JPH0481325B2 - - Google Patents
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- JPH0481325B2 JPH0481325B2 JP57107794A JP10779482A JPH0481325B2 JP H0481325 B2 JPH0481325 B2 JP H0481325B2 JP 57107794 A JP57107794 A JP 57107794A JP 10779482 A JP10779482 A JP 10779482A JP H0481325 B2 JPH0481325 B2 JP H0481325B2
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- Japan
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- gas
- etching
- discharge
- electrode
- electrodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
半導体装置をはじめとする各種装置の製造作業
において、しばしばその半導体、磁性体、絶縁体
等の各種材料に対する穿孔、除去等のエツチング
作業が行われる。
において、しばしばその半導体、磁性体、絶縁体
等の各種材料に対する穿孔、除去等のエツチング
作業が行われる。
このエツチング、特に乾式法によるエツチング
としてイオンビームエツチング（またはイオンミ
リングと呼称され、以下この方法をIMと略称す
る）法が広く用いられている。このイオンビーム
エツチングは、これに用いるガスの種類によつて
２つに分類される。即ち、そのひとつはAr、
He、Ne等の不活性ガスを使用するイオンビーム
エツチングであり、他のひつとはCF4、CCl4、O2
等の反応性に富むガスを使用するイオンビームエ
ツチングであつて、このような反応性ガスを用い
るものはリアクテイブイオンビームエツチング
（またはリアクテイブイオンミリング）と呼称
（以下RIMと略称する）される。
としてイオンビームエツチング（またはイオンミ
リングと呼称され、以下この方法をIMと略称す
る）法が広く用いられている。このイオンビーム
エツチングは、これに用いるガスの種類によつて
２つに分類される。即ち、そのひとつはAr、
He、Ne等の不活性ガスを使用するイオンビーム
エツチングであり、他のひつとはCF4、CCl4、O2
等の反応性に富むガスを使用するイオンビームエ
ツチングであつて、このような反応性ガスを用い
るものはリアクテイブイオンビームエツチング
（またはリアクテイブイオンミリング）と呼称
（以下RIMと略称する）される。
IM法による場合、一般にカウフマン型が用い
られる。カウフマン型のイオン源は、フイラメン
トを加熱してそこから放出される熱電子を直流電
界によつて加速し、磁界印加によつて電子と気体
分子との衝突確率を高めてグロー放電（またはプ
ラズマと呼ぶ）を発生させるものである。このよ
うなイオン源は、不活性ガスを用いる場合に適す
るが、前述したRIM法においては活性ガスが用
いられるために、その活性ガスの放電によつてフ
イラメントに急速な劣化を生じさせ、その放電が
不安定で且つ長時間の使用に耐えられない。しか
しながら上述したRIM法は上述したIM法に比し
て多くの利点を有する。即ち、このRIM法によ
る場合、これが反応性に富む活性なイオンを使用
するためその放電ガスの選定によつて被エツチン
グ体の材質によるエツチング速度差（エツチング
の選択性という）が得られ選択性エツチングに適
するという利点を有する。更にこのRIM法にお
いては、イオンの衝突によるスパツタリング効果
に加えて活性化イオン及び活性化した中性ラジカ
ル分子の化学反応により揮発性反応物として被エ
ツチング物質の除去が行われるため、エツチング
された物質が再び被エツチング面に付着するとい
う問題が生じない。更にまたRIM法は不活性ガ
スによるIM法に比して被エツチング面の２次電
子放出によるチヤージアツプ現象が生じにくい傾
向にあり、いわゆるニユートライザーによるビー
ムの中性化はあまり必要としない。更にまた
RIM法による場合、不活性ガスによるIM法と同
様に被エツチング面に入射するイオンの運動エネ
ルギー及び入射方向を高い自由度をもつて制御で
きるので、被エツチング物のエツチング形状の制
御が可能となるという利点を有する。更にまた
RIM法は化学的に活性なイオン及び中性ラジカ
ルをもエツチングに利用できるので不活性ガス単
独使用の場合より被エツチング物質のエツチング
速度を増大或いは減少させ得てその制御が容易と
なるなどの利点を有する。
られる。カウフマン型のイオン源は、フイラメン
トを加熱してそこから放出される熱電子を直流電
界によつて加速し、磁界印加によつて電子と気体
分子との衝突確率を高めてグロー放電（またはプ
ラズマと呼ぶ）を発生させるものである。このよ
うなイオン源は、不活性ガスを用いる場合に適す
るが、前述したRIM法においては活性ガスが用
いられるために、その活性ガスの放電によつてフ
イラメントに急速な劣化を生じさせ、その放電が
不安定で且つ長時間の使用に耐えられない。しか
しながら上述したRIM法は上述したIM法に比し
て多くの利点を有する。即ち、このRIM法によ
る場合、これが反応性に富む活性なイオンを使用
するためその放電ガスの選定によつて被エツチン
グ体の材質によるエツチング速度差（エツチング
の選択性という）が得られ選択性エツチングに適
するという利点を有する。更にこのRIM法にお
いては、イオンの衝突によるスパツタリング効果
に加えて活性化イオン及び活性化した中性ラジカ
ル分子の化学反応により揮発性反応物として被エ
ツチング物質の除去が行われるため、エツチング
された物質が再び被エツチング面に付着するとい
う問題が生じない。更にまたRIM法は不活性ガ
スによるIM法に比して被エツチング面の２次電
子放出によるチヤージアツプ現象が生じにくい傾
向にあり、いわゆるニユートライザーによるビー
ムの中性化はあまり必要としない。更にまた
RIM法による場合、不活性ガスによるIM法と同
様に被エツチング面に入射するイオンの運動エネ
ルギー及び入射方向を高い自由度をもつて制御で
きるので、被エツチング物のエツチング形状の制
御が可能となるという利点を有する。更にまた
RIM法は化学的に活性なイオン及び中性ラジカ
ルをもエツチングに利用できるので不活性ガス単
独使用の場合より被エツチング物質のエツチング
速度を増大或いは減少させ得てその制御が容易と
なるなどの利点を有する。
上述したようにRIM法による場合多くの利点
を有するものである。ところが上述したようにこ
の場合反応性ガスが用いられるために従来長時間
安定したイオンビームをとり出すことにおいて問
題が生じる。一方このRIM法においてそのイオ
ンビームをとり出す方法としては種々のものが研
究されており、例えば特開昭56−3577号（特公昭
57−2788号）に記載された発明などがある。
を有するものである。ところが上述したようにこ
の場合反応性ガスが用いられるために従来長時間
安定したイオンビームをとり出すことにおいて問
題が生じる。一方このRIM法においてそのイオ
ンビームをとり出す方法としては種々のものが研
究されており、例えば特開昭56−3577号（特公昭
57−2788号）に記載された発明などがある。
本発明においては、上述したRIM法をも実施
することができ、例えば、これによるエツチング
を安定に、且つ広域に亘つて均一に行うことがで
きるようにしたイオンビーム装置を提供するもの
である。
することができ、例えば、これによるエツチング
を安定に、且つ広域に亘つて均一に行うことがで
きるようにしたイオンビーム装置を提供するもの
である。
本発明の説明に先立つて、本発明の理解を容易
にするために、更に、RIM法におけるイオン源
として要求される条件を列記する。
にするために、更に、RIM法におけるイオン源
として要求される条件を列記する。
(1) ガス圧力が10-5〜10-3トル（Torr）で放電
すること、即ちイオンミリングによる場合、放
電中からそのイオンをとり出してそのエツチン
グを行うものであるが、そのエツチング効率を
高めるためには気体分子やイオンの平均自由行
程が数cm〜数十cm程度は必要となることからこ
のガス圧力の選定が要求されるものである。
すること、即ちイオンミリングによる場合、放
電中からそのイオンをとり出してそのエツチン
グを行うものであるが、そのエツチング効率を
高めるためには気体分子やイオンの平均自由行
程が数cm〜数十cm程度は必要となることからこ
のガス圧力の選定が要求されるものである。
(2) またこの反応性ガスを用いるにかかわらず長
時間安定した放電を維持できること。
時間安定した放電を維持できること。
(3) 被エツチング体が例えば半導体ウエフアーで
あるような場合、量産性の上からウエフアーの
全面に亘つて、或いは複数のウエフアーに関し
て一度に均一なエツチングを行うことができる
ようにするために、そのエツチング面積は少く
ともウエフアーの直径若しくはそれ以上の大口
径のイオンビームが必要となる。
あるような場合、量産性の上からウエフアーの
全面に亘つて、或いは複数のウエフアーに関し
て一度に均一なエツチングを行うことができる
ようにするために、そのエツチング面積は少く
ともウエフアーの直径若しくはそれ以上の大口
径のイオンビームが必要となる。
(4) 放電中からイオンビームを引き出し、イオン
や電子エネルギーをコントロールできることが
望まれる。
や電子エネルギーをコントロールできることが
望まれる。
本発明装置においては、これら(1)〜(4)の条件を
すべて満たしたイオン流を得ることができるもの
である。
すべて満たしたイオン流を得ることができるもの
である。
第１図を参照して本発明によるエツチング装置
の一例を説明する。
の一例を説明する。
この例では、例えば石英ガラルより成る密閉容
器１を設け、その例えば下方に高周波励起型イオ
ン源を構成する例えば同様に石英ガラスより成る
透明の容器２を気密に配置する。容器１には被エ
ツチング体３例えばシリコンウエフアー３を支持
する支持台４を配置する。この支持台４は、例え
ばれ冷却水が循環するようになされた冷却手段
（図示せず）を具備してこれが冷却状態を保持す
るようになされる。そしてこの支持台４下にこれ
によつて冷却され且つ例えば軸心Ｏ−O′に対し
て回転するようになされた回転台５が設けられ、
更にこの回転台５に対して回転するようになされ
た軸助台６が設けられてこれに被エツチング対
３、例えばシリコンウエフアーが取付けられるよ
うになされる。
器１を設け、その例えば下方に高周波励起型イオ
ン源を構成する例えば同様に石英ガラスより成る
透明の容器２を気密に配置する。容器１には被エ
ツチング体３例えばシリコンウエフアー３を支持
する支持台４を配置する。この支持台４は、例え
ばれ冷却水が循環するようになされた冷却手段
（図示せず）を具備してこれが冷却状態を保持す
るようになされる。そしてこの支持台４下にこれ
によつて冷却され且つ例えば軸心Ｏ−O′に対し
て回転するようになされた回転台５が設けられ、
更にこの回転台５に対して回転するようになされ
た軸助台６が設けられてこれに被エツチング対
３、例えばシリコンウエフアーが取付けられるよ
うになされる。
イオン源容器２内には、被エツチング体３の配
置面に対向して、例えば容器２の底面に板状の第
１の電極７が配置される。この第１の電極７は被
エツチング体３の全体的配置部の全域以上に亘つ
て対向するように広面積をもつて配置される。ま
た、この第１の電極７と被エツチング体３との間
に、被エツチング体３の全体的配置の全域以上に
亘つて第１の電極７と平行に対向しイオンが透過
し得るようになされたメツシユ状或いは複数の透
孔が穿設された電極板より成る第２の電極８を配
置する。これら電極７及び８間には所要の空間９
が形成されるようになされる。
置面に対向して、例えば容器２の底面に板状の第
１の電極７が配置される。この第１の電極７は被
エツチング体３の全体的配置部の全域以上に亘つ
て対向するように広面積をもつて配置される。ま
た、この第１の電極７と被エツチング体３との間
に、被エツチング体３の全体的配置の全域以上に
亘つて第１の電極７と平行に対向しイオンが透過
し得るようになされたメツシユ状或いは複数の透
孔が穿設された電極板より成る第２の電極８を配
置する。これら電極７及び８間には所要の空間９
が形成されるようになされる。
更に、第２の電極８と被エツチング体３の全体
的配置部間に第２の電極８と平行に同様にイオン
を透過するメツシユ状ないしは多数の透孔が穿設
された金属板より成る制御電極例えば図において
は互いに平行に配置された第１及び第２の制御電
極１０及び１１が配置される。
的配置部間に第２の電極８と平行に同様にイオン
を透過するメツシユ状ないしは多数の透孔が穿設
された金属板より成る制御電極例えば図において
は互いに平行に配置された第１及び第２の制御電
極１０及び１１が配置される。
また、イオン源容器２の外側には第１及び第２
の電極７より８間の空間９に対して磁場発生手段
１２例えば永久磁石或いは例えば電磁石が配置さ
れ、そのイオン源容器２の軸心を方向、或いはこ
れを横切る一方向の磁場を形成する。
の電極７より８間の空間９に対して磁場発生手段
１２例えば永久磁石或いは例えば電磁石が配置さ
れ、そのイオン源容器２の軸心を方向、或いはこ
れを横切る一方向の磁場を形成する。
また第１及び第２の電極７及び８間には、高周
波電圧を印加する手段を接続する。図において、
１３は高周波電源で、１４はマツチング装置で、
図においては第２のメツシユ状ないしは多孔電極
板より成る第２の電極８に例えば、13.56MHzの
高周波電源１３を接続するようにして第１の電極
７に固定の例えば接地電位を印加するようにした
場合である。尚、図においては第２の電極８に高
周波電源を接続するようにした場合であるが、第
２の電極８を固定電圧とし第１の電極７に高周波
電源を接続するようになすこともできる。
波電圧を印加する手段を接続する。図において、
１３は高周波電源で、１４はマツチング装置で、
図においては第２のメツシユ状ないしは多孔電極
板より成る第２の電極８に例えば、13.56MHzの
高周波電源１３を接続するようにして第１の電極
７に固定の例えば接地電位を印加するようにした
場合である。尚、図においては第２の電極８に高
周波電源を接続するようにした場合であるが、第
２の電極８を固定電圧とし第１の電極７に高周波
電源を接続するようになすこともできる。
また第１の制御電極１０には、例えば接地電位
が与えられた第２の制御電極１１には、第１の制
御電極に対して正または負の直流制御電圧を印加
する。
が与えられた第２の制御電極１１には、第１の制
御電極に対して正または負の直流制御電圧を印加
する。
また、容器１及び２には例えば開閉バルブ１５
を介して真空ポンプが連結される。また１７はイ
オン源容器２内にガスを送り込むガス供給口で、
１８は放電ガス供給口１７に連結される放電ガス
供給源を示す。ここに用いられるガスは反応性ガ
ス、例えばCHF3、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、ま
たはCCl4、CxClyFz（ｚ＝１、２、ｙ＝１〜６、ｚ
＝１〜６）、SF6、SiF4等のハロゲンガス化合物
ガス、或いはAr、He、N2等の不活性ガス、その
ほかH2、O2等のガスを、夫夫単独またはそれら
の混合物として用い得る。尚、１９は放電ガス供
給口１７と放電ガス源１８との間に設けられたマ
スフローコントローラーで、その後段には、例え
ばガス溜め２０を配置する。また２１及び２２は
夫々開閉ないしは調整バブルを示す。
を介して真空ポンプが連結される。また１７はイ
オン源容器２内にガスを送り込むガス供給口で、
１８は放電ガス供給口１７に連結される放電ガス
供給源を示す。ここに用いられるガスは反応性ガ
ス、例えばCHF3、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、ま
たはCCl4、CxClyFz（ｚ＝１、２、ｙ＝１〜６、ｚ
＝１〜６）、SF6、SiF4等のハロゲンガス化合物
ガス、或いはAr、He、N2等の不活性ガス、その
ほかH2、O2等のガスを、夫夫単独またはそれら
の混合物として用い得る。尚、１９は放電ガス供
給口１７と放電ガス源１８との間に設けられたマ
スフローコントローラーで、その後段には、例え
ばガス溜め２０を配置する。また２１及び２２は
夫々開閉ないしは調整バブルを示す。
この装置によつてイオンビームエツチングを行
うには、まず真空ポンプ１６によつて容器１及び
２内を高真空度、例えば10-7〜10-6Torrに排気
し、その後第１及び第２の電極７及び８間に高周
波電源１３による例えば13.56MHzの高周波電力
を印加し、エツチング装置１４によつて反射電力
が最小になるようにマツチング調整を行う。その
後、放電ガス供給口１７より放電ガスを供給する
ものであるが、その放電開始を起こし易いように
瞬間的にガス圧が例えば10-3Torr程度の高いガ
ス圧にする。この瞬間的なガス圧を高めるために
例えば前述したガス溜め２０に予め放電ガスを溜
めておき、放電開始時にバルブ２２を開放してこ
のガス溜め２０に溜められた放電ガスを導入して
瞬時的に容器２内の特に第１及び第２の電極７及
び８間の放電ガス圧を高める。
うには、まず真空ポンプ１６によつて容器１及び
２内を高真空度、例えば10-7〜10-6Torrに排気
し、その後第１及び第２の電極７及び８間に高周
波電源１３による例えば13.56MHzの高周波電力
を印加し、エツチング装置１４によつて反射電力
が最小になるようにマツチング調整を行う。その
後、放電ガス供給口１７より放電ガスを供給する
ものであるが、その放電開始を起こし易いように
瞬間的にガス圧が例えば10-3Torr程度の高いガ
ス圧にする。この瞬間的なガス圧を高めるために
例えば前述したガス溜め２０に予め放電ガスを溜
めておき、放電開始時にバルブ２２を開放してこ
のガス溜め２０に溜められた放電ガスを導入して
瞬時的に容器２内の特に第１及び第２の電極７及
び８間の放電ガス圧を高める。
このようにするとき比較的ガス圧が高いことに
よつて放電開始が容易に行われる。このような放
電開始が行われて後、再びマスフローコントロー
ラー１９によつて自動的にコントロールされたガ
ス流量が反応容器内に導入しその真空度を10-5〜
10-4程度とる。その所要時間は数秒程度である。
そして、このよに一旦放電が生ずれば、この比較
的低いガス圧でもその放電は持続される。このと
き高周波電力の入射のエツチングは多少ずれる
が、放電は持続されるのでそのエツチングを再調
整すればよい。このようにして第１及び第２の電
極７及び８間の空間９内において放電が生じる
が、このとき磁場発生手段１２による磁界によう
て更に、このガスの電離効果が高められ安定した
放電が維持される。
よつて放電開始が容易に行われる。このような放
電開始が行われて後、再びマスフローコントロー
ラー１９によつて自動的にコントロールされたガ
ス流量が反応容器内に導入しその真空度を10-5〜
10-4程度とる。その所要時間は数秒程度である。
そして、このよに一旦放電が生ずれば、この比較
的低いガス圧でもその放電は持続される。このと
き高周波電力の入射のエツチングは多少ずれる
が、放電は持続されるのでそのエツチングを再調
整すればよい。このようにして第１及び第２の電
極７及び８間の空間９内において放電が生じる
が、このとき磁場発生手段１２による磁界によう
て更に、このガスの電離効果が高められ安定した
放電が維持される。
このようにして第１及び第２の平行電極間に発
生したプラズマ中からこれら電極７及び８の面方
向とほぼ直交する方向に荷電粒子を制御電極１０
及び１１によつて引き出し、これを被エツチング
体３に照射する。このようにすれば被エツチング
体３のエツチングがなされる。この場合、第１及
び第２の制御電極１０及び１１への印加電圧及び
その極性によつてイオンビームのビーム量の制御
を行うことができる。
生したプラズマ中からこれら電極７及び８の面方
向とほぼ直交する方向に荷電粒子を制御電極１０
及び１１によつて引き出し、これを被エツチング
体３に照射する。このようにすれば被エツチング
体３のエツチングがなされる。この場合、第１及
び第２の制御電極１０及び１１への印加電圧及び
その極性によつてイオンビームのビーム量の制御
を行うことができる。
上述したように本発明装置によるときは、高周
波電源によつてプラズマを形成し、これよりイオ
ン流を取り出すようにしたので長時間に亘つて安
定したイオン供給即ちイオン流の供給を行うこと
ができる。また、特に本発明装置においては上述
したように、平行的に配置された電極８と直交す
る方向に、すなわち、広面積をもつてイオン流を
取り出すようにしたのでイオン流スポツトの面積
を充分大とすることができて、被エツチング体３
の例えば半導体ウエフアーの全域に亘つて均一に
更に複数のウヘフアーに関して均一なイオン流照
射を行うことができ、これによつて各部において
均一なエツチングを行うことができる。
波電源によつてプラズマを形成し、これよりイオ
ン流を取り出すようにしたので長時間に亘つて安
定したイオン供給即ちイオン流の供給を行うこと
ができる。また、特に本発明装置においては上述
したように、平行的に配置された電極８と直交す
る方向に、すなわち、広面積をもつてイオン流を
取り出すようにしたのでイオン流スポツトの面積
を充分大とすることができて、被エツチング体３
の例えば半導体ウエフアーの全域に亘つて均一に
更に複数のウヘフアーに関して均一なイオン流照
射を行うことができ、これによつて各部において
均一なエツチングを行うことができる。
更に、また上述した例のように、放電電極を平
行平板型とするときは、電極間に平行に等電位面
が形成され電極全面に渡つて均一な放電を生じさ
せることができ、そのため、より均一大口径のイ
オンビームをとり出すことができる。また、平行
平板型電極では、一般に高周波を利用した容量結
合型放電に特有な電極近傍の空間に生じる陰極降
下電圧現象がプラズマ中から荷電粒子を引出す上
に有利に作用する。
行平板型とするときは、電極間に平行に等電位面
が形成され電極全面に渡つて均一な放電を生じさ
せることができ、そのため、より均一大口径のイ
オンビームをとり出すことができる。また、平行
平板型電極では、一般に高周波を利用した容量結
合型放電に特有な電極近傍の空間に生じる陰極降
下電圧現象がプラズマ中から荷電粒子を引出す上
に有利に作用する。
また本発明装置によれば、ガスの選定によつて
被エツチング体の物質に対するエツチング特性が
選定できるので、例えば被エツチング体が表面に
例えばSiO2被膜を有するSiウエフアーである場
合などSiO2とSiとのエツチング速度に差を生じ
させることがえでき両者のエツチングに選択性を
持たすことができる。
被エツチング体の物質に対するエツチング特性が
選定できるので、例えば被エツチング体が表面に
例えばSiO2被膜を有するSiウエフアーである場
合などSiO2とSiとのエツチング速度に差を生じ
させることがえでき両者のエツチングに選択性を
持たすことができる。
そして、そのエツチングはスパツタリング効果
と化学的エツチングの両者の効果をもたすことが
できるものでSiO2のエツチング速度を早めるこ
とができる。またエツチングされたSiO2の再付
着のおそれもない。更にイオン流の制御電極１０
及び１１の制御によつてエツチング面にテーパを
付すなどの加工も可能となる。
と化学的エツチングの両者の効果をもたすことが
できるものでSiO2のエツチング速度を早めるこ
とができる。またエツチングされたSiO2の再付
着のおそれもない。更にイオン流の制御電極１０
及び１１の制御によつてエツチング面にテーパを
付すなどの加工も可能となる。
尚、第１図に説明した例においては、第１及び
第２の放電電極７及び８が平行平板状の電極であ
る場合を示したが例えば第２図に示すように一方
の電極例えば第１の電極７を１本ないしは複数の
コイル状の電極構成とすることもできる。その軸
心方向を図示のようにイオンビームのとり出し方
向とするに限らず、これと直交る方向など任意に
選定できる。また、コイル状電極は、容器２の周
囲にこれを内部に含むように設けることもでき
る。
第２の放電電極７及び８が平行平板状の電極であ
る場合を示したが例えば第２図に示すように一方
の電極例えば第１の電極７を１本ないしは複数の
コイル状の電極構成とすることもできる。その軸
心方向を図示のようにイオンビームのとり出し方
向とするに限らず、これと直交る方向など任意に
選定できる。また、コイル状電極は、容器２の周
囲にこれを内部に含むように設けることもでき
る。
更に上述の構成において放電開始時点にガス圧
を高めるために、第１図に示した例においてはガ
ス溜め２０に予め溜められたガスを表出すること
によつてイオン源のガス圧を高めるようにした場
合であるが、例えば第３図に示すようにマスフロ
ーコントローラー１９とガス溜め２０とをガス供
給源１８に対して並列に配置し、マスフローコン
トローラー１９の後段に設けたバルブ２３を開放
してマスフローコントローラー１９によつて、容
器２内のガス圧を、エツチングに際して望まれる
低いガス圧に設定し、所定時にバルブ２２を開放
してガス溜め２０より放電ガスの供給を高めるよ
うにするようになすこともできる。第４図は第１
図で説明した装置による場合の放電ガスのガス量
の供給の時間関係を示すもので、第５図は第３図
の例におけるガス供給の時間関係を示したもので
ある。
を高めるために、第１図に示した例においてはガ
ス溜め２０に予め溜められたガスを表出すること
によつてイオン源のガス圧を高めるようにした場
合であるが、例えば第３図に示すようにマスフロ
ーコントローラー１９とガス溜め２０とをガス供
給源１８に対して並列に配置し、マスフローコン
トローラー１９の後段に設けたバルブ２３を開放
してマスフローコントローラー１９によつて、容
器２内のガス圧を、エツチングに際して望まれる
低いガス圧に設定し、所定時にバルブ２２を開放
してガス溜め２０より放電ガスの供給を高めるよ
うにするようになすこともできる。第４図は第１
図で説明した装置による場合の放電ガスのガス量
の供給の時間関係を示すもので、第５図は第３図
の例におけるガス供給の時間関係を示したもので
ある。
また、各電極例えば第１図の例において電極
７，８，１０，１１の夫々の少くとも放電空間９
に対向する側の面に夫々イオン流の衝突によつて
電極の損傷を回避するための保護膜、例えば石英
や、テフロン（商品名）を被覆するようになすこ
ともできるし、また第２図の例においてコイル状
の電極の表面に同様のテフ保護被膜を施すように
なすことができる。
７，８，１０，１１の夫々の少くとも放電空間９
に対向する側の面に夫々イオン流の衝突によつて
電極の損傷を回避するための保護膜、例えば石英
や、テフロン（商品名）を被覆するようになすこ
ともできるし、また第２図の例においてコイル状
の電極の表面に同様のテフ保護被膜を施すように
なすことができる。
尚、上述した例はイオンビームによるエツチン
グに適用した場合であるが、ガス種の選定によつ
て本発明装置はイオンビームデポジシヨンや高真
空プラズマCVDに用いるこもともできる。
グに適用した場合であるが、ガス種の選定によつ
て本発明装置はイオンビームデポジシヨンや高真
空プラズマCVDに用いるこもともできる。
第１図は本発明方法を実施するイオンエツチン
グ装置の一例の略線的構成図、第２図及び第３図
は夫々同様装置の他の例の構成図、第４図及び第
５図は夫々そのガス供給流路のガス流量態様を示
す曲線図である。 １は反応容器、２はイオン源容器、３は被エツ
チング体、４は被エツチング体の支持体、７及び
８は第１及び第２の電極、１０及び１１は制御電
極、１３は高周波電源、１２は磁場発生手段、１
８は放電ガス供給源である。
グ装置の一例の略線的構成図、第２図及び第３図
は夫々同様装置の他の例の構成図、第４図及び第
５図は夫々そのガス供給流路のガス流量態様を示
す曲線図である。 １は反応容器、２はイオン源容器、３は被エツ
チング体、４は被エツチング体の支持体、７及び
８は第１及び第２の電極、１０及び１１は制御電
極、１３は高周波電源、１２は磁場発生手段、１
８は放電ガス供給源である。
Claims (1)
- １ 第１の電極と、該第１の電極に平行で且つイ
オンが透過し得る第２の電極と、上記第１及び第
２の電極間に高周波電圧を印加する手段と、上記
第１及び第２の電極間の空間に磁場を印加する手
段と、上記空間にガスを導入する手段とを有し、
プラズマ放電による上記ガスのイオンを上記第２
の電極を通してそれに直角方向に導出して試料の
表面に照射させるイオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10779482A JPS58225637A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10779482A JPS58225637A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | イオンビ−ム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58225637A JPS58225637A (ja) | 1983-12-27 |
| JPH0481325B2 true JPH0481325B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=14468194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10779482A Granted JPS58225637A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58225637A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7247067B2 (en) | 2003-06-12 | 2007-07-24 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha Co., Ltd. | Intake manifold for small watercraft |
| US7404293B2 (en) | 2004-07-22 | 2008-07-29 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha | Intake system for supercharged engine |
| US7458369B2 (en) | 2004-09-14 | 2008-12-02 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha | Supercharger lubrication structure |
| US7458868B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-12-02 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha | Small planing boat |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4761199A (en) * | 1985-04-10 | 1988-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Shutter device for ion beam etching apparatus and such etching apparatus using same |
| JPS63119237A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法 |
| KR20040046571A (ko) * | 2002-11-27 | 2004-06-05 | 주식회사 피앤아이 | 이온빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127167A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-25 | Fujitsu Ltd | Etching method |
| JPS5368075A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-17 | Nec Corp | Manufacture of element containing micro pattern |
| JPS5832417A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエツチング装置及びプラズマエツチング方法 |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10779482A patent/JPS58225637A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7247067B2 (en) | 2003-06-12 | 2007-07-24 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha Co., Ltd. | Intake manifold for small watercraft |
| US7404293B2 (en) | 2004-07-22 | 2008-07-29 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha | Intake system for supercharged engine |
| US7458369B2 (en) | 2004-09-14 | 2008-12-02 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha | Supercharger lubrication structure |
| US7458868B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-12-02 | Yamaha Marine Kabushiki Kaisha | Small planing boat |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58225637A (ja) | 1983-12-27 |
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