JP7035915B2 - 薄型ウエハの製造方法 - Google Patents
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Description
1.支持体と、該支持体上に形成された接着剤層と、該接着剤層に回路面を有する表面が対向するように積層されたウエハとを備えるウエハ積層体の支持体側から光を照射することで積層体から支持体を剥離する工程、及び前記工程後、ウエハに残存した樹脂層をピール剥離によりウエハから除去する工程を含む薄型ウエハの製造方法であって、
前記接着剤層が、前記支持体側から順に、遮光性を有する樹脂層Aと、熱硬化性シリコーン樹脂又は非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとのみを含む薄型ウエハの製造方法。
2.ウエハから樹脂層Bをピール剥離する際に、積層体にかかる温度が30~60℃である1の薄型ウエハの製造方法。
3.遮光性を有する樹脂層Aが、波長355nmにおける透過率が20%以下であり、吸収極大波長が300~500nmである1又は2の薄型ウエハの製造方法。
4.樹脂層Aが、下記式(1)で表される繰り返し単位を含む樹脂Aを含む樹脂組成物Aの硬化物からなるものである1~3のいずれか1項の薄型ウエハの製造方法。
5.樹脂組成物Aが、更に架橋剤を含む4の薄型ウエハの製造方法。
6.樹脂組成物Aが、更に酸発生剤を含む4又は5の薄型ウエハの製造方法。
7.樹脂組成物Aが、更に有機溶剤を含む4~6のいずれか1項の薄型ウエハの製造方法。
8.樹脂層Aの膜厚が、0.1~50μmである1~7のいずれか1項の薄型ウエハの製造方法。
9.樹脂層Bが、シロキサン骨格及びエポキシ基を含む樹脂を含み、
前記シロキサン骨格及びエポキシ基を含む樹脂が、下記式(2)で表される繰り返し単位及び必要に応じて下記式(3)で表される繰り返し単位を含むものである1~8のいずれか1項の薄型ウエハの製造方法。
10.樹脂層Bが、非シリコーン系熱可塑性樹脂を含み、
前記非シリコーン系熱可塑性樹脂が、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリスチレン・ブタジエン系熱可塑性エラストマー、ポリスチレン・オレフィン系熱可塑性エラストマー及びこれらの水素添加物から選ばれる少なくとも1種である1~8のいずれか1項の薄型ウエハの製造方法。
前記支持体としては、透明基板、シリコンウエハ、セラミック基板等が挙げられるが、支持体を剥離する際に照射するレーザーの透過性の点から、透明基板が好ましい。前記透明基板としては、通常、ガラス基板や石英基板が用いられ、その厚さは、通常300~1,000μmが好ましく、500~800μmがより好ましい。
前記ウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、ガリウム-ヒ素ウエハ、ガリウム-リンウエハ、ガリウム-ヒ素-アルミニウムウエハ等が挙げられる。前記ウエハの厚さは、特に限定されないが、通常600~800μmが好ましく、625~775μmがより好ましい。
前記接着剤層は、遮光性を有する樹脂層Aと、熱硬化性シリコーン樹脂又は非シリコーン系熱可塑性樹脂を含む樹脂層Bとのみを含むものである。前記ウエハ積層体においては、支持体側から順に、樹脂層A及び樹脂層Bが形成される。
樹脂層Aは、遮光性を有する樹脂層(遮光層)であり、波長355nmの光の透過率が20%以下であることが好ましく、18%以下であることがより好ましく、15%以下であることが更に好ましい。また、樹脂層Aは、吸収極大波長が300~500nmであることが好ましく、300~400nmであることがより好ましい。更に、樹脂層Aは、波長300~500nmの光の透過率が20%以下であることが好ましい。
R4-CHO
(式中、R4は、前記と同じ。)
樹脂層Bは、ウエハ積層体の支持体側に形成された樹脂層Aと接する樹脂層であり、支持体の剥離後、ピール剥離によって除去される。
(b1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(b2)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si-H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(b3)白金系触媒、
を含む組成物(以下、樹脂組成物B-2ともいう。)を硬化して得られるものが挙げられる。
本発明の薄型ウエハの製造方法は、前述したように、前記ウエハ積層体から支持体を剥離する工程、及びその後ウエハに残存した樹脂層をピール剥離によりウエハから除去する工程を含むものである。その他の工程としては、公知の工程を採用することができる。本発明の薄型ウエハの製造方法は、例えば、下記工程(a)~(h)を含むものとすることができる。
工程(a)は支持体に樹脂層Aを形成する工程であり、工程(a')は支持体に樹脂組成物層A'を形成する工程である。樹脂層Aを形成するための樹脂組成物Aが溶液である場合は、これをスピンコート、ロールコート等の方法により支持体上に塗布し、その溶剤の揮発条件に応じて好ましくは80~200℃、より好ましくは100~180℃の温度でプリベークを行い、溶剤を揮発させることで、樹脂組成物層A'が形成される。また、樹脂組成物Aがフィルム状組成物である場合は、ラミネート法によって支持体上に樹脂組成物層A'が形成される。
工程(b)はウエハの回路形成面に樹脂層Bを形成する工程であり、工程(b')は前記樹脂層A又は樹脂組成物層A'の上に樹脂層Bを形成する工程である。樹脂組成物B-1~B-3が溶液である場合は、スピンコート、ロールコート、ダイコート、印刷、ディッピング等の方法でウエハ上に塗布し、その後、ホットプレートやオーブンによって130~190℃で加熱することで、樹脂層Bを形成することができる。
工程(c)は、樹脂層A又は樹脂組成物層A'と樹脂層Bとを減圧下に接合する工程であり、工程(c')は、前記支持体上の樹脂層Bとウエハの回路形成面を減圧下に接合する工程である。減圧条件としては、好ましくは0.1~100Pa、より好ましくは1~80Paである。また、このとき、好ましくは40~240℃、より好ましくは60~220℃の温度領域で、減圧下、この基板を均一に圧着し、接合させるとよい。
工程(d)は、工程(c)又は(c')で接合させたウエハ積層体の樹脂組成物層A'の熱硬化を行って樹脂層Aを形成するとともに、樹脂層Bとの接合を行う工程である。前記ウエハ積層体が形成された後、120~260℃、好ましくは150~250℃で1分~4時間、好ましくは3分~2時間加熱することによって、熱硬化を行う。
工程(e)は、ウエハの回路非形成面を研削したウエハ、すなわち裏面研削によって薄型化されたウエハの回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、ウエハ表面処理、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、ウエハ表面処理のためのCVD、レーザーアニール、電極等の形成のための金属スパッタリング、蒸着、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、表面保護用の有機膜形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成等、従来公知のプロセスが挙げられる。このようなプロセスにおいては、400℃程度までの高温領域で広い範囲にウエハ加工体として耐性を有することが望ましく、特に300℃以上の温度でも強度、寿命のあるウエハ加工体であることがよい。
工程(f)は、工程(e)で加工を施した薄型ウエハ積層体から支持体を剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温程度の比較的低温の条件で実施され、
(f1)加工を施したウエハの加工面(裏面)にダイシングテープを接着する工程と、
(f2)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
(f3)薄型ウエハ積層体の支持体側から、例えば、355nmのレーザーを照射することによって、薄型ウエハ積層体から支持体を剥離する工程と
を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体をウエハ積層体から容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。なお、ダイシングテープはポリエステル、ポリエチレンフィルム等を使用した公知のものを使用することができる。
工程(g)は、工程(f)で前記支持体を剥離した後、加工を施したウエハからレーザーにより分解せずに残存した樹脂層Aと樹脂層Bをテープピール等により剥離する工程である。
工程(g)が行われた後、剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着剤層を除去する工程を行うことが好ましい。工程(g)により剥離されたウエハの回路形成面には、樹脂層Bが一部僅かに残存している場合があり、該樹脂層Bの除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
[調製例1]
1,000mLのフラスコに、1,5-ジヒドロキシナフタレン80g(0.50モル)、2-ヒドロキシ-6-ナフトアルデヒド51.6g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸のメチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温まで冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、それをヘキサン2,400mLに加え、樹脂を沈殿させた。沈殿した樹脂を濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A1を得た。樹脂A1のMwは3,200、分散度(Mw/Mn)は2.44であった。
樹脂A1 20質量部、酸発生剤AG1質量部、及び架橋剤としてニカラックMw390((株)三和ケミカル製)4質量部を、FC-4430(スリーエム社製)0.1質量%を含むPGMEA100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過して、樹脂組成物A1を得た。
1,000mLのフラスコに、1,5-ジヒドロキシナフタレン80g(0.50モル)、パラホルムアルデヒド9.0g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸のメチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温まで冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、それをヘキサン2,400mLに加え、樹脂を沈殿させた。沈殿した樹脂を濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A2を得た。樹脂A2のMwは1,500、Mw/Mnは2.20であった。
樹脂A2 20質量部、酸発生剤AG1質量部、及び架橋剤としてニカラックMw390((株)三和ケミカル製)4質量部を、FC-4430(スリーエム社製)0.1質量%を含むPGMEA100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過して、樹脂組成物A2を得た。
1,000mLのフラスコに、1-ヒドロキシナフタレン72g(0.50モル)、2-ヒドロキシ-6-ナフトアルデヒド51.6g(0.30モル)及びメチルセロソルブ145gを加え、70℃で攪拌しながら20質量%パラトルエンスルホン酸のメチルセロソルブ溶液20gを添加した。温度を85℃に上げ6時間攪拌した後、室温まで冷却し、酢酸エチル800mLで希釈した。分液ロートに移し変え、脱イオン水200mLで洗浄を繰り返し、反応触媒と金属不純物を除去した。得られた溶液を減圧濃縮した後、残渣に酢酸エチル600mLを加え、それをヘキサン2,400mLに加え、樹脂を沈殿させた。沈殿した樹脂を濾別、回収後、減圧乾燥して、下記式で表される繰り返し単位を含む樹脂A3を得た。樹脂A3のMwは2,700、Mw/Mnは2.61であった。
樹脂A3 20質量部、酸発生剤AG1質量部、及び架橋剤としてニカラックMw390((株)三和ケミカル製)4質量部を、FC-4430(スリーエム社製)0.1質量%を含むPGMEA100質量部に溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過して、樹脂組成物A3を得た。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M-1)43.1g、化合物(M-3)90.8g、トルエン135g及び塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、化合物(M-5)13.6gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内の温度は85℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成した後、トルエンを留去するとともに、シクロヘキサノンを80g添加して、樹脂固形分濃度50質量%のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂のMwは、50,000であった。更に、この樹脂溶液50gに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるEOCN-1020(日本化薬(株)製)7.5g、硬化触媒として和光純薬工業(株)製BSDM(ビス(tert-ブチルスルホニル)ジアゾメタン)0.2g、及び酸化防止剤としてテトラキス[メチレン-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタン(商品名:アデカスタブAO-60)を0.1g添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B1を得た。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M-2)84.1g及びトルエン250gを入れ、溶解した後、化合物(M-3)121.0g及び化合物(M-4)21.5gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65~67℃に昇温したのを確認後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、メチルイソブチルケトン(MIBK)250gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去するとともに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)150gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂のMwは、45,000であった。更にこの樹脂溶液100gに、架橋剤として4官能フェノール化合物であるTEP-TPA(旭有機材工業(株)製)9g、及び硬化触媒としてテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製リカシッドHH-A)0.2gを添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B2を得た。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M-2)84.1g及びトルエン170gを入れ、溶解した後、化合物(M-3)60.5g及び化合物(M-4)24.2gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65~67℃に昇温したのを確認後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、MIBK170gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去するとともに、PGMEA110gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂のMwは、42,000であった。更にこの樹脂溶液100gに、架橋剤として4官能フェノール化合物であるTEP-TPA(旭有機材工業(株)製)9g、及び硬化触媒としてテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製リカシッドHH-A)0.2gを添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B3を得た。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M-2)84.1g及びトルエン150gを入れ、溶解した後、化合物(M-3)30.3g及び化合物(M-4)25.5gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65~67℃に昇温したのを確認後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、MIBK150gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去するとともに、PGMEA90gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂のMwは、35,000であった。更にこの樹脂溶液100gに、架橋剤として4官能フェノール化合物であるTEP-TPA(旭有機材工業(株)製)9g、及び硬化触媒としてテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製リカシッドHH-A)0.2gを添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B4を得た。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M-2)84.1g及びトルエン120gを入れ、溶解した後、化合物(M-3)9.1g及び化合物(M-4)26.5gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65~67℃に昇温したのを確認後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、MIBK120gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去するとともに、PGMEA75gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂のMwは、28,000であった。更にこの樹脂溶液100gに、架橋剤として4官能フェノール化合物であるTEP-TPA(旭有機材工業(株)製)9g、及び硬化触媒としてテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製リカシッドHH-A)0.2gを添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B5を得た。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M-2)84.1g及びトルエン110gを入れ、溶解した後、化合物(M-4)26.9gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65~67℃に昇温したのを確認後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、MIBK110gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去するとともに、PGMEA70gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂のMwは、25,000であった。更にこの樹脂溶液100gに、架橋剤とし4官能フェノール化合物であるTEP-TPA(旭有機材工業(株)製)9g、及び硬化触媒としてテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製リカシッドHH-A)0.2gを添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B6を得た。
攪拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコに、化合物(M-2)28.0g及びトルエン130gを入れ、溶解した後、化合物(M-3)100.9g及び化合物(M-4)4.5gを加え、60℃に加熱した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65~67℃に昇温したのを確認後、更に、90℃まで加熱し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却した後、MIBK130gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去するとともに、PGMEA80gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂のMwは、52,000であった。更にこの樹脂溶液100gに、架橋剤として4官能フェノール化合物であるTEP-TPA(旭有機材工業(株)製)9g、及び硬化触媒としてテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製リカシッドHH-A)0.2gを添加し、1μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B7を得た。
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン4033((株)クラレ製ポリスチレン-ポリ(エチレン/プロピレン)ブロック-ポリスチレン共重合体、スチレン含有量30質量%)25g及び水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン8076((株)クラレ製ポリスチレン-ポリ(エチレン/ブチレン)ブロック-ポリスチレン共重合体、スチレン含有量30質量%)25gをメシチレン150gに溶解し、25質量%のセプトン4033/8076のメシチレン溶液を得た。得られた溶液を0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂組成物B8を得た。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン100質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、化合物(M-6)40質量部及びエチニルシクロヘキサノール0.7質量部を加え、混合した。更に、白金触媒CAT-PL-5(信越化学工業(株)製)0.2質量部を添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂組成物B9を得た。なお、樹脂組成物B9中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Si-H基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンの含有比率は、モル比で1.1であった。
[実施例1~10、比較例1~2]
直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板に、樹脂組成物A1、A2又はA3をスピンコートした後、ホットプレートにて180℃で2分間、250℃で5分間加熱することにより、樹脂層Aに対応する材料を表1及び2に示す膜厚で成膜した。
200mmのウエハ接合は、EVG社製ウエハ接合装置EVG520ISを用いて行った。接合温度は表1及び2に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は1Pa以下、荷重は、実施例1~8及び比較例1~2は5kN、実施例9は20kN、実施例10は3kNで実施した。接合後、室温まで冷却し、その後の界面の接合状況を目視及び光学顕微鏡それぞれで確認し、界面での気泡等の異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
グラインダー((株)DISCO製、DAG810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体をCVD装置に導入し、1μm又は2μmのSiO2膜の生成実験を行い、その際の外観異常の有無を調べた。2μmのSiO2膜の生成でも外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、1μmまでのSiO2膜の生成で異常が発生しなかった場合を「△」、1μmのSiO2膜の生成でボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。CVD耐性試験の条件は、以下の通りである。
装置名:プラズマCVD PD270STL(サムコ(株)製)
RF500W、内圧40Pa
TEOS(テトラエチルオルソシリケート):O2=20sccm:680sccm
支持体の剥離性は、以下の方法で評価した。まず、CVD耐性試験を終えたウエハ積層体の50μmまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、支持体側から全面に355nmのレーザーを照射した。なお比較例2では、レーザーは照射せず、ガラスの1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。支持体及び50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れ等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
樹脂組成物B1~B9から得られた樹脂層Bのピール剥離性は、以下の方法で評価した。まず、支持体の剥離試験を終えたウエハ積層体の接着剤層の面に剥離用テープを貼り付けた。その後、剥離用テープを引き上げ、接着剤層とウエハの界面で剥離させた。なお、実施例1~5、8及び10並びに比較例1及び2は室温(23℃)で、実施例7及び9は40℃に加熱したステージの上で、実施例6は、室温(23℃)及び40℃に加熱したステージの上の両方で、剥離性試験を行った。この際、50μmのウエハを割ることなく剥離でき、かつ残渣がみられない場合を「○」で示し、割れはなく残渣が見られたものを「△」で示し、割れや残渣残り等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
シリコンウエハ上に、樹脂組成物B1~B9をそれぞれスピンコートした後、ホットプレートにて150℃で5分間加熱し、オーブンにて180℃で1時間加熱することで、対応する接着剤層を表1及び2に示す膜厚で硬化させた。その後、前記ウエハの接着剤層上に150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが貼られていない部分の接着剤層を除去した。(株)島津製作所製のAUTOGRAPH(AG-1)を用いて300mm/分の速度でテープの一端から180°剥離で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、その接着剤層の剥離力とした。なお、実施例1~5、8及び10並びに比較例1及び2は室温(23℃)で、実施例7及び9は40℃に加熱したステージの上で、実施例6は、室温(23℃)及び40℃に加熱したステージの上の両方で、剥離力試験を行った。
樹脂組成物A1、A2及びA3をそれぞれ厚み500μmのガラス基板に膜厚0.3μmでスピンコートした後、ホットプレートにて180℃で2分間、250℃で5分間加熱することにより硬化させ、その透過率(波長355nm)を分光光度計(U-4100形、(株)日立ハイテクサイエンス製)で測定した。透過率が20%以下の場合を良好として「○」で示し、20%よりも高い場合を不良として「×」で示した。
樹脂組成物B1~B9を180℃で10分間加熱して硬化させ、厚さ0.5mm、30mm×10mm角の測定シートを作製した。樹脂組成物B8についても180℃で10分間加熱して、厚さ0.5mm、30mm×10mm角の測定シートを作製した。作製した測定シートを用いて、動的粘弾性測定装置((株)日立ハイテクサイエンス製DMA7100)によって、周波数1Hz、昇温速度3℃/分の条件で、0~300℃の範囲で測定を行い、25℃における値を貯蔵弾性率(E')とした。
樹脂組成物B1~B9を180℃で10分間加熱して硬化させ、厚さ0.4mm、200mm×40mm角のシートから五号ダンベルシートを作製した。樹脂組成物B8についても180℃で10分間加熱して、厚さ0.4mm、200mm×40mm角のシートから五号ダンベルシートを作製した。作製した測定シートを用いて、引張試験機((株)東洋精機製作所製V10D)によって、引張速度50mm/分の条件で測定を行い、測定シートが破断した際の強度を破断強度(MPa)とした。
2 接着剤層
2a 樹脂層A
2b 樹脂層B
3 ウエハ
Claims (8)
- 支持体と、該支持体上に形成された接着剤層と、該接着剤層に回路面を有する表面が対向するように積層されたウエハとを備えるウエハ積層体の支持体側から光を照射することで積層体から支持体を剥離する工程、及び前記工程後、ウエハに残存した樹脂層をピール剥離によりウエハから除去する工程を含む薄型ウエハの製造方法であって、
前記接着剤層が、前記支持体側から順に、遮光性を有する樹脂層Aと、熱硬化性シリコーン樹脂を含む樹脂層Bとのみを含み、
樹脂層Bが、シロキサン骨格及びエポキシ基を含む樹脂を含み、
前記シロキサン骨格及びエポキシ基を含む樹脂が、下記式(2)で表される繰り返し単位及び必要に応じて下記式(3)で表される繰り返し単位を含むものである薄型ウエハの製造方法。
[式中、R 31 ~R 34 は、それぞれ独立に、炭素数1~8の1価炭化水素基である。mは、1~100の整数である。A及びBは、0<A≦1、0≦B<1、かつA+B=1を満たす数である。X 1 及びX 2 は、下記式(4)で表される2価の有機基である。
(式中、Y 1 は、単結合、メチレン基、プロパン-2,2-ジイル基、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン-2,2-ジイル基又はフルオレン-9,9-ジイル基である。R 41 及びR 42 は、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基又はアルコキシ基である。p及びqは、それぞれ独立に、0、1又は2である。) - ウエハから樹脂層Bをピール剥離する際に、積層体にかかる温度が30~60℃である請求項1記載の薄型ウエハの製造方法。
- 遮光性を有する樹脂層Aが、波長355nmにおける透過率が20%以下であり、吸収極大波長が300~500nmである請求項1又は2記載の薄型ウエハの製造方法。
- 樹脂組成物Aが、更に架橋剤を含む請求項4記載の薄型ウエハの製造方法。
- 樹脂組成物Aが、更に酸発生剤を含む請求項4又は5記載の薄型ウエハの製造方法。
- 樹脂組成物Aが、更に有機溶剤を含む請求項4~6のいずれか1項記載の薄型ウエハの製造方法。
- 樹脂層Aの膜厚が、0.1~50μmである請求項1~7のいずれか1項記載の薄型ウエハの製造方法。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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