JPH0562979A

JPH0562979A - 半導体装置及びその実装方法

Info

Publication number: JPH0562979A
Application number: JP3219519A
Authority: JP
Inventors: Masae Minamizawa; 正▲栄▼ 南澤; Noboru Sakaguchi; 登坂口
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-08-30
Filing date: 1991-08-30
Publication date: 1993-03-12
Anticipated expiration: 2014-12-13
Also published as: JP2989696B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、半導体チップと回路基板との熱膨張
係数の違いによるバンプ電極の破断が生じにくく、且つ
リペアが容易である構造のフリップチップ方式の半導体
装置を提供することを目的とする。【構成】表面に突起状の複数の絶縁体が形成されている
第一の基板（１１）及び第二の基板（１１’）が、該第
一の基板（１１）に設けられている複数の第一の絶縁体
（１６）と、該第二の基板（１１’）に設けられている
複数の第二の絶縁体（１６’）を噛み合わせることによ
り結合され、前記第一の絶縁体（１６）のうち少なくと
も１つには、中心部に貫通穴を有し、該貫通穴に柱状金
属体（１９）が充填されることによって形成されたバン
プが外部接続端子として設けられており、該バンプは、
該第二の基板の対応する位置に設けられた電極パッド
（１２ａ’）に電気的に接続されるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその実
装方法に関し、特にフリップチップ方式の半導体装置及
びその実装方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のフリップチップ方式の組立に使用
する半導体装置の構造及び製造方法については、例え
ば、特開平１−１８７９４８号公報に記載されている。
以下、この従来のフリップチップ方式の半導体装置の製
造方法について図８を参照して説明する。

【０００３】図中、１は半導体チップ、２は絶縁膜、３
はメタライズ層、４は障壁金属層、５はポリイミド層、
６は開口、７は柱状電極層、８ははんだバンプを示して
いる。

【０００４】図８−ａにおいて、能動領域が形成されて
いる半導体チップ１の表面にメタライズ層３を形成す
る。次いで、全面に絶縁膜２を形成したのち、メタライ
ズ層３上の絶縁膜２を選択的に除去する。

【０００５】次に、メタライズ層３を含めた半導体チッ
プ１の全表面に、メタライズ層３との密着性が良く、各
金属相互間の拡散による劣化を起こさないような金属を
スパッタリング法または金属蒸着法により形成し、障壁
金属層４とする。障壁金属層４は、メタライズ層３の上
に、まず、チタンまたはクロムを蒸着し、その上に重ね
て銅またはニッケルを蒸着して二層構造にする。チタン
またはクロムの薄膜層は、その後の障壁金属層４のエッ
チング工程を考慮して通常０．０５〜０．１μｍ程度の
厚さに抑えて形成する。

【０００６】図８−ｂにおいて、ポリイミド層５を障壁
金属層４の全面に３０〜５０μｍ厚さに塗布し、硬化す
る。図８−ｃにおいて、メタライズ層３の上にあるポリ
イミド層５の領域を、酸素または四フッ化炭素と酸素と
の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング法により選
択除去し、開口６を形成する。

【０００７】図８−ｄにおいて、ニッケルまたは銅のよ
うにはんだとのぬれ性の良い金属を電解めっき法により
開口６を埋めて柱状電極層７を形成する。次に、電解め
っき法またはディップ法により、はんだバンプ８を柱状
電極層７の上に傘形になるように形成する。はんだに
は、例えば鉛９５％、錫５％のものを用いる。

【０００８】図８−ｅにおいて、傘形に形成されたはん
だバンプ８をマスクにしてドライエッチング法により、
はんだバンプ８以外の領域のポリイミド層５を除去し
て、柱状電極層７の側面にあるポリイミド層５を残す。

【０００９】図８−ｆにおいて、はんだバンプ８の下に
位置する領域以外の部分の障壁金属層４をウェットエッ
チング法で除去する。このように、電解めっき法により
柱状電極層７を形成するときに、ポリイミド層５がある
ため、めっき層は横の拡がりを抑えられて高く形成でき
るので、絶縁膜２からはんだバンプ８の最上部までの高
さを高くすることができる。また、ポリイミド層５で被
覆された柱状電極層７の上にはんだバンプ８を形成する
ので、はんだが柱状電極層７の側面に廻り込むことな
く、ばらつきの少ない高さのはんだバンプ８が得られ
る。

【００１０】次に、この半導体チップ１を回路基板９に
組立てるフリップチップ法について説明する。図９は、
半導体チップ１を回路基板９に接続した状態を示す側面
図である。

【００１１】従来、半導体チップや基板等の位置合わ
せ、組立においてフリップチップボンダーのような装置
を用いる。まず、ボンダーにて半導体チップ１のはんだ
バンプ８に対応した位置に電極パッド（図示せず）が設
けられている回路基板９に、半導体チップ１のはんだバ
ンプ８を回路基板９の電極パッドと互いに突合わせて位
置決めし、半導体チップ１を回路基板９に搭載する。こ
のとき、適切な圧力と加熱をすることによりはんだバン
プ８を再溶融させ、接続体１０を形成することにより半
導体チップ１と回路基板９が接続される。

【００１２】かくして、フリップチップ方式の半導体装
置が形成される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、以上述べた
ような従来のフリップチップ方式の半導体装置における
バンプは、はんだバンプ８を再溶融して接続体１０を形
成することにより、半導体チップ１が回路基板９に接続
される。すなわち、接続をするためには両者に圧力及
び、熱を加えてハンダの共晶合金を形成しなければなら
ない。そして、両者間には熱膨張係数差があるため、半
導体チップ１と回路基板９との接続後のこれら電子部品
の発熱や、これらを取り巻く環境温度変化により接合部
（バンプ）に繰り返し剪断応力が発生し、金属疲労によ
る接合破断の恐れがある。また、バンプの高さを高くす
ると熱サイクルによる破断をある程度防止できるが、破
断が起こる可能性がなくなるわけではない。

【００１４】また、半導体チップ１と回路基板９との接
続が接合不良と判定された場合リペアすなわち、一旦半
導体チップ１と回路基板９とを引き離した後、再度半導
体チップ１と回路基板９とを接続する場合には、はんだ
の共晶合金を溶かして半導体チップ１と回路基板９を分
解しなければならず、また、再度ボンディングを行うた
めには、回路基板９上の電極パッドに付着したはんだを
除去するためにクリーニングを施さなければならないと
いう問題点がある。

【００１５】このように従来、半導体チップと回路基板
との熱膨張係数の違いによるバンプ電極の破断が生じに
くく、かつリペアが容易である構造のフリップチップ方
式の半導体装置がなかった。

【００１６】本発明は、半導体チップと回路基板との熱
膨張係数の違いによるバンプ電極の破断が生じにくく、
かつリペアが容易である構造のフリップチップ方式の半
導体装置を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記の問題点は、以下に
示す半導体装置により解決される。図１は、バンプを有
する第一の基板と、電極パッドを有する第二の基板とを
接続した本発明のフリップチップ方式の半導体装置の要
部側面図を示している。すなわち、本発明による半導体
装置は、図１−ａのように、基板上に突起状の複数の絶
縁体が形成されており、該絶縁体のうち少なくとも１つ
は、中心部に貫通穴を有し、該貫通穴に柱状金属体が充
填されることによって形成されたバンプが外部接続端子
として設けられており、該絶縁体と該絶縁体の間には、
少なくとも１つの電極パッドが形成されている第一の基
板（１１）及び第二の基板（１１’）が、該第一の基板
（１１）に設けられている複数の第一の絶縁体（１６）
と、該第二の基板（１１’）に設けられている複数の第
二の絶縁体（１６’）とを交互に噛み合わせて、常温に
て加圧することにより一体に形成され、一方の基板上に
ある該バンプは、他方の基板の対応する位置に設けられ
た該電極パッド（１２ａ’）に電気的に接続されてい
る。

【００１８】または、図１−ｂのように、前記バンプの
みを所定の間隔にて形成している第一の基板（２１）
と、該電極パッド（２７）と第二の絶縁体（２８）のみ
が交互に形成されている第二の基板（２６）の表面どう
しを向かい合わせたときに、該第一の基板（２１）上に
ある該バンプが、該第二の基板（２６）の対応する位置
に設けられた該電極パッド（２７）に電気的に接続され
ている。

【００１９】また、前記半導体装置のリペア方法は、図
５−ｂ，ｄのように、前記第一の基板（１１）の前記バ
ンプと前記第二の基板（１１’）の前記電極パッド（１
２ａ’）との電気的導通の試験を行いその結果、接合不
良と判定された場合、加熱をすることなく、該第一の基
板（１１）を適当な力で上方に引き上げて、該第一の基
板（１１）と該第二の基板（１１’）を分離する。次い
で、リペアした後、再び該第一の基板（１１）に設けら
れている複数の前記第一の絶縁体（１６）と該第二の基
板（１１’）に設けられている複数の前記第二の絶縁体
（１６’）を噛み合わせて、加圧することにより該バン
プと該電極パッド（１２ａ’）とを電気的に接続する。

【００２０】

【作用】本発明では、図１のような構成にすることか
ら、次のような作用がえられる。（１）基板と基板との表面どうしを向かい合わせたとき
に、樹脂と樹脂とがかみあうように形成されているた
め、２つの基板の接続には、加熱を必要とせず加圧のみ
でよく、接続が容易である。従って、バンプと電極パッ
ドの接続は、はんだ等の共晶反応を利用した物理的接合
と異なり、接触状態である。また、バンプ−パンプ間
は、柔軟性に富むポリイミド樹脂絶縁層の接触により固
定されていることから、２つの基板間の熱膨張率のミス
マッチングを緩和でき、接合部へのダメージをかなり軽
減できる。

【００２１】（２）接合不良等でリペアを行う場合、基
板を適当な力で上方に引き上げるのみでよい。また、リ
ペア後のクリーニングが不要であるため非常に簡易であ
る。

【００２２】

【実施例】以下、本発明を２つの実施例について図面を
参照し、具体的に説明する。本発明の第１の実施例は、
図２、図３、図４、図５及び図１−ａに示される。

【００２３】まず、図２と図３とを用いて、バンプ電極
及び電極パッドを有する基板の製造方法について説明す
る。図２−ａにおいて、Ｓｉ基板１１上に、蒸着法によ
り全面にメタライズ層１２となる厚さ１．０〜１．５μ
ｍ程度のアルミ層を形成する。次いで、全面にフォトレ
ジスト（図示せず）を塗布し、フォトリソグラフ法を使
ってフォトレジストのパターンを形成し、該フォトレジ
ストをマスクにして、メタライズ層１２を形成する領域
以外のアルミ層をエッチング除去し、メタライズ層１２
を形成する。次いで、レジストマスクを除去後、ＣＶＤ
法（化学気相成長法）により全面に４μｍの絶縁膜とな
るＳｉＯ₂膜１３を形成し、パターニングされたレジス
トマスク（図示せず）により、メタライズ層１２上のＳ
ｉＯ₂膜１３を選択的に除去する。その後、レジストマ
スクを除去する。

【００２４】図２−ｂにおいて、蒸着法により全面にク
ロム層、銅層、ニッケル層を順次形成する。これらの層
を総称して、障壁金属層１４とする。障壁金属層１４の
厚さは３μｍである。次いで、全面にフォトレジスト１
５を塗布し、フォトリソグラフ法によりフォトレジスト
１５のパターンを形成する。

【００２５】図２−ｃにおいて、フォトレジスト１５を
マスクにしてウエットエッチングにより、メタライズ層
１２上以外の障壁金属層１４を除去したのち、レジスト
マスク１５を除去する。

【００２６】図２−ｄにおいて、全面に厚さ十数μｍの
感光性ポリイミドを塗布し、フォトリソグラフ法により
メタライズ層１２上に、その中心に柱状金属層充填のた
めの貫通穴を有するポリイミド樹脂絶縁層１６を形成す
る。場合により、必要な厚さに応じてポリイミド樹脂絶
縁層１６の形成を繰り返すとよい。

【００２７】図３−ａにおいて、蒸着法により全面にク
ロム層、銅層、ニッケル層を順次形成する。これらの層
を総称して、障壁金属層１７とする。障壁金属層１７の
厚さは３μｍである。次いで、全面にフォトレジスト１
８を塗布し、フォトリソグラフ法によりポリイミド樹脂
絶縁層１６の内側の貫通穴のみ開穴するように、フォト
レジスト１８のパターンを形成する。

【００２８】図３−ｂにおいて、貫通穴の内部に銅、ニ
ッケルあるいは金等の熱電導率または、電気伝導率の良
好な金属を電解めっき法により、ポリイミド樹脂絶縁層
１６の上端より３〜１０μｍ程度盛り上がるように充填
し、柱状金属層１９を形成する。次いで、フォトレジス
ト１８を除去する。

【００２９】図３−ｃにおいて、全面にフォトレジスト
２０を塗布し、フォトリソグラフ法によりフォトレジス
ト２０のパターンを形成する。図３−ｄにおいて、フォ
トレジスト２０をマスクにして、ウエットエッチングに
より、メタライズ層１２上と柱状電極層１９周辺以外の
障壁金属層１７を除去したのち、レジストマスク２０を
除去する。かくして、ポリイミド樹脂絶縁層１６と柱状
金属層１９からなるバンプと、その左右に、メタライズ
層１２と障壁金属層１４，１７からなる電極パッド１２
ａが形成される。

【００３０】以上で、バンプ電極の製造工程を終わる。
次に、半導体装置の組立方法について説明する。図４−
ａは、本発明の図２と図３の工程にて作成した第１の実
施例におけるＳｉ基板１１の平面図である。

【００３１】図４−ｂは、本発明の第１の実施例におけ
るＳｉ基板１１の断面図であり、図４−ａのＡ−Ａ断面
図を示している。図４から明らかなごとく、バンプはメ
タライズ層１２と、その上に形成された障壁金属層１
４，１７と、その上に形成された柱状金属層１９と、こ
の柱状金属層１９の側面にその上端が柱状金属層１９の
上端より低くなるように形成したポリイミド樹脂絶縁層
１６から構成され、このバンプは、所定間隔にて一列に
形成されている。また、バンプ−バンプ間は、バンプを
形成する際のメタライズ層１２と障壁金属層１４，１７
を残したものであり、それらは電極パッド１２ａとな
る。

【００３２】図１−ａは、図３−ｄのようなＳｉ基板１
１とＳｉ基板１１’の表面どうしを向かい合わせ、接続
させたときの断面図である。接続の方法としては、従来
からのフリップチップ方式と同様にてバンプの位置合わ
せを行い、Ｓｉ基板１１の突起状のポリイミド１６とＳ
ｉ基板１１’の突起状のポリイミド１６’を噛み合わせ
て、両者間に適切な圧力条件にて加圧し、２つの基板の
接続を行う。圧力は、バンプサイズにより１バンプ当た
り１０〜５０ｇが望ましい。

【００３３】図５−ａは、本発明の第１の実施例におけ
るフリップチップ方式の半導体装置のバンプ及び電極パ
ッドのレイアウトの一例を示す平面透視図であり、図
中、□はＳｉ基板１１表面に形成されたバンプ、■は電
極パッド１２ａを示している。そして、Ｓｉ基板１１の
周縁部にバンプと電極パッド１２ａを交互に配置してい
る。一方、図５−ａのＢ−Ｂ断面図である図５−ｂに示
すようにＳｉ基板１１’のＳｉ基板１１のバンプを配置
した位置と対応した位置には電極パッド１２ａ’が配置
され、Ｓｉ基板１１の電極パッド１２ａを配置した位置
と対応した位置にはバンプが配置されている。

【００３４】そして、図５−ｂの如くＳｉ基板１１のバ
ンプとＳｉ基板１１’の電極パッド１２ａ’または、Ｓ
ｉ基板１１の電極パッド１２ａとＳｉ基板１１’のバン
プとを加熱をすることなく、Ｓｉ基板１１を適当な力で
押し下げることにより２つの基板の接続を行う。

【００３５】図５−ｃは、本発明の第１の実施例におけ
るフリップチップ方式の半導体装置のバンプ及び電極パ
ッドのレイアウトの他の例を示す平面透視図であり、Ｓ
ｉ基板１１表面上にはバンプと電極パッド１２ａが設け
られており、Ｓｉ基板１１の特定領域にバンプと電極パ
ッド１２ａが賽の目状に配置されている。また、図５−
ｃのＣ−Ｃ断面図である図５−ｄから明らかな如く、Ｓ
ｉ基板１１’のＳｉ基板１１のバンプを配置した位置と
対応する位置には電極パッド１２ａ’が配置され、電極
パッド１２ａを配置した位置に対応する位置にはＳｉ基
板１１’のバンプが配置されている。

【００３６】以上、バンプ及び電極パッドのレイアウト
の一例について説明したが、この例に限定されることは
なく、例えば、図５−ａのバンプと電極パッドの配列を
複数列にし、隣接する列のパンプと電極パッドの配列を
異なるように配列してもよい。

【００３７】次に、本発明の第２の実施例は、図６と図
１−ｂに示される。図６−ａにおいて、セラミック基板
２１上に、スパッタリング法により全面にチタン層、モ
リブデン層、ニッケル層、銅層を順次形成する。これら
の層を総称して、障壁金属層２２とする。障壁金属層２
２の厚さは５μｍである。次いで、全面にフォトレジス
ト２３を塗布し、フォトリソグラフ法によりフォトレジ
スト２３のパターンを形成する。

【００３８】図６−ｂにおいて、フォトレジスト２３を
マスクとして、柱状金属層を形成する領域以外の障壁金
属層２２をウエットエッチングにより除去する。場合に
より、セラミック基板２１と障壁金属層２２の密着性を
上げるために、７５０℃以上の還元雰囲気中にて、熱処
理を施す。

【００３９】図６−ｃにおいて、全面に３０μｍの感光
性ポリイミドを塗布し、障壁金属層２２上に、その中心
に柱状金属層充填のための貫通穴を有するポリイミド樹
脂絶縁層２４を形成する。

【００４０】図６−ｄにおいて、貫通穴の内部に銅、ニ
ッケルあるいは金等の熱電導率または、電気伝導率の良
好な金属を電解めっき法により、ポリイミド樹脂絶縁層
２４の上端より３〜１０μｍ程度盛り上がるように充填
し、柱状金属層２５を形成する。これにより、セラミッ
ク基板２１上に障壁金属層２２、ポリイミド２４及び柱
状金属層２５からなるバンプが形成される。

【００４１】図１−ｂは、本発明の第２の実施例におけ
る半導体装置の断面図である。これは、一方の基板が図
６のように、障壁金属層２２上に柱状金属層２５と、こ
の柱状金属層２５の側面に、その上端が柱状金属層２５
の上端より低くなるように形成したポリイミド樹脂絶縁
層２４から構成されるバンプのみを有するセラミック基
板２１であり、他方の基板が、電極パッドとなるメタラ
イズ層２７のブロックと、ポリイミド樹脂絶縁層２８の
ブロックのみを交互に有している基板２６である。そし
て、セラミック基板２１と基板２６とをポリイミド樹脂
絶縁層を噛み合わせることにより一体化し、これによ
り、バンプと電極パッドとを電気的に接続する。

【００４２】図７は、本発明の第３の実施例における半
導体装置の断面図である。これは、第１の実施例の変形
例であり、基板３１のバンプを配置した位置には基板４
１の電極パッド４２が配置され、基板３１の電極パッド
３２を配置した位置には基板４１のバンプが配置され、
また、基板３１と基板４１のそれぞれに、ダミーとなる
突起状のポリイミドを形成することによって、基板３１
の樹脂３３と基板４１の樹脂４３とを交互に噛み合わせ
た状態を示している。

【００４３】上述の如く、本実施例では、バンプと電極
パッドの接続において、はんだ等の共晶反応を利用せず
に、双方の基板の樹脂と樹脂とが噛み合うことにより、
バンプと電極パッドを接触させる。つまり、双方の基板
の接続は加圧のみでよく、基板間の熱膨張率のミスマッ
チングを緩和でき、バンプへのダメージをかなり軽減で
きる。

【００４４】尚、実施例では、メタライズ層にクロム、
銅、ニッケル等を使っているが、基板と金属や金属と絶
縁体等の密着性や、金属の導通性を考慮すれば何でもよ
いし、目的に応じて、何層にしてもよい。そして、基板
も、Ｓｉ基板、セラミック基板、ガラス基板等何でもよ
い。また、第一の実施例では、両方の基板にバンプが形
成されていて、第二の実施例では、一方の基板にのみ、
バンプが形成されていた。このように、どちらの基板に
バンプや電極パッドがあってもよい。つまり、２つの基
板を向かいあわせたときに、双方の基板に形成されてい
る樹脂と樹脂とが噛み合うようになっていればよい。

【００４５】次に、図５−ｂまたはｄを用いて本発明の
フリップチップ方式の半導体装置のリペア方法について
説明する。一般に、２枚の基板のバンプ電極と電極パッ
ドを接合させた後、バンプ電極と電極パッドとが電気的
に充分接合されているか否かを確認するための導通試験
を行う。この導通試験の結果、導通不良と判定された場
合には、以下の方法によりリペアを行う。すなわち、一
旦噛み合わされて一体化されていた２枚の基板を引き離
す。この時、物理的に引き離せばよく、熱を加えること
は不要である。次いで再度、２枚の基板を噛み合わせて
一体に形成し、バンプと電極パッドとを再度接続する。
この場合も、加熱を必要としない。

【００４６】このように、本発明でのリペアは加熱を必
要としないので、非常に簡単にリペアを行うことができ
る。

【００４７】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、２
つの基板の樹脂と樹脂とが噛み合うことで、バンプと電
極パッドを接触により接続することができる。つまり、
回路基板との熱膨張係数の違いによる破断が生じにく
い。また、リペア後のクリーニングが不要である半導体
装置を製造することができ、半導体集積回路の高性能
化、高密度化に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１−ａは本発明の第１の実施例、図１−ｂは
本発明の第２の実施例を説明する原理図である。

【図２】図２−ａ〜ｄは本発明の第１の実施例を説明す
る工程断面図である。

【図３】図３−ａ〜ｄは本発明の第１の実施例を説明す
る工程断面図である。

【図４】図４−ａは本発明の第１の実施例の基板の平面
図であり、図４−ｂは本発明の第一の実施例の基板の断
面図である。

【図５】図５−ａ，ｃは本発明の第１の実施例の半導体
装置の平面図であり、図５−ｂ，ｄは本発明の第１の実
施例の半導体装置の断面図である。

【図６】図６−ａ〜ｄは本発明の第２の実施例を説明す
る工程断面図である。

【図７】本発明の第３の実施例の基板間の断面図であ
る。

【図８】図８−ａ〜ｆは従来のバンプ構造の製造方法を
示した工程断面図である。

【図９】従来の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１３絶縁膜となるＳｉＯ₂膜１６絶縁層となるポリイミド樹脂１９バンプ電極となる柱状金属層２２電極パッドとなる障壁金属層２４絶縁層となるポリイミド樹脂２５バンプ電極となる柱状金属層２７電極パッドとなるメタライズ層２８絶縁層となるポリイミド樹脂３４バンプ電極となる柱状金属層４４バンプ電極となる柱状金属層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に突起状の複数の絶縁体が形成され
ており、該絶縁体のうち少なくとも１つは、中心部に貫通穴を有
し、該貫通穴に導電体が充填されることによって形成さ
れたバンプが外部接続端子として設けられていることを
特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１において、前記絶縁体と前記絶縁
体の間には、少なくとも１つの電極パッドが外部接続端
子として設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】表面に突起状の複数の絶縁体が形成されて
いる第一の基板（１１）及び第二の基板（１１’）が、
該第一の基板（１１）に設けられている複数の第一の絶
縁体（１６）と、該第二の基板（１１’）に設けられて
いる複数の第二の絶縁体（１６’）を噛み合わせること
により結合され、前記第一の絶縁体（１６）のうち少なくとも１つには、
中心部に貫通穴を有し、該貫通穴に導電体（１９）が充
填されることによって形成されたバンプが外部接続端子
として設けられており、該バンプは、該第二の基板の対応する位置に設けられた
電極パッド（１２ａ’）に電気的に接続されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項４】前記第一の基板（１１）と前記第二の基板
（１１’）の両方に前記バンプと前記電極パッド（１２
ａ’）が形成されていることを特徴とする請求項３記載
の半導体装置。
【請求項５】第一の基板（２１）は、前記バンプのみ、
または、前記バンプと突起状の前記第一の絶縁体のみを
有し、第二の基板（２６）は、前記電極パッド（２７）
と突起状の前記第二の絶縁体（２８）のみを有している
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】前記請求項３及至５のいずれか記載の半導
体装置の前記第一の基板（１１）の前記バンプと前記第
二の基板（１１’）の前記電極パッド（１２ａ’）を電
気的に接続するにあたって、該第一の基板（１１）に設
けられている複数の前記第一の絶縁体（１６）と、該第
二の基板に設けられている複数の前記第二の絶縁体（１
６’）を噛み合わせて、加圧することにより前記パンプ
と該電極パッド（１２ａ’）とを電気的に接続する工程
を有することを特徴とする半導体装置の実装方法。