5.0,8.
0,10.0μmの4水準とした。本実施の形態では、
それぞれの水準毎に試料を10個ずつ作製し、第1の実
施の形態におけると同様に、105℃の恒温槽中でES
Rの経時変化を調査した。その結果を、表4に示す。
【0030】
【表4】
【0031】表4を参照すると、フィラー粒径は5.0
μm以下であることが望ましいと言える。このフィラー
粒径と酸素侵入阻止能力との相関関係も、第1の実施の
形態におけると同じメカニズムによって説明される。す
なわち、フィラー粒径が小さい方が、酸素遮断層5の単
位体積中における酸素侵入経路長が長くなり、その結
果、酸素侵入阻止能力が向上したものと考えられる。
μm以下であることが望ましいと言える。このフィラー
粒径と酸素侵入阻止能力との相関関係も、第1の実施の
形態におけると同じメカニズムによって説明される。す
なわち、フィラー粒径が小さい方が、酸素遮断層5の単
位体積中における酸素侵入経路長が長くなり、その結
果、酸素侵入阻止能力が向上したものと考えられる。
【0032】(第3の実施の形態)本実施の形態では、
酸素遮断用樹脂層5の塗布部位と耐熱性能との関係を調
査した。第1の実施の形態におけると同じ構造のコンデ
ンサ素子を用い、酸素遮断層用樹脂層5の塗布部位が異
る3水準の試料を作製した。すなわち、各水準の塗布部
位は下記のとおりである。 第1の実施の形態におけると同様な、ポリピロール層
2の、陽極リード線1側にあってグラファイト層3から
の露出部分13(図1参照)。 コンデンサ素子全体(図2(a))。 コンデンサ素子の陰極導体層側(図2(b))。
酸素遮断用樹脂層5の塗布部位と耐熱性能との関係を調
査した。第1の実施の形態におけると同じ構造のコンデ
ンサ素子を用い、酸素遮断層用樹脂層5の塗布部位が異
る3水準の試料を作製した。すなわち、各水準の塗布部
位は下記のとおりである。 第1の実施の形態におけると同様な、ポリピロール層
2の、陽極リード線1側にあってグラファイト層3から
の露出部分13(図1参照)。 コンデンサ素子全体(図2(a))。 コンデンサ素子の陰極導体層側(図2(b))。
【0033】酸素遮断用樹脂層5には、シリカ含有のエ
ポキシ樹脂を用いた。シリカの含有率および粒径は全
て、50vol%,1.0μmである。エポキシ樹脂層
5形成後、第1の実施の形態におけると同様に、105
℃の恒温槽中でESRの経時変化を測定した。その測定
結果を、表5に示す。
ポキシ樹脂を用いた。シリカの含有率および粒径は全
て、50vol%,1.0μmである。エポキシ樹脂層
5形成後、第1の実施の形態におけると同様に、105
℃の恒温槽中でESRの経時変化を測定した。その測定
結果を、表5に示す。
【0034】
【表5】
【0035】表5を参照すると、酸素遮断用エポキシ樹
脂層5を形成する部位としては、少くとも陽極リード線
1側の部位が必要で、コンデンサ素子の陰極導体層を被
覆することは効果が小さいことが分る。
脂層5を形成する部位としては、少くとも陽極リード線
1側の部位が必要で、コンデンサ素子の陰極導体層を被
覆することは効果が小さいことが分る。
【0036】(第4の実施の形態)本実施の形態では、
酸素侵入阻止能力をより高めることを意図して、陽極リ
ード線1,外部陽極端子9或いは外部陰極端子10など
の金属製端子部材と、酸素遮断用樹脂層5との間の気密
性を高めることがコンデサの耐熱性能に及ぼす効果を調
査した。すなわち、予め上記の金属製端子部材にシラン
カップリング処理を施しその効果を調べるために、第1
の実施の形態におけると同じコンデンサ素子を作製した
後、そのコンデンサ素子全体をシランカップリング剤を
3wt%含む2wt%のクエン酸水溶液に浸漬し室温で
30分間放置した後、125℃で10分間、水分を蒸発
させた。その後、粒径1μmのシリカを含む(含有率5
0vol%)エポキシ樹脂を、第1の実施の形態におけ
ると同様に、ポリピロール層2の露出部13を被覆する
ようにシリンジで定量塗布し、150℃で30分間硬化
させた。これら試料のESRの経時変化を第1の実施の
形態におけると同様に、105℃の恒温槽中で測定し
た。その結果を表6に示す。
酸素侵入阻止能力をより高めることを意図して、陽極リ
ード線1,外部陽極端子9或いは外部陰極端子10など
の金属製端子部材と、酸素遮断用樹脂層5との間の気密
性を高めることがコンデサの耐熱性能に及ぼす効果を調
査した。すなわち、予め上記の金属製端子部材にシラン
カップリング処理を施しその効果を調べるために、第1
の実施の形態におけると同じコンデンサ素子を作製した
後、そのコンデンサ素子全体をシランカップリング剤を
3wt%含む2wt%のクエン酸水溶液に浸漬し室温で
30分間放置した後、125℃で10分間、水分を蒸発
させた。その後、粒径1μmのシリカを含む(含有率5
0vol%)エポキシ樹脂を、第1の実施の形態におけ
ると同様に、ポリピロール層2の露出部13を被覆する
ようにシリンジで定量塗布し、150℃で30分間硬化
させた。これら試料のESRの経時変化を第1の実施の
形態におけると同様に、105℃の恒温槽中で測定し
た。その結果を表6に示す。
【0037】
【表6】
【0038】表6と表3とを比較すると、酸素遮断用の
エポキシ樹脂層5に対するフィラーの充填条件が同一
(含有率;50vol%,粒径;1μm)のとき、初期
のESRに対する1000時間後のESRの上昇率は、
本実施の形態では約1.14倍(299mΩ/263m
Ω)に過ぎないのに対し、第1の実施の形態では約1.
71倍(437mΩ/256mΩ)である。このことか
ら、シランカップリング剤を塗布することにより、明か
にポリピロールの酸化劣化が抑制されていることが、分
る。これは、シランカップリング剤の作用により、酸素
遮断用エポキシ樹脂層5と、陽極リード線1などの金属
製端子部材との間の密着性が向上し、外部から侵入する
酸素に対する阻止能力が向上したからであると考えられ
る。
エポキシ樹脂層5に対するフィラーの充填条件が同一
(含有率;50vol%,粒径;1μm)のとき、初期
のESRに対する1000時間後のESRの上昇率は、
本実施の形態では約1.14倍(299mΩ/263m
Ω)に過ぎないのに対し、第1の実施の形態では約1.
71倍(437mΩ/256mΩ)である。このことか
ら、シランカップリング剤を塗布することにより、明か
にポリピロールの酸化劣化が抑制されていることが、分
る。これは、シランカップリング剤の作用により、酸素
遮断用エポキシ樹脂層5と、陽極リード線1などの金属
製端子部材との間の密着性が向上し、外部から侵入する
酸素に対する阻止能力が向上したからであると考えられ
る。
【0039】尚、これまでの実施の形態では、半導体層
としての導電性高分子に、ポリピロールを用いたが、本
発明はこれに限られるものではない。例えばポリチオフ
ェンやポリアニリンなど、酸化劣化を起す他の導電性高
分子を用いた固体電解コンデンサであっても、これまで
の実施の形態と同様の作用、効果が得られることは、明
かである。
としての導電性高分子に、ポリピロールを用いたが、本
発明はこれに限られるものではない。例えばポリチオフ
ェンやポリアニリンなど、酸化劣化を起す他の導電性高
分子を用いた固体電解コンデンサであっても、これまで
の実施の形態と同様の作用、効果が得られることは、明
かである。
【0040】又、酸素遮断用エポキシ樹脂層5に含まれ
るフィラーとして、シリカを用いた例について説明した
が、それ自身が酸素透過性のない絶縁性物質であれば、
シリカに限らない。そのようなフィラー材料としては、
例えば、炭酸カルシウムやアルミナなどが挙げられる。
るフィラーとして、シリカを用いた例について説明した
が、それ自身が酸素透過性のない絶縁性物質であれば、
シリカに限らない。そのようなフィラー材料としては、
例えば、炭酸カルシウムやアルミナなどが挙げられる。
【0041】更には、陽極リード線1などの金属製端子
部材と酸素遮断用樹脂層5との間の密着性を高めるため
にシランカップリング剤を用いた例について説明した
が、両者の間の密着性を高めるものであればシランカッ
プリング剤に限らず、他のものであっても良い。例え
ば、チタンカップリング剤などを用いても同様の効果を
得ることができる。
部材と酸素遮断用樹脂層5との間の密着性を高めるため
にシランカップリング剤を用いた例について説明した
が、両者の間の密着性を高めるものであればシランカッ
プリング剤に限らず、他のものであっても良い。例え
ば、チタンカップリング剤などを用いても同様の効果を
得ることができる。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体電解
コンデンサは、導電性高分子層を半導体層とする固体電
解コンデンサに対し、コンデンサ素子表面の、導電性高
分子層が陰極導体層から露出する部分およびその露出部
分の周辺部分を少くとも覆うように、絶縁性フィラーを
含有する絶縁性樹脂からなる酸素遮断層を設けている。
これにより本発明によれば、導電性高分子への外部から
の酸素の侵入を阻止し、その酸素による導電性高分子の
酸化劣化を抑制することができるので、高温での導電性
高分子の酸化劣化に起因するESRの増大のない、高周
波特性に優れた固体電解コンデンサを提供することが可
能となる。
コンデンサは、導電性高分子層を半導体層とする固体電
解コンデンサに対し、コンデンサ素子表面の、導電性高
分子層が陰極導体層から露出する部分およびその露出部
分の周辺部分を少くとも覆うように、絶縁性フィラーを
含有する絶縁性樹脂からなる酸素遮断層を設けている。
これにより本発明によれば、導電性高分子への外部から
の酸素の侵入を阻止し、その酸素による導電性高分子の
酸化劣化を抑制することができるので、高温での導電性
高分子の酸化劣化に起因するESRの増大のない、高周
波特性に優れた固体電解コンデンサを提供することが可
能となる。
【0043】又、本発明の固体電解コンデンサは、上記
の固体電解コンデンサに対し、酸素遮断層を、導電性高
分子層の露出部分の周辺部分から陽極リード線に亘って
形成すると共に、陽極リード線の部分にあっては、陽極
リード線とこれを覆う酸素遮断層との間に、シランカッ
プリング剤やチタンカップリング剤等のカップリング剤
の層を形成している。これにより本発明によれば、樹脂
製の酸素遮断層と金属製の陽極リード線との間の密着性
を高めることができるので、酸素侵入阻止能力を更に高
めることができる。
の固体電解コンデンサに対し、酸素遮断層を、導電性高
分子層の露出部分の周辺部分から陽極リード線に亘って
形成すると共に、陽極リード線の部分にあっては、陽極
リード線とこれを覆う酸素遮断層との間に、シランカッ
プリング剤やチタンカップリング剤等のカップリング剤
の層を形成している。これにより本発明によれば、樹脂
製の酸素遮断層と金属製の陽極リード線との間の密着性
を高めることができるので、酸素侵入阻止能力を更に高
めることができる。
【0044】上記の酸素遮断層中に含まれる絶縁性フィ
ラーはこれを、酸素遮断層中に占める含有率が体積含有
率で50%以上であると共に、粒径が5μm以下である
ようにすると、酸素侵入阻止能力の向上効果が、特に顕
著である。
ラーはこれを、酸素遮断層中に占める含有率が体積含有
率で50%以上であると共に、粒径が5μm以下である
ようにすると、酸素侵入阻止能力の向上効果が、特に顕
著である。
【図1】本発明の第1の実施の形態によるタンタル固体
電解コンデンサ素子の断面を示す断面図である。
電解コンデンサ素子の断面を示す断面図である。
【図2】本発明の第3の実施の形態によるタンタル固体
電解コンデンサ素子の断面を示す断面図である。
電解コンデンサ素子の断面を示す断面図である。
【図3】一般的なチップ型タンタル固体電解コンデンサ
の断面およびその模式的拡大断面を示す断面図である。
の断面およびその模式的拡大断面を示す断面図である。
【図4】本発明の作用を説明するための、固体電解コン
デンサの断面図である。
デンサの断面図である。
【図5】エッチングピット付きの外部陽極端子および外
部陰極端子の断面図である。
部陰極端子の断面図である。
【図6】フィラー含有の酸素遮断用樹脂層の模式的断面
図である。
図である。
1 陽極リード線 2 ポリピロール層 3 グラファイト層 4 銀ペースト層 5 酸素遮断用エポキシ層 6 タンタル焼結体 7 タンタル固体電解コンデンサ素子 8 外装樹脂層 9 外部陽極端子 10 外部陰極端子 11 酸化タンタル皮膜 12 タンタル 13 導電性高分子層の露出部 14 エッチングピット 15 酸素侵入経路 16 樹脂 17 フィラー
Claims (4)
- 【請求項1】 導電性高分子層を半導体層とする固体電
解コンデンサであって、柱体でその柱体の軸に垂直な一
端面に陽極リード線が植立された弁作用金属の表面にそ
の弁作用金属の酸化皮膜層と、前記導電性高分子層と、
陰極導体層とを順次形成してなるコンデンサ素子と、そ
のコンデンサ素子を覆う絶縁性樹脂体とを含む固体電解
コンデンサにおいて、 絶縁性フィラーを含有する絶縁性樹脂からなる酸素遮断
用の樹脂層を、前記コンデンサ素子表面の、前記導電性
高分子層が前記陰極導体層から露出する部分とその露出
部分の周辺部分とを少くとも覆うように、設けたことを
特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項2】 請求項1記載の固体電解コンデンサにお
いて、 前記酸素遮断用の樹脂層が、前記導電性高分子層の露出
部分の周辺部分から前記陽極リード線に亘って形成され
ていると共に、陽極リード線の部分にあっては、陽極リ
ード線とこれを覆う酸素遮断用樹脂層との間に、シラン
カップリング剤やチタンカップリング剤などのようなカ
ップリング剤の層が形成されていることを特徴とする固
体電解コンデンサ。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載の固体電解コ
ンデンサにおいて、 前記酸素遮断用の樹脂層に含まれる絶縁性フィラーは、
その樹脂層に占める含有率が体積含有率で50%以上で
あると共に、粒径が5μm以下であることを特徴とする
固体電解コンデンサ。 - 【請求項4】 請求項3記載の固体電解コンデンサにお
いて、 前記酸素遮断用樹脂層がシリカ含有のエポキシ樹脂から
なり、前記カップリング剤層がシランカップリング剤か
らなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
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- 1995-07-28 JP JP7193545A patent/JP3070446B2/ja not_active Expired - Fee Related
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