JP6490921B2 - 表示装置、及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に封止膜が形成される表示装置、及びその製造方法に関する。

例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す）を備える表示装置には、封止膜が用いられている。有機ＥＬ素子を備える表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と対向基板を備え、ＴＦＴ基板上には、表示領域に複数の画素回路が形成される。画素回路の一部として、ＴＦＴ基板上に有機ＥＬ層が形成される。一般に、有機ＥＬ素子などの半導体デバイスは、空気中の水分や酸素などから悪影響を受けやすく、画素回路を保護する目的で、封止膜が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とが貼り合わせされ、表示領域に形成される複数の画素回路は封止される。

表示装置は、外部から表示画像情報や電源を入力するために、外部と接続するための端子部を備えており、端子部はＴＦＴ基板に形成されるのが一般的である。すなわち、ＴＦＴ基板には、対向基板と貼り合わされる領域（表示領域及び額縁領域）に加えて、端子部が形成される。すなわち、ＴＦＴ基板は貼り合わされる対向基板よりもさらに広がっている。製造工程において、ＴＦＴ基板上に形成される封止膜のうち、端子部となる領域にある部分を除去することとなる。

特開２０１１−２１３８４７号公報 米国特許公開第２００２／１２５８２２号明細書

外気から画素回路への水分侵入をより抑制するなど、封止膜の特性を向上させることが望ましい。封止膜に係る技術として、例えば、特許文献１に、ポリシラザンをプラズマ照射することにより形成される変性領域を含むシリコン含有封止膜が開示されている。また、特許文献２に、多層構造の封止膜が開示されている。

しかしながら、封止膜を製造する工程や、端子部となる領域にある封止膜を除去する工程などにおいて、高温環境下での工程作業時間（タクト時間）が長くなると、表示領域に形成される画素回路（例えば、有機ＥＬ層など）の信頼性に悪影響を及ぼすこととなる。それゆえ、画素回路への影響を抑制するために、ＴＦＴ基板上に形成される画素回路を保護するという封止膜としての機能を維持しつつ、より低温の環境下及びより短時間で封止膜を形成したり、端子部にある封止膜を除去したりするのが望ましい。

しかしながら、特許文献１に開示される技術のように、プラズマ照射によりシリコン含有封止膜に変性領域を形成すると、製造工程において、封止膜下にある有機ＥＬ層などに悪影響となる。

特許文献２に開示される技術のように、封止膜が複数の層からなる多層構造とする場合、封止膜としての特性を向上させることができる。しかしながら、多層構造の封止膜を形成する工程において、ある条件下である層を積層し、次の層を積層する際に、別の条件下とする必要が生じる。当該別の条件に安定化するために、さらに工程が必要となり、工程作業時間がより必要となる。さらに、ＴＦＴ基板上の端子部となる領域にある封止膜を除去する工程において、ある条件下である層を除去し、その下にある次の層を除去する際に、別の条件下とする必要が生じ、さらに工程が必要となり、工程作業時間がより必要となる。

本発明は、かかる課題を鑑みてなされたものであり、封止膜に関係する工程に起因する画素回路への悪影響が抑制される表示装置、及びその製造方法の提供を目的とする。

（１）本発明に係る表示装置は、基板上に、画素回路と、多層構造を有する封止膜と、が順に形成される、表示装置であって、前記封止膜は、前記画素回路に接して形成され、シリコン含有無機材料からなる第１層を含み、前記第１層は、少なくとも一部の成分が積層方向に沿って連続的に変化する、混合成膜である。

（２）上記（１）に記載の表示装置であって、前記封止膜は、前記第１層の上面の少なくとも一部に形成され、樹脂材料からなる第２層をさらに含んでもよい。

（３）上記（２）に記載の表示装置であって、前記第１層の上面を構成する組成は、前記第１層の下面を構成する組成と比較して、前記第２層の下面に対する密着性がより高くてもよい。

（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の表示装置であって、前記第１層の下面を構成する組成は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、及び酸化シリコンから選択されるいずれかであってもよい。

（５）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の表示装置であって、前記第１層の下面を構成する組成は、窒化シリコンであり、前記第１層の上面を構成する組成は、酸化シリコン及び無結晶シリコンから選択されるいずれかであってもよい。

（６）上記（２）又は（３）に記載の表示装置であって、前記第２層の前記樹脂材料は、有機樹脂であってもよい。

（７）上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の表示装置であって、前記画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス層を含んでいてもよい。

（８）本発明に係る表示装置の製造方法は、基板上に、画素回路と、多層構造を有する封止膜と、が順に形成される、表示装置の製造方法であって、前記封止膜は、前記画素回路に接して形成され、シリコン含有無機材料からなる第１層を含み、前記第１層を、少なくとも一部の成分を積層方向に沿って連続的に変化させて順に成膜してもよい。

（９）上記（８）に記載の表示装置の製造方法であって、化学気相成長法を用いて前記第１層を形成し、その工程において、流入するプロセスガスの種類とそれぞれの流量を連続的に変化させてもよい。

（１０）上記（９）に記載の表示装置の製造方法であって、前記封止膜は、樹脂材料からなる第２層をさらに含み、前記第１層の上面の少なくとも一部に、前記第２層を形成してもよい。

本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の製造工程の途中を示す図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板の断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の封止膜の構造を示す概念図である。 本発明の実施形態の第１例に係る封止膜の濃度変化を模式的に表した概念図である。 本発明の実施形態の第１例に係る封止膜の濃度変化を模式的に表した概念図である。 本発明の実施形態の第１例に係る封止膜の濃度変化を模式的に表した概念図である。 本発明の実施形態の第２例に係る封止膜の濃度変化を模式的に表した概念図である。 本発明の実施形態の第２例に係る封止膜の濃度変化を模式的に表した概念図である。 本発明の実施形態の第２例に係る封止膜の濃度変化を模式的に表した概念図である。 本発明の実施形態の第２例に係る封止膜の濃度変化を模式的に表した概念図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板の断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板の断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板の断面図である。 本発明の実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板の断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。当該実施形態に係る表示装置は有機ＥＬ表示装置１である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画素回路が形成されるＴＦＴ基板１１と、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成されるＣＦ基板１２と、ＩＣドライバ１３と、ＦＰＣ１４（フレキシブルプリント基板）と、を含んでいる。ＴＦＴ基板１１の上面のうち、表示領域ＤＡを含む領域に、ＣＦ基板１２が貼り合わせされており、外気から封止されている。ＴＦＴ基板１１とＣＦ基板１２とで有機ＥＬパネルが構成される。ＴＦＴ基板１１の上面のうち、ＣＦ基板１２が貼り合わされる部分の外側に、端子部が形成されており、端子電極や配線が露出している。端子部上にＩＣドライバ１３が設置され、端子部の複数の端子電極それぞれと接続される電気配線を備えるＦＰＣ１４が、異方導電フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）を介して、端子部に熱圧着にて接続されている。

図２は、当該実施形態に係る表示装置の製造工程の途中を示す図である。複数のＴＦＴ基板１１が並んで配置される１枚の基板（アレイ基板）の表面に、全面に亘って封止膜を形成する。複数のＴＦＴ基板１１に対応する複数のＣＦ基板１２が並んで配置される１枚の基板を貼り合わせし（さらに研磨する場合もある）、さらに、個片に切り出し（カットし）て、複数のセル３を形成する。トレイ２上に複数のセル３を並べて配置し、封止膜を除去する工程を施してＴＦＴ基板１１上の端子部となる部分を露出させる。図２は、トレイ２上に複数のセル３が並んで形成されている状態を示している。

図３は、当該実施形態に係る表示装置の断面図である。図３は、図１に示す表示装置を縦方向に切る断面を、すなわち、端子部からＦＰＣ１４が延びる方向に切る断面を、模式的に示している。図３に示す通り、ガラス基板２０上に、ＴＦＴ回路層ＴＦＴＣＬが形成され、ＴＦＴ回路層ＴＦＴＣＬ上に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成される。ＴＦＴ基板１１の上面には、封止膜３３が形成されるが、前述の通り、端子部ＴＵが形成される領域にある封止膜は除去されており、端子部ＴＵの端子電極や配線が露出している。端子部ＴＵ上にＩＣドライバ１３が設置され、ＦＰＣ１４が端子部ＴＵに接続されている。

ＣＦ基板１２は、ガラス材料からなる透明基板４０の表面（図３に示す下面）には、カラーフィルタ４１が形成されている。カラーフィルタ４１には、ＴＦＴ基板１１に形成される複数の画素回路それぞれに対応する色のフィルタが、当該画素回路に対向して規則的に並んでいる。ＴＦＴ基板１１とＣＦ基板１２は表示領域ＤＡの周りにある額縁領域に形成されるシール材３４（ダム剤）を介して、互いに対向するよう貼り合わされ、外気から封止される。ＴＦＴ基板１１とＣＦ基板１２とが封止される空間には、充填材３５が満たされている。充填材３５は、樹脂であってもよいし、不活性ガスであってもよい。

図４は、当該実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板１１の断面図である。図４は、ＴＦＴ基板１１に画素回路が備えられる部分（表示領域ＤＡ）の断面を表している。画素回路はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含んでおり、ガラス基板２０上にＴＦＴが形成されている。図４に示すＴＦＴは、トップゲート型ＴＦＴであり、ＴＦＴの半導体膜は低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）である。図４に示す通り、ガラス基板２０上に、所定の形状の半導体膜２１（ＬＴＰＳ）が形成される。さらに、基板の全面にゲート絶縁膜２２が形成され、半導体膜２１のチャネル領域に対向するよう、ゲート絶縁膜２２の上に、所定の形状のゲート電極膜２３が形成され、さらに、基板の全面に亘って絶縁膜２４が形成される。半導体膜２１のチャネル領域の両側には（ｐ型又はｎ型の）不純物が添加される。半導体膜２１の不純物領域にそれぞれ達するように、絶縁膜２４及びゲート絶縁膜２２が除去されておりスルーホールが形成されている。ゲート電極膜２３の両側それぞれに、スルーホールを埋め込むとともに、スルーホールの周辺にある絶縁膜２４上に、金属層２５が形成される。さらに、基板の全面にパッシベーション膜２６が形成され、パッシベーション膜２６上に、平坦化膜２７が形成される。ここで、金属層２５のうち、一方がソース電極、他方がドレイン電極となる。半導体膜２１、ゲート電極膜２３及び金属層２５とで、ＴＦＴを構成している。表示領域ＤＡに設けられる複数の画素回路それぞれに、ＴＦＴは形成される。また、図３に示すＴＦＴ回路層ＴＦＴＣＬは、図４に示す半導体膜２１、ゲート絶縁膜２２、ゲート電極膜２３、絶縁膜２４、金属層２５、パッシベーション膜２６、及び平坦化膜２７である。

ＴＦＴの一方の金属層２５（ソース電極／ドレイン電極）に達するように、平坦化膜２７及びパッシベーション膜２６が除去されスルーホールが形成されている。各画素回路それぞれに、スルーホールを埋め込むとともに、所定の形状を有する陽極２８が形成される。隣り合う陽極２８同士を絶縁するように、バンク２９が形成されている。そして、陽極２８及びバンク２９を覆うように全面に亘って有機ＥＬ層３０が、有機ＥＬ層３０を覆うように第１陰極３１が、第１陰極３１を覆うように第２陰極３２が、さらに、第２陰極３２を覆うように封止膜３３が、順に積層される。ここで、第１陰極３１はＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛：登録商標）膜やＩＴＯ膜などであり、第２陰極３２は導電性有機膜である。この導電性有機膜は、ポリマーアセチレン、ポリチオフェン類、又はポリマーコンポジットを用いることができる。また、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ［Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : Poly(styrenesulfonate)］であってもよく、電荷発生層（ＣＧＬ：Charge Generation Layer）と同一の材料であっても良い。各画素回路に備えられる１つの陽極２８と、（複数の画素回路で共通の）有機ＥＬ層３０と、第２陰極３１と、第２陰極３２とで、図３に示す１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成している。すなわち、画素回路は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含んでいる。なお、陽極（陽極２８）や陰極（第１陰極３１及び第２陰極３２）の透過性や材料は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光型によって選択すればよい。当該実施形態に係る有機ＥＬ素子ＯＬＥＤはトップエミッション型であり、陽極を反射電極と、陰極を透光性の高い電極と、それぞれしている。具体的には、陽極２８は、ＩＴＯ膜、Ａｇ膜、及びＩＴＯ膜からなる３層構造を有している。なお、ここで、陰極は、ＩＺＯ膜からなる第１陰極３１と、導電性有機膜からなる第２陰極３２と、の２層構造としている。第２陰極３２を第１陰極３１の上に形成することにより、陰極を所望の低抵抗とすることが出来る。しかしながら、陰極の構成はこれに限定されることはなく、陰極を、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などの一層構造としてもよい。さらに、薄いＡｇ，Ａｌ、ＡｌＭｇ，ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の低仕事関数の金属層と、この低仕事関数の金属層上のＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などの透明金属酸化膜層と、この透明金属酸化膜層上の導電性有機膜層と、の３層構造としてもよい。

図５は、当該実施形態に係る表示装置の封止膜３３の構造を示す概念図である。当該実施形態に係る封止膜３３は、基板側から（ガラス基板２０側）図４の矢印に示す積層方向に沿って順に積層される、第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、及び第３層Ｌ３の３層からなる３層積層構造（多層構造）を有している。すなわち、第１層Ｌ１は、封止膜３３の多層構造のうち、最下層に位置する層であり、画素回路に接して形成される。ここで、画素回路の最上層は、陰極（第２陰極３２）であるので、第１層Ｌ１は陰極に接して形成される。本発明の主な特徴は、封止膜３３の第１層Ｌ１の構成にあり、混合成膜であることにある。ここで、混合成膜とは、成膜工程を止めることなく複数の層を連続的に形成することにより、界面を有しない（又は、界面が明確でない）１つの層となる膜をいう。混合成膜では、少なくとも一部の成分が積層方向に連続的に変化している。例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：以下、ＣＶＤ）法によって当該混合成膜を形成する場合においては、ある組成のためのプロセスガスから、成膜工程を止めることなく、当該プロセスガスを徐々に減少・停止させつつ、他の組成のための別のプロセスガスを徐々に追加していくことによって、当該ある組成から当該他の組成へ連続的に変化する（すなわち、界面を有しない）１つの層が形成される。なお、混合成膜は、成膜工程を止めて、順に２層（又はそれ以上）が形成される膜を含まないものとする。

当該実施形態において、封止膜３３は、シリコン（Ｓｉ）含有無機材料からなる第１層Ｌ１，樹脂材料からなる第２層Ｌ２、及び無機材料からなる第３層Ｌ３からなる３層構造である。第２層Ｌ２は、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの有機樹脂膜であり、第３層Ｌ３はＳｉＮなどの無機膜（Ｓｉ含有無機膜）である。当該実施形態に係る第１例では、第１層Ｌ１は、基板側から見てＳｉＮ（窒化シリコン）からＳｉＯ（酸化シリコン）へ連続的に変化する混合成膜である。また、当該実施形態に係る第２例では、第１層Ｌ１は、基板側から見てＳｉＮからａ−Ｓｉ（非結晶シリコン）へ連続的に変化する混合成膜である。第１層Ｌ１及び第３層Ｌ３の膜厚はそれぞれ、２００〜１０００ｎｍの範囲が望ましく、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲がさらに望ましい。第２層Ｌ２の膜厚は２００〜１０００ｎｍの範囲が望ましい。なお、第２層Ｌ２は、後述する通り、第１層Ｌ１の上面の少なくとも一部に形成され、第１層Ｌ１の上面のうち第２層Ｌ２が形成されない領域もあり得る。ここで言う第２層Ｌ２の膜厚とは、第２層Ｌ２が形成される領域において最も大きい膜厚の値を言う。

本発明の効果を議論するために、当該第１例の第１層Ｌ１の代わりに、ＳｉＮ層及びＳｉＯ層の２層を形成する場合を考える。この場合、封止膜は、ＳｉＮ層（第１ＳｉＮ層）、ＳｉＯ層、アクリル樹脂層、及びＳｉＮ層（第２Ｓｉ層）が順に積層される４層構造を有している。かかる封止膜を第１の比較例とする。

当該実施形態に係る封止膜３３の第１層Ｌ１は、陰極（第２陰極３２）上に形成されている。第１層Ｌ１の下面を構成する組成は、封止膜３３よりも下層にある陰極（第２陰極３２，第１陰極３１）や有機ＥＬ層３０へ、水分が侵入するのを抑制するために、ＳｉＮ（ＳｉＮ_ｘと表記してもよい）であることが望ましい。しかし、これに限定されることはなく、第１層Ｌ１の下面を構成する組成は、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン：ＳｉＯ_ｘＮ_ｙと表記してもよい）又はＳｉＯ（ＳｉＯ_ｘと表記してもよい）であってもよい。また、第１層Ｌ１の上面は、第１層Ｌ１の上側に積層される第２層Ｌ２との密着性を確保するために、ＳｉＯやａ−Ｓｉが望ましいが、第１層Ｌ１の上面を構成する組成は、第１層Ｌ１の下面を構成する組成と比較して、第２層Ｌ２の下面に対する密着性がより高い組成であればよい。同様に、第３層Ｌ３を構成する組成はＳｉＮが望ましいが、ＳｉＯＮ又はＳｉＯであってもよい。また、第２層Ｌ２を構成する組成は樹脂材料であり、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂が望ましいが、シロキサンなどのシリコン樹脂などの無機樹脂であってもよい。第１層Ｌ１の上面を構成する組成は、第２層Ｌ２に対する密着性を確保する観点から選択すればよい。

第１の比較例に係る封止膜をＣＶＤ法によって形成する場合、第１ＳｉＮ層の成膜と、ＳｉＯ層の成膜との間に、切り替えステップが必要となる。具体的には、チャンバー内を真空に引くための時間、プロセスガスを切り替えて流量を安定化させるための時間、及びプラズマ状態を安定化させるための時間など、実際に成膜を行う処理以外のステップである。これに対して、当該実施形態に係る封止膜３３をＣＶＤ膜によって形成する場合、かかるステップは不要となり、工程作業時間を短縮することが出来るので、有機ＥＬ層３０を構成する有機ＥＬ材料などに及ぼす悪影響を低減させることが出来る。環境温度が１００℃を超えると、有機ＥＬ材料の劣化が生じたり結晶化しやすくなるからである。また、第１の比較例に係る封止膜のＳｉＯ層を形成する場合、１０ｎｍ以下の薄膜となることが考えられ、かかる薄膜を安定的に成膜するために高い制御性が要求され、歩留まりが低下してしまう。これに対して、当該実施形態に係る封止膜３３では、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との界面領域（すなわち、第１層Ｌ１の上面及び上面より下側の非常に薄い領域）のみＳｉＯ（又は、ａ−Ｓｉ）であればよく、上側に積層される層（第２層Ｌ２）との密着性という観点では、第１の比較例と同程度の封止効果が得られる。それにもかかわらず、高い制御性が必要なく、歩留まりが向上するという更なる効果を奏する。

端子部となる領域にある封止膜を除去する工程においても、例えば、ドライエッチングによってかかる領域にある封止膜を除去する場合、エッチングレートを変化させるのみで、それ以外のエッチング条件を保ったまま、当該実施形態の封止膜３３の第１層Ｌ１を除去することが出来る。これに対して、第１の比較例に係る封止膜のＳｉＯ層とＳｉＮ層をドライエッチングによって除去する場合について考える。ＳｉＯに対するＳｉＮの選択比が大きいので、ＳｉＮと同じエッチング条件ではＳｉＯの除去にかかる時間が長くなる。また、ＳｉＯ層の除去とＳｉＮ層の除去とエッチング条件を変えるためには、切り替えステップが必要となり、工程作業時間がさらに長くなってしまう。よって、当該実施形態に係る封止膜３３の除去を、第１比較例に係る封止膜の除去よりも、短い工程作業時間で実現することが出来る。この工程においても、有機ＥＬ材料などに及ぼす悪影響を低減させることが出来る。例えば、ドライエッチングを用いる場合、工程作業時間が短縮されることにより、エッチングガスの使用量を低減することが出来る。フッ素系ガス（特に、ＳＦ_６ガス）は環境に対して悪影響が大きいので、エッチングガスにフッ素系ガスを用いる場合には、環境に対する悪影響を抑制するという更なる効果を奏する。

封止膜を形成する工程や（端子部にある）封止膜を除去する工程における工程作業時間を短縮することが出来るので、製造工程において有機パネルを低い温度の環境下におくことが出来、有機パネルへの熱による悪影響を低減することが出来、より高い信頼性の表示装置を実現することが出来る。

以下に、当該実施形態に係るＴＦＴ基板１１の製造方法を説明する。公知のＬＴＰＳ工程にて、ガラス基板２０上にＴＦＴ回路層ＴＦＴＣＬ（半導体膜２１から平坦化膜２７までの複数の層：図３参照）を形成する。

次に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成について説明する。平坦化膜２７上に、所定の形状を有する複数の陽極２８を形成し、陽極２８の端部を覆って、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はＴＥＯＳ（正ケイ酸４エチル：Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）などをバンク材料として、バンク２９を形成する。陽極２８上であって、バンク２９が形成されない領域が開口部であり、開口部によって発光領域が規定される。バンク２９は、基板全体に塗布法（スピン、インクジェット等）によりバンク材料を成膜し、その後、フォトマスクによりパターニングする。

陽極２８及びバンク２９を覆うように全面に亘って、蒸着法により、低分子材料からなる有機ＥＬ層３０を形成する。有機ＥＬ層３０は、電子注入、電子輸送、ホール輸送などの機能を多層膜で分離分担するスタック構造を有し、当該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、機能分離型素子である。蒸着法以外には、高分子材料の場合、印刷、インクジェット、及びレーザ転写なども適用できる。さらに、有機ＥＬ層３０を覆うように全面に亘って、第１陰極３１、第２陰極３２、及び封止膜３３を順に形成する。

次に、封止膜３３の形成について説明する。第１層Ｌ１及び第３層Ｌ３は、ＣＶＤ法によって形成される。ＣＶＤ法におけるプロセスガスの種類とそれぞれの流量の例については、表１に示す。流量の単位は、ｓｌｍ（Standard Litter per Minute）である。ＳｉＮ、ＳｉＯ、及びａ−Ｓｉそれぞれによる層を形成する際に、プロセスガスに用いるガスの種類とそれぞれの流量が、表１に示されている。設計から実際の作製において、封止膜の成膜条件を変更することがあり得るので、ガス流量に適したＭＦＣ（マスフローコントローラー）を設置することが望ましい。

当該実施形態に係る第１層Ｌ１は、基板側からみて、ＳｉＮからＳｉＯ（第１例）又はａ−Ｓｉ（第２例）へ連続的に変化する混合成膜である。それゆえ、第１例に係る第１層Ｌ１を形成するとき、ＳｉＮを形成するために、ＳｉＨ_４ガス、ＮＨ_３ガス、Ｈ_２ガス、及びＮ_２ガスをそれぞれ表１に示す所定の流量となるよう一定に維持して、基板側から所定の厚さ成膜する。そして、成膜工程を止めることなく、ＳｉＨ_４ガス、ＮＨ_３ガス、Ｈ_２ガス、及びＮ_２ガスの流量を連続的に減少させる。ＳｉＨ_４ガスの流量を０．０９まで変化させるとともに、ＮＨ_３ガス、Ｈ_２ガス、及びＮ_２ガスの流量をゼロまで変化させる。さらに、Ｎ_２Ｏガスの流量をゼロから１．３まで増加させる。これにより、窒素（Ｎ）の濃度や水素（Ｈ）の濃度が積層方向に沿って連続的に減少する（単調減少する）とともに、酸素（Ｏ）の濃度が積層方向に沿って連続的に増加する（単調増加する）。よって、第１層Ｌ１の下面（及び下面から上側の少なくとも非常に薄い領域）はＳｉＮによって形成され、第１層Ｌ１の上面（及び上面から少なくとも下側の少なくとも非常に薄い領域）はＳｉＯによって形成される。同様に、第２例に係る第１層Ｌ１を形成するとき、基板側から所定の厚さのＳｉＮを成膜してから、成膜工程を止めることなく、ＳｉＨ_４ガス、ＮＨ_３ガス、Ｈ_２ガス、及びＮ_２ガスの流量を連続的に減少させて、ＳｉＨ_４ガスの流量を０．３３まで変化させるとともに、ＮＨ_３ガス、Ｈ_２ガス、及びＮ_２ガスの流量をゼロまで変化させる。さらに、Ａｒガスの流量をゼロから１６．５まで増加させる。これにより、Ｎの濃度やＨの濃度が積層方向に沿って連続的に減少する（単調減少する）。よって、第１層Ｌ１の下面はＳｉＮによって形成され、第１層Ｌ１の上面はａ−Ｓｉによって形成される。

第２層Ｌ２は、例えばアクリル樹脂などの有機樹脂膜であり、公知の塗布方法などによって第２層Ｌ２を形成する。さらに、第３層Ｌ３をＣＶＤ法によって形成する。以上により、ＴＦＴ基板１１を形成する。その後について、公知の工程によって、表示装置が形成される。なお、ＴＦＴ基板１１上の端子部となる領域にある封止膜を除去する工程については、後述する。

図６Ａ乃至図６Ｃは、当該実施形態の第１例に係る封止膜３３の濃度変化を模式的に表した概念図である。図の横軸は、積層方向に沿う位置（高さ）を表しており、単位はｎｍである。図は、右側から左側へ積層方向に沿う位置（高さ）を示しており、右側がＴＦＴ基板側であり、左側がＣＦ基板側となる。図の縦軸は、対応する成分の濃度を対数スケールによって表したものであり、単位は任意である。図６ＡはＯの濃度を、図６ＢはＮの濃度を、図６ＣはＨの濃度を、それぞれ示している。図に示す対応する各成分の濃度は、例えば、ＳＩＭＳ分析や断面ＳＥＭ−ＥＤＸ分析を用いて測定することが可能である。すなわち、例えばＳＩＭＳ分析によって、第１層Ｌ１における対応する成分が連続的に濃度変化する状態を測定することが出来る。なお、ＳＩＭＳ分析では、プロファイルへの影響を考慮して分析する方向を選択することが出来る。通常は、積層方向と反対方向に沿う方向（図の左側から右側へ向かう方向：ＴＦＴ基板の上方から下方へ向かう方向）、すなわち、順方向（front side）に分析すればよい。しかしながら、目的により、積層方向に沿う方向、すなわち、逆方向（back side）に分析してもよいし、両方向（双方向）に分析してもよい。逆方向に分析することを、ＳＳＤＰ−ＳＩＭＳ、バックサイドＳＩＭＳ、又は裏面ＳＩＭＳなどと呼ばれている。ただし、当該実施形態に係る封止膜３３の分析には、通常（順方向）のＳＩＭＳ分析が好適である。

当該実施形態の第１例に係る封止膜３３では、図６Ａに示すＯの濃度変化が顕著である。積層方向（下方から上方）に沿って、第１層Ｌ１の成膜工程において、徐々にＮ_２Ｏガスの流量を増加させており、それに伴い、第１層Ｌ１において図６Ａの右側から左側にかけてＯの濃度が連続的に上昇している（単調増加する）。具体的には、第１層Ｌ１の下面においてＯの濃度は低濃度（実質的にゼロ）であり、Ｎ_２Ｏガスを用い始めて流量を増加させるのに伴い第１層Ｌ１の上面に向けて連続的に上昇している。そして、第２層Ｌ２との界面において不連続に減少し、第２層Ｌ２においては低濃度（実質的にゼロ）である。実際の分析結果には、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との界面において、Ｏの濃度は有限の幅で急峻に変化しており、急勾配の濃度変化が見られるが、第１層Ｌ１におけるＯの濃度の連続的な変化（緩やかな勾配）とは明らかに異なる。第１層Ｌ１におけるＯの濃度の下方から上方（界面）へ近づける際の極限値（外挿値）と、第２層Ｌ２におけるＯの濃度の上方から下方（界面）へ近づける際の極限値と、が異なっている。また、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との界面の前後において、Ｏの濃度の変化率（微分係数）は異なる値を取り、Ｏの濃度は有限の幅で急峻に変化しており、界面において変化率は実質的に算出不可（特異点）となっている。

また、第１層Ｌ１の成膜工程において、徐々にＳｉＨ_４ガス、ＮＨ_３ガス、Ｈ_２ガス、及びＮ_２ガスの流量を連続的に減少させている。よって、第１層Ｌ１において、図６Ｂの右側から左側にかけてＮの濃度が連続的に下降しており（単調減少しており）、図６Ｃの右側から左側にかけてＨの濃度が連続的に下降している（単調減少している）。第１層Ｌ１の上面付近において、ＮＨ_３ガスやＮ_２ガスの流量が実質的にゼロとなっており、Ｎ_２Ｏガスの流量は低い（１．３）ので、第１層Ｌ１の上面付近におけるＮの濃度は小さい。また、第２層Ｌ２のＮの濃度も同様に小さく、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２の界面において、Ｎの濃度はほぼ等しい。すなわち、第１層Ｌ１におけるＮの濃度の下方から上方（界面）へ近づける際の極限値と、第２層Ｌ２におけるＮの濃度の上方から下方（界面）へ近づける際の極限値とは、近い値又は同じ値を取る。しかしながら、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との界面の前後において、Ｎの濃度の変化率（微分係数）は異なる値を取り、界面において変化率は実質的に特異点となっている。

同様に、第１層Ｌ１において、第１層Ｌ１の上面付近におけるＮＨ_３ガスやＨ_２ガスの流量が実質的にゼロとなっており、ＳｉＯを形成するためのＳｉＨ_４ガスの流量は低い（０．０９）であるので、第１層Ｌ１の上面付近におけるＨの濃度は非常に小さい。アクリル樹脂はＨを含んでいるので、第２層Ｌ２のＨの濃度は第１層Ｌ１の上面付近のＨの濃度と比べて非常に大きい。すなわち、第１層Ｌ１におけるＨの濃度の下方から上方（界面）へ近づける際の極限値と、第２層Ｌ２におけるＨの濃度の上方から下方（界面）へ近づける際の極限値と、が異なっている。また、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との界面の前後において、Ｈの濃度の変化率（微分係数）は異なる値を取り、界面において変化率は実質的に算出不可（特異点）となっている。

第１層Ｌ１と第２層Ｌ２の成膜工程、及び第２層Ｌ２と第３層Ｌ３の成膜工程は、ともに不連続である。それゆえ、第１層Ｌ１の成膜工程と第２層Ｌ２の成膜工程との間に、切り替えステップを含んでいる。第２層Ｌ２の成膜工程と第３層Ｌ３の成膜工程についても同様である。それゆえ、各成分の濃度は、実質的にゼロである場合や、たまたま成分の濃度が一致する場合を除き、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２の界面において、及び第２層Ｌ２と第３層Ｌ３の界面において、各成分の濃度は不連続的に変化する。また、第２層Ｌ２は塗布法によって成膜しているので、第２層Ｌ２において各成分の濃度はほぼ一定に維持され、大きな変化は見られない。同様に、第３層Ｌ２の成膜工程において、ＣＶＤ法に用いるガス種とその流量は一定に維持されるので、第３層Ｌ３において各成分の濃度はほぼ一定に維持され、大きな変化は見られない。

当該実施形態の第１例に対して、第１比較例に係る封止膜の濃度変化についても考察する。第１例に係る第１層Ｌ１の代わりに、ＳｉＮ層とＳｉＯ層が基板側から順に積層される２層構造となっている。それゆえ、Ｏの濃度は、ＳｉＮ層で非常に小さく（実質的にゼロ）、ＳｉＯ層で大きくなっている。また、ＮやＨの濃度は、ＳｉＮ層で大きく、ＳｉＯ層で非常に小さくなっている。各層の成膜工程それぞれにおいて、ＣＶＤ法において用いるガス種とその流量は一定に維持されるので、ＳｉＮ層とＳｉＯ層それぞれにおける各成分の濃度はほぼ一定となり、ＳｉＮ層とＳｉＯ層との界面において不連続である。すなわち、ＳｉＮ層における各成分の濃度の下方から上方（界面）へ近づける際の極限値と、ＳｉＯ層における各成分の濃度の上方から下方（界面）へ近づける際の極限値と、が異なっている。また、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との界面の前後において、各成分の濃度の変化率（微分係数）はともにほぼゼロの値であり、界面において各成分の変化率は実質的に特異点となっている。

よって、当該実施形態の第１例における第１層Ｌ１の少なくとも一部の成分の濃度が連続的に変化しているのに対して、第１比較例における第１ＳｉＮ層及びＳｉＯ層の成分の濃度は不連続に変化していると言える。ここで、不連続とは、その位置（高さ）前後において、ある成分の濃度の極限値が異なる値を取ること、又は、その極限値が等しい（又は、十分に近い値と取る）場合であっても、その位置（高さ）前後において、その成分の濃度の変化率が異なる値を取ることをいう。また、少なくとも一部の成分の濃度が不連続に変化する位置（高さ）には、上下の層の界面が存在するとも言える。すなわち、当該実施形態に係る第１層Ｌ１は内部に界面を有していないが、第１比較例においては、ＳｉＮ層とＳｉＯ層との間に界面が存在している。

図７Ａ乃至図７Ｄは、当該実施形態の第２例に係る封止膜３３の濃度変化を模式的に表した概念図である。図の縦軸及び横軸は、図６Ａ乃至図６Ｃのそれらと同じである。図７ＡはＯの濃度を、図７ＢはＮの濃度を、図７ＣはＨの濃度を、図７Ｄはアルゴン（Ａｒ）の濃度を、それぞれ示している。

当該実施形態の第２例に係る封止膜３３では、Ｏを含むガスは用いられておらず、図７Ａに示すＯの濃度はほとんど変化が見られず一定である。ただし、製造装置の内材やＣＶＤ法で用いるガスの純度などにより変動しうる。第２例に係る封止膜３３では、図７Ｄに示すＡｒの濃度変化が顕著である。第１層Ｌ１の成膜工程において、積層方向に沿って徐々にＡｒガスの流量を増加させており、それに伴い、第１層Ｌ１においてＡｒの濃度が連続的に上昇している（単調増加している）。そして、第２層Ｌ２との界面において不連続に減少し、第２層Ｌ２及び第３層Ｌ３においては低濃度（実質的にゼロ）である。

また、第１層Ｌ１の成膜工程において、第１例と同様に、徐々にＳｉＨ_４ガス、ＮＨ_３ガス、Ｈ_２ガス、及びＮ_２ガスの流量を連続的に減少させている。よって、第１層Ｌ１において、積層方向に沿ってＮの濃度及びＨの濃度が連続的に下降している（単調減少している）。第１例と異なり、Ｎ_２Ｏガスを用いていないので、第１層Ｌ１の上面（及びその付近）におけるＮの濃度は、第１例と比較してさらに小さくなっている。また、ａ−Ｓｉを形成するためのＳｉＨ_４ガスの流量（０．３３）は第１の例において用いるＳｉＨ_４ガスの流量より高いので、第１層Ｌ１の上面付近におけるＨの濃度は小さいものの、第１例と比べると大きい。

第２層Ｌ２及び第３層Ｌ３の各成分の濃度は、第１例と基本的に同じである。第１例では、第２層Ｌ２（アクリル樹脂）のＮの濃度が、第１層Ｌ１の上面におけるＮの濃度と等しいとしており、第２例における第２層Ｌ２のＮの濃度が第１例と同じであるとすると、図７Ｂの第２層Ｌ２における濃度変化は上側の破線となる。第２例における第２層Ｌ２のＮの濃度が第２例における第１層Ｌ１の上面におけるＮの濃度と等しいとすると、図７Ｂの第２層Ｌ２における濃度変化は下側の破線となる。これらは第２層Ｌ２のアクリル樹脂の組成に依存するが、いずれにしても、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２の界面において、Ｎの濃度は不連続に変化すると言える。

当該実施形態では、第１層Ｌ１の下面を構成する組成がＳｉＮであり、第１層Ｌ１の上面を構成する組成がＳｉＯ（第１例）又はａ−Ｓｉ（第２例）である。このように、第１層Ｌ１において、積層方向に沿って、ある組成（組成Ａ）から別の組成（組成Ｂ）へ連続的に変化する場合、つまり、２種類の組成（組成Ａ及び組成Ｂ）の間で連続的に変化する場合、各成分は、一定に維持されるものを除き、単調増加するか単調減少している。ここで言う単調増加（単調減少）は、いわゆる狭義の単調増加（単調減少）であり、変化の過程において、変化率（微分係数）がゼロとなる状態を含まず、単調増加（単調減少）は変化率（微分係数）が正（負）である。ただし、組成の変化は第１層Ｌ１の積層方向に沿って内部で始まる場合や組成の変化が内部で終わる場合がある。それゆえ、下面から変化を始めるまで、及び、変化が終了してから上面までは、変化率（微分係数）がゼロであることはあり得る。

当該実施形態に係る封止膜３３の第１層Ｌ１及び第３層Ｌ３それぞれの層厚は、典型的には４００ｎｍである。第１例に係る第１層Ｌ１では、積層方向に沿って、ＳｉＮからＳｉＯへ連続的に変化している。便宜的に、ＳｉＯとなる部分の厚みを以下のようにＯの濃度を用いて定義する。図６Ａに示す第１層Ｌ１の下面（右端）の濃度と上面（左端）の濃度の平均値を求め、その平均値をとる位置から上面までの距離（厚み）をＳｉＯとなる部分の厚みとする。第１例に係る第１層Ｌ１のＳｉＯとなる部分の厚みは、５０ｎｍ以下が望ましく、典型的には１０ｎｍである。同様に、第２例において、便宜的に、ａ−Ｓｉとなる部分の厚みを以下のようにＮの濃度を用いて定義する。、図７Ｂに示す第１層Ｌ１の下面の濃度と上面の濃度の平均値をとる位置から上面までの距離をａ−Ｓｉとなる部分の厚みとする。第２例に係る第１層Ｌ１のａ−Ｓｉとなる部分の厚みは、５０ｎｍ以下が望ましく、典型的には１ｎｍである。ａ−Ｓｉとなる部分は、着色しない程度の厚みが望ましい。

本発明の主な特徴は、封止膜に混合成膜を含むことにある。当該実施形態に係る封止膜３３は３層構造を有しており、積層方向に対して最下層にあり、陰極の上側に形成される第１層Ｌ１が混合成膜である。封止膜を混合成膜１層によって構成してもよいし、封止膜が多層構造を有し、多層のうち１つ又はそれ以上の層が混合成膜であってもよい。例えば、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２を１組（２層）の層として、第３層Ｌ３の下層に複数組の層が配置される構造としてもよい。そして、その混合成膜を形成する目的によって、混合成膜の構成を選択すればよい。

当該実施形態に係る封止膜３３の第１層Ｌ１の下面はＳｉＮで形成される。ＳｉＮは、水分侵入を防ぐ耐湿性に優れており、陰極と接する第１層Ｌ１の下面はＳｉＮで形成されるのが望ましい。第２層Ｌ２は、異物に対する保護機能（カバレッジ）や突起部分における封止膜による封止が十分にならない箇所における封止性の向上などを目的として、アクリル樹脂で形成される。第１層の上面は第２層Ｌ２との密着性を向上させ、第２層Ｌ２が第１層Ｌ１から剥離するのを抑制するために、ＳｉＯ（第１例）又はａ−Ｓｉ（第２例）で形成されるのが望ましい。また、第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１と同様に、耐湿性のためにＳｉＮで形成される。実際には、基板上の全面に形成される第１層Ｌ１の上面のうち、平坦性が保たれている領域には、異物が位置される箇所を除き、第２層Ｌ２は形成されないか、形成されたとしても層厚は非常に小さくなっている。すなわち、平坦性があって異物が位置する箇所や、平坦性が保たれていない領域（凹凸となっている箇所）に、表面エネルギー（濡れ性）によって、第２層Ｌ２が島状に形成される。それゆえ、第１層Ｌ１や第３層Ｌ３が比較的均等な層厚で形成される（層厚分布がほぼ一様）であるのに対して、第２層Ｌ２の層厚は場所によって大きく異なり、層厚部分布が大きい（典型的には、０〜８００ｎｍ）。ただし、第２層Ｌ２を形成する材料の量を大きくすると、平坦性が保たれている領域にも膜として形成される。

以下に、当該実施形態に係る封止膜３３の封止機能について説明する。図８Ａ及び図８Ｂは、当該実施形態に係る表示装置の断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、表示領域ＤＡの周辺の封止箇所（額縁領域）における断面を示している。図８Ａは、断面ＳＥＭ観察に基づいて画像化した断面を示しており、図８Ｂは、図８Ａが示す断面を模式的に示している。図８Ｂに示す通り、ガラス基板２０上に絶縁膜が形成され、その上に、平坦化膜２７とバンク２９とが形成される。ここで、絶縁膜は、ゲート絶縁膜２２としているが、これに限定されることはない。ゲート絶縁膜２２、絶縁膜２４、又はパッシベーション膜２６のいずれか、それらの組み合わせなどであってもよい。そして、バンク２９の平坦箇所にシール材３４が配置されて、ＴＦＴ基板１１とＣＦ基板１２は貼り合わせれ、表示領域ＤＡが封止される。平坦化膜２７及びバンク２９は表示領域ＤＡの周縁からさらに延伸し、それらの端部はＴＦＴ基板１１の外縁の内側に位置している。

基板の全面に亘って、封止膜３３の第１層Ｌ１が形成される。しかし、バンク２９の端部は絶縁膜から立ち上がるように突出していており、バンク２９の端部と絶縁膜との接する箇所は、第１層Ｌ１は安定的に形成されない。しかしながら、表面エネルギーにより、バンク２９の端部の立ち上がり箇所付近に、図８Ａ及び図８Ｂに示す通り、第２層Ｌ２が形成される。ここで、第１層Ｌ１の上面はＳｉＯ又はａ−Ｓｉであり、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との密着性が確保され、第２層Ｌ２が第１層Ｌ１から剥離することを抑制する。さらに、基板の全面に亘って、第３層Ｌ３が形成され、封止膜３３の封止機能が向上されている。なお、図８Ａ及び図８Ｂに示す構成はあくまで一例であり、シール材３４が配置される領域（シール位置）や、平坦化膜２７の端部の位置、バンク２９の端部の位置は、設計により変更することが出来る。

図９は、当該実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板１１の断面図である。図９は、ＴＦＴ基板１１のうち、表示領域ＤＡ（画素回路が形成される領域）の平坦面に異物１００が付着している箇所の断面の一部を模式的に示している。前述の通り、基板上の陰極（第２陰極３２）の上に、全面に亘って、封止膜３３の第１層Ｌ１が形成される。しかし、陰極上に異物１００が付着している場合、異物１００の下側には、第１層Ｌ１はほとんど形成されず、異物１００の上側に第１層Ｌ１の一部が形成される。すなわち、かかる箇所は、陰極の上に、第１層Ｌ１が安定的に形成されていない箇所である。しかしながら、異物１００と基板（第１層Ｌ１や陰極）との隙間領域に、表面エネルギーにより、第２層Ｌ２が形成される。第１層Ｌ１の上面はＳｉＯ又はａ−Ｓｉであり、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との密着性が確保される。さらに、基板の全面に亘って、第３層Ｌ３が形成され、封止膜３３の封止機能が向上されている。もしも封止膜が第２層Ｌ２を含まず、ともにＳｉＮ層からなる２層構造を有している場合、異物１００と下層にあるＳｉＮ層との隙間領域（図９に示す領域１０１）には、十分に封止膜が形成されず、隙間（す）が生じてしまい、封止膜のかかる箇所における封止性は十分ではない。第２層Ｌ２なしに封止性を向上させるためには、ＳｉＮからなる封止膜の膜厚を当該実施形態に係る封止膜３３の膜厚よりも大きくする（例えば、５μｍ以上）必要が生じてしまう。これに対して、当該実施形態に係る封止膜３３は、第１層Ｌ１と第３層Ｌ３との間に、第２層Ｌ２を有する３層構造である上に、第１層Ｌ１の上面はＳｉＯとなっているので、異物１００に対する保護機能が向上しており、図９に示す領域１０１に隙間（す）が生じることを抑制することが出来る。

図１０は、当該実施形態に係る表示装置のＴＦＴ基板１１の断面図である。図１０は、ＴＦＴ基板１１のうち、表示領域ＤＡ（画素回路が形成される領域）に形成される画素回路の周辺箇所の断面の一部を模式的に示している。図４に示す通り、基板上の平坦化膜２７の上に、所定の形状を有する陽極２８が形成され、隣り合う陽極２８同士を絶縁するように、バンク２９が形成されている。図１０に示す断面は、陽極２８の端部にバンク２９が形成される箇所である。バンク２９の端部は陽極２８から立ち上がるように突出していており、バンク２９の端部と陽極２８との接する箇所は、第１層Ｌ１は安定的に形成されない。しかしながら、図８Ａ及び図８Ｂに示す断面と同様に、かかる箇所に封止膜３３の第２層Ｌ２が形成されることにより、封止性が向上している。封止膜の封止性が十分でないと、有機ＥＬ層３０などに水分が侵入し、表示領域ＤＡ上に、不良となる滅点やダークスポット（ＤＳ）が発生し得るが、当該実施形態に係る封止膜３３は封止性が向上されており、滅点やダークスポットが発生するのを抑制することが出来る。

以下に、当該実施形態に係るＴＦＴ基板１１の端子部の構成について説明する。図１１Ａ及び図１１Ｂは、当該実施形態に係るＴＦＴ基板１１の断面図であり、端子部に配置される複数の端子電極のうち１つを示している。図１１Ａは封止膜３３を形成する工程後の断面の一部を表しており、図１１Ｂは封止膜３３を除去する工程後の断面の一部を表している。ＴＦＴ基板１１の端部には、端子部が設けられている。前述の画素回路を形成する工程において、端子部の複数の端子電極を形成する。図１１Ａ及び図１１Ｂに示す端子電極は、４層の電極膜（第１電極膜５１、第２電極膜５３、第３電極膜５４、及び第４電極膜５５）で構成されているが、これに限定されることはない。

基板上（ゲート絶縁膜２２の上側）に、画素回路のゲート電極膜２３を形成する工程において、同じ材料を用いて、第１電極膜５１を形成する。絶縁膜２４を形成しスルーホールを形成後、画素回路の金属層２５を形成する工程において、同じ材料を用いて、第２電極膜５３を形成する。画素回路の陽極２８を形成する工程において、第３電極膜５４及び第４電極膜５５を形成する。陽極２８はＩＴＯ膜、Ａｇ膜、及びＩＴＯ膜からなる３層構造を有しており、第３電極膜５４は下側のＩＴＯ膜で、第４電極膜５５は上側のＩＴＯ膜で、形成する。第３電極膜５４と第４電極膜５５の間にＡｇ膜を設けてもよいし、設けなくてもよい。そして、ＴＦＴ基板１１の端子部にも、封止膜３３を形成する（図１１Ａ）。

図２に示す通り、トレイ２上に規則的に並べられたセル３に対して、ＴＦＴ基板１１上の端子部にある封止膜３３を除去する工程を施す。ここでは、ドライエッチングによる処理を施す。ＣＦ基板１２自体がハードマスクとなるので、レジスト等でパターニングすることなく、端子部にある封止膜３３をドライエッチングによって除去することが出来る。かかる工程で使用するエッチングガスは、フッ素系ガス（例えば、ＳＦ_６、ＣＦ_４、ＮＦ_６など）、及び酸素（Ｏ_２）ガスの混合ガスである。さらに、アルゴン（Ａｒ）ガスや窒素（Ｎ_２）ガスを添加する場合もある。特に、ＩＴＯに対するＳｉＮの選択比が非常に高いことは特筆すべきことである。それゆえ、ＳｉＮを除去しつつ、ＩＴＯ膜からなる第３電極膜５４及び第４電極膜５５へのダメージは小さい。ＩＴＯは、塩素系ガスではエッチングされやすいが、フッ素系ガスではほとんどエッチングされないからである。それゆえ、当該実施形態において、封止膜３３を除去する工程はドライエッチングによって施されるのが望ましいが、これに限定されることはなく、ウェットエッチングやレーザ照射により端子部にある封止膜３３を除去してもよい。

当該実施形態においては、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２の両方をガラススクラブして、個片に切り出した後に、端子部にある封止膜を除去する工程を施しているが、これに限定されることはないのは言うまでもない。大判状（複数のＴＦＴ基板１１が形成されるアレイ基板）や短冊状（１列に並ぶＴＦＴ基板１１が形成される）において、除去する工程を施してもよい。いずれにしても、封止膜３３をＴＦＴ基板１１なりの全面に亘って形成し、端子部にある封止膜を除去することになる。しかしながら、端子部となる領域にマスクをして、封止膜を部分的に（表示領域ＤＡを含む領域に）形成する場合と比べて、画素回路（有機ＥＬ層３０など）に対する悪影響は抑制することが出来る。封止膜を部分的に形成する場合は、マスクを準備する工程やＴＦＴ基板と位置合わせをする工程などがさらに必要となるからである。

以上、本発明の実施形態に係る表示装置について説明したが、本発明に係る表示装置は、上記実施形態に限定されることはない。上記実施形態において、ＴＦＴ基板１１にはガラス基板２０を用いたが、樹脂基板、メタル基板などを用いてもよいし、フレキシブルな（可撓性を有する）基板としてもよい。また、上記実施形態において、基板上に形成されるＴＦＴの半導体膜はＬＴＰＳとしたが、ＴＦＴの半導体膜はａ−Ｓｉや酸化物半導体であってもよいし、有機ＴＦＴを用いてもよい。また、上記実施形態において、ＴＦＴ基板に貼り合わせる対向基板がカラーフィルタを備えているが、ＴＦＴ基板がカラーフィルタを備えていてもよい。本発明は、製造工程において熱環境の影響を受けやすい有機ＥＬ表示装置に最適であるが、これに限定されることがないのは言うまでもない。基板上に、画素回路と封止膜が形成される表示装置に広く適用することが出来る。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１ 有機ＥＬ表示装置、２ トレイ、３ セル、１１ ＴＦＴ基板、１２ ＣＦ基板、１３ ＩＣドライバ、１４ ＦＰＣ、２０ ガラス基板、２１ 半導体膜、２２ ゲート絶縁膜、２３ ゲート電極膜、２４ 絶縁膜、２５ 金属層、２６ パッシベーション膜、２７ 平坦化膜、２８ 陽極、２９ バンク、３０ 有機ＥＬ層、３１ 第１陰極、３２ 第２陰極、３３ 封止膜、３４ シール材、３５ 充填材、４０ 透明基板、４１ カラーフィルタ、５１ 第１電極膜、５３ 第２電極膜、５４ 第３電極膜、５５ 第４電極膜、１００ 異物、１０１ 領域、ＤＡ 表示領域、Ｌ１ 第１層、Ｌ２ 第２層、Ｌ３ 第３層、ＯＬＥＤ 有機ＥＬ素子、ＴＦＴＣＬ ＴＦＴ回路層。

Claims (10)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板に対向して貼り合わされ、外気から封止される、第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板により封止される空間に配置される、充填材と、
   を備える、表示装置であって、
   前記第１の基板上に、画素回路と、多層構造を有する封止膜と、が順に形成され、
   前記第２の基板上に、カラーフィルタが形成され、
   前記封止膜は、前記画素回路に接して形成され、シリコン含有無機材料からなる第１層を含み、
   前記第１層は、少なくとも一部の成分が積層方向に沿って連続的に変化する、混合成膜である、
   ことを特徴とする、表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記封止膜は、前記第１層の上面の少なくとも一部に形成され、樹脂材料からなる第２層をさらに含む、
   ことを特徴とする、表示装置。
3. 請求項２に記載の表示装置であって、
   前記第１層の上面を構成する組成は、前記第１層の下面を構成する組成と比較して、前記第２層の下面に対する密着性がより高い、
   ことを特徴とする、表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置であって、
   前記第１層の下面を構成する組成は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、及び酸化シリコンから選択されるいずれかである、
   ことを特徴とする、表示装置。
5. 請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置であって、
   前記第１層の下面を構成する組成は、窒化シリコンであり、
   前記第１層の上面を構成する組成は、酸化シリコン及び無結晶シリコンから選択されるいずれかである、
   ことを特徴とする、表示装置。
6. 請求項２又は３に記載の表示装置であって、
   前記第２層の前記樹脂材料は、有機樹脂である、
   ことを特徴とする、表示装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の表示装置であって、
   前記画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス層を含む、
   ことを特徴とする、表示装置。
8. 第１の基板と、
   前記第１の基板に対向して貼り合わされ、外気から封止される、第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板により封止される空間に配置される、充填材と、
   を備える、表示装置の製造方法であって、
   前記第１の基板上に、画素回路と、多層構造を有する封止膜と、を順に形成する、工程と、
   前記第２の基板上に、カラーフィルタを形成する、工程と、
   前記封止膜は、前記画素回路に接して形成され、シリコン含有無機材料からなる第１層
   を含み、前記第１層を、少なくとも一部の成分を積層方向に沿って連続的に変化させて順に成膜する、第１層成膜工程と、
   を含むことを特徴とする、表示装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１層成膜工程は、化学気相成長法を用いて前記第１層を形成する際に、流入するプロセスガスの種類とそれぞれの流量を連続的に変化させる、
   ことを特徴とする、表示装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記封止膜は、樹脂材料からなる第２層をさらに含み、
    前記第１層の上面の少なくとも一部に、前記第２層を形成する、第２層成膜工程を、
    さらに含むことを特徴とする、表示装置の製造方法。

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