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CN111816676B - 显示装置 - Google Patents

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CN111816676B
CN111816676B CN202010003241.7A CN202010003241A CN111816676B CN 111816676 B CN111816676 B CN 111816676B CN 202010003241 A CN202010003241 A CN 202010003241A CN 111816676 B CN111816676 B CN 111816676B
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CN
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layer
display device
dam
groove
organic
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成宇镛
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本公开的一实施例公开一种显示装置，具备：基板，包括显示图像的显示区域及配置于所述显示区域的外侧的周边区域；显示器件，配置于所述显示区域，并包括与薄膜晶体管连接的像素电极、发光层及对电极；薄膜封装层，覆盖所述显示器件，并层叠有第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；以及至少一个槽(groove)，配置于所述周边区域，并至少一部分填充有所述薄膜封装层，所述槽具有沿包括第一层及所述第一层之上的第二层的多层膜的厚度方向凹陷并所述第二层向所述槽的中心方向凸出的底切结构。

Description

显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置作为显示图像的装置，有液晶显示装置(Liquid Crystal Display)、电泳显示装置(Electrophoretic Display)、有机发光显示装置(Organic Light EmittingDisplay)、电致发光显示装置(Field Emission Display)、表面传导电子发射显示装置(Surface-conduction Electron-emitter Display)、等离子显示装置(Plasma Display)、阴极射线显示装置(Cathode Ray display)等。
这种显示装置包括显示图像的显示区域和配置有向显示区域传递信号的布线等的周边区域。最近，为了在保持显示装置的高质量的同时实现薄型、轻量化，对利用有机膜密封(emcapsulation)显示区域及周边区域的技术的研究正在活跃进行。
发明内容
作为密封显示器件的技术，可以使用具有使无机封装层和有机封装层交替层叠的结构的薄膜封装层(TFE，Thin Film Encapsulation)。
本公开的实施例提供一种具有最佳的薄膜封装层的显示装置。
本公开所要解决的课题不限于以上提及的课题，本领域中具有通常知识的人员从本公开的记载能够明确地理解未提及的再其它课题。
本公开的一实施例公开一种显示装置，具备：基板，包括显示图像的显示区域及配置于所述显示区域的外侧的周边区域；显示器件，配置于所述显示区域，并包括与薄膜晶体管连接的像素电极、发光层及对电极；薄膜封装层，覆盖所述显示器件，并层叠有第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；以及至少一个槽(groove)，配置于所述周边区域，并填充有至少一部分所述薄膜封装层，所述槽具有沿包括第一层及所述第一层之上的第二层的多层膜的厚度方向凹陷并所述第二层向所述槽的中心方向凸出的底切结构。
在一实施例中，可以是，所述有机封装层的一部分填充于所述槽的内部，所述第一无机封装层与所述第二无机封装层在所述槽的内部接触。
在一实施例中，可以是，所述显示装置包括平坦化层，所述平坦化层覆盖所述槽，并包含有机绝缘物，所述平坦化层的至少一部分与所述有机封装层重叠。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述平坦化层上，并包含无机物。
在一实施例中，可以是，所述至少一个槽包括：第一槽；以及第二槽，比所述第一槽从所述显示区域位于更外侧，所述有机封装层填充于所述第一槽，所述有机封装层的一部分填充于所述第二槽。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：贯通层，配置于所述薄膜晶体管与所述显示器件之间；以及像素定义膜，覆盖所述像素电极的边缘，所述第一层包含与贯通层相同的物质，所述第二层包含与像素定义膜相同的物质。
在一实施例中，可以是，在所述第一层与所述第二层之间包括包含与所述像素电极的物质相同的物质的上方导电层。
在一实施例中，可以是，所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，所述第一层包含与所述下方贯通层相同的物质，在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含与所述上方贯通层相同的物质的中间层。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括下方导电层，所述下方导电层配置于所述第一层下方，所述槽的底板面形成为所述下方导电层的顶面。
在一实施例中，可以是，所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，所述第一层由与所述下方贯通层相同的物质构成，在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含导电物质的中间导电层。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括中间导电层，所述中间导电层配置于所述第一层下方，所述槽的底板面形成为所述中间导电层的顶面。
本公开的其它实施例公开一种显示装置，具备：基板，包括显示图像的显示区域及配置于所述显示区域的外侧的周边区域；显示器件，配置于所述显示区域，并包括与薄膜晶体管连接的像素电极、发光层及对电极；薄膜封装层，覆盖所述显示器件，并层叠有第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；以及坝部，配置于所述周边区域，并包括彼此隔开的第一坝及第二坝，所述第一坝和所述第二坝中至少一个具有底切结构。
在一实施例中，可以是，所述有机封装层的一部分填充所述第一坝与所述第二坝之间的隔开空间，所述第一无机封装层与所述第二无机封装层在所述隔开空间接触。
在一实施例中，可以是，所述显示装置包括平坦化层，所述平坦化层覆盖所述坝部，并包含有机绝缘物，所述平坦化层的至少一部分与所述有机封装层重叠。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述平坦化层上，并包含无机物。
在一实施例中，可以是，所述坝部还包括第三坝，所述第三坝比所述第一坝及所述第二坝从所述显示区域位于更外侧，在所述第一坝与所述第二坝之间的隔开空间填充有所述有机封装层，在所述第二坝与所述第三坝的隔开空间局部填充有有机封装层。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：贯通层，配置于所述薄膜晶体管与所述显示器件之间；以及像素定义膜，覆盖所述像素电极的边缘，所述第一坝和所述第二坝分别包括第一层及位于所述第一层之上的第二层，所述第一层包含与贯通层相同的物质，所述第二层包含与像素定义膜相同的物质。
在一实施例中，可以是，在所述第一层与所述第二层之间包括包含与所述像素电极的物质相同的物质的上方导电层。
在一实施例中，可以是，所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，所述第一层包含与所述下方贯通层相同的物质，在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含与所述上方贯通层相同的物质的中间层。
在一实施例中，可以是，所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，所述第一层由与所述下方贯通层相同的物质构成，在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含导电物质的中间导电层。
前述以外的其它方面、特征及优点通过以下的用于实施公开的具体内容、权利要求书及附图得到明确。
发明效果
根据如上所述构成的本公开的实施例，在周边区域配置底切结构的槽，从而能够利用毛细管现象来最小化有机封装层的边末端现象。
当然，本公开的范围并不被这种效果所限定。
附图说明
图1是简要示出根据本公开的一实施例的显示装置的俯视图。
图2A是简要示出沿图1的I-I'线截取的截面的截面图。
图2B是放大根据本公开的一实施例的显示装置中槽Gv的截面图。
图2C是用于说明边末端(edge tail)的比较例。
图3是简要示出根据本公开的其它实施例的显示装置的截面图。
图4是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。
图5是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。
图6是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。
图7是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。
图8是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。
图9是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。
图10是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。
附图标记说明
100：基板
101：缓冲层
103：第一栅极绝缘层
105：第二栅极绝缘层
107：层间绝缘层
109：下方贯通层
111：上方贯通层
113：像素定义膜
116：上方导电层
118：中间导电层
120：坝部
120a：第一坝
120b：第二坝
120c：第三坝
210：下方导电层
300：显示器件
310：像素电极
320：发光层
330：对电极
400：薄膜封装层
410：第一无机封装层
420：有机封装层
430：第二无机封装层
500：平坦化层
501：阻挡层
具体实施方式
本公开可以具有多种变换，可以具有各种实施例，特定实施例例示于附图，在详细的说明中进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例，本公开的效果及特征、以及实现它们的方法将会明确。但是，本公开并不限定于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。
以下，参照添附的附图，详细说明本公开的实施例，在参照附图进行说明时，相同或对应的构成要件赋予相同的附图标记，省略对其的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是限定性的意思，用于将一个构成要件与其他构成要件区别而使用。
在以下的实施例中，除了在文脉上明确表示其他含义以外，单数表达包括复数表达。
在以下的实施例中，包括或具有等用语意指存在说明书上记载的特征或构成要件，并不预先排出附加一个以上其它特征或构成要件的可能性。
在以下的实施例中，在膜、区域、构成要件等部分位于其它部分“之上”或“上”时，不仅是其它部分直接位于其上的情况，也包括其它膜、区域、构成要件等介于其中间的情况。
在附图中，为了便于说明，构成要件可能会夸大或缩小其大小。例如，在附图中示出的各结构的大小及厚度为了便于说明而任意示出，因此本公开并不是必须限定于附图所示那样。
显示装置作为显示图像的装置，可以是液晶显示装置(Liquid Crystal Display,Apparatus)、电泳显示装置(Electrophoretic Display Apparatus)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display Apparatus)、无机EL显示装置(Inorganic LightEmitting Display Apparatus)、电致发光显示装置(Field Emission DisplayApparatus)、表面传导电子发射显示装置(Surface-conduction Electron-emitterDisplay Apparatus)、等离子显示装置(Plasma Display Apparatus)、阴极射线管显示装置(Cathode Ray Display Apparatus)、量子点显示装置(Quantum Dot DisplayApparatus)等。
以下，作为根据本公开的一实施例的显示装置，作为例子而说明有机发光显示装置，但是本公开的显示装置不限定于此，可以使用多种方式的显示装置。
图1是简要示出根据本公开的一实施例的显示装置的一部分的俯视图。如图1所示，根据本实施例的显示装置具备基板100。基板100具有显示区域DA和配置于该显示区域DA外侧的周边区域PA。
在基板100的显示区域DA可以配置有多个像素而显示图像。在显示区域DA可以配置有有机发光二极管(OLED)之类的多种显示器件、薄膜晶体管、电容器等，可以通过所述显示器件、薄膜晶体管、电容器等的电耦合而形成像素来显示图像。根据向所述像素供给的栅极信号、数据信号、驱动电压(ELVDD)及公共电压(ELVSS)等产生通过显示器件的驱动电流，所述显示器件能够以与驱动电流对应的亮度发光。
周边区域PA配置于显示区域DA的外侧。在周边区域PA可以配置有供给向显示区域DA施加的多种信号及/或电源的布线，除所述布线以外，可以还配置有用于控制向显示区域DA内施加的电信号的薄膜晶体管(未图示)。另外，在周边区域PA可以配置有用于阻止在制造显示装置时使用的有机物质流动的坝(dam)或槽(groove)等。
图2A是简要示出将图1的显示装置沿I-I'截取的截面的截面图，图2B是放大根据本公开的一实施例的显示装置中具备槽Gv的区域的截面图。
参照图2A，根据本公开的一实施例的显示装置包括：包括显示区域DA及周边区域PA的基板100；以及密封所述显示区域DA及周边区域PA的薄膜封装层400。
基板100可以包含多种原材料。例如，基板100可以由以SiO2作为主成分的透明的玻璃材质构成。但是，基板100并不必须限定于此，也可以由透明的塑料材质形成。塑料材质可以是从由作为绝缘性有机物的聚醚砜(PES，polyethersulfone)、聚芳酯(PAR，polyarylate)、聚醚酰亚胺(PEI，polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethyelenen naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide：PPS)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸纤维素酞酸酯(cellulose aceatepropionate：CAP)构成的组中选择的有机物。
缓冲层101位于基板100上，缓冲层101能够减少或切断异物、湿气或外气从基板100的下方渗透，缓冲层101能够在基板100上提供平坦面。缓冲层101可以包含氧化物或氮化物之类的无机物、或有机物、或有机无机复合物，可以由无机物和有机物的单层或多层结构构成。
第一薄膜晶体管T1包括半导体层A1、第一栅极电极G1、源极电极S1、漏极电极D1，第二薄膜晶体管T2包括半导体层A2、第二栅极电极G2、源极电极S2、漏极电极D2。
以下，图示了薄膜晶体管T1、T2是顶栅型(top gate type)的情况。但是，本实施例不限定于此，可以采用底栅型(bottom gate type)等多种类型的薄膜晶体管。
另外，以下虽然图示了薄膜晶体管T1、T2为两个的情况，但不限定此。在本公开的实施例中，显示装置可以针对一个像素采用两个以上薄膜晶体管T1、T2。在一部分实施例中，薄膜晶体管T1、T2可以针对一个像素采用六个至七个等可以进行多种变形。
半导体层A1、A2可包含非晶硅，或包含多晶硅。作为其它实施例，半导体层A1、A2可以包含从包含铟(In)、钙(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)及锌(Zn)的组中选择的至少一个以上物质的氧化物。半导体层A1、A2可以包括通道区域和载流子浓度比所述通道区域高的源极区域及漏极区域。
在半导体层A1上将第一栅极绝缘层103置于之间配置有第一栅极电极G1。第一栅极电极G1可以包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)等并由单层或多层构成。作为一例，第一栅极电极G1可以是Mo的单层。
第一栅极绝缘层103用于绝缘半导体层A1与第一栅极电极G1，可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
如上所述，第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极G1和第二薄膜晶体管T2的第二栅极电极G2可以配置于彼此不同层。由此，能够将第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的驱动范围不同地进行调节。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以与第一栅极电极G1在相同的层以相同物质形成。存储电容器Cst的第二电极CE2将第二栅极绝缘层105置于之间与第一电极CE1重叠。第二电极CE2可以与第二栅极电极G2在相同的层以相同物质形成。
在图2A中，图示了存储电容器Cst与第一薄膜晶体管T1及第二薄膜晶体管T2不重叠。但是，不限定于此。例如，存储电容器Cst可以与第一薄膜晶体管T1重叠配置。在一部分实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1可以与第一栅极电极G1一体形成。即，第一薄膜晶体管T1的第一栅极电极G1能够执行作为存储电容器Cst的第一电极CE1的功能。
层间绝缘层107可以形成为覆盖所述第二电极CE2。层间绝缘层107可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
源极电极S1、S2及漏极电极D1、D2配置于层间绝缘层107上。源极电极S及漏极电极D可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)等的导电物质，并可以由包含上述的材料的多层或单层形成。作为一例，源极电极S1、S2和漏极电极D1、D2可以由Ti/Al/Ti的多层结构构成。
下方贯通层109及上方贯通层111可以位于源极电极S1、S2和漏极电极D1、D2上，显示器件300可以位于上方贯通层111上。下方贯通层109及上方贯通层111可以是由有机物质构成的膜以单层或多层形成。有机物质可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)、聚苯乙烯(Polystylene，PS)之类普通通用高分子、具有酚类群的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚氨酸类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子及它们的共混物等。另外，下方贯通层109及上方贯通层111可以由无机绝缘膜和有机绝缘膜的复合叠层体形成。
连接金属CM可以位于下方贯通层109与上方贯通层111之间。连接金属CM可以通过形成于下方贯通层109的开口部与第二薄膜晶体管T2的源极电极S2和漏极电极D2中任一个接触从而与第二薄膜晶体管T2电连接。
在下方贯通层109上可以还配置有与连接金属CM隔开并以相同的物质具备的布线(未图示)。
在图2A中，图示了下方贯通层109及上方贯通层111配置于薄膜晶体管T1、T2与显示器件300之间，但本公开不限定于此。例如，可以是下方贯通层109和上方贯通层111中仅一个配置于薄膜晶体管T1、T2与显示器件300之间等可以进行多种变形。
在基板100的显示区域DA内，具有像素电极310、对电极330及介于像素电极310和对电极330之间并包括发光区域的发光层320的显示器件300可以位于上方贯通层111上。像素电极310可以通过形成于上方贯通层111的开口部与连接金属CM接触从而与第二薄膜晶体管T2电连接。
像素电极310可以是反射电极。例如，像素电极310可以具备：由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它们的化合物等形成的反射膜；以及在反射膜上形成的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具备从包括氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)及氧化锌铝(AGO；aluminum zinc oxide)的组中选择的至少一个以上。
在上方贯通层111上方可以配置有像素定义膜113。该像素定义膜113具有与各个子像素对应的开口、即具有至少使像素电极310的中央部暴露的开口，从而起到定义像素的作用。另外，像素定义膜113增加像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离，从而能够起到防止在像素电极310的边缘产生电弧等的作用。这种像素定义膜113可以由聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO；hexamethyldisiloxa ne)等之类有机物形成。
显示器件300的发光层320可以包含低分子或高分子物质。在包含低分子物质的情况下，可以具有空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)、空穴传输层(HTL：HoleTransport Layer)、发光区域层(EML：Emission Layer)、电子传输层(ETL：ElectronTransport Layer)、电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)等以单一或复合的结构层叠的结构，可以包含以酞菁铜(CuPc：copper phthalocyanine)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine：NPB)、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)等为代表的多种有机物质。这种层可以通过真空蒸镀的方法来形成。
在发光层320包含高分子物质的情况下，可以具有大体上包括空穴传输层(HTL)及发光区域层(EML)的结构。此时，可以是空穴传输层包含PEDOT(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)，发光层可以包含PPV(聚苯撑乙烯，Poly-Phenylenevinylene)类及聚芴(Polyfluorene)类等高分子物质。这种发光层320可以通过丝网印刷或喷墨印刷方法、激光热转印方法(LITI；Laser induced thermal imaging)等形成。
当然，发光层320并不一定限定于此，当然也可以具有多种结构。并且，发光层320既可以包括跨多个像素电极310而一体的层，也可以包括对应于多个像素电极310的各个而图案化的层。
对电极330配置于显示区域DA上方，也可以如图2A所示那样配置成覆盖显示区域DA。即，对电极330可以在多个显示器件中一体形成而对应于多个像素电极310。
对电极330可以是透光性电极。例如，对电极330可以是透明或半透明电极，可以由包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或者它们的化合物的功函数小的金属薄膜形成。
像素电极310由反射电极构成且对电极330由透光性电极构成，由此可以形成为在发光层320发射的光向对电极330侧发射的前面发光型显示装置。但是，本实施例不限于此，也可以形成为在发光层320发射的光向基板100侧发射的背面发光型显示装置。在此情况下，可以是像素电极310由透明或半透明电极构成，对电极330由反射电极构成。另外，本实施例的显示装置也可以是向前面和背面两方向发射光的双面发光型。
薄膜封装层400覆盖显示区域DA及周边区域PA，能够防止外部的湿气及氧气的渗透。薄膜封装层400可以具备至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在图2A中，图示了薄膜封装层400包括两个无机封装层410、430和一个有机封装层420的例，层叠顺序及层叠次数不限于图2A中图示的实施例。
第一无机封装层410覆盖对电极330，可以包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等。当然，也可以根据需要，在第一无机封装层410与对电极330之间介在有封盖层等其它层。这种第一无机封装层410由于沿其下方的结构物形成，因此，如图2A中图示那样，其顶面不平坦。有机封装层420覆盖这种第一无机封装层410，与第一无机封装层410不同，可以使其顶面大致平坦。具体地，可以使有机封装层420在与显示区域DA对应的部分的顶面大致平坦。这种有机封装层420可以包含从由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸钠、聚氧化甲烯、聚芳酯、六甲基二硅氧烷构成的组中选择的一个以上材料。第二无机封装层430覆盖有机封装层420，可以包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅等。
如此，薄膜封装层400包含第一无机封装层410、有机封装层420及第二无机封装层430，即使在薄膜封装层400内产生裂纹，通过这种多层结构，能够使这种裂纹在第一无机封装层410与有机封装层420之间或在有机封装层420与第二无机封装层430之间不连接。通过此，能够防止或最小化来自外部的水分或氧气等向显示区域DA及周边区域PA渗透的路径的形成。这种第二无机封装层430在位于显示区域DA外侧的其边缘与第一无机封装层410接触，从而能够使有机封装层420不向外部暴露。
在本实施例中，在基板100的周边区域PA可以配置有槽(groove)Gv。所述槽Gv形成于多层膜，并具有底切结构。与其相关，在图2A中图示了包括第一层121及位于所述第一层121之上的第二层123a、123b的多层膜。另外，所述第二层123a、123b向所述槽Gv的中心方向凸出，从而形成底切结构。
槽Gv可以沿多层膜的深度方向形成。如图2B所示，可以蚀刻第二层123a、123b而形成贯通第二层123a、123b的第二孔H2，蚀刻第一层121而形成向第一层121的厚度方向凹陷的第一凹槽R1。第一凹槽R1与第二孔H2可以空间上连接而构成槽Gv。前述的蚀刻可以是各向同性蚀刻及/或各向异性蚀刻。
槽Gv中经过第二层123a、123b的部分的宽度可以形成为比经过第一层121的部分的宽度小。例如，第二孔H2的宽度W2(或直径)可以形成为比第一凹槽R1的宽度W1(或直径)小。
第一层121及第二层123a、123b可以包含有机绝缘物。例如，可以包含聚酰亚胺之类高分子树脂。在一部分实施例中，第一层121可以与上方贯通层111以相同的物质同时形成，第二层123a、123b可以与像素定义膜113以相同的物质同时形成。
这种底切结构可以用于防止在形成包含于薄膜封装层400的有机封装层420时边末端长长地形成。
为了形成有机封装层420，可以经过涂布液相的有机物质而硬化的过程。在此情况下，通过液相的有机物质的流动性，产生向基板100的边缘流动的现象。
在本实施例中，在基板100的周边区域PA具备具有底切结构UC的槽Gv，从而能够防止所述液相的有机物质通过所述底切结构UC向基板100的边缘方向流动。
万一，若如图2C那样，槽Gv'未包括底切结构，则液相的有机物质的流动特性上其一部分可能顺着槽Gv'内侧面流动至槽Gv'的外部。
即，即使不是有机封装层420填满槽Gv'而溢出，有机物质通过流动性形成边末端(edge tail)ET而在周边区域PA也可能会检测到有机物质。
但是，本公开的实施例在槽Gv具备底切结构UC，通过向狭窄区域吸入的毛细管现象，液相的有机物质在底切结构UC聚集。由此，能够防止液相的有机物质顺着槽Gv的内侧面越过去。即，截面为凹陷的底切形状的槽Gv能够最小化有机封装层420的有机物质的边末端(edge tail)ET。
在所述有机封装层420的一部分填充所述槽Gv的内部时，可以使第一无机封装层410与第二无机封装层430在槽Gv内部接触。如前述那样，可以使有机封装层420不向外部暴露。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b而具备。
所述第一坝120a和所述第二坝120b中至少一个可以具有底切结构UC。因此，第一坝120a与第二坝120b的隔开空间可以由所述有机封装层420的一部分填充。所述第一坝120a和所述第二坝120b中至少一个具备底切结构UC，通过向狭窄区域吸入的毛细管现象，液相的有机物质在底切结构UC聚集。由此，能够防止液相的有机物质顺着所述隔开空间的内侧面越过去。因此，能够最小化有机封装层420的有机物质的边末端(edge tail)ET。
所述第一无机封装层410与所述第二无机封装层430能够在所述隔开空间接触。因此，能够使有机封装层420不向外部暴露。
根据所述第一坝120a及所述第二坝120b的隔开空间可以包括沿包括第一层121及第二层123a、123b的多层膜的厚度方向凹陷的底切截面。可以是，第一层121与上方贯通层111以相同物质形成，第一层121上方的第二层123a、123b与像素定义膜113以相同的物质形成。
另外，在基板100的周边区域PA可以配置有下方导电层210。下方导电层210可以是用于向显示区域DA供给电源的布线，可以与源极电极S1、S2及漏极电极D1、D2在相同的层以相同的物质具备。
在下方导电层210上可以配置有中间导电层118。所述中间导电层118可以与显示器件300的对电极330连接而起到传递公共电压(ELVSS)的布线的功能。所述中间导电层118可以与连接金属CM以相同物质具备。
如前述那样，上方贯通层111及像素定义膜113可以由有机物质构成。所述有机物质与金属的接合力优异于与构成层间绝缘层107的无机物质的接合力。因此，所述第一层121形成为与中间导电层118相接，从而所述第一层121与所述第二层123a、123b具有优异的接合力而能够稳定地形成。但是，不限定于此。可以进行可将中间导电层118除外等多种变形。
在图2A中，图示了所述下方导电层210通过中间导电层118接通于对电极330的例。但是，本公开不限定于此，可以进行下方导电层210可与所述对电极330直接相接等多种变形。
图3是简要示出根据本公开的其它实施例的显示装置的截面图。在图3中，如图2A那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图3，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件300，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件300；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
槽Gv可以沿多层膜的深度方向形成。如图3所示，槽Gv可以是蚀刻第二层123a、123b而形成贯通第二层123a、123b的第二孔H2，蚀刻第一层121a、121b而形成贯通第一层121a、121b的第一孔H1。
第一孔H1与第二孔H2可以空间上连接而构成槽Gv。此时，槽Gv的底板面可以具备为配置于槽Gv的下方的中间导电层118的顶面。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过彼此隔开的第一坝120a和第二坝120b而具备。所述第一坝120a的第一层121a与所述第二坝120b的第一层121b分离，从而所述第一坝120a与所述第二坝120b的隔开空间的大小可以变大。因此，能够更有效地控制有机封装层420的有机物质溢出的情况。
图4是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。在图4中，如图3那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图4，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件300，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件300；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
另外，根据本实施例的显示装置可以包括覆盖槽Gv的平坦化层500。
平坦化层500可以包含有机绝缘物。作为一实施例，平坦化层500可以通过在薄膜封装层400上涂布光致抗蚀剂(负片或正片)或聚合物(polymer)系列的有机物并将其图案化来形成。
所述平坦化层500可以在填充所述槽Gv的一部分的同时，缓解可能施加于槽Gv的应力，并防止裂纹。
在平坦化层500上可以还包括包含无机物的阻挡层501。通过所述阻挡层501及所述平坦化层500，能够防止或最小化水分或氧气等从外部向周边区域PA渗透的路径的形成。这种阻挡层501与第二无机封装层430接触，从而能够使平坦化层500不向外部暴露。
另外，平坦化层500覆盖周边区域PA中有机封装层420不存在的区域，从而能够提高显示装置的平整度。因此，能够防止在薄膜封装层400上直接形成或通过黏着层结合的输入感应部件或光学功能部件等从显示装置分离或脱离。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过包括彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b的坝部120而具备。
在此情况下，所述平坦化层500可以在填充所述第一坝120a与第二坝120b的隔开空间的一部分的同时，缓解可能施加于坝部120的应力，并防止裂纹。
根据本实施例的显示装置可以还包括位于所述平坦化层500上并包含无机物的阻挡层501。通过所述阻挡层501及所述平坦化层500，能够防止或最小化来自外部的水分或氧气等向周边区域PA渗透的路径的形成。
图5是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。在图5中，如图2A那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图5，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件(未图示)，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
另外，在本实施例中，所述槽Gv可以具备多个。例如，槽Gv可以包括靠近显示区域DA配置的第一槽Gv1及远离显示区域DA配置的第二槽Gv2。但是，不限定于此。可以进行所述槽Gv可以还包括第三槽等的情况等多种变形。
所述第一槽Gv1和所述第二槽Gv2可以沿包括第一层121a、121b、121c及第二层123a、123b、123c的多层膜的厚度方向凹陷，所述第二层123a、123b、123c向所述槽Gv的中心方向具有底切结构。
有机封装层420可以填充于所述第一槽Gv1。另外，至少一部分有机封装层420的有机物质可以填充于所述第二槽Gv2。在尽管形成有所述槽Gv，有机封装层420的有机物质还可能溢出并填充于所述第一槽Gv1的情况下，形成所述第二槽Gv2，从而能够最小化有机物质的边末端(edge tail)ET。但是，不限定于此。可以是有机封装层420的有机物质的仅至少一部分填充于所述第一槽Gv1等多种变形。
在所述第二槽Gv2可以包括包含有机绝缘物的平坦化层(未图示)。另外，也可以还包括位于所述平坦化层(未图示)上并包含无机物的阻挡层(未图示)。
另一方面，可以理解为所述第一槽Gv1通过彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b而具备。另外，可以理解为所述第二槽Gv2通过彼此隔开的第二坝120b及第三坝120c而具备。
参照图5，坝部120可以包括从所述显示区域DA比所述第一坝120a及所述第二坝120b位于更外侧的第三坝120c。另外，所述第三坝120c也可以形成底切结构。基于坝部120包括多个坝，能够在形成有机封装层420时更有效地防止有机物质的溢出现象。但是，不限定于此。可以是所述坝部120可还包括第四坝等的情况等多种实施例。
在所述第一坝120a与所述第二坝120b之间的隔开空间可以填充有所述有机封装层420。另外，在所述第二坝120b与所述第三坝120c之间的隔开空间可以局部填充有有机封装层420。在有机封装层420的有机物质溢出而填充所述第一坝120a与所述第二坝120b之间的隔开空间的情况下，形成所述第三坝120c，从而能够最小化有机物质的边末端(edgetail)ET。
图6是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。在图6中，如图3那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图6，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件(未图示)，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
在本实施例中，在所述第一层121a、121b与所述第二层123a、123b之间可以包括包含与所述像素电极310的物质相同的物质的上方导电层116。如前述那样，第一层121a、121b与第二层123a、123b可以由有机物质构成，所述有机物质与金属的接合力优异于与构成层间绝缘层107的无机物质的接合力。因此，第一层121a、121b及第二层123a、123b具有优异的接合力而能够稳定地形成。
所述上方导电层116可以向所述槽Gv的中心方向凸出。参照图6，所述上方导电层116与第一无机封装层410相邻。但是，不限定于此。所述上方导电层116的所述槽Gv的中心方向上的长度可以比图6中图示的短。
所述上方导电层116可以由导电物质构成。为了形成本实施例的槽Gv，可以依次蒸镀第一绝缘层、导电层、第二绝缘层，同时蚀刻导电层及第二绝缘层，从而形成上方导电层116及第二层123a、123b。之后，在所述上方导电层116及第二层123a、123b形成光致抗蚀剂后，将其作为掩模而蚀刻第一绝缘层，从而形成第一层121a、121b。所述蚀刻可以是干式蚀刻。由此，所述槽Gv能够容易地形成为，沿包括所述第一层121a、121b及所述第二层123a、123b的多层膜的厚度方向凹陷，并使所述第二层123a、123b向所述槽Gv的中心方向凸出。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b而具备。
在所述第一坝120a的第一层121a与所述第一坝120a的第二层123a之间及所述第二坝120b的第一层121b与所述第二坝120b的第二层123b之间可以包括包含与所述像素电极310的物质相同的物质的上方导电层116。如前述那样，第一层121a、121b与第二层123a、123b可以由有机物质构成，所述有机物质与金属的接合力优异于与构成层间绝缘层107的无机物质的接合力。因此，第一坝120a及第二坝120b具有优异的接合力而能够稳定地形成。
图7是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。在图7中，如图6那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图7，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件(未图示)，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
在本实施例中，显示装置可以包括上方贯通层111和下方贯通层109，所述第一层121a、121b可以包含与所述下方贯通层109相同的物质。另外，在所述第一层121a、121b与上方导电层116之间可以包括包含与所述上方贯通层111相同的物质的中间层125a、125b。
如前述那样，所述上方贯通层111及下方贯通层109可以包含有机物质，分别可以通过干蚀刻来进行图案化。在所述多层膜由第一层121a、121b、中间层125a、125b及第二层123a、123b形成的情况下，可以形成更深的底切结构。因此，能够更有效地控制有机封装层的有机物质溢出的情况。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b而具备。
所述第一坝120a的第一层121a及所述第二坝120b的第一层121b可以包含与所述下方贯通层109相同的物质。另外，在所述第一坝120a的第一层121a及所述第二坝120b的第一层121b与上方导电层116之间可以包括包含与所述上方贯通层111相同的物质的中间层125a、125b。
如前述那样，所述上方贯通层111及下方贯通层109可以包含有机物质，分别可以通过干蚀刻来进行图案化。在所述坝部120由第一层121a、121b、中间层125a、125b及第二层123a、123b形成的情况下，能够形成更深的所述隔开空间。因此，能够更有效地控制有机封装层的有机物质溢出的情况。
图8是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。在图8中，如图7那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图8，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件(未图示)，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
在本实施例中，在图8的底切结构形态上，显示装置可以包括覆盖截面凹陷的底切形状的槽Gv并包含有机绝缘物的平坦化层500。
虽未在图8中图示，显示装置可以还包括位于包含有机绝缘物的平坦化层500上并包含无机物的阻挡层。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b而具备。
在图8的底切结构形态上，显示装置可以包括覆盖通过第一坝120a及第二坝120b而具备的隔开空间并包含有机绝缘物的平坦化层500。虽未在图8中图示，也可以还包括位于所述平坦化层500上并包含无机物的阻挡层。
图9是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。在图9中，如图3那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图9，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件(未图示)，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
在本实施例中，所述第一层121a、121b可以包含与所述下方贯通层109相同的物质。所述第一层121a、121b与上方导电层116a、116b之间可以包括包含导电物质的中间导电层118。
为了形成本实施例的槽Gv，可以蒸镀第一绝缘层并蚀刻，从而形成第一层121a、121b。之后，可以依次蒸镀中间导电层118、第二绝缘层、第一导电层、第三绝缘层，同时蚀刻第三绝缘层及第一导电层，从而制成第二层123a、123b及上方导电层116a、116b。之后，可以在所述上方导电层116a、116b及第二层123a、123b形成光致抗蚀剂后，将其作为掩模而蚀刻第二绝缘层并去除。所述蚀刻可以是干式蚀刻。由此，所述槽Gv能够沿包括所述第一层121a、121b及中间导电层118的多层膜的厚度方向凹陷并在所述第二层123a、123b及所述上方导电层116a、116b形成底切。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b而具备。所述第一坝120a的所述第一层121a及所述第二坝120b的所述第一层121b可以包含与所述下方贯通层109相同的物质。在所述第一层121a、121b与上方导电层116a、116b之间可以包括包含导电物质的中间导电层118。
中间导电层118和上方导电层116a、116b可以都由金属材质构成，并可以具有优异的接合力。
图10是简要示出根据本公开的再其它实施例的显示装置的截面图。在图10中，如图9那样，相同的参照符号表示相同部件，在此为了简化说明而省略它们的重复说明。
参照图10，根据本公开的实施例的显示装置具备：显示器件(未图示)，配置于基板100的显示区域DA上；薄膜封装层400，覆盖所述显示器件；以及槽Gv，配置于基板100的周边区域PA上，并具有底切结构。
在本实施例中，显示装置可以包括覆盖截面凹陷的底切形状的槽Gv并包含有机绝缘物的平坦化层500。所述平坦化层500能够缓解截面凹陷的底切形状的槽Gv引起的应力并防止裂纹。虽未在图10中图示，也可以还包括位于所述平坦化层500上并包含无机物的阻挡层。
另一方面，可以理解为所述槽Gv通过彼此隔开的第一坝120a及第二坝120b而具备。
参照图10，显示装置可以包括覆盖第一坝120a与第二坝120b的隔开空间并包含有机绝缘物的平坦化层500。所述平坦化层500能够缓解截面凹陷的底切形状的坝部120引起的应力并防止裂纹。
如此，参考附图中图示的一实施例而说明了本公开，但其只是例示性的，本领域中具有通常知识的人会理解能够从其进行多种变形及实施例的变形。因此，本公开的实际的技术保护范围应通过所附的权利要求书的技术思想来决定。

Claims (18)

1.一种显示装置，其中，具备：
基板，包括显示图像的显示区域及配置于所述显示区域的外侧的周边区域；
显示器件，配置于所述显示区域，并包括与薄膜晶体管连接的像素电极、发光层及对电极；
薄膜封装层，覆盖所述显示器件，并层叠有第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；以及
至少一个槽，配置于所述周边区域，并填充有至少一部分所述薄膜封装层，
所述槽具有沿包括第一层及所述第一层之上的第二层的多层膜的厚度方向凹陷并所述第二层向所述槽的中心方向凸出的底切结构，
所述有机封装层的一部分填充于所述槽的内部，所述第一无机封装层与所述第二无机封装层在所述槽的内部接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置包括平坦化层，所述平坦化层覆盖所述槽，并包含有机绝缘物，
所述平坦化层的至少一部分与所述有机封装层重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述平坦化层上，并包含无机物。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述至少一个槽包括：第一槽；以及第二槽，比所述第一槽从所述显示区域位于更外侧，
所述有机封装层填充于所述第一槽，
所述有机封装层的一部分填充于所述第二槽。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
贯通层，配置于所述薄膜晶体管与所述显示器件之间；以及
像素定义膜，覆盖所述像素电极的边缘，
所述第一层包含与贯通层相同的物质，
所述第二层包含与像素定义膜相同的物质。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
在所述第一层与所述第二层之间包括包含与所述像素电极的物质相同的物质的上方导电层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，
所述第一层包含与所述下方贯通层相同的物质，
在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含与所述上方贯通层相同的物质的中间层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括下方导电层，所述下方导电层配置于所述第一层下方，
所述槽的底板面形成为所述下方导电层的顶面。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，
所述第一层由与所述下方贯通层相同的物质构成，
在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含导电物质的中间导电层。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括中间导电层，所述中间导电层配置于所述第一层下方，
所述槽的底板面形成为所述中间导电层的顶面。
11.一种显示装置，其中，具备：
基板，包括显示图像的显示区域及配置于所述显示区域的外侧的周边区域；
显示器件，配置于所述显示区域，并包括与薄膜晶体管连接的像素电极、发光层及对电极；
薄膜封装层，覆盖所述显示器件，并层叠有第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；以及
坝部，配置于所述周边区域，并包括彼此隔开的第一坝及第二坝，
所述第一坝和所述第二坝中至少一个具有底切结构，
所述有机封装层的一部分填充所述第一坝与所述第二坝之间的隔开空间，所述第一无机封装层与所述第二无机封装层在所述隔开空间接触。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述显示装置包括平坦化层，所述平坦化层覆盖所述坝部，并包含有机绝缘物，
所述平坦化层的至少一部分与所述有机封装层重叠。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述平坦化层上，并包含无机物。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述坝部还包括第三坝，所述第三坝比所述第一坝及所述第二坝从所述显示区域位于更外侧，
在所述第一坝与所述第二坝之间的隔开空间填充有所述有机封装层，
在所述第二坝与所述第三坝的隔开空间局部填充有有机封装层。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
贯通层，配置于所述薄膜晶体管与所述显示器件之间；以及
像素定义膜，覆盖所述像素电极的边缘，
所述第一坝和所述第二坝分别包括第一层及位于所述第一层之上的第二层，
所述第一层包含与所述贯通层相同的物质，
所述第二层包含与像素定义膜相同的物质。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
在所述第一层与所述第二层之间包括包含与所述像素电极的物质相同的物质的上方导电层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，
所述第一层包含与所述下方贯通层相同的物质，
在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含与所述上方贯通层相同的物质的中间层。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述贯通层包括上方贯通层及下方贯通层，
所述第一层由与所述下方贯通层相同的物质构成，
在所述第一层与所述上方导电层之间包括包含导电物质的中间导电层。
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