JPH0899957A - 新規なキノロンまたはナフチリドン化合物もしくはそれらの塩、それらからなる抗ヘルペスウイルス剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】下記式 ［式中、Ｒ¹は、置換されていてもよいアルケニル、シ
クロアルキル、アリールまたは複素環式基を；Ｒ²は、
保護されていてもよいアミノもしくはアルキルアミノ基
または置換されていてもよいアシルアミノもしくはアル
キルスルホニルアミノ基を；Ｘは、水素原子またはハロ
ゲン原子を；Ｒ³は、置換されていてもよいアリールま
たは複素環式基を；Ａは、ＮまたはＣＨを示す。］で表
わされるキノロンまたはナフチリドン化合物もしくはそ
れらの塩、それらからなる抗ヘルペスウイルス剤。 【効果】上記のキノロンまたはナフチリドン化合物もし
くはそれらの塩は、優れた抗ヘルペスウイルス活性を有
し、医薬品として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般式［１］ ［式中、Ｒ¹は、置換されていてもよいアルケニル、シ
クロアルキル、アリールまたは複素環式基を；Ｒ²は、
保護されていてもよいアミノもしくはアルキルアミノ基
または置換されていてもよいアシルアミノもしくはアル
キルスルホニルアミノ基を；Ｘは、水素原子またはハロ
ゲン原子を；Ｒ³は、置換されていてもよいアリールま
たは複素環式基を；Ａは、ＮまたはＣＨを示す。］で表
わされる抗ウイルス作用を発揮する新規なキノロンまた
はナフチリドン化合物もしくはそれらの塩、それらから
なる抗ヘルペスウイルス剤を提供するものである。な
お、ここでいう抗ヘルペスウイルス剤とは、単純ヘルペ
ス、帯状疱疹ウイルスまたはサイトメガロウイルスなど
による感染症に対して、有効な薬剤を意味する。

【０００２】

【従来の技術】特公昭53−18600号は、８−エチル−２
−（１−ピペラジノ）ピリド［２,３−ｄ］ピリミジン
−５−オン塩酸塩に抗炎症活性のあることを開示してい
る。また、特開昭59−95287号は、ピリド［２,３−ｄ］
ピリミジン誘導体に心臓の収縮性を増加する作用のある
ことを開示している。さらに、最近、アンチバイラルケ
ミストリーアンドケモセラピー（Antiviral Chemistry
& Chemotherapy）、第５巻、第３号、第169−175頁(199
4年)において、８−アルキル−２−（ピリジン−４−イ
ル）ピリド［２,３−ｄ］ピリミジン−５（８Ｈ）−オ
ンがエイズウイルスに対して有効であるとの報告がされ
ている。一方、現在、抗ヘルペスウイルス剤として、ア
シクロビルに代表される核酸誘導体が広く使用されてい
る。単純ヘルペスウイルスや帯状庖疹ウイルスによる感
染症に対しては、アシクロビルに優れた臨床効果が認め
られているが、エイズ患者などにおいて耐性ウイルスの
出現が問題になっている。また同じヘルペスウイルス属
のサイトメガロウイルスによる感染症に対しては、ガン
シクロビルが使用されているが、好中球減少および血小
板減少などの重篤な副作用が問題となっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】したがって、核酸系以
外の新しい抗ヘルペスウイルス剤の開発が望まれてい
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】このような状況下におい
て、本発明者らは鋭意検討を行った結果、一般式［１］ ［式中、Ｒ¹は、置換されていてもよいアルケニル、シ
クロアルキル、アリールまたは複素環式基を；Ｒ²は、
保護されていてもよいアミノもしくはアルキルアミノ基
または置換されていてもよいアシルアミノもしくはアル
キルスルホニルアミノ基を；Ｘは、水素原子またはハロ
ゲン原子を；Ｒ³は、置換されていてもよいアリールま
たは複素環式基を；Ａは、ＮまたはＣＨを示す。］で表
わされるキノロンまたはナフチリドン誘導体もしくはそ
れらの塩が優れた抗ヘルペスウイルス活性を有すること
を見出し、本発明を完成するに至った。以下、本発明化
合物について詳述する。

【０００５】本明細書において特にことわらないかぎ
り、ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子およびヨウ素原子を；低級アルキル基とは、好ましく
は、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−
ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチルおよ
びペンチルなどのＣ_1-5アルキル基を；低級アルコキシ
基とは、好ましくは、メトキシ、エトキシ、n−プロポ
キシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、s
ec−ブトキシ、tert−ブトキシおよびペンチルオキシな
どのＣ_1-5アルコキシ基を；低級アルキルチオ基とは、
好ましくは、メチルチオ、エチルチオ、n−プロピルチ
オ、イソプロピルチオ、n−ブチルチオ、イソブチルチ
オ、sec−ブチルチオ、tert−ブチルチオおよびペンチ
ルなどのＣ_1-5アルキルチオ基を；アシル基とは、好ま
しくは、ホルミル基、アセチルおよびエチルカルボニル
などのＣ_2-5アルカノイル基並びにベンゾイルおよびナ
フチルカルボニルなどのアロイル基を；アシルアミノ基
とは、好ましくは、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ
およびエチルカルボニルアミノなどのＣ_2-5アルカノイ
ルアミノ基並びにベンゾイルアミノおよびナフチルカル
ボニルアミノなどのアロイルアミノ基を；低級アルコキ
シカルボニル基とは、好ましくは、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカルボニル、
イソプロポキシカルボニル、n−ブトキシカルボニル、
イソブトキシカルボニル、sec−ブトキシカルボニル、t
ert−ブトキシカルボニルおよびペンチルオキシカルボ
ニルなどのＣ_1-5アルコキシカルボニル基を；ヒドロキ
シ−低級アルキル基とは、好ましくは、ヒドロキシメチ
ル、ヒドロキシエチルおよびヒドロキシプロピルなどの
ヒドロキシ−Ｃ_1-5アルキル基を；アルキルアミノ基と
は、好ましくは、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピ
ルアミノ、ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルア
ミノ、ヘプチルアミノ、オクチルアミノ、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジプロピル
アミノ、ジブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジヘキシ
ルアミノ、ジヘプチルアミノおよびジオクチルアミノな
どのモノまたはジ−Ｃ_{1- 10}アルキルアミノ基を；低級ア
ルキルアミノ基とは、好ましくは、メチルアミノ、エチ
ルアミノ、プロピルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチル
アミノおよびメチルエチルアミノなどのモノまたはジ−
Ｃ_1-5アルキルアミノ基を；アミノ−低級アルキル基と
は、好ましくは、アミノメチル、アミノエチルおよびア
ミノプロピルなどのアミノ−Ｃ_1-5アルキル基を；低級
アルキルアミノ−低級アルキル基とは、好ましくは、メ
チルアミノメチル、メチルアミノエチル、エチルアミノ
メチル、メチルアミノプロピル、プロピルアミノエチ
ル、ジメチルアミノメチル、ジエチルアミノメチル、ジ
エチルアミノエチルおよびジメチルアミノプロピルなど
のモノまたはジ−Ｃ_1-5アルキルアミノ−Ｃ_1-5アルキル
基を；ハロゲノ−低級アルキル基とは、好ましくは、フ
ルオロメチル、クロロメチル、ブロモメチル、ジクロロ
メチル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、クロ
ロエチル、ジクロロエチル、トリクロロエチルおよびク
ロロプロピルなどのハロゲノ−Ｃ_1-5アルキル基を；ア
ルケニル基とは、好ましくは、ビニル、アリル、イソプ
ロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテ
ニルおよびオクテニルなどのＣ_2-10アルケニル基を；低
級アルケニル基とは、好ましくは、ビニルおよびアリル
などのＣ_2-5アルケニル基を；シクロアルキル基とは、
好ましくは、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペ
ンチルおよびシクロヘキシルなどのＣ_3-6シクロアルキ
ル基を；低級アルキルスルホニル基とは、好ましくは、
メチルスルホニル、エチルスルホニル、n−プロピルス
ルホニル、イソプロピルスルホニル、n−ブチルスルホ
ニル、イソブチルスルホニル、sec−ブチルスルホニ
ル、tert−ブチルスルホニルおよびペンチルスルホニル
などのＣ_1-5アルキルスルホニル基を；アルキルスルホ
ニルアミノ基とは、好ましくは、メチルスルホニルアミ
ノ、エチルスルホニルアミノ、n−プロピルスルホニル
アミノ、イソプロピルスルホニルアミノ、n−ブチルス
ルホニルアミノ、イソブチルスルホニルアミノ、sec−
ブチルスルホニルアミノ、tert−ブチルスルホニルアミ
ノ、ペンチルスルホニルアミノ、ヘキシルスルホニルア
ミノ、ヘプチルスルホニルアミノおよびオクチルスルホ
ニルアミノなどの直鎖状または分枝鎖状Ｃ_1-10アルキル
スルホニルアミノ基を；低級アルキルスルホニルアミノ
基とは、好ましくは、メチルスルホニルアミノ、エチル
スルホニルアミノ、n−プロピルスルホニルアミノ、イ
ソプロピルスルホニルアミノ、n−ブチルスルホニルア
ミノ、イソブチルスルホニルアミノ、sec−ブチルスル
ホニルアミノ、tert−ブチルスルホニルアミノおよびペ
ンチルスルホニルアミノなどのＣ_1-5アルキルスルホニ
ルアミノ基を；低級アルキルスルファモイル基とは、好
ましくは、メチルスルファモイル、エチルスルファモイ
ル、n−プロピルスルファモイル、イソプロピルスルフ
ァモイル、n−ブチルスルファモイル、イソブチルスル
ファモイル、sec−ブチルスルファモイル、tert−ブチ
ルスルファモイル、ペンチルスルファモイル、ジメチル
スルファモイル、ジエチルスルファモイルおよびエチル
メチルスルファモイル基などのモノまたはジ−Ｃ_{1- 5}ア
ルキルスルファモイル基を；アリール基とは、好ましく
は、フェニルおよびナフチルなどの基を；複素環式基と
は、好ましくは、アゼチジニル、チエニル、フリル、ピ
ロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チアゾリル、イソ
チアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、フラザ
ニル、ピロリジニル、ピロリニル、イミダゾリジニル、
イミダゾリニル、ピラゾリジニル、ピラゾリニル、１，
３，４−オキサジアゾリル、１，２，３−チアジアゾリ
ル、１，２，４−チアジアゾリル、１，３，４−チアジ
アゾリル、１，２，３−トリアゾリル、１，２，４−ト
リアゾリル、テトラゾリル、チアトリアゾリル、ピリジ
ル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピペリ
ジニル、ピペラジニル、ピラニル、モルホリニル、１，
２，４−トリアジニル、ベンゾチエニル、ナフトチエニ
ル、ベンゾフリル、イソベンゾフリル、クロメニル、イ
ンドリジニル、イソインドリル、インドリル、インダゾ
リル、プリニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニ
ル、ナフチリジニル、キノキサリニル、キナゾリニル、
シノリニル、フテリジニル、イソクロマニル、クロマニ
ル、インドリニル、イソインドリニル、ベンゾオキサゾ
リル、トリアゾロピリジル、テトラゾロピリダジニル、
テトラゾロピリミジニル、チアゾロピリダジニル、チア
ジアゾロピリダジニル、トリアゾロピリダジニル、ベン
ズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、１，２，３，４−
テトラヒドロキノリル、イミダゾ「１，２−ｂ］［１，
２，４］トリアジニルおよびキヌクリジニルなどのよう
な酸素原子、窒素原子および硫黄原子から選ばれる少な
くとも１つの異項原子を含有する４〜６員または縮合複
素環式基をそれぞれ意味する。

【０００６】Ｒ¹における置換されていてもよい低級ア
ルケニル、アルケニル、シクロアルキル、アリールまた
は複素環式基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ
基、保護されていてもよいカルボキシル基、保護されて
いてもよいヒドロキシル基、保護されていてもよいアミ
ノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルコ
キシカルボニル基、アリール基、シクロアルキル基、低
級アルケニル基、ハロゲノ−低級アルキル基および保護
されていてもよい低級アルキルアミノ基が挙げられ、こ
れら一種または二種以上の置換基で置換されていてもよ
い。

【０００７】Ｒ²における置換されていてもよいアシル
アミノ、低級アルキルスルホニルアミノまたはアルキル
スルホニルアミノ基の置換基としては、ハロゲン原子、
シアノ基、保護されていてもよいカルボキシル基、保護
されていてもよいヒドロキシル基、保護されていてもよ
いアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級
アルコキシカルボニル基、アリール基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、ハロゲノ−低級アルキル基、保
護されていてもよい低級アルキルアミノ基が挙げられ、
これら一種または二種以上の置換基で置換されていても
よい。

【０００８】Ｒ³における置換されていてもよいアリー
ルまたは複素環式基の置換基としては、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルケニル基、シクロアルキル
基、アリール基、低級アルコキシ基、低級アルキルチオ
基、ニトロ基、シアノ基、アシル基、保護されていても
よいヒドロキシル基、保護されていてもよいヒドロキシ
低級アルキル基、保護されていてもよいアミノ基、保護
されていてもよい低級アルキルアミノ基、保護されてい
てもよいアミノ低級アルキル基、保護されていてもよい
低級アルキルアミノ−低級アルキル基、低級アルキルス
ルホニル基、カルバモイル基、スルファモイル基および
低級アルキルスルファモイル基が挙げられ、これら一種
または二種以上の置換基で置換されていてもよい。

【０００９】カルボキシル基の保護基としては、通常の
カルボキシル基の保護基として使用し得るすべての基を
含み、たとえば、メチル、エチル、n−プロピル、iso−
プロピル、１,１−ジメチルプロピル、n−ブチルおよび
tert−ブチルなどの低級アルキル基；フェニルおよびナ
フチルなどのアリール基；ベンジル、ジフェニルメチ
ル、トリチル、p-ニトロベンジル、p-メトキシベンジル
およびビス（p-メトキシフェニル）メチルなどのアル−
低級アルキル基；アセチルメチル、ベンゾイルメチル、
p-ニトロベンゾイルメチル、p-ブロモベンゾイルメチル
およびp-メタンスルホニルベンゾイルメチルなどのアシ
ル−低級アルキル基；２−テトラヒドロピラニルおよび
２−テトラヒドロフラニルなどの含酸素複素環式基；
２,２,２−トリクロロエチルなどのハロゲノ−低級アル
キル基；２−（トリメチルシリル）エチルなどの低級ア
ルキルシリルアルキル基；アセトキシメチル、プロピオ
ニルオキシメチルおよびピバロイルオキシメチルなどの
アシルオキシアルキル基；フタルイミドメチルおよびス
クシンイミドメチルなどの含窒素複素環式−低級アルキ
ル基；シクロヘキシルなどのシクロアルキル基；メトキ
シメチル、メトキシエトキシメチルおよび２−（トリメ
チルシリル）エトキシメチルなどの低級アルコキシ−低
級アルキル基；ベンジルオキシメチルなどのアル−低級
アルコキシ−低級アルキル基；メチルチオメチルおよび
２−メチルチオエチルなどの低級アルキルチオ−低級ア
ルキル基；フェニルチオメチルなどのアリールチオ−低
級アルキル基；１,１−ジメチル−２−プロペニル、３
−メチル−３−ブチニルおよびアリールなどの低級アル
ケニル基；並びにトリメチルシリル、トリエチルシリ
ル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイソプロピルシ
リル、tert−ブチルジメチルシリル、tert−ブチルジフ
ェニルシリル、ジフェニルメチルシリルおよびtert−ブ
チルメトキシフェニルシリルなどの低級アルキル置換シ
リル基などが挙げられる。

【００１０】また、アミノ、低級アルキルアミノ、アル
キルアミノ、アミノ低級アルキル基および低級アルキル
アミノ−低級アルキル基の保護基としては、通常のアミ
ノ保護基として使用し得るすべての基を含み、たとえ
ば、トリクロロエトキシカルボニル、トリブロモエトキ
シカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、p-ニトロベ
ンジルオキシカルボニル、o-ブロモベンジルオキシカル
ボニル、（モノ−、ジ−、トリ−）クロロアセチル、ト
リフルオロアセチル、フェニルアセチル、ホルミル、ア
セチル、ベンゾイル、tert−アミルオキシカルボニル、
tert−ブトキシカルボニル、p-メトキシベンジルオキシ
カルボニル、３,４−ジメトキシベンジルオキシカルボ
ニル、４−（フェニルアゾ）ベンジルオキシカルボニ
ル、２−フルフリルオキシカルボニル、ジフェニルメト
キシカルボニル、１,１−ジメチルプロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、フタロイル、スクシニ
ル、アラニル、ロイシル、１−アダマンチルオキシカル
ボニルおよび８−キノリルオキシカルボニルなどのアシ
ル基；ベンジル、ジフェニルメチルおよびトリチルなど
のアル−低級アルキル基；２−ニトロフェニルチオおよ
び２,４−ジニトロフェニルチオなどのアリールチオ
基；メタンスルホニルおよびp-トルエンスルホニルなど
のアルカン−もしくはアレーン−スルホニル基；Ｎ,Ｎ
−ジメチルアミノメチレンなどのジ−低級アルキルアミ
ノ−低級アルキリデン基；ベンジリデン、２−ヒドロキ
シベンジリデン、２−ヒドロキシ−５−クロロベンジリ
デンおよび２−ヒドロキシ−１−ナフチルメチレンなど
のアル−低級アルキリデン基；３−ヒドロキシ−４−ピ
リジルメチレンなどの含窒素複素環式アルキリデン基；
シクロヘキシリデン、２−エトキシカルボニルシクロヘ
キシリデン、２−エトキシカルボニルシクロペンチリデ
ン、２−アセチルシクロヘキシリデンおよび３,３−ジ
メチル−５−オキシシクロヘキシリデンなどシクロアル
キリデン基；ジフェニルホスホリルおよびジベンジルホ
スホリルなどのジアリール−もしくはジアル−低級アル
キルホスホリル基；５−メチル−２−オキソ−２Ｈ−
１,３−ジオキソール−４−イル−メチルなどの含酸素
複素環式アルキル基；並びにトリメチルシリルなどの低
級アルキル置換シリル基などが挙げられる。

【００１１】さらに、ヒドロキシルおよびヒドロキシ低
級アルキル基の保護基としては、通常のヒドロキシル保
護基として使用し得るすべての基を含み、たとえば、ベ
ンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル、４−ブロモベンジルオキシカルボニル、４−
メトキシベンジルオキシカルボニル、３,４−ジメトキ
シベンジルオキシカルボニル、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、１,１
−ジメチルプロポキシカルボニル、イソプロポキシカル
ボニル,イソブチルオキシカルボニル、ジフェニルメト
キシカルボニル、２,２,２−トリクロロエトキシカルボ
ニル、２,２,２−トリブロモエトキシカルボニル、２−
（トリメチルシリル）エトキシカルボニル、２−（フェ
ニルスルホニル）エトキシカルボニル、２−（トリフェ
ニルホスホニオ）エトキシカルボニル、２−フルフリル
オキシカルボニル、１−アダマンチルオキシカルボニ
ル、ビニルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニ
ル、Ｓ−ベンジルチオカルボニル、４−エトキシ−１−
ナフチルオキシカルボニル、８−キノリルオキシカルボ
ニル、アセチル、ホルミル、クロロアセチル、ジクロロ
アセチル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチ
ル、メトキシアセチル、フェノキシアセチル、ピバロイ
ルおよびベンゾイルなどのアシル基；メチル、tert−ブ
チル、２,２,２−トリクロロエチルおよび２−トリメチ
ルシリルエチルなどの低級アルキル基；アリルなどの低
級アルケニル基；ベンジル、p-メトキシベンジル、３,
４−ジメトキシベンジル、ジフェニルメチルおよびトリ
チルなどのアル−低級アルキル基；テトラヒドロフリ
ル、テトラヒドロピラニルおよびテトラヒドロチオピラ
ニルなどの含酸素および含硫黄複素環式基；メトキシメ
チル、メチルチオメチル、ベンジルオキシメチル、２−
メトキシエトキシメチル、２,２,２−トリクロロエトキ
シメチル、２−（トリメチルシリル）エトキシメチルお
よび１−エトキシエチルなどの低級アルコキシ−および
低級アルキルチオ−低級アルキル基；メタンスルホニル
およびp-トルエンスルホニルなどのアルキル−およびア
リール−スルホニル基；並びにトリメチルシリル、トリ
エチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジエチルイソ
プロピルシリル、tert−ブチルジメチルシリル、tert−
ブチルジフェニルシリル、ジフェニルメチルシリルおよ
びtert−ブチルメトキシフェニルシリルなどの低級アル
キル置換シリル基などが挙げられる。

【００１２】一般式［１］の化合物の塩としては、通常
知られているアミノ基などの塩基性基またはヒドロキシ
ルもしくはカルボキシル基などの酸性基における塩を挙
げることができる。塩基性基における塩としては、たと
えば、塩酸、臭化水素酸および硫酸などの鉱酸との塩；
酒石酸、ギ酸、クエン酸、トリクロロ酢酸およびトリフ
ルオロ酢酸などの有機カルボン酸との塩；並びにメタン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン
酸、メシチレンスルホン酸およびナフタレンスルホン酸
などのスルホン酸との塩を、また、酸性基における塩と
しては、たとえば、ナトリウムおよびカリウムなどのア
ルカリ金属との塩；カルシウムおよびマグネシウムなど
のアルカリ土類金属塩との塩；アンモニウム塩；並びに
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミ
ン、ピリジン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−メチル
ピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ジエチルアミン、
ジシクロヘキシルアミン、プロカイン、ジベンジルアミ
ン、Ｎ−ベンジル−β−フェネチルアミン、１−エフェ
ナミンおよびＮ,Ｎ'−ジベンジルエチレンジアミンなど
の含窒素有機塩基との塩などを挙げることができる。ま
た、一般式［１］の化合物またはその塩において、異性
体（たとえば、光学異性体、幾何異性体および互変異性
体など）が存在する場合、本発明は、それらの異性体を
包含し、また、溶媒和物、水和物および種々の形状の結
晶を包含するものである。

【００１３】本発明化合物中、Ｒ¹が置換されていても
よい低級アルケニル、シクロアルキル、アリールまたは
複素環式基；Ｒ²が保護されていてもよいアミノもしく
は低級アルキルアミノ基または置換されていてもよいア
シルアミノもしくは低級アルキルスルホニルアミノ基で
あるキノロンまたはナフチリドン化合物もしくはそれら
の塩である化合物が好ましく、さらにＲ¹が置換されて
いてもよいシクロアルキル、アリールまたは複素環式
基；Ｒ³が置換されていてもよい複素環式基であるキノ
ロンまたはナフチリドン化合物もしくはそれらの塩であ
る化合物が特に好ましい。

【００１４】本発明化合物中、代表的化合物としては、
以下の化合物が挙げられる。 ・３−アミノ−１−（４−フルオロフェニル）−７−
（ピリジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ−４−オキ
ソキノリン ・１−（４−フルオロフェニル）−３−ホルミルアミノ
−７−（ピリジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ−４
−オキソキノリン ・１−（４−フルオロフェニル）−３−ホルミルアミノ
−７−（イミダゾール−１−イル）−１,４−ジヒドロ
−４−オキソ−１,８−ナフチリジン ・１−（２,４−ジフルオロフェニル）−３−ホルミル
アミノ−７−（イミダゾール−１−イル）−１,４−ジ
ヒドロ−４−オキソ−１,８−ナフチリジン ・１−（２,４−ジフルオロフェニル）−３−ホルミル
アミノ−７−（チアゾール−２−イル）−１,４−ジヒ
ドロ−４−オキソ−１,８−ナフチリジン ・１−（４−フルオロフェニル）−３−ホルミルアミノ
−７−（チアゾール−２−イル）−１,４−ジヒドロ−
４−オキソキノリン ・３−アミノ−６−フルオロ−１−（４−フルオロフェ
ニル）−７−（ピリジン−４−イル）−１，４−ジヒド
ロ−４−オキソキノリン ・６−フルオロ−１−（４−フルオロフェニル）−３−
ホルミルアミノ−７−（ピリジン−４−イル）−１，４
−ジヒドロ−４−オキソキノリン ・６−フルオロ−１−（４−フルオロフェニル）−３−
ホルミルアミノ−７−（１Ｈ−イミダゾール−１−イ
ル）−１，４−ジヒドロ−４−オキソ−１，８−ナフチ
リジン ・１−（２,４−ジフルオロフェニル）−６−フルオロ
−３−ホルミルアミノ−７−（１Ｈ−イミダゾール−１
−イル）−１,４−ジヒドロ−４−オキソ−１,８−ナフ
チリジン

【００１５】つぎに、本発明化合物の製造法について説
明する。本発明化合物は、たとえば、つぎに示すルート
にしたがって合成することができる。

【００１６】 ［式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、ＡおよびＸは、前記したと同
様の意味を有し；Ｘ¹は、塩素、臭素またはヨウ素原子
を；Ｒ^3aは、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾー
ル、ピロリジン、ピペリジンおよびピペラジンなどのＮ
を介する置換が可能な複素環式基を；Ａｌｋは、炭素数
１−６のアルキル基を示す。］ 一般式［２］、［３］、［４］、［５］、［６］、
［７］、［7a］および［1a］の化合物の塩としては、一
般式［１］の化合物の塩で説明したと同様の塩が挙げら
れる。

【００１７】（製造法１）一般式［７］の化合物または
その塩は、酸化銀の存在下または不存在下、パラジウム
触媒の存在下、一般式［２］の化合物またはその塩と一
般式［３］の有機スズ化合物またはその塩あるいは一般
式［４］の有機スズ化合物またはその塩と一般式［５］
の化合物またはその塩をカップリング反応に付すことに
よって得ることができる。この反応で使用される溶媒と
しては、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限
定されないが、たとえば、ベンゼン、トルエンおよびキ
シレンなどの芳香族炭化水素類；ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、アニソール、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテルおよびジメチルセロソルブなどのエーテル
類；アセトニトリルなどのニトリル類；Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドおよびＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミドな
どのアミド類；並びにジメチルスルホキシドなどのスル
ホキシド類などが挙げられ、これらの溶媒を一種または
二種以上混合して使用してもよい。この反応で用いられ
るパラジウム触媒としては、たとえば、PdCl₂(PPh₃)₂、
Pd(PPh₃)₄、PdCl₂[P(O-トリル)₃]₂、PdCl₂+2P(OEt)₃お
よびPdCl₂(PhCN)₂［ただし、Etはエチル基を、Phはフェ
ニル基を示す。］などが挙げられる。一般式［３］の有
機スズ化合物またはその塩の使用量は、一般式［２］の
化合物またはその塩に対して、等モル以上、好ましく
は、1.0−2.0倍モルであればよく、一般式［５］の化合
物またはその塩の使用量は、一般式［４］の有機スズ化
合物またはその塩に対して、等モル以上、好ましくは、
1.0−5.0倍モルであればよい。このカップリング反応
は、通常、不活性ガス（たとえば、アルゴンおよび窒素
などが挙げられる。）雰囲気下、50−170℃で、１分−2
4時間実施すればよい。

【００１８】一般式［7a］の化合物またはその塩は、一
般式［２］の化合物またはその塩に、一般式［６］の化
合物またはその塩を銅触媒の存在下または不存在下、塩
基を脱酸剤として用いて、反応させることにより得るこ
とができる。この反応で使用される溶媒としては、反応
に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定されない
が、たとえば、ベンゼン、トルエンおよびキシレンなど
の芳香族炭化水素類；ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、アニソール、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ルおよびジメチルセロソルブなどのエーテル類；アセト
ニトリルなどのニトリル類；Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムア
ミドおよびＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類；並びにジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類
などが挙げられ、これらの溶媒を一種または二種以上混
合して使用してもよい。この反応で使用される塩基とし
ては、トリエチルアミン、カリウム−tert−ブトキシ
ド、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムおよび水素化ナトリ
ウムなどの、無機または有機塩基が挙げられる。また、
この反応で用いられる銅触媒としては、銅粉、塩化第一
銅、臭化第一銅およびヨウ化第一銅などが挙げられる。
一般式［６］の化合物またはその塩の使用量は、一般式
［２］の化合物またはその塩に対して等モル以上、好ま
しくは、1.0−3.0 倍モル使用すればよい。この反応
は、通常、50−250℃、好ましくは、100−200℃で、５
分−24時間、好ましくは、30分−10時間実施すればよ
い。

【００１９】一般式［1a］の化合物またはその塩は、一
般式［７］の化合物もしくはその塩または一般式［7a］
の化合物もしくはその塩を、通常行なわれるニトロ基の
還元反応に付すことにより得られる。

【００２０】一般式［１］の化合物またはその塩は、一
般式［1a］の化合物またはその塩を通常行われるアルキ
ル化反応、アシル化反応、アルキルスルホニル化反応な
どに付すことにより得られる。

【００２１】このようにして得られた一般式［１］の化
合物またはその塩を、たとえば、酸化、還元、転位、置
換、付加、ハロゲン化、脱水もしくは加水分解などの自
体公知の反応に付すことによって、またはそれらを適宜
組み合わせることによって、他の一般式［１］の化合物
またはその塩に誘導することができる。

【００２２】上で述べた製造法における一般式［1a］、
［２］、［３］、［４］、［５］、［６］、[7a]または
［７］の化合物もしくはそれらの塩において、異性体
（たとえば、光学異性体、幾何異性体および互変異性体
など）が存在する場合、これらの異性体を使用すること
ができ、また、溶媒和物、水和物および種々の形状の結
晶を使用することができる。

【００２３】一般式［２］、［３］、［４］、［５］、
［６］、［7a］、［７］または［1a］もしくはそれらの
塩において、アミノ基、ヒドロキシル基またはカルボキ
シル基を有する化合物は、あらかじめこれらの基を通常
の保護基で保護しておき、反応後、自体公知の方法でこ
れらの保護基を脱離することもできる。

【００２４】つぎに、本発明化合物を製造するための原
料である一般式［２］の化合物またはその塩および新規
化合物である一般式［４］の有機スズ化合物またはその
塩の製造法について説明する。

【００２５】 ［式中、Ｐｈは、フェニル基を示し、Ｒ¹、Ｘ、Ｘ¹およ
びＡｌｋは、前記したと同様の意味を有する。］ 一般式［８］、［９］、［10］および［11］の化合物の
塩としては、一般式［１］の化合物の塩で説明したと同
様の塩が挙げられる。

【００２６】（製造法Ａ） （１） 一般式［９］の化合物またはその塩は、たとえ
ば、シンセシス（Synthesis）、第295頁（1979年）に記
載の方法に準じて、一般式［８］の化合物またはその塩
にニトロメタンを塩基の存在下に反応させることにより
得ることができる。この反応に使用される溶媒として
は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定さ
れないが、たとえば、ベンゼン、トルエンおよびキシレ
ンなどの芳香族炭化水素類；ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、アニソール、ジエチレングリコールジエチルエ
ーテルおよびジメチルセロソルブなどのエーテル類；ア
セトニトリルなどのニトリル類；Ｎ,Ｎ−ジメチルホル
ムアミドおよびＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのア
ミド類；並びにジメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類などが挙げられ、これらの溶媒を一種または二種以
上混合して使用してもよい。また、この反応に使用され
る塩基としては、カリウム−tert−ブトキシドおよび水
素化ナトリウムなどが挙げられる。塩基およびニトロメ
タンの使用量は、一般式［８］の化合物またはその塩に
対して等モル以上であればよく、好ましくは2−5倍モル
であればよい。この反応は、通常0−50℃、好ましく
は、10−30℃で、５分−30時間実施すればよい。

【００２７】（２）（ａ） 一般式［11］の化合物また
はその塩は、一般式［９］の化合物またはその塩に、オ
ルトエステル類を無水酢酸存在下、反応させた後、一般
式［10］の化合物またはその塩を反応させることによっ
て得ることができる。この反応で使用される溶媒として
は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限定さ
れないが、たとえば、ベンゼン、トルエンおよびキシレ
ンなどの芳香族炭化水素類；ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、アニソール、ジエチレングリコールジエチルエ
ーテルおよびジメチルセロソルブなどのエーテル類；メ
タノール、エタノールおよびプロパノールなどのアルコ
ール類；塩化メチレン、クロロホルムおよびジクロロエ
タンなどのハロゲン化炭化水素類；Ｎ,Ｎ−ジメチルホ
ルムアミドおよびＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの
アミド類；並びにジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類などが挙げられ、これらの溶媒を一種または二種
以上混合して使用してもよい。オルトエステル類として
は、たとえば、オルトギ酸メチルまたはオルトギ酸エチ
ルなどが挙げられ、その使用量は、一般式［９］の化合
物またはその塩に対して、それぞれ、等モル以上であれ
ばよく、好ましくは、１−10倍モルであればよい。一般
式［９］の化合物またはその塩とオルトエステル類の反
応は、通常、０−150℃、好ましくは、50−150℃で、20
分−50時間実施すればよい。

【００２８】ついで、得られた反応混合物と一般式［1
0］の化合物またはその塩の反応において、一般式［1
0］の化合物またはその塩の使用量は、一般式［９］の
化合物またはその塩に対して、等モル以上であればよ
い。この反応は、通常、０−100℃、好ましくは、10−6
0℃で、20分−30時間実施すればよい。

【００２９】（ｂ） 別法として、一般式［11］の化合
物またはその塩は、一般式［９］の化合物またはその塩
にアセタール類を酸無水物の存在下あるいは不存在下に
反応させた後、一般式［10］の化合物またはその塩を反
応させることによっても得ることができる。この反応で
使用される溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさないも
のであれば特に限定されないが、たとえば、（２）
（ａ）で挙げた溶媒と同様の溶媒が挙げられる。酸無水
物としては、たとえば、無水酢酸などが挙げられる。ま
た、アセタール類としては、たとえば、Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドジメチルアセタールまたはＮ,Ｎ−ジメ
チルホルムアミドジエチルアセタールなどが挙げられ、
その使用量は、一般式［９］の化合物またはその塩に対
して、等モル以上であればよく、好ましくは、１−５倍
モルであればよい。この反応は、通常、０−100℃、好
ましくは、20−85℃で、20分−50時間実施すればよい。

【００３０】ついで、一般式［10］の化合物またはその
塩を反応させるには、一般式［10］の化合物またはその
塩を、一般式［９］の化合物またはその塩に対して、等
モル以上使用すればよい。この反応は、通常、０−100
℃、好ましくは、10−60℃で、20分−30時間実施すれば
よい。

【００３１】（３） 一般式［２］の化合物またはその
塩は、一般式［11］の化合物またはその塩を、フッ化塩
もしくは塩基の存在下または不存在下に閉環反応に付す
ことによって得ることができる。この反応で使用される
溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば
特に限定されないが、たとえば、Ｎ,Ｎ−ジメチルホル
ムアミドおよびＮ,Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのア
ミド類；ジオキサン、アニソール、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテルおよびジメチルセロソルブなどのエ
ーテル類；並びにジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シドなどが挙げられ、これらの溶媒を一種または二種以
上混合して使用してもよい。この反応で所望に応じて用
いられるフッ化塩としては、たとえば、フッ化ナトリウ
ムおよびフッ化カリウムなどが挙げられ、所望に応じて
用いられる塩基としては、たとえば、炭酸水素ナトリウ
ム、炭酸カリウム、カリウムtert−ブトキシドおよび水
素化ナトリウムなどが挙げられ、それらの使用量は、一
般式［11］の化合物またはその塩に対して、等モル以上
であればよく、好ましくは、1.0−3.0倍モルであればよ
い。この反応は、通常、０−180℃で、５分−30時間実
施すればよい。

【００３２】（４） 一般式［４］のアリールスズ化合
物またはその塩は、一般式［２］のハロゲン化アリール
化合物またはその塩を、たとえば、ブレティン・オブ・
ザ・ケミカル・ソサェティ・オブ・ジャパン（Bull.Che
m.Soc.Jpn.）、第56巻、第3855−3856頁(1983年)に記載
の方法に準じ、パラジウム触媒を用いて、ヘキサアルキ
ルジスタナンと反応させることによって得ることができ
る。この反応で使用される溶媒およびパラジウム触媒と
しては、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に限
定されないが、具体的には、製造法１に記載したと同様
のものが挙げられる。ヘキサアルキルジスタナンの使用
量は、一般式［２］のハロゲン化アリール化合物または
その塩に対して、等モル以上、好ましくは、1.0−3.0倍
モルであればよい。この反応は、通常、40−160℃で、
１時間−72時間実施すればよい。

【００３３】さらに、製造ルートにおいて、一般式
［２］、［３］、［４］、［５］、［６］、［7a］、
［７］、［10］または［11］の化合物もしくはそれらの
塩がアミノ基、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を
有する場合は、あらかじめこれらの基を通常の保護基で
保護しておき、反応後、自体公知の方法でこれらの保護
基を脱離することができる。

【００３４】前述した製造法において、一般式［1a］、
［２］、［３］、［４］、［５］、［６］、［7a］、
［７］、［８］、［９］、［10］または［11］の化合物
もしくはそれらの塩に異性体（たとえば、光学異性体、
幾何異性体および互変異性体など）が存在する場合、こ
れらの異性体を使用することができ、また、溶媒和物、
水和物および所望の形状の結晶を使用することができ
る。また、反応終了後、反応目的物は単離せずに、その
ままつぎの反応に用いてもよい。

【００３５】このようにして得られた一般式［１］の化
合物またはその塩は、抽出、晶出および／またはカラム
クロマトグラフィーなどの常法にしたがって単離精製す
ることができる。

【００３６】本発明化合物を医薬として用いる場合、通
常製剤化に使用される賦形剤、担体および希釈剤などの
製剤補助剤を適宜混合してもよく、これらは常法にした
がって、錠剤、カプセル剤、散剤、シロップ剤、顆粒
剤、丸剤、懸濁剤、乳剤、液剤、粉体製剤、坐剤、軟膏
剤または注射剤などの形態で経口または非経口で投与す
ることができる。また投与方法、投与量および投与回数
は、患者の年齢、体重および症状に応じて適宜選択する
ことができ、通常成人に対しては、経口または非経口
（たとえば、注射、点滴および直腸部位への投与など）
的投与により、１日、0.1−100mg/kgを１回から数回に
分割して投与すればよい。

【００３７】つぎに、本発明の代表的化合物についての
薬理作用を説明する。 １．抗ウイルス作用 試験方法 単純ヘルペスウイルス アンチバイラール・リサーチ（Antiviral Research）、
第22巻、第175−188頁（1993年）記載のインビトロプラ
ーク減少法に準じて行った。すなわち、６穴培養プレー
トにVero細胞を十分増殖させ、ＨＳＶ−２（Ｇ）株を10
0PFU／0.5mlで感染させた。感染終了後、各種濃度の被
験化合物を含んだ培地を添加し、３日間培養した。判定
は、メチレンブルーで染色後、プラークを計数し、対照
に対する百分率から50％抑制値（IC₅₀）を算出した。そ
の結果を表１に示す。

【表１】

【００３８】サイトメガロウイルス 試験方法 アーカイブス・オブ・バイロロジー（Arch.Virol.）、
第117巻、第165−171頁（1991年）に記載のインビトロ
プラーク減少法に準じて行った。すなわち、直径60mm培
養皿にHEL細胞を十分増殖させ、CMV（towne）株を100PF
U／0.5mlで感染させた。感染終了後、各種濃度の被験化
合物を含んだ培地を添加し、８日間培養した。判定は、
メチレンブルーで染色後、プラークを計数し、対照に対
する百分率から50％抑制値（ＩＣ₅₀）を算出した。その
結果を表２に示す。

【表２】

【００３９】

【実施例】つぎに本発明を参考例および実施例を挙げて
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。なお、溶離液における混合比は、すべて用量比であ
り、カラムクロマトグラフィーにおける担体は、シリカ
ゲル60、No.7734（メルク社製）を用いた。また、参考
例および実施例中で用いられる記号は、つぎの意味を有
する。 ＴＦＡ−ｄ₁：重トリフルオロ酢酸 ＤＭＳＯ−ｄ₆：重ジメチルスルホキシド

【００４０】参考例１ ４−ブロモ−２−フルオロ安息香酸6.60gを塩化メチレ
ン86mlに懸濁させ、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド0.60m
lを加え、０℃に冷却する。ついで、オキサリルクロラ
イド4.00gを５分間を要して滴下する。滴下後、室温で4
0分間攪拌した後、減圧下で溶媒を留去する。得られた
残留物を塩化メチレン100mlに溶解させ、フェノール3.0
gを加え、０℃に冷却する。ついで、トリエチルアミン
3.20gを滴下し、さらに室温で１時間攪拌する。反応混
合物に水30mlを加え、有機層を分取する。得られた有機
層を水および飽和食塩水で順次洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去する。得られた
残留物にヘキサンを加え、結晶を濾取すれば、淡黄色結
晶の４−ブロモ−２−フルオロ安息香酸フェニルエステ
ル8.80gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1737 NMR(CDCl₃)δ値:7.10-8.25(8H,m)

【００４１】参考例２ カリウム−tert−ブトキシド10.0gをジメチルスルホキ
シド100mlに溶解させ、10−20℃で、ニトロメタン5.40g
を20分間を要して滴下する。ついで、20℃で１時間攪拌
した後、ジメチルスルホキシド20mlに溶解させた４−ブ
ロモ−２−フルオロ安息香酸フェニルエステル8.80g
を、10−20℃で20分間要して滴下する。ついで、20℃で
30分間攪拌する。反応混合物を、尿素2.70gを溶解させ
た氷水100mlに注ぎ、６Ｎ塩酸でpH２に調整し、水400ml
を加える。析出した結晶を濾取すれば、淡黄色結晶の
４’−ブロモ−２’−フルオロ−２−ニトロアセトフェ
ノン7.00gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1696 NMR(DMSO-d₆)δ値:6.26(2H,s),7.57-8.04(3H,m)

【００４２】参考例３ ４’−ブロモ−２’−フルオロ−２−ニトロアセトフェ
ノン4.24gを塩化メチレン42mlに溶解させ、無水酢酸3.3
0gおよびＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタ
ール3.86gを加え、室温で１時間攪拌する。ついで、４
−フルオロアニリン3.78gを加え、室温で10時間攪拌
し、減圧下に溶媒を留去する。得られた残留物をカラム
クロマトグラフィー［溶離液；ヘキサン：酢酸エチル＝
７：１］で精製すれば、黄色結晶の１−（４−ブロモ−
２−フルオロベンゾイル）−２−（４−フルオロアニリ
ノ）−１−ニトロエチレン3.19gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1669 NMR(DMSO-d₆)δ値:5.41-9.14(8H,m),11.90(1H,bs)

【００４３】参考例４ １−（４−ブロモ−２−フルオロベンゾイル）−２−
（４−フルオロアニリノ）−１−ニトロエチレン3.15g
をＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド31mlに溶解させ、炭酸
カリウム1.70gを加え、60℃で30分間攪拌する。反応混
合物を室温まで冷却後、水300mlを加え、析出した結晶
を濾取すれば、無色結晶の７−ブロモ−１−（４−フル
オロフェニル）−３−ニトロ−１,４−ジヒドロ−４−
オキソキノリン2.88gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1649 NMR(DMSO-d₆)δ値:7.13(1H,d,J=1.5Hz),7.20-7.95(5H,
m),8.28(1H,d,J=8.8Hz),9.14(1H,s)

【００４４】実施例１ （１）７−ブロモ−１−（４−フルオロフェニル）−３
−ニトロ−１,４−ジヒドロ−４−オキソキノリン2.83g
をトルエン57mlに懸濁させ、ついで、４−トリメチルス
タニルピリジン1.89gおよびテトラキス（トリフェニル
ホスフィン）パラジウム（０）50.0mgを加えた後、窒素
雰囲気下、18時間加熱還流する。反応混合物を減圧下に
溶媒を留去し、得られた残留物をカラムクロマトグラフ
ィー［溶離液；クロロホルム：アセトン＝２：１］で精
製した後、ジエチルエーテルを加え、結晶を濾取すれ
ば、無色結晶の１−（４−フルオロフェニル）−３−ニ
トロ−７−（ピリジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ
−４−オキソキノリン1.97gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1646 NMR(DMSO-d₆)δ値:7.26(1H,d,J=1.0Hz),7.30-8.70(10H,
m),9.18(1H,s)

【００４５】（２）（１）と同様にして、６−フルオロ
−１−（４−フルオロフェニル）−３−ニトロ−７−
（ピリジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ−４−オキ
ソキノリンを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1653 NMR(DMSO-d₆)δ値:7.17(1H,d,J=5.9Hz),7.30-7.95(6H,
m),8.21(1H,d,J=10.2Hz),8.50-8.70(2H,m),9.20(1H,s)

【００４６】（３）塩化スズ（２）3.20gを、濃塩酸48m
lに溶解させ、90℃で１−（４−フルオロフェニル）−
３−ニトロ−７−（ピリジン−４−イル）−１,４−ジ
ヒドロ−４−オキソキノリン1.93gを10分間を要して分
割して添加し、同温度で１時間攪拌する。反応混合物を
冷却した後、５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液でpH13に調整
し、結晶を濾取すれば、黄色結晶の３−アミノ−１−
（４−フルオロフェニル）−７−（ピリジン−４−イ
ル）−１,４−ジヒドロ−４−オキソキノリン1.40gを得
る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1630 NMR(DMSO-d₆)δ値:4.62(2H,bs),7.10-7.85(9H,m),8.38
(1H,d,J=8.3Hz),8.60(2H,d,J=5.8Hz)

【００４７】実施例２ 実施例１（３）と同様にして、３−アミノ−６−フルオ
ロ−１−（４−フルオロフェニル）−７−（ピリジン−
４−イル）−１,４−ジヒドロ−４−オキソキノリンを
得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1621 NMR(DMSO-d₆)δ値:4.64(2H,bs),δ:7.07(1H,d,J=6.4H
z),7.39-7.66(7H,m),8.01(1H,d,J=11.1Hz),8.63(2H,dd,
J=4.5Hz,1.6Hz)

【００４８】実施例３ ギ酸1.10gおよび無水酢酸1.23gを40℃で２時間加熱攪拌
する。ついで、反応混合物を、３−アミノ−１−（４−
フルオロフェニル）−７−（ピリジン−４−イル）−
１,４−ジヒドロ−４−オキソキノリン0.20gの塩化メチ
レン３mlの懸濁液に20℃で加える。同温度で10分間攪拌
後、ジイソプロピルエーテル30mlを加え、結晶を濾取す
る。得られた結晶を水５mlに懸濁し、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液でpH９に調整し、結晶を濾取すれば、淡黄
色結晶の３−ホルミルアミノ−１−（４−フルオロフェ
ニル）−７−（ピリジン−４−イル）−１,４−ジヒド
ロ−４−オキソキノリン0.15gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1677,1625 NMR(DMSO-d₆)δ値:7.10-7.95(8H,m),8.20-8.75(4H,m),
9.10(1H,s),9.91(1H,bs)

【００４９】実施例４ 実施例３と同様にして、６−フルオロ−１−（４−フル
オロフェニル）−３−ホルミルアミノ−７−（ピリジン
−４−イル）−１,４−ジヒドロ−４−オキソキノリン
を得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1682,1621 NMR(DMSO-d₆)δ値:7.14(1H,d,J=6.3Hz),7.32-8.71(10H,
m),9.10(1H,s),9.91(1H,bs)

【００５０】実施例５ ３−アミノ−１−（４−フルオロフェニル）−７−（ピ
リジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ−４−オキソキ
ノリン0.20gをメタノール３mlに懸濁し、無水酢酸0.15g
を20℃で加え、同温度で２時間攪拌する。反応混合物に
ジイソプロピルエーテル30mlを加え、結晶を濾取する。
得られた結晶を水５mlに懸濁し、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液でpH９に調整し、結晶を濾取すれば、淡黄色結
晶の３−アセチルアミノ−１−（４−フルオロフェニ
ル）−７−（ピリジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ
−４−オキソキノリン0.18gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1685,1626 NMR(DMSO-d₆)δ値:2.15(3H,s),7.15-7.90(11H,m),9.05
(1H,s),9.34(1H,bs)

【００５１】実施例６ ３−アミノ−１−（４−フルオロフェニル）−７−（ピ
リジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ−４−オキソキ
ノリン0.20gを塩化メチレン４mlに懸濁し、20℃でメタ
ンスルホニルクロライド0.10gおよびピリジン0.07gを加
え、同温度で12時間攪拌する。反応混合物にジイソプロ
ピルエーテル30mlを加え、結晶を濾取する。得られた結
晶を水５mlに懸濁し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で
pH９に調整し、結晶を濾取すれば、淡黄色結晶の３−メ
タンスルホニルアミノ−１−（４−フルオロフェニル）
−７−（ピリジン−４−イル）−１,４−ジヒドロ−４
−オキソキノリン0.15gを得る。 IR(KBr)cm^-1:ν_C=O 1626 NMR(DMSO-d₆)δ値:3.06(3H,s),7.10-8.75(12H,m),8.88
(1H,bs)

【００５２】

【発明の効果】本発明化合物のキノロンまたはナフチリ
ドン化合物もしくはそれらの塩は、優れた抗ヘルペスウ
イルス活性を有し、医薬品として有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松原 信之 富山県富山市中川原新町285−４ (72)発明者 白木 公康 富山県富山市五福末広町2556−４

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ［式中、Ｒ¹は、置換されていてもよいアルケニル、シ
   クロアルキル、アリールまたは複素環式基を；Ｒ²は、
   保護されていてもよいアミノもしくはアルキルアミノ基
   または置換されていてもよいアシルアミノもしくはアル
   キルスルホニルアミノ基を；Ｘは、水素原子またはハロ
   ゲン原子を；Ｒ³は、置換されていてもよいアリールま
   たは複素環式基を；Ａは、ＮまたはＣＨを示す。］で表
   わされるキノロンまたはナフチリドン化合物もしくはそ
   れらの塩。
2. 【請求項２】Ｒ²が保護されていてもよいアミノもしく
   は低級アルキルアミノ基または置換されていてもよいア
   シルアミノもしくは低級アルキルスルホニルアミノ基で
   ある請求項１記載のキノロンまたはナフチリドン化合物
   もしくはそれらの塩。
3. 【請求項３】Ｒ¹が置換されていてもよい低級アルケニ
   ル、シクロアルキル、アリールまたは複素環式基である
   請求項１または２記載のキノロンまたはナフチリドン化
   合物もしくはそれらの塩。
4. 【請求項４】Ｒ¹が置換されていてもよいシクロアルキ
   ル、アリールまたは複素環式基；Ｒ³が置換されていて
   もよい複素環式基である請求項１または２記載のキノロ
   ンまたはナフチリドン化合物もしくはそれらの塩。
5. 【請求項５】 ［式中、Ｒ¹は、置換されていてもよいアルケニル、シ
   クロアルキル、アリールまたは複素環式基を；Ｒ²は、
   保護されていてもよいアミノもしくはアルキルアミノ基
   または置換されていてもよいアシルアミノもしくはアル
   キルスルホニルアミノ基を；Ｘは、水素原子またはハロ
   ゲン原子を；Ｒ³は、置換されていてもよいアリールま
   たは複素環式基を；Ａは、ＮまたはＣＨを示す。］で表
   わされるキノロンまたはナフチリドン化合物もしくはそ
   れらの塩を含有する抗ヘルペスウイルス剤。
6. 【請求項６】Ｒ²が保護されていてもよいアミノもしく
   は低級アルキルアミノ基または置換されていてもよいア
   シルアミノもしくは低級アルキルスルホニルアミノ基で
   ある請求項５記載のキノロンまたはナフチリドン化合物
   もしくはそれらの塩を含有する抗ヘルペスウイルス剤。
7. 【請求項７】Ｒ¹が置換されていてもよい低級アルケニ
   ル、シクロアルキル、アリールまたは複素環式基である
   請求項５または６記載のキノロンまたはナフチリドン化
   合物もしくはそれらの塩を含有する抗ヘルペスウイルス
   剤。
8. 【請求項８】Ｒ¹が置換されていてもよいシクロアルキ
   ル、アリールまたは複素環式基；Ｒ³が置換されていて
   もよい複素環式基である請求項５または６記載のキノロ
   ンまたはナフチリドン化合物もしくはそれらの塩を含有
   する抗ヘルペスウイルス剤。